TW202121468A - 光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置 - Google Patents

光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202121468A
TW202121468A TW109126413A TW109126413A TW202121468A TW 202121468 A TW202121468 A TW 202121468A TW 109126413 A TW109126413 A TW 109126413A TW 109126413 A TW109126413 A TW 109126413A TW 202121468 A TW202121468 A TW 202121468A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photocathode
lens
electron beam
holding
electron
Prior art date
Application number
TW109126413A
Other languages
English (en)
Inventor
鹿野悠
佐藤大樹
渡辺起
守谷智昭
飯島北斗
Original Assignee
日商光電魂股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商光電魂股份有限公司 filed Critical 日商光電魂股份有限公司
Publication of TW202121468A publication Critical patent/TW202121468A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/04—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/88—Mounting, supporting, spacing, or insulating of electrodes or of electrode assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/38—Mounting, supporting, spacing, or insulating electron-optical or ion-optical arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/063—Electron sources
    • H01J2237/06325—Cold-cathode sources
    • H01J2237/06333—Photo emission

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本發明提供一種在將光電陰極與透鏡設置於電子槍內時，不需要調整 光電陰極膜與使焦點對準光電陰極膜之透鏡之距離的光電陰極套組。該光電陰極套組係包含：基板，於第一面形成有光電陰極膜；透鏡；及固持座，係保持前述基板及前述透鏡；前述固持座係具有：保持構件，係將前述光電陰極膜與前述透鏡保持成相隔預定的距離；及第一連通部，係將前述固持座的內部與前述固持座的外部連通。

Description

光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置
本申請之揭示係關於一種光電陰極套組(photocathode kit)、電子槍及電子射線應用裝置。
已知有一種搭載著光電陰極的電子槍、包含該電子槍的電子顯微鏡、自由電子雷射(laser)加速器、檢查裝置等電子射線應用裝置。例如，在發明專利文獻1及2中，已揭示一種使用了從光源照射激發光而射出電子束(beam)之光電陰極的電子槍。
在發明專利文獻1中，係揭示了一種使用了所謂透射型光電陰極的電子槍。專利文獻1所揭示的光電陰極係在透明基板及其表面上形成有光電陰極膜。光源係配置成從光電陰極的透明基板側射入光，且將來自光源的激發光照射至光電陰極膜，及在真空中從光電陰極膜側射出電子。此時，在光源與光電陰極之間配置透鏡(lens)以使激發光的焦點對準光電陰極膜。
此外，在發明專利文獻2中，已揭示一種具備有可供收容光電陰極之收納容器的電子槍。收納容器係可將表面處理材料配置於內部而將表面處理材料予以氣化，且可藉由經過氣化的表面處理材料將光電陰極進行EA(electron affinity，電子親和力)表面處理的容器。在發明專利文獻2中，已揭示藉由具備收納容 器，即可在不將光電陰極取出至外部而於腔室(chamber)內進行EA表面處理之內容。
[先前技術文獻]
[發明專利文獻]
發明專利文獻1：日本特開2001-143648號公報
發明專利文獻2：日本特許第5808021號公報
光電陰極會因為持續進行光照射而使電子射出特性劣化，且使電子射出量減少。因此，已知使用光電陰極的電子束源，其電子束的強度會隨著使用時間經過而減少。再者，對於已劣化的光電陰極，實施EA表面處理以進行光電陰極的復原。
在發明專利文獻1中，EA表面處理係在真空腔室外進行，需要從真空腔室內取出光電陰極。再者，由於在EA表面處理後，要將光電陰極配置於真空腔室內，故需對於光電陰極調整透鏡位置，以使激發光適當地照射至光電陰極膜。因此，會有光電陰極的移動和透鏡位置之調整所需之操作變得繁雜的問題。此外，亦有必須要設置將光電陰極取出至外部的移動手段和透鏡位置調整手段，而使得裝置變為大型化、複雜化的問題。
此外，當如發明專利文獻2所揭示具備有收納容器的場合，不需在真空腔室外部進行光電陰極之EA表面處理。然而，在真空腔室內的EA表面處理，為 了使配置於收納容器內的表面處理材料氣化，於使用透射型光電陰極時，會有污染透鏡的問題產生。
因此，本申請的揭示係提供一種光電陰極套組、電子槍及搭載有電子槍的電子射線應用裝置，其係在透射型的光電陰極中，於將光電陰極與透鏡設置於電子槍內時，不需要調整光電陰極膜與用以使焦點對準於光電陰極膜之透鏡間的距離。本申請之揭示之其他任意附加的功效，在用以實施發明的形態中將更臻明瞭。
