TW202045992A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種安裝微型LED時之熱應力較強之顯示裝置。 一實施形態之顯示裝置具備具有用以顯示圖像之顯示區域的顯示面板，顯示面板包含：絕緣基板；第1電極，其設置於絕緣基板之上；第1有機絕緣層，其覆蓋第1電極；無機絕緣層，其設置於第1有機絕緣層之上；像素電極，其設置於無機絕緣層之上；第2有機絕緣層，其覆蓋像素電極；及焊墊部，其設置於第2有機絕緣層之上。無機絕緣層具有用以電性連接第1電極與像素電極之第1開口部。第2有機絕緣層具有用以電性連接像素電極與焊墊部之第2開口部。像素電極由透明導電材料形成。

Description

顯示裝置
本發明之實施形態係關於一種顯示裝置。
已知一種使用自發光元件即發光二極體(LED：Light Emitting Diode)之LED顯示器，但近年來，作為更高精細化之顯示裝置，開發一種使用被稱為微型LED之微小之二極體元件之顯示裝置(以下，表述為微型LED顯示器)。
該微型LED顯示器與先前之液晶顯示顯示器或有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示器不同，由於在顯示區域安裝形成有晶片狀之多個微型LED，故容易使高精細化與大型化並存，而作為下一代顯示器備受矚目。
於製造此種微型LED顯示器時，作為將微型LED安裝於基板上之方法，有以雷射等使焊錫材料熔融而將微型LED安裝(接合)於基板上之方法。
然而，於此種安裝方法之情形時，因使焊錫材料熔融時之熱(熱應力)，破壞構成微型LED顯示器之其他元件，而可能使該等其他元件之特性變化。
本揭示之目的在於提供一種安裝微型LED時之熱應力較強之顯示裝置。
一實施形態之顯示裝置具備具有用以顯示圖像之顯示區域的顯示面板，上述顯示面板具備：絕緣基板；第1電極，其設置於上述絕緣基板之上；第1有機絕緣層，其覆蓋上述第1電極；無機絕緣層，其設置於上述第1有機絕緣層之上；像素電極，其設置於上述無機絕緣層之上；第2有機絕緣層，其覆蓋上述像素電極；及焊墊部，其設置於上述第2有機絕緣層之上。上述無機絕緣層具有用以電性連接上述第1電極與上述像素電極之第1開口部。上述第2有機絕緣層具有用以電性連接上述像素電極、與上述焊墊部之第2開口部。上述像素電極由透明導電材料形成。
根據上述構成之顯示裝置，可實現安裝微型LED時之熱應力較強之顯示裝置。
一面參照圖式一面就若干實施形態進行說明。 另，揭示僅為一例，關於業者就保持發明之主旨之適當變更，容易想到者當然包含於本發明之範圍內。又，圖式係為了更明確地說明，而有與實施態樣相比模式性顯示之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋者。於各圖中，有時對連續配置之同一或類似要素省略符號。又，於本說明書與各圖中，對發揮與既出之圖式所述者同一或類似之功能之構成要素標註同一參照符號，省略重複之詳細說明。
圖1係概略性顯示本實施形態之顯示裝置1之構成之立體圖。圖1係顯示由第1方向X、垂直於第1方向X之第2方向Y、及與第1方向X及第2方向Y垂直之第3方向Z規定之三維空間。另，第1方向X及第2方向Y相互正交，但亦可以90度以外之角度交叉。又，於本實施形態，將第3方向Z定義為上，將與第3方向Z相反側之方向定義為下。於表述為「第1構件上之第2構件」及「第1構件下之第2構件」之情形時，第2構件可與第1構件相接，亦可離開第1構件而定位。
以下，於本實施形態中，主要對顯示裝置1為使用自發光元件即微型LED之微型LED顯示裝置(Micro LED Display)之情形進行說明。
如圖1所示，顯示裝置1具備顯示面板2、第1電路基板3及第2電路基板4等。
