TW202102563A - 用於研磨墊之組成物、研磨墊及半導體裝置之製備方法 - Google Patents

用於研磨墊之組成物、研磨墊及半導體裝置之製備方法 Download PDF

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Abstract

於依據一實施例之組成物，於氨酯系預聚物中之於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯與未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯的重量比率被調整，藉此諸如膠凝時間之物理性質可受控制。因此，藉由固化依據此實施例之組成物而獲得之一研磨墊的研磨速率及墊切割速率可受控制，同時其具有適於一軟墊材之一硬度，藉此，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。

Description

用於研磨墊之組成物、研磨墊及半導體裝置之製備方法
技術領域
實施例係有關於用於一研磨墊之一組成物、一研磨墊，以及用於製備一半導體裝置之一方法。更特別地，實施例係有關於用於一半導體裝置之一化學機械平坦化(CMP)方法的一多孔聚氨酯研磨墊之一組成物，自此組成物製備之一多孔聚氨酯研磨墊，以及用於使用此研磨墊製備一半導體裝置之一方法。
背景技術
用於製備半導體之一方法中的化學機械平坦化(CMP)方法係指一步驟，其中，諸如一晶圓之一半導體基材固定於一頭部，且與置於一平台上一研磨墊的表面接觸，然後，半導體基材的表面藉由於平台及頭部相對移動時供應一漿料而作化學處理，藉此使半導體基材表面上之不規則物機械式平台化。
一研磨墊係一重要元件，其於此一CMP方法中扮演一重要角色。一般，一研磨墊係由一聚氨酯樹脂組成，此樹脂包含藉由使一二異氰酸酯單體與一多元醇反應獲得之一預聚物、一固化劑、一發泡劑等。
此外，一研磨墊係於其表面上設有供一漿料大量流動之凹槽，及用於支持其細微流動之孔洞。孔洞可藉由使用具有孔隙之一固相發泡劑、一惰性氣體、一液相材料、一纖維等形成，或藉由一化學反應產生一氣體形成。
用於CMP方法之一研磨墊的型式可依據欲被研磨之目標物選擇。例如，具有一相對較高硬度之一硬墊材係用於研磨氧化物膜，且具有一相對較低硬度之一軟墊材係用於研磨金屬膜。為改良其中之軟墊材，已進行研究增進包括研磨速率之性能，同時調整硬度(見韓國早期公開專利公開案第2016-0027075號案)。
發明揭露 技術問題
用於製備一研磨墊之一氨酯系預聚物於其特徵及物理性質係隨單體而改變，其對化學機械平坦化(CMP)方法之性能具有一巨大衝擊。因此，調整一氨酯系預聚物之物理性質係能顯著改變一研磨墊之特徵的一重要因素。
由於本案發明人進行之研究，發現膠凝特徵係藉由每一種構成用於製備一研磨墊的氨酯系預聚物之二異氰酸酯單體的含量，及其反應或未反應之程度而改變，其接著改變研磨墊之諸如硬度的物理性質，藉此影響諸如研磨速率之CMP性能。
因此，實施例目標係提供一組成物，其物理性質係藉由調整一氨酯系預聚物中之每一種二異氰酸酯單體的含量，及其反應或未反應之程度而增進，自此組成物製備之適於一軟性墊材的一研磨墊，及用於使用此研磨墊製備一半導體之一方法。 問題解決方式
依據一實施例，提供一組成物，其包含一氨酯系預聚物，其中，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，且此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
依據另一實施例，提供一研磨墊，其包含一研磨層，其中，此研磨層包含一組成物之一經固化的產物，此組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，且此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
依據另一實施例，提供用於製備一半導體裝置之一方法，其包含使用一研磨墊研磨一半導體基材的表面，其中，此研磨墊包含一研磨層，此研磨層包含一組成物之一經固化的產物，此組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，且此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。 發明有利功效
於依據實施例之組成物，氨酯系預聚物中之每一種二異氰酸酯單體的含量及其反應或未反應之程度被調整，以控制其物理性質，諸如，膠凝時間。因此，藉由固化依據實施例之組成物而獲得之一研磨墊的研磨速率及切割速率可被控制，同時其具有適於一軟墊材之一硬度，藉此，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。
用於實行本發明之最佳模式
於下列實施例之說明，在其中每一層、墊材，或片材被提及係形成於另一層、墊材，或片材之“上”或“下”的情況，其不僅意指一元件直接形成於另一元件之上或之下，亦意指一元件係間接形成於另一元件之上或之下，且其內元件係介於此等之間。
於此說明書，當一部件被稱為“包含”一元件，需瞭解其亦可包含其它元件，而非排除其它元件，除非另有特別說明。
此外，此處使用之與一組份之物理性質、尺寸等有關之所有數值範圍需瞭解係以術語“約”作修飾，除非另有說明。 [用於一研磨墊之組成物]
依據一實施例之組成物包含一氨酯系預聚物，其中，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，且此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
於依據一實施例之組成物，此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之組成物，氨酯系預聚物包含呈100:14至100:28之一反應比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之組成物，以至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%之一總量的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及其中一NCO反應基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之組成物，氨酯系預聚物包含呈100:1至100:23之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
