TW202105085A - 施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法 - Google Patents

施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202105085A
TW202105085A TW108134459A TW108134459A TW202105085A TW 202105085 A TW202105085 A TW 202105085A TW 108134459 A TW108134459 A TW 108134459A TW 108134459 A TW108134459 A TW 108134459A TW 202105085 A TW202105085 A TW 202105085A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
height
wafer
area
distance
Prior art date
Application number
TW108134459A
Other languages
English (en)
Inventor
李永堯
徐振益
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW202105085A publication Critical patent/TW202105085A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G03F7/327—Non-aqueous alkaline compositions, e.g. anhydrous quaternary ammonium salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

本揭露提供一種施配液體材料之設備，其包含：一施配臂；一晶圓固持器，其抵靠該施配臂；一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度垂直隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一表面；及一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度垂直隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該表面，其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。

Description

施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法
本發明實施例係有關施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法。
在半導體工業中，存在裝置密度更高之趨勢。為了達成此更高密度，需要更小構件。此等要求通常涉及按比例縮小裝置幾何形狀以達成更低製造成本、更高裝置整合密度、更高速度及更好效能。伴隨幾何大小減小之優點，半導體裝置得以改良。
按比例縮小製程需要高解析度光微影製程。光微影製程可包含與在一晶圓上塗佈一光阻劑層及將晶圓曝光於一曝光源有關之技術。在塗佈及曝光操作之後，將顯影劑材料施覆於光阻劑層上且旋轉晶圓以將顯影劑材料分散在晶圓上方。因此，光阻劑層之至少一部分(其可為一照射部分或一非照射部分)被顯影劑材料溶解且藉此經移除以便形成一預定圖案。
本發明的一實施例係關於一種用於施配液體材料之設備，其包括：一施配臂；一晶圓固持器，其抵靠該施配臂；一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度垂直隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一表面；及一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度垂直隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該表面，其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。
本發明的一實施例係關於一種用於施配一顯影溶液之設備，其包括：一施配臂，其具有面向一晶圓固持器之一表面，該表面包括：一第一切線，其通過該表面之一端；及一第二切線，其通過該表面之一相對端，該第一切線與該第二切線之間的一夾角大於零；及一第一噴嘴，其放置於該表面處。
本發明的一實施例係關於一種用於製造一半導體結構之方法，其包括：在一基板上方形成一光阻劑層；照射該光阻劑層；及藉由該設備在該光阻劑層上施配一顯影溶液以形成一光阻圖案，其中該設備包括：一施配臂；一晶圓固持器，其抵靠該施配臂；一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度垂直隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一表面；及一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度垂直隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該表面，其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。
下文揭露內容提供實施本揭露之不同特徵之不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅僅係實例且並非意欲於限制性。例如，在下文描述中一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中第一構件及第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可經形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件及第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各項實例中重複元件符號及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不規定所論述之各項實施例及/或組態之間的一關係。
