TW202107199A - 用於極紫外光(euv)微影之護膜 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於EUV微影之護膜，其包含：一框架；及一隔膜，其由該框架支撐，其中該隔膜包含：一金屬或半金屬層，其中該隔膜包含一密度為至少5個/µm2
之孔隙。該隔膜可具有用於支撐該金屬或半金屬層之一基板層，該基板層包含例如自絕緣體上矽或多晶矽獲得之矽。
Description
本發明係關於一種用於極紫外光(extreme ultraviolet；EUV)微影之護膜、隔膜、圖案化裝置總成及動態氣鎖總成。
微影設備為將所要之圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於例如積體電路(integrated circuit；IC)製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱為光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為係在IC以及其他裝置及/或結構之製造中的關鍵步驟中之一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使得能夠製造小型IC或其他裝置及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(其亦稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外光(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在10至20 nm之範圍內(例如，在13至14 nm之範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10 nm (例如，在5至10 nm之範圍內，諸如6.7 nm或6.8 nm)之波長之EUV輻射。此輻射稱為極紫外光輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
微影設備包括圖案化裝置(例如，光罩或倍縮光罩)。輻射經提供通過圖案化裝置或自圖案化裝置反射以在基板上形成影像。可提供隔膜總成以保護圖案化裝置免受空浮粒子及其他形式之污染影響。用於保護圖案化裝置之隔膜總成可稱為護膜。圖案化裝置之表面上之污染可造成基板上之製造缺陷。隔膜總成可包含框架及橫越該框架拉伸之隔膜。
在使用中，隔膜之效能可尤其在較高溫度下隨時間推移而劣化。在較高溫度下，隔膜可釋放出一種氣體。期望將護膜之溫度保持相對較低。亦期望護膜透射高比例之EUV輻射且對基板之光斑低。
根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之一護膜，其包含：一框架；及一隔膜，其由該框架支撐，其中該隔膜包含：一金屬或半金屬層，其中該隔膜包含一密度為至少5個/µm2
之孔隙。
根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之一護膜之一隔膜，其包含：一非金金屬或半金屬層，其中該隔膜包含一密度為至少5個/µm2
之孔隙。
根據本發明之一態樣，提供一種製造用於EUV微影之一護膜之方法，其包含：將一第一材料塗覆於一第二材料上以供形成該護膜之一框架；塗覆一第三材料以供在該隔膜之一基板層上形成該護膜之一隔膜之一金屬或半金屬層；以及以至少5個/µm2
之一密度在該基板層中形成孔隙。
根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之一護膜之一隔膜，其包含一光柵，該光柵包含複數個孔、孔隙或突起。該複數個孔可例如包含圓形、正方形、圓形方塊或任意形狀之孔。該隔膜可例如包含一主膜或主層。該光柵中之主膜或層厚度可例如在20 nm至100 nm範圍內。在一實施例中，該主膜或主層亦可稱為芯或隔膜芯。較佳地，光柵間距小於200 nm以確保良好熱發射率。該光柵間距可定義為該光柵之鄰近孔之中心之間的距離。在一實施例中，主要光柵間距較佳地小於100 nm以確保晶圓級之一低光斑。諸如30 nm或更小之一較小光柵間距可阻止碎片粒子落於倍縮光罩上。根據任何實施例之用於EUV微影之一護膜之該隔膜可包含具有介於4與15 nm之間的一厚度的一金屬層，或一厚度在20至80 nm範圍內之一半金屬。若該隔膜更開放，則該金屬層較佳地更厚。在一實施例中，該隔膜光柵具有基本上正方形的開口(亦即，孔)，間距為30至200 nm，諸如100 nm，且開口面積之一百分比或由該光柵開口限定之一開口度為50%至90%，諸如75%的開口度或開口面積。厚度約為8 nm之輻射Ru層具有＞0.35之熱發射率。該護膜隔膜之材料可包含例如與金屬層結合之SOI Si隔膜芯。在另一實施例中，包含SOI Si之該隔膜光柵具有覆蓋隔膜面積之50%至90%的基本圓形或正方形開口、小於100 nm之光柵間距及具有在5至15 nm範圍內的厚度的金屬層，該金屬層在晶圓級提供低光斑及＞ 0.2之熱發射率。
圖1示意性地描繪根據本發明之一個實施例的包括源收集器模組SO之微影設備100。設備100包含：
- 照明系統(或照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)。
- 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM；
- 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及
