TW202037085A - 降頻混頻器 - Google Patents

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Abstract

一種降頻混頻器包含一轉導混頻模組及一負阻補償模組。該轉導混頻模組將一差動射頻電壓信號與一差動振盪電壓信號進行轉導混和，以產生一差動混合電流信號。該負阻補償模組將該差動混合電流信號轉換為一差動中頻電壓信號，且包括：第一及第二電晶體，各自具有一第一端、一第二端及一控制端，該等第一及第二電晶體的該等第二端相配合提供該差動中頻電壓信號，該等第一及第二電晶體的該等控制端接收一控制電壓，且每一控制端的電壓大小隨著該控制電壓的變化而改變；及一電阻電感電路，其與該等第一及第二電晶體相配合接收該差動混合電流信號。

Description

降頻混頻器
本發明是有關於一種混頻器，特別是指一種轉換增益可調整的降頻混頻器。
參閱圖1，習知降頻混頻器包含一第一單端至差動轉換電路(Balun)11、一第二單端至差動轉換電路12、一轉導電路13、一混頻電路14，及一緩衝電路15。
該第一單端至差動轉換電路11將一單端振盪電壓信號轉換成一差動振盪電壓信號。該第二單端至差動轉換電路12將一單端射頻電壓信號轉換成一差動射頻電壓信號。該轉導電路13將該差動射頻電壓信號轉換成一流經其本身並流入地的差動射頻電流信號，該差動射頻電流信號包含一正相射頻電流信號I11及一負相射頻電流信號I12。該混頻電路14將該差動振盪電壓信號及該差動射頻電流信號進行混合，以產生一差動中頻電壓信號。該緩衝電路15將該差動中頻電壓信號進行緩衝，以產生一差動輸出電壓信號。
在低中頻角頻率ωIF 時，該轉導電路13與該混頻電路14之組合的一轉換增益(conversion gain，CG’)可由下式(1)獲得：
Figure 02_image001
式(1)， 其中，參數gm131,132 是該轉導電路13所包括的每一電晶體131、132的一轉導值，參數gm133,134 是該轉導電路13所包括的每一電晶體133、134的一轉導值，參數RL 是該混頻電路14所包括的每一電阻器141、142的一電阻值，參數TOS 是該差動振盪電壓信號的一信號週期，
Figure 02_image003
是該混頻電路14所包括的電晶體143~146皆導通的一時間比。
然而，在上述結構中，由於式(1)的參數無法任意調整，因而導致該轉換增益CG’也無法任意調整。此外，該習知降頻混頻器具有低轉換增益及高雜訊指數(noise figure)。因此，該習知降頻混頻器仍有改進的空間。
因此，本發明之目的，即在提供一種轉換增益可調整的降頻混頻器。
於是，本發明降頻混頻器包含一轉導混頻模組及一負阻補償模組。
該轉導混頻模組接收一差動射頻電壓信號及一差動振盪電壓信號，並將該差動射頻電壓信號與該差動振盪電壓信號進行轉導與混和，以產生一包括一第一混合電流信號及一第二混合電流信號的差動混合電流信號。
該負阻補償模組電連接該轉導混頻模組以接收該差動混合電流信號，並將該差動混合電流信號轉換為一差動中頻電壓信號，該負阻補償模組包括一第一電晶體、一第二電晶體及一電阻電感電路。
該等第一及第二電晶體各自具有一第一端、一第二端及一控制端，該等第一及第二電晶體的該等第一端彼此電連接並用以接收一電源電壓，該等第一及第二電晶體的該等第二端相配合以提供該差動中頻電壓信號，該等第一及第二電晶體的該等控制端用以接收一控制電壓，且每一控制端的電壓大小隨著該控制電壓的變化而改變。
該電阻電感電路電連接在該等第一與第二電晶體的該等第二端間，該電阻電感電路與該第一電晶體相配合以接收來自該轉導混頻模組的該第一混合電流信號，該電阻電感電路與該第二電晶體相配合以接收來自該轉導混頻模組的該第二混合電流信號。
本發明之功效在於：藉由調整該控制電壓，使得該等第一及第二電晶體的該等控制端的電壓大小隨著該控制電壓的變化而改變，如此可調整並提升本實施例該降頻混頻器的轉換增益，並降低該降頻混頻器的雜訊指數。
