TW202113105A - 成膜裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種成膜裝置,其可形成抑制光學特性的惡化的平坦的膜。所述成膜裝置是於工件10上形成膜的成膜裝置,其包括:搬送部30,具有循環搬送工件10的旋轉台31;成膜處理部40,具有包含構成膜的材料的靶42、及將被導入靶42與旋轉台31之間的濺鍍氣體電漿化的電漿產生器,利用電漿對靶42進行濺鍍而於工件10上形成膜;以及離子照射部60,照射離子;搬送部30以工件10穿過成膜處理部40與離子照射部60的方式循環搬送工件10,離子照射部60對工件10上的形成途中的膜照射離子。
Description
本發明是有關於一種成膜裝置。
於光學機器形成有光學膜,該光學膜使規定的波長區域的光反射,使其他波長區域的光透過。作為光學機器,例如可列舉:液晶投影機、影印機、紅外線感測器的聚光鏡等冷光鏡。冷光鏡形成有成為使可見光反射,使規定的波長區域的光透過的光學膜的積層膜。作為形成此種積層膜的方法,已知有利用濺鍍的方法,所述濺鍍使包含成膜材料的靶暴露於電漿中,藉此打出構成靶的粒子,並使該粒子堆積於工件上。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-266538號公報
[發明所欲解決之課題]
此處,已知藉由濺鍍所形成的積層膜產生堆積的粒子稀疏的部分與稠密的部分,藉此於膜的表面產生凹凸。將如所述般於表面產生凹凸的膜積層的成為光學膜的積層膜存在於膜彼此的界面產生光的漫反射,透過率等光學特性惡化的情況。
本發明是為了解決如上所述的課題而形成的發明,其目的在於提供一種可形成抑制光學特性的惡化的平坦的膜的成膜裝置。
[解決課題之手段]
本發明的成膜裝置是於工件上形成膜的成膜裝置,包括:腔室,可使內部變成真空;搬送部,設置於所述腔室內,具有於圓周的搬送路徑上循環搬送所述工件的旋轉台;成膜處理部,具有包含構成所述膜的材料的靶、及將被導入所述靶與所述旋轉台之間的濺鍍氣體電漿化的電漿產生器,利用電漿對所述靶進行濺鍍而於所述工件上形成膜;膜處理部,具有朝所述腔室的內部空間突出且朝所述搬送路徑開口的筒狀體、以堵塞所述筒狀體的開口的方式設置的窗構件、朝形成於所述旋轉台與所述筒狀體之間的處理空間導入第一製程氣體的第一製程氣體導入部、經由所述窗構件而使所述處理空間內產生電場的天線、及對所述天線施加高頻電壓的電源,將所述第一製程氣體電漿化來使所述處理空間內產生感應耦合電漿,而使所述膜進行化學反應;以及離子照射部,具有於一端設置有開口部且以所述開口部朝向所述搬送路徑的方式安裝於所述腔室的筒形電極、朝所述筒形電極的內部導入第二製程氣體的第二製程氣體導入部、及對所述筒形電極施加高頻電壓的電源,對所述膜照射將所述第二製程氣體電漿化所生成的離子;所述搬送部以所述工件穿過所述成膜處理部、所述膜處理部、及所述離子照射部的方式循環搬送所述工件,所述離子照射部對所述工件上的形成途中的所述膜照射離子。
[發明的效果]
根據本發明,可獲得能夠形成抑制光學特性的惡化的平坦的膜的成膜裝置。
(實施方式)
(構成)
一邊參照圖式,一邊對本發明的成膜裝置的實施方式進行詳細說明。圖1是示意性地表示本實施方式的成膜裝置100的構成的透視平面圖。該成膜裝置100是於工件10上形成膜的裝置。工件10是玻璃基板或樹脂基板。成膜裝置100於工件10上形成的膜是積層有多個膜的積層膜。於本實施方式中,該膜是成為光學膜的積層膜,例如將SiO2
膜與Nb2
O5
膜交替地積層而形成。
成膜裝置100包括:腔室20、搬送部30、成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60、載入/載出(load-lock)部70、以及控制裝置80。
(腔室)
腔室20是可使內部變成真空的圓柱形狀的容器。腔室20內由分隔部22劃分,被呈扇狀地分割成多個區域。於各區域配置成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60、載入/載出部70的任一者。各部40、50、60、70相對於搬送部30的搬送方向(圖1中的逆時針方向),以成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60、載入/載出部70的順序配置。膜處理部50及離子照射部60鄰接設置。
如圖2所示,腔室20由圓盤狀的頂部20a、圓盤狀的內底面20b、及環狀的內周面20c包圍來形成。分隔部22是自圓柱形狀的中心呈放射狀地配設的方形的壁板,自頂部20a朝內底面20b延長,未到達內底面20b。即,於內底面20b側確保圓柱狀的空間。於該圓柱狀的空間內配置有搬送工件10的旋轉台31。分隔部22的下端空開載置於搬送部30的工件10穿過的間隙,與旋轉台31中的工件10的載置面相向。藉由該分隔部22,而於成膜處理部40、膜處理部50、及離子照射部60中劃分進行工件10的處理的處理空間。藉此,可抑制成膜處理部40的濺鍍氣體G1、膜處理部50的製程氣體(第一製程氣體)G2、及離子照射部60的製程氣體(第二製程氣體)G3(參照圖3)朝腔室20內擴散。
另外,如後述般,於成膜處理部40、膜處理部50、及離子照射部60中,在處理空間內生成電漿,但只要調整被劃分成比腔室20小的空間的處理空間內的壓力即可,因此可容易地進行壓力調整,可使電漿的放電穩定化。再者,於腔室20設置有排氣口21。於排氣口21連接有排氣部90。排氣部90具有配管及未圖示的泵、閥等。藉由經由排氣口21的利用排氣部90的排氣,可對腔室20內進行減壓來變成真空。
(搬送部)
搬送部30具有旋轉台31、馬達32及保持部33,沿著作為圓周的軌跡的搬送路徑L循環搬送工件10。即,搬送部30以工件10依次穿過成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60的方式循環搬送工件10。因此,搬送部30以工件10交替地穿過成膜處理部40與離子照射部60的方式搬送工件10。