依據一實施例之組成物可進一步包含一固化劑、一發泡劑，及其它添加劑。 氨酯系預聚物
氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物。一預聚合一般係指用於製備具有一相對較低分子量的一聚合物之一反應，其中，為了方便於其製造方法中模製一產物，聚合度被調整至一中間程度。因此，包含一預聚合反應產物之一預聚物可以其本身作模製，或於與另一可聚合化合物或一固化劑進一步反應之後模製，形成一最終產物。例如，氨酯系預聚物之重量平均分子量(Mw)可為500克/莫耳至3,000克/莫耳，600克/莫耳至2,000克/莫耳，或700克/莫耳至1,500克/莫耳。
此至少一二異氰酸酯單體可為至少一芳香族二異氰酸酯單體及/或至少一脂族二異氰酸酯單體。例如，其可為選自由甲苯二異氰酸酯(TDI)、萘-1,5-二異氰酸酯、對伸苯基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯(TODI)、二苯甲烷二異氰酸酯(MDI)、六伸甲基二異氰酸酯(HDI)、二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)，及異佛爾酮二異氰酸酯所組成群組之至少一異氰酸酯。
作為一特別例子，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，且此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
作為另一特別例子，此至少一二異氰酸酯單體可包含至少一脂族二異氰酸酯單體，且此至少一脂族二異氰酸酯單體可為二苯甲烷二異氰酸酯(MDI)、六伸甲基二異氰酸酯(HDI)、二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)等。
多元醇係指包含二或更多個羥基基團之一組份。其可包括低分子量之多元醇及寡聚物至高分子量多元醇。低分子量多元醇的例子可包括乙二醇(EG)、二乙二醇(DEG)、丙二醇(PG)、丙烷二醇(PDO)、甲基丙烷二醇(MP-diol)等。寡聚物至高分子多元醇的例子可包括聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚己內酯多元醇等。特別地，一聚醚多元醇係含有二或更多個伸烷基醚(或伸烷基二醇)重複單元之一化合物。其可具有不僅達至一低分子量亦可達至一寡聚物或一聚合物之一分子量，其係依伸烷基醚單元之重複數量而定。一般，廣泛用於製備聚氨酯之此多元醇可具有200克/莫耳或更多，特別是300克/莫耳至3,000克/莫耳之一重量平均分子量。此外，此多元醇可指其中具有各種分子量之化合物被混合之一組成物。其可進一步包含具有一羥基基團之一醇。
此氨酯系預聚物中之此至少一芳香族二異氰酸酯單體的含量可為20重量%至50重量%，或25重量%至45重量%。
此外，於此氨酯系預聚物中之此至少一脂族二異氰酸酯單體的含量可為0重量%至15重量%，或1重量%至10重量%。
此外，於此氨酯系預聚物中之此多元醇的含量可為35重量%至80重量%，或45重量%至70重量%。 預聚物中之鏈結構
氨酯系預聚物包含一二異氰酸酯單體與一多元醇間之具有各種分子量的聚合反應物。
例如，於氨酯系預聚物，二異氰酸酯單體可藉由至少一NCO基團之一反應(例如，二NCO基團或一NCO基團之一反應)形成此預聚物中之一鏈。
NCO基團之反應包括與一多元醇之一反應，或與一化合物產副反應，但其不受特別限制。例如，NCO基團之反應可包括一鏈延長反應或一交聯反應。
作為一例子，NCO基團之反應包括其中NCO基團與OH基團於一二異氰酸酯單體與一多元醇反應製備氨酯系預聚物期間反應形成一氨酯基團(-NH-C(=O)-O-)之一氨酯反應。作為一代表例，甲苯二異氰酸酯(TDI)之NCO基團與二乙二醇(DEG)之OH基團可接受一氨酯反應，形成如下列化學式所示之一鏈。
Figure 02_image001
作為另一例子，NCO基團之反應可包括與胺化合物之一尿素反應，因此，形成一尿素基團(-NH-C(=O)-NH-)。
作為另一例子，NCO基團之反應可進一步包括一交聯反應。例如，其可進一步包括形成一脲甲酸酯基團或一雙脲基團之一交聯反應。 芳香族二異氰酸酯單體之反應
特別地，用於製備此氨酯系預聚物之此至少一二異氰酸酯單體可包含至少一芳香族二異氰酸酯單體。此至少一芳香族二異氰酸酯單體參與高速率之預聚合反應。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包括呈80重量%至100重量%，85重量%至100重量%，90重量%至100重量%，80重量%至95重量%，85重量%至95重量%，或95重量%至100重量%之一含量的於其中至少一NCO基團已反應之一芳香族二異氰酸酯單體。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體的總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈10重量%至30重量%，10重量%至25重量%，10重量%至20重量%，10重量%至15重量%，15重量%至30重量%，或20重量%至30重量%之一含量的於其中二NCO基團已反應之一芳香族二異氰酸酯單體。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%，80重量%至95重量%，85重量%至95重量%，79重量%至90重量%，或80重量%至90重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之一芳香族二異氰酸酯單體。
於此情況，此氨酯系預聚物可包含呈0.1:1至0.3:1之一重量比率，0.1:1至0.25:1之一重量比率，0.1:1至0.2:1之一重量比率，0.1:1至0.15:1之一重量比率，或0.15:1至0.25:1之一重量比率的於其中二NCO基團已反應之芳香族二異氰酸酯單體，及於其中一NCO基團已反應之芳香族二異氰酸酯單體。 2,4-TDI與2,6-TDI之反應