此外，為便於描述，空間相對術語(諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」、「上」及類似者)可在本文中用來描述一個元件或構件與另一(其他)元件或構件之關係，如圖中所繪示。空間相對術語意欲於涵蓋除圖中所描繪之定向以外之使用或操作中裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且據此可同樣解釋本文中所使用之空間相對描述詞。
雖然陳述本揭露之廣泛範疇之數值範圍及參數係近似值，但儘可能精確地報告在具體實例中闡述之數值。然而，任何數值本質上含有必然由各自測試量測中發現之標準偏差所引起之某些誤差。又，如本文中使用，術語「實質上」、「約」或「大約」通常意謂在一般技術人員可預期之一值或範圍內。替代地，術語「實質上」、「約」或「大約」意謂在由一般技術人員考量時在平均值之一可接受標準誤差內。一般技術人員可瞭解，可接受標準誤差可根據不同技術而變動。除了在操作/工作實例中之外，或除非另有明確指定，否則全部數值範圍、量、值及百分比(諸如針對材料數量、持續時間、溫度、操作條件、量之比率及本文中揭示之其類似者之數值範圍、量、值及百分比)應理解為在全部例項中由術語「實質上」、「約」或「大約」修飾。因此，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中闡述之數值參數係可視需要變動之近似值。至少，各數值參數應至少依據所報告有效數字之數目且藉由應用普通捨入技術而理解。可在本文中將範圍表達為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。除非另有指定，否則本文中揭示之全部範圍皆包含端點。
在製造半導體裝置之操作中使用旋塗，其利用向心加速度來將一液體材料自一晶圓之一中心徑向向外分散至晶圓之一邊緣。然而，一些製造操作可能需要具有較高黏度之液體材料，例如具有大於100毫帕-秒之一黏度之光阻劑材料，諸如聚酰亞胺。歸因於高黏度，液體或光阻劑難以均勻地散開，因此經分散液體之一厚度輪廓可能係非均勻的。參考圖1，圖1展示根據本揭露之一些實施例之形成於一晶圓2 (圖4中所展示)上之一光阻劑層3 (圖4中所展示)之一厚度輪廓。水平軸表示一晶圓2上之位置且垂直軸表示光阻劑層3之一厚度輪廓。圍繞晶圓之一中心之光阻劑層3之一厚度可大於光阻劑層3接近晶圓之一邊緣之一厚度。若由複數個共面噴嘴將一顯影溶液均勻地施覆至具有一非均勻厚度輪廓之前述光阻劑層3之一頂表面，則光阻劑層3之較厚部分(其等曝光圖案應被完全移除)可保留光阻劑層3之較厚部分周圍之一些光阻劑殘留物。
歸因於半導體裝置之小構件，需要更精確地控制光微影操作。光阻劑層3之此非均勻厚度輪廓可能使後續操作(諸如光微影操作、蝕刻操作、沉積操作或類似者)之效能劣化，且因此使所製造裝置之良率降級。因此，需要一種適於非均勻光阻劑層顯影之設備及方法。
參考圖2A，圖2A展示根據本揭露之一些實施例之製造一半導體結構之一方法之製作操作。製造一半導體結構之方法1000包含：在一基板上方形成一光阻劑層(操作1002)；照射光阻劑層(操作1005)；及藉由由本揭露提供之一設備在光阻劑層上施配一顯影溶液(操作1008)，該等操作隨後將在圖3至圖7B中論述。如先前在圖1中所論述，在操作1002中施覆於晶圓之一頂表面上之一光阻劑材料可為正性或負性光阻劑。在一些實施例中，光阻劑材料可具有大於100毫帕-秒(mPa*s)之一黏度。例如，聚酰亞胺(PI)具有自約1400至1600 (mPa*s)之一範圍內之一黏度。在操作1005中，用來照射光阻劑層3 (圖4中所展示)之曝光源可為光學光、x射線、外部射線、電子束、高斯光束、可變形狀之光束、紫外線光束、極紫外線(EUV)光束、準分子雷射、雷射或類似者。在操作1008中，顯影溶液可包含正性顯影劑(PTD)或負性顯影劑(NTD)，諸如四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液、二甲基苯(C8 H10 )溶液、氫氧化鉀(KOH)溶液、氫氧化鈉(NaOH)溶液、無金屬離子(MIF)顯影劑、有機顯影劑、無機顯影劑或類似者。
參考圖2A及圖2B，圖2B展示根據本揭露之一些實施例之用於製造一半導體結構之一方法之製作操作。用於製造一半導體結構之製程流程1000'包含圖2A中所提及之操作且可進一步包含在以下操作之前在晶圓之一表面上執行一或多個操作，諸如表面處理(操作1001)：操作1002、操作1002與操作1005之間的軟烘烤(操作1003)及冷卻操作(操作1004)、操作1005與操作1008之間的曝光後烘烤(操作1006)及冷卻操作(操作1007)、及/或在操作1008之後移除光阻劑層3之一預定部分(可為一顯影部分或一未顯影部分)之沖洗操作(操作1009)。
參考圖2A、圖3及圖4，圖3係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一示意圖，且圖4係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一剖面圖。用於施配液體材料之設備包含一施配臂1及一晶圓固持器4 (其具有面對施配臂1之一底表面S之一頂表面S')，因為可在操作1008中使用該設備以施配一顯影溶液。一晶圓2經放置於晶圓固持器4之頂表面S'上，其中晶圓2之一頂表面S''面向施配臂1之底表面S。晶圓固持器4可包含一旋轉組件(諸如驅動馬達)，使得至少在操作1008中晶圓固持器4可使晶圓2在施配臂1下方旋轉。晶圓2之一中心可位於經過晶圓固持器4之頂表面S'之一中心C之一旋轉軸上。
出於示範施配臂1之組態之目的，在圖3中繪示一第一假想平面P及一第二假想平面Q。第一假想平面P及第二假想平面Q垂直於晶圓固持器4之頂表面S'且在晶圓固持器4之中心C處彼此交叉。第一假想平面P正交於第二假想平面Q。因此，可藉由第二假想平面Q界定施配臂1之一第一側QA及一第二側QB，即，第一側QA與第二側QB相對，而第一側QA及第二側QB藉由第二假想平面Q分離。在一些實施例中，第一假想平面Q可稱為施配臂1之中心參考平面。
