TW202109212A - 預測用於評估照明設定的至少一照明參數的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種預測用於評估一照明設定來照明一投影曝光裝置中一物場的至少一照明參數之方法，照明參數以n次校正設定(jKal )來測量，從該等測量值決定該等照明參數(p)的預測值之修正條件(fi )，然後預測至少一照明設定(j* )的至少一照明參數(p* )，其中該照明設定並不包含在一組n個校正設定(jKal )的集合內。

Description

預測用於評估照明設定的至少一照明參數的方法
[相關申請案交互參照]
本申請案主張德國專利申請案DE 10 2014 223 326.7之優先權，其整體內容在此併入當成參考。
本發明係關於預測用於評估照明一投影曝光裝置中一物場的照明設定之至少一照明參數之方法。本發明更進一步關於最佳化用於照明一投影曝光裝置中一物場的照明設定之方法。
從例如DE 10 2012 220 596 A1已知使用多個不同照明設定來啟用物場照明的一投影曝光裝置。
本發明的一個目的為改善預測用於評估一物場的至少一照明參數之方法。
由申請專利範圍第1項之方法可達成此目的，
本發明的本質利用提供及/或決定修正條件，根據可由照明系統產生的該照明設定，由校正用於預測複數個照明參數的一模型所構成，其中該等修正條件的一個子集大體上為時間恆等，並且從此偏離的修正條件子集反映出動態變化，並且在根據至少一個校正設定為基礎的測量之幫助下來決定。
根據本發明可發現，需要校正用於預測該等照明參數的該模型。根據本發明可更進一步發現，修正條件為恆等或至少大體上恆等，至少用於最多幾天的特定時間週期、特別是幾週、特別是幾個月、特別是直到照明系統的一或多個組件更換為止。在此特別具有修正條件，用於修正該照明光學單元的幾何偏差。特別是，該等對應修正條件只需要決定一次，特別是將該照明光學單元投入運轉時。根據本發明的一個態樣，該等對應修正條件建立在該照明光學單元的系統資料基礎上。
根據本發明可更進一步發現，具有其他修正條件需要定期重新決定，特別是在幾小時的時間刻度上，特別是在幾天內。特別是，具有用於修正動態變化的修正條件，例如該輻射源內的變化。在此態樣中，經證實足以測量用來決定這些校正條件的校正設定數量n，該數量特別小於該照明光學單元可產生的照明設定總數。特別是，可足以測量最多50、最多10、特別是最多5、特別是最多3、特別是最多2、特別是最多1個校正設定。該等對應修正條件可針對該等剩餘設定來調整。根據本發明的一個態樣，該等對應修正條件建立在測量的基礎上。特別是，建立在至少一個照明光瞳測量的基礎上。特別是，發自這些測量的亮度變化。
因此，根據本發明的方法可顯著縮短校正該模型所需的該測量時間。如此整體來說，可提高該投影曝光裝置的產出。
根據本發明的一個態樣，可由該模型預測的該照明參數包含一照明設定中每一光瞳光點的亮度中心及/或整合亮度。該等亮度中心的偏差主要來自於該照明光學單元的該等元件與一理想狀態之幾何偏差，這些偏差大體上不隨時間改變。
該等整合亮度的偏差可回溯至例如該輻射源的動態變化，特別是該輻射所發出的該照明輻射、特別是鑑於其亮度及/或相同的幾何變化，特別是輻射方向及/或光束發散。根據本發明已證實，主因在於該輻射源的亮度偏差對於不同照明設定大體上相同。因此，足以根據一些照明設定，特別是根據單一照明設定，來測量該等對應修正條件，不過也可指派給其他照明設定。
特別是，該模型可預測的該等照明參數可用根據照明通道，特別是根據光瞳光點，來解析的方式來預測。光瞳光點以及照明通道都彼此直接相關。從該中間焦點通過一場琢面通過一光瞳琢面至該光罩的該光學路徑稱之為照明通道。該光瞳光點代表該光瞳內來自於當一特定照明通道用於一設定時該照明通道之照明。特別是，可根據場點來預測解決。
根據本發明的進一步態樣，已經執行m次校正測量來提供該等校正條件，用於照明參數的第一子集。特別是，當該照明光學單元投入運作時會執行這些校正測量一次。在此已經決定，特別是該照明光瞳的該亮度中心之修正條件，特別是所有個別照明通道。該等對應修正條件可儲存在該照明光學單元的記憶體內。特別是，當將該照明光學單元投入運作及/或當維修該單元並且接著在該投影曝光裝置操作期間恢復時，可決定該等條件。