旋轉台31具有圓盤形狀,以不與內周面20c接觸的程度大幅度擴展。馬達32將旋轉台31的圓中心作為旋轉軸,以規定的旋轉速度連續地旋轉。於本實施方式中,馬達32使旋轉台31如圖1所示般逆時針旋轉。保持部33是於旋轉台31的上表面配設於圓周等配位置的槽、孔、突起、治具、固定器等,利用機械式夾頭、黏著夾頭來保持載置有工件10的托盤34。工件10例如呈矩陣狀地排列配置於托盤34上,於旋轉台31上,以60°間隔配設六個保持部33。
(成膜處理部)
成膜處理部40生成電漿,使包含成膜材料的靶42暴露於該電漿中。藉此,成膜處理部40使藉由使電漿中所包含的離子衝撞靶42而被打出的構成靶42的粒子堆積於工件10上來進行成膜。如圖2所示,該成膜處理部40包括:包含靶42、支承板43及電極44的濺鍍源,以及包含電源部46及濺鍍氣體導入部49的電漿產生器。
靶42是包含堆積於工件10上來變成膜的成膜材料的板狀的構件。靶42成為構成形成於工件10上的膜的粒子的供給源。靶42於載置於旋轉台31的工件10的搬送路徑L上分離來設置。靶42的表面以與載置於旋轉台31的工件10相向的方式,保持於腔室20的頂部20a。例如設置三個靶42。於俯視時,三個靶42設置於排列在三角形的頂點上的位置。
支承板43是保持靶42的支持構件。該支承板43個別地保持各靶42。電極44是用於自腔室20的外部朝各靶42個別地施加電力的導電性的構件,與靶42電性連接。可個別地改變施加至各靶42的電力。此外,於濺鍍源中,視需要而適宜包括磁鐵、冷卻機構等。
電源部46例如為施加高電壓的直流(Direct Current,DC)電源,與電極44電性連接。電源部46經由電極44而對靶42施加電力。再者,旋轉台31的電位與接地的腔室20相同,藉由對靶42側施加高電壓而產生電位差。作為電源部46,為了進行高頻濺鍍,亦可設為射頻(Radio Frequency,RF)電源。
如圖2所示,濺鍍氣體導入部49朝腔室20導入濺鍍氣體G1。濺鍍氣體導入部49具有未圖示的儲氣瓶等濺鍍氣體G1的供給源、配管48、以及氣體導入口47。
配管48與濺鍍氣體G1的供給源連接,氣密地貫穿腔室20後朝腔室20的內部延長,其端部作為氣體導入口47而開口。
氣體導入口47在旋轉台31與靶42之間開口,朝形成於旋轉台31與靶42之間的處理空間41導入成膜用的濺鍍氣體G1。作為濺鍍氣體G1,可採用惰性氣體,適宜的是氬氣等。
於此種成膜處理部40中,若自濺鍍氣體導入部49導入濺鍍氣體G1,電源部46經由電極44而對靶42施加高電壓,則已被導入形成於旋轉台31與靶42之間的處理空間41內的濺鍍氣體G1電漿化,產生離子等活性種。電漿中的離子與靶42衝撞而將構成靶42的粒子(以下,亦稱為靶構成粒子)打出。另外,由旋轉台31循環搬送的工件10穿過該處理空間41。已被打出的靶構成粒子於工件10穿過處理空間41時堆積於工件10上,而於工件10上形成包含靶構成粒子的膜。工件10由旋轉台31循環搬送,重覆穿過該處理空間41,藉此進行成膜處理。每一次穿過成膜處理部40時所堆積的膜的膜厚亦取決於膜處理部50的處理率,但可為例如1原子級~2原子級(5 nm以下)左右的薄膜。將工件10循環搬送多次,藉此膜的厚度增加,而於工件10上形成規定的膜厚的膜。
成膜處理部40的濺鍍氣體的壓力可設為0.3 Pa以下,該壓力只要是可維持成膜處理部40的處理空間41內產生的電漿的程度,則可比0.3 Pa下降。
於本實施方式中,成膜裝置100包括多個(此處為兩個)成膜處理部40,成膜處理部40設置於由分隔部22分隔的兩個區域。多個成膜處理部40使成膜材料選擇性地堆積,藉此形成包含多個成膜材料的層的膜。尤其,於本實施方式中,包含與不同種類的成膜材料對應的濺鍍源,使成膜材料選擇性地堆積,藉此形成包含多種成膜材料的層的膜。所謂包含與不同種類的成膜材料對應的濺鍍源,既包含所有成膜處理部40的成膜材料不同的情況,亦包含是於多個成膜處理部40中共同的成膜材料,但其他成膜材料與其不同的情況。所謂使成膜材料一種一種地選擇性地堆積,是指於任一種成膜材料的成膜處理部40進行成膜的期間,其他成膜材料的成膜處理部40不進行成膜。
於本實施方式中,其中一個成膜處理部40的靶42包含矽(Si),另一個成膜處理部40的靶42包含鈮(Nb)。於形成矽膜的期間,不形成鈮膜,於形成鈮膜的期間,不形成矽膜。為了將兩個成膜處理部40加以區分,將具有包含矽(Si)的靶42的成膜處理部40設為成膜處理部40a,將具有包含鈮(Nb)的靶42的成膜處理部40設為成膜處理部40b。
(膜處理部)
膜處理部50於導入有製程氣體的處理空間59內生成感應耦合電漿,使該電漿中的離子與藉由成膜處理部40而形成於工件10上的膜進行化學反應,藉此生成化合物膜。被導入的製程氣體例如含有氧氣或氮氣。製程氣體除含有氧氣或氮氣以外,亦可含有氬氣等惰性氣體。當製程氣體含有氧氣時,膜處理部50使工件10上的膜氧化。當製程氣體含有氮氣時,膜處理部50使工件10上的膜氮化。本實施方式的製程氣體是氧氣。膜處理部50將氧氣電漿化,使該電漿中的離子與位於工件10上的最表面的矽膜或鈮膜進行化學反應,而生成SiO2
膜、Nb2
O5
膜。
膜處理部50具有電漿產生器,所述電漿產生器包含筒狀體51、窗構件52、天線53、RF電源54、匹配箱55及製程氣體導入部58。
如圖1與圖2所示,筒狀體51是水平剖面為圓角長方形的筒,具有開口。筒狀體51以其開口分離地朝向旋轉台31側的方式,嵌入腔室20的頂部20a,並朝腔室20的內部空間突出。將該筒狀體51設為與旋轉台31相同的材質。窗構件52是與筒狀體51的水平剖面大致相似形狀的石英等電介質的平板。該窗構件52以堵塞筒狀體51的開口的方式設置,將腔室20內的被導入含有氧氣的製程氣體G2的處理空間59與筒狀體51的內部隔開。處理空間59是於膜處理部50中,形成於旋轉台31與筒狀體51的內部之間的空間。由旋轉台31循環搬送的工件10重覆穿過該處理空間59,藉此進行氧化處理。再者,窗構件52亦可為氧化鋁等電介質,亦可為矽等半導體。
天線53是捲繞成線圈狀的導電體,配置於藉由窗構件52而與腔室20內的處理空間59隔離的筒狀體51內部空間,藉由流入交流電流而產生電場。理想的是天線53配置於窗構件52的附近,以使自天線53產生的電場經由窗構件52而有效率地導入處理空間59內。於天線53連接有施加高頻電壓的RF電源54。於RF電源54的輸出側串聯連接有作為匹配電路的匹配箱55。匹配箱55使輸入側及輸出側的阻抗匹配,藉此使電漿的放電穩定化。
