TW202104492A - 背面研磨帶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。本發明之背面研磨帶具備：基材、及形成於該基材之一面之黏著劑層。該黏著劑層係由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。上述黏著賦予劑係重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g，該黏著劑組合物中之該黏著賦予劑之含量相對於基礎聚合物100重量份為5重量份以上。本發明之背面研磨帶之該黏著劑層之活性能量線照射前的黏著力為15 N/20 mm以上。

Description

背面研磨帶
本發明係關於一種背面研磨帶。
半導體晶圓係以大直徑之狀態來製造，且於表面形成圖案後，對背面進行研削(背面研磨)，通常將晶圓之厚度減薄至40 μm～600 μm左右。繼而，為了調整半導體晶圓面等而進行濕式蝕刻步驟並進行研削後之半導體晶圓被切斷分離(切割)為元件小片後，進而移至安裝步驟，獲得所需之半導體元件。背面研磨步驟中，為了固定半導體晶圓、又保護與研削面為相反側之面，而使用黏著帶(背面研磨帶)(例如，專利文獻1)。對於該黏著帶，要求具有充分之密接性以使在濕式蝕刻步驟中蝕刻液不會侵入至不供於蝕刻處理之面(即，貼合有黏著帶之面)，且具有對酸性或鹼性蝕刻液之耐性(耐化學品性)。但是，於使用具有密接性較高之黏著劑層之背面研磨帶之情形時，有產生由糊劑殘留所導致之晶圓之污染之問題。又，近年來，進行使用各層之大小不同之積層體之半導體晶圓之加工。於使用此種積層體之情形時，黏著劑糊劑殘留於各層之階差部分，而產生糊劑污染晶圓端部之問題。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2011-151163號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述先前問題而完成者，其主要目的在於提供一種具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。 [解決問題之技術手段]
本發明之背面研磨帶具備：基材、及形成於該基材之一面之黏著劑層。該黏著劑層由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。該黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g，該黏著劑組合物中之黏著賦予劑之含量相對於基礎聚合物100重量份為5重量份以上。該背面研磨帶之黏著劑層之活性能量線照射前之黏著力為15 N/20 mm以上。 於一實施形態中，上述黏著劑層之活性能量線照射後之黏著力為1.0 N/20 mm以下。 於一實施形態中，上述黏著劑層之活性能量線照射前之拉伸彈性模數為0.15 MPa以上。 於一實施形態中，上述黏著賦予劑為選自由萜酚系樹脂、松香酚系樹脂、烷酚樹脂所組成之群中之至少1種。 [發明之效果]
根據本發明，提供一種具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。本發明之背面研磨帶具備：基材、及形成於該基材之一面之黏著劑層。該黏著劑層由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。該黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g，該黏著劑組合物中之黏著賦予劑之含量相對於基礎聚合物100重量份為5重量份以上。該背面研磨帶之黏著劑層之活性能量線照射前之黏著力為15 N/20 mm以上。藉由使用此種具有黏著劑層之背面研磨帶，可提供即便於供於濕式蝕刻步驟之情形時亦具有優異之耐化學品性及密接性且可防止剝離後糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。本發明之背面研磨帶即便於使用各層之大小不同之積層體作為半導體晶圓之情形時亦能夠防止糊劑殘留於晶圓端部。
以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明不限定於該等實施形態。
A.背面研磨帶之整體構成 圖1係本發明之一實施形態之背面研磨帶之概略剖視圖。圖示例之背面研磨帶100具備：基材20、及形成於該基材20之一面之黏著劑層10。實用中，為了在直到使用為止之期間內適當地保護黏著劑層10，而將隔片可剝離地暫時黏於黏著劑層10。黏著劑層10由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。關於背面研磨帶100，通常於半導體晶圓製作之步驟結束後，對黏著劑層10照射活性能量線以使黏著劑層硬化，藉此黏著力變小，而自被黏著體(半導體晶圓)剝離。關於黏著劑組合物之詳細情況，於下文進行敍述。