特別是，當決定這些修正條件時，應將所有照明通道都列入考慮；特別是已測量涵蓋所有照明通道的該等相關照明設定。
根據本發明進一步的態樣，用於該等照明參數第一子集的預測值之校正條件集合包含用於預測照明設定亮度中央之修正條件。特別是，只包含這種修正條件。特別是，並不包含用於預測亮度的任何修正條件。
根據本發明的進一步態樣，用於該等照明參數第二子集的預測值之校正條件集合包含用於預測亮度之修正條件。特別是，只包含這種修正條件。特別是，並不包含用於預測亮度中心的任何修正條件。
特別是，不同照明參數子集的預測值之修正條件集合可不具有交叉點，即不相交。
根據本發明的進一步態樣，用於決定該等照明參數第二子集中該等預測值的該等修正條件之校正設定次數n最多等於校正測量次數m，執行該次數來提供該等照明參數第一子集中該等預測值的該等修正條件。特別是，適用下列：n ≤ m，特別是n/m ≤ 0.7，特別是n/m ≤ 0.5。
根據本發明的進一步態樣，需要時可重新決定該等修正條件，特別是用於該等照明參數第一子集的預測值之校正條件及/或用於該等照明參數第二子集的預測值之校正條件。如此可儲存該等重新決定修正條件，即是該等已更新的修正條件，特別是在用於照明參數第一子集的修正條件案例。特別是，可使用該等修正條件更新該記憶體。如此在預定時間上或當發生預定更新條件時，可更新該記憶體。
根據本發明的一個態樣，該等照明參數第二子集中該等預測值的該等修正條件之更新頻率超出該等照明參數第一子集中該等預測值的該等修正條件。
本發明的進一步目的為改善用於最佳化一照明設定之方法。
利用提供其中一模型用於根據一照明設定來預測照明參數之方法並依照上述來校正，然後用於預測包含在一合適評估函數內來評估一照明設定之照明參數，可達成此目的。根據本發明，提供用於改變所評估的照明設定，反覆直到達成一預定終止準則。
因為可使用根據本發明校正的該模型，以大體上較佳及/或更可靠的方式來預測該等照明參數，所以這也適用於該評估函數之值。因此，根據本發明的方法可有更可靠的照明設定最佳化。
底下首先以示範方法，說明微影投影曝光裝置1的基本設計。本發明並不受限於此具體實施例的特定細節。特別是，也可適用於特定照明光學單元內，投影曝光裝置1的替代具體實施例之案例。投影曝光裝置1大體上對應至已知專利DE 10 2012 220 596 A1中的一者，其在此併入本說明書中當成參考。特別是，DE 10 2012 220 596 A1在此完整併入本申請案當成一部分。
微影投影曝光裝置1用來產生微結構或奈米結構電子半導體組件。輻射源2發出波長範圍例如5 nm與30 nm之間，用於照明的EUV輻射。輻射源2可為一氣體放電產生電漿(GDPP)源或一雷射產生電漿(LPP)源。同步輻射源也可用於輻射源2。精通技術人士可在例如US 6 859 515 B2內找到有關這種輻射源的資訊。EUV照明光或照明輻射3在投影曝光裝置1之內用於照明與成像。在輻射源2之後，EUV輻射光3一開始通過一集光器4，其可為例如具有從先前技術已知的多殼設計之巢狀集光器，或另外為一橢圓形集光器。對應的集光器已知來自於EP 1 225 481 A2在集光器4之後，EUV照明光3一開始通過一中間焦點平面5，其可用來從EUV照明光3分離不要的輻射或粒子成份。在通過中間焦點平面5之後，EUV照明光3初次撞擊具有多個場琢面7的場分面鏡6。
為了簡化定位關係的描述，在圖式內分別繪製全域笛卡爾xyz座標系統。在圖1內，該x軸垂直延伸出該圖式平面。在圖1內，該y軸向右延伸。在圖1內，該z軸向上延伸。
在該物體平面與該成像平面的區域內，該y方向對應至該光罩與該晶圓的掃描方向。
在EUV照明光3從場分面鏡6上反射之後，分成射線束或部分光束，指派至個別場琢面7撞擊具有多個光瞳琢面11的一光瞳分面鏡10。
場分面鏡6的場琢面7可在複數個照明傾斜位置之間傾斜，如此個別場琢面7所反射的照明光3之光束路徑可藉此改變其方向，如此可改變光瞳分面鏡10上已反射的照明光3之撞擊點。從美國專利US 6,658,084 B2和US 7,196,841 B2當中了解可放置在不同照明傾斜位置之間的對應場琢面。
