TW202036132A

TW202036132A - 雷射圖案化電致變色裝置

Info

Publication number: TW202036132A
Application number: TW109106926A
Authority: TW
Inventors: 艾柏希斯科安恩特迪克斯特; 陶德馬丁; 安殊 A 普拉達
Original assignee: 美商唯景公司
Priority date: 2014-07-03
Filing date: 2015-07-02
Publication date: 2020-10-01
Also published as: EP4239402A3; EP3164762B1; EP3164762A1; TWI741514B; CN106537243A; CN113960843A; WO2016004373A1; CN106537243B; TWI689771B; TW201614353A; TW202215130A; EP4239402A2; TWI826822B; EP3164762A4

Abstract

某些態樣係關於在一大體透明基板上製造一光學裝置之方法，該等方法包括一沈積前操作，該沈積前操作於距該基板之外緣一距離處移除下部導體層之一寬度，以便在該外緣處形成一墊。可在後邊緣去除操作中移除該墊及該光學裝置之任何沈積層。

Description

雷射圖案化電致變色裝置

本文所述之實施例大體而言係關於諸如電致變色裝置之光學裝置及製造光學裝置之方法。

各種光學可轉換裝置可用於控制窗玻璃之著色、反射率等。電致變色裝置通常為光學可轉換裝置之一實例。電致變色係材料在置於不同電子狀態時(通常因經受電壓變化)在光學性質上展現出可逆的電化學調節變化的現象。被操縱的光學性質通常係色彩、透射率、吸光率及反射率中之一或多者。一種熟知的電致變色材料係氧化鎢(WO₃ )。氧化鎢係陰極電致變色材料，其中因電化學還原而發生顯色轉變(自透明轉變成藍色)。可將電致變色材料併入至例如家用、商用及其他用途之窗戶中。可藉由引發電致變色材料之變化來改變此等窗戶之色彩、透射率、吸光率及/或反射率，即，電致變色窗戶係可用電子方法變深或變淺之窗戶。施加至窗戶之電致變色裝置的小電壓將使窗戶變深；使電壓反向會使窗戶變淺。此能力允許控制穿過窗戶之光的量，且為電致變色窗戶不僅用於美學目的而且用於節約能源提供了巨大的機遇。隨著能源節約成為現代能源政策中最關心的問題，人們期望電致變色窗戶行業在未來幾年的成長將是穩健的。電致變色窗戶製造之重要方面係在大體透明基板(例如，玻璃)上塗佈材料層(例如，薄膜)來形成電致變色裝置堆疊。製造之一部分包括移除EC裝置堆疊之部分來使該裝置起作用及/或進行遮蔽來圖案化該裝置。例如，使用各種層之雷射圖案化來使EC裝置起作用，例如以便在基板上組配電連接性及裝置組態之其他方面。

本文中描述諸如電致變色裝置之光學裝置及製造光學裝置之方法。某些實施例針對在大體透明基板上製造光學裝置之方法。在一種情況下，該方法包含接納大體透明基板，該基板具有覆蓋該大體透明基板之很大區域之一下部導體層。該方法進一步包含：於距外緣一距離處沿大體透明基板之一或多個側移除該下部導體層之第一寬度，且直至足以沿該一或多個側移除該下部導體層的深度。該方法進一步包含：在移除第一寬度之後，沈積光學裝置之一或多個材料層。在某些實施例中，製造光學裝置之改良方法包含選擇性移除下部導體層之部分。在一些實施例中，此選擇性移除保留了下部導體層圍繞基板之周邊的一部分，而一或多個光學裝置層係沈積於其上。在製造光學裝置之後，移除裝置堆疊以及下部導體層之周邊部分，以便可例如利用絕緣玻璃單元(IGU)隔片進行牢固且耐用的密封。某些實施例針對製造光學裝置之方法，該光學裝置包含夾在第一導體層與一第二導體層之間的一或多個材料層。一種方法包含接納一基板，該基板在其工作表面上具有第一導體層。該方法進一步包含在沿基板之周邊之約50%與約90%之間的區中移除第一導體層之第一寬度，同時留下第一導體層之墊，該墊沿周邊與第一寬度共同延伸。該方法進一步包含：將光學裝置之該一或多個材料層及第二導體層沈積於基板之工作表面上；以及大體上沿基板之整個周邊移除所有層之第二寬度，其中移除深度至少足以移除第一導體層，且其中第二移除寬度足以沿基板之周邊移除該墊及第一導體層之剩餘10%至50%。在此方法中，第一導體層及第二導體層中之至少一個係透明的。在一些情況下，此方法進一步包含移除具有光學裝置之一或多個層及第二導體層之一區，從而顯露第一導體層之曝露部分；以及將匯流條應用於第一導體層之該曝露部分。以下將參閱相關圖式更詳細地描述此等及其他特徵及優點。