至少一個噴嘴66經放置於施配臂1之底表面S上，且各噴嘴66具有用於施配顯影溶液之一孔隙66'。在一些實施例中，孔隙66'允許噴嘴66之各者以一實質上相同之施配角(α)施配液體材料。施配臂1之底表面S可為一彎曲表面、一傾斜表面、遠離晶圓固持器4之一凹入表面或多個組合表面。隨後在圖5A至圖5E中所論述之一施配臂1a及隨後在圖6A至圖6C中所論述之一施配臂1b係繪示施配臂1之一些變動之實施例。
參考圖5A，圖5A係繪示根據本揭露之一些實施例之施配液體材料之一設備之一示意圖式。至少一第一噴嘴66A放置在第一側QA上施配臂1a之底表面S處，且視情況，一第二噴嘴66B放置在第二側QB上施配臂1a之底表面S處。然而，噴嘴之數目不限於本文中所繪示之圖。施配臂1a上之噴嘴之任何合適數目係在本揭露之預期範疇內。在一些實施例中，第一噴嘴66A及第二噴嘴66B經放置於第一假想平面P上。一第一距離DA使第一噴嘴66A與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第一高度HA1使第一噴嘴66A與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。一第二距離DB使第二噴嘴66B與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第二高度HB1使第二噴嘴66B與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在一些實施例中，第一距離DA可不同於第二距離DB，且第一高度HA1可不同於第二高度HB1。例如，噴嘴與晶圓2之頂表面S''之間垂直隔開的一高度和噴嘴與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開的一距離負相關，即，若第一距離DA大於第二距離DB，則第二高度HB1可大於第一高度HA1。在一些其他實施例中，為了以關於第二假想平面Q之一對稱方式施配液體材料，第一噴嘴66A及第二噴嘴66B可以關於第二假想平面Q之一對稱方式放置。換言之，第一距離DA可相同於第二距離DB，而第一高度HA1可相同於第二高度HB1。
參考圖5B及圖5C，圖5B及圖5C係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。一第一噴嘴66A1及視情況一第二噴嘴66A2放置在第一側QA上施配臂1a之底表面S處。然而，噴嘴之數目不限於本文中所繪示之圖。施配臂1a上之噴嘴之任何合適數目係在本揭露之預期範疇內。在一些實施例中，第一噴嘴66A1及第二噴嘴66A2經放置於第一假想平面P上。一第一距離DA1使第一噴嘴66A1與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第一高度HA1使第一噴嘴66A1與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。一第二距離DA2使第二噴嘴66A2與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第二高度HA2使第二噴嘴66A2與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第二距離DA2大於第一距離DA1，且第一高度HA1大於第二高度HA2。一第二區ZA2係第二噴嘴66A2投影於晶圓2之一頂表面S"上之一區域，且一第一區ZA1係第一噴嘴66A1投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域。在本文中，第二區ZA2比第一區ZA1更靠近晶圓2之一邊緣2e。
第一噴嘴66A1及第二噴嘴66A2可以一實質上相同之施配角(α)施配液體材料。因為第一噴嘴66A1比第二噴嘴66A2更遠離晶圓2之頂表面S"，所以第一噴嘴66A1可將液體材料直接施覆於頂表面S"之一第一區域RA1上，第一區域RA1大於由自第二噴嘴66A2施配之液體材料直接施覆之一第二區域RA2。藉此，第一區域RA1內之顯影溶液之一覆蓋窗大於第二區域RA2內之顯影溶液之一覆蓋窗，因此第一區域RA1內之一顯影效應大於第二區域RA2內之一顯影效應。在本文中，遠離第二假想平面P之第二區域RA2之一邊緣比遠離第二假想平面P之第一區域RA1之一邊緣更遠離晶圓2之中心，例如在使具有約150 mm之一直徑之一晶圓顯影之一操作中，遠離第二假想平面P之第二區域RA2之邊緣具有約150 mm之一直徑，而遠離第二假想平面P之第一區域RA1之邊緣具有約100 mm之一直徑。在一些實施例中，第一區ZA1係在第一區域RA1內且第二區ZA2係在第二區域RA2內。以此方式，光阻劑層3 (圖1及圖4中所繪示)之非均勻厚度輪廓可由第一噴嘴66A1及第二噴嘴66A2之前述組態來補償。
參考圖5D及圖5E，圖5D及圖5E係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。在一些實施例中，至少兩個噴嘴可放置於施配臂1a之底表面S處以便在改良準確度控制之情況下增強顯影效率且補償(圖1及圖4中所繪示)光阻劑層3之非均勻厚度輪廓。出於簡明目的，圖5D及圖5E繪示施配臂1a之實施例，施配臂1a具有放置於其底表面S處之六個噴嘴，各噴嘴被表示為一第一噴嘴66A1、一第二噴嘴66A2、一第三噴嘴66A3、一第四噴嘴66B1、一第五噴嘴66B2及一第六噴嘴66B3，但應注意，噴嘴之數目在本揭露中不受限。熟習此項技術者可能夠將類似組態應用於具有至少兩個噴嘴之一施配臂。
在一些實施例中，前述噴嘴之至少一者經放置於施配臂1a之第一側QA上，且該等噴嘴之至少一者經放置於施配臂1a之第二側QB上。例如，第一噴嘴66A1、第二噴嘴66A2及第三噴嘴66A3經放置於第一側QA上，而第四噴嘴66B1、第五噴嘴66B2及第六噴嘴66B3經放置於第二側QB上。
一第一距離DA1使第一噴嘴66A1與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第一高度HA1使第一噴嘴66A1與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。一第二距離DA2使第二噴嘴66A2與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第二高度HA2使第二噴嘴66A2與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第二距離DA2大於第一距離DA1且第一高度HA1大於第二高度HA2。一第三距離DA3使第三噴嘴66A3與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第三高度HA3使第三噴嘴66A3與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第三距離DA3大於第二距離DA2；而第二高度HA2大於第三高度HA3。