由場琢面7之一者所反射的EUV照明光3之每一部分光束都指派給至少一個光瞳琢面11，如此包含場琢面7之一者以及光瞳琢面11之一者的一個別撞擊琢面對預定義一物場照明通道，用於EUV照明光3的該相關聯部分光束。底下也將該物場照明通道標示為照明通道。以根據要利用投影曝光裝置1照明的方式，讓光瞳琢面11至場琢面7的通道指派生效。相應選擇的照明通道總和也稱為照明設定。
藉由個別場琢面7的該等個別照明傾斜位置，則將光瞳分面鏡10的光瞳琢面11之不連接設定指派至此場琢面7。照明光3藉由相關聯場琢面7的該等許多傾斜位置之一者，撞擊來自這些集合之一者的每一光瞳琢面11，如此根據場琢面7的該傾斜位置，在該場琢面7與該光瞳琢面集合的光瞳琢面11之一者之間形成一特定照明通道。可根據確切一個場琢面7的該傾斜位置所使用之該等照明通道，也就是說藉由光瞳琢面11的該不連接集合中哪個光瞳琢面11指派至此場琢面7可由該照明光部分光束所撞擊，形成一照明通道群組。一場琢面7可具有多個傾斜位置，可藉由與之連接的一致動器來設定形成一照明通道的傾斜位置。底下將只有形成一照明通道的一傾斜位置稱為傾斜位置。
場分面鏡6具有數百個場琢面7，例如具有300個場琢面7。光瞳分面鏡10具有一些光瞳琢面11，其至少多如場分面鏡6中所有場琢面7的傾斜位置總和。在此案例中，某些該等光瞳琢面並未用於光瞳琢面至光瞳琢面的具體實施指派。特別是，若場分面鏡6中所有場琢面7的該等傾斜位置總和等於光瞳琢面11數時有其優點。在本文未描述的變化中，光瞳分面鏡10建構成具有多個可傾斜獨立反射鏡的MEMS反射鏡陣列，其中每一光瞳琢面11都由複數個這種獨立反射鏡所形成。這種光瞳分面鏡10的設計來自於US 2011/0001947 A1。
場琢面7藉由光瞳分面鏡10 (參閱圖1)成像於投影曝光裝置1的物體平面16內，並且由三個EUV反射鏡12、13、14構成一後續透射光學單元15。EUV反射鏡14設置為用於切線入射的反射鏡(切線入射反射鏡)。物體平面16內配置一個光罩17形式的物體，其中使用EUV照明光3照明一照明場形式之照明區域，該照明區域與位於下游的投影曝光裝置1中一投影光學單元19之物場18重疊。該等物場照明通道重疊於物場18內。光罩17會反射EUV照明光3。
投影光學單元19將物體平面16內的物場18成像至成像平面21內的像場22內。此成像平面21內配置一晶圓22，其上塗抹感光層，其會在使用投影曝光裝置1的該投影曝光期間曝光。在該投影曝光期間，光罩17和晶圓22都會同步在該y方向內掃描。投影曝光裝置1設置為一掃瞄器。該掃描方向y底下也稱為一物體置換方向。
場分面鏡6、光瞳分面鏡10以及透射光學單元15的反射鏡12至14都是投影曝光裝置1中照明光學單元23之組件。在照明光學單元23的一個變化中，圖1內並未描述，透射光學單元15也可部分或完全去除，如此無進階EUV反射鏡，確切地說，無一個進階EUV反射鏡，或者更確切地說，無兩個進階EUV反射鏡可配置在光瞳分面鏡10與物場18之間。光瞳分面鏡10可配置在投影光學單元19的一入射光瞳平面內。
照明光學單元23與投影光學單元19一起形成投影曝光裝置1的光學系統。
照明光學單元23為一照明系統24的組件，該系統另外包含輻射源2。
場分面鏡6構成照明光學單元23的一第一分面鏡。場琢面7構成照明光學單元23的一第一琢面。
光瞳分面鏡10構成照明光學單元23的一第二分面鏡。光瞳琢面11構成照明光學單元23的第二琢面。
底下說明在投影曝光裝置1操作期間，預測用於評估一照明設定來照明物場18，特別是配置在物場18內光罩17的至少一照明參數。一模型，特別是一模擬模型，用來預測該等照明參數。該模型包含投影曝光裝置1的設計資料，特別照明光學單元23。該模型也可包含進一步設計資料，特別是輻射源2及/或集光器4的設計資料。一對應模型已知例如來自DE102012220596A1，在此併入當成參考。
特別是，該模型可預測一照明光瞳內該等照明光點的亮度中心rhxPP 、rhyPP 以及內部亮度IPP 。吾人應該了解，特別是表示該光罩上該照明輻射的該場點解決角度分佈。