(1)一種光電陰極套組，係包含：
光電陰極，係包含第一面形成有光電陰極膜的基板；
透鏡；及
固持座(holder)，係保持前述基板及前述透鏡；
前述固持座係具有：
保持構件，係將前述光電陰極膜與前述透鏡保持成相隔預定的距離；及
第一連通部，係將前述固持座的內部與前述固持座的外部連通。
(2)如上述(1)所述之光電陰極套組，其中，前述保持構件係內部為中空的間隔件(spacer)；
前述間隔件係
一方的端部與前述透鏡抵接，
另一方的端部則與和前述基板之前述第一面為相反側的第二面抵接，
且具有將前述間隔件之內部與前述固持座之內部連通的第二連通部。
(3)如上述(2)所述之光電陰極套組，其中，
前述間隔件係具有孔；
前述第二連通部係前述孔。
(4)如上述(2)所述之光電陰極套組，係具有凹部，該凹部係形成於前述一方的端部及/或前述另一方的端部；
前述第二連通部係前述凹部。
(5)如上述(1)所述之光電陰極套組，其中，前述保持構件係具有：
透鏡保持部；及
基板保持部。
(6)如上述(1)至(5)中任一項所述之光電陰極套組，其中，前述固持座係更具備加熱器。
(7)一種電子槍，係包含：
如上述(1)至(6)中任一項所述的光電陰極套組；
收納容器，係可收納前述光電陰極套組；
光源，係將激發光照射至前述光電陰極；
陽極(anode)；及
真空腔室。
(8)如上述(7)所述之電子槍，更包含表面處理材料，該表面處理材料係配置於前述收納容器的內部，用以進行前述光電陰極的表面處理。
(9)一種電子射線應用裝置，係包含上述(7)或(8)所述之電子槍者，前述電子射線應用裝置係
自由電子雷射加速器、
電子顯微鏡、
電子射線全像術(holography)裝置、
電子射線圖案化裝置、
電子射線繞射裝置、
電子射線檢查裝置、
電子射線金屬層積造型裝置、
電子射線微影術(lithography)裝置、
電子射線加工裝置、
電子射線硬化裝置、
電子射線滅菌裝置、
電子射線殺菌裝置、
電漿(plasma)產生裝置、
原子狀元素產生裝置、
旋轉偏極電子射線產生裝置、
陰極發光(cathode luminescence)裝置、或
逆光子放射攝譜術裝置。
依據本申請之揭示，在透射型的光電陰極中，在將光電陰極與透鏡設置於電子槍內時，不需要調整光電陰極膜與用以使焦點對準光電陰極膜之透鏡的距離。
1,1A,1B,1C,1D,1E,1F:光電陰極套組
2:光電陰極
3:透鏡
4:固持座
4a:固持座第一構件
4b:固持座第二構件
5:加熱器
6:電子槍
7:光源
8:陽極
9:真空腔室
10:收納容器
10h:電子束通過孔
10m:表面處理材料
11:驅動裝置
21:透明基板
22:光電陰極膜
23:第一面
24:第二面
31:透鏡推壓構件
32:固定部
41:基板保持部
42:保持構件
43:一方的端部
44:另一方的端部
45:脫氣部，第一連通部
46:第二連通部
46a:孔
46b:凹部
46c:間隙
47:透鏡保持部
48:基板保持構件
49:回繞防止部
51:加熱器插入部
52:第二脫氣部
B:電子束
E:對象側裝置
L:激發光
圖1係示意性地顯示第一實施形態中之光電陰極套組1A的概略剖面圖。
圖2係示意性地顯示第一實施形態中之間隔件42的概略立體圖。
圖3係示意性地顯示第二實施形態中之光電陰極套組1B的概略剖面圖。
圖4A係示意性地顯示第三實施形態中之光電陰極套組1C的概略剖面圖。
圖4B係示意性地顯示第三實施形態中之光電陰極套組1C的概略剖面圖。
圖4C係示意性地顯示第三實施形態中之光電陰極套組1C的概略剖面圖。
圖5係示意性地顯示第四實施形態中之光電陰極套組1D的概略剖面圖。
圖6A係示意性地顯示第五實施形態中之光電陰極套組1E的概略剖面圖。
圖6B係示意性地顯示第五實施形態中之使用透鏡推壓構件之透鏡固定方法的概略立體圖。
圖7係示意性地顯示第六實施形態中之光電陰極套組1F的概略剖面圖。
圖8係示意性地顯示第一實施形態中之電子槍6及搭載有電子槍6之裝置的概略剖面圖。
圖9係示意性地顯示第一實施形態中之電子槍6之EA表面處理的概略剖面圖。
以下參照圖式詳細地說明光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置。另外，在本說明書中，對於具有相同功能的構件，係標示相同或類似的符號。再者，關於標示有相同或類似之符號的構件，有時會省略重複的說明。
此外，圖式中所示之各構成的位置、大小、範圍等，為了易於理解，會有未表示實際之位置、大小、範圍等的情形。因此，本申請中的揭示未必限定於圖式所揭示之位置、大小、範圍等。
<光電陰極套組1的實施形態>
(第一實施形態)
茲參照圖1及圖2來說明第一實施形態之光電陰極套組1A。圖1係示意性地顯示第一實施形態中之光電陰極套組1A的概略剖面圖。圖2係示意性地顯示作為保持構件之間隔件42的概略立體圖。
第一實施形態中的光電陰極套組1A係具備：光電陰極2、透鏡3、及固持座4。
圖1中的光電陰極2係藉由透明基板21、及接著於透明基板21之第一面23的光電陰極膜22所形成。光電陰極2係依據從與透明基板21之形成有光電陰極膜22之第一面23為相反側之第二面24側射入之激發光的受光，而從光電陰極膜22射出電子束。
透明基板21若可供透射來自光源的激發光則無特別限制。例如，可列舉石英玻璃或藍寶石(sapphire)玻璃。
光電陰極膜22若可藉由照射激發光而射出電子束則無特別限制，可列舉需要EA表面處理的材料、及不需要EA表面處理的材料等。作為需要EA表面處理的材料，可列舉例如III-V族半導體材料、II-VI族半導體材料。具體而言，係可列舉AlN、Ce2Te、GaN、一種以上的鹼(alkali)金屬與Sb的化合物、AlAs、GaP、GaAs、GaSb、InAs等及該等之混晶等。作為其他例，可列舉金屬，具體而言，係可列舉Mg、Cu、Nb、LaB6、SeB6、Ag等。通過進行EA表面處理即可製作光電陰極膜22，且該光電陰極膜22不僅在半導體之隙能(gap energy)所對應之近紫外-紅外光波長區域變得可選擇激發光，亦藉由半導體的材料或構造的選擇而使電子束之用途所對應的電子束源(electron beam source)性能(量子 產率(quantum yield)、耐久性、單色性(monochromaticity)、時間反應性(time responsiveness)、旋轉偏極(spin polarization)度)變得可能。