一第四距離DB1使第四噴嘴66B1與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第四高度HB1使第四噴嘴66B1與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。一第五距離DB2使第五噴嘴66B2與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第五高度HB2使第五噴嘴66B2與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第五距離DB2大於第四距離DB1且第四高度HB1大於第五高度HB2。一第六距離DB3使第六噴嘴66B3與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第六高度HB3使第六噴嘴66B3與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第六距離DB3大於第五距離DB2且第五高度HB2大於第六高度HB3。
在一些實施例中，為了以關於第二假想平面Q之一對稱方式施配液體材料以更準確地控制顯影速率，第一噴嘴66A1、第二噴嘴66A2、第三噴嘴66A3、第四噴嘴66B1、第五噴嘴66B2及第六噴嘴66B3亦可以關於第二假想平面Q之一對稱方式沿第一假想平面P放置。換言之，第一距離DA1可相同於第四距離DB1，第二距離DA2可相同於第五距離DB2，且第三距離DA3可相同於第六距離DB3。第一高度HA1可相同於第四高度HB1，第二高度HA2可相同於第五高度HB2，且第三高度HA3可相同於第六高度HB3。
第一噴嘴66A1至第六噴嘴66B3可以一實質上相同之施配角(α)施配液體材料。由經施配液體材料施覆之一區域之一面積和噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間的一高度正相關，而噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的高度和噴嘴與晶圓2之中心C之間橫向隔開的一距離負相關。因此，第一噴嘴66A1可將液體材料直接施覆於頂表面S"之一第一區域RA1上，該第一區域RA1大於由自第二噴嘴66A2施配之液體材料直接施覆之一第二區域RA2，且第二區域RA2大於由自第三噴嘴66A3施配之液體材料直接施覆之第三區域RA3。第四噴嘴66B1、第五噴嘴66B2與第六噴嘴66B3之間的關係與其類似。第四噴嘴66B1可將液體材料直接施覆於頂表面S"之一第四區域RB1上，該第四區域RB1大於由自第五噴嘴66B2施配之液體材料直接施覆之一第五區域RB2，且第五區域RB2大於由自第六噴嘴66B3施配之液體材料直接施覆之第六區域RB3。在本文中，遠離第二假想平面P之第三區域RA3之一邊緣比遠離第二假想平面P之第二區域RA2之一邊緣更遠離晶圓2之中心，且遠離第二假想平面P之第二區域RA2之邊緣比遠離第二假想平面P之第一區域RA1之一邊緣更遠離晶圓2之中心。例如，在使具有約150 mm之一直徑之一晶圓顯影之一操作中，遠離第二假想平面P之第三區域RA3之邊緣具有約150 mm之一直徑，遠離第二假想平面P之第二區域RA2之邊緣具有約100 mm之一直徑，而遠離第二假想平面P之第一區域RA1之邊緣具有約50 mm之一直徑。
遠離第二假想平面P之第六區域RB3之一邊緣比遠離第二假想平面P之第五區域RB2之一邊緣更遠離晶圓2之中心，且遠離第二假想平面P之第五區域RB2之邊緣比遠離第二假想平面P之第四區域RB1之一邊緣更遠離晶圓2之中心。在一些實施例中，第四區域RB1、第五區域RB2及第六區域RB3可分別與第一區域RA1、第二區域RA2及第三區域RA3對稱。
一第一區ZA1係第一噴嘴66A1投影於晶圓2之一頂表面S"上之區域，一第二區ZA2係第二噴嘴66A1投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域，且第三區ZA3係第三噴嘴66A3投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域。類似地，一第四區ZB1係第四噴嘴66B1投影於晶圓之一頂表面S"上之一區域，一第五區ZB2係第五噴嘴66B1投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域，且第六區ZB3係第六噴嘴66B3投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域。在一些實施例中，第一區ZA1、第二區ZA2、第三區ZA3、第四區ZB1、第五區ZB2、第六區ZB3分別係在第一區域RA1、第二區域RA2、第三區域RA3、第四區域RB1、第五區域RB2及第六區域RB3內。
藉此，使接近晶圓2之中心之頂表面S"顯影之一覆蓋窗大於使接近晶圓2之邊緣2e之頂表面S"顯影之一覆蓋窗，因此接近晶圓2之中心之一顯影效應大於接近晶圓2之邊緣2e之一顯影效應。以此方式，(圖1及圖4中所繪示)光阻劑層3之非均勻厚度輪廓可由圖5D及圖5E中所繪示之前述組態來補償。
參考圖6A，圖6A係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一剖面圖。至少一第一噴嘴66位於施配臂1b之一底表面S上，本文中之底表面S包含遠離晶圓固持器4凹入之一彎曲表面9，且彎曲表面9具有一第一端E1及與第一端E1相對之一第二端E2。一第一切線TL1通過第一端E1且一第二切線TL2通過第二端E2，其中第一切線TL1與第二切線TL2之間的一銳夾角θ大於0。在一些實施例中，底表面S可進一步包含周邊區域中之平坦延伸部分，但平坦延伸部分不可被視為彎曲表面9之一部分，因此此平坦延伸部分之外端不可被視為第一端E1及第二端E2。噴嘴66可以一施配角(α)施配液體材料。