顯示面板2於一例中為矩形狀。於圖示之例中，顯示面板2之短邊EX與第1方向X平行，顯示面板2之長邊EY與第2方向Y平行。第3方向Z相當於顯示面板2之厚度方向。顯示面板2之主表面與由第1方向X與第2方向Y規定之X-Y平面平行。顯示面板2具有顯示區域DA、及顯示區域DA外側之非顯示區域NDA。非顯示區域NDA具有端子區域MT。於圖示之例中，非顯示區域NDA包圍顯示區域DA。
顯示區域DA係顯示圖像之區域，具備例如矩陣狀配置之複數個像素PX。像素PX包含發光元件(微型LED)及用以驅動該發光元件之開關元件(驅動電晶體)等。
端子區域MT沿顯示面板2之短邊EX設置，並包含用以將顯示面板2與外部裝置等電性連接之端子。
第1電路基板3安裝於端子區域MT之上，並與顯示面板2電性連接。第1電路基板3係例如可撓性印刷電路板。第1電路基板3具備驅動顯示面板2之驅動IC晶片(以下，表述為面板驅動器)5等。另，於圖示之例，面板驅動器5配置於第1電路基板3之上，但亦可配置於其之下。或，面板驅動器5可安裝於第1電路基板3以外者，亦可安裝於例如第2電路基板4。第2電路基板4係例如可撓性印刷電路板。第2電路基板4於第1電路基板3之例如下方與第1電路基板3連接。
上述之面板驅動器5經由例如第2電路基板4與控制基板(未圖示)連接。面板驅動器5藉由基於例如自控制基板輸出之影像信號驅動複數個像素PX而執行於顯示面板2顯示圖像之控制。
另，顯示面板2亦可具有附註斜線顯示之彎折區域BA。彎折區域BA係將顯示裝置1收納於電子機器等之框體時彎折之區域。彎折區域BA位於非顯示區域NDA中之端子區域MT側。於將彎折區域BA彎折之狀態下，第1電路基板3及第2電路基板4以與顯示面板2對向之方式，配置於顯示面板2之下方。
其次，參照圖2，對顯示裝置1之電路構成進行說明。如上所述，於顯示區域DA中矩陣狀配置有複數個像素PX。複數個像素PX同樣地構成。因此，於圖2中，代表說明複數個像素PX中之1個像素PX。像素PX包含例如3個副像素(子像素)SPR、SPG及SPB。
副像素SPR、SPG及SPB同樣地構成。因此，此處為方便起見，主要對副像素SPB之構成(像素電路)進行說明。如圖2所示，副像素SPB包含發光元件10、驅動電晶體DRT、像素電晶體SST、初始化電晶體IST、重設電晶體RST、保持電容Cs1及輔助電容Cs2。閘極驅動器GD包含重設電晶體RST。另，圖2所示之輸出電晶體BCT相對於副像素SPR、SPG及SPB配置1個。於圖2中，各電晶體係n通道型電晶體。又，圖2所示之元件電容Cled係發光元件10之陽極電極與陰極電極之間之電容。另，重設電晶體RST、像素電晶體SST、初始化電晶體IST、及輸出電晶體BCT可不分別以電晶體構成。重設電晶體RST、像素電晶體SST、初始化電晶體IST、及輸出電晶體BCT只要分別作為重設開關、像素開關、及輸出開關發揮功能者即可。Vrst線作為重設配線發揮功能，BG線、RG線、IG線、及SG線分別作為控制配線發揮功能。
於以下之說明中，將電晶體之源極、汲極端子之一者設為第1端子，將另一者設為第2端子。又，將形成元件電容之一端子設為第1端子，將另一端子設為第2端子。
驅動電晶體DRT之第1端子連接於元件電容Cled之第1端子、保持電容Cs1之第1端子及輔助電容Cs2之第1端子。驅動電晶體DRT之第2端子連接於輸出電晶體BCT之第1端子。又，驅動電晶體DRT之第2端子經由Vrst線連接於重設電晶體RST之第1端子。
輸出電晶體BCT之第2端子連接於第1主電源線21。又，元件電容Cled之第2端子連接於第2主電源線22。
像素電晶體SST之第1端子連接於驅動電晶體DRT之閘極端子、初始化電晶體IST之第1端子、及保持電容Cs1之第2端子。像素電晶體SST之第2端子連接於像素信號線23。
初始化電晶體IST之第2端子連接於初始化電源線24。輔助電容Cs2之第2端子連接於第1主電源線21。另，輔助電容Cs2之第2端子只要連接於恆定電位線即可，亦可連接於與第1主電源線21不同之配線。
此處，重設電晶體RST設置於副像素SPB(像素PX)外所設置之閘極驅動器GD，該重設電晶體RST之第2端子連接於重設電源線25。