此外，作為不需要EA表面處理的材料，可列舉例如Cu、Mg、Sm、Tb、Y等金屬單體、或合金、金屬化合物、或金剛石(diamond)、WBaO、Cs2Te等。不需要EA表面處理的光電陰極膜係利用已知的方法(例如請參照日本特許第3537779號等)製作即可。
透鏡3係用以使來自光源的激發光收歛至光電陰極膜22者。所收歛的激發光係在光電陰極膜22聚焦，且從光電陰極膜22射出電子束。透鏡3若可聚光則無特別限制，可使用一般所使用的透鏡。
固持座4係用以保持光電陰極2及透鏡3者。由於固持座4係設為使從外部射入的激發光通過透鏡3而照射至光電陰極2，故呈中空構造。再者，固持座4係於中空構造的內部具有：基板保持部41，係保持光電陰極2的透明基板21；及保持構件42，係用以使光電陰極膜22與透鏡3成為相隔預定的距離。在圖1中，係顯示使用間隔件42作為保持構件42之例。
另外，在圖1所示之例中，透鏡3雖被固持座4與間隔件42挾持而固定，但透鏡3與間隔件42亦可藉由螺釘來固定。當以螺釘來固定透鏡3與間隔件42時，在透鏡3的凸面與固持座4之間亦可具有空間。
雖然詳細內容將於下文說明，固持座4亦可具有加熱器，因此較佳為以導熱性良好的材料形成。作為其材料，可列舉例如鈦(titanium)、鉬 (molybdenum)、該等之合金、鎳鉻合金(inconel)、不鏽鋼(stainless steel)(SUS)等金屬。
基板保持部41若可將透明基板21保持(固定)於固持座4則無特別限制。在圖1中，係顯示在固持座4形成有收容透明基板21之端部的凹部之例。取而代之，亦可於固持座4形成凸部，將該凸部與形成於透明基板21的凹部予以卡合。
間隔件42係配置在光電陰極2與透鏡3之間，且為了使透鏡3的焦點在光電陰極膜22聚焦，而規定光電陰極2與透鏡3之間的距離，亦即用以規定光電陰極2與透鏡3之位置關係者。圖1所例示的間隔件42，係內部為中空之筒狀的形狀。再者，間隔件42之一方的端部43係與透鏡3抵接，另一方的端部44係抵接於構成光電陰極2之透明基板21的第二面24(與形成有光電陰極膜22之第一面23為相反側的面)。另外，圖1所例示的間隔件42雖於中空之筒狀的端部(43、44)形成有凸緣部以使與透鏡3及透明基板21的接觸面積變寬，但凸緣部的形成未必需要，亦可不形成凸緣部。
形成間隔件42的材料，若可使光電陰極膜22與透鏡3的距離保持為固定則無特別限制。例如，亦可與固持座4同樣地以金屬等來形成。或者，亦可以合成石英、陶瓷(ceramics)等非金屬材料來形成。合成石英或陶瓷等非金屬材料因為加熱所導致的變形比金屬等更少。因此，當使用合成石英或陶瓷等非金屬材料作為形成間隔件的材料時，可達成光電陰極膜22與透鏡3之距離不易改變的效果。
圖1所例示的光電陰極套組1A雖配置於電子槍的真空腔室內，但固持座4的內部係中空構造。不過，當因為保持光電陰極2與透鏡3而使固持座4的內部成為氣密狀態時，中空構造內的氣體在真空中膨脹，會有對於光電陰極膜22與透鏡3的距離造成影響之虞。因此，在真空中，為了防止固持座4內之氣體的膨脹，固持座4係具有使固持座4之內部與外部連通的脫氣部45(第一連通部)。第一連通部45係可列舉例如使固持座4之內部與外部連通的貫通孔。在圖1所示之例中，係藉由固持座第一構件4a與固持座第二構件4b來形成固持座4，且形成為在將固持座第一構件4a與固持座第二構件4b卡合時於卡合部產生間隙(第一連通部45)。取而代之，雖未圖示，但亦可設為在固持座第一構件4a及/或固持座第二構件4b的卡合部以外預先形成貫通孔(第一連通部45)，以例如公螺釘與母螺旋形成固持座第一構件4a與固持座第二構件4b的卡合部，積極地使卡合部不會產生間隙。
此外，在圖1所示之例中，透明基板21係被形成於固持座第二構件4b的凹部(基板保持部41)所保持。因此，為了可將透明基板21的端部插入於基板保持部41，固持座第二構件4b亦可形成為可分割之複數個構件。此外，在圖1中，固持座第一構件4a與固持座第二構件4b係顯示分割於圖1之上下方向之例。取而代之，亦可設為固持座第一構件4a與固持座第二構件4b可分割於圖1的左右方向。
此外，由於圖1所例示的間隔件42係內部為中空的筒狀，故當間隔件42的端部(43、44)抵接於透鏡3與透明基板21時，間隔件42的內部變得氣密。因此，與固持座4同樣地，間隔件42係具有使間隔件42之內部與外部(固持座4的內部)連通的第二連通部46。
圖1所例示之間隔件42的第二連通部46係形成於間隔件42的筒狀部分，使筒狀部分的內部與外部連通的孔46a。圖2(a)係顯示圖1所例示之間隔件42之整體之概略的立體圖。另外，只要間隔件42的內部不會變為氣密，則第二連通部46不限定於圖1及圖2(a)所示之例。圖2(b)係顯示第二連通部46之另一實施形態的立體圖，且顯示在間隔件42之一方的端部43設有變為缺口之凹部46b之例。此外，第二連通部46若可使間隔件42的內部與固持座4的內部連通即可，亦可在另一方的端部44具有凹部。或者，亦可將孔46a與凹部46b予以組合。此外，在圖1及圖2(a)(b)中，雖顯示了間隔件42的形狀為筒狀之例，但若可使透鏡3與光電陰極膜22保持成相隔預定的距離，則間隔件42的形狀並無特別限制。例如，如圖2(c)所示，亦可藉由複數個分割的構件來形成間隔件42。在圖2(c)所示之例中，係由相鄰之間隔件42彼此的間隙46c形成第二連通部46。
第一實施形態之光電陰極套組1A係以使透鏡3的焦點聚焦於光電陰極2的光電陰極膜22之方式保持透明基板21與透鏡3。因此，藉由將光電陰極套組1A設置於始自光源的光路徑(light path)上，即可使通過透鏡3之激發光之焦點聚焦於光電陰極膜22。以往，每逢將光電陰極2設置於電子槍內時，都需要進行使透鏡3之焦點對準光電陰極膜22的調整。相對地，當使用第一實施形態之光電陰極套組1A時，則不需要透鏡3的位置調整，可達成使將光電陰極2與透鏡3設置於電子槍內之作業簡化的功效。