參考圖6B及圖6C，圖6B及圖6C係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。在一些實施例中，複數個噴嘴66可放置於施配臂1a之底表面S處以便在改良準確度控制之情況下增強顯影效率且補償(圖1及圖4中所繪示)光阻劑層3之非均勻厚度輪廓。出於簡明目的，圖6B及圖6C繪示施配臂1b之實施例，施配臂1b具有放置於彎曲表面9處之四個噴嘴66。各噴嘴被表示為一第一噴嘴66A1'、一第二噴嘴66A2'、一第三噴嘴66B1'及一第四噴嘴66B2'，但應注意，噴嘴66之數目在本揭露中不受限。熟習此項技術者可能夠將類似組態應用於具有至少兩個噴嘴之一施配臂。
在一些實施例中，前述噴嘴之至少一者經放置於施配臂1b之底表面S處。例如，第一噴嘴66A1'及第二噴嘴66A2'經放置於第一側QA上，而第三噴嘴66B1'及第四噴嘴66B2'經放置於第二側QB上。
一第一距離DA1'使第一噴嘴66A1'與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第一高度HA1'使第一噴嘴66A1'與晶圓固持器之頂表面S'之間垂直隔開。一第二距離DA2'使第二噴嘴66A2'與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第二高度HA2'使第二噴嘴66A2'與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第二距離DA2'大於第一距離DA1'且第一高度HA1'大於第二高度HA2'。
一第三距離DB1'使第三噴嘴66B1'與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第三高度HB1'使第三噴嘴66B1'與晶圓固持器之頂表面S'之間垂直隔開。一第四距離DB2'使第四噴嘴66B2'與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開，且一第四高度HB2'使第四噴嘴66B2'與晶圓固持器4之頂表面S'之間垂直隔開。在本文中，第四距離DB2'大於第三距離DB1'且第三高度HB1'大於第四高度HB2'。
在一些實施例中，為了以關於第二假想平面Q之一對稱方式施配液體材料以更準確地控制顯影速率，第一噴嘴66A1'、第二噴嘴66A2'、第三噴嘴66B1'及第四噴嘴66B2'可以關於第二假想平面Q之一對稱方式放置於第一假想平面P上。換言之，第一距離DA1'可相同於第三距離DB1'，且第二距離DA2'可相同於第四距離DB2'。第一高度HA1'可相同於第三高度HB1'，且第二高度HA2'可相同於第四高度HB2'。
第一噴嘴66A1'、第二噴嘴66A2'、第三噴嘴66B1'及第四噴嘴66B2'可以一實質上相同之施配角(α)施配液體材料。由經施配液體材料施覆之一區域之一面積和噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間的一高度正相關，而噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的高度和噴嘴與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開的一距離負相關。因此，第一噴嘴66A1'可將液體材料直接施覆於頂表面S"之一第一區域RA1'上，該第一區域RA1'大於由自第二噴嘴66A2'施配之液體材料直接施覆之一第二區域RA2'。第三噴嘴66B1'可將液體材料施覆直接於頂表面S"之一第三區域RB1'上，第三區域RB1'大於由自第五噴嘴66B2施配之液體材料施覆之一第四區域RB2'。在本文中，遠離第二假想平面P之第二區域RA2'之一邊緣比遠離第二假想平面P之第一區域RA1'之一邊緣更遠離晶圓2之中心。遠離第二假想平面P之第四區域RB2'之一邊緣比遠離第二假想平面P之第三區域RB1'之一邊緣更遠離晶圓2之中心。例如，在使具有約150 mm之一直徑之一晶圓顯影之一操作中，遠離第二假想平面P之第二區域RA2'之邊緣具有約150 mm之一直徑，遠離第二假想平面P之第一區域RA1'之邊緣具有約100 mm之一直徑。在一些實施例中，第三區域RB1'及第四區域RB2'可分別與第一區域RA1'及第二區域RA2'對稱。
一第一區ZA1'係第一噴嘴66A1'投射於晶圓2之一頂表面S"上之一區域，一第二區ZA2'係第二噴嘴66A2'投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域，一第三區ZB1'係第三噴嘴66B1'投影於晶圓2之頂表面S"上之一區域，且一第四區ZB2係第四噴嘴66B2'投影於晶圓2之一頂表面S"上之一區域。在一些實施例中，第一區ZA1'、第二區ZA2'、第三區ZB1'及第四區ZB2'分別係在第一區域RA1'、第二區域RA2'、第三區域RB1'及第四區域RB2'內。
藉此，使接近晶圓2之中心之頂表面S"顯影之一覆蓋窗大於使接近晶圓2之邊緣2e之頂表面S"顯影之一覆蓋窗，因此接近晶圓2之中心之一顯影效應大於接近晶圓2之邊緣2e之一顯影效應。以此方式，(圖1及圖4中所繪示)光阻劑層3之非均勻厚度輪廓可由圖6B及圖6C中所繪示之前述組態來補償。
參考圖2及圖7B至圖7C，圖7B及圖7C係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。由經施配液體材料施覆之一區域之一面積和噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間的一高度正相關。因此，在一些實施例中，該設備可進一步包含一可調諧機構77以調整一噴嘴與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的一高度，使得亦可調整經施配面積。可調諧機構77可應用於施配臂1，包含先前在圖5A至圖6C中所論述之施配臂1a或施配臂1b。可調諧機構77可包含驅動螺釘、定位螺釘、連桿、樞軸、緊固件或類似者，因為可調諧機構77之調整可自動或手動執行。在一些實施例中，可調諧機構77可為複數個小配件，其等經定位以個別地調整施配臂1a/1b之表面S上之噴嘴66之各者。一般技術者應明白，只要先前所提出之噴嘴之一高度輪廓(包含HA1、HA2、HA3、HB1、HB2、HB3等)可藉由自動或手動調諧來達成，施配臂1a/1b之表面S可不必係彎曲、凹入或傾斜。在一些實施例中，施配臂1a/1b之表面S係平坦的，具有個別可調整之噴嘴，其中細節可參考圖7D。
