TW202113811A - 靶材量測裝置以及量測靶材之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例提供一種靶材量測裝置。該靶材量測裝置包括一固定環、一主體及一收發器。該固定環具有一第一表面。該主體位於該固定環之該第一表面上方。該收發器耦接至該主體。自一俯視視角來看，該收發器至少可在該固定環之一中心與該固定環之一邊緣之間移動。本發明實施例亦提供一種用於量測一靶材之方法。

Description

靶材量測裝置以及量測靶材之方法
本揭露係關於一種靶材量測裝置以及一種用於靶材量測之方法，特定言之，所揭露之裝置可量測用於物理氣相沈積(PVD)操作之靶材的侵蝕。
PVD塗層係指各種薄膜沈積技術，其中固體材料在真空環境中蒸發且沈積在基板上作為純材料或合金組合物塗層。
大體而言，兩種最常見的PVD塗層製程為濺鍍及熱蒸鍍。濺鍍涉及用高能電荷轟擊被稱為靶材之塗層材料，從而使得塗層材料濺射出原子或分子，該等原子或分子沈積在例如矽晶圓或太陽電池板之基板上。不同於濺鍍，熱蒸鍍涉及在高真空環境中使塗層材料升溫至沸點，從而使得蒸氣流在真空腔室中上升且隨後在基板上冷凝。
當前，PVD廣泛用於半導體製造之技術領域中。PVD設備之兩個重要部件為磁控管及靶材，因為其影響工具可用性及薄膜效能。因此，磁控管及靶材量測資料之準確性將直接影響對部件更換之判斷。
本發明之一實施例係關於一種靶材量測裝置，其包含：一固定環，其具有一第一表面；一主體，其位於該固定環之該第一表面上方；及一收發器，其耦接至該主體；其中自一俯視視角來看，該收發器至少可在該固定環之一中心與該固定環之一邊緣之間移動。
本發明之一實施例係關於一種用於量測一靶材之方法，其包含：接收用於藉由將一收發器自一初始位置移動至一校準位置來尋找該靶材之一中心的指令，該校準位置在豎直方向上與包圍該靶材之一固定環上的一調零孔沿一線性軌跡對準；接收用於將該收發器自該校準位置朝向該靶材之一邊緣移動的指令；及接收用於藉由將該收發器自該邊緣移動至該靶材之一中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
本發明之一實施例係關於一種用於量測一靶材之方法，其包含：將一靶材量測裝置安裝在一腔室中，該靶材量測裝置包含一收發器；鍵入用於沿穿過該靶材之一中心的一延長線將該收發器自一初始位置移動至一校準位置的指令；及鍵入用於藉由將該收發器自該校準位置移動至該靶材之該中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
以下揭露內容提供用於實施所提供主題之不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述元件及配置之具體實例以簡化本揭露。當然，此等組件及配置僅為實例且不意欲為限制性的。舉例而言，在以下描述中，第一構件在第二構件上方或上之形成可包括第一構件及第二構件直接接觸地形成之實施例，且亦可包括額外構件可在第一構件與第二構件之間形成使得第一構件及第二構件可不直接接觸之實施例。此外，本揭露可在各種實例中重複參考標號及/或字母。此重複係出於簡單及清晰之目的，且本身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。
此外，為了便於描述，在本文中可使用諸如「在…下方」、「下方」、「下部」、「在…上方」、「上部」、「上」等空間相對術語來描述如圖式中所說明之一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係。除圖式中所描繪之定向外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞亦可相應地解釋。
