TW202043747A - 檢測系統及方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種檢測系統，其包括：檢測組件，其被配置為基於所接收到的檢測光束來產生對應於不同入射角的至少兩個檢測光斑；訊號收集組件，其被配置為收集被測物在至少兩個檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而產生至少兩組檢測資訊；處理器組件，其被配置為基於至少兩組檢測資訊來確定被測物上的缺陷特徵資訊。通過採用本發明的技術方案，節約了晶圓的移動時間，能明顯增加檢測速度。

Description

檢測系統及方法

本發明屬於檢測領域，尤其關於一種檢測系統及方法。

晶圓缺陷檢測是指檢測晶圓中是否存在凹槽、顆粒、劃痕等缺陷以及缺陷位置。晶圓缺陷檢測應用十分廣泛：一方面，作為晶片基底，晶圓上存在缺陷將可能導致上面製作的昂貴工藝失效，晶圓生產方常進行缺陷檢測確保產品合格率，晶圓使用方也需要在使用前確定晶圓的乾淨程度能保證產品合格率；另一方面，由於半導體加工對加工過程中附加污染控制十分嚴格，而直接監測加工過程中附加污染難度較大，人們常通過晶圓裸片加工前後缺陷對比來判斷該工藝附加污染程度。因此，人們進行了各種晶圓缺陷檢測手段的探索。

目前常用晶圓缺陷檢測方法的主要包括電子束檢測和光學檢測兩大類。得益於電子波的極端波長，電子束檢測能直接成像且解析度可達到1至2奈米，然而它檢測所需的時間較長且檢測需要高真空環境，通常只用來對少數關鍵電路環節抽樣檢查。光學檢測是利用光與晶片相互作用實現檢測的方法的總稱，其基本原理是通過掃描檢測入射光與缺陷散射光是否存在及其強度，判斷缺陷有無及大小。

本發明針對上述問題，提出一種能夠實現對晶圓進行多入射角檢測的系統與方法。

首先，本發明提出了一種檢測系統，其包括：檢測組件，其被配置為基於所接收到的檢測光束產生對應於不同入射角的至少兩個檢測光斑；訊號收集組件，其被配置為收集被測物在所述至少兩個檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而產生至少兩組檢測資訊；處理器組件，其被配置為基於所述至少兩組檢測資訊來確定所述被測物上的缺陷特徵資訊。

本發明還提出了一種檢測方法，其包括：基於所接收到的檢測光束產生對應於不同入射角的至少兩個檢測光斑；收集被測物在所述至少兩個檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而產生至少兩組檢測資訊；以及基於所述至少兩組檢測資訊來確定所述被測物上的缺陷特徵資訊。

通過採用本發明的技術方案，節約了晶圓的移動時間，並且由於避免了重新移動到起點，減少了定位誤差，從而使得兩次檢測結果匹配對準的演算法簡單許多，能明顯增加檢測速度。另外，通過使用本發明的技術方案，可以使用同一波長的光源來對不同顆粒進行檢測。另外，通過使用兩個檢測光斑同時對晶圓檢測，可以節約用於承載晶圓的機台的移動時間，並且兩個光斑的探測軌跡相同，使得兩次檢測結果匹配對準的演算法簡單許多，能明顯增加檢測速度。另外，通過使用本發明的技術方案，可以使用同一波長的光源來對不同顆粒進行檢測。

在以下較佳的實施例的具體描述中，將參考構成本發明一部分的所附的圖式。所附的圖式通過示例的方式示出了能夠實現本發明的特定的實施例。示例的實施例並不旨在窮盡根據本發明的所有實施例。可以理解，在不偏離本發明的範圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結構性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述並非限制性的，且本發明的範圍由所附的申請專利範圍所限定。

對於相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。

首先，對本發明所涉及到的術語進行闡述。檢測光束是指由光源組件產生最後形成檢測光斑的光束，而本發明中的光學組件旨在對檢測光束進行調整，以形成與不同入射角相對應的檢測光斑。入射角是指檢測光束與被測物(比如，晶圓)表面法線方向的夾角。探測區域則是探測器接收到的訊號光所對應的區域，譬如，檢測光斑斑照射區域中光強相對較強的部分，該部分被探測器所接收，以對被測物進行分析。

發明人通過大量的研究發現，根據入射光角度(譬如，正入射還是斜入射，以及相應的斜入射角)、訊號光收集角度範圍(法向收集或非法向收集)。光散射法有多種實現方式，包括：(1)正入射照明法向收集(2)正入射照明非法向收集(3)斜入射照明法向收集(4)以及斜入射照明非法向收集四種。取決於入射光角度及缺陷類型，散射光將呈現不同的分布特點。

具體而言，對於晶圓上分布的凸起類缺陷(譬如，顆粒)，當光正入射時，缺陷散射光比較平均地分布在法向和非法向收集通道；對於晶圓上分布的凹坑類缺陷，當光正入射時，缺陷散射光主要分布在法向收集通道，非法向收集通道所收集到缺陷散射光相對較弱。同理，對於晶圓上分布的顆粒缺陷，當光斜入射時，缺陷散射光主要分布在非法向收集通道；對於晶圓上分布的凹坑缺陷，當光斜入射時，非法向收集通道所收集到的缺陷散射光較弱。可以理解的，對於斜入射，當光入射角產生變化時，相應的散射光分布也會隨之變化。

由上可知，對於凸起類缺陷，斜入射檢測靈敏度更高；對於凹坑類缺陷，正入射具有更高的檢測靈敏度。因此，基於檢測方式以及相應的訊號分布，可以進行缺陷類型分析。本發明通過分時入射的方式來實現正入射、斜入射的獨立檢測，進而節省檢測時間。