- 投影系統(例如，反射性投影系統) PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予給輻射光束B之圖案投影於基板W的目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如該圖案化裝置是否經固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化裝置。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化裝置」應廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。經賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化裝置MA可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化液晶顯示器(liquid-crystal display；LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，微影設備100屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影設備100可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個支撐結構MT)之類型。在此「多載物台」微影設備中，可並行地使用額外基板台WT (及/或額外支撐結構MT)，或可在一或多個基板台WT (及/或一或多個支撐結構MT)上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT (及/或一或多個其他支撐結構MT)用於曝光。
參看圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外光輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但不一定限於運用EUV範圍內之一或多個發射譜線將材料轉換成具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之電漿狀態。在一種此類方法(常常稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻射燃料(諸如具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如EUV輻射)，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2
雷射來提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影設備100之部分，且輻射光束B係憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組SO。在其他狀況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組SO之整體部分。
照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。一般而言，可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱為σ外部及σ內部)。此外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明系統IL可用於調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於經固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且由該圖案化裝置MA圖案化。在自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動，例如以使在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩) MA及基板W。
控制器500控制微影設備100之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可體現為經適當地程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出裝置(諸如，鍵盤及螢幕)、至微影設備100之各個部分之一或多個網路連接及一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影設備100之間的一對一關係並不必要。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影設備100。在本發明之一實施例中，多個網路化電腦可用於控制一個微影設備100。控制器500亦可經組態以控制微影單元或叢集中之一或多個關聯製程裝置及基板處置裝置，微影設備100形成微影單元或叢集之一部分。控制器500亦可經組態以從屬於微影單元或叢集之監督控制系統及/或廠房(fab)之總控制系統。
圖2更詳細地展示微影設備100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。EUV輻射發射電漿210可由電漿源形成。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由輻射發射電漿210發射之輻射自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。
收集器腔室212可包括輻射收集器CO。橫穿輻射收集器CO之輻射可聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱為中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，該琢面化場鏡面裝置22及該琢面化光瞳鏡面裝置24經配置以提供在圖案化裝置MA處未經圖案化光束21之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處的未經圖案化光束21之反射後，形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
替代地，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。
如圖1中所描繪，在一實施例中，微影裝置100包含照明系統IL及投影系統PS。照明系統IL經組態以發射輻射光束B。投影系統PS係由介入空間而與基板台WT分離。投影系統PS經組態以將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W上。圖案係用於輻射光束B之EUV輻射。
可至少部分地抽空介入於投影系統PS與基板台WT之間的空間。可在投影系統PS之部位處由固體表面定界介入空間，所採用輻射係自該固體表面經導向朝向基板台WT。
在一實施例中，微影設備100包含動態氣鎖。動態氣鎖包含隔膜總成80。在一實施例中，動態氣鎖包含由位於介入空間中之隔膜總成80覆蓋之中空部分。中空部分位於輻射之路徑周圍。在一實施例中，微影設備100包含鼓風機，鼓風機經組態以運用氣流沖洗中空部分之內部。輻射行進通過隔膜總成，之後照射於基板W上。