又，可視目的，對於上述基材20之供形成黏著劑層之面實施任意適當之表面處理。作為該表面處理，可列舉鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理、消光處理、電暈放電處理、底塗處理、交聯處理等。
背面研磨帶100之厚度可設定為任意適當之厚度。背面研磨帶100之厚度較佳為25 μm～500 μm，更佳為40 μm～300 μm。藉由使背面研磨帶100之厚度為上述範圍，可適宜地用於半導體晶圓之背面研磨步驟。
黏著劑層10之厚度較佳為5 μm～200 μm，更佳為10 μm～100 μm。又，基材20之厚度較佳為20 μm～300 μm，更佳為30 μm～200 μm。
於一實施形態中，本發明之背面研磨帶可貼附於各層之大小不同之積層體而供於半導體晶圓之製造步驟。藉由使用本發明之背面研磨帶，即便於將此種積層體作為被黏著體之情形時，亦可防止糊劑殘留於積層體之階差部分。
以下，詳細地對黏著劑層10及基材20進行說明。
B.黏著劑層 上述黏著劑層10由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。該黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g。本發明中使用之活性能量線硬化型黏著劑組合物相對於基礎聚合物100重量份包含5重量份以上之上述黏著賦予劑。藉由使用此種黏著劑組合物來形成黏著劑層，可獲得具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。
黏著劑層10之活性能量線照射前之黏著力為15 N/20 mm以上，較佳為17 N/20 mm以上，更佳為19 N/20 mm以上。藉由使黏著劑層之活性能量線照射前之黏著力為上述範圍，黏著劑層10與半導體晶圓密接，而可於背面研磨步驟中充分地保持半導體晶圓。黏著劑層10之活性能量線照射前之黏著力較佳為40 N/20 mm以下，更佳為30 N/20 mm以下。本說明書中黏著力係指將鏡面晶圓(矽製)作為試驗板，藉由依據JIS Z 0237(2000)之方法(貼合條件：2 kg輥往返1次、熟化：測定溫度下1小時、拉伸速度：300 mm/分鐘、剝離角度：180°、測定溫度：25℃)測定所得之黏著力。
又，活性能量線照射後之黏著劑層之黏著力較佳為1.0 N/20 mm以下，更佳為0.8 N/20 mm以下，進而較佳為0.6 N/20 mm以下。藉由使活性能量線照射後之黏著力為上述範圍，可防止糊劑殘留於晶圓。本說明書中，活性能量線照射後係指例如以70 mW/cm2 、10秒、700 mJ/cm2 之條件照射紫外線後之狀態。
活性能量線硬化前之黏著劑層之拉伸彈性模數較佳為0.15 MPa以上，更佳為0.18 MPa以上，進而較佳為0.20 MPa以上。又，活性能量線照射前之黏著劑層之拉伸彈性模數較佳為5 MPa以下，更佳為3 MPa以下，進而較佳為2 MPa以下。藉由使拉伸彈性模數為上述範圍，可防止糊劑殘留於晶圓。本說明書中，拉伸彈性模數可藉由實施例中所記載之方法來測定。
B-1.活性能量線硬化型黏著劑組合物 活性能量線硬化型黏著劑組合物包含基礎聚合物及黏著賦予劑。活性能量線硬化型黏著劑藉由照射活性能量線而黏著力可降低。因此，可良好地防止剝離時糊劑殘留於晶圓。作為活性能量線，例如可列舉：γ射線、紫外線、可見光、紅外線(熱線)、射頻波、α射線、β射線、電子束、電漿流、游離輻射、粒子束等。較佳為紫外線。
B-1-1.基礎聚合物 作為基礎聚合物，可使用任意適當之聚合物。例如可列舉：天然橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠、丁腈橡膠(NBR)等橡膠系聚合物；聚矽氧系聚合物；丙烯酸系聚合物等。該等聚合物可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。作為基礎聚合物，可較佳地使用丙烯酸系聚合物。再者，基礎聚合物係指黏著劑組合物中所含之聚合物之主成分。又，本說明書中所謂主成分於無特別說明之情形時係指含量超過50重量%之成分。