下面以被測物為晶圓進行闡述，可以理解的，被測物還可以是晶片、玻璃基板等類似的物體。

圖1為依據本發明實施例的檢測系統架構圖。

檢測系統包括光源組件101、檢測組件102、訊號收集組件103以及處理器組件104。

具體而言，光源組件101用來提供檢測光束，譬如，通過一個或多個雷射器來提供檢測光束。

檢測組件102用於基於所接收到的檢測光束而產生對應於指定的入射角的檢測光斑。譬如，檢測組件102可以包括至少兩個光學支路，當其中一個光學支路由處理器組件104指定而處於工作狀態時，該光學支路將基於來自光源組件101的檢測光束來產生檢測光斑。因此，與檢測光斑相對應的入射角由生成該檢測光斑的光學支路而確定。可以理解的，雖然此處描述了檢測組件102通過包括至少兩個光學支路來實現對檢測光斑入射角的設置，但是在其他實施方式中，檢測組件102也能夠以其他方式來實現對檢測光斑入射角的設置，譬如，通過設置檢測組件102自身的位置、或是，設置光學支路的狀態等等，對此，無需一一列舉。

在一種實施方式中，前述的至少兩個光學支路可以分別對應於至少兩個不同的入射角，如此，通過選擇不同的光學支路，可以使得晶圓能夠在不同的入射角下被檢測。可以理解的，當晶圓處於被檢測時(即，檢測光斑照射到晶圓上)，晶圓將在檢測光斑的作用下產生(比如，通過散射或反射的方式)相應的訊號光。當檢測光斑照射到缺陷時，所產生的訊號光將根據缺陷的類型或其它參數而變化。

檢測組件102還包括用於承載晶圓的機台，並且該機台在處理器組件104的控制下移動，進而可以按照指定軌跡移動晶圓，調整晶圓與檢測光斑的相對位置，實現掃描檢測。

訊號收集組件103用來線形地收集該訊號光，並生成與入射角相關聯的檢測資訊。具體而言，由於每個光學支路均具有不同於其他光學支路的入射角時，因此，每個光學支路均可以產生與入射角相關聯的訊號光。顯然，每組檢測資訊均與相應的入射角相關聯。

處理器組件104從訊號收集組件103處獲得檢測資訊，譬如，至少兩組。然後，處理器組件104基於至少兩組檢測資訊確定晶圓上缺陷特徵資訊，譬如，缺陷的類型、位置以及其它參數。在一種實施方式中，至少兩組檢測資訊中有一組資訊對應於0°入射角(即，正入射)。如此，晶圓上的凸起類缺陷和凹坑類缺陷均可以被精確檢測到。

下面以檢測組件包括兩個光學支路為例進行闡述，其中，第一光學支路的入射角基本上是0°，第二光學支路的入射角基本上是60°(即，斜入射)。可以理解的，此處的入射角的範圍僅僅作為示例，使用者可以根據晶圓上的缺陷特徵來調整第一、第二光學支路所對應的入射角。

圖2為依據本發明實施例的檢測系統的光學架構圖，在圖2中，檢測系統可以實現正入射和斜入射的檢測方式。

雷射器201生成檢測光束，檢測組件202接收該檢測光束以生成對應於指定入射角的檢測光斑。具體而言，處理器組件(未示出)通過切換器2021來確定哪個光學支路可以接收到該檢測光束。因此，切換器2021可以在處理器組件的控制下將檢測光束提供到指定的光學支路。可以理解的，切換器2021可以是反射鏡或是其他能夠切換檢測光束的部件。

當以正入射的方式來檢測晶圓時，切換器2021將檢測光束提供到第一光學支路，即經由波片2022提供到整形鏡組2023，再經由反射鏡2024、2025到達晶圓表面，並且形成檢測光斑。可以理解的，檢測光斑的形狀、長度由整形鏡組2023來控制。譬如，整形鏡組2023還可以將檢測光斑調整為點光斑或是圓光斑。

當以斜入射的方式來檢測晶圓時，切換器2021將檢測光束提供到第二光學支路，即提供到反射鏡2026，然後經由波片2027提供到整形鏡組2028，再經由反射鏡2029到達晶圓表面，並且形成檢測光斑。可以理解的，以斜入射方式形成的檢測光斑與以正入射的方式形成的檢測光斑位置相同且長度一致。如此，以該兩種入射方式形成的檢測光斑可以共用訊號收集通道。

波片2022、2027可以是四分之一或二分之一波片，其可以用來改變檢測光束的偏振態。譬如，根據需求對不同的檢測光束實現不同偏振態，如：p光、s光、圓偏振光等。

基於上述的架構，可以在不同的時間利用兩種不同的入射角來檢測晶圓。可以理解的，光源組件中可以包括多個雷射器，即每個光學支路可以不共用雷射器，即兩個雷射器各為正入射、斜入射提供檢測光束，如此，可以省去切換器2021，而處理器組件則控制相應的雷射器即可。

基於圖2中的檢測系統的架構，本發明提出了兩種檢測方法，結合圖3a、圖3b以及圖4對該兩種檢測方法進行闡述，其中，圖3a、圖3b分別為依據本發明實施例的第一、第二檢測方法流程圖，圖4為依據本發明實施例的檢測路徑示意圖。在本實施例中，採用線形光斑來對晶圓進行檢測。為了便於理解，圖4中以虛線作為同心圓示例，可以理解的是，虛線對應於檢測光斑探測區域的中心，以線形光斑掃描一圈，便可以完成對一個環形區域的掃描。另外，雖然下面是以檢測整個晶圓進行闡述(即，待測區為圓形)，本領域技術人員可以理解的是，待測區還可以是其他形狀。

檢測方法1：基於第一入射角，以第一檢測路徑完成檢測晶圓，然後基於第二入射角，以第二檢測路徑完成檢測晶圓。

在檢測初始狀態，通過機台的移動，使得檢測光斑位於晶圓最外側位置(如圖4光斑位置所示)。可以理解的，本實施例是對整個晶圓進行檢測，如果待測區域是晶圓的一部分，則需要將檢測光斑移動至該待測區域的最外側處。可以理解的，檢測光斑包括探測區域，在本實施例中，探測區域為線形。

