TW202105454A - 用來減少金屬污染的鈦襯墊 - Google Patents

Abstract

本案描述的實施例係關於用於在使用形成在處理腔室中的去耦合電漿來處理基板的同時減少處理腔室中金屬污染的發生的設備和技術。襯墊大致上防止電漿在處理腔室中與任何鋁或氧化鋁（例如，陽極氧化鋁）接觸。在一個實施例中，襯墊是位於處理腔室中的整體設備。在一個實施例中，襯墊係經由沉積製程沉積在腔室主體的內壁上。

Description

用來減少金屬污染的鈦襯墊

本揭示的實施例大致上係關於半導體器件處理設備，並且更具體地，係關於用於處理腔室的襯墊，以及包括該襯墊的處理腔室。

各種製程係用於在基板上沉積膜。通常藉由將處理氣體引入包含基板的處理腔室中來完成膜的沉積。處理氣體在處理腔室內藉由例如射頻（RF）功率來活化。活化氣體在處理腔室中形成電漿，以促進材料的蝕刻或沉積。

通常將鋁襯墊或塗覆有氧化鋁的襯墊設置在腔室中，以防止由於蝕刻或離子轟擊而損壞腔室壁。然而，鋁或氧化鋁襯墊會導致沉積在基板上的膜的金屬污染。例如，電漿的離子及自由基會與襯墊接觸，這導致襯墊的顆粒（例如，金屬顆粒）與電漿混合，並且沉積在基板上。因此，襯墊的顆粒會導致沉積在基板上的膜的金屬污染。

因此，需要一種改良的設備，來減少處理腔室中的金屬污染。

在一個實施例中，提供了一種設備，該設備包括處理腔室，該處理腔室具有一或多個腔室壁、底部、及蓋，在蓋中定義了處理空間。陰極組件係設置在該處理空間中。側壁屏蔽係設置在處理腔室中並且圍繞處理空間。陰極屏蔽係設置在處理空間中並且圍繞陰極組件。側壁屏蔽及陰極屏蔽係由含鈦材料製成。

在另一實施例中，提供了一種設備，該設備包括處理腔室，該處理腔室具有一或多個腔室壁、底部、及蓋，在蓋中定義了處理空間。陰極組件係設置在處理空間中。下襯墊係設置在處理腔室中，圍繞陰極組件的至少一部分。上襯墊係設置在處理腔室中，圍繞至少一部分處理空間。一部分的上襯墊延伸於下襯墊上方。側壁屏蔽係設置在上襯墊與下襯墊的徑向內側。側壁屏蔽至少圍繞處理空間及至少一部分的陰極組件。陰極屏蔽係設置在處理空間中並且圍繞陰極組件。側壁屏蔽及陰極屏蔽係由含鈦材料製成。

在另一個實施例中，提供了一種設備，該設備包括由含鈦材料製成的腔室屏蔽。腔室屏蔽包括第一部分，及大致垂直於該第一部分的第二部分。圓角邊緣在該第一部分與該第二部分之間。第一端口係穿過第一部分而形成。第二端口係穿過與第一端口相對的第一部分而形成。狹縫閥開口係在第一端口與第二端口之間穿過第一部分而形成。排氣端口係在與狹縫閥開口相對的第一部分中形成。

本案描述的實施例係關於用於在使用形成在處理腔室中的電漿處理基板的同時減少處理腔室中金屬污染發生的設備和技術。襯墊大致上防止電漿與處理腔室中的任何金屬（例如鋁或氧化鋁，例如陽極氧化鋁）之間的接觸，例如腔室側壁。在一個實施例中，襯墊是位於處理腔室中的整體設備。在一個實施例中，襯墊是經由沉積製程而沉積在腔室主體的內壁上的塗層。

根據一些器件的形成製程，基板的正面鋁污染規定應小於約5x10⁹ at/cm² 。使用習知的鋁腔室襯墊，基板上的正面鋁可以在約2x10¹⁰ at/cm² 與約5x10¹⁰ at/cm² 之間，具有1000 W_eff 的RF功率。如果使用習知的鋁襯墊將RF功率增加到約2000 W_eff ，則基板上的正面鋁污染約為1x10¹¹ at/cm² 或更大。如果在處理期間降低處理腔室中的壓力，則正面污染也會發生類似增加。