在以下描述中，闡述眾多特定細節以便提供對所呈現實施例之透徹理解。可在無此等特定細節中之一些或全部的情況下實踐所揭示實施例。在其他情況下，未詳細地描述熟知處理操作以便不會不必要地混淆所揭示實施例。雖然結合電致變色裝置描述某些實施例，但是將理解，可使用其他光學裝置。 雷射去除製程簡介 在某些實施例中，在大體透明基板(例如，玻璃基板)上形成光學裝置(例如，電致變色裝置)之各層之前、期間或之後，可使用諸如邊緣去除及雷射刻劃之去除操作自光學裝置移除材料。「去除」一般係指自一或多個區移除光學裝置之一或多個材料層的一或多個操作。例如，去除可移除電致變色裝置之上部導體層及電致變色堆疊，或可移除電致變色裝置之上部導體層、電致變色堆疊以及下部導體層。在一些實施例中，去除係用來沿光學裝置之一或多個側移除材料層。「邊緣去除」可指沿一或多個側去除一或多個材料層，直至基板之外緣，光學裝置安置於該基板上。邊緣去除可移除材料直至玻璃、直至下部透明導體層或直至一或多個鈉擴散障壁層(若存在)。使用雷射能或其他電磁輻射源執行的去除在本文中一般稱為雷射去除，儘管某些實施例可使用非雷射源或其他電磁輻射源。例如，可藉由諸如研磨、噴砂或化學蝕刻之機械手段來執行邊緣去除。使用雷射能或其他電磁輻射源執行之邊緣去除在本文中一般稱為雷射邊緣去除(LED)，儘管某些實施例可使用非雷射源。歸因於諸如不與工件接觸、可變功率以及可用的雷射類型等若干優點，諸如雷射能之電磁能常常係較佳的。在利用雷射之去除技術的情況下，雷射工具可包括使用雷射圖案將雷射光點引導至電致變色裝置堆疊上之各個位置以移除材料的掃描器。可在某些實施例中使用之可商購掃描器之實例係由德國慕尼黑的SCANLAB AG提供。電致變色(EC)裝置包含電致變色堆疊及夾著該電致變色堆疊之上部導體層及下部導體層。下部(第一)導體層係通常接近基板之層，且上部(第二)導體層係遠離基板之層。此等材料安置於大體透明基板(例如，玻璃基板)上，以便形成EC窗板(窗格)。在一些情況下，電致變色裝置與大體透明基板之間可存在其他層，諸如緩衝層。作為另一實例，下部導體層與基板之間可存在一或多個擴散障壁層(例如，若鈉鈣玻璃用作基板且要避免裝置之鈉污染)。電致變色堆疊通常包含：EC層(例如，WO₃ 層)、離子導體(IC)層(例如，諸如鎢酸鋰之適當的鋰離子導電材料)以及反電極(CE)層(例如，非晶質NiWO層)。IC層可為單獨沈積的層或可為在接觸的且單獨沈積的EC層與CE層之間產生之界面區。上部導體層及下部導體層中之一或兩個可為透明導電氧化物(TCO)層，諸如銦錫氧化物層。「雷射刻劃」可指沿直線或曲線移除光學裝置之一或多個層的製程。雷射刻劃可用來隔離光學裝置之各部分，例如在邊緣去除製程期間可被損壞的部分。在具有電致變色裝置之某些所說明實例中，將任選的隔離劃線說明為「L3」劃線。一般而言，L3劃線穿過上部導體層，且任選地穿過電致變色堆疊之一或多個層，但不穿過下部導體層。雖然在所說明實例中可展示「L3」、「LED」以及其他去除區域，但是此等特徵係任選的且可省略一或多個特徵。去除技術之一些實例可見於以下申請案中：2009年12月22日申請之標題為「低缺陷率電致變色裝置之製造」的美國專利申請案第12/645,111號；2012年4月25日申請之標題為「電致變色窗戶製造方法」的美國專利申請案第13/456,056號；2012年12月10日申請之標題為「薄膜裝置及製造」的PCT國際專利申請案第PCT/US2012/068817號；以及2014年6月17日申請之標題為「非矩形形狀上之電致變色裝置」的PCT國際專利申請案PCT/US14/42819，該等申請案以全文引用之方式併入本文中。 沈積前去除製程 本文所述之某些實施例係關於製造光學裝置之方法，該方法包括在沈積光學裝置之某些層之前執行的去除操作。此等沈積前操作通常稱為沈積前雷射去除(PDLD)操作，儘管在某些情況下可使用非雷射源來移除材料。在具有電致變色裝置之實施例中，可在沈積電致變色堆疊及/或上部導體層之前執行PDLD操作。在某些態樣中，PDLD操作在沿光學裝置之一或多個側的區(例如，區域)中移除材料。例如，PDLD操作可用來在該(等)區中移除大體透明基板(例如，玻璃基板)上的第一導體層(例如，透明電導體(TEC))。應理解，可使用一或多個遮罩來實施PDLD操作。例如，在基板上之TCO沈積之前可使用一或多個遮罩來覆蓋該(等)區，該等遮罩模擬基板上之TCO本來將被移除的該(等)區。一般而言，本文所述之某些實施例係關於接納具有預先塗覆之TCO之基板及執行PDLD來移除TCO之選擇區而完成。