在一實施例中，微影設備100包含隔膜總成80。如上文所解釋，在一實施例中，隔膜總成80係用於動態氣鎖。在此狀況下，隔膜總成80充當用於對DUV輻射進行過濾之濾光器。另外或替代地，在一實施例中，隔膜總成80為用於EUV微影之圖案化裝置MA之護膜。本發明之隔膜總成80可用於動態氣鎖或用於護膜或用於另一目的，諸如光譜純度濾光器(spectral purity filter)。在一實施例中，隔膜總成80包含隔膜40，其亦可稱為隔膜堆疊。在一實施例中，隔膜經組態以透射至少80%的入射EUV輻射。
在一實施例中，隔膜總成80經組態以密封圖案化裝置MA以保護圖案化裝置MA免受空浮粒子及其他形式之污染影響。圖案化裝置MA之表面上之污染可造成基板W上之製造缺陷。舉例而言，在一實施例中，護膜經組態以減小粒子可能遷移至微影設備100中之圖案化裝置MA之步進場中的可能性。
若圖案化裝置MA未受保護，則污染會需要圖案化裝置MA被清潔或被捨棄。清潔圖案化裝置MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化裝置MA成本很高。替換圖案化裝置MA亦會中斷寶貴的製造時間。
圖3以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成80的部分。隔膜總成80係用於EUV微影。隔膜總成80包含隔膜40。隔膜40對於EUV輻射為發射的。當然，隔膜40可不具有對EUV輻射100%的發射率。然而，隔膜可具有例如至少20%的發射率。如圖3中所展示，在一實施例中，隔膜40基本上為平面。在一實施例中，隔膜40之平面基本上平行於圖案化裝置MA之平面。
舉例而言，隔膜總成80具有諸如正方形、圓形或矩形之形狀。隔膜總成80之形狀不受特定限制。隔膜總成80之大小不受特定限制。舉例而言，在一實施例中，隔膜總成80之直徑在約100 mm至約500 mm之範圍內，例如約200 mm。
如圖3中所描繪，在一實施例中，隔膜總成80包含框架81。框架81經組態以固持隔膜40。框架81提供對隔膜40之機械穩定性。框架81經組態以減小隔膜40變形而遠離其平面形狀的可能性。在一實施例中，在隔膜40之製造期間將預張力施加至該隔膜。框架81經組態以維持隔膜40中之張力使得隔膜40在微影設備100之使用期間不具有起伏形狀。在一實施例中，框架81沿隔膜40之周邊延伸。隔膜40之外部周邊定位於框架81之頂部上(根據圖3之視圖)。
如圖3中所描繪，在一實施例中，框架81包含直接連接至隔膜40之邊界部分。框架81之邊界部分由稍後在本發明中描述之第二材料74形成。如圖3中所展示，在一實施例中，框架81進一步包含延伸部分，該延伸部分使得隔膜總成80更容易相對於圖案化裝置MA經固定。框架81之邊界部分及延伸部分可彼此黏著。
如圖3中所描繪，在一實施例中，隔膜總成80包含夾具50。夾具50經配置成以可移除方式耦接至相對於圖案裝置MA固定之螺柱60。總成之額外細節描述於WO 2016079051 A2中，尤其在圖11及圖28至圖31及相關聯之描述中。
隔膜40之效能可隨時間推移而劣化。隔膜40之劣化會導致對護膜之非所要倍縮光罩壓印。當相對較高功率EUV輻射入射於隔膜40時，隔膜40之劣化問題可為更嚴重。在高溫下，隔膜40可不需要地釋放氣體(亦即，除氣)。舉例而言，隔膜40可釋放包含氧化物之氣體。氧化物之除氣可由光誘導蝕刻加速。期望將護膜之溫度保持低，從而減小除氣之可能性。
如上所解釋，在一實施例中，護膜包含框架81及隔膜40。隔膜40由框架81支撐。隔膜40包含金屬或半金屬層72。
圖7展示根據本發明之一實施例之隔膜40之橫截面。如圖7中所展示，在一實施例中，隔膜40包含基板層71。基板層71係用於支撐金屬或半金屬層72。如圖7中所展示，在一實施例中，基板層71比金屬或半金屬層72更厚。基板層71經組態以對隔膜40提供結構穩定性。
在一實施例中，隔膜40包含基板層71與金屬或半金屬層72之間的間層。間層經組態以減小金屬或半金屬層72斷裂之可能性。在較高溫度下，此斷裂之可能性越大。在一實施例中，間層包含Mo。在一實施例中，間層具有在約1 nm至約2 nm範圍內之厚度。在一實施例中，間層由不同於金屬或半金屬層72之材料形成。在一實施例中，間層比金屬或半金屬層72薄。
在一實施例中，基板層71包含由自絕緣體上矽(silicon on insulator；SOI)晶圓釋放獲得之單晶Si。在一替代實施例中，基板層71包含多晶矽(polysilicon/polycrystalline silicon)。
然而，隔膜40不一定包含此基板層71。舉例而言，在一替代實施例中，金屬或半金屬層72提供其自身結構穩定性。舉例而言，在一實施例中，同一金屬層72形成隔膜40之總厚度之至少90%。
圖8展示根據本發明之一實施例之隔膜40之平面視圖。如圖8中所展示，在一實施例中，隔膜40包含孔隙73。孔隙73延伸穿過隔膜40之厚度。隔膜40不為連續的。藉由提供隔膜40包含孔隙73，隔膜40可透射入射於其上之更高比例的EUV輻射。此減少可不需要地加熱隔膜40之EUV輻射量。
儘管圖8展示隔膜40上之孔隙73之規則分佈，但孔隙73之配置不受特別限制。孔隙73可以規則地、半規則地或隨機地分佈於隔膜40上。
需要孔隙73相對緊密地定位在一起。在一實施例中，孔隙之密度為至少5個/µm2
。鄰近孔隙73之中心之間的距離稱為間距p。間距p展示於圖8中。一般而言，孔隙73之較大密度對應於較小間距p。對於不規則分佈之孔隙73，實際上在隔膜40之不同位置可存在不同的間距。然而，主間距可藉由考慮具有至少1 μm2
之大小的隔膜40之面積上之孔隙73之間的平均距離來判定。5個孔隙73/μm2
之密度對應於大致450 nm之間距p。
藉由提供為至少5個/μm2
之孔隙73之密度，孔隙73之主間距p小於1 μm。間距p小於由隔膜40發射之輻射(亦即，紅外輻射)之波長。本發明人已發現此有助於提高隔膜40之發射率E。
藉由提供為至少5個/μm2
之孔隙73之密度，隔膜40之發射率E可保持相對較高。一般而言，孔隙73導致隔膜40之發射率E相對於連續隔膜40(亦即，沒有孔隙之隔膜)降低。孔隙73之較高密度(對應於更小間距p)對於較高發射率E為較佳的。
圖5為展示隔膜40之入射輻射及發射率E之角度θ之間的關係之圖。角度θ為EUV輻射相對於隔膜40之平面法線之角度。線91係用於具有側向間距為200 nm之隔膜40(對應於25個孔隙/μm2
之密度)。線92係用於具有同一特性之隔膜40，除了具有2000 nm之側向間距p (對應於約0.25個孔隙/μm2
