TW202111091A - 矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法，其中，該矽蝕刻組成物以重量百分比計包含：季銨鹽化合物，介於30 wt.%至60 wt.%間、胺類化合物，介於10 wt.%至30 wt.%間、水性介質，介於30 wt.%至40 wt.%間。本發明還包括一種將該矽蝕刻組成物作用於矽基材的蝕刻方法，包含下列步驟：一製備步驟、一施加步驟、一蝕刻步驟及一靜置步驟。

Description

矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法

本發明之一目的是提供一種蝕刻組成物，尤指一種適用於矽之蝕刻組成物。本發明之另一目的是提供以該矽蝕刻組成物作用於矽基材上的蝕刻方法。

在半導體製程過程中，不論是前段晶圓產製的表面微細加工(surface micromachining)或是後段電路圖轉印至晶圓的體型微細加工(bulk micromachining)皆須利用到蝕刻技術，用以選擇性將某種材質自晶圓表面上移除，而蝕刻方法又可分乾蝕刻(dry etching)及濕蝕刻(wet etching)，其中又以濕蝕刻廣泛地被採用，因其具有設備價格低、產能(throughput)高、高蝕刻選擇比(etching selectivity) 等優點。

目前常見的的矽晶圓(Si wafer)的濕蝕刻技術，多以硝酸、氫氟酸等酸性溶液進行蝕刻，惟該類蝕刻技術之缺點是化學反應不具方向性而且會傷害周遭的高分子化合物，在製程上較難控制。除此之外，濕式蝕刻所使用到的化學藥品亦會對人體及環境安全產生危害。

將濕蝕刻應用於矽基材上，還會因不同矽晶體取向例如矽(110)、矽(100)及矽(111)晶面(crystallographic planes)存在有不同蝕刻速率而產生非等向性蝕刻結果，此後續應用於製作與晶面相關的結構形狀，如以四甲基氫氧化銨(TMAH)為基礎的蝕刻化學藥品進行蝕刻，通常會產生「V形」或稱倒金字塔外廓，而不具有平底的效果。

近年，相較於氫氧化鉀(KOH)具有鹼金屬離子(alkali metal ions)會破壞互補式金氧半元件(CMOS)的氧化層電性，四甲基氫氧化銨因未具危害電子電路的離子，與積體電路製程相容而成近來蝕刻液趨勢，惟對於矽晶面的表面粗糙度較不易控制，例如經非等向性蝕刻後的矽(100)晶面常出現丘狀突起結構(hillock formation)會影響表面輪廓的平坦度。

有鑒於此，遂有業者開發具有平底效果的蝕刻方法，請參考中華民國發明第I598430號專利「蝕刻組合物及其使用方法」，該先前技術專利為了提供平底效果及避免底切，提供一種能為各向異性蝕刻及Σ形凹部的蝕刻組合物，惟其凹部相對側邊仍會遭受侵蝕，無法達成使蝕刻後的電路圖案(pattern)形成垂直且平坦的輪廓(profile)，仍然不符使用。

從以上說明可知，先前技術仍存在下述缺失：

一、危害環境及從業人員之健康 傳統濕蝕刻是使用四甲基氫氧化銨當作鹼性化合物，其為高危害性之化學品，致死性高且無解毒劑，不僅危害環境也對操作人員之安全健康產生甚大威脅。

二、表面輪廓粗糙、等向性效果差 雖以四甲基氫氧化銨為鹼性化合物改善非等向性之效果及避免底切，惟蝕刻後之表面與側面不平整，無法形成垂直且平坦的輪廓(profile)，影響電氣信號，使晶片良率降低。

三、成本高且耗費較長製程時間 傳統濕蝕刻之溶液在矽基材上的作業片數(bath loading)低，必須提高溶液的更新頻率才能維持相同的蝕刻產能，除了整體蝕刻時間拉長之外，還需要機台設備與操作人員配合，所以製程變得複雜，且溶液壽命低也使得整體成本進一步提高。