於依據一實施例之氨酯系預聚物中含有之此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
此氨酯系預聚物可包含呈100:14至100:28，100:15至100:28，100:14至100:25，100:15至 100:25，100:15至100:20，或100:20至100:28之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。作為一特別例子，此氨酯系預聚物可包含呈100:15至100:20之一重重比率的於其中一NCO基團已反應之芳香族二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈10重量%至30重量%，10重量%至25重量%，10重量%至20重量%，10重量%至20.5重量%，10重量%至15重量%，15重量%至30重量%，或20重量%至30重量%之一含量的於其中二NCO基團已反應之甲苯 2,4-二異氰酸酯。特別地，此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含為10重量%至15重量%之一含量的於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%，80重量%至95重量%，85重量%至95重量%，79重量%至90重量%，或80重量%至90重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。特別土地，此氨酯系預聚物可包含為85重量%至95重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈70重量%至90重量%，70重量%至85重量%，70重量%至80重量%，70重量%至75重量%，75重量%至85重量%，或80重量%至90重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。特別地，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含為70重量%至75重量%之一含量的其中一NCO基團已反應之甲苯 2,4-二異氰酸酯。
此氨酯系預聚物可包含呈100:1至100:23，100:50至100:23，100:10至100:23，100:15至100:23，100:1至100:15，或100:1至100:5之一重量比率的其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。特別地，此氨酯系預聚物可包含呈100:15至100:23之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，氨酯系預聚物可包含呈1重量%至30重量%，1重量%至20重量%，1重量%至10重量%，10重量%至30重量%，5重量%至25重量%，或10重量%至20重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。特別地，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含為10重量%至30重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之甲苯 2,6-二異氰酸酯。
如上所述，此氨酯系預聚物中之每一種二異氰酸酯單體的含量，及其反應或未反應的程度被調整，以控制其物理性質，諸如，膠凝時間。因此，藉由固化依據實施例之組成物而獲得之一研磨墊的研磨速率及墊材切割速率可被控制，同時其具有適於一軟墊材之一硬度，因此，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。 未反應之二異氰酸酯單體
此外，用於用以製造此氨酯系預聚物之反應中的某些化合物可能不參與此反應。因此，未參與此反應之一化合物可存在於此氨酯系預聚物。特別地，此氨酯系預聚物可包含一未反應之二異氰酸酯單體。
於此說明書，“未反應之二異氰酸酯單體”係指於其中此二NCO基團二者保持未反應之一二異氰酸酯單體。於此氨酯系預聚物中的此未反應之二異氰酸酯單體的含量可依據製備此預聚物的方法中之單體組成物、方法條件等調整。
以此氨酯系預聚物之重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈7重量%或更少，5重量%或更少，0重量%至7重量%，1重量%至7重量%，0重量%至5重量%，或1重量%至5重量%之一含量的一未反應之二異氰酸酯單體。
存在於此氨酯系預聚物中的此未反應之二異氰酸酯單體可包括一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
例如，以此氨酯系預聚物之重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈3重量%或更少，2重量%或更少，1重量%或更少，0重量%至3重量%，0重量%至1.5重量%，0重量%至1重量%，0重量%至0.5重量%，0.1重量%至3重量%，0.5重量%至3重量%，或1重量%至3重量%之一含量的一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
用於用以製備此氨酯系預聚物之反應中的此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。其中之某些甲苯2,6-二異氰酸酯於反應性係相對較低，其可存在於此氨酯系預聚物中，且未與一多元醇反應。
此外，存在於此氨酯系預聚物中的此未反應之二異氰酸酯單體可進一步包含一 反應之脂族二異氰酸酯單體。
例如，以此氨酯系預聚物之重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈0重量%至15重量%，或1重量%至10重量%之一含量的一未反應之脂族二異氰酸酯單體。 未反應之2,4-TDI及2,6-TDI
用於用以製備此氨酯系預聚物之反應中的此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。其中之某些甲苯2,6-二異氰酸酯於反應性係相對較低，其可存在於此氨酯系預聚物中，且未與一多元醇反應。