之密度)。線93係用於具有類似特性之隔膜40，除了具有20000 nm之側向間距p (對應於約0.0025個孔隙/μm2
之孔隙密度)之外。隔膜40之其他主要特性為其75%之面積由孔隙73形成，且金屬層72由厚度為4 nm之Ru形成。
如圖5中所展示，隔膜40之發射率E增加以供用於減小側向間距p。較高發射率E為所要的，使得隔膜40輻射更多其吸收之能量，從而保持隔膜40之溫度降低。本發明之一實施例預期在使用期間實現隔膜40之降低溫度。
在一實施例中，孔隙73之密度為至少20個/μm2
。此對應於大致220 nm之側向間距。如圖5中所展示，此增加隔膜40之發射率E。此又有助於在使用期間保持隔膜40較冷。
在一實施例中，孔隙之密度為至少100個/μm2
。此對應於約100 nm之側向間距p。藉由提供孔隙之密度為至少100個/μm2
(亦即，至多100 nm之側向間距p)，可減少自隔膜40至基板W之光斑。光斑係關於散射於基板W上之隔膜40之EUV入射之能量之比例。在一實施例中，隔膜40經組態使得對基板W之光斑至多為0.25%。此有助於提供良好質量的成像。若光斑過高，則此可不需要地影響基板W之層級上之成像。
本發明人已發現具有孔隙73之隔膜40充當繞射光柵。當側向間距p為至多150 nm時，正入射照明之光斑基本上為零。本發明人已發現，實務上，在任何照明模式下，約100 nm之較低最大側向間距p對基板W提供基本上為零之光斑。
下表展示具有不同側向間距p及不同金屬及半金屬層72之隔膜40之光斑值之實例。金屬或半金屬層72之材料及厚度展示於該表之每一行之頂部。表中之值為朝向基板W之光斑之百分比。
| 間距/nm | 8nm Ru | 4nm Ru | 4nm Zr | 8nm Zr | 8nm Zr及8nm SiO2 |
| 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 150 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 160 | 00.53 | 0.15 | 0.032 | 0.09 | 0.23 |
| 180 | 1.1 | 0.31 | 0.063 | 0.18 | 0.47 |
| 300 | 0.065 | 0.19 | |||
| 400 | 0.12 | 0.35 | |||
| 600 | 0.16 | 0.46 |
如表中所展示，Ru金屬層之光斑往往會比Zr金屬層高。此係因為Ru在光學上比Zr更強。表中演算所基於之隔膜40之其他特性為：其具有50 nm厚之矽的基板層71及75%之開口面積(亦即，隔膜40之75%的面積由孔隙73形成)。
在一實施例中，金屬層72具有至少4 nm之厚度。此有助於提高隔膜40之發射率E。圖6為展示隔膜40之入射輻射及發射率E之角度θ之間的關係之圖。有三條線對應於不同類型之隔膜40。對於所有隔膜40，孔隙73具有約200 nm之側向間距p。孔隙73形成隔膜40之面積的約75%。線61係用於具有由厚度為8 nm之Ru形成之金屬層72的隔膜40。線62係用於具有由厚度為4 nm之Ru形成之金屬層72的隔膜40。線63係用於具有由厚度為8 nm之Zr形成之金屬層72的隔膜40。
如圖6中所展示，一般而言，較厚的金屬或半金屬層72增加隔膜40之發射率E。藉由提供金屬層72具有至少4 nm之厚度，即使在孔隙73形成隔膜40之總面積之相對較高百分比之情況下，亦可相對較高地保持發射率E。
在一實施例中，金屬層72具有至少8 nm之厚度。如圖6中所展示，此進一步增加隔膜40之發射率E。當然，存在權衡，即愈厚的金屬層72可導致入射輻射之愈大吸收。期望在由隔膜40透射之EUV輻射之比例與隔膜40之發射率之間提供良好平衡。
舉例而言，在一實施例中，護膜滿足
，其中E為用於入射EUV輻射之發射率，且T為透射穿過隔膜40之入射EUV輻射之比例。舉例而言，在一實施例中，發射率E可為約0.2且EUV透射率T可為約95%。此將提供為4之E:(1-T)之比率。在一實施例中，此比率為至少5、至少6、至少7、至少8、至少9或至少10。
如上所述，代替金屬層，可存在半金屬層72。當提供半金屬層而非金屬層時，期望半金屬層72之厚度更大。舉例而言，在一實施例中，半金屬層具有至少10 nm之厚度。
如以上進一步解釋，當提供半金屬層72時，可能不需要提供分離的基板層71。然而，當沒有提供額外基板層71時，期望半金屬層72更厚。舉例而言，在一實施例中，半金屬層72具有至少20 nm之厚度。
在一實施例中，孔隙73形成隔膜40之總面積之至少50%。圖4為展示隔膜40之入射輻射及發射率E之角度θ之間的關係之圖。不同的線41至45用於不同的隔膜40，除了具有不同開放程度之外，該等不同的隔膜40為類似的。線41係用於沒有孔隙之連續隔膜。線42係用於9%開口之多孔隔膜42 (亦即，孔隙73形成隔膜40之總面積之9%)。線43係用於36%開口之隔膜40。線44係用於64%開口之隔膜40。線45係用於81%開口之隔膜40。
如圖4中所展示，增加隔膜40之開放程度會降低發射率E。然而，增加開放程度會增加隔膜40之EUV透射率T。本發明之一實施例預期增加由隔膜40透射之EUV輻射之比例。
在一實施例中，孔隙形成隔膜40之總面積之至少75%。此可將未經隔膜40透射之EUV輻射之比例減少約5倍。因此，儘管發射率E減少了約2倍，仍存在顯著的整體效益。加熱隔膜40之能量之量總體減少。
如圖8中所展示，在一實施例中，孔隙73為圓形。孔隙73之直徑為d。可選擇直徑d，從而提供隔膜40之所要填充因數。
然而，孔隙73不一定為圓形。圖9展示其中孔隙73為正方形之一替代實施例。孔隙73具有尺寸d。可選擇尺寸d，從而為隔膜40提供所要填充因數。
孔隙73之形狀不受特別限制。在一實施例中，孔隙73不具有任何規則形狀。
本發明之一實施例經預期將減少隔膜40中吸收之EUV輻射之量。更大比例之入射EUV輻射由隔膜40透射。然而，並非所有額外透射EUV輻射皆透射至基板W。特定言之，孔隙73繞射輻射，使得透射EUV輻射達至基板W之外部的其他面積。此意謂基板W之層級上之成像可保持高質量。
在一實施例中，隔膜40經組態以具有至少80%之鏡面EUV透射率。在一實施例中，隔膜40經組態以具有至多0.25%之達至基板W之非鏡面EUV透射率(例如，相對於隔膜40之平面之法線具有小於4.7度之角度)。在一實施例中，隔膜40經組態以在隔膜40中具有至多10%之EUV吸收率。在一實施例中，隔膜40經組態以具有至多10%之非鏡面EUV透射率，該透射率不進入投影光學器件或基板W。鏡面EUV透射率、非鏡面EUV透射率及吸收率總計為100%。
