TW202119572A - 影像感測器晶片級封裝及製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種用於製造影像感測器晶片級封裝的方法，包括用臨時粘合劑將玻璃晶圓接合至包括影像感測器陣列的裝置晶圓。該方法還包括透過從裝置晶圓中移除多個感測器間區域中的各個來形成隔離晶粒晶圓，各個感測器間區域均位於影像感測器陣列的相應一對影像感測器之間。隔離晶粒晶圓包括多個影像感測器晶粒，各個影像感測器晶粒均包括接合至玻璃晶圓的影像感測器陣列的相應影像感測器。該方法還包括封裝隔離晶粒晶圓以形成封裝的晶粒晶圓；從多個影像感測器晶粒中的各個中移除覆蓋相應影像感測器的玻璃晶圓的相應區域；以及將封裝的晶粒晶圓單片化。
Description
本發明係關於一種晶片級封裝及製造方法，特別是關於一種影像感測器晶片級封裝及製造方法。
在諸如獨立式數位相機、行動設備、汽車部件和醫療設備的消費設備中的相機模組經常封裝在包括透鏡元件和影像感測器的晶片級封裝(chip-scale package,CSP)中。CSP通常包括用於保護影像感測器免受損壞的覆蓋玻璃。這種保護是有代價的。消費者為前述消費設備的緊湊性支付額外費用，但覆蓋玻璃會增加CSP的高度，這使設備設計者面臨保護影像感測器的價值與其增加尺寸的成本之間的權衡。當相機模組捕獲影像時，覆蓋玻璃還減少了到達影像感測器的光量，這又降低了影像品質。
一種用於製造影像感測器晶片級封裝的方法，包括用臨時粘合劑將玻璃晶圓接合至包括影像感測器陣列的裝置晶圓。該方法還包括透過從裝置晶圓中除多個感測器間區域中的各個來形成隔離晶粒(isolated-die)晶圓，各個感測器間區域均於影像感測器陣列的相應一對影像感測器之間。隔離晶粒晶圓包括多個影像感測器晶粒，各個影像感測器晶粒均包括接合到玻璃晶圓的像感測器陣列的相應影像感測器。該方法還包括(a)封裝隔離晶粒晶圓以形成封裝的晶粒晶圓，(b)從多個影像感測器晶粒中的各個中移除覆蓋相應影像感測器的玻璃晶圓的相應區域，以及(c)將封裝的晶粒晶圓單片化。
一種影像感測器晶片級封裝，包括半導體晶粒、由模製化合物形成的封裝層、以及多個導電元件。半導體晶粒具有小於100微米的厚度並且包括影像感測器，該影像感測器配置為檢測入射到半導體晶粒的頂側上的光。上述層由模製化合物形成，並且位於半導體晶粒的與頂側相對的底側上。多個導電元件中的每一個(a)均電連接至影像感測器，(b)具有在100微米和500微米之間的直徑，以及(c)穿過封裝層突出。
100:影像感測器晶片級封裝
154:像素陣列
190:相機
200:影像感測器晶片級封裝
230:電介質層
231:底表面
232:導電元件
233:直徑
235:重分佈層
238:接合焊盤
238X、238Y:尺寸
239:頂表面
240:裝置晶粒
241:底表面
245:厚度
249:頂表面
250:影像感測器
251:底表面
254:像素陣列
256:微透鏡陣列
298X、298Y、298Z:方向
300:影像感測器晶片級封裝
320:封裝層
321:底表面
500:晶圓組件
540:裝置晶圓
542:感測器間區域
545:厚度
560:臨時粘合劑
570:玻璃晶圓
571:底表面
600:晶粒晶圓
700:晶粒晶圓
720:封裝層
721:底表面
800:晶圓組件
900:影像感測器晶片級封裝
960:臨時粘合劑
970:覆蓋玻璃
1000:方法
1010:步驟
1020:步驟
1030:步驟
1040:步驟
1050:步驟
1052:步驟
1060:步驟
1070:步驟
1100:方法
1110:步驟
1160:步驟
1170:步驟
1180:步驟
如下所述對本發明的詳細描述與實施例的示意圖，應使本發明更被充分地理解；然而，應可理解此僅限於作為理解本發明應用的參考，而非限制本發明於一特定實施例之中。
圖1描繪於一實施方式中的包括影像感測器晶片級封裝的相機。