步驟S301a：基於第一入射角，根據第1至第N同心圓檢測晶圓。

此處，第1至第N同心圓是沿第一徑向(朝向晶圓的圓心)排列的多個同心圓，換句話說，第1同心圓可以對應於晶圓的最外側，而第N同心圓則是對應於晶圓的最內側。

在此步驟中，以第一入射角來檢測晶圓。機台帶動晶圓旋轉，並通過訊號收集組件(圖2未示出)對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。在沿以第1同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上移動距離d(即，相鄰同心圓的中心之間的距離)進行下一圈掃描。以此類推，直至沿第N同心圓的檢測完成(此時，光斑照射至晶圓中心)，從而完成對晶圓的掃描，獲取與第一入射角相對應的第一組檢測資訊。在一種實施方式中，移動距離d大於等於檢測光斑長度的60%，小於等於檢測光斑的長度。具體的，d小於或等於探測區域的長度。如此，本實施例中，d等於探測區域的長度。d等於探測區域的長度可以提升掃描的效率，並且簡化訊號處理。

步驟S302a：在第二入射角下，根據第N至第1同心圓檢測晶圓。

在此步驟中，以第二入射角來檢測晶圓。同樣，機台帶動晶圓旋轉，並通過訊號收集組件對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。以第N同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第二徑向上(遠離晶圓的圓心)移動距離d進行下一圈掃描，以此類推，直至對應於第1同心圓的檢測完成(此時，檢測光斑照射至晶圓最外側位置)，從而完成整片掃描，獲取與第二入射角相對應的第二組檢測資訊。

檢測方法2：每一同心圓以第一、第二入射角分別掃描兩次，再進行下一同心圓掃描。

同樣，在檢測初始狀態，機台帶動晶圓使檢測光斑(或，探測區域)移動至晶圓最外側位置(如圖4光斑位置所示)。以從晶圓的外圈向內圈檢測為例。

步驟S301b：基於第一入射角，以第1同心圓檢測晶圓。

在此步驟中，以第一入射角來檢測晶圓。機台帶動晶圓，使得檢測光斑在晶圓上沿第1同心圓旋轉，並通過訊號收集組件對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。

步驟S302b：基於第二入射角，根據第1同心圓檢測晶圓。

在此步驟中，以第二入射角來檢測晶圓，機台帶動晶圓，使得檢測光斑在晶圓上沿第1同心圓旋轉，並通過訊號收集組件對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。

步驟S303b：基於第二入射角，沿第2同心圓檢測晶圓。

機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上(朝向晶圓的圓心)移動距離d進行下一圈掃描。此時以第二入射角來檢測晶圓，機台帶動晶圓，使得檢測光斑在晶圓上沿第2同心圓旋轉。

步驟S304b：基於第一入射角，根據第2同心圓檢測晶圓

在此步驟中，以第一入射角來檢測晶圓，機台帶動晶圓，使得檢測光斑在晶圓上沿第2同心圓旋轉。

以此類推，直至對第N同心圓完成兩個入射角的檢測，進而實現對整個晶圓的檢測(步驟S305b)。

由上可知，檢測方法2中，與第一入射角對應的第一檢測路徑和與第二入射角對應的第二檢測路徑均包括沿第一徑向排列的多個同心圓，並且以同心圓為單位，依次以第一入射角、第二入射角來根據當前的同心圓對晶圓進行檢測。在一種實施方式中，不同的入射角對應於相同的旋轉方向，如此可以簡化控制，降低對兩次所獲得的資料進行處理的複雜度。

因此，通過檢測方法1或2均可以得到分別對應於兩種入射方式的兩組檢測資訊，處理器組件通過該兩組檢測資訊，可以確定晶圓上的缺陷類型以及缺陷的分布。

雖然上述實施例是從晶圓的外圈向內圈進行檢測，可以理解的，在另一實施方式中，也可以採用從內圈向外圈移動掃描，此時，第一徑向為遠離圓心的方向。另外，本領域技術人員能夠理解的時，檢測路徑還可以是螺旋線、Z形、S形、矩形等，在此不進行贅述。

如前述，當檢測光斑投射到晶圓表面時，晶圓將在檢測光斑的作用下產生相應的訊號光。對應於不同的缺陷，訊號光的分布也有所不同。對於凸起類缺陷，斜入射檢靈敏度更高；對於凹坑類缺陷，正入射具有更高的檢測靈敏度。

因此，對訊號光進行多通道收集，更加利於準確地確定晶圓上的缺陷。針對訊號光的多通道收集，本發明提出了一種訊號收集組件的架構。如前述，由於本發明中由正入射方式和斜入射方式形成的檢測光斑重合，因此，可以共用訊號收集通道。

圖5a為依據本發明實施例的訊號收集組件架構圖。

訊號收集組件包括對應於多個收集通道的探測支路501-503。具體而言，探測支路501為對應於檢測光斑的法向收集通道，探測支路502為對應於檢測光斑的第一非法向收集通道，探測支路503為對應於檢測光斑的第二非法向收集通道。

為了收集盡可能多的訊號光，每個探測支路還設置有探測透鏡組(未示出)，以將收集到的訊號光成像式地投射到線探測器的指定位置處。譬如，對於非法向收集通道，每個探測支路均包括一個線探測器，以用來收集晶圓在檢測光斑的作用下所產生的非法向的散射光。如此，通過探測透鏡組以及線探測器，可以獲取光斑照射區域中光強相對較強的部分，即，線形的探測區域。

圖5b為依據本發明實施例的類成像式收集原理示意圖。

如圖所示，檢測光束照射到晶圓表面進而形成檢測光斑，當位置A處存在缺陷時，缺陷在檢測光斑的作用下所產生的散射光向晶圓上方各個方向傳播。在本實施例中，在法向方向、非法向方向設置多個收集通道，每個收集通道收集以一個散射角為中心空間分布於附近角度的散射光。

如圖5b所示，位置A處的缺陷在特定角度範圍內發出散射光經由探測透鏡組51投射到探測器TCa的指定位置處；同樣，當位置B處存在缺陷時，缺陷在檢測光斑B的作用下所產生的散射光經由探測透鏡組52投射到探測器TCb的指定位置處。位置A處缺陷的散射光經由探測透鏡組52將投射到探測器TCb旁邊位置，類似，位置B處缺陷的散射光經由探測透鏡組51將投射到探測器TCa旁邊位置。因此探測器TCa與TCb分別獨立收集A、B位置缺陷產生的散射光，互不干擾。

