TW202037882A - 光學膜之捲曲之分析方法、及分析裝置 - Google Patents

光學膜之捲曲之分析方法、及分析裝置 Download PDF

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Abstract

本發明係利用支持裝置支持圓形光學膜之中心部，藉由配置於自該光學膜之中心部向徑向外側偏移之位置之測定裝置，測定該測定裝置自身與以上述中心部為起點之圓周上各處之間之距離，基於利用測定裝置所測定之距離，導出表示光學膜之捲曲之捲曲資訊。

Description

光學膜之捲曲之分析方法、及分析裝置
本發明係關於一種分析光學膜所產生之捲曲的光學膜之捲曲之分析方法、及分析裝置。
先前，檢查片材(例如紙或塑膠膜等)之品質時，有時會分析該片材之捲曲(翹曲情況)。
片材之捲曲之分析有時例如使用如專利文獻1之第1圖所圖示，具備如下構件之捲曲評估裝置，上述構件係指：轉盤，其供載置成為測定對象之光學膜；第1扇形光束投射裝置，其自該轉盤之上方朝向片材之端部照射光；第1光扇形光束受光裝置，其配置於在上下方向上與第1扇形光束投射裝置並排之位置，且接收來自第1扇形光束投射裝置之光；第2扇形光束投射裝置，其自片材之中心部上朝向該片材之端部照射光；第2扇形光束受光投射裝置，其配置於在水平方向上與上述第2扇形光束投射裝置並排之位置，且接收來自第1扇形光束投射裝置之光；及評估裝置，其基於利用第1光扇形光束受光裝置與第2光扇形光束受光裝置所接收到之光之資訊，評估片材之捲曲。
於轉盤載置有長方形之片材。又，轉盤構成為以保持所載置之片材之中心部之狀態使該片材旋轉。
而且，第1扇形光束投射裝置與第2扇形光束投射裝置構成為雖設置於不同位置，但能夠向片材之端部之相同位置投射光。
因此，根據上述捲曲評估裝置，可一面利用轉盤使片材旋轉，一面獲取利用第1光扇形光束受光裝置接收到之第1扇形光束投射裝置之光之資訊、及利用第2光扇形光束受光裝置接收到之第2扇形光束投射裝置之光之資訊，基於根據該等光之資訊計算出之片材之外周端部全周的上下方向上之位置，評估片材之捲曲。
然，於上述構成之捲曲評估裝置中，將長方形之片材之中心部保持於轉盤。因此，例如自轉盤對片材之保持位置至片材之外周端之距離隨著自片材之長邊之中央部起朝向角部側(藉由長邊與短邊交叉而形成之角部側)而變大。 又，片材於保持於轉盤上之狀態下亦產生由自身重量所致之撓曲，撓曲量根據與保持位置相距之距離而發生變化。
如此，於進行用以評估捲曲之測定之片材的外周端部之各處，除產生捲曲本身之撓曲外，亦產生根據與保持位置相距之距離而大小不同之撓曲，但於上述構成之捲曲評估裝置中，未考慮撓曲之影響而測定片材之外周端部，故導致產生所測量出之捲曲之準確度降低之問題。又，此種問題於分析光學膜之捲曲之情形時亦同樣會產生。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭62-203006號公報
[發明所欲解決之問題]
因此，鑒於上述實際情況，本發明之課題在於提供一種能夠提高光學膜之捲曲之分析結果的準確度之光學膜之捲曲之分析方法、及分析裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之光學膜之捲曲之分析方法係 使支持裝置支持作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之中心部； 將測定上下方向上與上述光學膜相隔之距離之測定裝置配置於如下位置，即，由上述支持裝置支持之上述光學膜之上方或下方且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置； 一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上述上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，或使上述測定裝置沿著以上述縱軸線為中心之圓周方向移動，一面利用上述測定裝置測定上述距離； 基於利用上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊。