經過證實，由於該實際系統與該設計之偏差，即是與該設定點狀態之偏差，不同照明設定的照明品質(成像表現)之預測會有誤差。特別是，該照明品質可利用參數特徵化，例如該照明的一致性、偏心度或橢圓度。另外，當將照明的物場18成像至像場20內時，可使用該照明可達成的一結構解析度當成照明參數。其也可使用像場20之上一已成像結構的線寬變化，當成評估一照明設定的參數。有關進一步細節，請參閱DE 10 2012 220 596 A1以及本文提及的先前技術。
根據本發明，測量一真實照明光瞳，其切成單獨照明光點。針對每一光點，決定質心rhxMess 、rhyMess 以及總亮度IMes 。從這些測量資料可決定反映該成像表現的該等照明參數，例如一致性、偏心度或橢圓度。因此，該模型用來預測該等照明參數，特別是預測該等光瞳光點的該等照明中心及其亮度，即是該照明光瞳預測。此資訊當成其他模型的輸入，如此可決定及/或預測該成像表現。
根據本發明了解，該等測量的照明光瞳可用來改善其他照明設定的預測。特別是，可測量相對少量的照明設定，例如最多10個、特別是最多5個、特別是最多3個、特別是最多2個、特別是最多1個照明設定，以便藉此改善該模型針對多個其他照明設定的該預測精準度，特別是針對該照明光學單元所產生的所有照明設定。
用於預測該等照明參數的該模型特別用來預測該等亮度中心rhxPP ijk 、rhyPP ijk 以及該等亮度IPP ijk ，其中i代表該光瞳內該照明光點的索引，特別是一特定照明設定內的該照明光點，j為該照明設定的索引並且k將該場點特徵化。特別是，該照明通道的該索引i從1到一光瞳內光點的數量，即是最多100，特別是最多300、最多500、最多1000或更多；該場點的該索引k從例如1至場點的測量次數，即是最多3，特別是5、特別是最多10、最多20或更多。而其他值也可使用。
這些參數從測量當中取得的實際值表示為rhxmess ijk 、rhymess ijk 和IMess ijk 。
針對不同場點與照明設定的比較性之目的，一光瞳的總亮度，即是一照明設定的總亮度，可正規化為1：
Figure 02_image001
Figure 02_image003
運用此正規化，來自於亮度Iijk 和中心rhxijk 、rhyijk 的以下修正條件將總亮度Itot 列入考量：
Figure 02_image005
Figure 02_image007
Figure 02_image009
在此Imess tot,jk 和IPP tot,jk 代表在假設該輻射源於測量期間維持其發射特性並且每一測量的該測量時間恆等之下，在該正規化之前 該等個別光瞳之總亮度。在此方式中，具有不同設定與場點的兩光瞳變成彼此比較。若並非如此，並不清楚在兩光點之間亮度差異是否確實是該發光器屬性的案例中一具體因素，或該測量曝光時間是否與此因素不同。
根據本發明了解，建立每一照明通道的修正條件所需之照明設定數量通常少於所有可能照明設定之總數。圖3A至圖3G以示範方式描述在單獨照明通道亮度預測上考慮上述修正條件之效果。在每一案例中，該預測值(y軸)依據該實際測量值(x軸)來繪製。未考慮該等修正條件的該等預測值用圓形符號表示，考慮上述修正條件的該等預測值會加上+符號。
以示範方式說明七個不同的照明設定，其中圖3A和圖3B內描述的該等照明設定用於建立該等修正條件。執行圖3C至圖3G內所描述的該等照明設定之亮度預測時，將根據圖3A和圖3B的該等照明設定所建立之該等修正值列入考慮。可清楚鑒別，只有考慮到該等修正條件才能釐清該等預測值與該等測量值間之關聯性。
更進一步，將該等修正條件列入考慮對於預測傳統光瞳參數，例如偏心度和橢圓度，也有顯著影響。
藉由範例，對於該偏心度的該預測誤差可改善幅度超過2倍。在某些照明設定中，偏心度的該預測誤差也可改善超過3倍，特別是超過5倍、特別是最高10倍。
根據本發明可了解，當決定該等修正條件時可節省可觀的測量時間。特別是，這可追溯至該等修正條件的子集，底下用si 表示，在時間方面大體上恆等的事實。藉由範例，包含該等修正條件Δrhxijk 和Δrhyijk 。此結果主要來自該照明光學單元的幾何偏差。這樣只足夠決定這些修正條件一次，特別是當照明光學單元23投入運作時。然後，可儲存在該照明系統的記憶體內。必要時可更新。