此處，對第1主電源線21供給第1電源電位PVDD，對第2主電源線22供給第2電源電位PVSS。第1電源電位PVDD相當於用以對發光元件10供給陽極電壓之電壓，第2電源電位PVSS相當於發光元件10之陰極電壓。另，第1主電源線21亦可被稱為共通電源配線。
又，對像素信號線23供給像素信號Vsig，對初始化電源線24供給初始化電壓Vini，重設電源線25設定為重設電源電位Vrst。另，像素信號Vsig係基於上述之影像信號寫入至像素(此處為副像素SPB)之信號。
輸出電晶體BCT之閘極端子連接於BG線。對該BG線供給輸出控制信號BG。
像素電晶體SST之閘極端子連接於SG線。對該SG線供給像素控制信號SG。
初始化電晶體IST之閘極端子連接於IG線。對該IG線供給初始化控制信號IG。
重設電晶體RST之閘極端子連接於RG線。對該RG線供給重設控制信號RG。
於圖2中已說明上述之所有電晶體皆為n通道型電晶體者，但例如驅動電晶體DRT以外之電晶體亦可為p通道型電晶體，又可使n通道型電晶體及p通道型電晶體混存。
又，顯示裝置1只要具備至少1個閘極驅動器GD即可。本實施形態中雖未圖示，但顯示裝置1具備2個閘極驅動器GD。閘極驅動器GD不僅設置於圖2所提之像素PX之左側，亦可設置於像素PX之右側。因此，可自兩側之閘極驅動器GD對1個像素PX賦予信號。此處，對於上述之SG線，採用兩側供電方式，對於其他之BG線、IG線、Vrst線等，採用單側供電方式。
此處，雖已對副像素SPB之構成進行說明，但副像素SPR及SPG亦同樣。
另，圖2中說明之電路構成為一例，只要是至少包含驅動電晶體DRT者，則顯示裝置1之電路構成亦可為其他構成。例如，可省略圖2中說明之電路構成中之一部分，亦可追加其他構成。
圖3係模式性顯示顯示裝置1之剖面構造者。此處，對上述之稱為微型LED之微小發光二極體元件作為顯示元件安裝於陽極電極上之例進行說明。另，於圖3中，主要顯示包含構成像素之TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)之顯示區域DA。
圖3所示之顯示面板2之陣列基板AR具備絕緣基板31。作為絕緣基板31，只要可耐受TFT步驟中之處理溫度，則材質不拘，主要可使用石英、無鹼玻璃等玻璃基板、或聚醯亞胺等樹脂基板。樹脂基板具有可撓性，且可構成顯示裝置1作為薄片顯示器。另，作為樹脂基板，不限定於聚醯亞胺，亦可使用其他樹脂材料。根據上文所述，可能有某些情況適合將絕緣基板31稱為有機絕緣層或樹脂層。
於絕緣基板31上，設置有三層積層構造之底塗層32。雖省略詳細之圖示，但底塗層32具有以氧化矽(SiO2 )形成之下層、以氮化矽(SiN)形成之中層、及以氧化矽(SiO2 )形成之上層。由於底塗層32之下層與基材即絕緣基板31之密接性提高，故分別設置中層作為來自外部之水分及雜質之阻擋膜，設置上層作為不使中層所含之氫原子擴散至稍後敘述之半導體層SC側之阻擋膜。另，底塗層32可進一步積層，亦可為單層構造或雙層構造。例如，於絕緣基板31為玻璃之情形時，由於氮化矽膜之密接性相對較佳，故可於該絕緣基板31上直接形成氮化矽膜。
於絕緣基板31之上，配置有遮光層(未圖示)。遮光層之位置對準後續形成TFT之部位。遮光層只要以金屬層或黑色層等具有遮光性之材料形成即可。藉由遮光層，由於可抑制光侵入至TFT之通道背面，故能抑制可能自絕緣基板31側入射之光所引起之TFT特性變化。另，於以導電層形成遮光層之情形時，藉由對該遮光層賦予特定之電位，可對TFT賦予背閘極效應。