作為丙烯酸系聚合物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯(較佳為(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯)之均聚物或共聚物；該(甲基)丙烯酸烷基酯與其他共聚性單體之共聚物等。作為其他共聚性單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、富馬酸、馬來酸酐等含有羧基或酸酐基之單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等含羥基之單體；(甲基)丙烯酸嗎啉酯等含胺基之單體；(甲基)丙烯醯胺等含醯胺基之單體等。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為包含具有碳數為8以上之側鏈之結構單元。作為此種(甲基)丙烯酸系聚合物，例如可列舉：包含具有碳數為8以上之支鏈狀或直鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯作為主單體且包含與該主單體具有共聚性之副單體的單體原料之聚合物。本說明書中，主單體係指單體原料中佔據單體組成超過50重量%之成分。
藉由使用包含具有碳數為8以上之側鏈之結構單元之(甲基)丙烯酸系聚合物，可形成耐酸性及耐鹼性(耐化學品性)優異之黏著劑層。又，根據具備該黏著劑層之背面研磨帶，即便於將該背面研磨帶貼著於被黏著體(半導體晶圓)而構成積層體並將該積層體浸漬(濕式蝕刻)於酸性液體或鹼性液體中之情形時，亦可防止酸性液體或鹼性液體浸入至被黏著體與黏著劑層之間。進而，上述黏著劑層與耐酸性及耐鹼性優異之基材(例如，由聚烯烴或聚苯乙烯形成之基材)之密接性優異，因此只要將該基材與上述黏著劑層組合而構成背面研磨帶，則本發明之效果變得更顯著。又，藉由使用(甲基)丙烯酸系聚合物，可獲得具有適於背面研磨步驟之黏著力且剝離性亦優異而能夠無糊劑殘留地剝離之背面研磨帶。因此，本發明之背面研磨帶亦可適宜地用於作為半導體晶圓之各層之大小不同之積層體。
作為具有碳數為8以上之支鏈狀或直鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯(LA)、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
源自具有碳數為8以上之支鏈狀或直鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之含有比例相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，較佳為超過50重量份，更佳為60重量份～98重量份，更佳為70重量份～95重量份，進而較佳為75重量份～85重量份。
作為上述副單體，例如可列舉下述之單體。具有碳數為7以下之支鏈狀或直鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯；含羧基之單體：例如丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸；馬來酸、伊康酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸及其酸酐(馬來酸酐、伊康酸酐等)；含羥基之單體：例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類；2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物；含胺基之單體：例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯；含環氧基之單體：例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚；含氰基之單體：例如丙烯腈、甲基丙烯腈；含酮基之單體：例如二丙酮(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙醯乙酸烯丙酯、乙醯乙酸乙烯酯；具有含氮原子環之單體：例如N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基㗁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎啉；含烷氧基甲矽烷基之單體：例如3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷；含異氰酸基之單體：(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。該等副單體可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。