參閱圖2，本發明降頻混頻器之實施例包含第一及第二單端至差動轉換電路2、3、一轉導混頻模組4、一負阻補償模組5，及一緩衝電路6。
該第一單端至差動轉換電路2用以接收一單端振盪電壓信號Sos，並將該單端振盪電壓信號Sos轉換成一包括一正相振盪電壓信號Vos1及一負相振盪電壓信號Vos2的差動振盪電壓信號。
該第二單端至差動轉換電路3用以接收一單端射頻電壓信號Sr，並將該單端射頻電壓信號Sr轉換成一包括一正相射頻電壓信號Vr1及一負相射頻電壓信號Vr2的差動射頻電壓信號。
該轉導混頻模組4電連接該等第一及二單端至差動轉換電路2、3以分別接收該差動振盪電壓信號及該差動射頻電壓信號，並將該差動射頻電壓信號與該差動振盪電壓信號進行轉導與混和，以產生一包括一第一混合電流信號I1及一第二混合電流信號I2的差動混合電流信號。在此實施例中，該轉導混頻模組4包括一轉導電路41及一混頻電路42。該轉導電路41電連接該第二單端至差動轉換電路3以接收該差動射頻電壓信號，並將該差動射頻電壓信號轉換成一包括一正相輸入電流信號Ir1及一負相輸入電流信號Ir2的差動輸入電流信號。該正相輸入電流信號Ir1與該正相射頻電壓信號Vr1同相位，該負相輸入電流信號Ir2與該負相射頻電壓信號Vr2同相位。該混頻電路42電連接該第一單端至差動轉換電路2與該轉導電路41，以分別接收該差動振盪電壓信號與該差動輸入電流信號，且將該差動振盪電壓信號及該差動輸入電流信號進行混和，以產生該差動混合電流信號。
該負阻補償模組5電連接該轉導混頻模組4之該混頻電路42以接收該差動混合電流信號，並將該差動混合電流信號轉換為一包括一正相中頻電壓信號Vi1及一負相中頻電壓信號Vi2的差動中頻電壓信號。
該緩衝電路6電連接該負阻補償模組5以接收該差動中頻電壓信號，並將該差動中頻電壓信號進行緩衝，以產生一包括一正相輸出電壓信號Vo1及一負相輸出電壓信號Vo2的差動輸出電壓信號。
舉例來說，該差動輸出電壓信號具有一相關於該單端振盪電壓信號Sos的一頻率f2與該單端射頻電壓信號Sr的一頻率f3的頻率f1，例如，f1=f3-f2，但不以此為限。在此實施例中，f2=93.9GHz、f3=94GHz，f1=94-93.9=0.1GHz。
在此實施例中，進一步參閱圖3，該第一單端至差動轉換電路2包括一第一巴倫器21(例如，一馬爾尚巴倫(Marchand Balun)或一橢圓巴倫(Elliptical Balun))及其他元件。該第一巴倫器21具有一用以接收一相關於該單端振盪電壓信號Sos之電壓信號的輸入端、一提供一相關於該正相振盪電壓信號Vos1之電壓信號的第一輸出端，及一提供一相關於該負相振盪電壓信號Vos2之電壓信號的第二輸出端。
該第二單端至差動轉換電路3包括一第二巴倫器31及其他元件。該第二巴倫器31具有一用以接收一相關於該單端射頻電壓信號Sr之電壓信號的輸入端、一提供一相關於該正相射頻電壓信號Vr1之電壓信號的第一輸出端，及一提供一相關於該負相射頻電壓信號Vr2之電壓信號的第二輸出端。
該轉導電路41包括第一及第二轉導單元411、412，及一電感器413。該第一轉導單元411電連接該第二單端至差動轉換電路3以接收該正相射頻電壓信號Vr1，且還電連接該混頻電路42。該第一轉導單元411將該正相射頻電壓信號Vr1轉換成該正相輸入電流信號Ir1。該第二轉導單元412電連接該第二單端至差動轉換電路3以接收該負相射頻電壓信號Vr2，且還電連接該混頻電路42。該第二轉導單元412將該負相射頻電壓信號Vr2轉換成該負相輸入電流信號Ir2。該電感器413電連接在該第一轉導單元411與該混頻電路42間的一共同接點Q1及該第二轉導單元412與該混頻電路42間的一共同接點Q2之間。