如圖2所示,製程氣體導入部58朝處理空間59導入含有氧氣的製程氣體G2。製程氣體導入部58具有未圖示的儲氣瓶等製程氣體G2的供給源、及配管57、氣體導入口56。
配管57與製程氣體G2的供給源連接,氣密地貫穿腔室20後朝腔室20的內部延長,其端部作為氣體導入口56而開口。
氣體導入口56朝窗構件52與旋轉台31之間的處理空間59開口,導入製程氣體G2。
於此種膜處理部50中,自RF電源54朝天線53施加高頻電壓。藉此,高頻電流流入天線53中,藉由電磁感應而產生電場。電場經由窗構件52而於處理空間59內產生,產生製程氣體G2的感應耦合電漿。此時,氧氣亦離子化,氧離子衝撞工件10上的膜,與構成膜的原子鍵結。其結果,工件10上的膜被氧化,形成作為化合物膜的氧化膜。
(離子照射部)
離子照射部60朝對象物照射離子。離子照射部60將製程氣體電漿化,朝對象物照射該電漿中所包含的離子。對象物是工件10上的形成途中的膜。所謂工件10上的形成途中的膜,是指形成於工件10上的達到所期望的膜厚的膜之前的膜,具體而言,是指由膜處理部50進行了處理的工件10上的化合物膜、或由成膜處理部40所形成的工件10上的膜。換言之,搬送部30以工件10穿過成膜處理部40、膜處理部50、及離子照射部60的方式循環搬送工件10,藉此離子照射部60對由膜處理部50進行了處理的工件10上的化合物膜照射離子。或者,當於搬送部30的搬送方向上,將各部40、50、60以成膜處理部40、離子照射部60、膜處理部50的順序配置時,搬送部30以工件10穿過成膜處理部40、離子照射部60、及膜處理部50的方式循環搬送工件10,藉此離子照射部60對由成膜處理部40所形成的工件10上的膜照射離子。該離子照射部60包括電漿產生器,所述電漿產生器包含筒形電極61、護罩64、RF電源66及製程氣體導入部65。
如圖3所示,該離子照射部60包括自腔室20的上部至內部設置的筒形電極61。筒形電極61為方筒狀,於一端具有開口部61a,另一端被堵塞。筒形電極61以具有開口部61a的一端朝向旋轉台31的方式,經由絕緣構件62而安裝於設置在腔室20的頂面的開口21a。筒形電極61的側壁朝腔室20的內部延伸。
於筒形電極61的與開口部61a相反的一端,設置有朝外側伸出的凸緣61b。絕緣構件62固定於凸緣61b與腔室20的開口21a的邊緣之間,藉此將腔室20的內部保持成氣密。絕緣構件62只要具有絕緣性即可,並不限定於特定的材料,例如可包含聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)等材料。
筒形電極61的開口部61a配置於與旋轉台31的搬送路徑L面對面的位置。旋轉台31作為搬送部30,搬送裝載有工件10的托盤34並使其穿過與開口部61a相向的位置。再者,筒形電極61的開口部61a比旋轉台31的徑向上的托盤34的尺寸大。
如圖1所示,若自平面方向觀察,則筒形電極61變成自旋轉台31的半徑方向上的中心側朝外側擴徑的扇形。此處所述的扇形是指扇子的扇面的部分的形狀。筒形電極61的開口部61a亦同樣為扇形。關於旋轉台31上的托盤34穿過與開口部61a相向的位置的速度,於旋轉台31的半徑方向上越朝向中心側,所述速度變得越慢,越朝向外側,所述速度變得越快。因此,若開口部61a僅為長方形或正方形,則於半徑方向上的中心側與外側,工件10穿過與開口部61a相向的位置的時間產生差。藉由使開口部61a自半徑方向上的中心側朝外側擴徑,可使穿過開口部61a的時間變成固定,而可使後述的電漿處理變得均等。但是,若穿過的時間的差是於製品上不成為問題的程度,則亦可為長方形或正方形。
如上所述,筒形電極61貫穿腔室20的開口21a,一部分朝腔室20的外部露出。如圖3所示,該筒形電極61中的朝腔室20的外部露出的部分被殼體63覆蓋。藉由殼體63來將腔室20的內部的空間保持成氣密。筒形電極61的位於腔室20的內部的部分,即側壁的周圍由護罩64覆蓋。
護罩64是與筒形電極61同軸的扇形的方筒,比筒形電極61大。護罩64與腔室20連接。具體而言,護罩64自腔室20的開口21a的邊緣立設,朝腔室20的內部延長的端部位於與筒形電極61的開口部61a相同的高度。護罩64與腔室20同樣地作為陰極發揮作用,因此可包含電阻少的導電性的金屬構件。護罩64可與腔室20一體地成型、或者亦可利用固定金屬配件等來安裝於腔室20。
護罩64是為了於筒形電極61內穩定地產生電漿而設置。護罩64的各側壁以隔著規定的間隙與筒形電極61的各側壁大致平行地延長的方式設置。若間隙變得過大,則靜電電容變小、或於筒形電極61內產生的電漿進入間隙,因此理想的是間隙儘可能小。但是,即便間隙變得過小,筒形電極61與護罩64之間的靜電電容亦變大,故不佳。間隙的大小可對應於電漿的產生所需要的靜電電容來適宜設定。再者,圖3僅圖示護罩64及筒形電極61的於半徑方向上延長的兩個側壁面,但護罩64及筒形電極61的於圓周方向上延長的兩個側壁面之間亦設置有與半徑方向的側壁面相同的大小的間隙。
另外,於筒形電極61連接有製程氣體導入部65。製程氣體導入部65除具有配管以外,亦具有未圖示的製程氣體G3的氣體供給源、泵、閥等。藉由該製程氣體導入部65來朝筒形電極61內導入製程氣體G3。製程氣體G3可根據處理目的而適宜變更。例如,製程氣體G3亦可含有氬氣、氧氣或氮氣,或者亦可除含有氬氣以外,亦含有氧氣或氮氣。
於筒形電極61連接有用於施加高頻電壓的RF電源66。於RF電源66的輸出側串聯連接有作為匹配電路的匹配箱67。RF電源66亦與腔室20連接。若自電源66施加電壓,則筒形電極61作為陽極發揮作用,腔室20、護罩64、旋轉台31、及托盤34作為陰極發揮作用。即,作為用於反濺鍍的電極發揮功能。因此,如上所述,旋轉台31、及托盤34具有導電性,以電性連接的方式接觸。
匹配箱67使輸入側及輸出側的阻抗匹配,藉此使電漿的放電穩定化。再者,腔室20或旋轉台31接地。與腔室20連接的護罩64亦接地。RF電源66及製程氣體導入部65均經由設置於殼體63的貫穿孔而與筒形電極61連接。