是以，如何針對上述所存在的缺點，研發出一種改善非等向性蝕刻效果、降低蝕刻化學藥品對環境與人員危害，以及縮短製程時間降低成本之矽蝕刻組成物及其蝕刻方法，是本領域相關技術人員亟需努力的目標。

因此，本發明之一目的，即在提供一種矽蝕刻組成物，以重量百分比計包含：季銨鹽化合物、胺類化合物及水性介質。

季銨鹽化合物，介於30 wt.%至60 wt.%間，其中，該季銨鹽化合物係選自氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨(ETMAH)、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化膽鹼、氫氧化氟化四甲基銨(TMAF)、氟化四乙基銨、氟化四丁基銨(TBAF)、氟化四丙基銨、氟化三甲基乙基銨、氟化(2-羥乙基)三甲基銨、氟化(2-羥乙基)三乙基銨、氟化(2-羥乙基)三丙基銨、氟化(1-羥丙基)三甲基銨、氟化乙基三甲基銨、氟化二乙基二甲基銨及氟化苯甲基三甲基銨所組成群組之至少一者或其組合。該胺類化合物介於10 wt.%至30 wt.%間。該水性介質介於30 wt.%至40 wt.%間。

本發明的又一技術手段，是在於上述之矽蝕刻組成物，其中，該胺類化合物為碳數 C₄ ~C₁₂ 之烷基、烯基、烷氧基及芳基中之任一者或其組合。

本發明的另一技術手段，是在於上述之矽蝕刻組成物，其中，該水性介質為去離子水(DIW)。

本發明的再一技術手段，是在於上述之矽蝕刻組成物，更包含醇類化合物，其重量百分比介於5 wt.%至10wt.%間。

本發明的又一技術手段，是在於上述之矽蝕刻組成物，更包含氫氧化物，其重量百分比介於0.1 wt.%至5 wt.%間。

本發明之另一目的，即在提供以上述矽蝕刻組成物作用於一矽基材的蝕刻方法，包含下列步驟：一製備步驟、一施加步驟、一蝕刻步驟及一靜置步驟。

首先，在該製備步驟中是先備製一上述之矽蝕刻組成物，及該矽基材。接著，於該施加步驟對該矽基材施予該矽蝕刻組成物。然後，進行該蝕刻步驟，以該矽蝕刻組成物對該矽基材自接觸面開始向其中心產生溶解。最後，於該靜置步驟中，等待蝕刻完畢，完成該矽基材之蝕刻。

本發明的又一技術手段，是在於上述之矽基材的蝕刻方法中，該矽基材的材質為非晶矽(amorphous silicon)、單晶矽(a-Silicon)或多晶矽(poly silicon)。

本發明的另一技術手段，是在於上述之矽基材的蝕刻方法中，該蝕刻步驟係於50℃至100℃之溫度條件下進行。

本發明的再一技術手段，是在於上述之矽基材的蝕刻方法中，該施加步驟是以浸泡方式為之。

本發明的又一技術手段，是在於上述之矽基材的蝕刻方法中，該施加步驟是以噴灑方式為之。

本發明之有益功效在於，利用上述之矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法，可將四甲基氫氧化銨替代為相對安全的化學品，減少對人類及環境的危害，此外還可以提高在不同晶面達到相同蝕刻速率效果，使蝕刻後的電路圖案(pattern)形成垂直的輪廓(profile)，提高產品良率，並具有延長矽蝕刻組成物之使用壽命，縮短製程時間以降低成本的優點。

有關本發明之相關申請專利特色與技術內容，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

本發明所提供之矽蝕刻組成物，以重量百分比計包含：30 wt.%至60 wt.%季銨鹽化合物、10 wt.%至30 wt.%胺類化合物，以及30 wt.%至40 wt.%水性介質。