通過以上配置，訊號收集組件可以對檢測光斑的散射光進行多角度地收集，進而產生與訊號光相對應的檢測資訊。當訊號收集組件將檢測資訊發送到處理器組件後，該處理器組件便能夠確定晶圓上缺陷的類型與分布。

可以理解的，雖然圖5中僅僅示出了3個探測支路，但在其他實施方式中，還可以根據晶圓的缺陷特徵來設置其它數目的探測支路，其中，每個探測支路對應於一個與其他探測支路不同的入射角。

本發明還提出了一種檢測方法，包括：產生具有第一入射角的第一檢測光束，從而在被測物表面形成第一檢測光斑，該第一檢測光斑包括第一探測區域；通過第一檢測光束對被測物的待測區進行掃描，並對待測區進行檢測，進而獲取第一檢測光束經被測物作用後產生的第一檢測資訊；產生具有第二入射角的第二檢測光束，第二檢測光束在被測物的待測區表面形成第二檢測光斑，該第二檢測光斑包括第二探測區域並且第二探測區域中心與第一探測區域中心位置相同。當第一掃描完成後，以第一掃描的終點為起點，通過第二檢測光束對被測物的待測區進行第二掃描，以獲取第二檢測資訊；根據第一檢測資訊和第二檢測資訊獲取被測物的缺陷特徵資訊。可以理解的，第二掃描還可以包括沿第一掃描的路徑返回。

在一種實施方式中，第一檢測光斑和第二檢測光斑的尺寸相同。第一檢測光斑和第二檢測光斑為線光斑，且均沿待測區的半徑方向延伸。

在一種實施方式中，第一探測區域為線形、第二探測區域為線形，第一探測區域中心與第一檢測光斑中心重合；第二探測區域中心與第二檢測光斑中心重合；第一探測區域長度小於第一檢測光斑長度，第二探測區域長度小於第二檢測光斑長度。

在一種實施方式中，當第一檢測光斑和第二檢測光斑為線光斑時，第一檢測光斑的延伸方向與第一檢測過程中第一掃描的方向之間的夾角大於零，第二檢測光斑的延伸方向與第二檢測過程中第二掃描的方向之間的夾角大於零。可以理解的是，當檢測光斑與掃描的方向相互垂直時，檢測範圍最大。

當待測區為圓形時，可以使用同心圓、螺旋線或是其他掃描路徑來對被測物進行掃描。

具體而言，當掃描軌跡為同心圓時，可以通過設置第一、第二掃描的掃描路徑來實現對被測物的檢測。

(1)根據同心圓的排列順序，每個同心圓進行兩次掃描。

第一掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區表面的軸進行第一旋轉。第二掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區的軸進行第二旋轉。如此，可以對同一個同心圓進行不同角度的掃描。在一種實施方式中，第一旋轉和第二旋轉的方向相同，從而簡化了控制，降低了對兩次所獲得的資料進行處理的複雜度。

當第二旋轉完成之後，使被測物相對於第一檢測光斑的位置沿待測區直徑方向平移特定步長(到達另一個同心圓)。然後，重複第一掃描、第二掃描和/或平移的步驟，直至待測區均被第一檢測光斑和第二檢測光斑檢測。在一種實施方式中，在沿平移的方向上，第一探測區域和第二探測區域的長度相等，且等於該特定步長。

(2)使用第一檢測光束對待測區掃描完成後，再以相反的路徑使用第二檢測光束對待測區進行掃描。

第一掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區的軸進行第一旋轉，並進行第一檢測；第一旋轉之後，使被測物沿待測區的第一直徑方向進行第一平移；重複所述第一旋轉和第一檢測和/或第一平移的步驟直至被測區均被第一檢測光斑檢測。第二掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區的軸進行第二旋轉，並進行第二檢測；第二旋轉之後，使被測物沿待測區直徑方向進行第二平移，第二平移的方向與第一平移的方向相反；重複第一旋轉和第一檢測和/或第一平移的步驟直至所述被測區均被檢測。在一種實施方式中，第一旋轉與第二旋轉的方向相同。

在一種實施方式中，第一探測區域和第二探測區域沿待測區半徑方向的尺寸相同，第一平移的步長與第二平移的步長相等。在一種實施方式中，在沿第一平移的方向上，第一探測區域的尺寸等於第一平移的步長，第二探測區域的尺寸等於第二平移的步長。

如前述，被測物的待測區還可以是圓形，掃描軌跡可以是螺旋線。

具體而言，第一掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區的軸進行第三旋轉；並在第一旋轉的過程中，使檢測光斑相對於第一檢測光斑沿待測區直徑方向進行第三平移。第二掃描的步驟包括：使被測物繞過待測區圓心且垂直於待測區的軸進行第四旋轉；並在第二旋轉的過程中，使檢測光斑相對於第二檢測光斑沿待測區直徑方向進行第四平移。在一種實施方式中，第三旋轉的方向與第四旋轉的方向相反，從而使得兩次素描的區域相同，能夠對掃描區域進行精確分析。

由上可知，相較於傳統的檢測方法(即，檢測完一遍回到起點再次檢測)，本發明的檢測方法節約了晶圓的移動時間，並且由於避免了重新移動到起點，減少了定位誤差，從而使得兩次檢測結果匹配對準的演算法簡單許多，能明顯增加檢測速度。

另外，由於不同顆粒色散作用強度不同，因此，通過使用本發明的技術方案，可以基於同一個光源來實現多角度檢測。換而言之，可以使用同一波長的光源來對不同顆粒進行檢測。

雖然上述實施例利用線光斑進行檢測，但本發明的檢測方法也同樣適用於點光斑或面光斑檢測方法。可以理解的，當使用點/面光斑來檢測晶圓時，需要對整形鏡組進行調整，以形成點/面光斑。譬如，可以通過螺旋線方式來使用點光斑來對晶圓進行檢測，即先以螺旋線進行檢測，檢測完成後，在螺旋線的末端再反向進行檢測。本領域技術人員可以理解的是，螺旋線指的是掃描軌跡。

本發明還提出了一種利用多光斑測量的檢測系統。

仍然參照圖1，檢測系統包括光源組件101、檢測組件102、訊號收集組件103以及處理器組件104，其中，光源組件101通過光生成器(譬如一個或多個雷射器)來提供檢測光束。