本發明之另一光學膜之捲曲之分析方法係 使作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之一面朝向與上下方向交叉之交叉方向後，使支持裝置支持該光學膜之中心部； 將測定上述交叉方向上與上述光學膜相隔之距離之測定裝置配置於如下位置，即，於上述交叉方向上與由上述支持裝置支持之上述光學膜對向且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置； 一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上述交叉方向上延伸之交叉軸線為中心，使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，一面利用配置位置固定之狀態之上述測定裝置測定上述距離； 基於利用上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊。
本發明之光學膜之捲曲之分析方法中， 藉由上述測定裝置測定上述距離之位置可為上述光學膜之外周側且較上述光學膜之外周端更靠內側之處。
本發明之光學膜之捲曲之分析方法 可基於上述捲曲資訊導出表示上述捲曲之曲率之曲率資訊。
本發明之光學膜之捲曲之分析方法中， 可使上述光學膜之直徑為10 mm～100 mm。
又，本發明之光學膜之捲曲之分析方法中， 可藉由上述支持裝置所具有之支持基部及固定部夾持上述光學膜，該支持基部係供配置上述光學膜，該固定部係用以將上述光學膜固定於該支持基部者，且可藉由磁力介隔上述光學膜而吸附於上述支持基部。
本發明之光學膜之捲曲之分析裝置具備： 支持裝置，其支持作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之中心部； 測定裝置，其係測定上下方向上與上述光學膜相隔之距離者，且配置於如下位置，即，由上述支持裝置支持之光學膜之上方或下方且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置；及 捲曲導出機構，其基於上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊；且 構成為一面以通過上述支持裝置所支持之上述光學膜之上述中心部且於上述上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述光學膜旋轉，或使上述測定裝置沿著以上述縱軸線為中心之圓周方向移動，一面利用上述測定裝置測定上述距離。
本發明之另一光學膜之捲曲之分析裝置具備： 支持裝置，其係將作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之一面以朝向與上下方向交叉之交叉方向之狀態支持者，且支持該光學膜之中心部； 測定裝置，其測定上述交叉方向上與上述光學膜相隔之距離； 測定裝置，其配置於如下位置，即，於上述交叉方向上與上述支持裝置所支持之上述光學膜對向且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置；及 捲曲導出機構，其基於上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊；且 構成為一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，一面利用配置位置固定之狀態之上述測定裝置測定上述距離。
本發明之光學膜之捲曲之分析裝置中， 上述測定裝置可構成為於上述光學膜之外周側且較上述光學膜之外周端更靠內側之位置測定上述距離。
本發明之光學膜之捲曲之分析裝置可具備曲率導出機構， 該曲率導出機構基於上述捲曲資訊，導出表示上述捲曲之曲率之曲率資訊。
本發明之光學膜之捲曲之分析裝置中， 上述光學膜之直徑可為10 mm～100 mm。
本發明之光學膜之捲曲之分析裝置中， 上述支持裝置可具有： 支持基部，其供配置上述光學膜；及固定部，其係用以將上述光學膜固定於該支持基部者，且可藉由磁力介隔上述光學膜而吸附於上述支持基部。
以下，參照附圖對本發明之一實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置、及分析方法進行說明。
光學膜用之捲曲之分析裝置(以下稱作分析裝置)係分析光學膜(例如偏光膜)產生之捲曲(彎曲)之系統。
如圖1所示，分析裝置1具備：測定單元2，其測定作為分析對象之光學膜(以下稱作試樣膜)F之狀態；及處理裝置3，其進行基於利用該測定單元2所測定之試樣膜F之狀態分析該試樣膜F所產生之捲曲之處理。再者，光學膜F例如為偏向膜或相位差膜。又，光學膜F之厚度例如為1～100 μm。