若自製程氣體導入部65朝筒形電極61內導入作為製程氣體G3的氬氣,並自RF電源66朝筒形電極61施加高頻電壓,則產生電容耦合電漿,氬氣被電漿化,產生電子、離子及自由基等。將該已產生的電漿中的離子照射至工件10上的形成途中的膜。
即,離子照射部60具有於一端設置有開口部61a且於內部導入製程氣體G3的筒形電極61、及對筒形電極61施加高頻電壓的RF電源66,搬送部30將工件10搬送至開口部61a的正下方並使其穿過,藉此對形成於工件10上的膜引入離子,進行離子照射。於離子照射部60中,為了對形成於工件10上的膜引入離子,而對載置工件10的托盤34與旋轉台31施加負的偏電壓。
藉由使用如離子照射部60般的筒形電極61,即便不對托盤34或旋轉台31施加高頻電壓,亦可於該些構件維持地電位的狀態下,對載置工件10的托盤34與旋轉台31施加所期望的負的偏電壓,而對經成膜的薄膜引入離子。藉此,無需追加對托盤34或旋轉台31施加高頻電壓的結構,或為了獲得所期望的偏電壓,而考慮成為陽極的電極的面積與包圍成為陰極的電極的其他構件的面積比,裝置設計變得容易。
因此,即便於為了使工件10上的形成途中的膜平坦化,一面使工件10移動一面重覆進行成膜與離子照射的情況下,亦能夠以簡單的結構對形成於工件10上的膜引入離子。
如此,膜處理部50具有如下的功能:將氧氣或氮氣電漿化來生成離子,並使所述離子與形成於工件10上的膜進行化學反應,藉此生成化合物膜。於膜處理部50中,利用電漿密度高的感應耦合電漿,藉此使該電漿中的離子與藉由成膜處理部40而形成於工件10上的膜有效率地進行化學反應,藉此可生成化合物膜。
離子照射部60具有如下的功能:對載置工件10的托盤34與旋轉台31施加負的偏電壓,而對形成於工件10上的膜引入離子,使薄膜平坦化。於離子照射部60中,利用筒形電極61,藉此可簡單地對形成於工件10上的膜引入離子,進行平坦化。
(載入/載出部)
載入/載出部70是如下的裝置:於維持腔室20的真空的狀態下,利用未圖示的搬送部件將裝載有未處理的工件10的托盤34自外部搬入腔室20內,並將裝載有處理完的工件10的托盤34朝腔室20的外部排出。該載入/載出部70可應用眾所周知的結構者,因此省略說明。
(控制裝置)
控制裝置80控制排氣部90、濺鍍氣體導入部49、製程氣體導入部58、製程氣體導入部65、電源部46、RF電源54、RF電源66、搬送部30等構成成膜裝置100的各種元件。該控制裝置80是包含可程式邏輯控制器(Programmable Logic Controller,PLC)或中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)的處理裝置,記憶有記述了控制內容的程式。作為具體進行控制的內容,可列舉:成膜裝置100的初期排氣壓力,對於靶42及天線53的施加電力,濺鍍氣體G1及製程氣體G2、製程氣體G3的流量,導入時間及排氣時間,成膜時間,馬達32的旋轉速度等。再者,控制裝置80可應對多種多樣的成膜規格。
(運作)
繼而,對由控制裝置80所控制的成膜裝置100的整體運作進行說明。圖4是利用本實施方式的成膜裝置100的處理的流程圖。首先,利用搬送部件,將裝載有工件10的托盤34自載入/載出部70依次搬入腔室20內(步驟S01)。於步驟S01中,旋轉台31使空的保持部33依次移動至自載入/載出部70搬入托盤34的部位。保持部33分別個別地保持由搬送部件所搬入的托盤34。如此,將裝載有進行成膜的工件10的托盤34全部載置於旋轉台31上。
腔室20內藉由排氣部90自排氣口21排氣而經常得到減壓。腔室20內被減壓至規定的壓力為止(步驟S02)。然後,載置有工件10的旋轉台31進行旋轉,並達到規定的旋轉速度(步驟S03)。
若旋轉台31的旋轉達到規定的旋轉速度,則首先成膜處理部40a開始運轉,於工件10上形成矽膜(步驟S04)。即,濺鍍氣體導入部49經由氣體導入口47來供給濺鍍氣體G1。濺鍍氣體G1被供給至包含矽材料的靶42的周圍。電源部46對靶42施加電壓。藉此,使濺鍍氣體G1電漿化。由電漿所產生的離子衝撞靶42而將矽的粒子打出。於穿過成膜處理部40a的工件10的表面,每次穿過時矽粒子均堆積,而形成矽膜。
形成有矽膜的工件10藉由旋轉台31的旋轉而穿過成膜處理部40,前往膜處理部50,藉由膜處理部50來將矽膜氧化(步驟S05)。即,製程氣體導入部58經由氣體導入口56來供給含有氧氣的製程氣體G2。含有氧氣的製程氣體G2被供給至由窗構件52與旋轉台31包夾的處理空間59內。RF電源54對天線53施加高頻電壓。藉由高頻電壓的施加而流入高頻電流的天線53所產生的電場經由窗構件52而於處理空間59內產生,激發已被供給至該空間內的含有氧氣的製程氣體G2來產生電漿。進而,由電漿所產生的氧離子衝撞形成於工件10上的矽膜,藉此與矽鍵結,而將工件10上的矽膜轉換成SiO2
膜。
形成有SiO2
膜的工件10藉由旋轉台31的旋轉而穿過膜處理部50,前往離子照射部60,藉由離子照射部60來對SiO2
膜照射離子(步驟S06)。即,製程氣體導入部65經由配管來供給含有氬氣的製程氣體G3。該製程氣體G3被供給至由筒形電極61與旋轉台31包圍的筒形電極61內的空間。若藉由RF電源66來對筒形電極61施加電壓,則筒形電極61作為陽極發揮作用,腔室20、護罩64、旋轉台31、及托盤34作為陰極發揮作用,激發已被供給至筒形電極61內的空間內的製程氣體G3來產生電漿。進而,由電漿所產生的氬離子衝撞形成於工件10上的SiO2
膜,藉此使粒子朝該膜中的稀疏的部分移動,而使膜表面變得平坦。
如此,於步驟S04~步驟S06中,藉由工件10穿過正在運轉的成膜處理部40a的處理空間41來進行成膜處理,藉由工件10穿過正在運轉的膜處理部50的處理空間59來進行氧化處理。而且,藉由工件10穿過正在運轉的離子照射部60的筒形電極61內的空間來使形成於工件10上的SiO2
膜平坦化。再者,將「正在運轉」的意思設為與在各部40a、50、60的處理空間內正在進行產生電漿的電漿生成運作的意思相同。
再者,膜處理部50的運轉只要於由成膜處理部40a進行了最初的成膜的工件10到達膜處理部50之前的期間內開始即可。另外,離子照射部60的運轉只要於由膜處理部50進行了氧化處理的工件10到達離子照射部60之前開始即可。