此外，以往在將光電陰極設置於電子槍內時，需要有使光電陰極移動之驅動部以及使透鏡移動之驅動部的二個驅動部。相對地，藉由使用第一實施形態 所示之光電陰極套組1A，即不再需要調整透鏡3的位置。因此，僅藉由使光電陰極套組1A移動的驅動部，即可進行設置於電子槍內之光電陰極2之位置的調整，亦可達成使裝置小型化、簡化的功效。
(第二實施形態)
茲參照圖3來說明第二實施形態中之光電陰極套組1B。圖3係示意性地顯示第二實施形態中之光電陰極套組1B之一例的概略剖面圖。
在第一實施形態中，係使用了間隔件42作為用以將光電陰極膜22與透鏡3保持成相隔預定之距離的保持構件。相對地，在第二實施形態中，係使用透鏡保持部取代間隔件42以作為保持構件，此點與第一實施形態有所不同。因此，在第二實施形態中，係以與第一實施形態不同的點為中心進行說明，關於在第一實施形態中已經說明的事項則省略重複的說明。因此，即使在第二實施形態中未明確說明，當然在第二實施形態中亦可採用於第一實施形態中已經說明的事項。
圖3所例示之第二實施形態中的固持座4係具有：保持光電陰極2之透明基板21的基板保持部41；及透鏡保持部47。再者，藉由基板保持部41與透鏡保持部47，使光電陰極膜22與透鏡3保持成相隔預定的距離。
透鏡保持部47若可在不接觸透明基板21而於固持座4內固定且保持透鏡3則無特別限制。圖3所例示之透鏡保持部47，係以與固持座4不同的個體所形成之大致環狀的構件。在圖3所示之例中，透鏡保持部47的外緣部分卡合於形成在固持座第一構件4a的凹部，透鏡保持部47的內緣部分則突出於固持座4內。因 此，可藉由突出於固持座4內的部分來保持透鏡3。另外，透鏡保持部47亦可用複數個構件來形成以取代大致環狀的構件。當用複數個構件來形成透鏡保持部47時，若各個構件的一端卡合於形成在固持座第一構件4a的凹部，而各個構件的另一端突出於固持座4內而可保持透鏡3，則構件的數量並無限制。
此外，雖未圖示，透鏡保持部47亦可與固持座4一體形成。更具體而言，透鏡保持部47亦可與基板保持部41同樣地，形成為設於固持座4的凹部，且將透鏡3卡合於該凹部。或者，透鏡保持部47亦可形成為與固持座4一體設置的凸部。如第一實施形態中所說明，固持座4亦可視需要作分割。
當將透鏡保持部47以與固持座4不同的個體形成時，透鏡保持部47係以例如與固持座4相同的金屬或陶瓷等非金屬材料形成即可。
在第二實施形態中，係可藉由基板保持部41與透鏡保持部47將光電陰極膜22與透鏡3保持成相隔預定的距離。因此，在第二實施形態中，亦可達成與第一實施形態之光電陰極套組1A相同的功效。
(第三實施形態)
茲參照圖4A至C來說明第三實施形態中之光電陰極套組1C。圖4A至C係示意性地顯示第三實施形態中之光電陰極套組1C之一例的概略剖面圖。
第三實施形態中之光電陰極套組1C係更具備加熱器5，此點與第一實施形態所示之光電陰極套組1A有所不同，其他點則與第一實施形態相同。因此，在第三實施形態係以與第一實施形態不同的點為中心進行說明，關於在第一實施 形態中已經說明的事項則省略重複的說明。因此，即使在第三實施形態中未明確說明，當然在第三實施形態中亦可採用於第一實施形態中已經說明的事項。此外，圖4A至C所示之例雖參照第一實施形態進行說明，但第三實施形態當然亦可採用於第二實施形態中已經說明的事項。
在將光電陰極2設置於電子槍之前，光電陰極2係曝露於大氣中的雜質。因此，需要在真空中進行300至700℃、10分鐘至1小時之加熱，將氧化物或碳化物等表面雜質予以去除，而使光電陰極2的表面潔淨。
在第三實施形態中，光電陰極套組1C具有加熱器5。因此，藉由光電陰極套組1C所具備的構成，可將光電陰極2進行加熱。在圖4A所示之例中，加熱器5係設置成插入至面向固持座4之中空部的加熱器插入部51。在圖4A所示之例中，由於加熱器5係配置成與透明基板21相接，故可將透明基板21直接進行加熱。取而代之，亦可設為將加熱器5配置成不與透明基板21接觸，而透過固持座4將透明基板21進行加熱。圖4B及圖4C係顯示加熱器5之配置之另一實施形態的概略剖面圖。如圖4B所示，加熱器5亦可配置在設於固持座4之外部的加熱器插入部51。在圖4B所示之例中，即使當加熱器5故障時，亦可簡單地進行更換。此外，如圖4B所示，加熱器5係可另外附加。
在圖4C所示之例中，係於設置在固持座4之內部的加熱器插入部51配置有加熱器5。當將加熱器5加熱時，會有從形成加熱器5的材料產生氣體的情形。再者，當所產生的氣體流入至固持座4的內部時，會有污染光電陰極2之第二面24或透鏡3之虞。在圖4C所示之例中，加熱器插入部51與固持座4之外部相連通的第二脫氣部52係設於固持座4。因此，可防止從加熱器5所產生的氣體流入至 固持座4的內部。第二脫氣部52係可列舉例如使固持座4之內部與外部連通的貫通孔。
此外，光電陰極套組1係配置於電子槍內，可供在電子槍內進行光電陰極2的EA表面處理。EA表面處理係藉由將表面處理材料予以氣化，且蒸鍍至光電陰極2來進行。此時，當加熱器5暴露於固持座4的外部時，會有光電陰極2的表面處理材料附著於加熱器5之虞。在圖4C所示之例中，係可藉由將加熱器5配置於固持座4的內部，而抑制表面處理材料附著於加熱器5。在第一及第二實施形態所示的固持座4中，當然亦可形成加熱器插入部51。
加熱器5若可將光電陰極膜22在真空中加熱至300至700℃左右則無特別限制。作為加熱器5，係可列舉例如鉭(tantalum)等電熱線、雷射加熱裝置。
第三實施形態中的光電陰極套組1C，除第一及第二實施形態之光電陰極套組1的功效外，還可相乘地達成以下的功效。
在將光電陰極套組1C設置於電子槍之後，即可在電子槍內進行光電陰極2的加熱處理。此外，即使當因為使用而使雜質附著於光電陰極2而逐漸劣化，亦可在不將光電陰極2取出至電子槍的外部而進行加熱處理。
(第四實施形態)
茲參照圖5來說明第四實施形態中之光電陰極套組1D。圖5係示意性地顯示第四實施形態中之光電陰極套組1D之一例的概略剖面圖。
在第一實施形態中，係於固持座4設置基板保持部41而保持透明基板21。相對地，在第四實施形態中，係藉由基板保持構件48以取代基板保持部41來保持透明基板21，此點與第一實施形態有所不同，其他點則與第一實施形態相同。因此，在第四實施形態中，係以與第一實施形態不同的點為中心進行說明，關於在第一實施形態中已經說明的事項則省略重複的說明。因此，即使在第四實施形態中未明確說明，當然在第四實施形態中亦可採用於第一實施形態中已經說明的事項。此外，在圖5所示之例中，雖參照第一實施形態進行說明，但第四實施形態當然亦可採用於第二及第三實施形態中已經說明的事項。