源自副單體之結構單元之含有比例相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，較佳為未達50重量份，更佳為2重量份～40重量份，進而較佳為5重量份～30重量份。若為此種範圍，則可形成凝集力較高且密接性優異之黏著劑層。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為20萬～300萬，更佳為25萬～150萬。重量平均分子量可藉由GPC(溶劑：THF)來測定。
B-1-2.黏著賦予劑 本發明中使用之黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g。藉由使用包含此種黏著賦予劑之黏著劑組合物來形成黏著劑層，可獲得具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。
黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上，較佳為500以上，更佳為600以上。又，重量平均分子量較佳為10000以下，更佳為8000以下，進而較佳為6000以下。藉由使黏著賦予劑之重量平均分子量為上述範圍，黏著賦予劑與基礎聚合物之相容性提高，可使黏著特性穩定化及防止再剝離時由糊劑殘留所導致之晶圓污染。黏著賦予劑之重量平均分子量例如可藉由GPC來測定。
黏著賦予劑之羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g，較佳為55 mgKOH/g～500 mgKOH/g，更佳為57 mgKOH/g～500 mgKOH/g，進而較佳為60 mgKOH/g～500 mgKOH/g。藉由使羥值為上述範圍，與基礎聚合物之相容性提高，可使黏著特性穩定化及防止再剝離時由糊劑殘留所導致之晶圓污染。本說明書中，上述羥值可藉由JIS K 0070-1992中規定之中和滴定法來測定。
作為黏著賦予劑，可使用重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500mgKOH/g之任意適當之樹脂。例如可列舉：未改性松香、改性松香、松香酚系樹脂等松香系黏著賦予樹脂、萜烯系樹脂、萜酚系樹脂、苯乙烯改性萜烯系樹脂、芳香族改性萜烯系樹脂、氫化萜烯系樹脂等萜烯系黏著賦予樹脂、脂肪族系烴樹脂、脂肪族系環狀烴樹脂、苯乙烯系樹脂、二甲苯系樹脂等芳香族系烴樹脂、脂肪族・芳香族系石油樹脂、脂肪族・脂環族系石油樹脂、氫化烴樹脂、熏草咔系樹脂、熏草咔茚系樹脂等烴系黏著賦予樹脂、酮系黏著賦予樹脂、聚醯胺系黏著賦予樹脂、環氧系黏著賦予樹脂、彈性體系黏著賦予樹脂等。可較佳地使用萜酚系樹脂、松香酚系樹脂、烷酚系樹脂。藉由使用其等作為黏著賦予劑，可提供具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。黏著賦予劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。
作為上述黏著賦予劑，亦可使用市售之黏著賦予樹脂。例如，作為萜酚系樹脂，可列舉YASUHARA CHEMICAL CO., LTD.製造之商品名：Mightyace G125(重量平均分子量：600、羥值：130 mgKOH/g)、Mightyace K125(重量平均分子量：700、羥值：200 mgKOH/g)、YS Polyster S145(重量平均分子量：1050、羥值：100 mgKOH/g)、YS Polyster T145(重量平均分子量：540、羥值：60 mgKOH/g)。作為烷酚系樹脂，可列舉荒川化學工業股份有限公司製造之商品名：Tamanol 526(重量平均分子量：1190、羥值：360 mgKOH/g)、Tamanol 521(重量平均分子量：565、羥值：320 mgKOH/g)等。
黏著賦予劑相對於基礎聚合物100重量份可使用5重量份以上。較佳為黏著賦予劑相對於基礎聚合物100重量份，可使用7重量份以上，更佳為使用10重量份以上，進而較佳為使用20重量份以上。又，較佳為黏著賦予劑相對於基礎聚合物100重量份，可使用50重量份以下，更佳為使用40重量份以下，進而較佳為使用30重量份以下。藉由將黏著賦予劑之含量設為上述範圍，可提供具有優異之耐化學品性及密接性且可防止糊劑殘留於晶圓之背面研磨帶。