在此實施例中，該等第一與第二轉導單元411、412中的每一者包括一第一轉導電晶體401及一第二轉導電晶體402。該第一轉導電晶體401具有一用以接收該電源電壓VDD的第一端、一電連接該混頻電路42與該電感器413的第二端(即，該共同接點Q1/Q2)，及一電連接該第二單端至差動轉換電路3以接收該正相射頻電壓信號Vr1與該負相射頻電壓信號Vr2中的一對應者的控制端。該第二轉導電晶體402具有分別電連接該第一轉導電晶體401之該第二端與該控制端的一第一端與一控制端，及一接地的第二端。該第二轉導電晶體402與該第一轉導電晶體401相配合以於對應的該共同接點Q1(或該共同接點Q2)提供由該混頻電路42所接收之該正相輸入電流信號Ir1與該負相輸入電流信號Ir2中的一對應者。
該混頻電路42還電連接該轉導電路41之該等共同接點Q1、Q2，且包括第一至第四混頻電晶體421、422、423、424。
該第一混頻電晶體421具有一第一端、一電連接該轉導電路41之該共同接點Q1的第二端，及一電連接該第一單端至差動轉換電路2以接收該正相振盪電壓信號Vos1的控制端。該第二混頻電晶體422具有一第一端、一電連接該第一混頻電晶體421之該第二端的第二端，及一電連接該第一單端至差動轉換電路2以接收該負相振盪電壓信號Vos2的控制端。該第二混頻電晶體422與該第一混頻電晶體421相配合接收來自該第一轉導單元411之該正相輸入電流信號Ir1。該第三混頻電晶體423具有一電連接該第一混頻電晶體421之該第一端的第一端、一電連接該轉導電路41之該共同接點Q2的第二端，及一電連接該第二混頻電晶體422之該控制端的控制端。該第三混頻電晶體423與該第一混頻電晶體421相配合在該第一混頻電晶體421之該第一端提供該第一混合電流信號I1。該第四混頻電晶體424具有一電連接該第二混頻電晶體422之該第一端的第一端、一電連接該第三混頻電晶體423之該第二端的第二端，及一電連接該第一混頻電晶體421之該控制端的控制端。該第四混頻電晶體424與該第三混頻電晶體423相配合接收來自該第一轉導單元412之該負相輸入電流信號Ir2，且該第四混頻電晶體424與該第二混頻電晶體422相配合在該第二混頻電晶體422之該第一端提供該第二混合電流信號I2。
需說明的是，當該等第一與第四混頻電晶體421、424回應於該正相振盪電壓信號Vos1而導通，且該等第二與第三混頻電晶體422、423回應於該負相振盪電壓信號Vos2而不導通時，該正相輸入電流信號Ir1作為該第一混合電流信號I1，並且該負相輸入電流信號Ir2作為該第二混合電流信號I2。當該等第一與第四混頻電晶體421、424回應於該正相振盪電壓信號Vos1而不導通，且該等第二與第三混頻電晶體422、423回應於該負相振盪電壓信號Vos2而導通時，該正相輸入電流信號Ir1作為該第二混合電流信號I2，並且該負相輸入電流信號Ir2作為該第一混合電流信號I1。
在此實施例中，參閱圖2及圖3，該負阻補償模組5用以接收該電源電壓VDD且包括第一及第二電晶體51、52、一電阻電感電路53、第一及第二電容器54、55、第一及第二電阻器56、57。
該等第一及第二電晶體51、52各自具有一第一端、一第二端及一控制端。該等第一及第二電晶體51、52的該等第一端彼此電連接並用以接收該電源電壓VDD，該等第一及第二電晶體51、52的該等第二端分別電連接該等第一及第二混頻電晶體421、422的該等第一端，該等第一及第二電晶體51、52的該等控制端用以接收一控制電壓Vc，且每一控制端的電壓大小隨著該控制電壓Vc的變化而改變。該第一電晶體51的該第二端提供該正相中頻電壓信號Vi1，該第二電晶體52的該第二端提供該負相中頻電壓信號Vi2。該第一電容器54電連接在該第一電晶體51的該控制端與該第二電晶體52的該第二端間。該第二電容器55電連接在該第二電晶體52的該控制端與該第一電晶體51的該第二端間。該等第一及第二電阻器56、57各自具有一第一端及一第二端。該等第一及第二電阻器56、57的該等第一端彼此電連接並用以接收該控制電壓Vc，該等第一及第二電阻器56、57的該等第二端分別電連接該等第一與第二電晶體51、52的該等控制端。