本案論述的態樣，使得能夠使用增加的RF功率或減小的壓力而不會增加基板的鋁污染。

圖1是根據一個實施例的處理腔室100的示意性截面圖。處理腔室100包括側壁102、底部112、及耦接至側壁102的蓋104。蓋104、側壁102、及底部112定義其中的處理空間110。陰極組件114設置在處理空間110中。陰極組件114與蓋104同軸。陰極組件114包括靜電卡盤134及設置在其周圍的環132。在一個實施例中，靜電卡盤134由陶瓷材料製成，並且包括設置在其中的一或多個電極（未圖示）。向電極施加夾持電壓，以將基板靜電地固定到靜電卡盤134。在處理期間，將基板（未圖示）設置在陰極組件114上，並且在基板上沉積一層。

在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，環132係由含石英的材料製成。環132圍繞並外接至少一部分的靜電卡盤134。上襯墊106係設置為鄰近於側壁102的上部並且沿著側壁102的上部延伸。下襯墊108係設置為鄰近側壁102的下部並沿著側壁102的下部延伸。在可以與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，上襯墊106的內半徑與下襯墊108的內半徑大致相同。上襯墊106的下端在下襯墊108上方並徑向向內延伸，以大致上防止電漿在上襯墊106與下襯墊108的後面（即，徑向向外）行進。在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，下襯墊108沿著底部112從側壁102延伸到陰極組件114。

在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，上襯墊106與下襯墊108由包含氧化鋁（例如，陽極氧化鋁）的材料製成。支撐盤120設置在下襯墊108上，鄰近處理腔室100的底部112。支撐盤120設置在陰極組件114與側壁102之間，並且包括上表面和下表面，其大致平行於處理腔室100的底部112。支撐盤120由陶瓷材料製成，例如氧化鋁。在支撐盤120的上表面上形成有第一凹口142。在支撐盤120的與第一凹口142相對的上表面中還形成有第二凹口150。第二凹口150在第一凹口142的徑向內側。在一個實例中，支撐盤120是圓柱形環。

側壁屏蔽116設置在處理腔室100中，在上襯墊106與下襯墊108的徑向內側。上環118設置在處理腔室100中的蓋104與側壁屏蔽116之間。上環118由側壁屏蔽116支撐，並且圍繞穿過蓋104而形成的開口152。上環118與上襯墊106係間隔開，以大致避免上環118與上襯墊106鎖定在一起。它們之間的間隔可以是例如1毫米至10毫米，例如1毫米至5毫米，或1毫米至3毫米。但是，亦可以預期其他距離。側壁屏蔽116與上襯墊間隔1毫米至10毫米之間，例如1毫米至5毫米，或1毫米至3毫米，或0.5毫米至約6毫米。一或多種處理氣體可以從蓋104，經由開口152及上環118，流入處理空間110，以對設置於陰極組件114上的基板進行處理。

在可與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，上環118由石英或含石英的材料製成。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，上環118由鈦或含鈦材料製成。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，上環118是側壁屏蔽116的一部分（例如，與側壁屏蔽116成整體）。亦即，側壁屏蔽116可以延伸到穿過蓋104而形成的開口152中。在可與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽的最大內半徑在約250 mm與約400 mm之間，例如在約270 mm與約300 mm之間，例如約275 mm。

在操作期間，一或多種氣體流過蓋104及開口152而進入處理空間110。能量源（未圖示）向處理空間中的氣體提供能量，以在其中產生電漿。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，電漿可以在遠端電漿源中產生並流到處理腔室100。在彼情況下，電漿穿過蓋104及開口152而流入處理腔室。

在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，側壁屏蔽116係設置在處理腔室100的側壁102之間的整體設備。在彼情況下，側壁屏蔽116和陰極屏蔽122的厚度可以在約1 mm與約5 mm之間，例如，在約2 mm與約4 mm之間，例如約3 mm。在一些實例中，為了降低製造成本，側壁屏蔽116和陰極屏蔽122的厚度可以比約1 mm更薄。例如，側壁屏蔽116和陰極屏蔽122的厚度可以在約0.1 mm與約0.8 mm之間，例如約0.35 mm。