圖2是於一實施方式中的第一影像感測器晶片級封裝的剖面示意圖。
圖3和圖4分別是於一實施方式中的第二影像感測器晶片級封裝的剖面示意圖和平面示意圖。
圖5是在一實施方式中可由其形成第二影像感測器晶片級封裝的晶片元件的剖視圖。
圖6是在一實施方式中的圖5的晶片元件在晶片級封裝過程之後的隔離晶粒晶圓的剖視圖。
圖7是在一實施方式中的圖6的隔離晶粒晶圓在施加封裝層之後的封裝晶粒晶圓的剖視圖。
圖8是在一實施方式中的圖7的封裝晶粒晶圓從中移除玻璃晶圓
之後的晶圓組件的剖視圖。
圖9是在一實施方式中的影像感測器晶片級封裝的剖視圖，透過將圖7的封裝晶粒晶圓單片化產生多個影像感測器晶片級封裝。
圖10是顯示在一實施方式中用於製造影像感測器晶片級封裝的第一方法的流程圖。
圖11是顯示在一實施方式中用於製造影像感測器晶片級封裝的第二方法的流程圖。
此處本發明將針對發明具體實施例及其觀點加以詳細描述，此類描述為解釋本發明的結構或步驟流程，其係供以說明用而非用以限制本發明的申請專利範圍。因此，除說明書中的具體實施例與較佳實施例外，本發明亦可廣泛施行於其他不同的實施例中。以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，熟悉此技術的人士可藉由本說明書所揭示的內容輕易地瞭解本發明的功效性與其優點。且本發明亦可藉由其他具體實施例加以運用及實施，本說明書所闡述的各項細節亦可基於不同需求而應用，且在不悖離本發明的精神下進行各種不同的修飾或變更。
圖1描述了一個對場景成像的相機190。相機190包括影像感測器晶片級封裝100，其包括像素陣列154。下文中“CSP”表示“影像感測器晶片級封裝(image-sensor chip-scale package)”。圖2和圖3分別是CSP 200和CSP 300的剖面示意圖，CSP 200和CSP 300中的每一個均是CSP 100的例子。圖2和圖3的剖面示意圖的每一個都平行於由正交方向298X和298Y形成的平面，以下稱為x-y平面，其中，正交方向298X和298Y各個都與方向298Z正交。圖4是CSP 300的平面示意圖。圖2、圖3和圖4在以下描述中一起觀察最好。
CSP 200包括裝置晶粒(device die)240、電介質層230和穿過電介質層230突出的多個導電元件232。電介質層230具有底表面231。CSP 300是添加了封裝層320的CSP 200。在實施方式中，各個導電元件232均穿過底表面321突出。在實施方式中，一個或多個導電元件232具有與底表面321共面的底表面。電介質層230和裝置晶粒240具有各自的頂表面239和頂表面249，頂表面239和頂表面249中的各個均可垂直於方向298Z。
裝置晶粒240包括配置為檢測入射到頂表面249上的光的影像感測器250。電介質層230位於裝置晶粒240的與頂表面249相對的底表面241上，使得底表面241位於電介質層230與頂表面249之間。半導體晶粒240具有在實施方式中小於100微米的厚度245。
在實施方式中，各個導電元件232均是焊料凸點或焊球，並且可形成球柵陣列。各個導電元件232均具有直徑233，在實施方式中，該直徑在100微米與500微米之間。
影像感測器250包括由多個像素形成的像素陣列254，並且是像素陣列154的例子。CSP 200還可包括微透鏡陣列256。在實施方式中，微透鏡陣列256包括多個微透鏡，每一個微透鏡均與像素陣列254的多個像素中相應的一個對準。裝置晶粒240可以是半導體晶粒，並且可由半導體(諸如矽、鍺或其組合)形成。
CSP 200還可包括多個接合焊盤(bond pads)238、重分佈層(redistribution layer)235和電介質層230。電介質層230具有底表面231。各個接合焊盤238均可暴露在表面239和表面249中的至少一個之上。重分佈層235經由各自的接合焊盤238將像素陣列254電連接至導電元件232。各個接合焊盤238均具有尺寸238X和238Y(參見圖4)，它們各自為，例如100±20μm。在實施方式中，電介質層230是焊接遮罩材料，其可以是聚合物。矽通孔可將接合焊盤238電連接至重分佈層235，其中通孔部分地延伸通過裝置晶粒240。