於上述之底塗層32之上形成TFT(例如驅動電晶體DRT)。作為TFT，舉出對半導體層SC使用多晶矽之多晶矽TFT為例。於本實施形態中，利用低溫多晶矽形成半導體層SC。TFT可使用NchTFT、PchTFT之任一者。或，亦可同時形成NchTFT與PchTFT。以下，以使用NchTFT作為驅動電晶體DRT之例進行說明。NchTFT之半導體層SC具有第1區域、第2區域、第1區域及第2區域之間之通道區域、及分別設置於通道區域及第1區域之間以及通道區域及第2區域之間之低濃度雜質區域。第1及第2區域之一者作為源極區域發揮功能，第1及第2區域之另一者作為汲極區域發揮功能。閘極絕緣膜GI使用氧化矽膜形成，閘極電極GE以MoW(鉬、鎢)形成。另，閘極電極GE等形成於閘極絕緣膜GI上之電極亦可被稱為1st配線或1st金屬。閘極電極GE除作為TFT之閘極電極之功能以外，亦具有作為稍後敘述之保持電容電極之功能。此處雖以頂閘極型之TFT為例進行說明，但TFT亦可為底閘極型之TFT。
於閘極絕緣膜GI及閘極電極GE上，設置有層間絕緣膜33。層間絕緣膜33於閘極絕緣膜GI及閘極電極GE上，依序積層例如氮化矽膜及氧化矽膜而構成。
於層間絕緣膜33上，設置有第1電極E1、第2電極E2、及第1主電源線21。第1電極E1、第2電極E2、及第1主電源線21分別採用三層積層構造(Ti系/Al系/Ti系)，且具有：包含Ti(鈦)、含有Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料的下層、包含Al(鋁)、含有Al之合金等以Al為主成分之金屬材料的中層、及包含Ti(鈦)、含有Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料的上層。另，第1電極E1等形成於層間絕緣膜33上之電極亦可被稱為2nd配線、或2nd金屬。第1電極E1連接於半導體層SC之第1區域，第2電極E2連接於半導體層SC之第2區域。例如，於半導體層SC之第1區域作為源極區域發揮功能之情形時，第1電極E1係源極電極，第2電極E2係汲極電極。第1電極E1與層間絕緣膜33、及TFT之閘極電極(保持電容電極)GE一起形成保持電容Cs1。第1主電源線21延伸至絕緣基板31之周緣之端部，形成連接第1電路基板3或面板驅動器(驅動IC)5之端子。
為覆蓋TFT及第1主電源線21，將平坦化膜34形成於層間絕緣膜33、第1電極E1、第2電極E2、及第1主電源線21之上。作為平坦化膜34，多使用感光性丙烯酸等有機絕緣材料。與藉由CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積)等形成之無機絕緣材料相比，配線階差之覆蓋性、或表面之平坦性優異。
於平坦化膜34之上，設置有導電層35。於導電層35之上，設置有絕緣層36。例如，絕緣層36以氮化矽膜形成。於絕緣層36之上，設置有像素電極37。導電層35包含經由像素電極37與絕緣層36之開口接觸之導電層35a。導電層35a及像素電極37皆由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等透明導電材料形成。亦可將導電層35a及像素電極37統稱為陽極電極AN。陽極電極AN經由絕緣層36之開口，與第1電極E1電性連接。於像素部中，導電層35包含導電層35b。導電層35b不形成於與稍後敘述之焊墊部39與陽極電極AN接觸之位置之正下方。導電層35b由ITO或IZO等透明導電材料形成。導電層35b、絕緣層36、及陽極電極AN(像素電極37)形成輔助電容Cs2。
於絕緣層36及陽極電極AN(像素電極37)之上設置有平坦化膜38。平坦化膜38由感光性丙烯酸等有機絕緣材料形成。平坦化膜38具有用以電性連接陽極電極AN、與安裝發光元件(微型LED)10用之焊墊部39之開口。
如上所述，於顯示裝置1，設置有2個平坦化膜34及38。平坦化膜34及38與由無機絕緣材料形成之絕緣層相比，具有向第3方向Z之厚度(膜厚)，故與該等平坦化膜34及38中之至少一者為由無機絕緣材料形成之絕緣層之情形相比，可獲得緩衝性優異之優點。
於顯示區域DA中，於陣列基板AR之上，安裝有發光元件10。於圖3中，僅圖示1個發光元件10，但實際上設置有具有R、G、B之發光色之發光元件10。發光元件10與焊墊部39藉由焊錫材料40接合。