為了改良施配輪廓之準確度，基於形成在晶圓2上之一光阻劑層3 (圖4中所展示)之一厚度輪廓來調整施配臂1。因此，在調整施配臂1之前量測光阻劑層3之一厚度輪廓，使得可根據光阻劑層3之厚度輪廓執行調整。在本文中，可在一基板上方形成光阻劑層(操作1002)之後或在照射光阻劑層(操作1005)之後執行量測。在一些實施例中，為了獲得一光阻劑層3之一更精確厚度輪廓，在緊接於軟烘烤(操作1003)之後的一冷卻操作(操作1004)或緊接於曝光後烘烤(操作1006)之後的一冷卻操作(操作1007)之後量測厚度輪廓，因為光阻劑層3之厚度輪廓可歸因於高溫而變化，而可在低於烘烤中所需之一溫度之一溫度下執行在光阻劑層上施配一顯影溶液(操作1008)。
參考圖7A，本文將在圖5A至圖5E中所論述之施配臂1a用作一例示性示範。可調諧機構77經連接至施配臂1a，使得調整噴嘴66之各者與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的一高度以及其高度和噴嘴66與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開的一距離之間的相關性。
參考圖7B，本文將在圖6A至圖6C中所論述之施配臂1b用作一例示性示範。可調諧機構77經連接至施配臂1b，使得可調諧彎曲表面9之一曲率或第一切線TL1與第二切線TL2之間的夾角θ。藉此，調整噴嘴66之各者與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的一高度以及其高度和噴嘴66與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開的一距離之間的相關性。
參考圖7C，可調諧機構77經連接至噴嘴66，使得調整噴嘴66之各者與晶圓2之頂表面S"之間垂直隔開的一高度。藉此，調整其高度和調整噴嘴66與晶圓固持器4之中心C橫向隔開的一距離之間的相關性。參考圖7D，圖7D係展示根據本發明之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一剖面圖。施配臂1a/1b之表面S係平坦的，其中由可調諧機構77單獨地調整個別可調諧噴嘴。藉此，調整其高度和噴嘴66與晶圓固持器4之中心C之間橫向隔開的一距離之間的相關性。
本揭露之一些實施例提供一種用於施配液體材料之設備及一種製造一半導體裝置之方法。由於形成在一晶圓2上之光阻劑層3之一厚度輪廓可能係非均勻的(因為一高黏度光阻劑材料可在旋塗下非均勻地分散於晶圓2上方)，藉此在一中心部分周圍具有一更大厚度。為了補償光阻劑層3之此非均勻厚度輪廓，顯影溶液經施配使得橫向更靠近晶圓固持器4之中心C之一噴嘴施配顯影溶液而覆蓋比橫向更遠離晶圓固持器4之中心C之一噴嘴更大之一區域，藉此使接近晶圓2之中心之頂表面S"顯影之一覆蓋窗大於使接近晶圓2之邊緣2e之頂表面S"顯影之一覆蓋窗，接近晶圓2之中心之一顯影效應大於接近晶圓2之邊緣2e之一顯影效應。
本揭露之一些實施例可進一步提供可調諧機構77以調諧施配臂1。可量測形成於一晶圓2上之光阻劑層3之一厚度輪廓，使得可根據其厚度輪廓調整施配臂1。以此方式，可改良使一非均勻光阻劑層3顯影之準確度。
本揭露之一些實施例提供一種用於施配液體材料之設備，其包含：一施配臂；一晶圓固持器，其抵靠該施配臂；一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度在該第一噴嘴與該晶圓固持器之一表面之間垂直隔開；及一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度在該第二噴嘴與該晶圓固持器之該表面之間垂直隔開，其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。
本揭露之一些實施例提供一種用於施配一顯影溶液之設備，其包含：一施配臂，其具有面向一晶圓固持器之一表面，該表面包括通過該表面之一端之一第一切線及通過該表面之一相對端之一第二切線，該第一切線與該第二切線之間的一夾角大於零；及一第一噴嘴，其放置於該表面處。
本揭露之一些實施例提供一種用於製造一半導體結構之方法，其包含：在一基板上方形成一光阻劑層；照射該光阻劑層；及藉由該設備在該光阻劑層上施配一顯影溶液以形成一光阻圖案，其中該設備包括：一施配臂；一晶圓固持器，其抵靠該施配臂；一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度在該第一噴嘴與該晶圓固持器之一表面之間垂直隔開；及一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度在該第二噴嘴與該晶圓固持器之該表面之間垂直隔開，其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。
前述內容概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應明白，其等可容易使用本揭露作為設計或修改實行本文中所介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認知，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
此外，本申請案之範疇並非意欲限於說明書中所描述之製程、機器、製作、物質組合物、構件、方法及步驟之特定實施例。如一般技術者自本揭露之揭露內容將容易明白，可根據本揭露利用與本文中所描述之對應實施例執行實質上相同功能或達成相同結果之目前存在或以後開發之製程、機器、製作、物質組合物、構件、方法或步驟。據此，隨附發明專利申請範圍意欲在其等之範疇內包含此等製程、機器、製作、物質組合物、構件、方法或步驟。