側壁屏蔽116是圓柱形的。側壁屏蔽116與上襯墊106或下襯墊108間隔開，並且不與上襯墊106或下襯墊108接觸。下面分別參照圖3和圖4，論述上襯墊106與側壁屏蔽116之間的空間，及下襯墊108與側壁屏蔽116之間的空間。然而，在一些實例中，可以預期的是，側壁屏蔽116可以接觸上襯墊106或下襯墊108。

在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，可以從處理腔室100中省略上襯墊106與下襯墊108。在彼情況下，側壁屏蔽116沿著處理腔室100的側壁102設置。可以改變側壁屏蔽116的各種尺寸，以減小側壁屏蔽116與處理腔室100的側壁102之間的空間。例如，可以增加側壁屏蔽116的外徑，以減小側壁屏蔽116與側壁102之間的空間，以減小寄生電漿形成的可能性。

側壁屏蔽116的第一部分136沿著側壁102垂直延伸並大致平行於側壁102，從而定義為圓柱形。側壁屏蔽116的第二部分138沿著底部112水平地延伸，並且大致上垂直於第一部分136。側壁屏蔽116具有連接第一部分136與第二部分138的圓角邊緣140。側壁屏蔽116的第二部分138設置在支撐盤120的第一凹口142中。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽116的第二部分138經由一或多個緊固件（未圖示）固定到支撐盤120上。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，支撐盤120包括一或多個對準鍵（相對於圖4描述），其對應於形成在側壁屏蔽116中的一或多個對準凹口（相對於圖3描述）。對準鍵與對準凹口能使穿過屏蔽形成的端口126、128與穿過上襯墊106與側壁102形成的端口126、128對準。

陰極屏蔽122係設置成圍繞陰極組件114。陰極屏蔽122外接並包圍至少一部分的陰極組件114。陰極屏蔽122與陰極組件114間隔開例如約1毫米至約5毫米。陰極屏蔽122的第一部分144大致平行於側壁屏蔽116的第一部分136，並且定義一圓柱體。陰極屏蔽122的第二部分146大致垂直於第一部分144。陰極屏蔽122的第二部分146設置在支撐盤120的第二凹口150中。陰極屏蔽122具有連接第一部分144與第二部分146的圓角邊緣148。在一些實例中，陰極屏蔽122、支撐盤120、及側壁屏蔽116中的兩個或更多個，係形成為單個單元（例如，整體地）。

有利地，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122容易從處理腔室100中移除並且容易更換。例如，一旦將蓋104從處理腔室100移除，則可以將側壁屏蔽116及/或陰極屏蔽122從處理腔室100中抬起並更換。為了從處理腔室100移除側壁屏蔽116，也可以移除上襯墊106與上環118。與修理側壁屏蔽116相比，因側壁屏蔽116及陰極屏蔽122易於更換，減少了處理腔室100的停機時間。在一個實施例中，如圖所示，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122是分開的屏蔽。然而，在可以與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122可以是整體屏蔽。將側壁屏蔽116與陰極屏蔽122分離成單獨的屏蔽，增加了屏蔽116與122的安裝容易性。

在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122是沉積在上襯墊106與下襯墊108的內表面上的塗層。例如，經由諸如化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）的沉積製程，在處理腔室100中形成側壁屏蔽116與陰極屏蔽122。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，塗層是含鈦材料。例如，塗層可以包括鈦、鈦合金、碳化鈦、氧化鈦、氮化鈦或其組合。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，所沉積的塗層大致上是鈦，然後在處理腔室100中經處理以形成碳化鈦、氧化鈦、或氮化鈦。在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122塗層的厚度在約0.1微米（例如，微米）與約5微米之間，例如在約1微米與約3微米之間，例如約2.5微米。

在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122係由對用於在基板上沉積層的化學物質具有高密度、高硬度、及高化學惰性的材料製成。例如，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122可以由含鈦材料製成，例如鈦、鈦合金、碳化鈦、氧化鈦、氮化鈦及其組合。