其中，該季銨鹽化合物係選自該季銨鹽化合物係選自氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨(ETMAH)、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化膽鹼、氫氧化氟化四甲基銨(TMAF)、氟化四乙基銨、氟化四丁基銨(TBAF)、氟化四丙基銨、氟化三甲基乙基銨、氟化(2-羥乙基)三甲基銨、氟化(2-羥乙基)三乙基銨、氟化(2-羥乙基)三丙基銨、氟化(1-羥丙基)三甲基銨、氟化乙基三甲基銨、氟化二乙基二甲基銨及氟化苯甲基三甲基銨所組成群組之至少一者或其組合。較佳地，該季銨鹽化合物可選用CAS NO.:123-41-1氫氧化膽鹼。

該胺類化合物可為碳數 C₄ ~C₁₂ 之烷基、烯基、烷氧基及芳基中之任一者或其組合，較佳地可使用三異丙醇胺(C₉ H₂₁ NO₃ )等。由於胺類可抑制或阻礙矽為主的氧化物、氮化物等被蝕刻，但作用在多晶矽或非晶矽之矽基材上仍有好的蝕刻速率，可藉以保護圍繞矽之層狀物，而該水性介質可為去離子水(DIW)。

值得一提的是，在該水性介質中還可以添加一添加物。該添加物可以是醇類化合物、氫氧化物，或其組合。

當該添加物為醇類化合物時，可在該水性介質中加入5 wt.%至10wt.%之醇類化合物，用以避免本發明之矽蝕刻組成物揮發速度太快。較佳地，該醇類化合物可為丙二醇或丙三醇，以改善該矽蝕刻組成物之濕潤性，減緩水性介質的損失，高濕潤性可用以降低溶液之表面張力，使化學溶液得以接觸目標表面。

當該添加物為氫氧化物時，可在該水性介質中加入0.1 wt.%至5 wt.%之氫氧化物。較佳地，該氫氧化物可為氫氧化鉀(KOH)或氫氧化鈉(NaOH)等，將該氫氧化物添加至該矽蝕刻組成物，可用以維持化學反應並具有高蝕刻選擇性，確保蝕刻強度隨時間拉長仍得以保持一致。

參閱圖1，依據前述矽蝕刻組成物作用於一矽基材的蝕刻方法，包含一製備步驟101、一施加步驟102、一蝕刻步驟103及一靜置步驟104。

首先，在該製備步驟101中，先備製本發明之矽蝕刻組成物，及該矽基材。其中，該矽基材的材質可為非晶矽(amorphous silicon)、單晶矽(a-Silicon)或多晶矽(poly silicon)，不應以此為限。

接著，進行該施加步驟102，對該矽基材施予該矽蝕刻組成物。其中，該施加步驟102可以浸泡或是噴灑方式為之。

然後，進行該蝕刻步驟103，該矽蝕刻組成物對該矽基材自接觸面開始向其中心處產生溶解。其中，該蝕刻步驟103係於50℃至100℃之溫度條件下進行，較佳地，溫度設定為80℃會有較佳的蝕刻效果。 以下進行實驗組與對照組之說明 實驗組1、2 本發明之實驗組1、2是本發明之矽蝕刻組成物的製備，但比例不同

於實驗組1、2中，該季銨鹽化合物為氫氧化膽鹼，該胺類為三異丙醇胺，製備矽蝕刻組成物時，係將該季銨鹽化合物、胺類化合物依據表1所示之含量溶解於去離子水(水性介質)中，並調整去離子水之量，使季銨鹽化合物、胺類化合物和去離子水、醇類化合物、氫氧化物之重量和為100%，以製得本發明實驗組1、2之矽蝕刻組成物。 表1

	實驗組1	實驗組2
季銨鹽化合物	5 wt.%	49 wt.%
胺類化合物	30 wt.%	30 wt.%
水性介質	65 wt.%	21 wt.%

實驗組3、4 本發明之實驗組3、4 是含有低濃度季銨鹽化合物之配方

參閱下表2及圖2、3，為使用低濃度季銨鹽化合物於不同時間對矽基材的蝕刻效果試驗SEM圖。圖2中是將該矽基材置於含5 wt.%氫氧化膽鹼之溶液中，該矽基材放置3.5小時後，觀察該矽基材蝕刻深度約為100 μm。圖3中是將該矽基材放置7小時後，觀察該矽基材蝕刻深度約為200 μm，由此可知，隨著靜置時間增加一倍，該蝕刻深度亦增長一倍，值得一提的是，各晶面，如該(100)/(110)的蝕刻選擇性可介於1至1.5，以達到在不同晶面間維持相同蝕刻速率。 表2

