TW202104101A - 製造帶的方法和設備 - Google Patents

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興華 李
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Abstract

製造帶之方法可包括識別移動帶之熔融部分之特性的不均勻之位置。方法可進一步包括使偏轉的脈衝雷射束撞擊在加熱區上，該加熱區包括在帶之熔融部分中的不均勻之位置。在一些實施例中，加熱區可在移動帶之行進路徑之行進方向上伸長。在一些實施例中，脈衝雷射束可從以實質上恆定的角速度旋轉的多邊形反射裝置之反射表面反射。在一些實施例中，方法可包含使偏轉的脈衝雷射束撞擊在感測裝置上以產生訊號。方法可進一步包括基於來自感測裝置的訊號來校準偏轉的脈衝雷射束之位置。

Description

製造帶的方法和設備
本申請案主張於2019年4月12日申請之美國臨時申請案序號第62/833,260號之優先權之權益，依據此案之內容並且將此案之內容以其全文引用方式併入本文，如以下進行完整記載。
本揭示案大致上關於用於製造帶(ribbon)的方法及設備，並且更具體而言關於用於加熱帶之熔融部分之不均勻之位置的方法及設備。
已知藉由將雷射束導向帶之熔融部分之預選部分來控制帶之熔融部分之厚度。雷射束可升高溫度並且減少帶之熔融部分之預選部分之黏度，致使在將熔融部分冷卻成帶之玻璃部分之前預選部分達到期望的厚度。
以下描述本揭示案之一些示例實施例，並且理解實施例之任一者可單獨使用或彼此結合使用。
實施例1。一種製造帶之方法可包括沿行進路徑之行進方向移動帶。方法可進一步包括識別帶之熔融部分之特性的不均勻之位置。方法可進一步包括偏轉脈衝雷射束。方法可進一步包括使偏轉的脈衝雷射束撞擊在加熱區上，該加熱區包括不均勻之位置。加熱區可在行進路徑之行進方向上伸長。
實施例2。如實施例1之方法，其中偏轉脈衝雷射束的步驟可包括從多邊形反射裝置之反射表面反射脈衝雷射束。
實施例3。如實施例2之方法，其中方法可進一步包括繞多邊形反射裝置之旋轉軸以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置。
實施例4。如實施例1至實施例3中之任一者之方法，其中方法可進一步包括使偏轉的脈衝雷射束撞擊在感測裝置上以產生訊號，及基於來自感測裝置的訊號來校準偏轉的脈衝雷射束之位置。
實施例5。一種製造帶之方法可包括沿行進路徑之行進方向移動帶。方法可進一步包括識別在帶之熔融部分之處理路徑上帶之熔融部分之特性的不均勻之位置。方法可進一步包括從多邊形反射裝置之反射表面反射脈衝雷射束。反射的脈衝雷射束可撞擊在處理路徑上的加熱區上。方法可進一步包括繞多邊形反射裝置之旋轉軸以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置，以沿處理路徑移動加熱區。加熱區可包括不均勻之位置。
實施例6。如實施例5之方法，其中方法可進一步包括使反射的脈衝雷射束以多邊形反射裝置之第二角度定向撞擊在感測裝置上以產生訊號，並且基於來自感測裝置的訊號校準反射的脈衝雷射束之位置。
實施例7。一種製造帶之方法可包括沿行進路徑之行進方向移動帶。方法可進一步包括識別帶之熔融部分之特性的不均勻之位置。方法可進一步包括偏轉脈衝雷射束。方法可進一步包括使偏轉的脈衝雷射束撞擊在不均勻之位置之加熱區上。方法可進一步包括使偏轉的脈衝雷射束撞擊在感測裝置上。使偏轉的脈衝雷射束撞擊在感測裝置上的步驟產生訊號。方法可進一步包括基於產生的訊號來校準偏轉的脈衝雷射束之位置。
實施例8。如實施例7之方法，其中偏轉脈衝雷射束的步驟可包括從反射表面反射脈衝雷射束。
實施例9。如實施例1至實施例8中之任一者之方法，其中特性可包括帶之厚度。
實施例10。如實施例1至實施例8中之任一者之方法，其中特性可包括帶之溫度。
實施例11。如實施例1至實施例10中之任一者之方法，其中脈衝雷射束可包括在從約0.9微米至約12微米的範圍中的波長。
實施例12。如實施例1至實施例11中之任一者之方法，其中脈衝雷射束可由二氧化碳(CO2 )雷射產生器產生。
實施例13。如實施例1至實施例12中之任一者之方法，其中脈衝雷射束可於光束點(beam spot)處撞擊在加熱區上，該光束點可沿行進路徑在加熱區內重複移動。
實施例14。如實施例1至實施例12中之任一者之方法，其中脈衝雷射束可包括複數個脈衝雷射束，該複數個脈衝雷射束在對應的光束點處撞擊在加熱區上，該等光束點安置成在行進路徑之行進方向上對準的光束點之陣列。
實施例15。如實施例14之方法，其中方法可進一步包括將產生的脈衝雷射束分成複數個脈衝雷射束。
實施例16。如實施例1至實施例12中之任一者之方法，其中加熱區可包括橢圓形，該橢圓形包括在行進路徑之行進方向上延伸的主軸。
實施例17。如實施例16之方法，其中方法可進一步包括使脈衝雷射束穿過圓柱狀透鏡以產生橢圓形。
實施例18。如實施例16之方法，其中方法可進一步包括使脈衝雷射束穿過歪像(anamorphic)稜鏡以產生橢圓形。
實施例19。如實施例1至實施例18中之任一者之方法，其中方法可進一步包括控制脈衝雷射束之特性以控制不均勻之位置之加熱。
實施例20。如實施例19之方法，其中脈衝雷射束之特性可包括脈衝雷射束之脈衝頻率。
實施例21。如實施例19至實施例20中之任一者之方法，其中脈衝雷射束之特性可包括脈衝雷射束之脈衝寬度。
實施例22。如實施例19至實施例21中之任一者之方法，其中脈衝雷射束之特性可包括脈衝雷射束之工作週期。
實施例23。如實施例19至實施例22中之任一者之方法，其中加熱不均勻之位置可致使不均勻性消除。
實施例24。如實施例1至實施例23中之任一者之方法，其中加熱區跨行進路徑的寬度可在從約100微米至約30毫米的範圍中。
實施例25。如實施例1至實施例24中之任一者之方法，其中方法可進一步包括選擇性地控制在行進方向上延伸的加熱區之伸長長度。
實施例26。如實施例1至實施例24中之任一者之方法，其中加熱區可包括在行進方向上延伸的在從約1毫米至約100毫米的範圍中的伸長長度。
實施例27。如實施例26之方法，其中方法可進一步包括選擇性地控制加熱區之伸長長度。
實施例28。如實施例25至實施例27中之任一者之方法，其中加熱區之伸長長度與跨行進路徑的加熱區之寬度之比率可為約3或更大。
實施例29。如實施例28之方法，其中加熱區之寬度可在從約100微米至約30毫米的範圍中。
在以下的實施方式中將記載本文揭示的另外實施例。應理解，前述一般性描述及以下實施方式兩者呈現欲提供用於理解本案揭示的實施例之本質及特性的概要或架構的實施例。本文包含附圖以提供進一步理解，並且附圖併入此說明書中且構成此說明書之部分。圖式繪示本揭示案之各種實施例，且圖式與說明一起用以解釋各種實施例之原理及操作。
現將在下文參照圖示了示例實施例的附圖來更全面地描述實施例。在圖式各處盡可能使用相同的元件符號來指稱相同或類似的部件。然而，本揭示案可以許多不同的形式來實現，並且不應被解釋為限於本文記載的實施例。
本揭示案關於玻璃製造設備及用於由定量的熔融材料製造帶的方法。在一些實施例中，帶可包括熔融部分，該熔融部分可被冷卻成玻璃部分。可使用槽拉製(slot draw)設備、浮浴(float bath)設備、下拉(down-draw)設備、上拉(up-draw)設備、壓輥(press-rolling)設備或其他玻璃製造設備來由定量的熔融材料形成帶。