儘管本案描述了針對含鈦的側壁屏蔽116與陰極屏蔽122的實施例，但是也可以預期其他材料。在可與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122由含鎢材料、含鉬材料、或含鉑材料製成。側壁屏蔽116與陰極屏蔽122可以由上述任何材料的組合製成。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122係由不同的材料製成。

在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122的外表面係由上述材料製成。亦即，例如，暴露於在處理空間110中形成的電漿的一部分的側壁屏蔽116與陰極屏蔽122係由上述材料製成。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，至少側壁屏蔽116與陰極屏蔽的表面，具有至少99％的鈦。

側壁屏蔽116、陰極屏蔽122、及支撐盤120大致上減少了側壁102、上襯墊106、及下襯墊108暴露於在處理空間110中所形成的電漿。有利地，側壁屏蔽116與陰極屏蔽122的高密度、硬度、及化學惰性，大致上減少了沉積在設置於陰極組件114上的基板上的層的鋁污染的發生。在處理腔室100中沒有側壁屏蔽116與陰極屏蔽122的情況下，隨著RF功率的增加，基板上的鋁污染量增加。由於含鈦材料的高密度、高硬度、及化學惰性，用於製造側壁屏蔽116與陰極屏蔽122的含鈦材料，不會對基板產生大量的鈦污染。

狹縫閥開口124、第一端口126、及第二端口128，係穿過側壁102、上襯墊106、及側壁屏蔽116而形成。第二端口128與第一端口126相對設置。如圖所示，第一端口126與第二端口128是圓形的。第一端口126的直徑小於第二端口128的直徑。例如，第一端口126的直徑可以是約3毫米至約13毫米。第二開口的直徑可以是約30毫米至約40毫米。還可以預期，第一開口126與第二開口128的其他尺寸。在操作期間，基板穿過狹縫閥開口124轉移進出處理腔室100。傳感器（未圖示）可設置在第一端口126中（或具有從中穿過的視覺通道），以測量沉積在基板上的層的特性、在處理空間110中形成的電漿的特性、或處理條件例如溫度或壓力。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，將光學發射光譜系統定位為使用第一端口126。在可以與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，第二端口128可以用作光學觀察窗。

圖2是根據一個實施例的側壁屏蔽116的示意性表示。狹縫閥開口124係穿過側壁屏蔽116形成。排氣端口202係穿過相對於狹縫閥開口124的側壁屏蔽116而形成。該排氣端口可以約100度至約160度而外接，例如約120度至約150度。狹縫閥開口124形成在側壁屏蔽116的上部204中，而排氣端口202形成在側壁屏蔽116的下部206中。因此，如圖所示，排氣端口202和狹縫閥開口124係設置在不同的水平面上。然而，在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，排氣端口202與狹縫閥開口124可以對準，使得排氣端口202的長軸與狹縫閥開口124的長軸對準。在其他實施例中，排氣端口202與狹縫閥開口124可以部分地對準，使得一部分的排氣端口202與狹縫閥開口124對準。

第一端口126與第二端口128係穿過側壁屏蔽116的上部204而形成。如圖所示，第二端口128與第一端口126大致同軸。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，第一端口126與第二端口128可以垂直或水平地未對準。

圖3是根據一個實施例的側壁屏蔽116的仰視圖。圖4是根據一個實施例的支撐盤120的俯視圖。側壁屏蔽116的第二部分138徑向向內延伸。對準槽302係穿過側壁屏蔽116的第二部分138而形成。對準槽302的尺寸設置成容納對準鍵402，對準鍵402形成在支撐盤120上。對準鍵402在圖4中示出。對準鍵402與支撐盤120齊平，並突出到第一凹口142中。

在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，在處理期間，對準槽302與狹縫閥開口124的中心垂直軸線對準。對準槽302使側壁屏蔽116能夠定位在處理腔室100中，從而使得狹縫閥開口124和穿過腔室與側壁屏蔽形成的任何其他開口（例如，排氣端口202、第一開口208、及第二開口210）能形成對準。