1:施配臂 1a:施配臂 1b:施配臂 2:晶圓 2e:邊緣 3:光阻劑層 4:晶圓固持器 9:彎曲表面 66:噴嘴 66':孔隙 66A:第一噴嘴 66A1:第一噴嘴 66A1':第一噴嘴 66A2:第二噴嘴 66A2':第二噴嘴 66A3:第三噴嘴 66B :第二噴嘴 66B1:第四噴嘴 66B1':第三噴嘴 66B2:第五噴嘴 66B2':第四噴嘴 66B3:第六噴嘴 77:可調諧機構 1000:方法 1000':製程流程 1001:操作 1002:操作 1003:操作 1004:操作 1005:操作 1006:操作 1007:操作 1008:操作 1009:操作 C:中心 DA :第一距離 DA1':第一距離 DA1:第一距離 DA2:第二距離 DA2':第二距離 DA3:第三距離 DB:第二距離 DB1:第四距離 DB1':第三距離 DB2:第五距離 DB2':第四距離 DB3:第六距離 E1:第一端 E2:第二端 HA1:第一高度 HA1':第一高度 HA2:第二高度 HA2':第二高度 HA3:第三高度 HB1:第二高度/第四高度 HB1':第三高度 HB2:第五高度 HB2':第四高度 HB3:第六高度 P:第一假想平面 Q:第二假想平面 QA :第一側 QB:第二側 RA1:第一區域 RA1':第一區域 RA2:第二區域 RA2':第二區域 RA3:第三區域 RB1:第四區域 RB1':第三區域 RB2:第五區域 RB2':第四區域 RB3:第六區域 S:底表面 S':頂表面 S'':頂表面 TL1:第一切線 TL2:第二切線 ZA1:第一區 ZA1':第一區 ZA2:第二區 ZA2':第二區 ZA3:第三區 ZB1:第四區 ZB1':第三區 ZB2:第五區 ZB2':第四區 ZB3:第六區 α:施配角
當結合附圖閱讀時，自下文詳細描述最佳地理解本揭露之態樣。應注意，根據標準行業實踐，各種構件不一定按比例繪製。事實上，為清楚論述起見，可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1展示根據本揭露之一些實施例之形成於一晶圓上之一光阻劑層之一厚度輪廓。
圖2A展示根據本揭露之一些實施例之用於製造一半導體結構之一方法之製作操作。
圖2B展示根據本揭露之一些實施例之用於製造一半導體結構之一方法之製作操作。
圖3係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一示意圖。
圖4係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一剖面圖。
圖5A係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之一剖面圖。
圖5B至圖5C係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。
圖5D至圖5E係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。
圖6A至圖6C係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。
圖7A至圖7D係展示根據本揭露之一些實施例之用於施配液體材料之一設備之剖面圖。
1a:施配臂
2:晶圓
2e:邊緣
66A1:第一噴嘴
66A2:第二噴嘴
66A3:第三噴嘴
66B1:第四噴嘴
66B2:第五噴嘴
66B3:第六噴嘴
C:中心
Q:第二假想平面
QA:第一側
QB:第二側
RA1:第一區域
RA2:第二區域
RA3:第三區域
RB1:第四區域
RB2:第五區域
RB3:第六區域
S:底表面
S':頂表面
ZA1:第一區
ZA2:第二區
ZA3:第三區
ZB1:第四區
ZB2:第五區
ZB3:第六區
α:施配角

Claims (1)

  1. 一種施配液體材料之設備，其包括： 一施配臂； 一晶圓固持器，其抵靠該施配臂； 一第一噴嘴，其在該施配臂上，一第一距離橫向隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一中心且一第一高度垂直隔開該第一噴嘴及該晶圓固持器之一表面；及 一第二噴嘴，其在該施配臂上，一第二距離橫向隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該中心且一第二高度垂直隔開該第二噴嘴及該晶圓固持器之該表面， 其中該第二距離大於該第一距離，且該第一高度大於該第二高度。
TW108134459A 2018-10-25 2019-09-24 施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法 TW202105085A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862750561P 2018-10-25 2018-10-25
US62/750,561 2018-10-25
US16/439,274 2019-06-12
US16/439,274 US10691020B2 (en) 2018-10-25 2019-06-12 Apparatus for dispensing liquid material and method for fabricating semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202105085A true TW202105085A (zh) 2021-02-01

Family

ID=70328294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108134459A TW202105085A (zh) 2018-10-25 2019-09-24 施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10691020B2 (zh)
CN (1) CN111105998A (zh)
TW (1) TW202105085A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10691020B2 (en) * 2018-10-25 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for dispensing liquid material and method for fabricating semiconductor device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
JP3688976B2 (ja) * 2000-05-24 2005-08-31 東京エレクトロン株式会社 処理液吐出装置