旋轉台31於規定的厚度的SiO2
膜形成於工件10上之前,即於經過藉由模擬或實驗等而事先獲得的規定的時間之前(步驟S07的否(NO)),持續旋轉。換言之,於形成規定的厚度的SiO2
膜之前的期間,工件10藉由搬送部30而於成膜處理部40a、膜處理部50、離子照射部60中依次持續循環,而依次重覆使矽粒子堆積於工件10上的成膜處理(步驟S04)、使已堆積的矽粒子氧化的氧化處理(步驟S05)、及藉由離子照射來使已生成的SiO2
膜平坦化的平坦化處理(步驟S06)。
若經過了規定的時間(步驟S07的是(YES)),則停止成膜處理部40a的運轉(步驟S08)。具體而言,停止利用濺鍍氣體導入部49的濺鍍氣體G1的導入,停止利用電源部46的對於靶42的電壓施加。再者,亦可於停止成膜處理部40a時,亦停止膜處理部50、離子照射部60的運轉,於在接下來進行成膜的成膜處理部40b中進行了最初的成膜的工件10到達膜處理部50、離子照射部60之前的期間內再次開始運轉。另外,亦可設為即便成膜處理部40a的運轉停止,亦不使膜處理部50、離子照射部60的運轉停止。於此情況下,膜處理部50、離子照射部60運轉至成膜處理部40a與成膜處理部40b的運轉停止為止。
繼而,成膜處理部40b開始運轉,於經平坦化的SiO2
膜上形成鈮膜(步驟S09)。即,濺鍍氣體導入部49經由氣體導入口47來供給濺鍍氣體G1。濺鍍氣體G1被供給至包含鈮材料的靶42的周圍。電源部46對靶42施加電壓。藉此,使濺鍍氣體G1電漿化。由電漿所產生的離子衝撞靶42而將鈮粒子打出。於穿過成膜處理部40b的工件10的表面,每次穿過時鈮粒子均堆積,而形成鈮膜。
形成有鈮膜的工件10藉由旋轉台31的旋轉而穿過成膜處理部40b,前往膜處理部50,藉由膜處理部50來將鈮膜氧化(步驟S10)。即,與步驟S05同樣地,藉由製程氣體導入部58來將含有氧氣的製程氣體G2供給至處理空間59,並藉由RF電源54來對天線53施加高頻電壓,藉此使處理空間59內產生電漿。由該電漿所產生的氧離子衝撞形成於工件10上的鈮膜,藉此與鈮鍵結,而將工件10上的鈮膜轉換成Nb2
O5
膜。
形成有Nb2
O5
膜的工件10藉由旋轉台31的旋轉而穿過膜處理部50,前往離子照射部60,藉由離子照射部60來對Nb2
O5
膜照射離子(步驟S11)。即,與步驟S06同樣地,藉由製程氣體導入部65來將含有氬氣的製程氣體G3供給至由筒形電極61與旋轉台31包圍的處理空間,並藉由RF電源66來對筒形電極61施加電壓,藉此激發已被供給至該處理空間內的製程氣體G3來產生電漿。進而,由電漿所產生的氬離子衝撞形成於工件10上的Nb2
O5
膜,藉此使粒子朝該膜中的稀疏的部分移動,而使膜表面變得平坦。
旋轉台31於規定的厚度的Nb2
O5
膜形成於工件10上之前,即於經過藉由模擬或實驗等而事先獲得的規定的時間之前(步驟S12的否),持續旋轉。換言之,於形成規定的厚度的Nb2
O5
膜之前的期間,工件10藉由搬送部30而於成膜處理部40b、膜處理部50、離子照射部60中依次持續循環,而依次重覆使鈮粒子堆積於工件10上的成膜處理(步驟S09)、使已堆積的鈮粒子氧化的氧化處理(步驟S10)、及藉由離子照射來使已生成的Nb2
O5
膜平坦化的平坦化處理(步驟S11)。
若經過了規定的時間(步驟S12的是),則停止成膜處理部40b的運轉(步驟S13)。具體而言,停止利用濺鍍氣體導入部49的濺鍍氣體G1的導入,停止利用電源部46的對於靶42的電壓施加。
如此,例如如圖5所示,於各膜達到規定數量之前重覆步驟S04~步驟S13,藉此於工件10上交替地積層SiO2
膜11與Nb2
O5
膜12。
若形成了規定數量的SiO2
膜與Nb2
O5
膜,則停止成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60的運轉(步驟S15)。即,停止濺鍍氣體G1的導入,製程氣體G2、製程氣體G3的導入,及利用電源部46、RF電源54、RF電源66的電壓施加。而且,使旋轉台31的旋轉停止,自載入/載出部70排出載置有工件10的托盤34(步驟S16)。
(作用)
如以上般,成膜裝置100利用搬送部30,以工件10穿過成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60的方式循環搬送該工件10,因此於使SiO2
膜及Nb2
O5
膜Nb2
O5
膜分別達到規定的厚度之前,藉由離子照射部60來對形成途中的膜照射離子,而緩和該膜的凹凸,因此可積層平坦的膜。
即,於形成多個膜疊加而成的積層膜時,產生膜中的粒子稀疏的部分與稠密的部分,而於膜產生凹凸,但於本實施方式中,於膜的形成途中藉由離子照射部60來對有凹凸的該膜照射離子,藉此使粒子朝該膜中的稀疏的部分移動,而使膜平坦化,因此可形成無凹凸或凹凸少的平坦且細密的膜。進而,即便於在該膜上形成其他種類的膜的情況下,亦同樣地於膜的形成途中藉由離子照射部60來對有凹凸的該膜照射離子,藉此使粒子朝該膜中的稀疏的部分移動,而使膜平坦化,因此可形成無凹凸或凹凸少的平坦且細密的膜。
(效果)
(1)本實施方式的成膜裝置100是於工件10上形成膜的成膜裝置,其包括:搬送部30,具有循環搬送工件10的旋轉台31;成膜處理部40,具有包含構成膜的材料的靶42、及將被導入靶42與旋轉台31之間的濺鍍氣體電漿化的電漿產生器,利用電漿對靶42進行濺鍍而於工件10上形成膜;以及離子照射部60,照射離子;搬送部30以工件10於膜的形成途中穿過成膜處理部40與離子照射部60的方式進行搬送,離子照射部60對工件10上的形成途中的膜照射離子。
藉此,可形成平坦的膜。即,利用使用濺鍍的方法的成膜處理部40的成膜容易使自靶42打出的粒子堆積於工件10上的特定的部位,容易於所形成的膜產生凹凸。對此,藉由離子照射部60來對工件10上的形成途中的膜照射離子,藉此離子衝撞自膜突出的部分,該部分崩塌,已崩塌的部分收納於周圍的凹陷部分中,藉此可使膜平坦化。而且,藉由成膜處理部40而於經平坦化的膜上進一步形成膜,並藉由離子照射來進行平坦化,因此與形成規定膜厚的膜後僅使其表面平坦化的情況相比,可提高平坦度。