特別是，該等修正條件si 可根據照明光學單元23的系統資料來建立。特別是，可建立在DE 10 2012 220 596 A1內所描述該單獨零件接受資料、整體系統接受資料以及校正資料的選擇基礎上。
該等修正條件的另一個子集，以下用fi 表示，會追溯至動態變化。藉由範例，這些包含該等修正vijk 。
該亮度偏差vijk 主因在於該輻射源內的變化。吾人了解，因此足以針對少量照明設定建立該等對應修正條件，特別是最多10個、特別是最多5個、特別是最多3個、特別是最多2個、特別是只有1個照明設定。如此可針對該等剩餘照明設定來採用該等對應修正條件vijk ，因此可顯著減少測量次數。
特別是，可根據DE 10 2012 220 596 A1內描述的線上測量資料選擇，建立該等修正條件fi 。
特別是對於具有大量不同切換位置的照明光學單元23，根據本發明的概念有其優點。
底下參閱圖2，再次說明預測用於評估一照明設定的至少一個照明參數p*之方法。
一開始，在第一測量步驟31內測量由照明系統24所產生的m個校正設定jKal 。
在第一決定步驟32內，決定該等照明參數p中該第一子集p1 的該等預測值之該等修正條件si 。特別是，根據來自第一測量步驟31的該等測量值，決定該等修正條件si 。
然後，針對是否已經決定該等修正條件fi ，在第一查詢33內執行檢查。
若非如此，則在第二測量步驟34內測量由該照明系統所產生的n ≤ m個校正設定jKal 。
根據來自第二測量步驟34的該等測量值，在第二決定步驟35內決定該等修正條件fi 。
一旦已經決定該等修正條件si 以及該等修正條件fi ，則可等待直到一照明參數預測變成必要。這描述於圖2內校正基本狀態36。在一定程度上第一查詢33內已經決定該等修正條件fi ，則可立即轉換至基本狀態36。一開始，並不需要再一次執行第二測量步驟34以及第二決定步驟35。
步驟31至35一起形成一校正部分37，用於校正預測該等照明參數的該模型。有利的是，在校正部分37內盡可能測量少的校正設定jKal 。該等校正設定次數少於50次，特別是少於10次、特別是少於5次、特別是少於3次、特別是少於2次，特別是僅僅1次。
在校正該校正部分37內的該模型之後，在一預測部分38內可預測一照明設定j*的一照明參數。為此，一開始在第二查詢39內執行檢查，不管該等修正條件si 是否正在進行。對於並非如此的情況，則回到第一測量步驟31。對於仍舊進行的該等修正條件si ，在第三查詢40內執行檢查，不管該等修正條件fi 是否正在進行。對於並非如此的情況，則回到第二測量步驟34。
藉由範例，利用測量該輻射源強烈改變至一個程度，觸發更新該等修正條件。更進一步，當該照明系統的組件更換時，就必須執行。特別是，然後需要更新該集合修正條件。
是否執行第二查詢39特別由該系統使用者獨立決定並觸發，特別是準備只由使用者觸發開始第二查詢39。
對於所有修正條件si 和fi 都在進行，則可在一預測步驟41內預測一照明設定j*的一照明參數。在此特別是考慮當前的修正條件si 和fi 。
特別是，該照明設定j*可為一照明設定，其不包含在校正設定jkal 的集合內。
使用圖2內的該方法，原則上可評估可由照明系統24產生的所有照明設定j。在另一方面，校正該校正部分37內的該模型只需要測量相對少量的校正設定jKal ，這樣節省大量時間。特別是，根據本發明的該方法可使用照明設定較少的測量，以便藉此改善用於所有照明設定的預測精準度。
底下參考圖4，以備註形式說明用於最佳化一照明設定的方法。一開始，執行預測用於評估該等照明設定的該等參數之模型校正。為此，根據校正部分37準備一方法，其說明在此當成參考。
於是在第一定義41內，定義一評估函數用於評估一照明設定。特別是，該評估函數為預定的照明參數之函數，特別是借助於上述方法可預測的照明參數。
再者，在第二定義42內定義一終止標準。
更進一步，在第三定義43內將一照明設定jstart 定義為開始照明設定。該開始照明設定當成該照明設定反覆最佳化的起點，