此氨酯系預聚物可包含呈100:0至100:4，100:0至100:3，100:0至100:2，100:0至100:1，100:1至100:4，或100:2至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
特別地，此氨酯系預聚物可包含呈100:0至100:1.5之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈5重量%或更少，3重量%或更少，2重量%或更少，1重量%或更少，0重量%至3重量%，0重量%至2重量%，或0重量%至1重量%之一含量的此未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
特別地，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈0重量%至1.5重量%之一含量的此未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
作為一例子，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈5重量%或更少之一含量的未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯，為10重量%至30重量%之一含量的於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，為70重量%至90重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及為1重量%至30重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
如上所述，此氨酯系預聚物中之每一種二異氰酸酯單體的含量及其反應或未反應之程度被調整，以控制其物理性質，諸如，膠凝時間。因此，藉由固化依據實施例之組成物而獲得之一研磨墊的研磨速率及墊材切割速率可被控制，同時其具有適於一軟墊材之一硬度，因此，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。 一未反應之NCO基團的含量
此氨酯系預聚物可於一聚合物、寡聚物，或其內所含之單體的終端處具有一未反應之NCO基團。
作為一特別例子，以此氨酯系預聚物之重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈5重量%至13重量%，5重量%至10重量%，5重量%至9重量%，6重量%至8重量%，7重量%至9重量%，或7重量%至8重量%之一含量的一未反應之NCO基團。
作為一特別例子，以此氨酯系預聚物之重量為基準，此酯系預聚物可包含呈5重量%至9重量%之一含量的一未反應之NCO基團。 用於製備一氨酯系預聚物之方法
此氨酯系預聚物可藉由上述之至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應而製備。
添加至此方法中之每一二異氰酸酯及多元醇的含量與反應條件可調整，以控制每一種二異氰酸酯單體的含量及其反應或未反應之程度。
此氨酯系預聚物中之每一種二異氰酸酯單體的含量及其反應或未反應之程度可藉由NMR設備測量。一旦確認預聚合反應已實行至一合意程度，若需要，可改變反應條件以製備一氨酯系預聚物。
此外，諸如異氰酸酯或醇之額外單體，或其它添加 ，可進一步添加至此預聚合反應。 固化劑
固化劑可為胺化合物及醇化合物之至少一者。特別地，此固化劑可包含選自芳香族胺、脂族胺、芳香族醇，及脂族醇所組成群組之至少一化合物。
例如，固化劑可為選自由4,4'-伸甲基雙(2-氯苯胺)(MOCA)、二乙基甲苯二胺(DETDA)、二胺基二苯甲烷、二胺基二苯基碸、間二甲苯二胺、異佛爾酮二胺、乙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、聚丙二胺、聚伸丙基三胺、乙二醇、二乙二醇、二丙二醇、丁二醇、己二醇、丙三醇，及三羥甲基丙烷所組成群組之至少一者。
以每一分子中之反應性基團的莫耳數為基準，氨酯系預聚物與固化劑可以1:0.8至1:1.2之一莫耳當量比率，或1:0.9至1:1.1之一莫耳當量比率混合。此處，每一分子中之反應性基團的莫耳數”係指，例如，氨酯系預聚物中之異氰酸酯基團的莫耳數，及固化劑中之反應性基團(例如，胺基團、醇基團等)之莫耳數。因此，氨酯系預聚物及固化劑可藉由控制供料速率於混合方法期間以一固定速率供料，使得氨酯系預聚物及固化劑係以滿足如上例示之莫耳當量比率的每單位時間之量供料。 發泡劑
發泡劑並無特別限制，只要其係普遍用於在一研磨墊中形成孔隙。
例如，發泡劑可為選自具有一中空結構之一固相發泡劑、使用一揮發性液體之一液相發泡劑，及一惰性氣體之至少一者。
固相發泡劑可為經熱膨脹之微膠囊。其等可藉由使可熱膨脹之微膠囊熱膨脹而獲得。因為呈已膨脹微球之一結構的此等經熱膨脹之微膠囊具有一均一顆粒直徑，其等具有孔洞直徑可均一控制之優點。特別地，固相發泡劑可呈具有5µm至200µm之一平均顆粒直徑的一微球結構。
可熱膨脹之微膠囊可包含一殼，其包含一熱塑性樹脂；及一發泡劑，其係包封於此殼內。熱塑性樹脂可為選自由偏二氯乙烯系共聚物、丙烯腈系共聚物、甲基丙烯腈系共聚物，及丙烯酸系共聚物所組成群組之至少一者。再者，發泡劑可為選自由具有1至7個碳原子之烴類所組成群組之至少一者。
以100重量份之氨酯系預聚物為基準，固化發泡劑可以0.1重量份至2重量份之一含量使用。特別地，以100重量份之氨酯系預聚物為基準，固相發泡劑可以0.3重量份至1.5重量份，或0.5重量份至1.0重量份之一含量使用。
惰性氣體的種類不受特別限制，只要其係不參與氨酯系預聚物與固化劑間的反應之一氣體。例如，惰性氣體可為選自由氮氣(N2 )、二氧化碳(CO2 )、氬氣(Ar)，及氦氣(He)所組成群組之至少一者。特別地，惰性氣體可為氮氣(N2 )或二氧化碳(CO2 )。
以聚氨酯組成物總體積為基準，惰性氣體可以10%至30%之一體積供料。特別地，以聚氨酯組成物總體積為基準，惰性氣體可以15%至30%之一體積供料。 膠凝時間
組成物發費一特定時間藉焊固化而膠凝，此稱為膠凝時間。