現將藉由示例性實施例來描述用於製造玻璃的方法及設備，示例性實施例用於由定量的熔融材料形成帶。如第 1 圖 中示意繪示，在一些實施例中，示例性玻璃製造設備100 可包括：玻璃熔化及輸送設備102 ；包含成形容器140 的成形設備101 ，成形容器140 設計成由定量的熔融材料121 產生帶之熔融部分104 ；及/或處理設備142 ，其經設計用於處理帶之熔融部分104 。為了本申請案之目的，帶之「熔融部分」視為帶之包括在從約104 泊至約107.6 泊之範圍內的黏度的部分。在一些實施例中，玻璃製造設備100 可視為處理設備142 而無需玻璃熔化及輸送設備102 或成形設備101 之特徵。在進一步實施例中，玻璃製造設備100 可視為處理設備142 與成形設備101 之特徵結合而無需玻璃熔化及輸送設備102 之特徵。在進一步實施例中，玻璃製造設備100 可包括處理設備142 與玻璃熔化及輸送設備102 及成形設備101 之特徵組合。
在一些實施例中，可將帶之熔融部分104 冷卻成帶之玻璃部分103 ，玻璃部分103 包括設置在帶之第一外邊緣153 與第二外邊緣155 之間的中心部分152 。另外，在一些實施例中，可藉由玻璃分離器149 （例如，劃線、刻痕輪、鑽石尖端、雷射等）沿分離路徑151 將分離的玻璃帶106 從帶之玻璃部分103 分離。
在一些實施例中，玻璃熔化及輸送設備102 可包含熔化容器105 ，熔化容器105 定向以接收來自儲存倉109 的批料107 。批料107 可藉由由馬達113 提供動力的批量輸送裝置111 引入。在一些實施例中，任選的控制裝置115 （例如，可程式化邏輯控制器）可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）操作而啟動馬達113 ，以將批料107 之期望的量引入熔化容器105 中，如由箭頭117 指示。熔化容器105 可加熱批料107 以提供熔融材料121 。在一些實施例中，可採用熔體探針119 來量測豎管(standpipe)123 內的熔融材料121 之高度(level)，並且藉由通訊線路125 將量測的資訊傳送至控制裝置115 。
另外，在一些實施例中，玻璃熔化及輸送設備102 可包含第一調節站，第一調節站包含澄清容器127 ，澄清容器127 位於熔化容器105 的下游並且藉由第一連接導管129 耦接至熔化容器105 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉由第一連接導管129 從熔化容器105 重力供給至澄清容器127 。例如，在一些實施例中，重力可驅動熔融材料121 經由第一連接導管129 之內部通道從熔化容器105 至澄清容器127 。另外，在一些實施例中，可藉由各種技術從澄清容器127 內的熔融材料121 移除氣泡。
在一些實施例中，玻璃熔化及輸送設備102 可進一步包含第二調節站，第二調節站包含混合腔室131 ，混合腔室131 可位於澄清容器127 的下游。混合腔室131 可用以提供均質的熔融材料121 之組成物，從而減少或消除在另外情況下可能存在於離開澄清容器127 的熔融材料121 內的不均質性。如圖所示，澄清容器127 可藉由第二連接導管135 耦接至混合腔室131 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉由第二連接導管135 從澄清容器127 重力供給至混合腔室131 。例如，在一些實施例中，重力可驅動熔融材料121 經由第二連接導管135 之內部通道從澄清容器127 至混合腔室131 。
另外，在一些實施例中，玻璃熔化及輸送設備102 可包含第三調節站，第三調節站包含輸送容器133 ，輸送容器133 可位於混合腔室131 的下游。在一些實施例中，輸送容器133 可調節待供給至入口導管141 中的熔融材料121 。例如，輸送容器133 可作為累加器(accumulator)及/或流量控制器，以調整並且提供一致的熔融材料121 流至入口導管141 。如圖所示，混合腔室131 可藉由第三連接導管137 耦接至輸送容器133 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉由第三連接導管137 從混合腔室131 重力供給至輸送容器133 。例如，在一些實施例中，重力可驅動熔融材料121 經由第三連接導管137 之內部通道從混合腔室131 至輸送容器133 。如進一步所繪示，在一些實施例中，輸送管139 可定位成將熔融材料121 輸送至成形設備101 ，例如成形容器140 之入口導管141 。
成形設備101 可包括根據本揭示案之特徵的成形容器之各種實施例，包含具有用於熔融拉製帶的楔形物的成形容器，具有用於槽拉製帶的槽的成形容器，或提供有壓輥以將來自成形容器的帶壓輥的成形容器。藉由說明，可提供以下圖示及揭示的成形容器140 ，以將熔融材料121 從成形楔209 之底部邊緣（界定為根部145 ）熔融拉出，以產生帶之熔融部分104 ，熔融部分104 可被拉製並且冷卻成帶之玻璃部分103 。例如，在一些實施例中，熔融材料121 可從入口導管141 輸送至成形容器140 。然後可至少部分基於成形容器140 之結構將熔融材料121 成形為帶之熔融部分104 。例如，如圖所示，熔融材料121 可作為熔融部分104 從成形容器140 之根部145 拉離並且沿行進路徑150 之行進方向154 移動。
在一些實施例中，邊緣導引器163 、164 可將熔融部分104 導引離開成形容器140 ，並且幫助界定帶之所產生的玻璃部分103 之寬度「W 」。在一些實施例中，玻璃部分103 之寬度「W 」可在玻璃部分103 之第一外邊緣153 與玻璃部分103 之第二外邊緣155 之間延伸。在一些實施例中，玻璃部分103 之寬度「W 」可大於或等於約20 mm，如大於或等於約50 mm，如大於或等於約100 mm，如大於或等於約500 mm，如大於或等於約1000 mm，如大於或等於約2000 mm，如大於或等於約3000 mm，如大於或等於約4000 mm，但在進一步實施例中可提供小於或大於上述寬度的其他寬度。例如，在一些實施例中，玻璃部分103 之寬度「W 」可為從約20 mm至約4000 mm，如從約50 mm至約4000 mm，如從約100 mm至約4000 mm，如從約500 mm至約4000 mm，如從約1000 mm至約4000 mm，如從約2000 mm至約4000 mm，如從約3000 mm至約4000 mm，如從約20 mm至約3000 mm，如從約50 mm至約3000 mm，如從約100 mm至約3000 mm，如從約500 mm至約3000 mm，如從約1000 mm至約3000 mm，如從約2000 mm至約3000mm，如從約2000 mm至約2500 mm，以及介於其間的所有範圍及子範圍。
第 2 圖 圖示沿第 1 圖 之線2-2 的成形設備101 （例如，成形容器140 ）之剖面透視圖。在一些實施例中，成形容器140 可包含槽201 ，槽201 定向為從入口導管141 接收熔融材料121 。為了說明的目的，為了清楚起見從第 2 圖 移除熔融材料121 之交叉影線。成形容器140 可進一步包含成形楔209 ，成形楔209 包含在成形楔209 之相對端210 、211 （見第 1 圖 ）之間延伸的一對向下傾斜的會聚表面部分207 、208 。成形楔209 之此對向下傾斜的會聚表面部分207 、208 可沿行進方向154 會聚，以沿成形容器140 之根部145 相交。玻璃製造設備100 之拉製平面213 可沿行進路徑150 之行進方向154 延伸穿過根部145 。在一些實施例中，帶之熔融部分104 可沿行進路徑150 之行進方向154 移動並且穿過拉製平面213 。如圖所示，拉製平面213 可穿過根部145 將成形楔209 二等分，但在一些實施例中，拉製平面213 可相對於根部145 以其他定向延伸。
另外，在一些實施例中，熔融材料121 可在方向156 上流入並且沿成形容器140 之槽201 流動。然後，熔融材料121 可藉由同時流過相應的堰203 、204 並且向下流過相應的堰203 、204 之外表面205 、206 而從槽201 溢出。相應的熔融材料121 之流然後可沿成形楔209 之向下傾斜的會聚表面部分207 、208 流動，以從成形容器140 之根部145 被拉製出，於此處流動會聚並且熔融成帶之熔融部分104 。然後可將帶之熔融部分104 從拉製平面213 中的根部145 拉製出，並且帶可沿行進路徑150 之行進方向154 移動並且冷卻成帶之玻璃部分103 。