然而，可在基板上使用遮罩，且隨後沈積TCO，以便提供與PDLD相同的結果。然而，某些優點係藉由在沈積之後移除材料而非使用遮罩來實現。例如，可在沈積之後而非之前選擇用於去除之所需圖案，此例如在設計變化得以即時批准時允許更大的靈活性。參照圖 1A-1E 詳細描述使用PDLD操作之製造方法的一實例。下文參照圖 2-4 詳細描述使用PDLD操作之製造方法的另一實例。下文參照圖 5-7 詳細描述使用PDLD操作之製造方法的又一實例。圖 1A 為描述製造光學裝置(例如，電致變色裝置)之方法的態樣之處理流程100 ，該光學裝置具有各自應用於光學裝置之導體層中之一個的一對匯流條。虛線表示任選步驟。如關於圖 1B-C 所述之例示性EC裝置200 係用來說明處理流程。裝置200 係沈積於大體透明基板(例如，玻璃)上。圖 1B 提供描繪裝置200 之製造的俯視圖，該等俯視圖包括如關於圖 1A 所述之處理流程100 的數字指示符。圖 1D 及圖 1E 為包括關於圖 1B 所述之裝置200 的光學裝置窗板之橫截面。裝置200 為矩形裝置，但是處理流程100 可應用於任何形狀之裝置。非矩形光學裝置之一些實例可見於2014年6月17日申請之標題為「非矩形形狀上之電致變色裝置」的PCT國際專利申請案PCT/US14/42819中，該申請案以引用方式併入本文中。參照圖1A 及圖1B ，在接納上面具有下部(第一)導體層之基板之後，處理流程100 開始於對下部導體層(例如，下部透明導體氧化物)之任選拋光，參見101 。在某些實施例中，已發現拋光下部導體層會增強在其上製造之EC裝置之光學性質及效能。在2012年9月27日申請之標題為「光學裝置製造」的專利申請案PCT/US12/57606中描述在透明導電層上製造電致變色裝置之前拋光透明導電層，該專利申請案以全文引用之方式併入本文中。若執行拋光，則可在邊緣去除(參見105 )之前或在處理流程中之邊緣去除之後完成拋光。在某些實施例中，可在邊緣去除之前及之後拋光下部導體層。通常，下部導體層僅拋光一次。所執行之PDLD操作可類似於關於圖 1A 中之步驟105 所詳細描述的操作。再次參照圖 1A ，若不執行拋光101 ，則製程100 開始於沈積前邊緣去除製程，該沈積前邊緣去除製程圍繞基板之周邊的區移除(去除)下部導體層之第一寬度，參見105 。在圖 1B 中，此移除部分具有寬度「A」，且直至基板之外緣。在諸如圖 1B 中所示之實施例的某些實施例中，去除部分(區)係沿基板之周邊之除一個以外的所有側。在另一實施例中，去除區係沿基板之單個側(例如，上部導體層(例如，ITO)匯流條側)。邊緣去除可僅移除下部導體層或亦可移除擴散障壁(若存在)。在一實施例中，基板係玻璃，且包括鈉擴散障壁及該鈉擴散障壁上之下部透明導電層，例如基於氧化錫之透明金屬氧化物導電層。圖 1B 中之虛線填充區域表示下部導體層。因此，在根據製程105 之邊緣去除之後，自基板130 之周邊的三個側移除具有寬度A 之透明導體。此寬度通常為但未必為均勻寬度。下文描述第二寬度B 。在寬度A 及/或寬度B 不均勻的情況下，其相對於彼此的相對量值係依據其平均寬度。作為在105 處移除第一寬度A 的結果，存在下部導體層之新曝露的(垂直)邊緣。在某些實施例中，第一導體層之此邊緣之至少一部分可為任選漸縮的，參見107 及109 。可執行漸縮以便減輕上覆保形材料層中之應力，此應力係由下伏導體之尖銳的垂直邊緣上之突然過渡所引起(若邊緣不是漸縮的，則本來將會存在該突然過渡)。作為此操作之一部分，亦可使下伏擴散障壁層漸縮。在一或多個裝置層上製造後續層之前使一或多個裝置層之邊緣漸縮可改良效能。當考慮邊緣之傾斜或斜切時，「漸縮」在本文中亦可包括以一或多個台階之形式移除材料，即，不是真正的成角度或彎曲的漸縮，而是使沿下部導體層之邊緣的區逐步變薄的一或多個階狀區。可例如利用適當的雷射光束形狀、功率密度、曝露等執行傳統意義上之漸縮，即，傾斜及/或斜切。在某些實施例中，在邊緣漸縮之後任選地拋光下部導體層，參見108 。已發現，在某些裝置材料的情況下，在邊緣漸縮操作之後拋光下部導體層可為有利的，因為拋光對邊緣漸縮以及大部分導體表面可能有意料之外的有益影響，從而可改良裝置效能(如上所述)。在某些實施例中，在拋光108 之後執行邊緣漸縮，參見109 。雖然在圖 1A 中之操作107 及109 處展示邊緣漸縮，但是若執行邊緣漸縮，則通常僅執行一次邊緣漸縮(例如，在107 或109 處)。在如上所述之第一寬度A 的移除及任選拋光及/或任選邊緣漸縮之後，將光學裝置(例如，EC裝置)之一或多個材料層沈積於基板130 之表面上，參見110 。