B-1-3.聚合起始劑 作為聚合起始劑，可使用任意適當之起始劑，可較佳地使用光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可使用任意適當之起始劑。例如可列舉安息香甲基醚、安息香丙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚等安息香烷基醚類；苯偶醯、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮類之芳香族酮類；苯偶醯二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮、氯9-氧硫、十二烷基9-氧硫、二甲基9-氧硫𠮿、二乙基9-氧硫𠮿等9-氧硫𠮿類等。聚合起始劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。
作為上述光聚合起始劑，可使用市售品。例如可列舉BASF製造之商品名「 Irgacure651」、「Irgacure184」、「Irgacure369」、「Irgacure819」、「 Irgacure2959」等。
光聚合起始劑之使用量相對於基礎聚合物100重量份，較佳為0.01重量份～20重量份，更佳為0.1重量份～10重量份，進而較佳為0.5重量份～10重量份。
B-1-4.交聯劑 黏著劑組合物較佳為進而包含交聯劑。作為交聯劑，可使用任意適當之交聯劑。例如可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。交聯劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。
作為交聯劑，亦可使用市售品。具體而言，可列舉旭化成化學公司製造之商品名「 DURANATE TPA-100」、東曹公司製造之商品名「 CORONATE L」、商品名「 CORONATE HL」、商品名「 CORONATE HK」、商品名「 CORONATE HX」、商品名「 CORONATE 2096」等。
交聯劑之含量可設定為任意適當之量。黏著劑組合物中之交聯劑之含量相對於基礎聚合物100重量份，較佳為10重量份以下，更佳為0.1重量份以上且5重量份以下。
B-1-5.添加劑 黏著劑組合物亦可進而包含任意適當之添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉：塑化劑、防老化劑、填充劑、著色劑、抗靜電劑、界面活性劑等。上述添加劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。於使用2種以上之添加劑之情形時，可1種1種地添加，亦可同時添加2種以上之添加劑。黏著劑組合物中之上述添加劑之含量可設定為任意適當之量。
C.基材 作為構成上述基材之材料，可選擇任意適當之材料。作為構成基材之材料，例如可列舉：樹脂系材料(例如，片狀、網狀、織布、不織布、發泡片)、紙、金屬等。基材可為單層，亦可為由同一材料或不同之材料構成之多層。作為構成基材之樹脂之具體例，例如可列舉：聚酯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚醚酮、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素系樹脂、氟系樹脂、聚矽氧樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸及其等之交聯體等。
於一實施形態中，作為上述基材，可使用由聚烯烴系樹脂或聚苯乙烯系樹脂構成之基材。若使用此種基材，則可獲得耐酸性及耐鹼性優異之背面研磨帶。作為聚烯烴系樹脂之具體例，可列舉：聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯、其等之共聚物等。作為基材，亦可使用由上述樹脂構成之延伸膜。
上述基材亦可為多層構成。於一實施形態中，可使用包含由聚烯烴系樹脂構成之層、與由其他樹脂構成之層之基材。作為可與聚烯烴系樹脂組合之其他樹脂，例如可列舉：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物(EE(M)A、EM(M)A、EB(M)A)等。其中較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。若採用由上述共聚物構成之層作為多層構成中之1層，則可形成柔軟性優異之基材。該基材可發揮緩衝背面研磨時之衝擊之功能(防破裂功能)。