圖5是根據一個實施例的一部分的處理腔室100的放大示意性截面圖。第一空間502係形成在上襯墊106與側壁屏蔽116之間。第一空間502的寬度504在約2.5 mm與約8 mm之間，例如在約3.5 mm與約6.4 mm之間，例如約4 mm。亦可預期如上所述的其他距離。通道508係形成在上環118的與側壁屏蔽116接觸的表面中。O形環506係設置在通道508中，以在上環118與側壁屏蔽116之間形成密封。在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，第一空間502的寬度504小於1 mm。例如，寬度504可以在0.6 mm至約0.9 mm之間，例如在約0.65 mm與約0.8 mm之間。如上所述，亦可以預期其他距離。

圖6是根據一個實施例的另一部分的處理腔室100的放大示意性截面圖。第二空間608係形成在側壁屏蔽116與下襯墊108之間。第三空間606係形成在陰極組件114與陰極屏蔽122之間。第二空間608的寬度610在約5 mm與約12 mm之間，例如在約7 mm與約10 mm之間。在可與上述一或多個實施例組合的一個實施例中，第二空間608的寬度610小於1 mm。例如，第二空間608的寬度504可以在0.1 mm至約0.9 mm之間，例如在約0.6 mm與約0.8 mm之間。如上所述，亦可以預期其他距離。

相對於圖5描述的第一空間502，及第二空間608，為足夠小以實質上減少其中的電漿的發生。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，第一空間502的寬度504與第二空間608的寬度610大致相同。在可以與上述一或多個實施例組合的一些實施例中，第一空間502的寬度504與第二空間608的寬度610是不同的。

儘管前述內容針對本揭示的實施例，但是在不脫離本揭示的基本範圍的情況下，可以設計本揭示的其他和進一步的實施例，並且本揭示的範圍由所附申請專利範圍來確定。

100:處理腔室 102:側壁 104:蓋 106:上襯墊 108:下襯墊 110:處理空間 112:底部 114:陰極組件 116:側壁屏蔽 118:上環 120:支撐盤 122:陰極屏蔽 124:狹縫閥開口 126:第一端口 128:第二端口 132:環 134:靜電卡盤 136:第一部分 138:第二部分 140:圓角邊緣 142:第一凹口 144:第一部分 146:第二部分 148:圓角邊緣 150:第二凹口 152:開口 202:排氣端口 204:上部 206:下部 302:對準槽 402:對準鍵 502:第一空間 504:寬度 506:O形環 508:通道 606:第三空間 608:第二空間 610:寬度

因此，可以詳細地理解本揭示的上述特徵的方式，可透過參考實施例來對本揭示進行更具體的描述，本揭示的具體描述如上簡要概述，在附圖中示出一些實施例。然而，應注意的是，附圖僅示出示例性實施例，並且因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本揭示可允許其他等效實施例。

圖1是根據一個實施例的處理腔室的示意性截面圖。

圖2是根據一個實施例的側壁屏蔽的示意性表示。

圖3是根據一個實施例的側壁屏蔽的仰視圖。

圖4是根據一個實施例的支撐盤的俯視圖。

圖5是根據一個實施例的一部分的處理腔室的放大示意性截面圖。

圖6是根據一個實施例的另一部分的處理腔室的放大示意性截面圖。

為了便於理解，在可能的地方使用了相同的元件符號來表示圖中共有的相同元件。可以預期的是，一個實施例的元件及特徵可以被有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:處理腔室

102:側壁

104:蓋

106:上襯墊

108:下襯墊

110:處理空間

112:底部

114:陰極組件

116:側壁屏蔽

118:上環

120:支撐盤

122:陰極屏蔽

124:狹縫閥開口

126:第一端口

128:第二端口

132:環

134:靜電卡盤

136:第一部分

138:第二部分

140:圓角邊緣

142:第一凹口

144:第一部分

146:第二部分

148:圓角邊緣

150:第二凹口

152:開口

Claims (20)