該電阻電感電路53電連接在該等第一與第二電晶體51、52的該等第二端間，且包括第三及第四電阻器531、532，及一電感器533。該第三電阻器531具有一電連接該第一電晶體51的該第二端的第一端，及一第二端。該第四電阻器532具有一第一端，及一電連接該第二電晶體52的該第二端的第二端。該電感器533電連接在該第三電阻器531的該第二端與該第四電阻器532的該第一端間。該第三電阻器531與該第一電晶體51相配合以接收來自該混頻電路42的該第一混合電流信號I1。該第四電阻器532與該第二電晶體52相配合以接收來自該混頻電路42的該第二混合電流信號I2。
在此實施例中，如圖3所示，該緩衝電路6包括第一至第四緩衝電晶體61、62、63、64，及第一至第三電阻器65、66、67。
該第一緩衝電晶體61具有一用以接收該電源電壓VDD的第一端、一提供該正相輸出電壓信號Vo1的第二端，及一電連接該第一電晶體51的該第二端以接收該正相中頻電壓信號Vi1的控制端。該第二緩衝電晶體62具有一電連接該第一緩衝電晶體61之該第一端的第一端、一提供該負相輸出電壓信號Vo2的第二端，及一電連該第二電晶體52的該第二端以接收該負相中頻電壓信號Vi2的控制端。該第三電阻器67具有一第一端，及一用以接收一偏壓電壓Vb1的第二端。該第三緩衝電晶體63具有一電連接該第一緩衝電晶體61之該第二端的第一端、一第二端，及一電連接該第三電阻器67之該第一端以經由該第三電阻器67接收該偏壓電壓Vb1的控制端。該第四緩衝電晶體64具有一電連接該第二緩衝電晶體62之該第二端的第一端、一第二端，及一電連接該第三緩衝電晶體63之該控制端的控制端。該第一電阻器65電連接在該第三緩衝電晶體63之該第二端與地之間。該第二電阻器66電連接在該第四緩衝電晶體64之該第二端與地之間。
需說明的是，在此實施例中，該第二轉導電晶體402、該等第一至第四混頻電晶體421~424，及該等第一至第四緩衝電晶體61~64各自為，例如，一N型金氧半場效電晶體，且該N型金氧半場效電晶體的汲極、源極及閘極分別為每一電晶體402、421~424、61~64的該第一端、該第二端及該控制端。該第一轉導電晶體401，及該等第一及第二電晶體51、52各自為，例如，一P型金氧半場效電晶體，且該P型金氧半場效電晶體的源極、汲極及閘極分別為每一電晶體401、51、52的該第一端、該第二端及該控制端。
在低中頻角頻率ωIF (例如，ωIF =0 ~ 1 GHz)時，本實施例該轉導混頻模組4與該負組補償模組5之組合的一轉換增益(conversion gain，CG)可由下述式(2)獲得：
Figure 02_image005
式(2)， 其中，參數gm402 是每一第二轉導電晶體402的一轉導值，參數gm401 是每一第一轉導電晶體401的一轉導值，參數gm51,52 是該等第一及第二電晶體51、52中每一者的一轉導值，參數R531,532 是該等第三及第四電阻器531、532中每一者的一電阻值，參數TOS 是該差動振盪電壓信號的一信號週期，
Figure 02_image003
是該等第一至第四混頻電晶體421~424皆導通的一時間比。在此實施例中，當
Figure 02_image003
為0.177，即
Figure 02_image007
為0.987。
在此實施例中，由於該等第一及第二電晶體51、52的該等控制端的電壓大小隨著該控制電壓Vc的變化而改變，因此藉由調整該控制電壓Vc可降低該等第一及第二電晶體51、52的該等控制端的電壓，使得該等第一及第二電晶體51、52各自的一源閘極VSG 電壓增加，進而其各自所對應之該轉導值gm51,52 也增加。如此一來，使得該轉換增益CG為可調整，且隨著該轉導值gm51,52 的增加，該轉換增益CG的大小也跟著增加，進而增加本實施例該降頻混頻器的一轉換增益。此外，該電感器413與該等第一及第二轉導電晶體401、402，及該等第一至第四混頻電晶體421~424的所有寄生電容(圖未示)共振開路，以補償因該等第一及第二轉導電晶體401、402，及該等第一至第四混頻電晶體421~424的該等寄生電容而產生的一頻率極點，使本實施例該轉換增益CG不會受該等寄生電容的影響，從而增加本實施例該降頻混頻器的該轉換增益。