測定單元2具備：支持裝置20，其支持試樣膜F；測定裝置21，其測定由該支持裝置20支持之試樣膜F之捲曲之狀態；及基座22，其供設置支持裝置20及測定裝置21。
試樣膜F形成為自中心至外周端之各位置之距離(半徑)相同或大致相同之圓形。又，試樣膜F之直徑較佳為10 mm～100 mm，更佳為10 mm～50 mm，進而較佳為10 mm～30 mm。
支持裝置20構成為支持圓形之試樣膜F之中心部。
本實施形態之支持裝置20具備：支持基部200，其為軸狀且自基座22向上方延出；固定部201，其用以將試樣膜F(試樣膜F之中心部)固定於該支持基部200之前端面；及旋轉驅動部202，其用以使支持基部200旋轉。
如圖2所示，支持基部200成為使長邊方向與上下方向對應之姿勢。即，支持基部200係縱向設置。又，支持基部200之前端面成為試樣膜F之一面所抵接之抵接面200a。本實施形態中，如上所述縱向地設置支持基部200，故試樣膜F載置於支持基部200之抵接面200a上。
固定部201構成為與支持基部200之抵接面200a協動地夾持試樣膜F。本實施形態之固定部201構成為固定部201與支持基部200之抵接面200a藉由磁力而吸附。又，固定部201與支持基部200之抵接面200a只要構成為於相互之間介置有試樣膜F之狀態下，產生相互吸附之強度之磁力即可。
固定部201與支持基部200之抵接面200a構成為自一面(上表面)側與另一面(下表面)側夾持試樣膜F之中心部。
本實施形態之旋轉驅動部202構成為使支持基部200以該支持基部200之中心軸線為中心旋轉。支持基部200之中心軸線之朝向與通過由支持基部200支持之試樣膜F之中心且於上下方向上延伸之縱軸線之朝向一致。旋轉驅動部202構成為以該縱軸線為中心使試樣膜F旋轉。
測定裝置21構成為測定與試樣膜F相隔之距離。
測定裝置21配置於較試樣膜F更靠上方側之處。又，測定裝置21構成為可使測定部(雷射之照射口)與試樣膜之上表面對向配置。因此，所謂由測定裝置21測定之與試樣膜F相隔之距離係指自測定裝置21至試樣膜F之上表面之距離。再者，由測定裝置21測定之距離例如可設為試樣膜F之高度而計算出。
測定裝置21可於水平方向(與上述中心軸線延伸之方向正交之方向)上進行配置變更。測定裝置21藉由該水平方向上之配置變更，如圖3所示，於本實施形態中可將配置變更為試樣膜F之外周側且與較外周端更靠內側之區域對向之位置。
因此，關於藉由測定裝置21測定試樣膜F之區域，於試樣膜F之外周側且較外周端更靠內側之區域，在與以該試樣膜F之中心為起點之圓形(半徑一定之圓形)之線(以下稱作測定線)R對應之位置之各處，測定與試樣膜F相隔之距離。再者，測定裝置21之配置位置只要於試樣膜F之測定中能固定即可。
所謂試樣膜F之外周側且較外周端更靠內側之區域係指例如較光學膜之半徑之中點更靠外側且較外周端更靠內側之區域。又，所謂試樣膜F之外周側且較外周端更靠內側之位置係指例如於光學膜之半徑為20 mm以上之情形時，以光學膜之外周端為基準朝徑向上之光學膜之中心側之偏移(位移量)為10 mm以內之位置。如此，測定裝置21可配置於自光學膜之中心部向光學膜之(光學膜之徑向外側)偏移之位置。
再者，測定裝置21可於測定線R上沿著上述圓周方向間歇地(即沿著圓周方向之複數個點)進行測定，亦可於測定線R上沿著上述圓周方向遍及全周連續地進行測定。又，測定裝置21只要構成為至少能於與上述中心軸線正交之方向上變更配置位置即可，亦可構成為能變更沿著上述中心軸線之方向上之配置位置。
如圖1所示，基座22具備：載台220，其供設置支持裝置20；及框架221，其固定於載台220且安裝有測定裝置21。
載台220包含設置有支持裝置20之設置面220a，該設置面220a係於上下方向上朝向上方側之面。又，於設置面220a形成有支持裝置側顯示部220b，其用以匹配固定於支持基部200之試樣膜F之朝向(圓周方向上之朝向)。支持裝置側顯示部220b例如可包含直線或點等標記，本實施形態中包含直線。
處理裝置3具備：捲曲資訊導出機構30，其被輸入利用測定裝置21所測定之上述距離作為測定資訊，基於該測定資訊導出表示試樣膜F之捲曲之狀態之捲曲資訊；及曲率資訊導出機構31，其基於利用該捲曲資訊導出機構30導出之捲曲資訊，導出表示試樣膜F之曲率之曲率資訊。
再者，處理裝置3例如可包含如電腦之具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或記憶裝置等之設備。又，處理裝置3可構成為能夠與測定單元2(測定裝置21)進行無線通訊或有線通訊。