例如，此沈積可包括EC堆疊中之一或多個材料層及第二導體層，例如，諸如銦錫氧化物(ITO)之透明導電層。所描繪之覆蓋範圍為整個基板，但歸因於必須將基板保持在適當位置的載體，外緣處可存在一些遮罩。在一實施例中，下部導體層之剩餘部分的整個區域被覆蓋，且圍繞先前已被移除掉下部導體層的第一寬度A 重疊至第一(下部)導體層上。此允許最終裝置架構中有重疊區。在某些實施例中，使用電致變色輻射來執行邊緣去除操作。例如，可使用此種邊緣去除來提供基板之周邊區以產生由絕緣玻璃單元之隔片之主密封件及副密封件之至少一部分來密封的良好表面。在此情況下，取決於何時執行邊緣去除步驟，邊緣去除移除下部透明導體層及/或更多層(直至且包括頂部導體層及塗覆至頂部導體層之任何蒸汽障壁)。在某些實施例中，使用邊緣去除來至少移除包括基板上之下部透明導體層之材料，且任選地移除擴散障壁(若存在)。例示性電磁輻射包括UV、雷射等。例如，可利用波長為或接近248 nm、355 nm(即，UV)、1030 nm(即，IR，例如盤形雷射)、1064 nm(例如，Nd:YAG雷射)以及532 nm(例如，綠光雷射)中之一個之定向及聚焦能量來移除材料，但此等實例不具有限制性。在另一實施例中，雷射在更寬的波長範圍內發射。例如，雷射可為全譜雷射。在其他情況下，雷射可在窄波長帶範圍內發射。使用例如光纖或敞開式光束路徑將雷射輻射傳遞至基板。取決於基板搬運裝備及組配參數之選擇，可自基板側或EC薄膜側執行燒蝕。燒蝕至特定厚度所需要之能量密度係藉由使雷射光束通過光學透鏡來達成。光學透鏡將雷射光束聚焦為所要的形狀及大小。在一實施例中，使用「頂帽型」光束組配，例如，其具有介於約0.005 mm² 至約2 mm² 之間的聚焦區域。在一實施例中，使用光束之聚焦程度來達成燒蝕EC薄膜堆疊所需要之能量密度。在一實施例中，燒蝕中使用之能量密度介於約2 J/cm² 與約6 J/cm² 之間。在某些雷射去除製程期間，使用掃描圖案將雷射光點定向至表面上之各個位置(掃描位置)。在一實施例中，使用掃描F theta透鏡來掃描雷射光點。EC裝置層之均勻移除可藉由例如在掃描期間使光點區域重疊來達成。在一實施例中，相鄰/重疊的光點位置之光點重疊介於約5%與約100%之間，在另一實施例中介於約10%與約90%之間，在又一實施例中介於約10%與約80%之間。在2012年3月30日申請之標題為「經由三角測量感測器光學路徑之折疊的同軸距離量測」的美國專利申請案第13/436,387號中描述用於進行LED/BPE及刻劃製程之適當設備，該專利申請案係以全文引用之方式併入本文中。可使用各種掃描圖案來例如以直線、曲線等掃描雷射光點。可使用此等掃描圖案來掃描各種形狀的圖案區域，諸如矩形、圓形、橢圓形、多邊形、不規則形狀等或其他形狀之區段，該等區段可共同產生去除區域。在一實施例中，掃描線(或「筆」，即，由相鄰或重疊的雷射光點(例如，方形光點、圓形光點等)產生之線或曲線)係以上文針對光點重疊所描述之程度重疊。即，由先前掃描之線的路徑界定之經燒蝕材料區域與隨後應用之掃描圖案的稍後掃描線重疊，使得相鄰掃描線之間存在重疊。即，由具有掃描圖案之雷射光點燒蝕之圖案區域與隨後燒蝕掃描圖案之圖案區域重疊。對於針對光點、線或掃描圖案使用重疊之實施例，可使用較高頻率之雷射，例如在約5 KHz與約500 KHz之間的範圍內。在某些實施例中，頻率係介於約8-15 kHz之間，例如介於約10-12 kHz之間。在一些其他情況下，頻率可處於低MHz範圍內。為使曝露邊緣處(即，受熱影響的區或「HAZ」)對EC裝置之熱相關損壞減至最低限度，使用較短脈波持續時間之雷射。在一實例中，脈波持續時間係介於約100 fs(飛秒)與約100 ns(奈秒)之間。在另一實施例中，脈波持續時間係介於約1 ps(皮秒)與約50 ns之間。在又一實施例中，脈波持續時間係介於約20 ps與約30 ns之間。在其他實施例中可使用其他範圍的脈波持續時間。再次參照圖 1A 及圖 1B ，處理流程100 繼續大體圍繞基板之周邊移除比第一寬度A 窄的第二寬度B ，參見115 。此可包括移除材料直至基板或擴散障壁(若存在)。在處理流程100 例如在如圖 1B 中所描繪之矩形基板上完成至115 之後，存在具有寬度B 之周邊區域，其中第一(下部)透明導體層、EC裝置堆疊中之一或多個材料層或第二(上部)導體層均不存在，因此移除寬度B 已曝露出擴散障壁或基板。然而，在某些情況下，在此操作之後可剩餘少量第一導體層。在剩餘導體層的量足夠薄的情況下，其不會造成顯色問題。在由寬度B 界定之此周邊區域之內側為具有EC裝置(包括第一透明導體層)之區域。