帶之熔融部分104 包括第一主表面215 及第二主表面216 ，第一主表面215 及第二主表面216 面對相反方向並且界定熔融部分104 之厚度「T 」（例如，平均厚度）。在一些實施例中，帶之熔融部分104 之厚度「T 」可為從約0.5毫米（mm）至約5 mm，但在進一步實施例中可提供其他厚度。帶之厚度隨著其在行進路徑150 之行進方向154 上移動而衰減，並且冷卻以從帶之熔融部分104 過渡至帶之玻璃部分103 。帶之玻璃部分103 之最終厚度可為小於或等於約2毫米（mm），小於或等於約1毫米，小於或等於約0.5毫米，例如，小於或等於約300微米（µm），小於或等於約200微米，或小於或等於約100微米，但在進一步實施例中可提供其他厚度。例如，在一些實施例中，玻璃部分103 之厚度可為從約50 µm至約750 µm，從約100 µm至約700 µm，從約200 µm至約600 µm，從約300 µm至約500 µm，從約50 µm至約500 µm，從約50 µm至約700 µm，從約50 µm至約600 µm，從約50 µm至約500 µm，從約50 µm至約400 µm，從約50 µm至約300 µm，從約50 µm至約200 µm，從約50 µm至約100 µm，包含介於其間的所有厚度之範圍及子範圍。另外，帶之玻璃部分103 可包含各種組成物，包含但不限於鈉鈣(soda-lime)玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、含鹼玻璃或無鹼玻璃。
然後可將分離的玻璃帶處理成期望的應用，例如顯示應用。例如，分離的玻璃帶可用於各種顯示應用，包含液晶顯示器（LCD）、電泳顯示器（EPD）、有機發光二極體（OLED）顯示器、電漿顯示面板（PDP）及其他電子顯示器。
第 3 圖 ~第 4 圖 繪示用於處理帶之熔融部分104 的玻璃製造設備100 之處理設備142 之示例實施例之特徵。處理設備142 可包括經設計成產生脈衝雷射束303 的雷射產生器301 。在一些實施例中，雷射產生器可經設計成產生脈衝雷射束303 ，脈衝雷射束303 可由帶之熔融部分104 吸收以在脈衝雷射束303 撞擊帶之熔融部分104 之表面的位置處加熱帶之熔融部分104 。在一些實施例中，雷射產生器301 可包括CO2 雷射產生器，但在進一步實施例中可使用其他類型的雷射產生器。另外或替代地，在一些實施例中，由雷射產生器301 產生的脈衝雷射束303 可包括在從約0.9微米至約12微米的範圍內的波長。
處理設備142 可進一步包含偏轉器裝置，其經配置以使脈衝雷射束303 偏轉以使偏轉的脈衝雷射束303 撞擊在帶之熔融部分104 之加熱區上。如第 2 圖 所示，偏轉的雷射束可撞擊在熔融部分104 之處理路徑321 上的加熱區217 上，同時加熱區217 沿方向216a 行進。例如，加熱區217 可在方向216a 上從第一外邊緣153 至第二外邊緣155 行進跨實質上整個寬度「W 」。在抵達第二外邊緣155 之後，加熱區可在第一外邊緣153 處重新出現並且再次在方向216a 上行進至第二外邊緣155 。因此，在一些實施例中，對於加熱區217 之每次從第一外邊緣153 至第二外邊緣155 經過帶之寬度「W 」，加熱區217 可在相同方向216a 上行進。
如第 2 圖 所示，偏轉的雷射束可撞擊在熔融部分104 之處理路徑321 上的加熱區217 上，同時加熱區217 沿方向216b 行進。例如，加熱區217 可在方向216b 上從第二外邊緣155 至第一外邊緣153 行進跨實質上整個寬度「W 」。在抵達第一外邊緣153 之後，加熱區可在第二外邊緣156 處重新出現並且再次在方向216b 上行進至第一外邊緣153 。因此，在一些實施例中，對於加熱區217 之每次從第二外邊緣155 至第一外邊緣153 經過帶之寬度「W 」，加熱區217 可在相同方向216b 上行進。
如第 2 圖 進一步所示，偏轉的雷射束可撞擊在熔融部分104 之處理路徑321 上的加熱區217 上，同時加熱區217 沿方向216a 及方向216b 行進。例如，在一些實施例中，加熱區217 可在方向216a 上從第一外邊緣153 至第二外邊緣155 行進跨實質上整個寬度「W 」。在抵達第二外邊緣155 之後，然後加熱區217 可在方向216b 上從第二外邊緣155 至第一外邊緣153 行進跨實質上整個寬度「W 」。因此，在一些實施例中，對於每次連續經過帶之寬度「W 」加熱區217 可在交替方向216a 及216b 上行進。
方向216a 及216b 中之一或兩者可延伸跨行進路徑150 之行進方向154 。例如，如圖所示，方向216a 及216b 中之一或兩者可沿寬度「W 」之方向垂直於行進方向154 延伸，但在進一步實施例中，加熱區可沿不垂直於行進方向154 的方向行進。如上所論述，可使用各種偏轉器裝置致使加熱區217 在方向216a 及216b 中之一或兩者上行進。例如，在一些實施例中，偏轉器裝置可包括聲光偏轉器。在另一個實例中，在一些實施例中，偏轉器裝置可包括電光偏轉器。在又另一個實例中，在一些實施例中，偏轉器裝置可包括旋轉反射表面。
在一些實施例中，如第 9 圖 所示，偏轉器裝置可包括多邊形反射裝置305 ，多邊形反射裝置305 包含複數個反射表面307 。如圖所示，多邊形反射裝置305 可藉由馬達309 旋轉以繞多邊形反射裝置305 之旋轉軸313 在旋轉方向311 上旋轉。在一些實施例中，馬達309 可任選地由控制裝置315 （例如，可程式化邏輯控制器）操作，控制裝置315 經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）發送命令訊號沿通訊線路317 至馬達309 以在一些實施例中繞多邊形反射裝置305 之旋轉軸313 以實質上恆定的角速度旋轉。以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置305 可幫助防止損傷馬達309 ，否則頻繁地改變多邊形反射裝置305 之角速度可能會發生損傷。在脈衝雷射束由多邊形反射裝置305 反射的實施例中，取決於多邊形反射裝置305 繞旋轉軸313 旋轉的旋轉方向311 ，加熱區217 可在方向216a 上重複行進或在方向216b 上重複行進。
控制裝置315 可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）發送命令訊號（例如，藉由通訊線路319 ）至雷射產生器301 ，以控制脈衝雷射束303 之特性而選擇性地控制帶之熔融部分104 之不均勻位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝頻率，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝寬度，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之工作週期，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之複數個特性，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。例如，在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝頻率及脈衝寬度，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝頻率及工作週期，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝寬度及工作週期，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。在一些實施例中，控制裝置315 可控制脈衝雷射束303 之脈衝頻率、脈衝寬度及工作週期中之兩者或更多者，以控制帶之熔融部分104 之不均勻之位置之加熱。