捲曲資訊導出機構30可構成為自測定裝置21被直接輸入測定資訊，亦可構成為自測定裝置21被間接輸入測定資訊(即，亦可構成為被輸入硬碟等中所記憶之測定資訊)。
又，捲曲資訊導出機構30導出表示自光學膜F之中心部向徑向外側偏移之位置且以試樣膜F之中心為起點之圓周上之各位置處之測定資訊作為捲曲資訊。即，所謂捲曲資訊係指表示以試樣膜F之中心為起點之圓周方向上之測定資訊之變化的資訊。
再者，於測定裝置21構成為在測定線R上沿著上述圓周方向間歇地進行測定(即，於沿著上述圓周方向之圓周上之複數個地點(測定點)進行測定)之情形時，捲曲資訊導出機構30可構成為被輸入非連續之複數個測定資訊，基於該複數個測定資訊而導出(近似)並填補未測定之位置之測定資訊。又，於測定裝置21在測定線R上間歇地進行測定之情形時，只要對測定線R全周中之10%～30%之區域進行測定，捲曲資訊導出機構30便可導出準確之捲曲資訊。
捲曲資訊例如如圖5所示，可表示為曲線C(以下稱作捲曲曲線)，該曲線C係表示遍及自測定起點至測定終點為止之相當於一周量之試樣膜F之高度的連續性變化。圖5中以「D1」表示與測定裝置21所測定之測定資訊相當之部分，以「D2」表示捲曲導出機構30基於測定資訊導出之(近似之)測定資訊。如上所述，本實施形態之測定裝置21構成為於沿著上述圓周方向之圓周上之複數個測定點獲取測定資訊，故D1係對在各測定點獲取之測定資訊進行繪圖之所得點。
於捲曲資訊中，將表示試樣膜F之測定區域之上述圓周方向上之各地點的複數個測定位置資訊與各測定位置資訊之測定資訊(高度)建立關聯。
又，捲曲資訊包含：2個頂部側反曲點P1，其等係表示測定資訊所示之測定值自上升切換為下降之反曲點；及2個谷部側反曲點P2，其等係表示測定資訊之測定值自下降切換為上升之反曲點。
於試樣膜F以朝向測定裝置21側翹曲之方式捲曲之情形時(於以朝向與定裝置21側相反之側凸出之方式捲曲之情形時)，頂部側反曲點P1表示試樣膜F之捲曲之谷部之最下部(捲曲之底部)的位置，具體而言，表示自測定裝置21至谷部之最下部之距離、及試樣膜F之上述圓周方向上之該最下部之位置，谷部側反曲點P2表示試樣膜F之捲曲之峰部之頂部的位置，具體而言，表示自測定裝置21至峰部之頂部之距離、及試樣膜F之上述圓周方向上之該頂部之位置。
另一方面，於試樣膜F以朝向與測定裝置21側相反之側翹曲之方式捲曲之情形時(於以朝向定裝置21側凸出之方式捲曲之情形時)，頂部側反曲點P1表示試樣膜F之捲曲之峰部之頂部的位置，具體而言，表示自測定裝置21至峰部之頂部之距離、及試樣膜F之上述圓周方向上之該頂部之位置，谷部側反曲點P2係表示試樣膜F之捲曲之谷部之最下部(捲曲之底部)之位置，具體而言，表示自測定裝置21至谷部之最下部之距離、及試樣膜F之上述圓周方向上之該最下部之位置。
因此，於試樣膜F以朝向測定裝置21側翹曲之方式捲曲之情形時，藉由確認將試樣膜F之中心點與2個頂部側反曲點P1所示之試樣膜F之上述圓周方向上之頂部之位置連結的直線之朝向，可特定出捲曲之方向，又，藉由確認自頂部側反曲點P1所示之測定裝置21至頂部之距離與自谷部側反曲點P2所示之測定裝置21至最下部之距離之差異，可特定出捲曲之強度(彎曲情況)。
另一方面，於試樣膜F以朝向與測定裝置21側相反之側翹曲之方式捲曲之情形時，藉由確認將試樣膜F之中心點與2個谷部側反曲點P2所示之試樣膜F之上述圓周方向上之頂部之位置連結的直線之朝向，可特定出捲曲之方向，又，藉由確認自頂部側反曲點P1所示之測定裝置21至谷部之距離與自谷部側反曲點P2所示之測定裝置21至頂部之距離之差異，可特定出捲曲之強度(彎曲情況)。
繼而，參照圖6、圖7對曲率資訊導出機構31導出曲率資訊之曲率導出處理進行說明。首先，如圖6所示，基於將捲曲樣品近似為曲率(半徑)R之圓(xy平面上之圓)所得之圓製作圓筒A，基於自雷射測量之測量軌跡(測定裝置21之測定線R上之測量軌跡)起半徑r之圓(xy平面上之圓)製作圓筒B。再者，圓筒A之曲面與圓筒B之曲面之交叉線上之點P成為捲曲樣品之測定值。
圓筒A由下式(1)表示。 [數1]
Figure 02_image001
於配置捲曲樣品時或設置測定裝置21時，產生捲曲樣品之配置位置或測定裝置21之設置位置即測量位置之偏移(由雷射所致之測量位置之偏移)。
因此，當將捲曲樣品之配置位置之X方向上之偏移量設為「δ」，將由測定裝置21之設置位置之偏移所致之測量位置之偏移量(由雷射所致之測量位置之偏移量)設為「