檢測組件102用於基於所接收到的檢測光束而產生對應於不同入射角的兩個檢測光斑。可以理解的，該兩個檢測光斑在被測物上彼此分開，即，該兩個檢測光斑之間不存在重合區域。檢測組件102包括可以同時工作的兩個光學支路，該兩個光學支路可以在處理器組件104的控制下進行工作，進而基於來自光源組件101的檢測光束而產生上述兩個檢測光斑。可以理解的，雖然此處描述了檢測組件102通過兩個光學支路來實現同時產生兩個檢測光斑，但是在其他實施方式中，檢測組件102也可以包括其他數目的光學支路，進而能夠產生相應數目的檢測光斑。

當晶圓處於被檢測時(即，檢測光斑照射到晶圓上)，晶圓將在檢測光斑的作用下產生(比如，通過散射或反射的方式)相應的訊號光。可以理解的，當檢測光斑照射到缺陷時，所產生的訊號光將根據缺陷的類型或其它參數而變化。

訊號收集組件103包括對應於多個散射光的收集通道的探測支路，能夠以不同的角度來收集由兩個檢測光斑所產生的訊號光，進而產生與入射角相對應的兩組檢測資訊。

處理器組件104從訊號收集組件103處獲得該兩組檢測資訊，進而確定晶圓上缺陷特徵資訊。

本領域技術人員可以理解的是，根據晶圓上的缺陷類型能夠確定檢測組件102中的光學支路的入射角。換而言之，若在檢測前能夠知曉晶圓至少包括凹坑類和凸起類缺陷，則兩個光學支路中包括一個正入射光學支路(即，入射角基本上是0°)。

下面以檢測組件包括兩個光學支路為例進行闡述，其中，第一光學支路的入射角基本上是0°，第二光學支路的入射角基本上是60°(即，斜入射)。可以理解的，此處的入射角的值僅僅作為示例，使用者可以根據晶圓上的缺陷特徵來調整第一、第二光學支路所對應的入射角。

圖6為依據本發明實施例的檢測系統的光學架構圖，在該光學架構圖中，檢測系統可以同時實現正入射和斜入射的檢測方式。

如圖所示，雷射器601生成檢測光束，檢測組件602中的分束器6021對所接收到的檢測光束進行分束，並使得分束後的檢測光束分別入射到第一光學支路和第二光學支路。

對於正入射的方式，分束器6021將分束後的檢測光束提供到第一光學支路以形成檢測光斑S1。具體而言，檢測光束經由波片6022被提供到整形鏡組6023，再經由反射鏡6024、6025到達晶圓表面，形成檢測光斑S1。可以理解的，檢測光斑S1的形狀、長度可以由整形鏡組6023來控制。譬如，整形鏡組6023還可以將檢測光斑S1調整為點光斑或是圓光斑。

對於斜入射的方式，分束器6021將檢測光束提供到第二光學支路以形成檢測光斑S2。具體而言，檢測光束被提供到反射鏡6026，然後經由波片6027提供到整形鏡組6028，再經由反射鏡6029到達晶圓表面，並且形成檢測光斑S2。可以理解的，為了能夠分別收集與檢測光斑S1、S2相對應的訊號光，需要用不同的訊號收集通道來進行收集。

在本實施例中，波片6022、6027可以是四分之一或二分之一波片，其可以用來改變檢測光束的偏振態。譬如，根據需求對不同的檢測光束實現不同偏振態，如：p光、s光、圓偏振光等。

基於上述的架構，可以在同時通過兩種不同的入射角來檢測晶圓。可以理解的，光源組件中可以包括多個雷射器，即每個光學支路可以不共用雷射器，即可以利用兩個雷射器分別為正入射、斜入射提供檢測光束，如此，可以省去分束器6021，處理器組件控制相應的雷射器即可。

可以理解的，當檢測組件602包括更多的光學支路時，可以對分束器6021進行設置，以使得指定的光學支路能夠接收到檢測光束，進而在晶圓上產生相互不重疊的多個檢測光斑。

針對同時使用兩個檢測光斑來檢測晶圓，本發明提出了相應的訊號收集組件103的結構。

通過使得各個收集通道相互獨立，當需要對正入射、斜入射光斑分別進行法向及非法向收集時，可以實現對訊號光的多通道收集。

下面對本發明的訊號光收集光路進行闡述，圖7為依據本發明實施例的訊號收集組件示意圖。

如圖7所示，對於檢測光斑S1、S2，均設置有法向收集通道及非法向收集通道。具體而言，檢測光斑S1對應於法向收集通道P11、非法向收集通道P12和P13；檢測光斑S2對應於法向收集通道P21、非法向收集通道P22和P23。

訊號收集組件包括第一至第五探測支路，其中，第一探測支路包括探測器TC1和第一探測透鏡組(未示出)，以收集晶圓在檢測光斑S1的作用下在非法向收集通道P12上所產生的訊號光；第二探測支路包括探測器TC2和第二探測透鏡組(未示出)，以收集晶圓在檢測光斑S1的作用下在非法向收集通道P13上所產生的訊號光；第三探測支路包括探測器TC3和第三探測透鏡組對(未示出)，以收集晶圓在檢測光斑S1、S2的作用下在法向收集通道P11、P21上所產生的訊號光；第四探測支路包括探測器TC4和第四探測透鏡組(未示出)，以收集晶圓在檢測光斑S2的作用下在非法向收集通道P22上所產生的訊號光；第五探測支路包括探測器TC5和第五探測透鏡組(未示出)，以收集晶圓在檢測光斑S2的作用下在非法向收集通道P23上所產生的訊號光。檢測光斑S1、S2的法向收集通道P11、P21共用一個探測器TC3，可以減小訊號光的收集空間。

由於收集光路的成像式設計，兩個檢測光斑的散射光在空間上能夠分開，並且探測器上不同位置處所收集的訊號光對應於晶圓上不同位置發出的訊號光。因此，通過調整探測器位置，可以接收到對應於指定的檢測光斑的光，而基本收集不到對應於另一個檢測光斑的訊號光。另外，通過探測透鏡組以及探測器，可以獲取光斑照射區域中光強相對較強的部分，譬如通過線探測器來使得檢測光斑的探測區域為線形。