上述基材可藉由任意適當之方法製造。例如，可藉由壓延製膜、流延製膜、充氣擠壓、T模擠壓等方法進行製造。又，亦可視需要進行延伸處理來製造。
D.背面研磨帶之製造方法 本發明之背面研磨帶可藉由於上述基材上塗佈上述黏著劑組合物來製造。作為黏著劑組合物之塗佈方法，可採用棒式塗佈機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版反向塗佈、逆輥塗佈、模唇塗佈、模塗、浸漬塗佈、膠版印刷、柔版印刷、網版印刷等各種方法。又，亦可採用另行於隔片上形成黏著劑層後將其貼合於基材之方法等。 [實施例]
以下，藉由實施例具體地對本發明進行說明，但本發明不受該等實施例限定。又，實施例中，只要無特別說明，則「份」及「%」為重量基準。
＜製造例1＞(甲基)丙烯酸系聚合物(I) 使丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)64.2重量份、丙烯醯基嗎啉(ACMO)16.5重量份、丙烯酸羥基乙酯(HEA)11.4重量份、及2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)7.9重量份聚合，獲得重量平均分子量(Mw)約90萬之(甲基)丙烯酸系聚合物(I)(包含具有碳數為8之側鏈之結構單元之(甲基)丙烯酸系聚合物)。
[實施例1] (黏著劑組合物1之製備) 將製造例1中所獲得之(甲基)丙烯酸系聚合物(I)100重量份、黏著賦予劑(烷酚系黏著賦予樹脂；荒川化學工業公司製造、商品名「Tamanol 526」)10重量份、交聯劑(異氰酸酯系交聯劑；東曹公司製造、商品名「CORONATE HX」)1.0重量份、及光聚合起始劑(BASF公司製造、商品名「Irgacure184」)3重量份加以混合，製備黏著劑組合物1。 (基材之製作) 藉由使用T模之共擠壓，獲得由包含聚丙烯(Japan Polypropylene公司製造、商品名「WSX02」)之層(厚度30 μm)、及包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造、商品名「P1007」)之層(厚度85 μm)構成之基材。 (背面研磨帶之製作) 將上述黏著劑組合物1塗佈於隔片(於聚酯系膜(三菱化學公司製造、商品名：MRF38、厚度：38 μm)之一面塗佈有聚矽氧系剝離劑者)之剝離處理面，於120℃下進行2分鐘加熱，形成黏著劑層(厚度：20 μm)。繼而，將黏著劑層轉印至基材之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜側，獲得包含基材和黏著劑層之背面研磨帶1。
[實施例2] 將黏著賦予劑之含量設為20重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得背面研磨帶2。
[實施例3] 將黏著賦予劑之含量設為30重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得背面研磨帶3。
[實施例4] 使用CORONATE HL(異氰酸酯系交聯劑；東曹公司製造)0.8重量份代替CORONATE HX(東曹公司製造)1.0重量份以作為交聯劑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得背面研磨帶4。
[實施例5] 將黏著賦予劑之含量設為20重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶5。
[實施例6] 將黏著賦予劑之含量設為30重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶6。
[實施例7] 將黏著賦予劑之含量設為25重量份，且將交聯劑之含量設為3.0重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶7。
[實施例8] 使用CORONATE L(異氰酸酯系交聯劑；東曹公司製造)代替CORONATE HX以作為交聯劑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得背面研磨帶8。
[實施例9] 將黏著賦予劑之含量設為20重量份，除此以外，以與實施例8相同之方式獲得背面研磨帶9。
[實施例10] 將黏著賦予劑之含量設為30重量份，除此以外，以與實施例8相同之方式獲得背面研磨帶10。
[實施例11] 使用烷酚系黏著賦予劑(荒川化學工業公司製造、商品名：Tamanol 521(重量平均分子量：565、羥值：320 mgKOH/g)25重量份作為黏著賦予劑，且使用交聯劑3重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶11。