進一步參照第 9 圖 ，處理設備142 可進一步包括一或更多個感測裝置，該等感測裝置經配置以監測帶之特性。在一些實施例中，帶之監測特性可包括帶之溫度及/或厚度。在一些實施例中，一或更多個感測裝置可直接監測帶之熔融部分104 之特性。例如，參照第 2 圖 ，可直接監測沿處理路徑321 內的監測路徑223a 的帶之熔融部分104 之特性。在進一步實施例中，可直接監測沿處理路徑321 外側（例如，處理路徑321 的上游或下游）的監測路徑223b 的帶之熔融部分104 之特性。在一些實施例中，可間接監測處理路徑321 內的帶之熔融部分104 之特性。例如，如第 9 圖 所示，可監測沿帶之熔融部分104 下游的監測路徑223c 的帶之玻璃部分103 之特性。然後，可基於沿玻璃部分103 之監測路徑223c 的監測之特性來決定處理路徑321 內的帶之熔融部分104 之對應特性。例如，沿玻璃部分103 之監測路徑223c 監測的特性的不均勻性可指示，在垂直地位於沿玻璃部分103 之監測路徑223c 監測的監測之特性的不均勻性的上方，帶之熔融部分104 之處理路徑321 之一部分之對應的特性的不均勻性。
如第 9 圖 所示，處理設備142 可任選地包含溫度感測器323 ，溫度感測器323 經配置以沿監測路徑（例如，監測路徑223a 、223b ）監測帶之熔融部分104 之溫度。在一些實施例中，溫度感測器323 可包括紅外線感測器（例如，紅外線攝影機），紅外線感測器經配置以藉由沿監測路徑（例如，223a 、223b ）中之一者監測由帶之熔融部分104 發射的紅外線輻射來監測熔融部分104 之溫度。例如，溫度感測器323 可包括紅外線感測器（例如，紅外線攝影機），紅外線感測器經配置以沿監測路徑223a 直接監測熔融部分104 之處理路徑321 之溫度。然後可藉由通訊線路325 將有關於沿監測路徑的帶之熔融部分104 之溫度的感測之資訊傳遞至處理器327 。處理器327 然後可處理此資訊以決定在處理路徑321 上的帶之熔融部分104 之溫度之不均勻之一或更多個位置。基於來自處理器327 的資訊，控制裝置315 可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）修改帶之熔融部分104 之加熱位置，以致使不均勻性消除，以跨帶之熔融部分104 之寬度「W 」提供帶之熔融部分104 之更均勻的厚度。例如，可消除不均勻性，使得厚度變化小於3微米。一旦達成更均勻的厚度，帶之熔融部分104 即可繼續冷卻成帶之玻璃部分103 ，其中玻璃部分103 之厚度沿帶之玻璃部分103 之寬度「W 」更為均勻。
在一個實施例中，若與監測路徑之其他位置相比不均勻性經決定為相對低的溫度，則控制裝置315 可經配置為（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）藉由通訊線路319 發送命令訊號至雷射產生器301 ，以當脈衝雷射束303 加熱不均勻之一或更多個位置時藉由增加如上論述的脈衝頻率、脈衝寬度或工作週期中之一或更多者來增加不均勻之一或更多個位置之加熱。
在另一個實施例中，若與監測路徑之其他位置相比不均勻性經決定為相對高的溫度，則控制裝置315 可經配置為（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）藉由通訊線路319 發送命令訊號至雷射產生器301 ，以當脈衝雷射束303 加熱不均勻之一或更多個位置時藉由減少如上論述的脈衝頻率、脈衝寬度或工作週期中之一或更多者來減少不均勻之一或更多個位置之加熱。
如第 9 圖 進一步所示，處理設備142 可任選地包含厚度感測器329 ，厚度感測器329 經配置以感測有關於帶之厚度的資訊。在一些實施例中，可提供厚度感測器329 而沒有溫度感測器323 。在進一步實施例中，可提供溫度感測器323 而沒有厚度感測器329 。在進一步實施例中，可提供厚度感測器329 及溫度感測器323 兩者以監測帶之一或更多個特性。若提供，則厚度感測器329 可包括光學厚度感測器。光學厚度感測器可包括跨過帶之寬度「W 」的一或更多個感測器。替代地，如圖所示，光學厚度感測器329 可經配置在橫跨行進路徑150 之行進方向154 的方向333 上掃描。例如，如圖所示，厚度感測器329 可經配置以在垂直於行進方向154 的方向333 上掃描，但在進一步實施例中可提供其他掃描方向。在一些實施例中，光學厚度感測器329 可包含雷射，該雷射將雷射束導引至監測路徑（例如，玻璃部分103 之監測路徑223c ）之位置。雷射束之一部分可從第二主表面216 反射以由光學厚度感測器329 感測。雷射束之另一部分可穿過帶之厚度，然後從第一主表面215 反射回來，以由光學厚度感測器329 感測。有關於雷射束之反射部分的資訊可藉由通訊線路335 傳遞至處理器327 。然後，處理器可將此資訊與帶之折射率一起考量，以計算沿監測路徑的帶之厚度及/或計算沿處理路徑321 的帶之厚度。例如，如第 9 圖 所示，厚度感測器329 可沿監測路徑223c 感測玻璃部分103 之厚度。處理器327 然後可處理資訊以決定沿監測路徑223c 感測到的厚度的不均勻之位置。處理器可使用感測之不均勻性來決定，可垂直地位於玻璃部分103 中感測之不均勻性上方，處理路徑321 內帶之熔融部分104 之對應部分之厚度的不均勻之對應位置。基於來自處理器327 的資訊，控制裝置315 可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）修改不均勻之位置之加熱，以致使不均勻性消除，以跨帶之熔融部分104 之寬度「W 」提供熔融部分104 之更均勻的厚度。一旦達成更均勻的厚度，帶之熔融部分104 即可繼續冷卻成玻璃部分103 ，其中玻璃部分103 之厚度沿帶之玻璃部分103 之寬度「W 」更為均勻。
在一個實施例中，若與處理路徑321 之其他位置相比厚度之不均勻性經決定為相對高的厚度，則控制裝置315 可經配置為（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）藉由通訊線路319 發送命令訊號至雷射產生器301 ，以當脈衝雷射束303 加熱厚度之不均勻之一或更多個位置時藉由增加如上論述的脈衝頻率、脈衝寬度或工作週期中之一或更多者來增加厚度之不均勻之一或更多個位置之加熱。增加的加熱可減少不均勻之一或更多個位置處的熔融材料之黏度，以減少在厚度之不均勻之一或更多個位置處的帶之熔融部分104 之厚度。
在另一個實施例中，若與處理路徑321 之其他位置相比厚度之不均勻性經決定為相對低的厚度，則控制裝置315 可經配置為（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）藉由通訊線路319 發送命令訊號至雷射產生器301 ，以當脈衝雷射束303 加熱厚度之不均勻之一或更多個位置時藉由減少如上論述的脈衝頻率、脈衝寬度或工作週期中之一或更多者來減少厚度之不均勻之一或更多個位置之加熱。減少的加熱可增加厚度之不均勻之一或更多個位置處的熔融材料之黏度，以增加在厚度之不均勻之一或更多個位置處的帶之熔融部分104 之厚度。
偏轉的脈衝雷射可在如第 2 圖 中示意圖示的各種替代加熱區217 中之一者處撞擊帶之熔融部分104 之第一主表面215 上。第 3 圖 繪示一個實施例，其中加熱區217 包括圓形加熱區217a 。第 4 圖 繪示加熱區217 之另一個實施例，包括帶有圓角的方形加熱區217b 。