在圖5所示之例中，透明基板21係可在固持座4的下端部上藉由基板保持構件48而被保持在固持座4。再者，透明基板21被保持於固持座4，且通過間隔件42而使光電陰極膜22與透鏡3保持成相隔預定的距離。
基板保持構件48若可將透明基板21保持於固持座4的下端部則無特別限制。圖5所示之基板保持構件48係以與固持座4不同的個體所形成之剖面大致L字形之大致環狀的構件。在圖5所示之例中，係藉由固持座4的下端部與基板保持構件48來挾持透明基板21，使固持座4與基板保持構件48卡合，而將透明基板21保持於固持座4。固持座4與基板保持構件48的卡合手段並無特別限制，使用藉由螺釘的固定、藉由卡合溝的固定等已知的手段即可。
基板保持構件48係以例如與固持座4相同的金屬或陶瓷等非金屬材料形成即可。
第四實施形態中之光電陰極套組1D除第一至第三實施形態之光電陰極套組1的功效外，還可相乘地達成以下的功效。
當如第一實施形態般將透明基板21保持於固持座4的內部時，固持座4必須由複數個構件構成。相對地，在第四實施形態中，由於可從固持座4的外部來保持透明基板21，故可藉由單一的筒狀體來形成固持座4。
此外，當將透明基板21保持於固持座4的內部時，若透明基板21不具有某種程度的厚度，則透明基板21的裝卸將變得困難。相對地，在第四實施形態中，由於係在固持座4的下端部與基板保持構件48之間配置透明基板21而可保持於固持座4上，故可使透明基板21較薄。藉由透明基板21變為較薄，得以抑制被照射至光電陰極膜22之光的損耗，而可使電子束有效率地射出。此外，藉由透明基板21的熱容量變小，故可有效率地使光電陰極2的表面潔淨。
(第五實施形態)
茲參照圖6A及圖6B來說明第五實施形態之光電陰極套組1E。圖6A係示意性地顯示第五實施形態中之光電陰極套組1E之一例的概略剖面圖。圖6B係示意性地顯示使用透鏡推壓構件31之透鏡固定方法的概略立體圖。
在第一實施形態中，係通過藉由固持座4與間隔件42來挾持透鏡3，而將透鏡3保持於固持座4。相對地，在第五實施形態中，係藉由透鏡推壓構件31與間隔件42來保持透鏡3以取代藉由固持座4與間隔件42來保持透鏡3，此點與第一實施形態有所不同，其他點則與第一實施形態相同。因此，在第五實施形態中，係以與第一實施形態不同的點為中心進行說明，關於在第一實施形態中已 經說明的事項則省略重複的說明。因此，即使在第五實施形態中未明確說明，當然在第五實施形態中亦可採用於第一實施形態中已經說明的事項。此外，在圖6所示之例中，雖參照第一實施形態進行說明，但第五實施形態當然亦可採用於第二至第四實施形態中已經說明的事項。
第五實施形態中之透鏡3，如圖6B所示，係被透鏡推壓構件31與間隔件42所挾持。再者，透鏡3係藉由間隔件42與透鏡推壓構件31被保持於固持座4內(圖6A)。結果，可使光電陰極膜22與透鏡3保持成相隔預定的距離。
透鏡推壓構件31若可不干擾照射至光電陰極膜22之激發光之光路徑地朝間隔件42的方向推壓透鏡，則無特別限制。圖6B所示之透鏡推壓構件31係以與固持座4不同的個體所形成之具有彈性的板狀構件(板彈簧)。此外，透鏡推壓構件31係具有固定於固持座4的固定部32。透鏡推壓構件31的固定方式只要可固定於固持座4則無特別限制。例如，亦可在固持座4形成凹部，且將固定部32卡合於該凹部進行固定，亦可將固持座4予以分割而在其間挾著固定部32以螺釘來固定。圖6B所例示之透鏡推壓構件31與透鏡3接觸的部位係形成為環狀，不會阻礙激發光的光路徑。由於透鏡推壓構件31具有彈性，故透鏡3被保持於固持座4內時，可將透鏡3朝間隔件42的方向推壓。另外，透鏡推壓構件31亦可用複數個構件來形成。當用複數個構件來形成透鏡推壓構件31時，係使各個構件的一端卡合於固持座4，且使各個構件的另一端突出於固持座4內，再者，使另一端以接觸透鏡3之方式保持即可。當用複數個構件來形成透鏡推壓構件31時，若可將透鏡3朝間隔件42的方向推壓，則構件的數量並無限制。
形成透鏡推壓構件31的材料若為具有彈性者則無特別限制。可列舉例如與固持座4相同的金屬等。另外，如上所述，由於當進行光電陰極2的加熱處理時，在真空中加熱至300至700℃左右，故透鏡推壓構件31亦變得高溫。透鏡推壓構件31係被用來使透鏡3與光電陰極膜22保持成相隔預定的距離，故形成透鏡推壓構件31的材料係以耐熱性充分、熱膨脹小、加熱時之氣體釋出較少者為更佳。從該觀點而言，作為形成透鏡推壓構件31的材料，以鈦為最佳，其次則以鉬、或鎳鉻合金為佳。形成透鏡推壓構件31的材料與形成固持座4的材料係可相同，亦可不同。
第五實施形態中的光電陰極套組1E除第一至第四實施形態之光電陰極套組1的功效外，還可相乘地達成以下的功效。
當進行光電陰極2的加熱處理、或光電陰極2的EA表面處理時，光電陰極套組1係被加熱。此時，固持座4因為熱的影響而翹曲，且該翹曲會有對於光電陰極膜22與透鏡3的距離造成影響之虞。在圖6所例示的第五實施形態中，即使固持座4因為熱而翹曲，由於透鏡推壓構件31將透鏡3朝向間隔件42推壓，故能夠使光電陰極膜22與透鏡3的距離總是被間隔件42所確保的狀態。
(第六實施形態)
茲參照圖7來說明第六實施形態之光電陰極套組1F。圖7係示意性地顯示第六實施形態中之光電陰極套組1F之一例的概略剖面圖。
在第六實施形態中係於固持座4的上端部側設有回繞防止部49，此點與第一實施形態有所不同，其他點則與第一實施形態相同。因此，在第六實施形態 中，係以與第一實施形態不同的點為中心進行說明，關於在第一實施形態中已經說明的事項則省略重複的說明。因此，即使在第六實施形態中未明確說明，當然在第六實施形態中亦可採用於第一實施形態中已經說明的事項。此外，在圖7所示之例中，雖參照第一實施形態進行說明，但第六實施形態當然亦可採用於第二至第五實施形態中已經說明的事項。
詳細內容雖將於後文說明，但光電陰極套組1係配置於電子槍內，可供在電子槍內進行光電陰極2的EA表面處理。EA表面處理係可藉由將表面處理材料予以氣化而蒸鍍至光電陰極2來進行。