組成物之膠凝時間可為至少100秒，至少110秒，至少120秒，或至少150秒。例如，組成物之膠凝時間可為100秒至300秒，100秒至250秒，100秒至200秒，120秒至220秒，150秒至300秒，或150秒至200秒。作為一特別例子，組成物可具有120秒至220秒之一膠凝時間。
膠凝時間可為，例如，於70℃測得之一數值。 膠凝時之特徵
組成物之諸如抗拉強度、伸長率、硬度等之機械性質於固化時可調整至一特別範圍。
例如，組成物於固化時之抗拉強度可為5N/mm2 至30N/mm2 ，10N/mm2 至25N/mm2 ，10N/mm2 至20N/mm2 ，或15N/mm2 至30N/mm2 。
此外，組成物於固化時之伸長率可為50%至400%，200%至400%，200%至300%，或250%至350%。
此外，組成物於固化時之硬度可為20蕭式D至70蕭式D，30蕭式D至60蕭式D，40蕭式D至60蕭式D，30蕭式D至50蕭式D，或40蕭式D至50蕭式D。
特別地，當其於固化時具有40蕭式D至50蕭式D之硬度，組成物可更適於一軟墊材。
此外，組成物於固化時可具有10N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度及200%350%之一伸長率。
組成物於固化時可具有複數個微孔。
微孔的平均直徑可為10µm至50µm，20µm至50µm，20µm至40µm，20µm至30µm，或30µm至50µm。
此外，組成物於固化時之研磨速率(或移除速率)可為1,000Å/50秒至3,000Å/50秒，1,000Å/50秒至2,000Å/50秒，1,500Å/50秒至2,500Å/50秒，或1,500Å/50秒至1,900Å/50秒。
此外，組成物於固化時之墊切割速率可為15µm/小時至45µm/小時，20µm/小時至35µm/小時，25µm/小時至45µm/小時，或25µm/小時至35µm/小時。 [用於製備一研磨墊之方法]
依據一實施例之用於製備一研磨墊之方法包含將依據實施例之組成物於其固化時模製。
即，依據一實施例之用於製備一研磨墊之方法包含製備一原料組成物，其包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑；及將此原料組成物注射至一模具內並且將其固化，其中，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，且此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體。
於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:14至100:28之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:1至100:23之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
製備一原料組成物之步驟可包含製備包含一氨酯系預聚物之一第一組成物；製備包含一固化劑之一第二組成物；製備包含一發泡劑之一第三組成物；及依序或同時將第一組成物與第二組成物及第三組成物混合，製備此原料組成物。
用以製備原料組成物之混合步驟可藉由將第一組成物與第二組成物混合，其後將其與第三組成物進一步混合，或藉由將第一組成物與第三組成物混合，其後將其與第二組成物進一步混合而實行。
此外，製備原料組成物之步聚可於50℃至150℃之條件下實行。若需要，其可於真空消泡條件下實行。
將原料組成物注射至一模具及使其固化之步驟可於60℃至120℃之溫度條件及50kg/m2 至200 kg/m2 之壓力條件下實行。
此外，上述製備方法可進一步包含將因而獲得之一研磨墊的表面切割，於其表面上加工形成凹槽，與下零件結合，檢查，封裝等步驟。此等步驟可以用於製備一研磨墊之一傳統方式實行。 [研磨墊]
依據一實施例之研磨墊包含一研磨層，其中，此研磨層包含依據一實施例之組成物的一經固化之產物。
即，依據一實施例之研磨墊包含一研磨層，其中，此研磨層包含一組成物之一經固化的產物，此組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，且此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
於依據一實施例之研磨墊，此氨酯系預聚物可包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之研磨墊，此氨酯系預聚物包含呈100:14至100:28之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之研磨墊，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據實施例之研磨墊，此氨酯系預聚物包含呈100:1至100:23之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
包含於研磨層之經固化的產物可為一多孔聚氨酯樹脂。即，此研磨層可包含一聚氨酯樹脂，及複數個分佈於此聚氨酯樹脂中的微孔。此聚氨酯樹脂可自此氨酯系預聚物衍生。
此聚氨酯樹脂之重量平均分子量(Mw)可為500克/莫耳至1,000,000克/莫耳，5,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳，50,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳，100,000克/莫耳至700,000克/莫耳，或500克/莫耳至3,000克/莫耳。
此研磨層的厚度可為0.8mm至5.0mm，1.0mm至4.0mm，1.0mm至3.0mm，1.5mm至2.5mm，1.7mm至2.3mm，或2.0mm至2.1mm。於上述範圍內，作為一研磨層之基本物理性質可充分展現，同時上下部之間的孔洞尺寸偏差係最小。
此研磨層的比重可為0.6g/cm3 至0.9g/cm3 ，或0.7g/cm3 至0.85g/cm3 。
此外，除例示之物理性質外，此研磨層可具有如上所述之與依據一實施例之組成物於固化時般之相同的物理性質及孔洞特徵。
此研磨層之硬度可為20蕭式D至70蕭式D，30蕭式D至60蕭式D，40蕭式D至60蕭式D，30蕭式D至50蕭式D，或40蕭式D至50蕭式D。
此研磨層之抗拉強度可為5N/mm2 至30N/mm2 ，10N/mm2 至25N/mm2 ，10N/mm2 至20N/mm2 ，或15N/mm2 至30N/mm2 。