	實驗組3	實驗組4
季銨鹽化合物	5 wt.%	5 wt.%
時間	3.5小時	7小時
蝕刻深度	約100μm	約200μm

實驗組5、6 本發明之實驗組5、6是含有高濃度季銨鹽化合物之配方

參閱表3及圖4、5，實驗組5、6為提高季銨鹽化合物的濃度後，於不同時間下對矽基材的蝕刻效果試驗SEM圖。圖4中將矽基材置於含49 wt.%氫氧化膽鹼之溶液中，將該矽基材放置3.5小時後，觀察蝕刻深度約為100μm。圖5中是將該矽基材放置7小時後，觀察該矽基材蝕刻深度約為200 μm，隨著靜置時間增加一倍，該蝕刻深度同樣增長一倍。由實驗組3至6之試驗可知，高低濃度之季銨鹽化合物對矽基材之蝕刻速率差異不大，但是具有高濃度的季銨鹽化合物可形成較平坦的蝕刻表面輪廓(profile)。 表3

	實驗組5	實驗組6
季銨鹽化合物	49wt.%	49wt.%
時間	3.5小時	7小時
深度	約100μm	約200μm

實驗組7、8 本發明之實驗組7、8是不同濃度季銨鹽化合物之配方

實驗組7、8依下表4以不同濃度之氫氧化膽鹼放置相同蝕刻時間及溫度。配合參閱圖6，實驗組7係以低濃度5wt.%之氫氧化膽鹼製得蝕刻結果，其蝕刻速率為0.47μm/min，其蝕刻表面輪廓仍有高低起伏不一。配合參閱圖7，實驗組8係以高濃度49wt.%之氫氧化膽鹼製得蝕刻結果，其蝕刻速率為0.51μm/min，與低濃度相比速率略快，差距幅度不大，惟其蝕刻表面輪廓(profile)明顯平坦一致，在此實驗下，具高濃度氫氧化膽鹼的矽蝕刻組成物顯然具有較佳的蝕刻表面輪廓。 表4

	實驗組7	實驗組8
季銨鹽化合物	5wt.%	49wt.%
時間	7小時	7小時
溫度	80℃	80℃
蝕刻速率（E/R）	0.47μm/min	0.51μm/min

實驗組9、10 本發明蝕刻作業之矽基材處理片數

參閱表5及圖8、9，為以本發明之矽蝕刻組成物對矽基材進行蝕刻的SEM圖，由圖8、9中可知，本發明之矽蝕刻組成物使用一天之蝕刻速率與使用四天後之蝕刻速率，在相同蝕刻條件下蝕刻速率仍可保持一致，蝕刻效果並未隨時間衰退。 表5

	實驗組9	實驗組10
片數	0 pcs	100 pcs
深度	300μm	300μm
天數	1天	4天
蝕刻時間	100 min	100 min
蝕刻速率（E/R）	0.6 μm/min	0.6 μm/min

對照組1、2 、3 本發明之對照組1、2、3是 含有高、低濃度四甲基氫氧化銨之傳統配方與使用時間

對照組1、2之蝕刻液組成物是依據下表6所示之含量及時間製得。配合參閱圖10，其中，對照組1是以低濃度2.38wt.%之四甲基氫氧化銨製得蝕刻結果，蝕刻速率為0.20μm/min，其蝕刻表面輪廓概呈高低山丘狀。配合參閱圖11，對照組2是以高濃度5%之四甲基氫氧化銨製得蝕刻結果，蝕刻速率為0.46μm/min，雖蝕刻速率提升一倍以上，但其蝕刻表面輪廓同樣崎嶇不平。