經氣化之表面處理材料的大部分雖到達光電陰極套組1的下端部側，但一部分氣化的表面處理材料會有到達光電陰極套組1之上端部側之虞。圖7所例示的第六實施形態係在固持座4的上端部設有回繞防止部49者，該回繞防止部49係防止光電陰極2在電子槍內進行EA表面處理時，透鏡3被到達光電陰極套組1之上端側的表面處理材料所污染。
回繞防止部49若可使經氣化的表面處理材料不易附著於透鏡3的上面，則無特別限制。在圖7所示之例中，回繞防止部49係以可供激發光L通過之中空狀的筒狀構件形成。回繞防止部49亦可與固持座4一體形成。取而代之，回繞防止部49亦可以與固持座4不同的個體形成，且安裝於固持座4。
第六實施形態中的光電陰極套組1F除第一至第五實施形態之光電陰極套組1的功效外，還可相乘地達成以下的功效。
藉由設置回繞防止部49，即可將透鏡3保持為更潔淨的狀態。
<電子槍的實施形態>
(第一實施形態)
茲參照圖8及圖9來說明具有光電陰極套組1之電子槍6的第一實施形態。圖8係示意性地顯示第一實施形態中之電子槍6及搭載有電子槍6之對象側裝置E的概略剖面圖。圖9係示意性地顯示光電陰極2在電子槍內進行EA表面處理之一例的概略剖面圖。
第一實施形態中的電子槍6係具備：光電陰極套組1；光源7；陽極8；真空腔室9；及可收納光電陰極套組1的收納容器10。
此外，圖8所例示的光電陰極套組1，係配置在具備有電子束通過孔10h的收納容器10內。在收納容器10內係配置有用以對光電陰極2進行EA表面處理(換言之為電子親和力的降低處理)的表面處理材料10m。
光源7若為可藉由對於光電陰極2照射激發光L而射出電子束B者則無特別限制。光源7係可列舉例如高輸出(瓦特級)、高頻率(數百MHz)、超短脈衝雷射(pulse laser)光源、相對較低廉的雷射二極體(laser diode)、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等。所照射的激發光L係可為脈衝光、連續光的任一種，且依目的適當地調整即可。光源7係將激發光L從通過光電陰極套組1之透鏡3的透明基板21之第二面24側照射即可。在圖8所示之例中，光源7雖配置於真空腔室9外，但亦可將光源7配置於真空腔室9內。
在圖8所示之例中，光電陰極套組1、陽極8係配置於真空腔室9內。光電陰極2係對應從光源7所照射之激發光L的受光而射出電子束B。更具體而言，光電陰極2中的電子係被激發光L激發，而所激發的電子則從光電陰極2射出。所射出的電子係藉由由陽極8與陰極2所形成的電場而形成電子束B。另外，關於本說明書中之「光電陰極」與「陰極」的記載，雖有當以射出電子束的涵義記載時即記載為「光電陰極」，當以「陽極」之對極的涵義記載時則記載為「陰極」的情形，但關於符號，則無論是「光電陰極」還是「陰極」的任何情形都使用「2」。
陽極8若可與陰極2形成電場者則無特別限制，可使用在電子槍之領域中一般所使用的陽極。
電子束B若可從陰極2朝向陽極8射出，則電源的配置並無特別限制。在圖8所示之例中，係可藉由以在陰極2與陽極8之間產生電位差之方式配置電源而形成電場。
在電子槍6的第一實施形態中，可在真空腔室9內進行已劣化之光電陰極2的EA表面處理。供收納光電陰極套組1的收納容器10係可將配置於內部的表面處理材料10m予以氣化，且為用以藉由經氣化的表面處理材料進行光電陰極2之EA表面處理的容器。收納容器10係包含有至少可供從光電陰極2射出之電子通過的電子束通過孔10h。電子束通過孔10h若為至少可供電子通過的大小即可，但為了加工的容易性、及為了使從光電陰極2射出的電子與電子束通過孔10h之角度或位置關係易於調整，可為1nm至10mm的大小，亦可為50μm至5mm的大小。
收納容器10的材料並無特別限制，可利用例如玻璃、鉬、陶瓷、藍寶石、鈦、鎢(tungsten)、鉭等可承受300℃以上、更佳為可承受400℃之熱的耐熱性材料形成。
配置於收納容器10之內部的表面處理材料10m若為可進行EA表面處理的材料即可，並無特別限制。作為構成表面處理材料10m的元素，可例示有例如Li(鋰)、Na(鈉)、K(鉀)、Rb(銣)、Cs(銫)、Te(鍗)、Sb(銻)等。另外，在前述元素之中，Li、Na、K、Rb、Cs若為單體則會自燃，無法保存利用。因此，關於Li、Na、K、Rb、Cs，必須以此等元素的複合元素、包含此等元素之化合物的形態來使用。相對地，當以化合物的形態來使用時，必須要使前述元素在蒸鍍時不會產生雜質氣體。因此，當使用從Li、Na、K、Rb、Cs所選擇的元素作為表面處理材料10m時，較佳為將Cs2CrO4、Rb2CrO4、Na2CrO4、K2CrO4等化合物與抑制雜質氣體之產生的還原劑予以組合來使用。表面處理材料10m係使用加熱手段在光電陰極收納容器10內氣化，且蒸鍍至光電陰極2。
在電子槍6的第一實施形態中，如圖9所例示，EA表面處理係藉由通過驅動裝置11使光電陰極套組1在收納容器10內移動至蒸鍍位置，且將表面處理材料10m予以氣化而蒸鍍至光電陰極2來進行。驅動裝置11若可移動光電陰極套組1則無特別限制，例如可使用日本國際公開第2015/008561號、國際公開第2018/186294號所記載的驅動裝置。日本國際公開第2015/008561號、國際公開第2018/186294號所記載的事項係包含於本說明書中。
第一實施形態中的電子槍6，除第一至第六實施形態之光電陰極套組1所達成的功效外，還可相乘地達成以下的功效。
當光電陰極與透鏡分別以在真空腔室內(收納容器內)露出的狀態下進行EA表面處理時，繞過透明基板21之端部的表面處理材料10m有可能會附著於透鏡3。此時，附著於透鏡3的表面處理材料10m會夾雜於光學系統中，使激發光之聚焦的位置有可能會發生變化。相對地，在圖8及圖9所示之例中，由於透鏡3係被保持於光電陰極套組1的固持座4內，而電子槍6為利用真空泵(pump)(未圖示)抽除後的狀態，故在光電陰極2進行EA表面處理時，經氣化的表面處理材料10m不會進入至固持座4內。亦即，達成防止透鏡3被表面處理材料10m污染，且保持透鏡3為潔淨之狀態的功效。