此內側區域在三個側上由具有重疊的EC堆疊之一或多個材料層及第二導體層之周邊區域所圍繞。在剩餘側(例如，圖 1B 中之底側)上，沒有具有EC堆疊之一或多個材料層及第二導體層的重疊部分。相反，在此剩餘側(例如，圖 1B 中之底側)附近，EC堆疊之一或多個材料層被移除以便曝露第一導體層之一部分(匯流條墊曝露或「BPE」)135 ，參見120 。BPE135 不需要延伸該側之整個長度，其僅需足夠長以容納匯流條且在匯流條與第二導體層之間留下一些空間，以便第二導體層上不會發生短路。在一實施例中，BPE135 橫跨第一導體層在該側上之長度。在一些實施例中，形成平行於BPE之劃線，該劃線穿過第二導體層但不穿過第一導體層。此劃線有時稱為L3隔離劃線。在一些實施例中，執行此劃線來代替操作115 (圍繞基板之整個周邊移除第二寬度B)。在另一實施例中，在基板上執行沈積後LED，而無需對沒有匯流條的邊緣上之透明導體層進行任何預刻劃或移除。如上所述，在各個實施例中，BPE係材料層之一部分被移除直至第一導體層或其他導體層(例如，透明導電氧化層)之處，以便產生將應用匯流條之表面，且因此與第一導體層進行電接觸。應用之匯流條可為焊接匯流條，及油墨匯流條等。BPE通常具有矩形區域，但此並非必要；BPE可為任何幾何形狀或不規則形狀。例如，取決於需要，BPE可為圓的、三角形的、卵形的、梯形的及其他多邊形形狀。形狀可取決於EC裝置、承載EC裝置之基板(例如不規則形狀的窗戶)，或甚至例如用來產生EC裝置之更有效(例如，在材料移除、時間等方面)雷射燒蝕圖案的組配。在一實施例中，BPE橫跨EC裝置之一側之長度的至少約50%。在一實施例中，BPE橫跨EC裝置之一側之長度的至少約80%。在某些實施例中，使用成角度匯流條，即，橫跨EC裝置之兩個或兩個以上側的至少某一距離的匯流條。在此等情況下，BPE可橫跨EC裝置之兩個或兩個以上側。在2012年4月20日申請之標題為「成角度匯流條」的美國專利申請案第13/452,032號中描述成角度匯流條之一些實例，該專利申請案係以全文引用之方式併入本文中。通常但並非必要的，BPE足夠寬以容納匯流條，但應允許至少在作用EC裝置堆疊與匯流條之間有一些空間。在一實施例中，BPE係大體上矩形的，長度大致為EC裝置之一側且寬度介於約5 mm與約15 mm之間，在另一實施例中介於約5 mm與約10 mm之間，且在又一實施例中介於約7 mm與約9 mm之間。如所提及的，匯流條的寬度可介於約1 mm與約5 mm之間，通常約3 mm寬。在BPE橫跨EC裝置之一個以上側的實施例中，此等寬度適用於製造BPE的每一側。如所提及的，BPE經製造為足夠寬以容納匯流條之寬度且亦在匯流條與EC裝置堆疊之間留出空間(因為匯流條僅應觸碰第一(下部)導體層)。匯流條寬度可超過BPE之寬度(且因此區域140 上存在觸碰第一導體層及基板(及/或擴散障壁)的匯流條材料)，只要匯流條與EC裝置堆疊之間存在空間(在存在L3隔離劃線之實施例中，匯流條可接觸停用部分)。在匯流條寬度完全由BPE容納的實施例中，即，匯流條完全處於第一導體層頂部上，匯流條之沿其長度的外緣可與BPE之外緣對準，或內插約1 mm至約3 mm。同樣，匯流條與EC裝置堆疊之間的空間介於約1 mm與約3 mm之間，在另一實施例中介於約1 mm與2 mm之間，且在另一實施例中約1.5 mm。下文關於具有為TCO的第一導體層之EC裝置更詳細地描述BPE之製造。此僅為便利起見，第一導體層可為用於光學裝置之任何適合的導體層，其係透明或不透明的。為在此實例中進行BPE，清除第一(下部)TCO區域的所沈積材料，以便可於該TCO上製造匯流條。在一實施例中，此係藉由雷射處理來達成，該雷射處理選擇性地移除所沈積薄膜層，同時使第一TCO在已界定位置處之已界定區域中曝露。在一實施例中，利用第一導體層及沈積層之吸收特性來達成雷射燒蝕期間之選擇性，即，以便選擇性地移除TCO上所沈積之EC堆疊材料，同時保留第一TCO材料完好無缺。在某些實施例中，亦移除第一TCO層之上部分(深度)以確保匯流條之良好電接觸，例如，藉由移除在沈積期間可能已出現之第一TCO與EC堆疊材料之任何混合物。在某些實施例中，當雷射機器加工BPE邊緣以使此等邊緣處之損壞減至最低限度時，可避免對用以限制洩漏電流之L3隔離劃線的需要——此消除了處理步驟，同時達成所要的裝置效能結果。在某些實施例中，用來製造BPE之電磁輻射與以上針對執行邊緣去除所描述之電磁輻射相同。使用光纖或敞開式光束路徑將(雷射)輻射傳遞至基板。取決於電磁輻射波長之選擇，可自基板側(亦稱為「玻璃側」)或EC堆疊側(亦稱為「薄膜側」)執行燒蝕。