發光元件10於與陽極電極AN相反側具有陰極電極CA。陰極電極CA為了提取來自發光元件10之出射光，需作為透明電極形成，即，由ITO或IZO等透明導電材料形成。陰極電極CA在設置於顯示區域DA之外側之陰極接觸部(未圖示)與設置於陣列基板AR側之配線連接。於平坦化膜38與陰極電極CA之間，設置有元件絕緣層41。元件絕緣層41由陣列基板AR上，填充於發光元件10之間之空隙部之樹脂材料形成。
此處，使用比較例，對本實施形態之顯示裝置1之效果進行說明。另，比較例係用以說明本實施形態之顯示裝置1可獲得之效果之一部分者，並非自本案發明之範圍排除比較例與本實施形態中共通之構成或效果者。
圖4係模式性顯示比較例之顯示裝置100之剖面構造者。比較例之顯示裝置100與本實施形態之顯示裝置1不同之點在於：以金屬材料形成陽極電極AN、及導電層35b延伸至陽極電極AN與焊墊部39接觸之位置之正下方。
於比較例之顯示裝置100中，若為接合發光元件10與焊墊部39而使焊錫材料40熔融，則該熔融時之熱於以金屬材料形成之焊墊部39傳導，並轉移至陽極電極AN。如圖4所示，於比較例之顯示裝置100中，由於亦以金屬材料形成陽極電極AN，故轉移至陽極電極AN之熱於該陽極電極AN傳導，並進而轉移至該陽極電極AN之下層(例如，導電層35b等)。據此，起因於自陽極電極AN轉移之熱(熱應力)，可能使導電層35b自平坦化膜34剝離(產生層間剝離)、或導電層35b破裂。由於其會導致由陽極電極AN、絕緣層36、及導電層35b形成之輔助電容Cs2之大小變化，故而不佳。又，自陽極電極AN轉移之熱可能會使TFT特性變化，基於此點，亦不佳。
圖5係模式性顯示比較例之顯示裝置100之剖面構造之一部分者，於圖5中，點之密度越高表示該部分溫度越高，點之密度越低表示該部分溫度越低。於圖5中，假設顯示裝置100之各部分之溫度為最高溫T1、高溫T2、中高溫T3、中低溫T4、低溫T5、及最低溫T6之任一者之情形。
又，圖6係模式性顯示比較例之顯示裝置100之剖面構造之一部分者，於圖6中，顯示熱通量之大小，實線之箭頭表示熱通量較大，虛線之箭頭表示熱通量較小。
使焊錫材料40熔融時之熱於以金屬材料形成之焊墊部39傳導。因此，焊墊部39之溫度例如如圖5所示，於接近焊錫材料40之部分為最高溫T1，於離開焊錫材料40之部分且與陽極電極AN接觸之部分為中高溫T3。
於焊墊部39傳導之熱轉移至陽極電極AN。轉移至陽極電極AN之熱於由金屬材料形成之陽極電極AN中傳導。因此，陽極電極AN之溫度例如如圖5所示，於與焊墊部39接觸之部分，與焊墊部39之溫度同樣為中高溫T3，離該接觸部分越遠，越降低為中低溫T4、低溫T5、最低溫T6。
另，因由金屬材料形成陽極電極AN，故轉移至陽極電極AN之熱趨於在陽極電極AN傳導中並擴散至陽極電極AN全體。因此，於陽極電極AN中傳導之熱如圖5所示，亦廣泛地轉移至較陽極電極AN為下層之絕緣層36或導電層35b。由此，導電層35b之溫度於陽極電極AN與焊墊部39接觸之位置之正下方為中低溫T4，離該位置越遠，越降低為低溫T5、最低溫T6。
又，於比較例之顯示裝置100中，焊墊部39之溫度如上所述，於接近焊錫材料40之部分為最高溫T1，於離開焊錫材料40之部分且與陽極電極AN接觸之部分為中高溫T3，故根據熱通量之觀點，溫度梯度較大，如圖6所示，熱通量之大小趨於自接近焊錫材料40之部分向與陽極電極AN接觸之部分變大。再者，於比較例之顯示裝置100中，由於陽極電極AN由金屬材料、即熱傳導率較高之構件形成，故根據熱通量之觀點，如圖6所示，熱通量之大小趨於自與焊墊部39接觸之部分向其他部分變大。即，如上所述，轉移至陽極電極AN之熱趨於在陽極電極AN中傳導並擴散至陽極電極AN全體。
如此，於比較例之顯示裝置100中，因由金屬材料、即熱傳導率較高之構件形成陽極電極AN，故而熱擴散，而趨於提高導電層35b之溫度。若導電層35b之溫度變高，則可能使得導電層35b自平坦化膜34剝離、或導電層35b破裂。又，於比較例之顯示裝置100中，因由金屬材料、即熱傳導率較高之構件形成陽極電極AN，故而熱擴散，而可能導致TFT特性變化。