(比較例1) 將黏著賦予劑之含量設為3重量份，且將交聯劑之含量設為0.3重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得背面研磨帶C1。
(比較例2) 將交聯劑之含量設為0.5重量份，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得背面研磨帶C2。
(比較例3) 將交聯劑之含量設為1.0重量份，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得背面研磨帶C3。
(比較例4) 將交聯劑之含量設為2.0重量份，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得背面研磨帶C4。
(比較例5) 將黏著賦予劑之含量設為3重量份，且將交聯劑之含量設為0.2重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶C5。
(比較例6) 將交聯劑之含量設為0.4重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶C6。
(比較例7) 將交聯劑之含量設為1.5重量份，除此以外，以與實施例4相同之方式獲得背面研磨帶C7。
(比較例8) 使用松香酯系黏著賦予劑(哈利瑪化成公司製造、製品名：HARITACK SE10、羥值：未達20 mgKOH/g)25重量份作為黏著賦予劑，除此以外，以與實施例11相同之方式獲得背面研磨帶C8。
(比較例9) 使用脂環族飽和烴樹脂系黏著賦予劑(荒川化學工業公司製造、製品名：ARKON P90、羥值：未達20 mgKOH/g)25重量份作為黏著賦予劑，除此以外，以與實施例11相同之方式獲得背面研磨帶C9。
[評價] 將實施例及比較例中所獲得之背面研磨帶供於下述(1)～(5)之評價。將結果示於表1。
(1)黏著力 將背面研磨帶切成寬度：20 mm、長度：140 mm之尺寸，依據JIS Z 0237：2009，使2 kg之輥往返1次來使黏著面貼合於被黏著體之SUS304BA板，放置30分鐘後，照射紫外線(照射量600 mJ/cm2 )。將該測定試樣設置於帶有恆溫槽之拉伸試驗機(島津製作所公司製造、商品名「島津Autograph AG-120kN」)。其後，測定在剝離角度：180°、剝離速度(拉伸速度)：300 mm/分鐘之條件下將被黏著體於長度方向上自黏著片剝離時之負載，求出此時之最大負載(將測定初期之峰頂除外之負載之最大值)，將用該最大負載除以帶寬度所得之值作為黏著力(N/20 mm)。上述操作係於溫度：23±3℃及濕度：65±5%RH之氣氛下進行。 再者，對於黏著力，分別對紫外線照射前之背面研磨帶、及紫外線照射(70 mW/cm2 、10秒、700 mJ/cm2 )後之背面研磨帶進行測定。
(2)拉伸彈性模數 使用各實施例及比較例中所使用之黏著劑組合物，於一對聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔片間形成黏著劑層(厚度20 μm)。將所獲得之黏著劑層(隔片所夾持者)於乾燥機內以50℃進行48小時熟化。 其後，將隔片所夾持之黏著劑層切割成長度50 mm、寬度30 mm之尺寸。繼而，將隔片剝離並以不會帶入氣泡之方式捲起，製作長度30 mm、直徑1.13 mm之棒狀試樣。 使用拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造、商品名：RTC-1150A)，於測定溫度22度、夾盤間距離10 mm、速度10 mm/分鐘之條件下測定上述棒狀試樣之S-S曲線。根據S-S曲線之上升求出初始彈性模數，將該值作為黏著劑層之拉伸彈性模數。進行3次測定，使用其平均值作為拉伸彈性模數之值。 再者，對於拉伸彈性模數，分別對紫外線照射前之各組合物黏著劑層、及紫外線照射(70 mW/cm2 、10秒、700 mJ/cm2 )後之背面研磨帶進行測定。
(3)耐蝕刻性(背面研磨帶之耐酸性及耐鹼性) 將96重量%H2 SO4 水溶液與70重量%HNO3 水溶液加以混合(重量比：H2 SO4 /HNO3 =50/7)，製備混酸。將背面研磨帶浸漬於該混酸(室溫下)中1分鐘。 繼而，將自混酸中取出之上述背面研磨帶浸漬於45重量%KOH水溶液(65℃)中2分鐘。 其後，對背面研磨帶進行水洗，藉由目視確認基材有無劣化及液體有無向黏著劑層侵入。表1中，將未確認到液體侵入至黏著劑層之情形作為〇、將確認到液體侵入至黏著劑層之情形作為×。