參閱圖4，為該實施例與習知降頻混頻器各自之轉換增益的模擬示意圖。圖4顯示相較於習知降頻混頻器，該實施例降頻混頻器確實具有較高的轉換增益。
參閱圖5，為該實施例與習知降頻混頻器各自之雜訊指數的模擬示意圖。圖5顯示該實施例降頻混頻器相較於習知降頻混頻器確實具有較低的雜訊指數。
進一步參閱圖6，其說明本實施例該降頻混頻器之該負阻補償模組5中的該電阻電感電路53的另一實施態樣。圖6中的該電阻電感電路53與圖2中的該電阻電感電路53的差異在於，圖6中以第三及第四電阻器531’、532’取代圖2中的該等第三及第四電阻器531、532。該等第三及第四電阻器531’、532’中的每一者為一可變電阻器。如此一來，藉由調整每一第三及第四電阻器531’、532’的電阻值可改變參數R531,532 的大小，使得該轉換增益CG為可調整，且該轉換增益CG的大小隨著參數R531,532 的增加而增加。
綜上所述，藉由調整該控制電壓Vc來降低該等第一及第二電晶體51、52的該等控制端的電壓，可增加該等第一及第二電晶體51、52各自所對應之該轉導值gm51,52 ，使得該轉換增益CG為可調整，且隨著該轉導值gm51,52 的增加，本實施例該降頻混頻器的該轉換增益的大小也跟著增加。此外，藉由調整每一第三及第四電阻器531’、532’的電阻值可改變參數R531,532 的大小，如此也可調整該轉換增益CG，使該轉換增益CG的大小隨著參數R531,532 的增加而增加，進而增加本實施例該降頻混頻器的該轉換增益，並降低該降頻混頻器的雜訊指數。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
2:第一單端至差動轉換電路 21:第一巴倫器 3:第二單端至差動轉換電路 31:第二巴倫器 4:轉導混頻模組 41:轉導電路 401:第一轉導電晶體 402:第二轉導電晶體 411:第一轉導單元 412:第二轉導單元 413:電感器 42:混頻電路 421:第一混頻電晶體 422:第二混頻電晶體 423:第三混頻電晶體 424:第四混頻電晶體 5:負阻補償模組 51、52:第一及第二電晶體 53:電阻電感電路 531:第三電阻器 531’:第三電阻器 532:第四電阻器 Vb2:偏壓電壓 Vb3:偏壓電壓 Vc:控制電壓 VDD:電源電壓 Vi1:正相中頻電壓信號 Vi2:負相中頻電壓信號 532’:第四電阻器 533:電感器 54:第一電容器 55:第二電容器 56:第一電阻器 57:第二電阻器 6:緩衝電路 61:第一緩衝電晶體 62:第二緩衝電晶體 63:第三緩衝電晶體 64:第四緩衝電晶體 65:第一電阻器 66:第二電阻器 67:第三電阻器 I1:第一混合電流信號 I2:第二混合電流信號 Ir1:正相輸入電流信號 Ir2:負相輸入電流信號 Q1、Q2 共同接點 Sos:單端振盪電壓信號 Sr:單端射頻電壓信號 Vb1:偏壓電壓 Vo1:正相輸出電壓信號 Vo2:負相輸出電壓信號 Vos1:正相振盪電壓信號 Vos2:負相振盪電壓信號 Vr1:正相射頻電壓信號 Vr2:負相射頻電壓信號
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一電路方塊圖，說明習知降頻混頻器； 圖2與圖3是電路方塊圖，說明本發明降頻混頻器之一實施例； 圖4是一模擬圖，說明該實施例與該習知降頻混頻器的轉換增益對頻率的變化； 圖5是一模擬圖，說明該實施例與該習知降頻混頻器的雜訊指數對頻率的變化；及 圖6是一電路圖，說明該實施例之該降頻混頻器之一負阻補償模組的另一實施態樣。