此研磨層之伸長率可為50%至400%，200%至400%，200%至300%，或250%至350%。
微孔係以分散於此聚氨酯樹脂中而存在。
微孔之平均直徑可為10µm至50µm，20µm至50µm，20µm至40µm，20µm至30µm，或30µm至50µm。作為一特別例子，微孔可具有20µm至25µm之一平均直徑。
此外，此研磨層之每0.3cm2 之面積可含有100至300個，150至300個，或100至250個微孔。
此外，以此研磨層之總面積為基準，微孔之總面積可為30%至60%，35%至50%，或35%至43%。
此外，以此研磨層之總體積為基準，可含有30至70體積%，或40至60體積%之一含量的微孔。
此研磨層可於其表面上具有凹槽，以供加工研磨。此等凹槽可具有用於加工研磨合意之一深度、一寬度，及一間隔，其等並不受特別限制。
此研磨墊可進一步包含一支撐層，其係與此研磨層層合。此支撐層係充當支撐此研磨層，及吸收與分散施用於此研磨層的一衝擊。此支撐層可包含一不織布或一麂皮。其可具有0.5mm至1mm之一厚度及60Asker C至90 Asker C之一硬度。
此外，一黏著層可置於此研磨層與此支撐層之間。此黏著層可包含一熱熔黏著劑。此熱熔黏著劑可為選自由聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯樹脂、聚醯胺樹脂，及聚烯烴樹脂所組成群組之至少一者。特別地，此熱熔黏著劑可為選自由聚氨酯樹脂及聚酯樹脂所組成群組之至少一者。
此研磨墊的研磨速率(或移除速率)可為1,000Å/50秒至3,000Å/50秒，1,000Å/50秒至2,000Å/50秒，1,500Å/50秒至2,500Å/50秒，或1,500Å/50秒至1,900Å/50秒。作為一特別例子，此研磨墊可具有1,000Å/50秒至2,500Å/50秒之一研磨速率(或移除速率)。研磨速率可為於此研磨墊製備後立即(即，於固化後立即)之一起始研磨速率。此外，此研磨墊之墊切割速率可為15µm/小時至45µm/小時，20µm/小時至35µm/小時，25µm/小時至45µm/小時，或25µm/小時至35µm/小時。
若此研磨墊具有落於上述範圍內之特徵，其研磨速率及墊切割速率可受控制，同時其具有適於一軟墊材之一硬度。因此，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。 [用於製備一半導體裝置之方法]
依據一實施例之用於製備之半導體裝置之方法包含使用依據實施例之研磨墊研磨一半導體基材之表面。
即，依據一實施例之用於製備一半導體裝置之方法包含使用一研磨墊研磨一半導體基材之表面，其中，此研磨墊包含一研磨層，此研磨層包含一組成物之一經固化的產物，此組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑，此氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，此至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，且此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:14至100:28一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯 2,4-二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，此氨酯系預聚物可包含呈78重量%至95重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，於依據一實施例之方法，此氨酯系預聚物包含呈100:1至100:23之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
首先，一旦依據一實施例之研磨墊與一平台附接，一半導體基材被置於此研磨墊上。於此情況，此半導體基材的表面與此研磨墊之研磨表面直接接觸。一研磨漿料可噴灑於研磨墊上，以供研磨。其後，此半導體基材及此研磨墊彼此相對地旋轉，使得此半導體基材之表面被研磨。
依據一實施例之研磨墊具有優異之伸長率、硬度、微孔特徵、研磨速率等，因為其係藉由將具有一受控制組成之一氨酯系預聚物固化而獲得。因此，可使用此研磨墊有效地製造具有高品質之一半導體裝置。 用於本發明之模式
以下，本發明係藉由列列範例作詳細解釋。但是，本發明之範圍不限於此等範例。 範例及比較例 (1)製備一氨酯系預聚物
一4頸燒瓶被加進甲苯2,4-二異氰酸酯(2,4-TDI)、甲苯2,6-二異氰酸酯(2,6-TDI、 聚四伸甲基醚二醇(PTMEG)，及二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)，此等於80℃反應，其後進一步添加二乙二醇(DEG)及進一步於80℃反應2小時。於此步驟添加之每一二異氰酸酯及多元醇的含量及反應條件被調整，以製備具有各種不同組成之氨酯系預聚物。
為了分析氨酯系預聚物的組成，5毫克之氨酯系預聚物樣品溶於CDCl3 ，且於室溫接受使用一核磁共振(NMR)裝置(JEOL 500 MHz，90°脈衝)之1 H-NMR及13 C-NMR分析。因而獲得之NMR數據中之TDI的反應或未反應之甲基基團的波峰被積分，因而計算氨酯系預聚物中之一反應或未反應之單體的含量。
特別地，當於其中此二NCO基團中僅位於4-位置的NCO基團與一多元醇反應之2,4-TDI(其下稱為“4-已反應之2,4-TDI”)的重量為100重量份，計算於其中二NCO基團已與一多元醇反應形成一鏈的2,4-TDI(以下稱為“2,4-已反應之2,4-TDI”)，於其中無NCO基團與一多元醇反應之2,6-TDI(以下稱為“未反應之2,6-TDI”)，及於其中此二NCO基團之僅位於2-位置或6-位置之NCO基團已與一多元醇反應之2,6-TDI(以下稱為“2-已反應之2,6-TDI”)之個別重量。(此外，於其中單獨位於2-位置之NCO基團已反應之2,4-TDI，及於其中二NCO基團已反應之2,6-TDI幾乎未檢測出)。結果顯示於以下之表中。 [表1]
項目 範例1 範例2 範例3 範例4 比較例1 比較例2 比較例3