燒蝕薄膜厚度所需要之能量密度係藉由使雷射光束通過光學透鏡來達成。光學透鏡使雷射光束聚焦為所要的形狀及大小，例如具有上述之尺寸的「頂帽型」，在一實施例中，具有介於約0.5 J/cm² 與約4 J/cm² 之間的能量密度。在一實施例中，用於BPE之雷射掃描重疊係如以上針對雷射邊緣去除所描述來進行。在某些實施例中，將可變深度燒蝕用於BPE製造。在某些實施例中，例如，歸因於EC堆疊層(例如，薄膜)中之吸收的選擇性質，焦平面處之雷射處理導致一定量(例如，介於約10 nm與約100 nm之間)的殘留物(例如氧化鎢)剩餘在第一(下部)導體層之曝露區域上。因為許多EC堆疊材料之導電性不如下伏第一導體層，所以在此殘留物上製造之匯流條不與下伏導體完全接觸，從而產生跨匯流條至下部導體界面之電壓降。電壓降影響裝置之顯色並且影響匯流條至第一導體層之黏附。克服此問題之一種方法係增加用於薄膜移除之能量的量，然而，此方法導致在光點重疊處形成溝槽，從而不可避免地消耗下部導體。為克服此問題，在焦平面上方執行雷射燒蝕，即，使雷射光束散焦。在一實施例中，雷射光束之散焦剖面係經修改之頂帽型或「準頂帽型」。藉由使用散焦的雷射剖面，傳遞至表面之功率密度可增加而不會損壞光點重疊區處之下伏TCO。此方法使留在曝露的第一導體層上之殘留物的量減至最低限度，且因此允許匯流條與第一導體層之更佳接觸。在一些實施例中，取決於設計公差、材料選擇等，可能需要一或多條雷射隔離劃線。圖 1C 描繪三個裝置200a 、200b 以及200c 之俯視圖，該等裝置中之每一個為圖 1B 、圖 1D 以及圖 1E 中所描繪之裝置200 的變體。裝置200a 類似於裝置200 ，但包括沿與具有匯流條之側正交的側隔離EC裝置之第一部分的L2劃線。在使用此等L2劃線的情況下，可於L2邊緣上消除對下部導體(例如，TCO)層的沈積前移除。在特定實施例中，在此等邊緣中之至少一個上，結合對第一(下部)導體層之沈積前移除來執行L3隔離劃線。裝置200b 類似於裝置200 ，但包括L3劃線，該L3劃線隔離且停用裝置之第二部分，此第二部分介於第一導體層上之匯流條與EC裝置堆疊之作用區之間。裝置200c 類似於裝置200 ，但包括L2劃線及L3劃線。雖然參照裝置200a 、200b 以及200c 描述圖 1C 中之劃線變體，但此等變體可用於本文所述之實施例的光學裝置及窗板(例如在IGU及/或疊片中)中之任一個。例如，一實施例為類似於裝置200c 之裝置，但其中邊緣去除並未橫跨三個側，而是僅橫跨承載第二導體(例如，第二TCO)層(或足夠長以容納匯流條之一部分)上之匯流條的一側。在此實施例中，因為與匯流條正交之兩側(如所描繪之200c 的右側及左側)上不存在邊緣去除部分，所以L2劃線可更靠近此等邊緣，以便使可視區域最大化。取決於裝置材料、製程條件、製造之後所發現的異常缺陷等，可添加此等劃線中之一或多個以確保第一導體層與第二導體層(電極)之適當電隔離，且因此確保適當的EC裝置功能。此等裝置中之任一個可具有在此等劃線中之一個或全部之前或之後塗覆之蒸汽障壁。若在劃線之後塗覆，則蒸汽障壁大體上不導電；否則，蒸汽障壁將會在填充雷射劃線溝槽時使裝置之電極短路。上述邊緣漸縮可避免對此等雷射隔離劃線的需要。再次參照圖 1A 及圖 1B ，在形成BPE之後，將匯流條應用於裝置，該等匯流條為匯流條2及匯流條1，該匯流條2處於第一(下部)導體層(例如，第一TCO)之曝露區域(BPE)135 上；該匯流條1處於裝置之相對側上、第二(上部)導體層(例如，第二TCO)上、第二導體層之一部分上(此部分下方不具有第一導體層)，參見240 。匯流條1在第二導體層上之此置放避免了匯流條1下方的顯色問題及在此匯流條1下方具有功能裝置之情況下的其他相關聯問題。在此實例中，雷射隔離劃線在裝置之製造中並非必要的。圖 1B 指示裝置200 之橫截面切口Z-Z' 及W-W' 。圖 1D 及圖 1E 展示裝置200 在Z-Z' 及W-W' 處的橫截面圖。所描繪之層及尺寸並未按比例，而是意欲功能性地表示組態。在此描繪中，未展示第一(下部)導體層之邊緣漸縮。在此實例中，當製造了寬度A 及寬度B 時，擴散障壁被移除。具體而言，周邊區域140 沒有第一導體層及擴散障壁；但在一實施例中，圍繞在一或多個側上周邊保持擴散障壁完好無缺，直至基板之邊緣。在另一實施例中，擴散障壁與EC堆疊之一或多個材料層及第二(上部)導體層共同延伸(因此在至擴散障壁之深度處製造寬度A ，且深度B 經製造至足以移除擴散障壁之深度)。在此實例中，圍繞功能裝置之三個側存在一或多個材料層之重疊部分240 。在此等重疊部分中之一個上，在第二導體層(例如，第二TCO)上，製造匯流條1。