2:第一單端至差動轉換電路
3:第二單端至差動轉換電路
4:轉導混頻模組
41:轉導電路
42:混頻電路
5:負阻補償模組
51、52:第一及第二電晶體
53:電阻電感電路
531:第三電阻器
532:第四電阻器
533:電感器
54:第一電容器
55:第二電容器
56:第一電阻器
57:第二電阻器
6:緩衝電路
I1:第一混合電流信號
I2:第二混合電流信號
Ir1:正相輸入電流信號
Ir2:負相輸入電流信號
Sos:單端振盪電壓信號
Sr:單端射頻電壓信號
Vc:控制電壓
VDD:電源電壓
Vi1:正相中頻電壓信號
Vi2:負相中頻電壓信號
Vo1:正相輸出電壓信號
Vo2:負相輸出電壓信號
Vos1:正相振盪電壓信號
Vos2:負相振盪電壓信號
Vr1:正相射頻電壓信號
Vr2:負相射頻電壓信號

Claims (10)

  1. 一種降頻混頻器，包含： 一轉導混頻模組，接收一差動射頻電壓信號及一差動振盪電壓信號，並將該差動射頻電壓信號與該差動振盪電壓信號進行轉導與混和，以產生一包括一第一混合電流信號及一第二混合電流信號的差動混合電流信號；及 一負阻補償模組，電連接該轉導混頻模組以接收該差動混合電流信號，並將該差動混合電流信號轉換為一差動中頻電壓信號，該負阻補償模組包括 一第一電晶體及一第二電晶體，其各自具有一第一端、一第二端及一控制端，該等第一及第二電晶體的該等第一端彼此電連接並用以接收一電源電壓，該等第一及第二電晶體的該等第二端相配合以提供該差動中頻電壓信號，該等第一及第二電晶體的該等控制端用以接收一控制電壓，且每一控制端的電壓大小隨著該控制電壓的變化而改變，及 一電阻電感電路，電連接在該等第一與第二電晶體的該等第二端間，該電阻電感電路與該第一電晶體相配合以接收來自該轉導混頻模組的該第一混合電流信號，該電阻電感電路與該第二電晶體相配合以接收來自該轉導混頻模組的該第二混合電流信號。
  2. 如請求項1所述的降頻混頻器，其中： 該負阻補償模組還包括 一第一電容器，電連接在該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第二端間， 一第二電容器，電連接在該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第二端間，及 一第一電阻器及一第二電阻器，其各自具有一第一端及一第二端，該等第一及第二電阻器的該等第一端彼此電連接並用以接收該控制電壓，該等第一及第二電阻器的該等第二端分別電連接該等第一與第二電晶體的該等控制端；及 該電阻電感電路包括 一第三電阻器，具有一電連接該第一電晶體的該第二端的第一端，及一第二端， 一第四電阻器，具有一第一端，及一電連接該第二電晶體的該第二端的第二端，及 一電感器，電連接在該第三電阻器的該第二端與該第四電阻器的該第一端間。
  3. 如請求項2所述的降頻混頻器，其中，該等第三及第四電阻器中的每一者為一可變電阻器。
  4. 如請求項1所述的降頻混頻器，其中，該轉導混頻模組包括 一轉導電路，接收該差動射頻電壓信號，並將該差動射頻電壓信號轉換成一差動輸入電流信號，及 一混頻電路，接收該差動振盪電壓信號，且電連接該轉導電路及該負阻補償模組之該等第一與第二電晶體的該等第二端，並接收來自該轉導電路之該差動輸入電流信號，且將該差動振盪電壓信號及該差動輸入電流信號進行混和，以產生該差動混合電流信號。
  5. 如請求項4所述的降頻混頻器，其中，該差動射頻電壓信號包括一正相射頻電壓信號及一負相射頻電壓信號，該差動輸入電流信號包括一正相輸入電流信號及一負相輸入電流信號，該正相射頻電壓信號與該正相輸入電流信號同相位，該負相射頻電壓信號與該負相輸入電流信號同相位，且該轉導電路包括 一第一轉導單元，接收該正相射頻電壓信號，且電連接該混頻電路，並將該正相射頻電壓信號轉換成該正相輸入電流信號， 一第二轉導單元，接收該負相射頻電壓信號，且電連接該混頻電路，並將該負相射頻電壓信號轉換成該負相輸入電流信號，及 一電感器，電連接在該第一轉導單元與該混頻電路間的一共同接點及該第二轉導單元與該混頻電路間的一共同接點之間。