在一些實施例中，加熱區可在行進路徑150 之行進方向154 上伸長，其中加熱區包含在行進方向154 上延伸的長度219 ，長度219 大於加熱區之寬度221 ，寬度221 垂直於行進方向154 延伸。提供在行進方向154 上延伸的長度219 大於寬度221 可增加當帶之熔融部分104 在行進方向154 上行進時加熱不均勻之位置的時間；從而允許更多的時間使熱傳導通過在行進方向154 上行進的帶之熔融部分104 之厚度「T 」（例如，從約0.5毫米（mm）至約5 mm）。在一些實施例中，加熱區之長度219 與加熱區之寬度221 之比率可為約3或更大。在一些實施例中，除了上述長度與寬度之比率為3或更大之外，或作為替代，垂直於行進方向154 延伸的加熱區之寬度221 可在從約100微米至約30毫米（mm）的範圍中。在一些實施例中，除了上述長度與寬度之比率為3或更大之外，或作為替代，沿行進路徑150 的加熱區之長度219 可在從約1 mm至約100 mm的範圍中。在一些實施例中，方法可包括選擇性地控制脈衝雷射束之長度219 。例如，在一些實施例中，控制裝置315 可經配置為（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）基於帶之熔融部分104 在行進方向154 上行進的速度選擇性地控制加熱區之長度219 。
在一些實施例中，加熱區可包括長圓形，使得在行進方向154 上延伸的長度219 大於垂直於行進方向154 延伸的寬度。第 5 圖 繪示加熱區217 之另一個實施例，包括帶有圓角的矩形加熱區217c 的形式的長圓形。
第 6 圖 繪示加熱區217 之另一個實施例，包括產生長圓形加熱區217d 的往復式光束點601 。在一些實施例中，可移動脈衝雷射束303 ，以在行進路徑150 之行進方向154 上重複移動光束點601 ，以產生長圓形加熱區217d 。在一些實施例中，可移動脈衝雷射束303 ，以在與行進路徑150 之行進方向154 相反的方向603 上重複移動光束點218 ，以產生長圓形加熱區217d 。替代地，在一些實施例中，可移動脈衝雷射束303 ，以在行進方向154 上及在與行進方向154 相反的方向603 上重複往復光束點601 ，以產生長圓形加熱區217d 。例如，光束點601 可在方向603 上向上並且在方向154 上向下振盪，以形成長圓形加熱區217d 。由移動光束點218 提供的長圓形加熱區217d 可包含在行進方向154 上延伸的長度219 ，長度219 大於垂直於行進方向154 延伸的寬度221 。如第 9 圖 示意圖示，處理設備142 可包含加熱區裝置337 ，以修改由雷射產生器301 產生的脈衝雷射束303 ，以產生長度大於寬度的加熱區。例如，加熱區裝置337 可包括振盪器，該振盪器致使光束點601 沿方向154 或603 中之一或更多者行進。在一些實施例中，振盪器可包括旋轉鏡或其他移動鏡或移動光學部件以致使光束點沿該方向（該等方向）快速且重複地行進以產生長圓形加熱區217d 。
在一些實施例中，如第 7 圖 所示，加熱區217 可包括由複數個脈衝雷射束提供的長圓形加熱區217e ，該複數個脈衝雷射束撞擊在長圓形加熱區217e 上作為光束點701 之陣列。如圖所示，在一些實施例中，光束點701 之中心可分別位於在行進方向154 上延伸的線性軸上。例如，如第 2 圖 所示，光束點701 之陣列包括三個光束點，其中心位於在行進方向154 上延伸的線性軸上，以提供長圓形加熱區217e ，其在行進方向154 上延伸的長度219 大於垂直於行進方向154 延伸的寬度221 。儘管繪示了三個光束點701 ，但在一些實施例中，可提供兩個光束點或多於三個光束點。此外，複數個光束點701 可彼此重疊，但在進一步實施例中光束點可稍微間隔開。重疊的光束點可沿長度219 產生更均勻的加熱。若以重疊對準的配置提供光束點701 ，則一些實施例可在行進方向154 上以光束點701 之尺寸之50%或更小來重疊光束點。在一些實施例中，加熱區裝置337 可包括分光器，該分光器設計成將來自雷射產生器301 的脈衝雷射束303 分成撞擊在帶之熔融部分104 之主表面上在上述光束點之陣列中的複數個脈衝雷射束。
在一些實施例中，如第 8 圖 所示，加熱區217 可包括長圓形加熱區217f ，長圓形加熱區217f 以橢圓形的形狀提供作為光束點801 。如圖所示，被脈衝雷射束303 撞擊的長圓形加熱區217f 之光束點801 在繪示的橢圓形中可包括在行進路徑150 之行進方向154 上延伸的主軸，使得加熱區之長度219 在行進路徑150 之行進方向154 上延伸且大於垂直於行進方向154 延伸的寬度221 。參照第 9 圖 ，在一些實施例中，可提供光學部件339 以使脈衝雷射束303 成形並且提供以橢圓形的形狀的長圓形加熱區217f 。在一些實施例中，光學部件339 可包括一或更多個圓柱狀透鏡。在一些實施例中，光學部件339 可包括歪像稜鏡。
如第 9 圖 ~ 第 10 圖 所示，處理設備142 可任選地包括感測設備341 。第 10 圖 示意圖示包括感測裝置403 的感測設備341 之實施例。在一些實施例中，雷射產生器301 可經配置以發射脈衝雷射束303 ，脈衝雷射束303 將由偏轉器裝置（例如，多邊形反射裝置）偏轉以撞擊在感測裝置403 上。撞擊在感測裝置403 上的脈衝雷射束303 可產生可藉由通訊線路409 傳遞至處理器327 的訊號。然後，處理器可校準偏轉的脈衝雷射束303 之位置，以允許更準確且更精確地加熱帶之熔融部分104 之特性的不均勻之適當位置。
現將參照第 2 圖 ~ 第 10 圖 論述製造帶之方法。製造帶之方法之實施例可包括沿行進路徑150 之行進方向154 移動帶。例如，可從成形容器140 之根部145 熔融拉製帶以沿行進路徑150 之行進方向154 拉製帶。本揭示案之方法可進一步包含識別帶之特性（例如，溫度及/或厚度）的不均勻之位置，如帶之熔融部分104 。在一些實施例中，方法可包含沿監測路徑223a 、 223b 、 223c 監測帶之熔融部分104 之特性，以直接或間接識別帶之熔融部分104 之特性（例如，溫度、厚度）的不均勻之位置。
在一個實施例中，方法可包含識別帶之熔融部分104 之溫度的不均勻之位置。在一些實施例中，溫度可由溫度感測器323 （例如，紅外線攝影機）監測。在一些實施例中，溫度感測器323 可沿熔融部分104 之監測路徑223a 、 223b 監測帶之熔融部分104 之溫度。有關於感測之溫度的訊號可藉由通訊線路325 傳送至處理器327 ，其可決定沿監測路徑的溫度的不均勻之一或更多個位置。
在另一個實施例中，方法可包含識別帶之厚度（例如，帶之玻璃部分103 及/或熔融部分104 之厚度）的不均勻之位置。在一些實施例中，厚度可由厚度感測器329 沿帶之玻璃部分103 之監測路徑223c 監測。有關於感測之厚度的訊號可藉由通訊線路335 傳送至處理器327 ，其可決定玻璃部分103 及/或垂直地位於玻璃部分103 上方的熔融部分104 之厚度的不均勻之一或更多個位置。
本揭示案之方法可進一步包括加熱帶之熔融部分104 。在一些實施例中，脈衝雷射束303 可由雷射產生器301 產生。雷射產生器301 產生脈衝雷射束，該脈衝雷射束可撞擊在帶之熔融部分104 之表面上以從脈衝雷射束303 轉移能量至熔融部分104 。在一些實施例中，可使用CO2 雷射產生器來產生脈衝雷射束303 ，但在進一步實施例中可使用其他類型的雷射產生器。在一些實施例中，脈衝雷射束303 可包括波長，當脈衝雷射束303 撞擊在熔融部分104 之表面上時，該波長可促進能量從脈衝雷射束303 轉移至熔融部分104 。例如，脈衝雷射束可包含在從約0.9微米至約12微米之範圍內的波長，以允許來自脈衝雷射束303 的能量被帶之熔融部分104 吸收。可選擇脈衝雷射束之波長以將對特定類型的待處理的熔融材料的吸收最佳化。