在圖9中，係顯示使用了第六實施形態之光電陰極套組1F作為光電陰極套組1之例。在圖9所示之例中，由於光電陰極套組1F具備回繞防止部49，故經氣化的表面處理材料10m不易附著於透鏡3的上面。另外，在圖9所示之例中，係於使光電陰極套組1F移動至蒸鍍位置時，會在回繞防止部49的上端部分與光源7之間產生間隙。視需要，亦可設計成調整回繞防止部49的高度，使光電陰極套組1F移動至蒸鍍位置時，不會在回繞防止部49的上端部分與光源7之間產生間隙。此時，將使經氣化的表面處理材料10m附著於透鏡3之上面之疑慮更為減少。此外，在圖9所示之例中，雖將驅動裝置11安裝於光電陰極套組1F的側面，但取而代之亦可將驅動裝置11安裝於回繞防止部49來驅動光電陰極套組1F。
搭載電子槍的電子射線應用裝置E係可列舉搭載電子槍之已知的裝置。可列舉例如自由電子雷射加速器、電子顯微鏡、電子射線全像術裝置、電子射線圖案化裝置、電子射線繞射裝置、電子射線檢查裝置、電子射線金屬層積造型裝置、電子射線微影術裝置、電子射線加工裝置、電子射線硬化裝置、電子射線滅菌裝置、電子射線殺菌裝置、電漿產生裝置、原子狀元素產生裝置、旋轉偏極電子射線產生裝置、陰極發光裝置、逆光子放射攝譜術裝置等。
本發明不限定於上述各實施形態，可明瞭在本發明之技術思想的範圍，各實施形態係可適當變形或變更。此外，可將在各實施形態中所使用之任意的構成要件組合成其他實施形態，此外，在各實施形態中亦可省略任意的構成要件。
[產業上之可利用性]
當使用本申請所揭示的光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置時，透鏡的焦點係藉由光電陰極套組的固持座而總是被聚焦於光電陰極膜。因此，對於使用或涉及電子槍的業者而言具有可利用性。
1,1A:光電陰極套組
2:光電陰極
3:透鏡
4:固持座
4a:固持座第一構件
4b:固持座第二構件
21:透明基板
22:光電陰極膜
23:第一面
24:第二面
41:基板保持部
42:保持構件
43:端部
44:端部
45:第一連通部
46:第二連通部
46a:孔

Claims (9)

  1. 一種光電陰極套組，係包含：
    光電陰極，係包含第一面形成有光電陰極膜的基板；
    透鏡；及
    固持座，係保持前述基板及前述透鏡；
    前述固持座係具有：
    保持構件，係將前述光電陰極膜與前述透鏡保持成相隔預定的距離；及
    第一連通部，係將前述固持座的內部與前述固持座的外部連通。
  2. 如請求項1所述之光電陰極套組，其中，前述保持構件係內部為中空的間隔件；
    前述間隔件係
    一方的端部與前述透鏡抵接，
    另一方的端部則與和前述基板之前述第一面為相反側的第二面抵接，
    且具有將前述間隔件之內部與前述固持座之內部連通的第二連通部。
  3. 如請求項2所述之光電陰極套組，其中，前述間隔件係具有孔；前述第二連通部係前述孔。
  4. 如請求項2所述之光電陰極套組，係具有凹部，該凹部係形成於前述一方的端部及/或前述另一方的端部；前述第二連通部係前述凹部。
  5. 如請求項1所述之光電陰極套組，其中，前述保持構件係具有：透鏡保持部；及基板保持部。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述之光電陰極套組，其中，前述固持座係更具備加熱器。
  7. 一種電子槍，係包含：
    如請求項1至請求項6中任一項所述的光電陰極套組；
    收納容器，係可收納前述光電陰極套組；
    光源，係將激發光照射至前述光電陰極；
    陽極；及
    真空腔室。
  8. 如請求項7所述之電子槍，更包含表面處理材料，該表面處理材料係配置於前述收納容器的內部，用以進行前述光電陰極的表面處理。
  9. 一種電子射線應用裝置，係包含請求項7或請求項8所述之電子槍者，前述電子射線應用裝置係自由電子雷射加速器、電子顯微鏡、電子射線全像術裝置、電子射線圖案化裝置、電子射線繞射裝置、電子射線檢查裝置、電子射線金屬層積造型裝置、電子射線微影術裝置、電子射線加工裝置、電子射線硬化裝置、電子射線滅菌裝置、電子射線殺菌裝置、電漿產生裝置、原子狀元素產生裝置、旋轉偏極電子射線產生裝置、陰極發光裝置、或逆光子放射攝譜術裝置。
TW109126413A 2019-08-20 2020-08-05 光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置 TW202121468A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019150764A JP6679014B1 (ja) 2019-08-20 2019-08-20 フォトカソードキット、電子銃および電子線適用装置
JP2019-150764 2019-08-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202121468A true TW202121468A (zh) 2021-06-01

Family

ID=70166432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109126413A TW202121468A (zh) 2019-08-20 2020-08-05 光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20220181111A1 (zh)
EP (1) EP3951831A4 (zh)
JP (1) JP6679014B1 (zh)
KR (1) KR102656536B1 (zh)
CN (1) CN113692634A (zh)
IL (1) IL287086A (zh)
TW (1) TW202121468A (zh)
WO (1) WO2021033519A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762635B1 (ja) * 2020-04-16 2020-09-30 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ 電子銃、電子線適用装置、および、電子ビームの射出方法