另外參閱圖12，在對照組3中，是以低濃度2.38wt.%之四甲基氫氧化銨配方使用四天後，可觀察到其蝕刻表面輪廓依然呈高低起伏，且蝕刻速率降低為0.1μm/min，與對照組1相比，除蝕刻表面輪廓平坦度差異很大之外，蝕刻速率也僅剩下對照組1之一半。 表6

	對照組1	對照組2	對照組3
四甲基氫氧化銨	2.38wt.%	5wt.%	2.38wt.%
時間	12小時	4小時	4 天
溫度	80℃	80℃	80℃
蝕刻速率（E/R）	0.20μm/min	0.46μm/min	0.10μm/min

參閱圖13，進一步將傳統低濃度2.38%之四甲基氫氧化銨配方及本發明細蝕刻組成物之配方相比，設定矽基材之蝕刻處理片數為30片，在溫度80℃條件下，分別於0小時、24小時及48小時，進行兩者之蝕刻速率比較，由圖13中可明顯觀察到本發明細蝕刻組成物之配方蝕刻速率為0.6μm/min，而傳統低濃度四甲基氫氧化銨配方之蝕刻速率為0.2μm/min，本發明之配方為傳統低濃度四甲基氫氧化銨的三倍，本發明之配方蝕刻速率並未隨著使用時間增加而衰退，經過48小時蝕刻速率仍保持一致，而傳統低濃度2.38%之四甲基氫氧化銨配方則呈衰退下滑的趨勢。

經由以上各實驗組及比較組之實驗數據可知，具有高濃度之季銨鹽化合物配方具有良好的蝕刻效果，確實可使蝕刻後的電路圖案(pattern)形成垂直且平坦的輪廓(profile)，而該配方除了具有良好的蝕刻效果外，還可有效維持相同的蝕刻速率，在耐用性方面也較TMAH配方佳。

參閱附件一，為我國勞動部職業安全衛生署及全球化學品調和制度(GHS)之說明與安全資料表，其中，氫氧化膽鹼之圖式符號為腐蝕，四甲基氫氧化銨之圖式符號為骷髏與兩根交叉骨、腐蝕，及健康危害。舉例來說，氫氧化膽鹼與皮膚接觸會產生灼傷，而四甲基氫氧化銨只要與皮膚接觸即有致命可能，屬於高致命性劇毒，毒性超過氫氧化膽鹼甚多，因此，本發明以氫氧化膽鹼取代四甲基氫氧化銨，可以大幅降低作業人員之危險，提高職場安全，並改善環境危害。

經由上述說明可知，本發明之矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法確實具有以下優點：

一、具良好的等向性蝕刻效果 本發明之矽蝕刻組成物對矽選擇性高，圍繞在矽之層狀物，如氧化矽、氮化矽等，不會因同時暴露至濕蝕刻化學品而有損傷，經實驗證明，確實可使蝕刻後的電路圖案(pattern)形成垂直且平坦的輪廓(profile)，除了具有良好的蝕刻效果外，還可有效在不同晶面間維持相同蝕刻速率。

二、具成本優勢 本發明之矽蝕刻組成物溶液強度穩定，蝕刻速率不因作業時間增長而漸低，所以可以減少溶液更新作業，簡化作業製程，提高蝕刻作業片數。因本發明之矽蝕刻組成物溶液的壽命比傳統配方長，還可確保晶圓或批次之間的蝕刻速率一致，進一步降低晶片的製作成本。

三、提升作業環境安全 依據我國勞動部職業安全衛生署全球化學品調和制度(GHS)、sigma aldrich及chemical book的說明，相較於傳統四甲基氫氧化銨配方，以本發明之矽蝕刻組成物替代四甲基氫氧化銨溶液的使用，可以大幅降低作業人員之危險，提高職場安全，並且減少四甲基氫氧化銨溶液使用降低對環境的危害。

綜上所述，本發明矽蝕刻組成物及其作用於矽基材的蝕刻方法，可將四甲基氫氧化銨替代為相對安全的化學品、且不會蝕刻圍繞矽基材的高分子聚合物，如氧化矽等，以濕蝕刻有效改善非等向性蝕刻及提高矽基材作業處理片數。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