1. 一種設備，包括： 一處理腔室，該處理腔室包括一或多個腔室壁、一底部、及一蓋，在該蓋中定義一處理空間； 一陰極組件，設置在該處理空間中； 一側壁屏蔽，設置在該處理腔室中而圍繞該處理空間；及 一陰極屏蔽，設置在該處理腔室中而圍繞該陰極組件，該側壁屏蔽與該陰極屏蔽包括鈦。
2. 如請求項1所述的設備，還包括： 一上環，設置於該蓋與該側壁屏蔽之間；及 一支撐盤，設置在該處理腔室的該底部處，其中該側壁屏蔽及該陰極屏蔽係設置在該支撐盤上。
3. 如請求項2所述的設備，其中該側壁屏蔽的一厚度在約1 mm與約5 mm之間。
4. 如請求項2所述的設備，其中該側壁屏蔽是沉積在該些腔室壁的一內表面上的一塗層，並且該陰極屏蔽是在該陰極組件的一外表面上的一塗層。
5. 如請求項4所述的設備，其中該側壁屏蔽與該陰極屏蔽的一厚度在約0.1毫米與約5毫米之間。
6. 如請求項2所述的設備，還包括： 一對準鍵，形成在該支撐盤內；及 一對準槽，形成在該側壁屏蔽中，尺寸設定成能在該對準槽中容納該對準鍵。
7. 如請求項1所述的設備，其中在該側壁屏蔽與該些腔室壁之間形成的一空間係小於0.1 mm。
8. 一種設備，包括： 一處理腔室，該處理腔室包括一或多個腔室壁、一底部、及一蓋，在該蓋中定義一處理空間； 一陰極組件，設置在該處理空間中； 一下襯墊，設置在該處理腔室中，圍繞至少一部分的該陰極組件； 一上襯墊，設置在該處理腔室中，圍繞至少一部分的該處理空間，一部分的該上襯墊在該下襯墊上方延伸； 一側壁屏蔽，設置在該上襯墊與該下襯墊的徑向內側，該側壁屏蔽圍繞至少該處理空間及至少一部分的該陰極組件；及 一陰極屏蔽，設置在該處理空間中圍繞該陰極組件，該側壁屏蔽與該陰極屏蔽包括鈦。
9. 如請求項8所述的設備，還包括： 一上環，設置在該蓋與該側壁屏蔽之間；及 一支撐盤，設置在該處理腔室的該底部處，其中該側壁屏蔽與該陰極屏蔽係設置在該支撐盤上。
10. 如請求項9所述的設備，其中該側壁屏蔽的一厚度在約1 mm與約5 mm之間。
11. 如請求項9所述的設備，其中該側壁屏蔽是沉積在該些腔室壁的一內表面上的一塗層，並且該陰極屏蔽是在該陰極組件的一外表面上的一塗層。
12. 如請求項11所述的設備，其中該側壁屏蔽與該陰極屏蔽的一厚度在約0.1毫米與約5毫米之間。
13. 如請求項11所述的設備，還包括： 一對準鍵，形成在該支撐盤內；及 一對準槽，形成在該側壁屏蔽中，尺寸設定成能在該對準槽中容納該對準鍵。
14. 如請求項8所述的設備，其中在該側壁屏蔽與該上襯墊之間形成的一空間在約2.5 mm與約8 mm之間，並且在該側壁屏蔽與該下襯墊之間形成的一空間在約5 mm與約12 mm之間。
15. 一種設備，包括： 一腔室屏蔽，包括一含鈦材料，該腔室屏蔽包括： 一第一部分； 一第二部分，大致垂直於該第一部分； 一圓角邊緣，在該第一部分與該第二部分之間； 一第一端口，穿過該第一部分而形成；以及 一第二端口，穿過與該第一端口相對的該第一部分而形成。
16. 如請求項15所述的設備，其中該腔室屏蔽還包括： 一狹縫閥開口，在該第一端口與該第二端口之間穿過該第一部分而形成；以及 一排氣端口，形成在與該狹縫閥開口相對的該第一部分中。
17. 如請求項16所述的設備，其中該腔室屏蔽的一厚度在約0.1 mm與約0.8 mm之間，並且其中該第一端口的一半徑係小於該第二端口的一半徑。
18. 如請求項17所述的設備，其中該第一端口與該第二端口是同軸的。
19. 如請求項18所述的設備，其中該排氣端口係設置在該狹縫閥開口與該第二部分之間。
20. 如請求項16所述的設備，其中該含鈦材料是至少99％的鈦。

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