如圖3和圖4中所示的封裝層320可由底部填充材料或模製化合物(molding compound)形成。電介質層230位於封裝層320與裝置晶粒240之間。其中封裝層320是模製化合物而不是底部填充材料的實施方式受益於板級(board-level)可靠性測試中所降低的蠕變應變(creep strain)和降低的故障率。當裝置晶粒240的厚度245較薄，例如小於100微米時，這些益處變得更加顯著。在實施方案中，模製化合物在低於其玻璃化轉變溫度Tg的溫度下具有小於15ppm/K的第一熱膨脹係數a1，以及在高於Tg的溫度下具有小於30ppm/K的第二熱膨脹係數a2。轉變溫度Tg可在140℃與180℃之間。在實施方式中，模製化合物可包括無機填充劑，其使得封裝層320能夠具有更接近於裝置晶粒240的熱膨脹係數。模製化合物中的無機填充劑的質量分數(mass fraction)可在70%與80%之間。在實施方式中，模製化合物具有超過24GPa的楊氏模量(Young's modulus)和/或包括環氧樹脂(epoxy resin)、催化劑(catalyst)和脫模劑(release agent)。模製化合物的上述候選特徵中的每一個均有助於CSP 300具有改進的板級可靠性(board-level reliability)。
圖5是晶圓組件(wafer assembly)500的剖視圖，晶片組件500包括用臨時粘合劑560接合至裝置晶圓540的玻璃晶圓570。裝置晶圓540包括影像感測器250的陣列，使得裝置晶圓540可單片化以產生多個裝置晶粒240，如圖2所示。裝置晶圓540在方向298Z上具有厚度545，厚度545小於100微米。在圖5中，影像感測器250的陣列平行於x-y平面。玻璃晶圓570具有底表面571。在實施方式中，臨時粘合劑560是熱剝離(thermal-release)膠帶。裝置晶圓540包括多個感測器間區域542，各個感測器間區域542均位於相應的一對相鄰影像感測器250之間。
圖6是隔離晶粒(isolated-die)晶圓600的剖視圖，隔離晶粒晶圓600是在晶圓級(wafer-level)晶片級(chip-scale)封裝過程之後的晶圓組件500，晶圓級晶片級封裝過程從裝置晶圓540產生多個CSP 200。晶圓級晶片級封裝過程包括移除感測器間(inter-sensor)區域542。隔離晶粒晶圓
600包括用臨時粘合劑560接合至多個CSP 200的玻璃晶圓(glass wafer)570。每一個CSP 200均具有底表面251，在實施方式中，該底表面251包括電介質層230的底表面231。
圖7是封裝晶粒晶圓700的剖視圖，其是在施加封裝層720之後的隔離晶粒晶圓600。封裝層720可施加至每一個CSP 200的相應底表面251和臨時粘合劑560中的至少一個。在實施方式中，例如當臨時粘合劑560中的間隙對應於相鄰CSP 200之間的底表面571的一個或多個區域時，封裝層720也被施加至上述區域。封裝層720具有底表面721。在實施方式中，各個CSP 200的導電元件232穿過底表面721突出，例如，當透過轉移模製(transfer molding)施加封裝層720時。在實施方式中，一個或多個導電元件232與底表面721共面。
圖8是晶圓組件800的剖視圖，該晶圓組件800是在移除玻璃晶圓570之後的封裝晶粒晶圓700。從封裝晶粒晶圓700移除玻璃晶圓570還可包括移除臨時粘合劑560，使得晶圓組件800缺少臨時粘合劑560，如圖8中所示。在實施方式中，晶片元件800包括臨時粘合劑560。
封裝層720類似於CSP 300的封裝層320，因此具有與CSP 300的封裝層320相同的材料特性。在封裝晶粒晶圓700或晶片組件800單片化之後，各個封裝層320均對應於封裝層720的相應部分。