再者,存在如下的方式:為了抑制於藉由濺鍍所形成的膜的表面產生的凹凸,一面對工件進行加熱一面進行成膜處理,藉此對工件的表面的濺鍍粒子賦予熱能,使其朝濺鍍粒子稀疏的部分移動來變得平坦。但是,於藉由旋轉台的旋轉來循環搬送工件,使工件重覆穿過利用濺鍍來進行成膜的成膜單元的正下方的方式的成膜裝置中,為了對旋轉台上的工件進行加熱,必須對旋轉台整體進行加熱,而需要大的能量,並且成膜裝置的構成變得複雜。對此,於本實施方式中,藉由搬送部30,以工件10於膜的形成途中穿過成膜處理部40與離子照射部60的方式搬送工件10,並利用離子照射部60,對工件10上的形成途中的膜進行離子照射,因此即便不對工件10進行加熱,亦可使膜平坦化,可防止裝置構成的複雜化,並且可謀求節能化。
另外,本實施方式是於工件10上形成膜的成膜裝置100,其包括:腔室20,可使內部變成真空;搬送部30,設置於腔室內,具有於圓周的搬送路徑上循環搬送工件10的旋轉台31;成膜處理部40,具有包含構成膜的材料的靶42、及將被導入靶42與旋轉台31之間的濺鍍氣體G1電漿化的電漿產生器,利用電漿對靶42進行濺鍍而於工件10上形成膜;膜處理部50,具有朝腔室20的內部空間突出且朝搬送路徑開口的筒狀體51、以堵塞筒狀體的開口的方式設置的窗構件52、朝形成於旋轉台31與筒狀體51之間的處理空間59導入第一製程氣體(製程氣體G2)的第一製程氣體導入部(製程氣體導入部58)、經由窗構件52而使處理空間59內產生電場的天線53、及對天線53施加高頻電壓的電源(RF電源54),將第一製程氣體G2電漿化來使處理空間59內產生感應耦合電漿,而使膜進行化學反應;以及離子照射部60,具有於一端設置有開口部61a且以開口部61a朝向搬送路徑的方式安裝於腔室20的筒形電極61、朝筒形電極61的內部導入第二製程氣體(製程氣體G3)的第二製程氣體導入部(製程氣體導入部65)、及對筒形電極61施加高頻電壓的RF電源66,對膜照射將第二製程氣體G3電漿化所生成的離子;搬送部30以工件10穿過成膜處理部40、膜處理部50、及離子照射部60的方式循環搬送工件10,離子照射部60對工件10上的形成途中的膜照射離子。
藉此,可藉由膜處理部50來使由成膜處理部40所形成的膜進行化學反應,並藉由離子照射部60來使所述膜平坦化。而且,離子照射部60具有導入第二製程氣體G3的第二製程氣體導入部、於一端設置有開口部61a且於內部導入第二製程氣體G3的筒形電極61、及對筒形電極61施加高頻電壓的電源(RF電源66),藉此即便是藉由循環搬送來移動的工件10,亦可容易地施加負的偏電壓。藉此,可對工件10引入離子,可高效地使工件10上的膜平坦化。另一方面,於膜處理部50中,可利用電漿密度比由離子照射部60所生成的電漿高的感應耦合電漿來將工件10上的膜高效地轉換成化合物膜。
如此,於本實施方式的成膜裝置100中,將膜處理部50與離子照射部60作為不同的構成部而分離,且於成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60中循環搬送工件10來使其穿過各部,藉此可於工件10上重覆進行原子級的膜厚的成膜、朝化合物膜的轉換、平坦化的處理。藉此,例如於形成包含氧化膜的光學膜的情況下,可積層平坦度高且氧化效率高的膜,而可形成光學特性高的光學膜。
(2)搬送部30以工件10交替地穿過成膜處理部40與離子照射部60的方式進行搬送。藉此,於經平坦化的膜上進一步形成膜來形成規定的厚度的膜,因此可形成更平坦的膜。
(3)包括膜處理部50,所述膜處理部50具有導入製程氣體G2的製程氣體導入部58、及將製程氣體電漿化的電漿產生器,使由成膜處理部40所形成的膜進行化學反應,搬送部30以工件10穿過膜處理部50後,穿過離子照射部60的方式進行搬送。藉此,可使工件10上所生成的化合物膜變得平坦。
(4)製程氣體G2含有氧氣或氮氣。藉此,可將堆積於工件10上的膜氧化或氮化。
(5)將成膜處理部40的濺鍍氣體的壓力設為0.3 Pa以下。藉此,由自靶42打出的靶構成粒子與濺鍍氣體中的原子、離子等構成粒子衝撞所引起的靶構成粒子的動能的減少變小,因此產生靶構成粒子於具有比較大的動能的狀態下到達工件10或其表面的膜,並於該工件10或其表面的膜上移動的現象,其結果,靶構成粒子收納於膜的凹陷部分中,可使膜變得平坦。
(6)本實施方式的成膜裝置100包括多個成膜處理部40,多個成膜處理部40使組成不同的膜交替地積層而形成於工件10上。藉此,可獲得具有膜表面上的光的漫反射得到抑制的光學特性良好的光學膜的光學機器。
(7)離子照射部60具有導入製程氣體(第二製程氣體)G3的製程氣體導入部65、及將製程氣體G3電漿化的電漿產生器,對膜照射由電漿產生器所生成的電漿中的離子。另外,製程氣體G3含有氬氣。藉此,使原子尺寸的大的氬離子衝撞作為堆積於工件10上的粒子的集合的膜,藉此可使作為粒子稠密的部分的膜的凸部崩潰,容易將該已崩潰的粒子收納於作為稀疏的部分的膜的凹部中,而容易地使膜平坦化。
(8)製程氣體(第二製程氣體)G3含有氧氣或氮氣、或者含有氬氣與氧氣或氮氣。藉此,於利用膜處理部50的氧化或氮化不充分的情況下,藉由離子照射部60而使氧離子或氮離子與膜進行化學反應來將膜氧化或氮化,藉此可對反應進行補充。例如,當工件10於穿過離子照射部60之前先穿過膜處理部50時,即便於膜處理部50中氧化或氮化不充分,亦於接下來穿過的離子照射部60中使氧離子或氮離子與膜進行化學反應來將膜氧化或氮化,藉此可對反應進行補充。另外,當於製程氣體(第二製程氣體)G3中含有氬氣時,存在因氬離子的衝撞而導致氧原子、氮原子自經氧化或氮化的膜分離,膜的氧化或氮化變成不充分的狀況的情況。即便於此情況下,藉由使氧離子或氮離子與膜再次進行化學反應來將膜氧化或氮化,亦可對反應進行補充。例如,當工件10於穿過離子照射部60之前先穿過膜處理部50時,存在如下的情況:即便於膜處理部50中進行氧化或氮化,亦因離子照射部60中的氬離子的衝撞而導致經氧化或氮化的氧原子、氮原子分離,氧化或氮化變成不充分的狀況。即便於此情況下,藉由於離子照射部60中使氧離子或氮離子與膜再次進行化學反應來將膜氧化或氮化,亦可對反應進行補充。