然後，處理設備142 可使脈衝雷射束303 偏轉，以在帶之熔融部分104 之處理路徑321 上的加熱區217 處撞擊在處理路徑321 上。在一些實施例中，如圖所示，處理路徑321 可垂直於行進方向154 延伸，但在進一步實施例中，處理路徑321 可以其他角度延伸。可使用聲光偏轉器或電光偏轉器來偏轉產生的脈衝雷射束303 來實現脈衝雷射束303 之偏轉。在又進一步實施例中，脈衝雷射束303 之偏轉可包括從反射表面反射脈衝雷射束303 。
脈衝雷射束303 之偏轉可造成加熱區217 沿處理路徑321 之方向216a 、 216b 中之一者移動。在處理路徑321 垂直於行進方向154 的實施例中，方向216a 、 216b 可包括帶之寬度「W 」之方向。沿方向216a 、 216b 的加熱區217 之移動可藉由聲光偏轉器、電光偏轉器或反射表面來實現。例如，反射表面可包括旋轉反射表面，如旋轉鏡。旋轉鏡可繞軸旋轉，其中加熱區217 取決於反射表面如何旋轉而沿方向216a 、 216b 中之一或兩者移動。
在繪示的實施例中，若提供反射表面，則該反射表面可包括多邊形反射裝置305 之複數個反射表面307 。如圖所示，在一些實施例中，複數個反射表面307 可包括繞旋轉軸313 徑向地安置的複數個反射平面鏡，以界定多邊形反射裝置305 之外部多邊形周圍形狀。因此，如第 9 圖 所示，當多邊形反射裝置305 繞旋轉軸313 在旋轉方向311 上旋轉時，從多邊形反射裝置305 之每個反射表面307 反射的脈衝雷射束303 會造成加熱區217 沿方向216a 跨帶之寬度「W 」之行程(stroke)。
在一些實施例中，方法可包括繞多邊形反射裝置305 之旋轉軸313 在旋轉方向311 上以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置，以沿處理路徑321 移動加熱區217 。以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置305 可藉由避免過度加熱及其他可能由於角速度的恆定改變（在另外情況下可能需要，以跨處理路徑321 提供期望的加熱輪廓）而致使的馬達309 之過早故障的應力，來增加驅動多邊形反射裝置305 之旋轉的馬達309 之壽命。
本揭示案之方法可包括沿處理路徑321 使偏轉的（例如，反射的）脈衝雷射束303 撞擊在加熱區217 上，其中加熱區217 可包括所識別的不均勻之位置。例如，當加熱區217 在處理路徑321 之方向216a 及/或216b 中行進時，加熱區可移動，使得在一段時間內，加熱區包括所識別的不均勻之位置。可控制脈衝雷射束303 之特性，以取決於沿處理路徑321 的加熱區217 之位置來選擇性地控制由脈衝雷射束303 提供的加熱。例如，控制脈衝雷射束303 之特性可包括在加熱區217 包括所識別的不均勻之位置的時間段內修改脈衝雷射束303 之一或更多個特性（例如，脈衝頻率、脈衝寬度及/或工作週期）。修改脈衝雷射束303 之一或更多個特性亦可允許選擇性地調整帶之熔融部分104 在不均勻之位置處之加熱，以處理與沿處理路徑321 的熔融部分104 之其他位置不同的不均勻之位置。在一些實施例中，選擇性地控制不均勻性之加熱可致使不均勻性消除，其中不均勻之位置處的厚度變化相對於沿處理路徑321 的其他位置之厚度小於3微米。在一些實施例中，可沿處理路徑321 之一部分關閉脈衝雷射束303 。例如，當偏轉的脈衝雷射束303 不會產生包括不均勻之位置的加熱區217 時，可關閉脈衝雷射束303 。相反，僅當偏轉的脈衝雷射束303 提供包括不均勻之位置的加熱區217 時，才可開啟脈衝雷射束303 。當所造成的光束點將位於不均勻之位置外側時關閉脈衝雷射束303 可避免在不均勻之位置外側使帶之部分變薄。替代地，脈衝雷射束可在處理路徑321 之更長的長度期間（例如，跨帶之整個寬度「W」）保留著，以改變沿處理路徑321 的加熱量，其中可在不均勻之位置處提供增強的加熱，以相對於不均勻之外側的位置在該位置處致使相對較高的變薄，從而致使不均勻性消除。
在一個實施例中，若不均勻性包括熔融部分104 之過厚的位置，則方法可包含改變脈衝雷射束303 之一或更多個特性，以當加熱區217 包括所識別的不均勻之位置時增加由脈衝雷射束303 之加熱。增加的加熱可消除沿處理路徑321 的熔融部分之厚度之不均勻性。
在另一個實施例中，若不均勻性包括熔融部分104 之位置處降低的溫度，則方法可包含改變脈衝雷射束303 之一或更多個特性，以當加熱區217 包括所識別的不均勻之位置時增加由脈衝雷射束303 的加熱。增加的加熱可致使溫度不均勻性消除，使溫度跨處理路徑321 及跨帶之寬度「W 」變得更均勻。
在另一個實施例中，若不均勻性包括熔融部分104 之位置處提高的溫度，則方法可包含改變脈衝雷射束303 之一或更多個特性，以當加熱區217 包括所識別的不均勻之位置時減少由脈衝雷射束303 的加熱。減少的加熱可致使溫度不均勻性消除，使溫度跨處理路徑321 及跨帶之寬度「W 」變得更均勻。
在一些實施例中，多邊形反射裝置305 可以實質上恆定的角速度旋轉，同時可控制脈衝雷射束303 之特性以修改跨處理路徑321 的加熱輪廓。以這種方式，以實質上恆定的角速度旋轉多邊形反射裝置305 可避免馬達309 故障，而當多邊形反射裝置305 旋轉時改變脈衝雷射束303 之特性可跨處理路徑321 提供期望的加熱輪廓。
在一些實施例中，方法可包括使脈衝雷射束303 撞擊在加熱區217 上，如第 2 圖 所繪示，加熱區217 可在行進路徑150 之行進方向154 上伸長，其中在行進方向154 上延伸的加熱區217 之長度219 大於垂直於行進方向154 延伸的加熱區217 之寬度221 。在一些實施例中，例如在某些玻璃組成物的情況下，或當帶之主表面被脈衝雷射束撞擊時帶之熔融部分可能對整個厚度的加熱更敏感時，加熱區可不伸長。在一些實施例中，提供在行進方向154 上伸長的加熱區217 可幫助增加當帶在行進方向154 上行進時帶之熔融部分104 之不均勻之位置暴露於脈衝雷射束303 的累積時間。即使帶在行進方向154 上行進，暴露之累積時間的增加仍可幫助脈衝雷射束303 在不均勻之位置處更充分地加熱帶之熔融部分104 之整個厚度。在一些實施例中，加熱區217 之伸長長度219 與加熱區217 之寬度221 之比率可為約3或更大。在一些實施例中，加熱區217 之寬度221 可在從約100微米至約30毫米的範圍中。在一些實施例中，加熱區217 之長度219 可在從約1毫米至約100毫米的範圍中。在一些實施例中，加熱區217 之伸長長度219 可約為帶在行進方向154 上在選定的時間段中移動的距離。在一些實施例中，時間段可為至少約1秒，但在進一步實施例中可提供少於1秒。例如，控制裝置315 可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）發送命令訊號至加熱區裝置337 ，以基於帶行進的速度調整加熱區217 之長度219 。例如，控制裝置315 可經配置以（例如，「程式化為」、「編碼為」、「設計為」及/或「製作為」）發送命令訊號至加熱區裝置337 ，以致使長度219 調整為帶在已程式化的時間段內行進的距離。
可使用各種方法來提供任選地伸長的加熱區，如第 3 圖 ~ 第 8 圖 所示的替代加熱區217 所繪示。在一些實施例中，如關於第 5 圖 ~ 第 8 圖 所論述，加熱區217 可任選地包括長圓形加熱區，該長圓形加熱區包含在行進方向154 上的長度219 ，長度219 大於垂直於行進方向154 的寬度221 。例如，第 5 圖 繪示加熱區217 包括帶有圓角的矩形加熱區217c 的形式的長圓形。在另一個實例中，如第 6 圖 所示且先前所述，加熱區217 包括產生長圓形加熱區217d 的往復式光束點601 。在另一個實施例中，如第 7 圖 所示且先前所述，加熱區217 可包括由複數個脈衝雷射束提供的長圓形加熱區217e ，該複數個脈衝雷射束撞擊在長圓形加熱區217e 上作為光束點701 之陣列。在又另一個實施例中，如第 8 圖 所示且先前所述，加熱區217 可包括長圓形加熱區217f ，以橢圓形的形狀提供作為光束點801 。