(4)糊劑殘留 使用具有階差之被黏著體進行糊劑殘留評價試驗。圖2係表示於具有階差之被黏著體貼附有背面研磨帶之狀態之概略剖視圖。將背面研磨帶100之黏著劑層貼附於具有階差之被黏著體200(階差之高度x：5 μm)，一面用手動剝離用晶圓保持裝置(日東精機製 HMT-300)對晶圓進行真空吸附，一面於常溫(23℃)下進行背面研磨帶之手動剝離。其後，藉由目視及100倍光學顯微鏡對背面研磨帶剝離後之晶圓表層實施觀察，進行有無糊劑殘留之確認。表1中，將完全未確認到糊劑殘留之情形作為〇，將確認到糊劑殘留之情形作為×。
(5)相容性 將各實施例及比較例中所使用之黏著劑組合物2～3 g滴加至實施例及比較例中所使用之基材，在室溫下放置3小時。其後，藉由目視確認滴加之黏著劑組合物之狀態，將透明者作為〇，將白濁者作為×。
[表1]
   含量(重量份) 黏著力 (N/20 mm) 拉伸彈性模數 (MPa) 相容性 耐蝕刻性 糊劑殘留
黏著賦予劑 交聯劑 UV照射前 UV照射後 UV照射前 UV照射後
實施例1 10 1.0 17.9 0.3 0.18 14.15 〇 〇 〇
實施例2 20 1.0 19.3 0.4 0.37 16.42 〇 〇 〇
實施例3 30 1.0 18.7 0.5 1.11 28.71 〇 〇 〇
實施例4 10 0.8 19.0 0.3 0.21 11.11 〇 〇 〇
實施例5 20 0.8 20.1 0.4 0.45 15.60 〇 〇 〇
實施例6 30 0.8 19.5 0.5 1.23 22.11 〇 〇 〇
實施例7 25 3.0 13.1 0.3 0.65 22.30 〇 〇 〇
實施例8 10 1.0 15.1 0.1 0.24 12.90 〇 〇 〇
實施例9 20 1.0 18.2 0.1 0.33 15.94 〇 〇 〇
實施例10 30 1.0 13.6 0.1 0.63 22.23 〇 〇 〇
實施例11 25 3.0 19.4 0.73 0.29 7.21 〇 〇 〇
比較例1 3 0.3 18.2 0.2 0.12 11.19 〇 〇 ×
比較例2 3 0.5 16.9 0.2 0.14 10.81 〇 〇 ×
比較例3 3 1.0 10.4 0.2 0.22 13.59 〇 × 〇
比較例4 3 2,0 7.2 0.1 0.31 12.77 〇 × 〇
比較例5 3 0,2 17.3 0.2 0.11 10.07 〇 〇 ×
比較例6 3 0.4 16.0 0.2 0.13 12.49 〇 〇 ×
比較例7 3 1.5 10.7 0.2 0.21 10.60 〇 × 〇
比較例8 25 3.0 - - - - × - -
比較例9 25 3 - - - - × - -
實施例1～11之背面研磨帶之耐化學品性優異，防止了蝕刻液向黏著劑層之侵入。又，實施例1～11之背面研磨帶亦防止了帶剝離後之糊劑殘留，黏著劑組合物之基礎聚合物與黏著賦予劑之相容性亦優異。比較例1～7之背面研磨帶難以兼顧優異之耐化學品性與晶圓糊劑殘留之防止效果。又，關於比較例8及9，由於在黏著劑組合物中黏著賦予劑與基礎聚合物之相容性較差，故而無法發揮適當之黏著特性，而難以用作背面研磨帶。
[產業上之可利用性] 本發明之背面研磨帶可適宜地用於半導體晶圓之加工。
10:黏著劑層 20:基材 100:背面研磨帶 200:被黏著體
圖1係本發明之一實施形態之背面研磨帶之概略剖視圖。 圖2係表示於具有階差之被黏著體貼附有背面研磨帶之狀態之概略剖視圖。
10:黏著劑層
20:基材
100:背面研磨帶

Claims (4)

  1. 一種背面研磨帶，其具備：基材、及形成於該基材之一面之黏著劑層，且 該黏著劑層由包含基礎聚合物及黏著賦予劑之活性能量線硬化型黏著劑組合物形成， 該黏著賦予劑之重量平均分子量為300以上且羥值為50 mgKOH/g～500 mgKOH/g， 該黏著劑組合物中之該黏著賦予劑之含量相對於基礎聚合物100重量份為5重量份以上， 該黏著劑層之活性能量線照射前之黏著力為15 N/20 mm以上。
  2. 如請求項1之背面研磨帶，其中上述黏著劑層之活性能量線照射後之黏著力為1.0 N/20 mm以下。
  3. 如請求項1或2之背面研磨帶，其中上述黏著劑層之活性能量線照射前之拉伸彈性模數為0.15 MPa以上。
  4. 如請求項1之背面研磨帶，其中上述黏著賦予劑為選自由萜酚系樹脂、松香酚系樹脂、烷酚樹脂所組成之群中之至少1種。
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