US9213234B2 (en) 2012-06-01 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photosensitive material and method of lithography
US9256133B2 (en) 2012-07-13 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for developing process
US9028915B2 (en) 2012-09-04 2015-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a photoresist layer
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US9012132B2 (en) 2013-01-02 2015-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Coating material and method for photolithography
US9223220B2 (en) 2013-03-12 2015-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photo resist baking in lithography process
US9146469B2 (en) 2013-03-14 2015-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Middle layer composition for trilayer patterning stack
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9536759B2 (en) 2015-05-29 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Baking apparatus and method
US10691020B2 (en) * 2018-10-25 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for dispensing liquid material and method for fabricating semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20200133130A1 (en) 2020-04-30
CN111105998A (zh) 2020-05-05
US11048170B2 (en) 2021-06-29
US10691020B2 (en) 2020-06-23
US20200326626A1 (en) 2020-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10262880B2 (en) Cover plate for wind mark control in spin coating process
TW202105085A (zh) 施配液體材料之設備以及製造半導體裝置的方法
TWI391779B (zh) 光罩坯片及轉印光罩
KR100964772B1 (ko) 포토마스크 블랭크의 제조 방법 및 제조 장치와, 불필요한 막 제거 장치
US11562968B2 (en) Apparatus for lithographically forming wafer identification marks and alignment marks
KR101004068B1 (ko) 포토레지스트를 이용한 마스킹 방법
JP4376930B2 (ja) マスクブランクスの製造方法
JP2009081250A (ja) スピンコーター用チャック及びそれを用いたスピンコート方法
WO2019129104A1 (zh) 一种膜层套孔及阵列基板制备方法
TWI432907B (zh) 形成光阻之裝置、空白光罩、及空白光罩之製造方法
JPH11233406A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP4413901B2 (ja) 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにマスクブランクス製造方法
KR100366615B1 (ko) 케미컬 공급노즐을 구비한 스피너장비, 이를 이용한 패턴형성방법 및 식각 방법
JP3895651B2 (ja) 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法
CN107918250A (zh) Ntd工艺中的光阻去边方法以及光阻去边机台
US9929124B2 (en) Method for bonding substrates
TW584909B (en) Microelectronic substrate edge bead processing apparatus and method
JP4376929B2 (ja) 不要膜除去装置、および不要膜除去方法、並びにマスクブランクスの製造方法
KR20060071228A (ko) 반도체 소자의 패턴 및 그 형성방법
Eibelhuber et al. Combined Thick Resist Processing and Topography Patterning for Advanced Metal Plating
JP2019145578A (ja) ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法
JP2006139271A (ja) 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法
US11855015B2 (en) Polyimide profile control
CN106094420B (zh) 掩模板及其制作方法
JP2011100065A (ja) ペリクル膜の製造方法および装置