101:製備步驟 102:施加步驟 103:蝕刻步驟 104:靜置步驟

圖1是一步驟方塊圖，為本發明矽蝕刻組成物及其蝕刻方法之一較佳實施例； 圖2至圖3為使用低濃度季銨鹽化合物之本發明矽蝕刻組成物之蝕刻截面圖； 圖4至圖5為使用高濃度季銨鹽化合物之本發明矽蝕刻組成物之蝕刻截面圖； 圖6至圖7為使用不同濃度季銨鹽化合物之本發明矽蝕刻組成物之蝕刻截面圖； 圖8至圖9為以本發明之矽蝕刻組成物對矽基材進行蝕刻之蝕刻截面圖； 圖10至圖11為使用不同濃度傳統四甲基氫氧化銨為基礎之蝕刻組成物之蝕刻截面圖； 圖12為使用低濃度傳統四甲基氫氧化銨為基礎之蝕刻組成物的蝕刻表面輪廓及速率；及 圖13為本發明矽蝕刻組成物與傳統四甲基氫氧化銨為基礎之蝕刻組成物之蝕刻速率對比圖。

101:製備步驟

102:施加步驟

103:蝕刻步驟

104:靜置步驟

Claims (10)

1. 一種矽蝕刻組成物，以重量百分比計包含： 季銨鹽化合物，介於30 wt.%至60 wt.%間，其中，該季銨鹽化合物係選自氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨(ETMAH)、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化膽鹼、氫氧化氟化四甲基銨(TMAF)、氟化四乙基銨、氟化四丁基銨(TBAF)、氟化四丙基銨、氟化三甲基乙基銨、氟化(2-羥乙基)三甲基銨、氟化(2-羥乙基)三乙基銨、氟化(2-羥乙基)三丙基銨、氟化(1-羥丙基)三甲基銨、氟化乙基三甲基銨、氟化二乙基二甲基銨及氟化苯甲基三甲基銨所組成群組之至少一者或其組合； 胺類化合物，介於10 wt.%至30 wt.%間；及 水性介質，介於30 wt.%至40 wt.%間。
2. 依據申請專利範圍第1項所述矽蝕刻組成物，其中，該胺類化合物為碳數 C₄ ~C₁₂ 之烷基、烯基、烷氧基及芳基中之任一者或其組合。
3. 依據申請專利範圍第1項所述之矽蝕刻組成物，其中，該水性介質為去離子水(DIW)。
4. 依據申請專利範圍第1項所述之矽蝕刻組成物，更包含醇類化合物，其重量百分比介於5 wt.%至10wt.%間。
5. 依據申請專利範圍第1項所述之矽蝕刻組成物，更包含氫氧化物，其重量百分比介於0.1 wt.%至5 wt.%間。
6. 一種以申請專利範圍第1至第5項之任一項所述之矽蝕刻組成物作用於矽基材的蝕刻方法，包含下列步驟： 一製備步驟，備製一如請求項第1至第5項任一項所述之矽蝕刻組成物，及該矽基材； 一施加步驟，對該矽基材施予該矽蝕刻組成物； 一蝕刻步驟，該矽蝕刻組成物對該矽基材自接觸面開始向其中心產生溶解；及 一靜置步驟，等待蝕刻完畢，完成該矽基材之蝕刻。
7. 依據申請專利範圍第6項所述矽基材的蝕刻方法，其中，該矽基材的材質為非晶矽(amorphous silicon)、單晶矽(a-Silicon)或多晶矽(poly silicon)。
8. 依據申請專利範圍第6項所述矽基材的蝕刻方法，其中，該蝕刻步驟係於50℃至100℃之溫度條件下進行。
9. 依據申請專利範圍第6項所述矽基材的蝕刻方法，其中，該施加步驟是以浸泡方式為之。
10. 依據申請專利範圍第6項所述矽基材的蝕刻方法，其中，該施加步驟是以噴灑方式為之。

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