金屬層72之金屬不受特別限制。一些金屬可在使用中氧化。在一實施例中，提供氧化保護層。舉例而言，可提供由硼形成之氧化保護層。氧化保護層用於減少金屬層72之氧化。氧化保護層可塗佈於金屬層72上。
在一實施例中，金屬層72之金屬不為金。在一實施例中，金屬為過渡金屬。在一實施例中，金屬為第3族至第10族之過渡金屬。在一實施例中，金屬為第4週期至第5週期之過渡金屬。
在一實施例中，金屬為過渡金屬。特定過渡金屬不受特定限制，但可為例如Zr、Y、Mo、Cr、Hf、Ir、Mn、Nb、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Ta、Ti、V或W。
在一實施例中，將隔膜總成80應用為護膜或應用為動態氣鎖之部分。替代地，隔膜總成80可應用於諸如識別之其他濾光領域中，或應用於光束分光器。在一實施例中，動態氣鎖經組態以阻擋微影設備100內之碎片。在一實施例中，動態氣鎖經定位於投影系統PS與基板W之間。動態氣鎖減小粒子自基板W或自基板W附近達至投影系統PS中或周圍之光學組件的可能性。相似地，動態氣鎖可保護照明系統IL。在一替代實施例中，動態氣鎖經定位於虛擬源點IF處。舉例而言，動態氣鎖可定位於源收集器模組SO與照明系統IL之間。
根據一實施例，提供一種製造用於EUV微影之護膜的方法。圖10至圖13示意性地描繪根據本發明之一實施例之製造護膜之方法之不同階段。
如圖10中所展示，在一實施例中，方法包含將第一材料塗覆於第二材料74上。第二材料74係用於形成隔膜總成80之框架81的一部分。將針對其中第一材料係用於形成基板層71之實施例描述本發明。然而，如隨後將更詳細描述，第一材料可替代地形成犧牲層，基板層71形成於該犧牲層上。
如圖10中所展示，在一實施例中，將形成基板層71之第一材料塗覆至第二材料74之所有側面(橫截面上)。將第一材料沈積於第二材料74上之方法不受特別限制。
如圖11中所展示，在一實施例中，方法包含在第二材料74之背側處圖案化第一材料。背側為與形成隔膜總成80之隔膜40的一側相對的側。第一材料經圖案化從而形成光罩，用於隨後蝕刻第二材料74。
如圖11中所展示，在一實施例中，方法包含塗覆第三材料以在基板層71上形成隔膜40之金屬或半金屬層72。第三材料為例如如上所述之Ru或Zr之金屬或半金屬。將第三材料塗覆於基板層71上之方法不受特別限制。在一實施例中，第三材料經由物理氣相沈積來沈積。
如圖12中所展示，在一實施例中，方法包含在基板層71中形成孔隙73。孔隙73可以至少5個µm2
之密度形成。如圖12中所展示，在一實施例中，孔隙73在金屬或半金屬層72及基板層71之組合堆疊上打開。如圖11至圖12之進程中所展示，在一實施例中，在形成孔隙73之前將第三材料(其形成金屬或半金屬層72)塗覆於基板層71上。此允許在基本上相同製程步驟中，孔隙73形成於金屬或半金屬層72及基板層71兩者中。此有助於在金屬或半金屬層72及基板層71中提供孔隙73之形狀的良好均一性。存在各種方法用於在基板層71中形成孔隙73，如將在下文更詳細地描述。
在一實施例中，方法包含將犧牲層75塗覆於金屬或半金屬層72及基板層71之堆疊上。在一實施例中，方法包含將機械支撐層76塗覆於犧牲層75及隔膜總成80之側面上。在後續步驟中，方法包含蝕刻第二材料74，從而暴露隔膜40之背側(隔膜40由基板層71上之金屬或半金屬層72形成)。
蝕刻第二材料74從而暴露隔膜40之方法不受特別限制。在一實施例中，藉由執行濕式各向異性蝕刻來蝕刻第二材料74。機械支撐層76係用於在蝕刻第二材料74之步驟期間將機械支撐提供至隔膜總成80。此減小隔膜40在蝕刻步驟期間損壞(例如斷裂)之可能性。機械支撐層76經組態以保護堆疊之頂側免受移除第二材料74之蝕刻劑的影響。
在一實施例中，第二材料包含矽。如上所述，在一實施例中，可藉由執行濕式蝕刻來蝕除第二材料。作為替代方案，可使用乾式蝕刻製程蝕除第二材料。
如圖13中所展示，在一實施例中，方法包含移除機械支撐層76。移除機械支撐層76之方法不受特別限制。如圖13中所展示，在一實施例中，方法包含移除犧牲層75。犧牲層75係用於在移除機械支撐層76時保護隔膜40之頂側。舉例而言，犧牲層75可保護隔膜40之頂側免受用於移除機械支撐層76之任何試劑的影響。移除犧牲層75之方法不受特別限制。
犧牲層75充當保護層，以防止基板層71及/或金屬半金屬層72之氧化。可在不損害或氧化基板層71或金屬或半金屬層72之情況下執行移除犧牲層75之製程。
如圖13中所展示，藉由移除機械支撐層76及犧牲層75，在基板層71上形成由金屬或半金屬層72形成之隔膜40。隔膜40延伸穿過由第二材料形成之框架81之邊界部分。
現將描述上文參看圖10至圖13描述之製程之修改。
在一實施例中，形成基板層71之第一材料為諸如氮化聚矽氧之低應力氮化物。低應力氮化物耐濕式蝕刻。此意謂在濕式蝕刻步驟期間(亦即，當蝕除第二材料74之大部分時)，基板層71不需要額外犧牲層來保護它。低應力氮化物亦適合於在總成之背側形成硬蝕刻光罩，如圖11中所展示。
然而，在一實施例中，基板層71包含多晶矽。當基板層71由多晶矽形成時，則第一材料不形成基板層。實情為，當蝕刻第二材料74時，第一材料充當犧牲層以保護多晶矽基板層。因此，方法可包含在蝕刻第二材料74之步驟之前，將多晶矽(或將形成隔膜40之基板層之其他材料)塗覆於第一材料上之步驟。當第一材料用作犧牲層以保護基板層時，第一材料可包含SiO2
。
在上文所描述之製程中，在形成孔隙73之前將第三材料塗覆於基板層71上。然而，未必為此狀況。圖14至圖16展示其中在形成孔隙73之後將第三材料塗覆於基板層71上之替代方法之不同階段。
在此替代實施例中，將第一材料塗覆於第二材料74上，如圖10中所展示。然而，如圖14中所展示，將第一材料之背側圖案化以形成硬式光罩，而未在頂側上沈積金屬或半金屬層72。
如圖15中所展示，孔隙73形成於基板層71中。在提供金屬或半金屬層72之前執行此步驟。因此，孔隙73未同時形成於金屬或半金屬層72中。
然後，將犧牲層75及機械支撐層76塗覆於基板層71周圍。此允許蝕除第二材料。
如圖16中所展示，隨後可以上文所描述之相同之方式移除機械支撐層76及犧牲層75。如圖16中所展示，此使得基板層71延伸穿過由第二材料74形成之框架81之邊界部分。
可隨後塗覆第三材料以在基板層71上形成隔膜40之金屬或半金屬層72。此產生展示於圖13中之總成。
下文描述形成孔隙73之各種方法。
圖17至圖20示意性地描繪用於形成孔隙73之製程之不同階段。特定言之，圖17至圖20描繪奈米壓印微影之製程之階段。