圖9是CSP 900的剖視圖，其中多個CSP 900是透過封裝晶粒晶圓700的單片化產生的。CSP 900包括CSP 200，CSP 200具有用臨時粘合劑960接合的覆蓋玻璃970。覆蓋玻璃970對應於接合至一個CSP 200的玻璃晶圓570的區域，該區域在封裝晶粒晶圓700單片化之後保持接合至一個CSP 200。臨時粘合劑960是臨時粘合劑560的一部分。
圖10是顯示用於製造影像感測器晶片級封裝的方法1000的流程圖。方法1000包括步驟1030、1040、1050和1060。在實施方式中，方
法1000還包括步驟1010、1020和1070中的至少一個。
步驟1010包括用臨時粘合劑將玻璃晶圓接合至包括影像感測器陣列的裝置晶圓。在步驟1010的示例中，臨時粘合劑560將玻璃晶圓570接合至裝置晶圓540。
步驟1020包括將裝置晶圓的厚度減小到小於100微米。在實施方式中，透過以下過程中的一種來減薄裝置晶圓：機械研磨，化學機械拋光(或平坦化)，濕法蝕刻和大氣下游電漿乾式化學蝕刻(atmospheric downstream plasma dry-chemical etching,ADP-DCE)。在步驟1020示例中，裝置晶圓540在方向298Z上的厚度545減小到小於100微米。
步驟1030包括從裝置晶圓移除多個感測器間區域中的各個，各個感測器間區域均位於影像感測器陣列的相應一對影像感測器之間。移除感測器間區域產生了包括多個影像感測器晶粒的隔離晶粒晶圓，各個影像感測器晶粒均包括影像感測器陣列的相應影像感測器。各個影像感測器晶粒均接合至玻璃晶圓，但是以其它方式與所有其它影像感測器晶粒隔離。在步驟1030的示例中，從裝置晶圓540移除感測器間區域542以產生隔離晶粒晶圓600。
步驟1040包括封裝隔離晶粒晶圓以形成封裝晶粒晶圓。在步驟1040的示例中，用封裝層720封裝隔離晶粒晶圓600，這產生封裝晶粒晶圓700。在實施方式中，封裝材料是底部填充材料。在實施方式中，封裝材料是模製化合物，其進行壓縮模製或轉移模製，以填充由步驟1030產生的相鄰隔離晶粒之間的體積。步驟1040可包括平坦化過程，使得封裝層的底表面(例如，底表面721)是平坦的。
步驟1050包括從多個影像感測器晶粒中的各個移除覆蓋相應影像感測器的玻璃晶圓的相應區域。在實施方式中，步驟1050包括將玻璃晶圓從封裝晶粒晶圓上移除的步驟1052。在這樣的實施方式中，單個處理步驟
從其相應的影像感測器晶粒移除玻璃晶圓的各個區域。在步驟1050和1052的示例中，玻璃晶圓570從封裝晶粒晶圓700中移除，這產生晶圓元件800。
步驟1060包括將封裝晶粒晶圓單片化，這可產生影像感測器晶片級封裝。在步驟1060的示例中，在執行步驟1052之後進行單片化，並且將晶圓元件800單片化以產生多個CSP 200。步驟1070包括將影像感測器晶片級封裝表面安裝至印刷電路板。在步驟1070的示例中，將一個或多個CSP 200中的各個均表面安裝至相應的印刷電路板。
圖11是顯示用於製造影像感測器晶片級封裝的方法1100的流程圖。方法1100包括步驟1110和1160，以及在實施方式中，包括步驟1170和1180中的至少一個。
步驟1110包括透過執行方法1000的步驟1010、1020、1030和1040來形成封裝晶粒晶圓。在步驟1110的例子中，如方法1000的上述描述中上述，形成封裝晶粒晶圓700。
步驟1160包括將封裝晶粒(encapsulated-die)晶圓和接合到其上的玻璃晶圓單片化。在實施方式中，步驟1160產生其上接合有覆蓋玻璃的影像感測器晶片級封裝。覆蓋玻璃對應於覆蓋由步驟1160產生的影像感測器晶片級封裝的影像感測器的玻璃晶圓的相應區域。在步驟1160的示例中，將封裝晶粒晶圓700單片化以形成多個CSP 900，如圖9所示。