在一實施例中，製造與第二導體層共同延伸之蒸汽障壁層。蒸汽障壁通常為高度透明的，例如氧化鋁鋅、二氧化錫、二氧化矽、氮氧化矽以及其組合，其係非晶質、結晶質或混合的非晶質-結晶質。在此實施例中，移除蒸汽障壁之一部分，以便曝露第二導體層來用於匯流條1。此曝露部分類似於用於匯流條2之BPE區域135 。在某些實施例中，蒸汽障壁亦為導電的，且不需要執行第二導體層之曝露，即，可在蒸汽障壁層上製造匯流條1。為達此目的，例如，蒸汽障壁層可為ITO(例如非晶ITO)，且因此係充分導電的。蒸汽障壁之非晶形態可提供比結晶形態更大的氣密性。圖 1D 及圖 1E 描繪上覆於第一(下部)導體(例如，TCO)層上，尤其是重疊部分240 上之EC裝置層。雖然未按比例，但橫截面Z-Z' 例如描繪遵循下部導體層(包括重疊部分240 )之形狀及輪廓的EC堆疊層及上部導體(例如，TCO)層之保形性質。圖 1D 或圖 1E 中未描繪漸縮的TCO邊緣。圖 1D 包括藉由本文所述之某些實施例克服之可能的棘手問題之細節。為達說明目的已修改圖 1D 中之橫截面Z-Z’，以便展示不具有某些實施例之漸縮邊緣之此等重疊組態有時會遭遇的問題之細節。參照圖 1D ，例如取決於裝置材料及層厚度，至重疊部240 (其中上部裝置層覆蓋第一導體層之邊緣)之過渡可形成如放大部分(左邊)所描繪的裂縫700 。咸信，此等裂縫係由與上部裝置層必須遵循第一導體層之邊緣上之突然過渡相關的應力(在此實例中)引起。在上覆層覆蓋此等突變邊緣的情況下，裂縫700 可沿裝置之邊緣形成。此等裂縫可引起電氣短路，因為第一導體層與第二導體層之間存在曝露的路徑，且當離子導電層(或功能同等物)於裂縫處裂開時，離子可使裝置短路。此等短路導致電致變色裝置之顯色像差及較差效能。本文之實施例藉由使下部裝置層圍繞其邊緣之一部分(尤其是下部透明導電層)漸縮(傾斜或以其他方式修改)來克服此問題，以便上覆層將不會遭受此等應力。此在本文中稱為「邊緣漸縮」。雖然在某些實施例中描述邊緣漸縮，但可使用諸如邊緣修圓、形成台階以及斜切之其他應力減輕拓撲結構。亦可使用應力減輕拓撲結構之組合。一般而言，此等共同稱為「邊緣漸縮」。再次回頭參照圖 1D ，圖 7 之右邊包括橫截面Z-Z’之詳細部分，其說明在BPE形成的情況下有時會遇到的問題。具體而言，在匯流條墊曝露區域(在此圖中，匯流條2駐留於該曝露區域上)之雷射燒蝕期間，雷射可能未均勻地燒蝕掉頂層或燒蝕第一(下部)導體層(例如，第一TCO)。因此，區域705 中在匯流條與下部導體層之間的正確電連接性可能存在棘手問題。參考圖 1F 及圖 1G 更詳細地描述此等問題。參照圖 1F ，電致變色裝置900 之橫截面具有第二(上部)透明導體層905 、裝置堆疊910 以及第一(下部)透明導體層915 。例如銀墨匯流條之匯流條920 處於第一導體層915 之BPE上。圖 1F 之下部分中詳細展示層915 之BPE部分可能發生的問題。取決於裝置材料、雷射設置、裝置狀態等，BPE可不具有均勻厚度。在此實例中，雷射燒蝕係不均勻的，從而留下第一導體層915 被完全移除之區域930 及第一導體層915 保留下來之區域925 。區域930 歸因於切斷第一導體層915 中之電連接性而阻止至裝置堆疊之電傳導。區域930 通常橫跨BPE之某一部分(若非全部)，且因此可能會有問題。圖 1G 展示可能發生之另一問題。若雷射燒蝕得不夠深(在此實例中要穿過裝置堆疊910 )，則第一導體層915 與匯流條920 之間可能存在較差的電連接性。在此實例中，在裝置堆疊910 於BPE期間由雷射穿透的區域935 中在匯流條920 與第一導體層915 之間存在電連接性，而在區域940 中裝置堆疊910 之大區域部分保留在匯流條920 與第一導體層915 之間。因此，如圖 1F 中所說明，雷射可能燒蝕得過深，且如圖 1G 中所說明，雷射在BPE之整個區域上可能燒蝕得不夠充分。此可能例如歸因於雷射燒蝕期間之薄膜吸收漂移而發生在裝置內及裝置間。例如，本文所述之方法藉由於BPE製造期間沿個別劃線應用不同的雷射燒蝕程度來克服此等問題。關於圖 7A-F 更詳細地對此進行描述。在某些實施例中，可使用雷射工具之各種元件來實現雷射圖案。雷射工具通常包括掃描器，該掃描器可根據提供給掃描器之雷射圖案來引導雷射光束/光點。雷射工具將掃描器相對於電致變色裝置或其他光學裝置工件定位於特定位置。在許多情況下，程式設計碼被提供給雷射工具以向其提供指令，該等指令用來相對於工件定位雷射工具，同時掃描器根據一或多個雷射圖案引導雷射光束/光點。