如本文所使用，諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語描述各種元件、組件、區、層及/或區段，此等元件、組件、區、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語可僅用於區分一個元件、組件、區、層或區段與另一元件、組件、區、層或區段。除非上下文清楚地指示，否則諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語在本文中使用時並不暗示順序或次序。
PVD廣泛用於半導體製造之薄膜沈積。如圖1 中所示，大體而言，PVD設備包括在靶材90 上方之磁控管91 ，且靶材90 與基板93 之間存在電漿區92 ，其中基板93 由底座94 支撐。磁控管91 經組態以控制電漿區92 中的電漿離子之方向，且靶材90 經組態以經由電漿離子與靶材90 之間的碰撞而提供複數個濺射原子。亦即，電漿離子藉由介於數百至數千電子伏特範圍內之電勢加速，且用足夠的力來衝擊負電極以自靶材90 逐出(dislodge)且噴射出原子。在磁控管91 的影響下，靶材可能並非均一地被消耗或轟擊，實情為，靶材可沿徑向方向受到不同程度之侵蝕。具有不平坦表面之靶材90 可影響沈積在對置基板93 上之薄膜的均勻性。舉例而言，將新靶材90 與使用500小時之後的靶材90 進行比較，由使用500小時之後的靶材90 形成之薄膜的不均勻性可增加一或多個百分點，此表明膜厚度均勻性降低。此外，侵蝕可到達靶材底板(例如底座94 )，且由此移除底板材料並引起晶圓報廢事件。
在沒有合適的用以量測PVD製程之靶材之表面輪廓的便攜式工具的情況下，對靶材消耗之評估將為耗時的工作。舉例而言，在一些情況下，自PVD腔室移除靶材，且將其寄送給靶材供應商以進行侵蝕量測。該過程可花費數週至數月時間，且係非常低效的。
因此，本揭露之一些實施例提供一種用於靶材量測之裝置及方法以原位量測靶材之侵蝕。可將用於靶材量測之裝置與已裝設之靶材一起安裝在PVD腔室中，使得無需將靶材自PVD腔室之蓋完全拆離。
圖2 說明根據本揭露之一些實施例的靶材量測裝置。靶材量測裝置包括固定環10 、主體20 及收發器30 。固定環10 具有第一表面10A ，主體20 放置在固定環10 之第一表面10A 上方，且收發器30 耦接至主體20 。在一些實施例中，收發器30 至少可在固定環10 之中心101 與固定環10 之邊緣102 之間移動(亦即，圖2 中之虛線)。
本揭露之靶材量測裝置用於量測PVD製程之靶材的侵蝕。參考圖2 ，靶材40 在量測期間放置在固定環10 內，且具有侵蝕之靶材表面40A 面向主體20 及收發器30 。PVD製程為其中來自濺鍍靶材之材料可自冷凝相變成氣相且隨後變回薄膜冷凝相的製程。更精確地，濺鍍為物理製程，其中固體靶材中之原子由於高能離子轟擊材料而噴射成氣相。由於碰撞，濺鍍在很大程度上由材料中之離子與原子之間的動量交換驅動。可將該製程視為原子台球(atomic billiard)，其中離子(亦即，母球)撞擊一大簇緊密堆積的原子(亦即，台球)。儘管第一次碰撞將原子更深地推入原子簇中，但原子之間的後續碰撞可使得接近靶材表面的一些原子自原子簇噴射出。每入射離子自靶材表面噴射出的原子數目被稱作濺鍍率，且該數目為濺鍍製程之效率的重要量測值。
來自靶材表面40A 之原子之噴射可引起靶材40 之侵蝕。因此，將靶材40 放置於靶材量測裝置中，且其上方的收發器30 可掃描靶材40 之表面輪廓。在一些實施例中，在PVD設備外量測靶材40 之侵蝕。亦即，在掃描或量測操作之前，自PVD設備之腔室取出靶材40 。在此類實施例中，首先打開PVD腔室蓋，且隨後移除用於固定靶材40 之所有螺釘以分離靶材40 與PVD腔室。
在一些實施例中，可將自PVD腔室取出之靶材40 置放在固定環10 下方之侵蝕設置底板上以進行量測。如圖3A 中所示，空間10B 由固定環10 圍封以用於放置靶材。固定環10 放置在第一底板200 上。第一底板200 包括平坦頂表面及平坦底表面，且其可用於支撐靶材及固定環10 。在一些實施例中，第一底板200 可包括用於減小第一底板200 之重量的複數個貫穿孔200A ，且再者，藉由自貫穿孔200A 推動靶材而更容易將已掃描之靶材自固定環10 取出。