在一些實施例中，方法可包含校準偏轉的雷射束之位置，以更準確地控制不均勻之位置之加熱。藉由頻繁地校準偏轉的雷射束之位置，處理器327 可在適當的時間更準確地控制脈衝雷射束之特性，以提供包括帶之熔融部分104 中所識別出的不均勻之位置的加熱區217 之期望的加熱。為了促進校準，在一些實施例中，處理設備142可包括第 9 圖 中示意繪示的感測設備341 。感測設備341 之一個實施例之特徵圖示於第 10 圖 中。如圖所示，感測設備341 可任選地包括聚焦透鏡401 ，聚焦透鏡401 經設計成聚焦脈衝雷射束303 。在進一步實施例中，感測設備341 可包括具有孔407 的遮罩405 。如圖所示，當脈衝雷射束接近遮罩405 中的孔407 時，遮罩405 阻擋脈衝雷射束303 穿過遮罩405 抵達感測裝置403 。然而，最終，脈衝雷射束303 移動至與遮罩之孔407 對準的位置，其中脈衝雷射束303 可穿過孔407 以撞擊在感測裝置403 上。可減小遮罩405 中的孔407 的尺寸，以增加在特定時間定位脈衝雷射束之位置之準確度。由脈衝雷射束303 撞擊感測裝置403 產生訊號，該訊號沿通訊線路409 傳至處理器327 ，然後處理器327 基於來自感測裝置的訊號校準偏轉的脈衝雷射束之精確位置。
在一些具有旋轉多邊形反射裝置305 的實施例中，方法可包含從多邊形反射裝置305 之反射表面307 反射脈衝雷射束303 ，以多邊形反射裝置之第一角度定向撞擊在帶之熔融部分104 上，並且進一步從多邊形反射裝置305 之反射表面307 反射脈衝雷射束303 ，以不同於第一角度定向的第二角度定向撞擊在感測裝置403 上，以校準反射脈衝雷射束303 之位置，例如，對於加熱區行進跨帶之寬度「W 」之每個行程至少校準一次。例如，如第 9 圖 所示，反射的脈衝雷射束可移動，使得加熱區沿處理路徑321 沿方向216a 跨寬度「W 」行進，直到加熱區抵達帶之第一外邊緣153 。多邊形反射裝置305 在旋轉方向311 上的進一步旋轉致使雷射束從第一外邊緣153 行進離開並且在第一外邊緣153 的外側橫向行進，而最終在第一外邊緣153 的外側橫向地撞擊在感測裝置403 上。因此，可進行脈衝雷射束303 之位置之校準，而不會干擾沿處理路徑321 的帶之熔融部分104 之加熱，因為已行進至第一外邊緣153 的外側的脈衝雷射束之未使用部分可用於校準脈衝雷射束303 之位置。儘管未圖示，但可在第二外邊緣155 的外側橫向地提供另一個感測設備（與感測設備341 相似或相同）。在此種實施例中，對於加熱區行進跨帶之寬度「W 」之每個行程，可對脈衝雷射束303 進行兩次校準，以進一步提高脈衝雷射束303 之位置之校準之精確度。
本文所述的實施例及功能操作可以數位電子電路來實現，或以電腦軟體、韌體或硬體來實現，包含在本說明書中揭示的結構及其結構均等物，或以它們中之一或更多者之組合。本文所述的實施例可實現為一或更多種電腦程式產品，亦即，編碼在有形程式載體上的電腦程式指令之一或更多個模組以供資料處理設備執行或控制資料處理設備之操作。有形程式載體可為電腦可讀取媒體。電腦可讀取媒體可為機器可讀取儲存裝置、機器可讀取儲存基板、記憶體裝置或它們中之一或更多者之組合。
術語「處理器」、「控制器」或「控制裝置」可涵蓋用於處理資料的所有設備、裝置及機器，例如包含可程式化處理器、電腦或多個處理器或電腦。除了硬體之外，處理器還可包含為所論述的電腦程式產生執行環境的碼，例如，構成處理器韌體、協定堆疊、資料庫管理系統、操作系統或以它們中之一或更多者之組合的碼。
電腦程式（亦稱為程式、軟體、應用軟體、腳本或碼）可以任何形式的程式語言（包含編譯語言或解譯語言，或宣告語言或程序式語言）編寫，並且電腦程式可以任何形式部署，包含作為獨立程式或作為模組、部件，副常式或適用於電腦環境的其他單元。電腦程式未必對應於文件系統中的文件。程式可儲存在保存其他程式或資料的文件之一部分中（例如，儲存在標記語言文件中的一或更多個腳本），專用於所論述程式的單一文件中，或多個協調文件中（例如，儲存一或更多個模組、子程式或部分碼的文件）。可將電腦程式部署為在一個電腦上執行，或在位於一個位點上或分佈在多個位點上並且藉由通訊網路互連的多個電腦上執行。
本文所述的過程可藉由一或更多個可程式化處理器來執行，可程式化處理器執行一或更多個電腦程式以執行藉由操作輸入資料及產生輸出的功能。過程及邏輯流程亦可由專用邏輯電路來執行，並且設備亦可實現為專用邏輯電路，僅舉幾例，例如，FPGA（場可程式化閘陣列）或ASIC（特殊應用積體電路）。
適用於執行電腦程式的處理器例如包含通用及專用微處理器，以及任何種類的數位電腦之任何一或更多個處理器。通常，處理器將從唯讀記憶體或隨機存取記憶體或兩者接收指令及資料。電腦之基本元件為用於執行指令的處理器以及用於儲存指令及資料的一或更多個資料記憶體裝置。通常，電腦還將包含用於儲存資料的一或更多個大容量儲存裝置（例如，磁碟、磁光碟或光碟），或可操作地耦合以從一或更多個大容量儲存裝置接收資料或將資料傳輸至一或更多個大容量儲存裝置，或兩者。然而，電腦不必具有此種裝置。再者，電腦可嵌入於另一個裝置中，例如，僅舉幾例，行動電話、個人數位助理（PDA）。
適用於儲存電腦程式指令及資料的電腦可讀取媒體包含所有形式的資料記憶體，包含非揮發性記憶體、媒體及記憶體裝置，包含例如半導體記憶體裝置，例如EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，例如，內部硬碟或可移除磁碟；磁光碟；以及CD ROM及DVD-ROM磁碟。處理器及記憶體可由專用邏輯電路補充或併入專用邏輯電路中。
為了提供與使用者的互動，本文所述的實施例可在具有顯示裝置以及鍵盤及指向裝置或觸控螢幕的電腦上實現，顯示裝置例如為用於向使用者顯示資訊的CRT（陰極射線管）或LCD（液晶顯示器）監測器等，指向裝置例如滑鼠或軌跡球，使用者可藉由鍵盤及指向裝置或觸控螢幕向電腦提供輸入。其他種類的裝置也可用於提供與使用者的互動；例如，可以任何形式接收來自使用者的輸入，包含聲音、語音或觸覺輸入。
本文所述的實施例可在包含後端部件（例如，作為資料伺服器）的電腦系統，或包含中介部件（例如，應用伺服器）的電腦系統，或包含前端部件（例如，具有圖形化使用者介面或Web瀏覽器的客戶端電腦，使用者可經由圖形化使用者介面或Web瀏覽器與本文所述標的之實現方式互動）的電腦系統，或包含一或更多個此種後端部件、中介部件或前端部件之任意組合的電腦系統中實現。系統之部件可藉由數位資料通訊之任何形式或媒體（例如，通訊網路）來互連。通訊網路之實施例包含區域網路（「LAN」）及廣域網路（「WAN」），例如，網際網路。
電腦系統可包含客戶端及伺服器。客戶端及伺服器通常彼此遠離，並且通常經由通訊網路進行互動。客戶端與伺服器之間的關係源於在各自電腦上運行的電腦程式，並且彼此之間具有客戶端-伺服器關係。
將理解，各種揭示的實施例可涉及結合特定實施例描述的特定特徵、元件或步驟。亦將理解，儘管相對於一個特定實施例進行描述，但特定特徵、元件或步驟可以各種未說明的組合或排列與替代實施例互換或組合。
亦將理解，如本文所使用，術語「該」、「一」或「一個」指「至少一個」，並且不應限於「僅一個」，除非明確地相反地指出。同樣，「複數個」意欲表示「多於一個」。
在本文中可將範圍表示為從「約」一個特定值，及/或至「約」另一個特定值。當表示此種範圍時，實施例包含從一個特定值及/或至另一個特定值。類似地，當藉由使用先行詞「約」將數值表示為近似值時，將理解特定值形成另一個實施例。將進一步理解，每個範圍之端點關於另一個端點皆為有意義的並且獨立於另一個端點。
如本文使用的術語「實質」、「實質上」及其變型意欲注意描述的特徵等於或近似等於值或描述。