含量 (重量份) 4-已反應之2,4-TDI 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00
2,4-已反應之2,4-TDI 16.61 14.19 22.96 25.68 13.90 28.30 29.62
未反應之2,6-TDI 0 1.68 2.45 0.39 21.22 4.50 8.20
2-已反應之2,6-TDI 22.97 20.96 1.89 1.34 9.59 3.80 24.05
TDI總量 139.58 136.83 127.30 127.41 144.71 136.6 161.87
[表2]
項目 範例1 範例2 範例3 範例4 比較例1 比較例2 比較例3
含量 (重量%) (以總TDI重量為基準) 4-已反應之2,4-TDI (a) 71.64 73.08 78.55 78.49 69.10 73.21 61.78
2,4-已反應之2,4-TDI 11.90 10.37 18.04 20.16 9.61 20.72 18.30
未反應之2,6-TDI 0.00 1.23 1.92 0.31 14.66 3.29 5.07
2-已反應之2,6-TDI (b) 16.46 15.32 1.48 1.05 6.63 2.78 14.86
(a) + (b) 88.10 88.40 80.04 79.54 75.73 75.99 76.64
總TDI 100 100 100 100 100 100 100
(2)製備一研磨墊
提供裝設用於一預聚物、一固化劑、一惰性氣體，及一發泡劑之槽及供料管線之一鑄製機。如上製備之氨酯系預聚物、一固化劑(4,4'-伸甲基雙(2-氯苯胺)，Ishihara)、一惰性氣體(N2 )、一液相發泡劑(FC3283, 3M)、一固相發泡劑(Akzonobel)，及一聚矽氧系界面活性劑(Evonik)被加注至每一槽。此等原料被攪拌，同時將其等以固定速率經由個別供料管線供料至混合頭。於此情況，預聚物及固化劑係以1:1之一當量比率及以10公斤/分鐘之一總速率供料。
經混合之原料注射至一模具(1,000mm×1,000mm×3mm)內並且反應，獲得呈一固體轉塊型式之一模製物件。其後，模製物件之頂部及底部每一者磨掉0.5mm厚度，獲得具有2mm厚度之一研磨層。
其後，此研磨層接受表面研磨及凹槽形成步驟，且藉由一熱熔黏著劑與一支撐層層合，製備一研磨墊。
用於製備此研磨層之特別程序條件綜述於下表中。 [表3]
項目 範例1 範例2 範例3 範例4 比較例1 比較例2 比較例3
預聚物之NCO% (重量%) 7.15 7.15 7.15 7.15 9.3 7.15 7.15
鑄製模具 單層 單層 單層 單層 單層 單層 單層
鑄製、切割，及形成凹槽 依序 依序 依序 依序 依序 依序 依序
預聚物含量 (重量份) 100 100 100 100 100 100 100
界面活性劑含量 (重量份) 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5
固相發泡劑含量 (重量份) 0.5至2.0 0.5至2.0 0.5至2.0 0.5至2.0 0.5至2.0 0.5至2.0 0.5至2.0
惰性氣體供料速率 (公升/分鐘) 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5
測試例
範例及比較例獲得之研磨墊對下列項目作測試。結果顯示於以下表2。 (1)硬度
每一樣品切成5cm×5cm(厚度：2mm)，且於25℃之一溫度貯存12小時，使用一硬試測試機(HPE III蕭式D)測量硬度。 (2)比重
每一樣品切成2cm×5cm(厚度：2mm)，且於25℃之一溫度貯存12小時，使用一比重計(MD-300S)測量比重。 (3)抗拉張度
每一樣品切成4cm×1cm(厚度：2mm)。斷裂前即時之最終強度於樣品以50mm/分鐘之一速率測試時，使用一萬能測試機(UTM，AG-X Plus)測量。 (4)伸長率
每一樣品切成4cm×1cm(厚度：2mm)。斷裂前即時之最大變形於樣品以50mm/分鐘之一速率測試時，使用一萬能測試機(UTM，AG-X Plus)測量。最大變形對起始長度之比率以百分率(%)表示。 (5)膠凝時間
預聚物及固化劑以1:1之一當量比率混合，且以5,000rpm攪拌之混合物於70℃膠凝為止所花費的時間。 [表4]
項目 評估 範例1 範例 範例3 範例4 比較例1 比較例2 比較例3
研磨層 厚度(mm) 2 2 2 2 2 2 2
硬度 (蕭式D) 45 44.4 44.2 44.8 58 47 49
比重(g/cc) 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
抗拉強度(N/mm2 ) 18.5 18.7 18.9 18.6 23.0 20.0 21.2
伸長率(%) 274 280 286 283 98 232 212
膠凝時間(秒) 167 165 170 163 55 110 90
支撐層 型式* NF NF NF NF NF NF NF
厚度(mm) 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1
硬度(Asker C) 70 70 70 70 70 70 70
研磨墊 厚度(mm) 3.32 3.32 3.32 3.32 3.32 3.32 3.32
壓縮率(%) 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05
＊ NF：不織布 (6)研磨速率(移除速率)
研磨墊製備後即時之起始研磨速率係如下般測量。
具有300mm直徑之一矽系半導體基材係藉由一CVD方法以二氧化矽沉積。研磨墊置放於一CMP機器上，且半導體基材被固定，其二氧化矽層面向研磨墊之研磨表面。二氧化矽層於4.0psi之一研磨荷重下研磨，同時以150rpm之一速度旋轉50秒，且一經煆燒之二氧化矽漿料以250毫升/分鐘之一速率供應於研磨墊上。於研磨完全時，半導體基材自載體脫離，安置於一旋轉乾燥器，以蒸餾水清洗，然後，以氮乾燥15秒。經乾燥之半導體基材於研磨前後之膜厚度變化使用一光譜反射儀式厚度測量儀器(SI-F80R，Keyence)測量。研磨速率使用下列方程式計算。結果顯示於以下表。 研磨速率(Å/50秒)=研磨前後之厚度差(Å)/研磨時間(50秒) (7)墊切割速率