如圖3B 中所示，靶材40 可包括用於在PVD製程中提供靶材之上部部分403 ，且與上部部分403 整合之第二底板404 可用於藉由螺釘裝設在PVD腔室外部之第一底板200 上；然而在一些其他實施例中，如圖3C 中所示，靶材40 之第二底板404 可藉由螺釘裝設在PVD腔室之腔室蓋70 的內表面上。
如圖4 中所示，在一些實施例中，主體20 可包括耦接至收發器30 之馬達201 ，其中收發器30 可包括稍後將描述之光學感測器或壓力感測器。馬達201 可用於移動收發器30 以掃描靶材之表面輪廓。在一些實施例中，主體20 可進一步包括耦接至馬達201 之控制器202 。控制器202 可為電腦或其類似者，且控制器202 用於控制收發器30 之移動。舉例而言，控制器202 可控制收發器30 沿靶材之半徑或直徑移動。在一些實施例中，主體20 可進一步包括耦接至收發器30 之資料收集單元203 。資料收集單元203 可收集來自收發器30 的靶材之表面輪廓資料以進行分析。在一些實施例中，主體20 可進一步包括耦接至馬達201 之馬達驅動器201A 以及耦接至馬達驅動器201A 及控制器202 之運動控制器201B ，以進一步控制收發器30 之移動。
仍參考圖2 ，在一些實施例中，主體20 可包括耦接至固定環10 的一對支撐腿204 。該對支撐腿204 可用於支撐圖4 中所描述之組件，諸如固定環10 上方之馬達201 、控制器202 、資料收集單元203 及收發器30 。在一些實施例中，主體20 可包括在該對支撐腿204 上方之托架軌道205 。托架軌道205 可提供耦接至主體20 之收發器30 的掃描路徑。在一些實施例中，托架軌道205 可橫跨固定環10 ，且因此收發器30 可自固定環10 之一邊緣開始掃描靶材40 直至其另一邊緣。在一些實施例中，量測臂206 可放置在托架軌道205 上方。量測臂206 可用於支撐收發器30 ，因此收發器30 可懸掛在靶材40 上方。在一些實施例中，量測臂206 經組態以沿托架軌道205 滑動。在此類實施例中，由於托架軌道205 平行於靶材40 之直徑，因此由量測臂206 懸掛之收發器30 可沿靶材40 之直徑掃描靶材40 。在一些實施例中，收發器30 可藉由托架軌道205 與量測臂206 之配合而在x軸及y軸方向上在靶材40 上方移動。在一些實施例中，主體20 包括在量測臂206 與收發器30 之間的控制單元，其用於控制收發器30 在y軸方向上之移動。
固定環10 包括與第一表面10A 相對的第二表面。參考圖5 ，固定環10 之第一表面10A 處存在用於不同用途的複數個孔。在一些實施例中，該複數個孔穿透固定環10 且因此可在第二表面處觀察到。在一些實施例中，該複數個孔可具有不同直徑。在一些實施例中，自俯視視角來看，固定環10 可包括在第一表面10A 處均勻分佈的複數個第一安裝孔104 。固定環10 可經由該複數個第一安裝孔104 旋擰在第二底板404 上。在一些實施例中，先前在圖3A 中展示之第一底板200 可包括與第一安裝孔104 對準的複數個安裝孔以用於裝設。在一些實施例中，第一表面10A 處存在8個第一安裝孔104 ，在將靶材安置於共同PVD腔室中時，此量與螺孔的量相同。在一些實施例中，在將靶材安置於PVD腔室中時，第一安裝孔104的量與螺孔的量相同。
在一些實施例中，自俯視視角來看，固定環10 可包括靠近固定環10 之一側分佈的複數個第二安裝孔105 。主體20 可經由該複數個第二安裝孔105 旋擰在固定環10 上。在一些實施例中，固定環10 處存在4個第二安裝孔105 。在一些實施例中，如圖2 中展示之該對支撐腿204 經由該複數個第二安裝孔105 旋擰在固定環10 上。由於該複數個第二安裝孔105 靠近固定環10 之該側分佈，因此耦接在主體20 上之收發器30 可沿靶材之直徑掃描下方靶材，而不會受到主體20 阻礙。換言之，該複數個第二安裝孔105 之位置遠離固定環10 之對置邊緣以避免阻礙掃描之操作。