(實施例)
利用本實施方式的成膜裝置100,於表1的記載的條件下,製作於工件10上交替地形成共計22層的SiO2
膜與Nb2
O5
膜的積層膜而成的冷光鏡。再者,表1中的「成膜處理部」中的「靶施加電力(W)」的數值範圍表示對三個靶42分別供給的電力的範圍。
[表1]
條件名 | 比較例1(成膜+氧化) | 實施例1(成膜+氧化+離子照射) | 實施例2(成膜(低壓) +氧化+離子照射) | ||
SiO2 | 成膜處理部 | 靶施加電力(W) | 1000~3000 | 1000~3000 | 1000~3000 |
Ar流量(sccm) | 80 | 80 | 50 | ||
膜處理部 | 施加RF電力(W) | 2000 | 2000 | 2000 | |
O2 流量(sccm) | 40 | 40 | 40 | ||
離子照射部 | 施加RF電力(W) | 0 | 500 | 500 | |
Ar流量(sccm) | 0 | 40 | 40 | ||
Nb2 O5 | 成膜處理部 | 靶施加電力(W) | 500~2000 | 500~2000 | 500~2000 |
Ar流量(sccm) | 80 | 80 | 50 | ||
膜處理部 | 施加RF電力(W) | 3000 | 3000 | 3000 | |
O2 流量(sccm) | 120 | 120 | 120 | ||
離子照射部 | 施加RF電力(W) | 0 | 500 | 500 | |
Ar流量(sccm) | 0 | 40 | 40 | ||
旋轉台的旋轉速度(rpm) | 60 | 60 | 60 |
實施例1的冷光鏡藉由利用膜處理部50使各層的膜氧化後,利用離子照射部60對該膜進行離子照射來製作。實施例2的冷光鏡除將朝成膜處理部40的濺鍍氣體G1的供給流量設為50 sccm而比實施例1的情況減少以外,以與實施例1相同的條件來製作。換言之,成膜處理部40中的濺鍍氣體的壓力於實施例1中為0.5 Pa,於實施例2中為0.3 Pa。比較例1的冷光鏡與實施例1相比,不利用離子照射部60進行離子照射來製作。
使用日立先端科技(Hitachi High-Technologies)股份有限公司製造的H-9500的穿透式電子顯微鏡(TEM),將加速電壓設為200 kV來拍攝實施例1、實施例2及比較例1的剖面整體及其表層八層部分,獲得剖面圖像。
圖6的(a)至圖6的(c)是利用穿透式電子顯微鏡(TEM)所拍攝的實施例1、實施例2及比較例1的剖面圖像,(a)為實施例1的剖面圖像,(b)為實施例2的剖面圖像,(c)為比較例1的剖面圖像。圖7的(a)至圖7的(c)是圖6的(a)至圖6的(c)中的實施例1、實施例2及比較例1的表層八層部分的放大剖面圖像,(a)為實施例1的剖面圖像,(b)為實施例2的剖面圖像,(c)為比較例1的剖面圖像。
圖8是表示實施例1、實施例2及比較例1的各層的最大高度Rz的圖表。圖9是表示實施例1、實施例2及比較例1的各層的最大高度Rz的標準偏差的圖表。圖8及圖9的「最大高度」是指將各層中最接近工件10的部分作為基準,最接近工件10的表面的突出的部分的高度。
如圖6的(a)及圖7的(a)與圖6的(c)及圖7的(c)所示,可看出實施例1若與比較例1相比,則各層的膜變得平坦。另外,如圖8及圖9所示,可知實施例1與比較例1相比,各層的最大高度Rz的平均減小38%,各層的標準偏差的平均減小40%,因此各層的膜變得平坦。如此,實施例1與比較例1的差異是由有無對於膜的離子照射所造成的差異,因此如圖6的(a)至圖6的(c)~圖9所示,不論就視覺方面而言,還是就數字方面而言,均可確認藉由離子照射來使膜平坦化的效果。
另外,如圖6的(a)及圖7的(a)與圖6的(b)及圖7的(b)所示,可看出實施例2若與實施例1相比,則各層的膜進一步變得平坦。另外,如圖8及圖9所示,可知實施例2與實施例1相比,各層的最大高度Rz的平均減小56%,各層的標準偏差的平均減小63%,因此各層的膜變得平坦。如此,實施例2與實施例1的差異是供給至成膜處理部40的濺鍍氣體的流量的差異,即濺鍍氣體的壓力的差異,因此如圖6的(a)至圖6的(c)~圖9所示,不論就視覺方面而言,還是就數字方面而言,均可確認藉由使成膜環境變成低壓來使膜進一步平坦化的效果。
再者,實施例1、實施例2及比較例1包含具有22層的積層膜,但於圖8及圖9中,若關注第一層的最大高度Rz及標準偏差,則實施例1、實施例2與比較例1相比,最大高度Rz及標準偏差的任一者均變成小的值,因此可確認不僅於形成積層膜時可獲得由離子照射所帶來的膜的平坦化的效果,於形成單層膜時亦可獲得由離子照射所帶來的膜的平坦化的效果。
(其他實施方式)
本發明並不限定於所述實施方式,亦包含下述所示的其他實施方式。另外,本發明亦包含將所述實施方式及下述的其他實施方式的全部或任一者組合而成的形態。進而,可於不脫離發明的範圍的範圍內對該些實施方式進行各種省略或替換、變更,其變形亦包含於本發明中。
(1)於所述實施方式中,如圖1所示,旋轉台31於俯視時逆時針旋轉,但若自利用成膜處理部40進行成膜起,利用離子照射部60對形成途中的膜進行離子照射直至再次利用成膜處理部40進行成膜為止,則亦可使旋轉台31順時針旋轉。即,亦可為搬送部30以可進行兩個方向的循環搬送的方式構成,膜處理部50與離子照射部60鄰接設置。藉此,可使利用膜處理部50的化學反應與利用離子照射部60的膜的平坦化處理的順序變成能夠調換。
(2)於所述實施方式中,利用搬送部30,以成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60的順序循環搬送工件10,但亦可維持與所述實施方式相同的旋轉方向(逆時針),使膜處理部50與離子照射部60的配置順序變成相反,以成膜處理部40、離子照射部60、膜處理部50的順序循環搬送。於前者的情況下,如所述實施方式般,可對利用膜處理部50的化學反應後的膜進行離子照射來使膜平坦化。於後者的情況下,藉由使膜處理部50的處理空間59內含有氧氣或氮氣,可利用接下來穿過的膜處理部50來補充因利用離子照射部60的離子照射而自化合物膜分離的氧原子或氮原子。