每一研磨墊以去離子水預調節10分鐘，然後於具有一鑽石碟之一調節器中，於去離子水噴灑時調節1小時(調節器型式：CI45，調節型式：於原位，調節器力量：5.0磅，調節器rpm：101.0rpm，調節器掃瞄速度：19.0sw/分鐘，去離子水流速：250cc/分鐘)。調節期間之研磨墊厚度變化被測量以計算墊切割速率。結果顯示於以下表中。 [表5]
項目 評估 範例1 範例2 範例3 範例4 比較例1 比較例2 比較例3
研磨墊 研磨速率 (Å/50秒) 1,741 1,770 1,825.5 1,795.3 3,580 1,823.4 1,950
墊切割速率 (µm/小時) 27 28 29.5 26.5 18 22 19.5
如上各表中所示，範例之研磨墊於研磨速率係優異，對於一軟墊材係於一適當量， 而比較例之研磨墊由於硬區段聚集增加而具有不適於一軟墊材之一研磨速率。
此外，如上述各表中所示，範例之研磨墊當以一鑽石碟調節時具有一優異墊切割速率，而比較例之研磨墊由於硬區段聚集增加而具有一差的墊切割速率。
(無)

Claims (10)

  1. 一種組成物，其包含一氨酯系預聚物， 其中，該氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物， 該至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體， 該至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯，及甲苯2,6-二異氰酸酯，且 該氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
  2. 如請求項1所述的組成物，其中，該氨酯系預聚物包含呈100:14至100:28之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之該甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中二NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯。
  3. 如請求項1所述的組成物，其中， 以該至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，該氨酯系預聚物包含呈78重量%至95重量%之一總量的於其中一NCO基團已反應之該甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
  4. 如請求項1所述的組成物，其中，該氨酯系預聚物包含呈100:1至100:23之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之該甲苯2,4-二異氰酸酯，及於其中一NCO基團已反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
  5. 如請求項1所述的組成物，其中，以該至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，該氨酯系預聚物包含 呈5重量%或更少之一含量的該未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯， 呈10重量%至30重量%之一含量的於其中二NCO基團已反應之該甲苯2,4-二異氰酸酯， 呈70重量%至90重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之該甲苯2,4-二異氰酸酯，及 呈1重量%至30重量%之一含量的於其中一NCO基團已反應之該甲苯2,6-二異氰酸酯。
  6. 如請求項1所述的組成物，其中，以該氨酯系預聚物之重量為基準，該氨酯系預聚物包含呈5重量%至9重量%之一含量的一未反應之NCO基團。
  7. 如請求項1所述的組成物，其具有120秒至220秒之一膠凝時間，及於固化時為40蕭式D至50蕭式D之一硬度，10N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，及200%至350%之一伸長率。
  8. 一種研磨墊，其包含一研磨層，其中，該研磨層包含一組成物之一經固化的產物，該組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑， 該氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，該至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，該至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，且 該氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
  9. 如請求項8所述的研磨墊，其中，該研磨層包含具有20µm至25µm之一平均直徑的微孔，且該研磨墊具有1,000Å/50秒至2,500Å/50秒之一研磨速率(或移除速率)。
  10. 一種用於製備一半導體裝置之方法，其包含使用一研磨墊研磨一半導體基材之表面， 其中，該研磨墊包含一研磨層，該研磨層包含一組成物之一經固化的產物，該組成物包含一氨酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑， 該氨酯系預聚物包含至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇之一預聚合反應產物，該至少一二異氰酸酯單體包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，該至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，且 該氨酯系預聚物包含呈100:0至100:4之一重量比率的於其中一NCO基團已反應之甲苯2,4-二異氰酸酯，及未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
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