如圖17中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含將模具77壓於覆蓋基板層71之光罩材料79上。模具77為包含凹痕78之基本平板。凹痕78以對應於所要孔隙位置(亦即，其中孔隙73意欲位於隔膜40中之位置)之圖案配置。在一實施例中，模具77為柔性的。在一實施例中，模具77由對UV輻射基本上透明的材料製成。此允許當模具77經塗覆至光罩材料79時，光罩材料79由UV輻射來輻射。
光罩材料之類型不受特別限制。在一實施例中，光罩材料為光阻。替代地，光罩材料可為溶膠-凝膠(sol-gel)。
如圖18中所展示，藉由將模具77壓於光罩材料79上，壓印圖案形成於對應於孔隙位置之光罩材料79中。模具77之應用導致光罩材料79具有對比厚度。特定言之，光罩材料79具有柱82及凹陷83。模具77壓入至光罩材料79中，且接著經由UV輻射固化以硬化/固化光罩材料79。然後，移除模具77以暴露現在固化(固體)且圖案化的層。
如圖19中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含蝕刻光罩材料79以形成對應於孔隙位置之空隙。在一實施例中，反應離子蝕刻用於蝕刻光罩材料79。反應離子蝕刻製程基本上為同質的。蝕刻製程導致凹陷83經蝕除，從而在對應於孔隙位置之空隙處暴露下伏基板層71。柱82亦經蝕除，但繼續覆蓋基板層71，藉此充當光罩。
如圖20中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含經由空隙蝕刻基板層71以形成孔隙73。光罩材料79之柱82保護基板層71之一些區域不經蝕除。在基板層71經暴露的情況下，將其蝕除，從而形成孔隙73。孔隙73形成於對應於模具77之凹痕78之位置。可設計模具77以在隔膜40之基板層71中提供孔隙73之所要圖案。
奈米壓印微影之製程使得精細調節孔隙73之週期性及護膜之填充因數成為可能。此可藉由適當設計模具77來實現。模具77可重複使用。此有助於降低製造成本。
圖21至圖24示意性地描繪用於形成孔隙73之替代製程之不同階段。如圖21中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含將球體84沈積於基板層71上。以對應於所要孔隙位置之圖案沈積球體84。特定言之，每一球體84之中心定位於對應於孔隙73之中心之位置。展示於圖21至圖24中之製程可稱為奈米球微影。奈米球微影技術為奈米壓印微影之替代技術。展示於圖21至圖24中之奈米球微影技術可替代以上展示於圖12及圖15中之步驟。
球體84之材料不受特別限制。在一實施例中，此等球體由聚苯乙烯製成。在一實施例中，球體84經配置成在六角緊密封裝層中。在一實施例中，球體84之層為單層。
如圖21至圖22之過渡中所展示，在一實施例中，製程包括減小球體84之大小。舉例而言，可藉由蝕刻球體84來減小球體84之大小。舉例而言，可使用電漿蝕刻。減小球體之大小之步驟為可選的。舉例而言，若塗覆至基板層71之球體84已具有適合之大小，則可不需要減小其大小。
如圖22中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含將第三材料塗覆於球體84及基板層71上。第三材料係用於形成隔膜40之金屬或半金屬層72。如圖22中所展示，第三材料覆蓋球體84之頂部，且覆蓋球體84之間的基板層71之部分。形成於隔膜40中之孔隙73之圖案可藉由控制球體84在基板層71上之大小及配置來控制
如圖23中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含移除球體84。此形成對應於孔隙位置之基板層71之暴露部分。此導致第三材料形成保護基板層71之適當部分之光罩。除了形成金屬或半金屬層72之外，第三材料充當光罩。
如圖24中所展示，在一實施例中，形成孔隙73之製程包含蝕刻基板層71之暴露部分以形成孔隙73。僅作為一實例，電漿蝕刻之製程可用以蝕除基板層71之適當部分。
可選擇球體84之尺寸，以便提供適當尺寸及配置之孔隙73。一般而言，球體84之大小對應於孔隙73之大小。在一實施例中，球體84之大小為至少100 nm及至多10 µm。
圖25為用於形成孔隙73之替代製程中之金屬層之影像。在用於形成孔73之替代製程中，將金屬塗覆於基板層71上。舉例而言，金屬可為銀或金。可使用適用於金屬輔助化學蝕刻製程之其他金屬。在一實施例中，將金屬最初作為基本均一的層(亦即，具有均一厚度)塗覆於整個基板層71上。
在一實施例中，形成孔隙73之製程包含退火金屬以在基板層71上形成金屬島狀物85。金屬島狀物85在圖25中可見。金屬島狀物85彼此分離。退火製程導致金屬完全去濕。特定言之，退火製程導致金屬層之斷裂。隨著退火製程繼續，斷裂連接在一起以形成網路，如圖25中所見，留下個別金屬島狀物85。當金屬經退火至足夠高溫時，金屬粒子移動至能量上更有利之配置。此導致金屬島狀物85之形成。
在一實施例中，形成孔隙73之製程包含執行金屬輔助化學蝕刻以蝕刻金屬島狀物85下方之基板層71之部分，從而形成孔隙73。金屬島狀物85充當催化劑以蝕刻每一金屬島狀物85 (亦即，金屬小滴)下方之基板層71。
圖26為在形成孔隙73之替代製程中使用之金屬或半金屬層72之影像。在一實施例中，將形成金屬或半金屬層72之第三材料塗覆於基板層71上。在一實施例中，形成孔隙73之製程包含退火第三材料以在金屬或半金屬層72中形成空隙。此等空隙在圖26之影像中可見。可以選擇退火製程之條件(例如溫度、時間)，使得如圖26所展示形成空隙，而空隙未連接在一起以形成如圖25中所展示之分離金屬島狀物的網路。圖26展示第三材料之部分去濕(而非展示於圖25中之完全去濕)之結果。
展示於圖26中之所得金屬或半金屬晶格可用作蝕刻基板層71之蝕刻光罩。在一實施例中，形成孔隙73之製程包含經由空隙蝕刻基板層71以形成孔隙73。金屬或半金屬晶格可隨後保留為金屬或半金屬層72，從而提高隔膜40之發射率。
在一實施例中，可執行退火及蝕刻步驟替代展示於圖12中之步驟。替代地，可在製造護膜之方法結束時執行退火及蝕刻步驟。舉例而言，護膜可由具有連續表面(亦即，沒有孔隙73)之隔膜形成。可隨後執行退火及蝕刻步驟，從而產生孔隙73。因此，可在連續膜隔膜釋放之後執行退火及蝕刻步驟。
圖27為用於形成孔隙73之替代製程中之蜂巢結構86之影像。在一實施例中，用於形成孔隙73之製程包含提供蜂巢結構86作為蝕刻光罩。舉例而言，蜂巢結構86可定位於基板層71之上。
在一實施例中，蜂巢結構86包含高度有序及同質的奈米孔。舉例而言，在一實施例中，蜂巢結構包含多孔陽極氧化鋁。