雖然圖7中針對每種入射方式僅僅具有三個探測支路，但在其他實施方式中，還可以根據晶圓的缺陷特徵來設置其它數目的探測支路，其中，每個探測支路對應於一個與其他探測支路不同的入射角。

圖8a、8b、8c分別為依據本發明第一、第二、第三實施例的檢測光斑分布示意圖。為了便於理解，圖中以虛線作為同心圓示例，可以理解的是，虛線對應於同心圓的中心。

請參閱圖8a，第一探測區域和第二探測區域在同一個同心圓上沿圓周相鄰分布，圖中虛線所示出的同心圓為檢測光斑的探測區域的中心相對於晶圓表面的掃描軌跡。

當檢測光斑S1、S2為線光斑時，該兩個光斑在同一個同心圓上沿圓周相鄰分布，並且均沿徑向延伸。可以理解的，由於檢測光斑S1、S2的尺寸相較於晶圓的尺寸相差很大，因此，該兩個檢測光斑為基本上平行的分布。

在檢測初始狀態，通過機台的移動，使得兩個檢測光斑S1、S2位於晶圓最外側位置(如圖8a光斑位置所示)。可以理解的，本實施例是對整個晶圓進行檢測，如果待測區域是晶圓的一部分，則需要將檢測光斑移動至該待測區域的最外側處。然後，機台帶動晶圓旋轉，並通過訊號收集組件對晶圓散射出的訊號光同時進行法向收集和非法向收集。在沿第1同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上移動距離d(即相鄰的同心圓的中心之間的距離)進行下一圈掃描。以此類推，直至沿第N同心圓的檢測完成(此時，光斑照射至晶圓中心)，從而完成對晶圓的掃描，獲取與檢測光斑S1、S2相對應的兩組檢測資訊。在一種實施方式中，移動距離d大於等於檢測光斑長度的60%，小於等於檢測光斑的長度。

請參閱圖8b，檢測光斑S1、S2沿同一徑向相鄰分布。

在此實施例中，檢測光斑沿徑向共線排列，延伸方向相同。此時，檢測光斑的延伸方向與掃描方向相垂直，掃描軌跡同樣為同心圓排列。類似的，在沿第1同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上移動距離d進行下一圈掃描。以此類推，直至沿第N同心圓的檢測完成(此時，光斑照射至晶圓中心)，從而完成對晶圓的掃描，獲取與檢測光斑S1、S2相對應的兩組檢測資訊。

在一種實施方式中，第一徑向與第一探測區域和第二探測區域的排列方向相同。

在檢測初始狀態，檢測光斑S2可以位於晶圓外，檢測光斑S1位於晶圓最外側位置。在另一實施方式中，在檢測初始狀態，檢測光斑S2位於晶圓最外側位置(即，圖8b中光斑位置)。可以理解的，當存在多個檢測光斑時，該多個檢測光斑仍可以沿同一徑向相鄰分布。

檢測光斑S1與檢測光斑S2相鄰，則檢測光斑S1和檢測光斑S2的掃描軌跡相近，從而能夠在較短的掃描時間內，使檢測光斑S1和檢測光斑S2均能對整個待檢測區進行檢測。

雖然上述實施例是從晶圓的外圈向內圈進行檢測，可以理解的，在另一實施方式中，也可以採用從內圈向外圈移動掃描。可以理解的是，晶圓的掃描路徑還可以是螺旋線形、Z形、S形、矩形等，在此不一一列舉。

請參閱圖8c，檢測光斑S1、S2在同一徑向上遠離分布。

在此實施例中，檢測光斑S1、S2沿徑向共線排列，延伸方向相同。此時，檢測光斑的延伸方向與掃描方向相垂直，掃描軌跡同樣為同心圓排列。在檢測初始狀態，檢測光斑S2可以位於最外側的同心圓，檢測光斑S1位於晶圓的中心(即，各同心圓的圓心)。

類似的，在沿第1同心圓轉完一圈後，機台帶動晶圓移動，使得檢測光斑在第一徑向上移動距離d進行下一圈掃描。以此類推，直至沿第N同心圓的檢測完成(此時，光斑照射至晶圓中心)，從而完成對晶圓的掃描，獲取與檢測光斑S1、S2相對應的兩組檢測資訊。

雖然圖8c所述的實施例是從晶圓的外圈向內圈進行檢測，可以理解的，在另一實施方式中，也可以採用從內圈向外圈移動掃描。可以理解的是，晶圓的掃描路徑還可以是螺旋線形，在此不一一列舉。

另外，當上述探測器為線探測器時，探測器的探測區域為每個檢測光斑中光強最強的部分(線形)，因此，在探測區域相互不重疊的情況下，檢測光斑也可以部分地重疊或是不重疊。

本發明還提出了一種檢測方法，包括：基於檢測光束，同時產生分別對應於不同入射角的第三檢測光斑和第四檢測光斑；同時利用第三檢測光斑和第四檢測光斑檢測被測物，並收集被測物在第三檢測光斑和第四檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而產生與第三檢測光斑和第四檢測光斑分別對應的第三檢測資訊和第四檢測資訊；至少基於所述第三檢測資訊和第四檢測資訊，確定被測物的缺陷特徵資訊。

檢測被測物的步驟包括：使第三檢測光斑沿第一探測軌跡、並使第四檢測光斑沿第二探測軌跡來對被測物進行檢測，其中，第三檢測光斑包括第三探測區域，訊號收集組件收集第三探測區域作用下產生的訊號光；第四檢測光斑包括第四探測區域，訊號收集組件還可以收集第四探測區域作用下產生的訊號光。第一探測軌跡為第三檢測光斑的第三探測區域的中心相對於被測物表面的掃描軌跡，第二探測軌跡為第四檢測光斑的第四探測區域的中心相對於被測物表面的掃描軌跡。

在一種實施方式中，第三探測區域和第四探測區域的延伸方向分別垂直於第一探測軌跡和第二探測軌跡的行進方向。

在一種實施方式中，第一探測軌跡包括在徑向上排列的多個第一同心圓，第二探測軌跡包括在徑向上排列的多個第二同心圓。相鄰的第一同心圓的半徑之差大於等於第三檢測光斑長度的60%，小於等於第三檢測光斑的長度，並且相鄰的第二同心圓的半徑之差大於等於第四檢測光斑長度的60%，小於等於第四檢測光斑的長度。