除非另外明確說明，否則本文記載的任何方法決不欲解釋為要求以特定順序執行方法的步驟。因此，當方法請求項實際上並未敘述方法的步驟所要遵循的順序時，或當在申請專利範圍或說明中並未另外特定說明步驟將限於特定順序時，決不欲推斷任何特定順序。
儘管可使用連接詞「包括」來揭示特定實施例之各種特徵、元件或步驟，但應理解，隱含了替代實施例，包含可使用連接詞「由……組成」或「基本上由……組成」來描述的實施例。因此，例如，對於包括A+B+C的設備的暗示的替代實施例包含其中設備由A+B+C組成的實施例以及其中設備基本上由A+B+C組成的實施例。
應理解，儘管已關於本揭示案之某些說明性及特定實施例詳細地描述了各種實施例，但本揭示案不應視為限於此種，因為在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下所揭示的特徵之多種修改及組合為可能的。
100:玻璃製造設備 101:成形設備 102:玻璃熔化及輸送設備 103:玻璃部分 104:熔融部分 105:熔化容器 106:玻璃帶 107:批料 109:儲存倉 111:批量輸送裝置 113:馬達 115:控制裝置 117:箭頭 119:熔體探針 121:熔融材料 123:豎管 125:通訊線路 127:澄清容器 129:第一連接導管 131:混合腔室 133:輸送容器 135:第二連接導管 137:第三連接導管 139:輸送管 140:成形容器 141:入口導管 142:處理設備 145:根部 149:玻璃分離器 150:行進路徑 151:分離路徑 152:中心部分 153:第一外邊緣 154:行進方向 155:第二外邊緣 156:方向 163:邊緣導引器 164:邊緣導引器 201:槽 203:堰 204:堰 205:外表面 206:外表面 207:會聚表面部分 208:會聚表面部分 209:成形楔 210:相對端 211:相對端 213:拉製平面 215:第一主表面 216:第二主表面 216a:方向 216b:方向 217:加熱區 217a:加熱區 217b:加熱區 217c:加熱區 217d:加熱區 217e:加熱區 217f:加熱區 219:長度 221:寬度 223a:監測路徑 223b:監測路徑 223c:監測路徑 301:雷射產生器 303:脈衝雷射束 305:多邊形反射裝置 307:反射表面 309:馬達 311:旋轉方向 313:旋轉軸 315:控制裝置 317:通訊線路 319:通訊線路 321:處理路徑 323:溫度感測器 325:通訊線路 327:處理器 329:厚度感測器 333:方向 335:通訊線路 337:加熱區裝置 339:光學部件 341:感測設備 401:聚焦透鏡 403:感測裝置 405:遮罩 407:孔 409:通訊線路 601:光束點 603:方向 701:光束點 801:光束點 T:厚度 W:寬度
當參照附圖閱讀以下實施方式時，將更好地理解這些及其他實施例，其中：
第 1 圖 示意繪示根據本揭示案之實施例的經配置以形成帶的玻璃製造設備之示例性實施例；
第 2 圖 圖示根據本揭示案之實施例的沿第 1 圖 之線2-2 的玻璃製造設備之透視剖面圖；
第 3 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之一個實施例之放大圖；
第 4 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之另一個實施例之放大圖；
第 5 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之另一個實施例之放大圖；
第 6 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之另一個實施例之放大圖；
第 7 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之另一個實施例之放大圖；
第 8 圖 圖示第 2 圖 之視圖3 處截取的加熱區之另一個實施例之放大圖；
第 9 圖 繪示處理設備之實施例之示意透視圖，處理設備使偏轉的脈衝雷射束撞擊在帶之熔融部分之加熱區上；及
第 10 圖 繪示感測裝置，感測裝置經配置以產生用於校準偏轉的脈衝雷射束之位置的訊號。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:玻璃製造設備
101:成形設備
104:熔融部分
121:熔融材料
140:成形容器
145:根部
150:行進路徑
152:中心部分
153:第一外邊緣
154:行進方向
156:方向
163:邊緣導引器
201:槽
203:堰
204:堰
205:外表面
206:外表面
207:會聚表面部分
208:會聚表面部分
209:成形楔
210:相對端
213:拉製平面
215:第一主表面
216:第二主表面
216a:方向
216b:方向
217:加熱區
219:長度
221:寬度
223a:監測路徑
223b:監測路徑
321:處理路徑
T:厚度

Claims (10)

  1. 一種製造一帶之方法，包括以下步驟： 沿一行進路徑之一行進方向移動該帶； 識別該帶之一熔融部分之一特性的一不均勻之一位置； 偏轉一脈衝雷射束；及 使該偏轉的脈衝雷射束撞擊在一加熱區上，該加熱區包括該不均勻之該位置，其中該加熱區在該行進路徑之該行進方向上伸長。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該偏轉該脈衝雷射束的步驟包括從一多邊形反射裝置之一反射表面反射該脈衝雷射束。
  3. 一種製造一帶之方法，包括以下步驟： 沿一行進路徑之一行進方向移動該帶； 識別在該帶之一熔融部分之一處理路徑上該帶之該熔融部分之一特性的一不均勻之一位置； 從一多邊形反射裝置之一反射表面反射一脈衝雷射束，該反射的脈衝雷射束撞擊在該處理路徑上的一加熱區上；及 繞該多邊形反射裝置之一旋轉軸以一實質上恆定的角速度旋轉該多邊形反射裝置，以沿該處理路徑移動該加熱區，該加熱區包括該不均勻之該位置。
  4. 一種製造一帶之方法，包括以下步驟： 沿一行進路徑之一行進方向移動該帶； 識別該帶之一熔融部分之一特性的一不均勻之一位置； 偏轉一脈衝雷射束； 使該偏轉的脈衝雷射束撞擊在一加熱區上，該加熱區包括該不均勻之該位置； 使該偏轉的脈衝雷射束撞擊在一感測裝置上，該撞擊在該感測裝置上的步驟產生一訊號；及 基於該產生的訊號來校準該偏轉的脈衝雷射束之一位置。
  5. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該特性包括該帶之一厚度。
  6. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該特性包括該帶之一溫度。
  7. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該脈衝雷射束於一光束點處撞擊在該加熱區上，該光束點沿該行進路徑在該加熱區內重複移動。
  8. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該脈衝雷射束包括複數個脈衝雷射束，該複數個脈衝雷射束在對應的光束點處撞擊在該加熱區上，該等光束點安置成在該行進路徑之該行進方向上對準的光束點之一陣列。
  9. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該加熱區包括一橢圓形，該橢圓形包括在該行進路徑之該行進方向上延伸的一主軸。
  10. 如請求項1至請求項4中之任一項所述之方法，其中該方法進一步包括以下步驟：控制該脈衝雷射束之一特性以控制該不均勻之該位置之一加熱。
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