步驟1170包括將影像感測器晶片級封裝表面安裝至印刷電路板。在步驟1170的例子中，將一個或多個CSP 900中的每一個均表面安裝至相應的印刷電路板。
步驟1180包括將覆蓋玻璃從影像感測器晶片級封裝移除，並且可在步驟1170之後執行。步驟1180還可包括從CSP900移除臨時粘合劑。在步驟1180的示例中，從CSP 900移除覆蓋玻璃970。在該示例中，臨時粘
合劑960也可被移除。
特徵的組合
在不脫離本公開的範圍的情況下，上述特徵以及下面要求保護的那些特徵可以以各種方式組合。以下列舉的實施方式顯示一些可能的非限制性組合：
(A1)一種用於製造影像感測器晶片級封裝的方法，包括：用臨時粘合劑將玻璃晶圓接合至包括影像感測器陣列的裝置晶圓。該方法還包括透過從裝置晶圓移除多個感測器間區域中的各個來形成隔離晶粒晶圓，各個感測器間區域均位於影像感測器陣列的相應一對影像感測器之間。隔離晶粒晶圓包括多個影像感測器晶粒，各個影像感測器晶粒均包括接合至玻璃晶圓的影像感測器陣列的相應影像感測器。該方法還包括：封裝隔離晶粒晶圓以形成封裝晶粒晶圓；從多個影像感測器晶粒中的各個移除覆蓋相應影像感測器的玻璃晶圓的相應區域；以及將封裝晶粒晶圓單片化。
(A2)在方法(A1)中，移除玻璃晶圓的相應區域可包括：從隔離晶粒晶圓移除玻璃晶圓，並且將封裝晶粒晶圓單片化可在從隔離晶粒晶圓移除玻璃晶圓之後進行。
(A3)方法(A2)還可包括：當單片化步驟產生影像感測器晶片級封裝，並且在移除玻璃晶圓的相應區域的步驟之後且在單片化之後：將影像感測器晶片級封裝表面安裝至印刷電路板。
(A4)在任一方法(A1)中，單片化步驟可在移除玻璃晶圓的相應區域的步驟之前進行，並且可包括將封裝晶粒晶圓和接合到其上的玻璃晶圓二者單片化，並且產生具有接合到其上的覆蓋玻璃的影像感測器晶片級封裝，其中，覆蓋玻璃對應於玻璃晶圓的相應區域。
(A5)方法(A4)還可包括：在單片化步驟之後且在移除玻
璃晶圓的相應區域的步驟之前，將影像感測器晶片級封裝表面安裝至印刷電路板。
(A6)方法(A1)至(A5)中的任一個還可包括：在接合步驟之後，將裝置晶圓的厚度減小至小於100微米。
(A7)在方法(A1)至(A6)中的任一個中，封裝隔離晶粒晶圓的步驟可包括用模製化合物封裝隔離晶粒晶圓。
(A8)在任一方法(A7)中，用模製化合物封裝隔離晶粒晶圓的步驟可包括：壓縮模製和傳遞模製上述模製化合物中的一種。
(B1)一種影像感測器晶片級封裝，包括：半導體晶粒、由模製化合物形成的封裝層、以及多個導電元件。半導體晶粒具有小於100微米的厚度，並且包括影像感測器，該影像感測器配置為檢測入射到半導體晶粒的頂側上的光。上述層由模製化合物形成且位於半導體晶粒的與頂側相對的底側。多個導電元件中的各個均(a)電連接至影像感測器，(b)具有在100微米與500微米之間的直徑，以及(c)穿過封裝層突出。
以下列舉的特性P1至P4中的至少一個可適用於方法(A7)和(A8)以及影像感測器晶片級封裝(B1)中的任一個的模製化合物：
P1：模製化合物在低於其玻璃化轉變溫度Tg的溫度下具有小於15ppm/K的第一熱膨脹係數a1，以及在高於Tg的溫度下具有小於30ppm/K的第二熱膨脹係數a2。
P2：模製化合物具有超過24GPa的楊氏模量。
P3：模製化合物是環氧樹脂，催化劑和脫模劑，或包括環氧樹脂，催化劑和脫模劑。
P4：模製化合物包括無機填充劑，該無機填充劑的質量分數在70%至80%之間。
在不脫離本公開的範圍的情況下，可在上述方法和系統中進行改變。因此，應當注意，包含在上述描述中或附圖中所示的內容應當被解釋為說明性的，而不是限制性的。在本文中，除非另有說明，否則：(a)形容詞“示例性的”意指用作示例、實例或說明；以及(b)短語“在實施方式中”等同於短語“在某些實施方式中”，並且不是指所有實施方式。以下請求項旨在涵蓋本文所述的所有通用和特定特徵，以及本方法和系統範圍的所有陳述，因語言問題，可以說這些陳述屬於其間。
230:電介質層
231:底表面
232:導電元件