在一種實施方式中，第三探測區域在徑向上的長度與第四探測區域在徑向上的長度相同。

當被測物的待測區為圓形時，第三探測區域與第四探測區域中心之間的距離等於待測區半徑減去第三探測區域沿待測區半徑方向尺寸的一半。在一種實施方式中，第三探測區域和第四探測區域沿同一徑向遠離分布，其中，在檢測初始狀態，第三探測區域位於待測區中，且第三探測區域邊緣與待測區邊緣重合；第四探測區域中心與待測區圓心重合。

在一種實施方式中，第三探測區域與第四檢測光斑不重疊，且第四探測區域與第三檢測光斑不重疊；和/或第三檢測光斑和第四檢測光斑相互不重疊或部分地重疊。

對於檢測光斑的位置，第三檢測光斑可以與第四探測區域相鄰，和/或，第三探測區域與第四檢測光斑相鄰；或者第三檢測光斑與第四檢測光斑相鄰。在另一實施方式中，第三探測區域和第四探測區域在同一個同心圓上沿圓周分布，且兩個探測區域相鄰；或者，第三探測區域和第四探測區域沿同一徑向相鄰分布。

對於被測物的待測區為圓形的情形，檢測被測物的步驟包括：使被測物繞待測區圓心旋轉；使被測物繞待測區圓心旋轉的同時，使被測物相對於第三檢測光斑和第四檢測光斑沿待測區直徑方向移動；

在另一實施方式中，檢測被測物的步驟包括：使被測物繞待測區圓心旋轉；使被測物繞待測區圓心旋轉之後，使被測物相對於第三檢測光斑和第四檢測光斑沿待測區直徑方向平移特定步長；重複上述步驟直至待測區均被第三檢測光斑和第四檢測光斑掃描。

針對上述方法，通過檢測組件基於檢測光束產生第三檢測光斑和第四檢測光斑，在處理器的控制下，利用第三檢測光斑和第四檢測光斑根據指定的檢測路徑來檢測被測物，並且通過訊號收集組件來收集被測物在第三檢測光斑和第四檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而生成與第三檢測光斑和第四檢測光斑相對應的第三檢測資訊和第四檢測資訊；以及通過處理器組件基於至少兩組檢測資訊，確定被測物的缺陷特徵資訊。

雖然上述實施例利用線光斑進行檢測，但本發明的檢測方法也同樣適用於點光斑或面光斑。可以理解的，當使用點/面光斑來檢測晶圓時，需要對整形鏡組進行調整，以形成點/面光斑。另外，使用點/面光斑時，檢測路徑也需要進行調整，譬如，可以通過螺旋線方式來使用點光斑來對晶圓進行檢測。相應的，探測裝置包括點探測器和面探測器。

本發明的檢測方法通過同時產生兩個或更多個檢測光斑，避免了切換檢測光，減少了實施節約了晶圓的移動時間，從而使得兩次檢測結果匹配對準的演算法簡單許多，能明顯增加檢測速度和精度。

因此，雖然參照特定的示例來描述了本發明，其中，這些特定的示例僅僅旨在是示例性的，而不是對本發明進行限制，但對於本領域普通技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明的精神和保護範圍的基礎上，可以對所公開的實施例進行改變、增加或者刪除。

51、52:探測透鏡組 101:光源組件 102:檢測組件 103:訊號收集組件 104:處理器組件 201:雷射器 202:檢測組件 501~503:探測支路 601:雷射器 602:檢測組件 2021:切換器 2022、2027:波片 2023、2028:整形鏡組 2024、2025、2026、2029:反射鏡 6021:分束器 6022、6027:波片 6023、6028:整形鏡組 6024、6025、6026、6029:反射鏡 A、B:位置 P11、P21:法向收集通道 P12、P13、P22、P23:非法向收集通道 S1、S2:檢測光斑 S301a~S302a:步驟 S301b~S305b:步驟 TC1~TC5:探測器 TCa、TCb:探測器

參考圖式示出並闡明實施例。這些圖式用於闡明基本原理，從而僅僅示出了對於理解基本原理必要的方面。這些圖式不是按比例的。在圖式中，相同的元件符號表示相似的特徵。

圖1為依據本發明實施例的檢測系統架構圖；

圖2為依據本發明實施例的檢測系統的光學架構圖；

圖3a為依據本發明實施例的第一檢測方法流程圖；

圖3b為依據本發明實施例的第二檢測方法流程圖；

圖4為依據本發明實施例的檢測路徑示意圖；

圖5a為依據本發明實施例的訊號收集組件架構圖；

圖5b為依據本發明實施例的類成像式收集原理示意圖。

圖6為依據本發明另一實施例的檢測系統的光學架構圖；

圖7為依據本發明另一實施例的訊號收集組件示意圖；

圖8a為依據本發明第一實施例的檢測光斑分布示意圖；

圖8b為依據本發明第二實施例的檢測光斑分布示意圖；

圖8c為依據本發明第三實施例的檢測光斑分布示意圖。

101:光源組件

102:檢測組件

103:訊號收集組件

104:處理器組件

Claims (17)