在一些實施例中，固定環10 可包括在第一表面10A 處之調零孔103 ，且複數個第一安裝孔104 及第二安裝孔105 鄰近於調零孔103 。調零孔103 經組態成用於掃描靶材之調零點。為了獲取靶材之表面輪廓，收發器30 應沿靶材之半徑或直徑而非沿割線掃描靶材，此係因為靶材之侵蝕可呈環形對稱形式。參考圖6 ，在一些情況下，靶材40 之侵蝕深度DE 可相對於靶材40 之中心401 對稱，且因此全掃描結果可藉由半掃描資料(例如，藉由沿靶材40 之半徑掃描靶材40 )呈現，亦即，進行自靶材40 之中心至一邊緣的半掃描。在一些其他實施例中，靶材40 之侵蝕深度DE 可不相對於靶材之中心401 對稱，且收發器30 應沿靶材40 之直徑掃描靶材40 以獲取全掃描結果。
圖7 說明根據本揭露之一些實施例的量測靶材之流程圖。在一些實施例中，量測包括操作501 ：接收用於藉由將收發器自初始位置移動至校準位置來尋找靶材之中心的指令，該校準位置在豎直方向上與包圍靶材之固定環上的調零孔沿線性軌跡對準；操作502 ：接收用於將感測器自校準位置朝向靶材之邊緣移動的指令；及操作503 ：接收用於藉由將收發器自該邊緣移動至靶材之中心或移動至靶材之另一邊緣來掃描靶材以獲取侵蝕輪廓的指令。
為了沿靶材之半徑或直徑掃描靶材，如關於操作501 所提及，需要在掃描操作之前確認靶材40 之中心401 。在一些實施例中，固定環10 處之調零孔103 已經與靶材40 之中心401 對準，且因此若收發器30 事先與調零孔103 對齊，則其可沿線性軌跡尋找靶材40 之中心401 。舉例而言，在量測之前，收發器30 可位於靶材40 上方或附近之任何位置處，且因此在一些實施例中，在掃描之前，將收發器30 自其當前位置移動至調零孔103 以用於中心尋找。在一些實施例中，收發器30 可在第一次嘗試時移動至調零孔103 ，收發器30 可向固定環10 之第一表面10A 發射雷射光束。一旦雷射光束穿過調零孔103 ，則雷射光束可由底層的第一底板200 反射回收發器30 ，且由控制器根據預定感測機制(例如，光學路徑之改變或反射光之特性)識別。若收發器30 接收到此類可識別的感測訊號，則可確認中心尋找操作。在此類實施例中，在收發器30 對準且調零之後，收發器30 準備朝向靶材40 之中心401 移動。
在一些其他實施例中，收發器30可能在第一次嘗試時未能命中調零孔103 。舉例而言，收發器30 由於軟體錯誤而意外地偏離調零孔103 ，或控制器在預設搜尋時間用完時停止尋找調零孔103 。在此類情形下，可以沿垂直於托架軌道205 之主方向的方向調整收發器30 ，且接著開始用於對準收發器30 與調零孔103 的第二次嘗試。在一些實施例中，前述調整可手動地或自動地進行。雷射光束穿過調零孔103 可被視為收發器30 已與調零孔103 對齊，因此，中心尋找操作完成。隨後，量測臂206 準備開始靶材掃描。在一些實施例中，收發器30 可包括壓力感測器及噴氣口(例如，頂部空氣噴嘴)。
在一些實施例中，在中心尋找操作期間，可將光學感測器或壓力感測器設計成鄰近於調零孔103 之底部，使得收發器30 可充當發射極(例如，雷射二極體或空氣噴嘴)，而光學感測器或壓力感測器充當感測器。
在一些實施例中，收發器30 可包括雷射光束發射極(例如，雷射二極體)及用於接收自靶材表面40A 反射之雷射光束的光學感測器，且可由此獲取靶材40 之表面輪廓。在一些其他實施例中，收發器30 可包括噴氣口(例如，頂部空氣噴嘴)及用於感測碰撞在靶材表面40A 上之氣體壓力的壓力感測器，且可由此獲取靶材40 之表面輪廓。
在執行操作502 時，收發器30 自固定環10 而非靶材中之校準位置(亦即，調零孔103 )移動，且因此收發器30 將朝向靶材之邊緣移動。如圖8 中所示，在一些實施例中，靶材表面40A 與固定環10 之第一表面10A 之間可存在間隙108 。換言之，固定環10 之內邊緣與靶材40 之邊緣不連續，且因此在將收發器30 朝向靶材40 之邊緣移動時，鄰近於靶材40 之邊緣的間隙108 可用於區分固定環10 與靶材40 之表面輪廓。亦即，將更容易判斷靶材40 之邊緣。