然後在預測部分38內根據上面的說明，在此併入當成參考，預測形成該評估函數列舉的該等預定照明參數。
在一評估步驟44上根據該預測的照明參數m在第一定義41內定義的該評估函數之幫助下，評估該照明設定。
在一後續查詢45內執行檢查，看是否達到第二定義42內定義的該終止標準。對於此案例，發現一可接受的照明設定，其可特別用於照明排列在物場18內的一光罩17，特別是將光罩17成像在排列於像場20內的晶圓22上。這在圖4內摘要說明為投影曝光46。
在尚未到達該終止標準時，在一變化步驟47內改變至少場琢面7之一者的切換位置。其也可改變複數個場琢面7的切換位置，特別是至少兩個、特別是至少三個、特別是至少四個、五個、六個、八個或十個場琢面。原則上，甚至可改變所有場琢面7的切換位置。
從改變至少場琢面7中該等切換位置之一者產生一新照明設定，接著在預測部分38內分析該新照明設定，並且在評估步驟44內評估。重複直到已經達到該預定的終止標準。
1:投影曝光裝置 2:輻射源 3:EUV照明光 4:集光器 5:中間焦點平面 6:場分面鏡 7:場琢面 10:光瞳分面鏡 11:光瞳琢面 16:物體平面 12:EUV反射鏡 13:EUV反射鏡 14:EUV反射鏡 15:透射光學單元 17:光罩 18:物場 19:投影光學單元 20:像場 21:成像平面 22:晶圓 23:照明光學單元 24:照明系統 31:第一測量步驟 32:第一決定步驟 33:第一查詢 34:第二測量步驟 35:第二決定步驟 36:基本狀態 37:校正部分 38:預測部分 39:第二查詢 40:第三查詢 41:預測步驟 41:第一定義 42:第二定義 43:第三定義 44:評估步驟 45:後續查詢 46:投影曝光 47:變化步驟
本發明的進一步細節與特點來自於根據該等圖式的示範具體實施例之說明。圖式詳述：
圖1顯示一微影投影曝光裝置的該等組件之圖解圖；
圖2圖解顯示用於預測評估一照明設定的一照明參數之方法流程圖；
圖3A至圖3G顯示用於藉由該模型預測不同照明設定中個別照明通道的測量與輻射亮度之間關連性之示範圖，其中為了說明，會在每一案例中描述未校正模型的關聯性(開放圓符號)以及根據本發明已校正的模型之關聯性(十字符號)；以及
圖4圖解顯示用於一照明設定最佳化的方法之流程圖。
31:第一測量步驟
32:第一決定步驟
33:第一查詢
34:第二測量步驟
35:第二決定步驟
36:基本狀態
37:校正部分
38:預測部分
39:第二查詢
40:第三查詢
41:預測步驟

Claims (20)

  1. 一種用於預測一照明參數的方法，該照明參數用於評估一照明設定，以對一投影曝光裝置的一物場進行照明，該投影曝光裝置包括一照明光學單元，該照明光學單元包括一琢面元件，該琢面元件用於生成具有多個照明通道的多個照明設定，該方法包括： 通過以下步驟來校準用於根據該等照明設定來預測多個照明參數的模型： 基於該照明光學單元的系統資料確定一第一組校正項； 將該第一組校正項用於該照明參數的一第一子集的預測值； 在多個校準設定下測量該照明參數的實際值； 根據測得的該等實際值確定一第二組校正項； 使用該第二組校正項作為照明參數的該第二子集的預測值； 考慮到該第一和該第二組校正項來更新模型；以及 並使用該模型預測不包含在該校準設定集合中的一照明設定的一照明參數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該模型可預測的該照明參數包括選自一照明設定的強度質心和一照明設定的積分強度的參數。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一組校正項包括用於預測照明設定的強度質心的校正項。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二組校正項包括用於預測強度的校正項。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中用於確定該等校正項的校準設定的數量至多為50。