1. 一種檢測系統，包括： 檢測組件，其被配置為基於所接收到的檢測光束來同時產生對應於第一入射角的第一檢測光斑與對應於第二入射角的第二檢測光斑； 訊號收集組件，其被配置為收集被測物在所述第一檢測光斑與所述第二檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而生成分別與所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑相對應的第一檢測資訊和第二檢測資訊；以及 處理器組件，其被配置為至少基於所述第一檢測資訊和所述第二檢測資訊來確定所述被測物上的缺陷特徵資訊。
2. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述處理器組件還被配置為： 使得所述檢測組件以根據第一探測軌跡和第二探測軌跡來對所述被測物進行檢測； 所述第一檢測光斑包括第一探測區域，所述訊號收集組件用於收集所述第一探測區域作用下產生的訊號光；所述第二檢測光斑包括第二探測區域，所述訊號收集組件用於收集所述第二探測區域作用下產生的訊號光； 其中，所述第一探測軌跡為所述第一探測區域的中心相對於所述被測物的表面的掃描軌跡，所述第二探測軌跡為所述第二探測區域的中心相對於所述被測物的表面的掃描軌跡。
3. 如請求項2所述之檢測系統，其中，所述第一探測軌跡包括在徑向上排列的多個第一同心圓，所述第二探測軌跡包括在徑向上排列的多個第二同心圓。
4. 如請求項3所述之檢測系統，其中， 相鄰的所述第一同心圓的半徑之差大於或等於所述第一檢測光斑長度的60%，小於或等於所述第一檢測光斑的長度，並且 相鄰的所述第二同心圓的半徑之差大於或等於所述第二檢測光斑長度的60%，小於或等於所述第一檢測光斑的長度。
5. 如請求項2所述之檢測方法，其中， 所述第一探測區域與所述第二檢測光斑不重疊，且所述第二探測區域與所述第一檢測光斑不重疊；和/或 所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑相互不重疊或部分地重疊。
6. 如請求項5所述之檢測系統，其中， 所述第一探測區域和所述第二探測區域在同一個同心圓上沿圓周相鄰分布；或者 所述第一探測區域和所述第二探測區域沿同一徑向相鄰分布。
7. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述被測物的待測區為圓形； 所述第一探測區域與所述第二探測區域的中心之間的距離等於所述待測區的半徑減去所述第一探測區域在所述待測區的半徑方向上尺寸的一半。
8. 如請求項1所述之檢測系統，其中，所述訊號收集組件包括： 分別對應於至少兩個收集通道的至少兩個探測支路，其中，每個所述探測支路包括探測透鏡組，以將所收集到的訊號光成像式地投射到探測器。
9. 如請求項8所述之檢測系統，其中，所述至少兩個探測支路包括對應於法向收集通道的法向探測支路，其中，所述法向探測支路包括： 探測透鏡組，其被配置為接收與所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑相對應的訊號光； 所述探測器，其被配置為通過所述探測透鏡組來接收與所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑相對應的訊號光。
10. 一種檢測方法，包括以下步驟： 基於檢測光束，同時產生分別對應於不同入射角的第一檢測光斑和第二檢測光斑； 同時利用所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑檢測被測物，並收集所述被測物在所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑的作用下而產生的訊號光，進而產生與所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑分別對應的第一檢測資訊和第二檢測資訊； 至少基於所述第一檢測資訊和所述第二檢測資訊，確定所述被測物的缺陷特徵資訊。
11. 如請求項10所述之檢測方法，其中，檢測所述被測物的步驟包括： 使所述第一檢測光斑沿第一探測軌跡、並使所述第二檢測光斑沿第二探測軌跡來對所述被測物進行檢測； 所述第一檢測光斑包括第一探測區域，訊號收集組件用於收集所述第一探測區域作用下產生的訊號光；所述第二檢測光斑包括第二探測區域，所述訊號收集組件用於收集所述第二探測區域作用下產生的訊號光； 其中，所述第一探測軌跡為所述第一檢測光斑的所述第一探測區域的中心相對於所述被測物的表面的掃描軌跡，所述第二探測軌跡為所述第二檢測光斑的所述第二探測區域的中心相對於所述被測物的表面的掃描軌跡。
12. 如請求項11所述之檢測方法，其中，所述第一探測軌跡包括在徑向上排列的多個第一同心圓，所述第二探測軌跡包括在徑向上排列的多個第二同心圓； 檢測所述被測物的步驟包括：使所述第一探測光斑沿所述多個第一同心圓中的一個進行掃描，並使所述第二探測光斑沿所述多個第二同心圓中的一個進行掃描； 使所述第一探測光斑的中心移動至下一第一同心圓，並使所述第二探測光斑的中心移動至下一第二同心圓；使所述第一檢測光斑對所述下一同一圓進行掃描，並使所述第二檢測光斑對所述下一第二同心圓進行掃描； 重複上述移動所述第一檢測光斑和沿所述多個第一同心圓掃描，以及移動所述第二檢測光斑和沿所述多個第二同心圓掃描的步驟，直至通過所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑掃描完成所有所述多個第一同心圓和所述多個第二同心圓。
13. 如請求項11所述之檢測方法，其中， 所述被測物的待測區為圓形； 所述第一探測區域與所述第二探測區域的中心之間的距離等於所述待測區的半徑減去所述第一探測區域沿所述待測區的半徑方向尺寸的一半。
14. 如請求項11所述之檢測方法，其中， 所述第一探測區域與所述第二檢測光斑不重疊，且所述第二探測區域與所述第一檢測光斑不重疊；和/或 所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑相互不重疊或部分地重疊。
15. 如請求項14所述之檢測方法，其中， 所述第一探測光斑與所述第二探測區域相鄰，和/或，所述第一探測區域與所述第二檢測光斑相鄰；或者 所述第一檢測光斑與所述第二檢測光斑相鄰。
16. 如請求項12所述之檢測方法，其中， 所述第一探測區域和所述第二探測區域在同一個同心圓上沿圓周分布，且兩個探測區域相鄰； 所述第一探測區域和所述第二探測區域沿同一徑向相鄰分布。
17. 如請求項13所述之檢測方法，其中， 檢測所述被測物的步驟包括：使所述被測物繞所述待測區的圓心旋轉；使所述被測物繞所述待測區的圓心旋轉的同時，使所述被測物相對於所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑沿所述待測區的直徑方向移動；或者 檢測所述被測物的步驟包括：使所述被測物繞所述待測區的圓心旋轉；使所述被測物繞所述待測區的圓心旋轉之後，使所述被測物相對於所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑沿所述待測區的直徑方向平移特定步長；重複上述步驟直至所述待測區均被所述第一檢測光斑和所述第二檢測光斑掃描； 所述第一探測區域和所述第二探測區域沿同一徑向遠離分布，其中，在檢測初始狀態，所述第一探測區域位於所述待測區中，且所述第一探測區域的邊緣與所述待測區的邊緣重合；所述第二探測區域的中心與所述待測區的圓心重合。

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