在一些實施例中，第二底板404 之邊緣附近可具有溝槽404B 。在一些實施例中，溝槽404B 用於置放O形環402 。在一些實施例中，O形環402 之一部分自第二底板404 之表面404C 突出。為了將固定環10 裝設在靶材40 周圍而不接觸O形環402 ，在一些實施例中，固定環10 之第一表面10A 之面積大於第二表面10C 之面積。亦即，可縮減固定環10 之下部部分106 以避開自第二底板404 之表面404C 突出的O形環402 ，且O形環402 在豎直方向上由固定環10 之上部部分107 覆蓋。在此類實施例中，O形環402 無需自用於固定環10 裝設之溝槽404B 移除，且因此可縮短用於裝配靶材量測裝置之時間。
在一些其他實施例中，如圖9 中所示，第二底板404 可不包括溝槽或O形環，且第一表面10A 之面積可與固定環10 之第二表面10C 之面積相同，其意謂未縮減固定環10 之任何部分以避開第二底板404 上之結構。
在執行操作503 時，收發器30 自靶材40 之邊緣移動至中心，其中此類掃描路徑已藉由校準位置(亦即，調零孔103 )對準，且因此收發器30 實質上沿靶材40 之半徑移動。在一些實施例中，收發器30 自靶材40 之邊緣移動至另一邊緣，且因此收發器30 實質上沿靶材40 之直徑移動。如前所述，收發器30 可包括光學感測器或壓力感測器，且因此在一些實施例中，光學感測器可接收自表面40A 連續反射之雷射光束，從而基於所發送及反射的雷射光束之功率調變之相移來獲取靶材40 之表面輪廓。在一些其他實施例中，壓力感測器可基於氣動量測之原理工作，亦即，其係基於直接讀取對應於流動速率之變化的壓力減小或增加的氣動流量計，該流動速率之變化對應於靶材之表面輪廓。為了更精確，空氣可穿過頂部空氣噴嘴且碰撞靶材之表面，且頂部噴嘴與靶材表面之間的壓力變化由微量測壓力計記錄。
藉由在靶材上方移動收發器，參考圖10 ，可在幾分鐘內掃描靶材之表面輪廓，且可清晰地觀測到靶材之侵蝕。如圖10 中所示，在一些實施例中，在使用靶材數百小時之後，靶材之表面的均勻性改變，且可由此評估靶材之剩餘壽命。
在一些實施例中，可不將靶材自PVD腔室取出。參考圖11 ，在此類實施例中，量測包括操作601 ：自靶材之邊緣移除複數個螺釘；操作602 ：將靶材量測裝置安裝在腔室中，該靶材量測裝置包含收發器；操作603 ：鍵入用於沿穿過靶材之中心的延長線將收發器自初始位置移動至校準位置的指令；及操作604 ：鍵入用於藉由將收發器自校準位置移動至靶材之中心來掃描靶材以獲取侵蝕輪廓的指令。
在此類實施例中，打開PVD腔室蓋，且自靶材之邊緣移除少量螺釘。此等螺釘用於安置靶材，且在尋找靶材之中心之前，由於移除螺釘而留下的螺孔可用於將固定環裝設在靶材周圍。藉由將靶材量測裝置安裝在PVD腔室中，可實質上達成原位靶材侵蝕量測之目的。此外，在此類實施例中，亦在將收發器自初始位置(亦即，任何位置)移動至校準位置(亦即，調零孔)之操作中尋找靶材之中心。在此類操作中，收發器可沿穿過靶材之中心的延長線移動，且校準位置在延長線之末端處。在一些實施例中，量測臂可與固定環之直徑重疊放置，且耦接至量測臂之收發器可沿固定環內部的靶材之直徑移動，其中此類路徑可與前述延長線相同。
根據本揭露，揭露一種用於量測PVD製程之靶材的靶材量測裝置及方法。該靶材量測裝置可達成自動原位靶材侵蝕量測之目標，且因此該裝置可幫助節省量測時間並提供具有高重複性(約99%)的準確資料。該靶材量測裝置包括固定環，該固定環可直接安裝在PVD腔室中之靶材周圍，而無需將靶材自腔室取出或移除靶材O形環。此外，該固定環包括作為校準位置之調零孔以確保固定環上方之收發器可正確地沿半徑或直徑掃描靶材。藉由沿靶材之半徑或直徑掃描靶材，在短時間內不僅可獲取表面輪廓，且亦可獲取靶材之侵蝕深度。因此，可達成時間節省及便利的PVD靶材侵蝕量測。