  6. 如請求項5所述的降頻混頻器，其中，該等第一與第二轉導單元中的每一者包括 一第一轉導電晶體，具有一用以接收該電源電壓的第一端、一電連接該混頻電路與該電感器的第二端，及一接收該正相射頻電壓信號與該負相射頻電壓信號中的一對應者的控制端，及 一第二轉導電晶體，具有分別電連接該第一轉導電晶體之該第二端與該控制端的一第一端與一控制端，及一接地的第二端，該第二轉導電晶體與該第一轉導電晶體相配合以提供由該混頻電路所接收之該正相輸入電流信號與該負相輸入電流信號中的一對應者。
  7. 如請求項4所述的降頻混頻器，其中，該差動振盪電壓信號包括一正相振盪電壓信號及一負相振盪電壓信號，該差動輸入電流信號包括一正相輸入電流信號及一負相輸入電流信號，且該混頻電路包括 一第一混頻電晶體，具有一電連接該負阻補償模組之該第一電晶體之該第二端的第一端、一電連接該轉導電路的第二端，及一用以接收該正相振盪電壓信號的控制端， 一第二混頻電晶體，具有一電連接該負阻補償模組之該第二電晶體之該第二端的第一端、一電連接該第一混頻電晶體之該第二端的第二端，及一用以接收該負相振盪電壓信號的控制端，該第二混頻電晶體與該第一混頻電晶體相配合接收來自該轉導電路之該正相輸入電流信號， 一第三混頻電晶體，具有一電連接該第一混頻電晶體之該第一端的第一端、一電連接該轉導電路的第二端，及一電連接該第二混頻電晶體之該控制端的控制端，該第三混頻電晶體與該第一混頻電晶體相配合提供由該負阻補償模組所接收之該第一混合電流信號，及 一第四混頻電晶體，具有一電連接該第二混頻電晶體之該第一端的第一端、一電連接該第三混頻電晶體之該第二端的第二端，及一電連接該第一混頻電晶體之該控制端的控制端，該第四混頻電晶體與該第三混頻電晶體相配合接收來自該轉導電路之該負相輸入電流信號，且該第四混頻電晶體與該第二混頻電晶體相配合提供由該負阻補償模組所接收之該第二混合電流信號。
  8. 如請求項1所述的降頻混頻器，還包含： 一緩衝電路，電連接該負阻補償模組以接收該差動中頻電壓信號，並將該差動中頻電壓信號進行緩衝，以產生一差動輸出電壓信號。
  9. 如請求項8所述的降頻混頻器，其中，該差動中頻電壓信號包括一正相中頻電壓信號及一負相中頻電壓信號，該差動輸出電壓信號包括一正相輸出電壓信號及一負相輸出電壓信號，該緩衝電路包括 一第一緩衝電晶體，具有一用以接收該電源電壓的第一端、一提供該正相輸出電壓信號的第二端，及一電連接該負阻補償模組以接收該正相中頻電壓信號的控制端， 一第二緩衝電晶體，具有一電連接該第一緩衝電晶體之該第一端的第一端、一提供該負相輸出電壓信號的第二端，及一電連接該負阻補償模組以接收該負相中頻電壓信號的控制端， 一第三緩衝電晶體，具有一電連接該第一緩衝電晶體之該第二端的第一端、一第二端，及一用以接收一偏壓電壓的控制端， 一第四緩衝電晶體，具有一電連接該第二緩衝電晶體之該第二端的第一端、一第二端，及一電連接該第三緩衝電晶體之該控制端的控制端， 一第一電阻器，電連接在該第三緩衝電晶體之該第二端與地之間，及 一第二電阻器，電連接在該第四緩衝電晶體之該第二端與地之間。
  10. 如請求項1所述的降頻混頻器，還包含： 一第一單端至差動轉換電路，電連接該轉導混頻模組，且用以接收一單端振盪電壓信號，並將該單端振盪電壓信號轉換成該差動振盪電壓信號，且將該差動振盪電壓信號輸出至該轉導混頻模組；及 一第二單端至差動轉換電路，電連接該轉導混頻模組，且用以接收一單端射頻電壓信號，並將該單端射頻電壓信號轉換成該差動射頻電壓信號，且將該差動射頻電壓信號輸出至該轉導混頻模組。
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