對此，於本實施形態之顯示裝置1中，由於藉由熱傳導率較低之透明導電材料形成陽極電極AN，故自焊墊部39轉移至陽極電極AN之熱難以於該陽極電極AN中傳導，趨於不擴散至該陽極電極AN全體。
圖7係模式性顯示本實施形態之顯示裝置1之剖面構造之一部分者，與圖5同樣，點之密度越高表示該部分為溫度越高，點之密度越低表示該部分溫度越低。於圖7中，與圖5同樣，假設顯示裝置1之各部分之溫度為最高溫T1、高溫T2、中高溫T3、中低溫T4、低溫T5、及最低溫T6之任一者之情形。
又，圖8係模式性顯示本實施形態之顯示裝置1之剖面構造之一部分者，與圖6同樣，顯示熱通量之大小，實線之箭頭表示熱通量較大，虛線之箭頭表示熱通量較小。
使焊錫材料40熔融時之熱於由金屬材料形成之焊墊部39傳導。因此，焊墊部39之溫度例如如圖7所示，於接近焊錫材料40之部分為最高溫T1，於離開焊錫材料40之部分且與陽極電極AN接觸之部分為高溫T2。
另，與比較例之顯示裝置100相比，焊墊部39中之與陽極電極AN接觸之部分之溫度較高之理由在於，因由熱傳導率較低之透明導電材料形成陽極電極AN，而熱難以擴散至其他部分(難以逃散)之故。
於焊墊部39傳導之熱轉移至陽極電極AN。轉移至陽極電極AN之熱起因於由熱傳導率較低之透明導電材料形成該陽極電極AN，而難以於該陽極電極AN傳導，故陽極電極AN之溫度於與焊墊部39接觸之部分最高，離該接觸部分越遠而越降低，與上述之比較例相比，於較窄之範圍內，形成中高溫T3、中低溫T4、低溫T5、最低溫T6。
由於陽極電極AN之溫度如上所述，與比較例相比，於更窄之範圍內變化，故轉移至陽極電極AN之熱不如上述之比較例般擴散，而僅轉移至與焊墊部39接觸之部分附近之絕緣層36或平坦化膜34。另，於與焊墊部39接觸之部分中，雖陽極電極AN之溫度較高，但於本實施形態之顯示裝置1中，由於設為不在與焊墊部39接觸之部分之正下方形成導電層35b之構成，故轉移至陽極電極AN之熱不會轉移至導電層35b。
又，如圖8所示，基於熱通量之觀點，焊墊部39之溫度於接近焊錫材料40之部分為最高溫T1，於離開焊錫材料40之部分且與陽極電極AN接觸之部分為高溫T2，故溫度梯度較小，熱通量之大小趨於自接近焊錫材料40之部分向與陽極電極AN接觸之部分變小。再者，由於陽極電極AN由熱傳導率較低之透明導電材料形成，故如圖8所示，可抑制熱自與焊墊部39接觸之部分流入至其他部分。
又，於本實施形態之顯示裝置1中，由於由透明導電材料形成陽極電極AN，故與比較例之顯示裝置100相比，可提高顯示面板2之開口率(增加顯示面板2之透明之區域)。
根據以上說明之一實施形態，可提供安裝微型LED時之熱應力較強之顯示裝置。
以上，業者基於作為本發明之實施形態說明之顯示裝置，適當設計變更實施而得之所有顯示裝置只要包含本發明之主旨，則亦屬於本發明之範圍內。
於本發明之思想範疇內，若為業者，則可想到各種變化例，應理解該等變化例皆為屬於本發明之範圍內者。例如，對上述各實施形態，業者適當進行構成要素之追加、刪除、或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍內。
又，就藉由上述各實施形態中敘述之態樣帶來之其他作用效果，應理解自本說明書之記載明瞭者、或業者可適當想到者，當然為由本發明帶來者。
本申請案享有以日本專利申請案第2019-051586(申請日：2019/3/19)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該申請案，而包含上述申請案之所有內容。