在一個例示性態樣中，提供一種靶材量測裝置。該靶材量測裝置包括一固定環、一主體及一收發器。該固定環具有一第一表面。該主體位於該固定環之該第一表面上方。該收發器耦接至該主體。自一俯視視角來看，該收發器至少可在該固定環之一中心與該固定環之一邊緣之間移動。
在另一例示性態樣中，提供一種用於量測一靶材之方法。該方法包括以下操作。接收用於藉由將一收發器自一初始位置移動至一校準位置來尋找該靶材之一中心的指令，該校準位置在豎直方向上與包圍該靶材之一固定環上的一調零孔沿線性軌跡對準。接收用於將該收發器自該校準位置朝向該靶材之一邊緣移動的指令。接收用於藉由將該收發器自該邊緣移動至該靶材之一中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
在又一例示性態樣中，提供一種用於量測一靶材之方法。該方法包括以下操作。將一靶材量測裝置安裝在一腔室中，且該靶材量測裝置包括一收發器。鍵入用於沿穿過該靶材之一中心的一延長線將該收發器自一初始位置移動至一校準位置的指令。鍵入用於藉由將該收發器自該校準位置移動至該靶材之該中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
前文概述若干實施例之結構，使得熟習此項技術者可較好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其可容易地使用本揭露作為設計或修改用於實現與本文所介紹實施例相同之目的及/或達成相同優點的其他方法及結構的基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造並未脫離本揭露之精神及範疇，且其可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下在本文中進行各種改變、替代及更改。
10:固定環 10:固定環 10A:固定環之第一表面 10B:空間 10C:固定環之第二表面 20:主體 30:收發器 40:靶材 40A:靶材表面 70:腔室蓋 90:靶材 91:磁控管 92:電漿區 93:基板 94:底座 101:固定環之中心 102:固定環之邊緣 103:調零孔 104:第一安裝孔 105:第二安裝孔 106:固定環之下部部分 107:固定環之上部部分 108:間隙 200:第一底板 200A:貫穿孔 201:馬達 201A:馬達驅動器 201B:移動控制器 202:控制器 203:資料收集單元 204:支撐腿 205:托架軌道 206:量測臂 401:靶材之中心 402:O形環 403:上部部分 404:第二底板 404B:第二底板之溝槽 404C:第二底板之表面 501:操作 502:操作 503:操作 601:操作 602:操作 603:操作 604:操作 DE :侵蝕深度
當結合隨附圖式閱讀時，將自以下實施方式最佳地理解本揭露之態樣。應注意，根據業界中之標準慣例，各種結構未按比例繪製。實際上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各種結構之尺寸。
圖1 說明根據本揭露之一些實施例的PVD腔室之橫截面圖。
圖2 說明根據本揭露之一些實施例的靶材量測裝置之立體圖。
圖3A 說明根據本揭露之一些實施例的固定環及第一底板之立體圖。
圖3B 說明根據本揭露之一些實施例的第一底板上之靶材之橫截面圖。
圖3C 說明根據本揭露之一些實施例的PVD腔室蓋上之靶材之橫截面圖。
圖4 說明根據本揭露之一些實施例的主體及收發器之示意圖。
圖5 說明根據本揭露之一些實施例的固定環之俯視透視圖。
圖6 說明根據本揭露之一些實施例的靶材之橫截面圖。
圖7 說明根據本揭露之一些實施例的量測靶材之流程圖。
圖8 說明根據本揭露之一些實施例的靶材及固定環之橫截面圖。
圖9 說明根據本揭露之一些實施例的靶材及固定環之橫截面圖。