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括在至少幾個小時的時間尺度上規則地重新確定該第二組校正項。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括將該第一組校正項存儲在該照明光學單元的記憶體中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該第一組校正項包括用於校正該照明光學單元的幾何偏差的校正項。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一組校正項與該第二組校正項不相交。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一組校正項包括用於校正該照明光學單元的幾何偏差的校正項。
  11. 一種使用一照明光學單元以一照明設定照明一場的方法，該照明光學單元包括一琢面元件，用於生成具有多個照明通道的多個照明設定，該方法包括： 根據該照明設定，通過以下方式，校準用於預測多個照明參數的一模型： 為該等照明參數的一第一子集的預測值提供一第一組校正項； 在多個校準設定下測量該等照明參數的實際值； 考慮到該等測量的實際值，為該等照明參數的一第二子集的預測值確定一第二組校正項；以及 在考慮該等照明參數的該第二子集的預測值的校正項的情況下更新該模型。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括使用該模型來預測不包含在該組校準設定中的一照明設定的一照明參數。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該照明光學單元是一投影曝光裝置的一單元，並且該場是該投影曝光裝置的一物場。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該模型可預測的該等照明參數包括選自一組由一照明設定的強度質心和一照明設定的積分強度所組成的參數
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一組校正項包括用於預測照明設定的強度質心的一組校正項，並且該組校正項包括用於預測強度的校正項。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中用於確定該等校正項的校準設定的數量最多等於被執行以提供該等校正項的校準設定的數量。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括在至少幾個小時的時間尺度上規則地重新確定該第二組校正項。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括將該第一組校正項存儲在該照明光學單元的一記憶體中。
  19. 一種用於評估用於照明一投影曝光裝置的一物場的一照明設定的方法，該投影曝光裝置包括一照明系統，該照明系統用於利用多個照明通道生成多個照明設定，該方法包括： 提供用於該等照明參數的一子集的預測值的校正項； 在多個校準設定下測量該等照明參數的實際值； 考慮到該等測量值，確定該等照明參數的一子集的預測值的校正項； 考慮到該等校正項，更新該模型； 預測該等照明參數，以根據一照明設定建立該照明設定的一評估函數的函數值，該評估函數是預定該等照明參數的函數； 根據所預測的照明參數，通過該評估函數評估該等照明設定；以及 反覆運算地改變該等照明設定，直到達到預定的終止條件為止， 其中該方法還包括以下至少一項： 基於該照明光學單元的系統資料建立該等校正項；以及 基於該測量結果建立該等校正項。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，更包括： 基於該照明光學單元的系統資料來建立該等校正項；以及 基於該測量結果確定校正項。
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