在一實施例中，用於形成孔隙73之製程包含經由蜂巢結構86蝕刻基板層71以形成孔隙73。隨後移除蜂巢結構86。
舉例而言，提供蜂巢結構及蝕刻之製程可替代展示於圖12及圖15中之步驟來執行。
在一實施例中，蜂巢結構86經由黏著層塗覆至堆疊。替代地，可在製造製程期間產生蜂巢結構86。
根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之護膜之隔膜，其包含光柵，該光柵包含複數個孔、孔隙或突起。複數個孔可例如包含圓形、正方形、圓形方塊或任意形狀之孔。隔膜可例如包含主膜或主層。光柵中之主膜或層厚度可例如在20 nm至100 nm範圍內。在一實施例中，主膜或主層亦可稱為芯或隔膜芯。較佳地，光柵間距小於200 nm以確保良好熱發射率。光柵間距可定義為該光柵之鄰近孔之中心之間的距離。在一實施例中，主要光柵間距較佳地小於100 nm以確保晶圓級之低光斑。諸如30 nm或更小之更小光柵間距可阻止碎片粒子落於倍縮光罩上。根據任何實施例之用於EUV微影之護膜之隔膜可包含具有介於4與15 nm之間的厚度的金屬層，或厚度在20至80 nm範圍內之半金屬。若隔膜更開放，則金屬層較佳地更厚。在一實施例中，隔膜光柵具有基本上正方形的開口(亦即，孔)，間距為30至200 nm，諸如100 nm，且開口面積之百分比或由光柵開口限定之開口度為50%至90%，諸如75%的開口度或開口面積。厚度約為8 nm之輻射Ru層具有＞0.35之熱發射率。護膜隔膜之材料可包含例如與金屬層結合之SOI Si隔膜芯。在另一實施例中，包含SOI Si之隔膜光柵具有覆蓋隔膜面積之50%至90%的基本圓形或正方形開口、小於100 nm之光柵間距及具有在5至15 nm範圍內的厚度的金屬層，該金屬層在晶圓級提供低光斑及＞ 0.2之熱發射率。
儘管在本文中可特定地參看微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，各種光阻層可由執行同一功能之非光阻層替換。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1. 一種用於EUV微影之護膜，其包含：
框架；及
隔膜，其由框架支撐，其中隔膜包含：
金屬或半金屬層，
其中隔膜包含密度為至少5個/µm2
的孔隙。
2. 如條項1之護膜，其中孔隙之密度為至少20個/µm2
。
3. 如條項1之護膜，其中孔隙之密度為至少100個/µm2
。
4. 如前述條項中任一項之護膜，其中隔膜包含：
基板層，其用於支撐金屬或半金屬層。
5. 如任一條項4之護膜，其中基板層包含自絕緣體上矽或多晶矽獲得之矽。
6. 如前述條項中任一項之護膜，其中金屬層具有至少4 nm之厚度。
7. 如前述條項中任一項之護膜，其中金屬層具有至少8 nm之厚度。
8. 如前述條項中任一項之護膜，其中半金屬層具有至少10 nm之厚度。
9. 如前述條項中任一項之護膜，其中半金屬層形成隔膜之總厚度的至少90%。
10. 如前述條項中任一項之護膜，其中半金屬層具有至少20 nm之厚度。
11. 如前述條項中任一項之護膜，其中孔隙形成隔膜之總面積的至少50%。
12. 如前述條項中任一項之護膜，其中孔隙形成隔膜之總面積的至少75%。
13. 如前述條項中任一項之護膜，其中金屬為第3族至第10族之過渡金屬。
14. 如前述條項中任一項之護膜，其中金屬為第4週期至第5週期之過渡金屬。
15. 如前述條項中任一項之護膜，其中金屬選自由以下組成之群：Zr、Y、Mo、Cr、Hf、Ir、Mn、Nb、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Ta、Ti、V及W。
16. 如前述條項中任一項之護膜，其中孔隙為圓形或正方形。
17. 如前述條項中任一項之護膜，滿足，其中E為入射EUV輻射之發射率，且T為透射穿過隔膜之入射EUV輻射之比例。
18. 如前述條項中任一項之護膜，其對於入射EUV輻射具有至少0.2之發射率。
19. 如前述條項中任一項之護膜，其經組態以透射至少95%之入射EUV輻射。
20. 一種用於EUV微影之護膜之隔膜，其包含：
非金金屬或半金屬層，
其中隔膜包含密度為至少5個/µm2
的孔隙。
21. 一種用於EUV微影之護膜，其包含：
框架；及
如條項20之隔膜，其由框架支撐。
22. 一種用於EUV微影之圖案化裝置總成，其包含如條項1至19或21中任一項之護膜。
23. 一種用於EUV微影之動態氣鎖總成，其包含如請求項1至19或21中任一項之護膜。
24. 一種製造用於EUV微影之護膜之方法，其包含：
將第一材料塗覆於第二材料上以供形成護膜之框架；
塗覆第三材料以供在隔膜之基板層上形成護膜之隔膜之金屬或半金屬層；以及
以至少5個/µm2
之密度在基板層中形成孔隙。
25. 如條項24之方法，其中第一材料形成基板層。
26. 如條項24或25之方法，其中在形成孔隙之前將第三材料塗覆於基板層上。
27. 如條項24或25之方法，其中在形成孔隙之後將第三材料塗覆於基板層上。
28. 如條項24至27中任一項之方法，其中形成孔隙包含：
將模具壓於覆蓋基板層之光罩材料上，以在光罩材料中形成對應於孔隙位置的壓印圖案；
蝕刻光罩材料以形成對應於孔隙位置之空隙；及
經由空隙蝕刻基板層以形成孔隙。
29. 如條項24至27中任一項之方法，其中形成孔隙包含：
以對應於孔隙位置之圖案將球體沈積於基板層上；
將第三材料塗覆於球體及基板層上；
移除球體從而形成對應於孔隙位置之基板層之暴露部分；及
蝕刻基板層之暴露部分以形成孔隙。
30. 如條項24至27中任一項之方法，其中形成孔隙包含：
將金屬塗覆於基板層上；
退火金屬以形成基板層上之金屬島狀物；及
執行金屬輔助化學蝕刻以蝕刻金屬島狀物下方之基板層之部分以形成孔隙。
31. 如條項24至27中任一項之方法，其中形成孔隙包含：
退火第三材料以形成金屬或半金屬層中之空隙；及
經由空隙蝕刻基板層以形成孔隙。
32. 如條項24至27中任一項之方法，其中形成孔隙包含：
提供蜂巢結構作為蝕刻光罩；
蝕刻基板層以形成孔隙；及
移除蜂巢結構。
33. 如條項32之方法，其中蜂巢結構包含多孔陽極氧化鋁。
34. 一種用於EUV微影之護膜之隔膜，該隔膜包含包含複數個孔之光柵。
35. 如條項34之隔膜，其中光柵之光柵間距＜200 nm，較佳地＜100 nm，更佳地＜30 nm。
36. 如條項34或35之隔膜，其中光柵包含具有介於20 nm與100 nm之間的厚度的芯。
37. 如條項34至36中任一項之隔膜，其中光柵包含金屬或半金屬。