Figure 02_image003
」時，中心線於x方向上傾斜相當於δ之量，且於以x軸為中心之圓周方向上旋轉相當於
Figure 02_image003
量之狀態之圓筒B由下式(2)表示。再者，於圖6中，將反映出捲曲樣品之配置位置之偏移量δ、測定裝置21之設置位置之偏移量
Figure 02_image003
之座標系統設為座標軸x、y'、z'。 [數2]
Figure 02_image005
而且，於將A與B之交叉線上之點P之位置設為下式(3)之情形時，該式(3)之X、Z基於式(2)而成為下式(4)、(5)。 [數3]
Figure 02_image007
[數4]
Figure 02_image009
[數5]
Figure 02_image011
又，Y由基於式(1)之下式(6)表示。 [數6]
Figure 02_image013
因此，點P之位置由下式(7)表示。 [數7]
Figure 02_image015
而且，座標軸x、y'、z'所示之座標系統中之點P之位置成為下式(8)，Y'成為下式(9)。 [數8]
Figure 02_image017
[數9]
Figure 02_image019
如此，藉由雷射測量所獲得之曲線可利用式(9)進行近似。
此處，當式(9)使用d作為固定銷之高度，使用
Figure 02_image003
作為相位偏移時，測量值之理論公式為下式(10)。 [數10]
Figure 02_image021
進而，利用下式(11)定義以擬合參數為分量之向量u，當利用u之各分量對式(10)之y進行偏微分時，成為下式(12)～(16)。 [數11]
Figure 02_image023
[數12]
Figure 02_image025
[數13]
Figure 02_image027
[數14]
Figure 02_image029
[數15]
Figure 02_image031
[數16]
Figure 02_image033
將測量資料設為(Yi ，θi )，將針對該測量資料之理論值設為yi ，分別利用下式(17)、(18)定義測量誤差Fi 及該測量誤差Fi 之平方和J。 [數17]
Figure 02_image035
[數18]
Figure 02_image037
於此情形時，平方和J之各擬合參數中之梯度向量∇J成為下式(19)。 [數19]
Figure 02_image039
而且，使用高斯-牛頓近似之Hesse矩陣H成為下式(20)。 [數20]
Figure 02_image041
又，曲率資訊導出機構31可按照以下1～10之程序執行理論公式(LM(Levenberg-Marquardt，雷文伯格-馬括特)法)之擬合。 1.將c設為0.0001(再者，c為LM法之係數)。 2.賦予u之初始值。 3.計算J(式(18))。 4.計算▽J(式(19))與H(式(20))。 5.求解下式(21)之聯立方程式而求出Δu。 [數21]
Figure 02_image043
6.如下所述藉由u＋Δu計算u'。 7.利用u'計算式(18)並設為J'。 8.若J'＞J，則將c更新為10c，返回至上述5之程序。 9.若並非J'＞J，則將c更新為c/10，將J更新為J'，將u更新為u'。 10.若｜｜Δu｜｜＜ε(ε為收斂判定值)，則使u返回至式(11)並結束程序，若並非｜｜Δu｜｜＜ε，則返回至上述4之程序。
本實施形態之分析裝置1之構成如上所述。繼而，參照隨附圖式對分析方法進行說明。
本實施形態之分析方法基於遍及試樣膜F之圓周方向全周連續地變化之位置資訊(本實施形態中為高度)，導出可掌握捲曲之狀態之資訊。
更具體地說明，分析方法係製作試樣膜F並將該試樣膜F設置於支持裝置20，藉由測定裝置21對試樣膜F進行測定後，利用處理裝置3導出捲曲資訊、曲率資訊。
試樣膜F係如圖8所示，藉由將自捲筒狀之坯膜捲出光學膜所得之捲出部分S呈圓形切下而形成。再者，於圖8中自捲出部分S切下3片試樣膜F，但可適當變更將試樣膜F切下之片數，亦可適當變更將試樣膜F切下之位置。
又，本實施形態中，於切下試樣膜F之前，針對捲出部分S中之預定切下試樣膜F之區域，形成用以與支持顯示側顯示部一同決定固定於支持基部200之試樣膜F之朝向的膜側顯示部M。
再者，圖8中將通過預定切下試樣膜F之區域之直線設為膜側顯示部M。
繼而，將試樣膜F固定於支持基部200之抵接面200a。本實施形態中，使試樣膜F之中心部之一側之面抵接於支持基部200之抵接面200a後(載置之後)，自試樣膜F之上方側將固定部201安裝於支持基部200之抵接面200a。