JP6828937B1 (ja) * 2020-09-09 2021-02-10 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ 電子銃、電子銃用部品、電子線適用装置、および位置合わせ方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3487320A (en) 1967-10-24 1969-12-30 Ibm Biased bridge coupled bipolar amplifier
GB1502118A (en) * 1974-05-03 1978-02-22 Spectra Physics Method and apparatus for reading coded labels
JPS5697937A (en) * 1980-01-07 1981-08-07 Nec Corp Manufacturing method for image intensifier
JPS588021U (ja) 1981-07-08 1983-01-19 株式会社ボッシュオートモーティブ　システム 冷暖房装置の吸入方向切換装置
JP2524021B2 (ja) * 1991-08-21 1996-08-14 浜松ホトニクス株式会社 イメ―ジ管
JP2001143648A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Hitachi Ltd 光励起電子線源および電子線応用装置
JP2002313273A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Hitachi Ltd 電子顕微鏡装置
JP4589691B2 (ja) * 2004-10-25 2010-12-01 日本放送協会 立体光学像表示窓装置
EP2270832B1 (en) * 2008-03-25 2016-02-10 Japan Science and Technology Agency Spin polarized electron source
JP5808021B2 (ja) * 2013-07-16 2015-11-10 国立大学法人名古屋大学 電子親和力の低下処理装置に用いられる活性化容器及びキット、該キットを含む電子親和力の低下処理装置、フォトカソード電子ビーム源、並びに、フォトカソード電子ビーム源を含む電子銃、自由電子レーザー加速器、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子線ホログラフィー顕微鏡、電子線描画装置、電子線回折装置及び電子線検査装置
WO2017168554A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡
KR102327112B1 (ko) * 2017-04-05 2021-11-16 가부시키가이샤 포토 일렉트론 소울 전자선 발생 장치, 및, 전자선 적용 장치

Also Published As

Publication number Publication date
IL287086A (en) 2021-12-01
EP3951831A1 (en) 2022-02-09
CN113692634A (zh) 2021-11-23
KR20210138691A (ko) 2021-11-19
JP2021034166A (ja) 2021-03-01
EP3951831A4 (en) 2022-06-22
WO2021033519A1 (ja) 2021-02-25
KR102656536B1 (ko) 2024-04-12
JP6679014B1 (ja) 2020-04-15
US20220181111A1 (en) 2022-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11302507B2 (en) Electron beam generator and electron beam applicator
JP5808021B2 (ja) 電子親和力の低下処理装置に用いられる活性化容器及びキット、該キットを含む電子親和力の低下処理装置、フォトカソード電子ビーム源、並びに、フォトカソード電子ビーム源を含む電子銃、自由電子レーザー加速器、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子線ホログラフィー顕微鏡、電子線描画装置、電子線回折装置及び電子線検査装置
TW202121468A (zh) 光電陰極套組、電子槍及電子射線應用裝置
US9406488B2 (en) Enhanced photoelectron sources using electron bombardment
US20230230794A1 (en) Electron gun, electron ray applying device, and electron beam projecting method
JP2007258119A (ja) スピン偏極電子発生装置
JP2020145401A (ja) マルチ電子ビーム装置
JP2007080697A (ja) 光電変換素子及びそれを用いた電子線発生装置
WO2022230488A1 (ja) 電子銃、電子線適用装置および照射位置移動方法
TWI696206B (zh) 電子射線產生裝置以及電子射線應用裝置
Teichert et al. Report on photocathodes
US20110140074A1 (en) Room temperature dispenser photocathode
US11842879B2 (en) Electron gun, electron gun component, electron beam applicator, and alignment method
JP5159724B2 (ja) 電子銃、電子銃を用いた真空処理装置
JP2005183335A (ja) 電子銃及び電子線投影露光装置