1:顯示裝置 2:顯示面板 3:第1電路基板 4:第2電路基板 5:面板驅動器 10:發光元件 21:第1主電源線 22:第2主電源線 23:像素信號線 24:初始化電源線 25:重設電源線 31:絕緣層 32:底塗層 33:層間絕緣層 34:平坦化膜 35:導電層 35a:導電層 35b:導電層 36:絕緣層 37:像素電極 38:平坦化膜 39:焊墊部 40:焊錫材料 41:元件絕緣層 100:顯示裝置 AN:陽極電極 BA:彎折區域 BCT:輸出電晶體 BG:輸出控制信號 BG:線 CA:陰極電極 Cled:元件電容 Cs1:保持電容 Cs2:輔助電容 DA:顯示區域 DRT:驅動電晶體 E1:第1電極 E2:第2電極 EX:短邊 EY:長邊 GD:閘極驅動器 GE:閘極電極 GI:閘極絕緣膜 IG：線 IG:初始化控制信號 IST:初始化電晶體 MT:端子區域 NDA:非顯示區域 PX:像素 PVDD:第1電源電位 PVSS:第2電源電位 RG:線 RG:重設控制信號 RST:重設電晶體 SC:半導體層 SG:像素控制信號 SG:線 SPB:副像素 SPG:副像素 SPR:副像素 SST:像素電晶體 T1:最高溫 T2:高溫 T3:中高溫 T4:中低溫 T5:低溫 T6:最低溫 Vini:初始化電壓 Vsig:像素信號 X:第1方向 Y:第2方向 Z:第3方向
圖1係概略性顯示實施形態之顯示裝置之構成之立體圖。 圖2係用以對上述實施形態之顯示裝置之電路構成之一例進行說明之圖。 圖3係模式性顯示上述實施形態之顯示裝置之剖面構成之一例之圖。 圖4係模式性顯示比較例之顯示裝置之剖面構造之一例之圖。 圖5係用以對比較例之顯示裝置之溫度變化進行說明之圖。 圖6係用以對比較例之顯示裝置之溫度變化進行說明之另一圖。 圖7係用以對上述實施形態之顯示裝置之溫度變化進行說明之圖。 圖8係用以對上述實施形態之顯示裝置之溫度變化進行說明之另一圖。
1:顯示裝置
10:發光元件
21:第1主電源線
31:絕緣層
32:底塗層
33:層間絕緣膜
34:平坦化膜
35a:導電層
35b:導電層
36:絕緣層
37:像素電極
38:平坦化膜
39:焊墊部
40:焊錫材料
41:元件絕緣層
AN:陽極電極
CA:陰極電極
E1:第1電極
E2:第2電極
GE:閘極電極
GI:閘極絕緣膜
SC:半導體層

Claims (6)

  1. 一種顯示裝置，其具備： 具有用以顯示圖像之顯示區域之顯示面板，且 上述顯示面板具備： 絕緣基板； 第1電極，其設置於上述絕緣基板之上； 第1有機絕緣層，其覆蓋上述第1電極； 無機絕緣層，其設置於上述第1有機絕緣層之上； 像素電極，其設置於上述無機絕緣層之上； 第2有機絕緣層，其覆蓋上述像素電極；及 焊墊部，其設置於上述第2有機絕緣層之上；且 上述無機絕緣層具有用以電性連接上述第1電極與上述像素電極之第1開口部， 上述第2有機絕緣層具有用以電性連接上述像素電極與上述焊墊部之第2開口部，且 上述像素電極由透明導電材料形成。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述顯示面板進而具備： 第1導電層，其設置於上述第1有機絕緣層與上述無機絕緣層之間；且 於上述第1開口部中，上述第1導電層位於上述第1電極與上述像素電極之間，且連接上述第1電極與上述像素電極。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述顯示面板進而具備： 與上述像素電極對應設置之發光元件，且 上述發光元件藉由焊錫材料而被接合於上述焊墊部之上。
  4. 如請求項3之顯示裝置，其中上述發光元件係微型LED。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中上述顯示面板進而具備： 第2導電層，其設置於上述第1有機絕緣層之上，且介隔上述無機絕緣層與上述像素電極對向；且 上述第2導電層、上述無機絕緣層及上述像素電極形成輔助電容。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中上述第2導電層不設置於與形成上述第2開口部之區域對向之區域。
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