藉此，試樣膜F以使上述中心軸線與上下方向對應之狀態，由固定部201與支持基部200之抵接面200a自一面側與另一面側夾持中心部。
再者，將試樣膜F固定於支持基部200時，可藉由確認支持裝置側顯示部220b與膜側顯示部M之位置關係而確定試樣膜F之朝向，故能夠確實地特定出捲曲之產生方向。
繼而，將測定裝置21配置於在上述中心軸線延伸之方向(本實施形態中為上下方向)上與試樣膜F之外周側對向之位置，更具體而言，於上下方向上與試樣膜F之外周側且較該試樣膜F之外周端更靠內側之位置對向之位置。
藉此，試樣膜F、測定裝置21之準備完成，繼而，如圖9所示，測量測定裝置21之試樣膜F之測定地點θ(以上述縱軸線(於上下方向延伸且通過上述中心軸線之軸線)為中心之圓周方向上之測定位置)、及測定裝置21於該測定地點θ所測定之與試樣膜F相隔之距離y(S1)；導出測定裝置21之測量半徑r(S2)；導出支持裝置20之試樣膜F之支持位置(支持位置之高度)d(S3)；之後，使用所獲得之θ、y、r、d執行上述理論公式之擬合(S4)；曲率資訊導出機構31執行曲率導出處理(S5)。其結果，根據式(11)藉由擬合計算出R、
Figure 02_image003
、ψ、δ之值。1/R表示曲率，ψ表示捲曲之方向。即，曲率導出處理亦導出捲曲之方向。
於對測定裝置21在測定地點θ所測定之與試樣膜F相隔之距離y進行測量時(S1)，藉由旋轉驅動部202使支持基部200旋轉，藉此使試樣膜F以上述縱軸線(於上下方向延伸且通過上述中心軸線之軸線)為中心旋轉。
此時，測定裝置21之位置雖固定，但伴隨試樣膜F之旋轉，測定裝置21之測定部位發生變化。
然後，測定裝置21於測定線R上測定與試樣膜F相隔之距離y，獲得將測定裝置21所測定之與試樣膜F相隔之距離y與測定地點θ建立關聯後之資訊作為測定資訊。進而，依序導出測量半徑r與支持裝置20之試樣膜F之支持位置d。
利用測定裝置21所測定之測定資訊被輸入至捲曲導出機構30。於測定裝置21間歇地執行測定線R內之測定之情形時，對捲曲導出機構30導入非連續之複數個測定資訊，捲曲導出機構30藉由基於經輸入之複數個之測定資訊對未測定之測定資訊進行近似，而導出捲曲資訊(S4)。
繼而，曲率資訊導出機構31藉由曲率導出處理導出表示捲曲之曲率之曲率資訊及捲曲之方向(S5)。
如上所述，根據本實施形態之分析裝置1及分析方法，由於使形成為圓形之試樣膜F之中心部支持於支持裝置20，故自試樣膜F之中心部至外周端之各位置之由自身重量所致之變形量(撓曲方式)變得大致均勻。又，本實施形態之試樣膜F因自中心至外周端之各位置之距離(半徑)相同或大致相同，故由自身重量所致之變形量更容易變得均勻。
因此，可於使試樣膜F之測定部位(測定線R整體)之測定條件齊備之後，基於利用測定裝置21所測定之上述距離導出捲曲資訊，故處理裝置3(更具體而言為捲曲資訊導出機構30)能夠導出準確度較高之捲曲之分析結果(捲曲資訊)。
又，試樣膜F因直徑為10 mm～100 mm，故不易因自身重量而發生變形，且不易因支持於支持裝置20而導致發生變形。
進而，由於藉由測定裝置21測定與試樣膜F之外周側且較試樣膜F之外周端更靠內側之位置相隔之距離，故可將避開因支持於支持裝置20而導致發生變形之試樣膜F之中心部側、及形成試樣膜F時易產生毛邊之外周端的位置設為測定對象(測定線R)，因此能夠提高測定裝置21之測定精度。
而且，本實施形態中，可藉由磁力介隔試樣膜F將固定部201安裝於支持基部200，故亦可藉由利用支持基部200與固定部201夾持試樣膜F，而使由支持裝置20支持之試樣膜F不易損傷。
進而，本實施形態中，藉由曲率導出機構31導出表示試樣膜F之捲曲之曲率之曲率資訊。捲曲之曲率並非根據試樣膜F之尺寸而發生變化之參數，故例如即便於將尺寸不同之試樣膜F之捲曲之狀態加以比較之情形時，只要比較各自之曲率資訊彼此，便可準確地比較捲曲之狀態。藉此，例如即便將於製造光學膜之步驟中，利用不同步驟形成之試樣膜F彼此加以比較時，亦可獲得該試樣膜F彼此之準確之比較結果。
再者，本發明之分析裝置、及分析方法並不限定於上述實施形態，當然可於不脫離本發明之主旨之範圍內追加各種變更。
上述實施形態中，試樣膜F雖形成為自中心至外周端之各位置之距離(半徑)相同或大致相同之圓形，但並不限定於該構成。試樣膜F例如可為橢圓形。