圖10 說明根據本揭露之一些實施例的靶材之侵蝕深度圖。
圖11 說明根據本揭露之一些實施例的量測靶材之流程圖。
10:固定環
10A:固定環之第一表面
20:主體
30:收發器
40:靶材
40A:靶材表面
101:固定環之中心
102:固定環之邊緣
204:支撐腿
205:托架軌道
206:量測臂

Claims (20)

  1. 一種靶材量測裝置，其包含： 一固定環，其具有一第一表面； 一主體，其位於該固定環之該第一表面上方；及 一收發器，其耦接至該主體； 其中自一俯視視角來看，該收發器至少可在該固定環之一中心與該固定環之一邊緣之間移動。
  2. 如請求項1之裝置，其中該主體包含耦接至該收發器之一馬達。
  3. 如請求項1之裝置，其進一步包含在該固定環下方之一第一底板。
  4. 如請求項2之裝置，其中該主體進一步包含耦接至該馬達之一控制器以及一資料收集單元。
  5. 如請求項1之裝置，其中該固定環包含： 一調零孔，其位於該第一表面處；及 複數個安裝孔，其位於該第一表面處且鄰近於該調零孔。
  6. 如請求項1之裝置，其中該收發器包含一光學感測器或一壓力感測器。
  7. 如請求項1之裝置，其中該主體包含： 一對支撐腿，其耦接至該固定環； 一托架軌道，其位於該對支撐腿上方且橫跨該固定環；及 一量測臂，其位於該托架軌道上方，且該量測臂經組態以沿托架軌道滑動。
  8. 一種用於量測一靶材之方法，其包含： 接收用於藉由將一收發器自一初始位置移動至一校準位置來尋找該靶材之一中心的指令，該校準位置在豎直方向上與包圍該靶材之一固定環上的一調零孔沿一線性軌跡對準； 接收用於將該收發器自該校準位置朝向該靶材之一邊緣移動的指令；及 接收用於藉由將該收發器自該邊緣移動至該靶材之一中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
  9. 如請求項8之方法，其中將該固定環裝設在該靶材周圍。
  10. 如請求項9之方法，其中該固定環進一步包含： 複數個第一安裝孔，其自一俯視視角來看均勻分佈；及 複數個第二安裝孔，其自一俯視視角來看靠近該固定環之一側分佈。
  11. 如請求項10之方法，其中該固定環經由該複數個第一安裝孔裝設在該靶材周圍。
  12. 如請求項10之方法，其中該收發器耦接至一主體，且該主體經由該複數個第二安裝孔耦接至該固定環。
  13. 如請求項8之方法，其中該固定環進一步包含一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，該第一表面之面積大於該第二表面之面積。
  14. 如請求項8之方法，其進一步包含： 接收用於在該收發器移動至該校準位置時發射一雷射光束的指令。
  15. 如請求項8之方法，其中該靶材置放於該固定環下方之一第一底板上。
  16. 一種用於量測一靶材之方法，其包含： 將一靶材量測裝置安裝在一腔室中，該靶材量測裝置包含一收發器； 鍵入用於沿穿過該靶材之一中心的一延長線將該收發器自一初始位置移動至一校準位置的指令；及 鍵入用於藉由將該收發器自該校準位置移動至該靶材之該中心來掃描該靶材以獲取一侵蝕輪廓的指令。
  17. 如請求項16之方法，其中該靶材量測裝置進一步包含： 一量測臂，其承載該收發器； 一托架軌道，其接合該量測臂，該量測臂經組態以沿該托架軌道滑動； 一對支撐腿，其耦接至該托架軌道；及 一固定環，其耦接至該對支撐腿。
  18. 如請求項17之方法，其中將該靶材量測裝置安裝在該腔室中之操作包含將該固定環裝設在該靶材周圍。
  19. 如請求項16之方法，其進一步包含： 在將該靶材量測裝置安裝在該腔室中之前，移除經組態以固定該靶材之複數個螺釘。
  20. 如請求項17之方法，其進一步包含： 當該收發器未能移動至該校準位置時，手動地移動該收發器以與該校準位置對準； 其中該校準位置為該固定環處之一調零孔。
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