233:直徑
235:重分佈層
238:接合焊盤
239:頂表面
240:裝置晶粒
241:底表面
245:厚度
249:頂表面
250:影像感測器
254:像素陣列
256:微透鏡陣列
298X、298Y、298Z:方向
300:影像感測器晶片級封裝
320:封裝層
321:底表面
Claims (18)
- 一種用於製造影像感測器晶片級封裝的方法，包括：用臨時粘合劑將一玻璃晶圓接合至包括一影像感測器陣列的一裝置晶圓；從該裝置晶圓中移除多個感測器間區域中的每一個，每一個感測器間區域均位於該影像感測器陣列的相應的一對影像感測器之間，以形成一隔離晶粒晶圓，該隔離晶粒晶圓包括多個影像感測器晶粒，每一個影像感測器晶粒均包括接合至該玻璃晶圓的該影像感測器陣列的一相應影像感測器；封裝該隔離晶粒晶圓，以形成一封裝晶粒晶圓；從該多個影像感測器晶粒的每一個中移除覆蓋該相應影像感測器的該玻璃晶圓的一相應區域；以及將該封裝晶粒晶圓單片化。
- 如請求項1所述的方法，移除該玻璃晶圓的相應區域包括：從該隔離晶粒晶圓移除該玻璃晶圓，並且在從該隔離晶粒晶圓移除該玻璃晶圓之後，進行將該封裝晶粒晶圓單片化。
- 如請求項2所述的方法，該單片化產生該影像感測器晶片級封裝，並且該方法還包括：在移除該玻璃晶圓的相應區域之後且在該單片化之後，將該影像感測器晶片級封裝表面安裝至一印刷電路板。
- 如請求項1所述的方法，其中，該單片化發生在移除該玻璃晶圓的一相 應區域之前，並且包括：將該封裝晶粒晶圓和接合至該封裝晶粒晶圓的該玻璃晶圓二者單片化，並產生具有一覆蓋玻璃的該影像感測器晶片級封裝，該覆蓋玻璃(a)接合至該影像感測器晶片級封裝，以及(b)對應於該玻璃晶圓的該相應區域。
- 如請求項4所述的方法，還包括：在該單片化之後和移除該玻璃晶圓的該相應區域之前，將該影像感測器晶片級封裝表面安裝至一印刷電路板。
- 如請求項1所述的方法，還包括：在該接合之後，將該裝置晶圓的厚度減小到小於100微米。
- 如請求項1所述的方法，封裝該隔離晶粒晶圓包括：用一模製化合物封裝該隔離晶粒晶圓。
- 如請求項7所述的方法，用該模製化合物封裝該隔離晶粒晶圓包括以下中的一個：壓縮模製該模製化合物和轉移模製該模製化合物。
- 如請求項7所述的方法，該模製化合物在低於其玻璃化轉變溫度Tg的溫度下具有小於15ppm/K的第一熱膨脹係數a1，以及在高於Tg的溫度下具有小於30ppm/K的第二熱膨脹係數a2。
- 如請求項7所述的方法，該模製化合物具有超過24GPa的楊氏模量。
- 如請求項7所述的方法，該模製化合物包括環氧樹脂、催化劑和脫模劑。
- 如請求項7所述的方法，該模製化合物包括無機填充劑，該無機填充劑的質量分數在70%與80%之間。
- 一種影像感測器晶片級封裝，包括：一半導體晶粒，具有小於100微米的厚度，並且包括一影像感測器，該影像感測器配置為檢測入射到該半導體晶粒的頂側上的光；一封裝層，由一模製化合物形成，且位於該半導體晶粒的與該頂側相對的底側；以及多個導電元件，每一個導電元件均(a)電連接至該影像感測器，(b)直徑在100微米與500微米之間，以及(c)穿過該封裝層突出。
- 如請求項13所述的影像感測器晶片級封裝，該模製化合物在低於其玻璃化轉變溫度Tg的溫度下具有小於15ppm/K的第一熱膨脹係數a1，以及在高於Tg的溫度下具有小於30ppm/K的第二熱膨脹係數a2。
- 如請求項14所述的影像感測器晶片級封裝，其中，玻璃化轉變溫度Tg在140℃與180℃之間。
- 如請求項13所述的影像感測器晶片級封裝，該模製化合物具有超過24GPa的楊氏模量。
- 如請求項13所述的影像感測器晶片級封裝，該模製化合物包括環氧樹脂、催化劑和脫模劑。
- 如請求項13所述的影像感測器晶片級封裝，該模製化合物包括無機填充劑，該無機填充劑的質量分數在70%與80%之間。
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