上述實施形態中，支持基部200設置為使長邊方向與上下方向對應之姿勢，即縱向地設置，但並不限定於該構成。例如，支持基部200可設置為使長邊方向與水平方向對應之姿勢，即橫向地設置。於此情形時，試樣膜F之中心軸線與通過試樣膜F之中心且於水平方向上延伸之橫軸線一致，旋轉驅動部202以該橫軸線為中心使試樣膜F旋轉。
又，支持基部200可設置為使長邊方向與和上下方向及水平方向交叉之方向即交叉方向對應之姿勢，即斜向地設置。於此情形時，試樣膜F之中心軸線與通過試樣膜F之中心且沿著上述斜方向延伸之斜向軸線一致，旋轉驅動部202以該斜向軸線為中心使試樣膜F旋轉。
不論於支持基部200橫向地設置之情形時，還是斜向地設置之情形時，只要於將測定裝置21之配置位置固定且使試樣膜F旋轉之狀態下進行測定，便可使施加至試樣膜F中之到達測定裝置21之測定點之部分的荷重一致，故能夠提高試樣膜F之分析結果之準確度。
上述實施形態中，固定部201構成為與支持基部200之抵接面200a協動地夾持該試樣膜F，但並不限定於該構成。例如，固定部201亦可構成為形成為自支持基部200之抵接面200a延出之針狀，且使該針狀之固定部201刺入試樣膜F。
上述實施形態中，雖未特別提及，但處理裝置3例如可具備導出捲曲之方向或大小之機構、或基於捲曲資訊或曲率資訊判定作為測定對象之試樣膜F之良好與否(光學膜之良好與否)之機構。
1:分析裝置 2:測定單元 3:處理裝置 20:支持裝置 21:測定裝置 22:基座 30:捲曲資訊導出機構 31:曲率資訊導出機構 31:曲率導出機構 200:支持基部 200a:抵接面 201:固定部 202:旋轉驅動部 220:載台 220a:設置面 220b:支持裝置側顯示部 221:框架 A:圓筒 B:圓筒 C:捲曲曲線 F:試樣膜 M:膜側顯示部 P1:頂部側反曲點 P2:谷部側反曲點 r:測量半徑 R:測定線 S:捲出部分 δ:捲曲樣品之配置位置之偏移量
Figure 02_image003
:測定裝置之設置位置之偏移量 θ:測定地點
圖1係本發明之一實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置的概略圖。 圖2係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置之支持裝置的局部放大圖。 圖3係自上方觀察本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置的配置於支持基部上的試樣膜所得之圖。 圖4係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置之處理裝置的方塊圖。 圖5係利用本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置導出之捲曲資訊(捲曲曲線)的說明圖。 圖6係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置之曲率導出處理的說明圖。 圖7係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置之曲率導出處理的說明圖，且係沿y軸自上方觀察基於自測定裝置之測定線上之測量軌跡起半徑之圓製作而成的圓筒所得之圖。 圖8係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析方法之試樣膜之形成方式的說明圖。 圖9係本實施形態之光學膜用之捲曲之分析裝置之主要動作的流程圖。
1:分析裝置
2:測定單元
3:處理裝置
20:支持裝置
21:測定裝置
22:基座
200:支持基部
201:固定部
202:旋轉驅動部
220:載台
220a:設置面
220b:支持裝置側顯示部
221:框架
F:試樣膜

Claims (12)

  1. 一種光學膜之捲曲之分析方法，其係 使支持裝置支持作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之中心部； 將測定上下方向上與上述光學膜相隔之距離之測定裝置配置於如下位置，即，由上述支持裝置支持之上述光學膜之上方或下方且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置； 一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上述上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，或使上述測定裝置沿著以上述縱軸線為中心之圓周方向移動，一面利用上述測定裝置測定上述距離； 基於利用上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊。