38. 如條項34至37中任一項之隔膜，其中光柵包含SOI Si隔膜芯。
39. 如條項38之隔膜，其中光柵進一步包含一或多個金屬層。
40. 如條項38或39之隔膜，其中光柵包含基本上圓形或正方形的開口及在50%與90%之間，較佳地在70%與80%之間的開口面積。
21:未經圖案化光束
22:琢面化場鏡面裝置
24:琢面化光瞳鏡面裝置
26:經圖案化光束
28:反射元件
30:反射元件
40:隔膜
41:線
42:線
43:線
44:線
45:線
50:夾具
60:螺柱
61:線
62:線
63:線
71:基板層
72:金屬或半金屬層
73:孔隙
74:第二材料
75:犧牲層
76:機械支撐層
77:模具
78:凹痕
79:光罩材料
80:隔膜總成
81:框架
82:柱
83:凹陷
84:球體
85:金屬島狀物
86:蜂巢結構
91:線
92:線
93:線
100:微影設備
210:輻射發射電漿
211:源腔室
212:收集器腔室
220:圍封結構
221:開口
500:控制器
B:輻射光束
C:目標部分
CO:輻射收集器
d:直徑
E:發射率
IF:虛擬源點
IL:照明系統
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化裝置
MT:支撐結構
p:間距
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PS1:位置感測器
PS2:位置感測器
PW:第二定位器
SO:源收集器模組
W:基板
WT:基板台
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例描述本發明之實施例，在圖式中對應元件符號指示對應部件，且其中：
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影設備；
圖2為微影設備之更詳細視圖；
圖3以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成的部分；
圖4為展示具有不同填充因素之隔膜之入射輻射之角度與發射率之間的關係之圖；
圖5為展示在孔隙之間具有不同距離之隔膜之入射輻射之角度與發射率之間的關係之圖；
圖6為展示具有不同金屬層之隔膜之入射輻射之角度與發射率之間的關係之圖；
圖7為根據本發明之一實施例之護膜之隔膜之橫截面視圖；
圖8為根據本發明之一實施例之具有圓形孔隙之護膜之隔膜之平面視圖；
圖9為根據本發明之一實施例之具有正方形孔隙之護膜之隔膜之平面視圖；
圖10至圖13示意性地描繪根據本發明之一實施例之製造護膜之隔膜之方法之階段；
圖14至圖16示意性地描繪根據本發明之一實施例之製造護膜之隔膜之替代方法之不同階段；
圖17至圖20示意性地描繪根據本發明之一實施例之在護膜之隔膜中形成孔隙之不同階段；
圖21至圖24示意性地描繪根據本發明之一實施例之在護膜之隔膜中形成孔隙之替代方法之不同階段；
圖25為根據本發明之一實施例之用於在護膜之隔膜中形成孔隙之金屬島狀物之影像；
圖26為根據本發明之一實施例之護膜之隔膜之金屬層之影像；及
圖27為根據本發明之一實施例之用於在護膜之隔膜中形成孔隙之蜂巢結構之影像。
40:隔膜
73:孔隙
d:直徑
p:間距
Claims (20)
- 一種用於EUV微影之護膜，其包含： 一框架；及 一隔膜，其由該框架支撐，其中該隔膜包含： 一金屬或半金屬層， 其中該隔膜包含一密度為至少5個/µm2 之孔隙。
- 如請求項1之護膜，其中該孔隙之密度為至少20個/µm2 。
- 如請求項1之護膜，其中該孔隙之密度為至少100個/µm2 。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該隔膜包含： 一基板層，其用於支撐該金屬或半金屬層。
- 如任一請求項4之護膜，其中該基板層包含自絕緣體上矽或多晶矽獲得之矽。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該金屬層具有至少4 nm之厚度。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該金屬層具有至少8 nm之厚度。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該半金屬層具有至少10 nm之厚度。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該半金屬層形成該隔膜之一總厚度的至少90%。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該半金屬層具有至少20 nm之厚度。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該等孔隙形成該隔膜之一總面積的至少50%。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該等孔隙形成該隔膜之一總面積的至少75%。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該金屬為第3族至第10族之過渡金屬。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該金屬為第4週期至第5週期之過渡金屬。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其中該金屬選自由以下組成之群：Zr、Y、Mo、Cr、Hf、Ir、Mn、Nb、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Ta、Ti、V及W。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，滿足，其中E為入射EUV輻射之發射率，且T為透射穿過該隔膜之入射EUV輻射之一比例。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其對於入射EUV輻射具有至少0.2之一發射率。
- 如請求項1至3中任一項之護膜，其經組態以透射至少95%之入射EUV輻射。
- 一種用於EUV微影之圖案化裝置總成，其包含如請求項1至18中任一項之該護膜。
- 一種用於EUV微影之動態氣鎖總成，其包含如請求項1至18中任一項之該護膜。
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