(3)於所述實施方式中,搬送部30具有旋轉台31,但亦可設為自旋轉中心呈放射狀地延長的臂來代替旋轉台31。於此情況下,臂保持托盤34或工件10來進行旋轉。
(4)亦可為成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60位於腔室20的底部側,成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60與旋轉台31的上下關係變成相反。於此情況下,當旋轉台31為水平方向時,配設托盤34的旋轉台31的表面變成朝向下方的面,即下表面。
(5)成膜裝置100的設置面亦可為地面,亦可為頂棚,亦可為側壁面。於所述形態中,設為於水平地配置的旋轉台31的上表面設置托盤34,使該旋轉台31於水平面內旋轉,於該旋轉台31的上方配置成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60者進行了說明,但並不限定於此。例如,旋轉台31的配置並不限定於水平,亦可為垂直的配置,亦可為傾斜的配置。另外,亦可將托盤34設置於旋轉台31的相反的面(兩面)。即,本發明的搬送部30的旋轉平面的方向可為任一種方向,托盤34的位置,成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60的位置只要是由托盤34保持的工件10可藉由成膜處理部40、膜處理部50、離子照射部60來進行處理的位置即可。
10:工件
11:SiO2
膜
12:Nb2
O5
膜
20:腔室
20a:頂部
20b:內底面
20c:內周面
21:排氣口
21a:開口
22:分隔部
30:搬送部
31:旋轉台
32:馬達
33:保持部
34:托盤
40、40a、40b:成膜處理部
41:處理空間
42:靶
43:支承板
44:電極
46:電源部
47:氣體導入口
48:配管
49:濺鍍氣體導入部
50:膜處理部
51:筒狀體
52:窗構件
53:天線
54:RF電源
55:匹配箱
56:氣體導入口
57:配管
58:製程氣體導入部
59:處理空間
60:離子照射部
61:筒形電極
61a:開口部
61b:凸緣
62:絕緣構件
63:殼體
64:護罩
65:製程氣體導入部
66:RF電源
67:匹配箱
70:載入/載出部
80:控制裝置
90:排氣部
100:成膜裝置
G1:濺鍍氣體
G2:製程氣體
G3:製程氣體
L:搬送路徑
S01~S16:步驟
圖1是示意性地表示實施方式的成膜裝置的構成的透視平面圖。
圖2是圖1的A-A剖面圖。
圖3是圖1的B-B剖面圖。
圖4是利用實施方式的成膜裝置的處理的流程圖。
圖5是表示利用實施方式的成膜裝置的工件的處理過程的示意圖。
圖6的(a)至圖6的(c)是利用穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)所拍攝的實施例1、實施例2及比較例1的剖面圖像,(a)為實施例1的剖面圖像,(b)為實施例2的剖面圖像,(c)為比較例1的剖面圖像。
圖7的(a)至圖7的(c)是圖6的(a)至圖6的(c)中的實施例1、實施例2及比較例1的表層八層部分的放大剖面圖像,(a)為實施例1的剖面圖像,(b)為實施例2的剖面圖像,(c)為比較例1的剖面圖像。
圖8是表示實施例1、實施例2及比較例1的各層的最大高度Rz的圖表。
圖9是表示實施例1、實施例2及比較例1的各層的最大高度Rz的標準偏差的圖表。
10:工件
20:腔室
22:分隔部
30:搬送部
40、40a、40b:成膜處理部
42:靶
50:膜處理部
60:離子照射部
61:筒形電極
61a:開口部
70:載入/載出部
80:控制裝置
100:成膜裝置
L:搬送路徑
Claims (8)
- 一種成膜裝置,是於工件上形成膜的成膜裝置,其特徵在於包括: 腔室,能夠使內部變成真空; 搬送部,設置於所述腔室內,具有於圓周的搬送路徑上循環搬送所述工件的旋轉台; 成膜處理部,具有包含構成所述膜的材料的靶、及將被導入所述靶與所述旋轉台之間的濺鍍氣體電漿化的電漿產生器,利用電漿對所述靶進行濺鍍而於所述工件上形成膜; 膜處理部,具有朝所述腔室的內部空間突出且朝所述搬送路徑開口的筒狀體、以堵塞所述筒狀體的開口的方式設置的窗構件、朝形成於所述旋轉台與所述筒狀體之間的處理空間導入第一製程氣體的第一製程氣體導入部、經由所述窗構件而使所述處理空間內產生電場的天線、及對所述天線施加高頻電壓的電源,將所述第一製程氣體電漿化來使所述處理空間內產生感應耦合電漿,而使所述膜進行化學反應;以及 離子照射部,具有於一端設置有開口部且以所述開口部朝向所述搬送路徑的方式安裝於所述腔室的筒形電極、朝所述筒形電極的內部導入第二製程氣體的第二製程氣體導入部、及對所述筒形電極施加高頻電壓的電源,對所述膜照射將所述第二製程氣體電漿化所生成的離子; 所述搬送部以所述工件穿過所述成膜處理部、所述膜處理部、及所述離子照射部的方式循環搬送所述工件, 所述離子照射部對所述工件上的形成途中的所述膜照射離子。
- 如請求項1所述的成膜裝置,其中 所述搬送部以所述工件穿過所述膜處理部後,穿過所述離子照射部的方式進行搬送。
- 如請求項1所述的成膜裝置,其中 所述搬送部以所述工件穿過所述離子照射部後,穿過所述膜處理部的方式進行搬送。
- 如請求項2或請求項3所述的成膜裝置,其中 所述搬送部以能夠進行兩個方向的所述循環搬送的方式構成, 所述膜處理部與所述離子照射部鄰接設置。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述的成膜裝置,其中 所述第一製程氣體含有氧氣或氮氣。
- 如請求項1至請求項5中任一項所述的成膜裝置,包括: 多個所述成膜處理部, 所述多個所述成膜處理部使組成不同的所述膜交替地積層而形成於所述工件上。
- 如請求項1至請求項6中任一項所述的成膜裝置,其中 所述第二製程氣體含有氬氣。
- 如請求項1至請求項6中任一項所述的成膜裝置,其中 所述第二製程氣體含有氧氣或氮氣、或者含有氬氣與氧氣或氮氣。
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