  2. 一種光學膜之捲曲之分析方法，其係 使作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之一面朝向與上下方向交叉之交叉方向後，使支持裝置支持該光學膜之中心部； 將測定上述交叉方向上與上述光學膜相隔之距離之測定裝置配置於如下位置，即，於上述交叉方向上與由上述支持裝置支持之上述光學膜對向且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置； 一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上述交叉方向上延伸之交叉軸線為中心，使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，一面利用配置位置固定之狀態之上述測定裝置測定上述距離； 基於利用上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊。
  3. 如請求項1或2之光學膜之捲曲之分析方法，其中 藉由上述測定裝置測定上述距離之位置係上述光學膜之外周側且較上述光學膜之外周端更靠內側之處。
  4. 如請求項1或2之光學膜之捲曲之分析方法，其係 基於上述捲曲資訊導出表示上述捲曲之曲率之曲率資訊。
  5. 如請求項1或2之光學膜之捲曲之分析方法，其中 上述光學膜之直徑係設為10 mm～100 mm。
  6. 如請求項1或2之光學膜之捲曲之分析方法，其係 藉由上述支持裝置所具有之支持基部及固定部夾持上述光學膜，該支持基部係供配置上述光學膜，該固定部係用以將上述光學膜固定於該支持基部者，且可藉由磁力介隔上述光學膜而吸附於上述支持基部。
  7. 一種光學膜之捲曲之分析裝置，其具備： 支持裝置，其支持作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之中心部； 測定裝置，其係測定上下方向上與上述光學膜相隔之距離者，且配置於如下位置，即，由上述支持裝置支持之光學膜之上方或下方且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置；及 捲曲導出機構，其基於上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊；且 構成為一面以通過上述支持裝置所支持之上述光學膜之上述中心部且於上述上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述光學膜旋轉，或使上述測定裝置沿著以上述縱軸線為中心之圓周方向移動，一面利用上述測定裝置測定上述距離。
  8. 一種光學膜之捲曲之分析裝置，其具備： 支持裝置，其係將作為捲曲之分析對象之圓形光學膜之一面以朝向與上下方向交叉之交叉方向之狀態支持者，且支持該光學膜之中心部； 測定裝置，其測定上述交叉方向上與上述光學膜相隔之距離； 測定裝置，其配置於如下位置，即，於上述交叉方向上與上述支持裝置所支持之上述光學膜對向且自上述中心部向上述光學膜之徑向外側偏移之位置；及 捲曲導出機構，其基於上述測定裝置所測定之上述距離，導出表示上述光學膜之捲曲之狀態之捲曲資訊；且 構成為一面以通過上述光學膜之上述中心部且於上下方向上延伸之縱軸線為中心使上述支持裝置所支持之上述光學膜旋轉，一面利用配置位置固定之狀態之上述測定裝置測定上述距離。
  9. 如請求項7或8之光學膜之捲曲之分析裝置，其中 上述測定裝置構成為於上述光學膜之外周側且較上述光學膜之外周端更靠內側之位置測定上述距離。
  10. 如請求項7或8之光學膜之捲曲之分析裝置，其具備曲率導出機構， 該曲率導出機構基於上述捲曲資訊，導出表示上述捲曲之曲率之曲率資訊。
  11. 如請求項7或8之光學膜之捲曲之分析裝置，其中 上述光學膜之直徑為10 mm～100 mm。
  12. 如請求項7或8之光學膜之捲曲之分析裝置，其中 上述支持裝置具有： 支持基部，其供配置上述光學膜；及固定部，其係用以將上述光學膜固定於該支持基部者，且可藉由磁力介隔上述光學膜而吸附於上述支持基部。
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