在某些情況下，在執行一個圖案來引導掃描器之後，當另一雷射圖案需要時，此程式設計碼亦可用來重新定位掃描器，進而確保掃描器在工件之正確部分處執行兩個雷射圖案。掃描器所接收之該或該等雷射圖案亦為通常呈程式設計碼形式之指令。掃描器使用界定該或該等雷射圖案之指令來根據該或該等雷射圖案關閉/打開且引導雷射光束。此等各種指令可含有關於各種製程/組件之定時及定位的資訊。取決於需要，重疊裝置層以及BPE之佈置及其他特徵可沿裝置之一或多個側。例如，在2012年4月20日申請且標題為「成角度匯流條」的美國專利申請案第13/452,032號中詳細描述替代設計/組態。圖 2 之頂部說明圖係已在基板之周邊之最外部區上(在此實例中沿三個側)執行PDLD操作之後的EC窗板之俯視圖。圖 2 中之底部說明係俯視圖中所示之EC窗板之部分側視圖。部分側視圖具有頂部說明圖中之EC窗板之底側。所執行之PDLD操作可類似於參照圖 1A 中之步驟105 所詳細描述的操作。在PDLD操作之前，提供具有第一(下部)導體層之大體透明基板。第一導體層之厚度在PDLD操作之前為t_lc 。雖然在此所說明實施例中使用EC窗板，但亦可使用其他光學裝置窗板。圖 2 未描繪擴散障壁層，但此層可能存在。在圖2之EC窗板上執行之PDLD操作中，在沿三個側且直至基板之外緣的區中移除第一導體層。在此所說明實例中，在具有寬度A₁ 之區中移除第一導體層之厚度t_lc ，直至基板之外緣。在所說明實例中，為達說明目的，A₁ 為13.5 mm且t_lc 為400 nm(未按比例)。在其他PDLD製造操作(該等操作可類似於參考圖 1A 所詳細描述之步驟107 、108 以及109 中之一或多個)中，第一導體層可在一或多個側上沿其邊緣漸縮。圖 2 中所示之EC窗板的第一導體層已沿被移除了寬度A₁ 的相同三個側漸縮(在此情況下為台階剖面)。在圖 2 中，漸縮為具有單個台階之階式漸縮，在該單個台階中，已自第一導體層部分地移除材料。使第一導體層之邊緣漸縮可有助於減輕上覆裝置層在過渡區中的應力，該過渡區介於第一導體層之頂部與基板之頂部之間。即，當裝置層沈積於突變邊緣(某種「陡壁」)上時，如以上關於圖 1D 所述，在此過渡區中之應力可使得裝置層破裂，從而使裝置之效能劣化。部分移除區之寬度為w _部分移除 。此被說明為500 μm(未按比例)，但可具有其他寬度。在此所說明實例中，部分移除之台階之深度為t_部分移除，該深度被說明為250nm +-50nm(未按比例)，但取決於TCO之厚度而可具有其他深度。參照圖 2 及其他附圖所述之尺寸係說明性的，且可使用其他尺寸。在一些情況下，漸縮操作可被視為任選操作；例如，當上覆於下部導體之非漸縮邊緣上時，某些裝置層可能不易受由突變過渡所造成之應力影響。在執行PDLD操作之後，沈積製程將電致變色裝置之一或多個層沈積於窗板上。該等層係沈積於窗板之一部分或整個表面上。在某些實施例中，可沈積EC堆疊及/或上部導體層。在一些實施例中，沈積EC堆疊。沈積製程可類似於參照圖 1A 所述之步驟110 。圖 3 中之頂部說明圖係在經歷沈積製程之後的EC窗板之俯視圖，該沈積製程將電致變色(EC)堆疊沈積於圖 2 中所示之EC窗板的表面上。在沈積製程之後，EC窗板在沿一或多個側且直至大體透明基板之外緣的區 (例如，圖 3 中之後LED區)中經歷沈積後LED(後LED)製程。在一些情況下，後LED製程沿EC窗板之所有側移除材料。後LED製程可類似於參照圖 1A 所述之步驟115 。在圖 3 中所示之所說明實例中，中間說明圖係頂部說明圖中所示之EC窗板在沿所有四個側、直至大體透明基板之邊緣執行後LED製程之後的俯視圖。後LED區之寬度為寬度B₁ 。例如，在某些實施例中，B₁ 為約10 mm ± 2 mm，但其他寬度亦適用。圖 3 中之底部說明圖係中間說明圖之EC窗板在後LED製程已於後LED區中移除某一厚度的材料層之後的橫截面圖A-A’。發明人已發現，在某些情況下，後LED製程可將殘留材料(例如WO_x )留在後LED區中。即，若圍繞周邊移除第一導體層，然後在其上製造光學裝置層，則裝置層之稍後移除可能使彼等裝置層之殘留物留在基板上。此等殘留物可妨礙利用例如IGU隔片及密封劑來進行良好密封。圖 4 為穿過後LED製程之後的EC窗板之橫截面圖，其中材料之殘留物保留在後LED區中。已發現，若首先自周邊區移除第一導體層(例如，第一TCO)，隨後將裝置層沈積於其上，且執行後LED製程，則該製程不會有效移除光學裝置層之殘留物，尤其是基於氧化鎢之殘留物及含有鋰之金屬氧化物殘留物。此等殘留物例如歸因於其吸濕性而藉由與水分組合來轉換成凝膠。因此，此材料可提供水進入電致變色裝置之作用區域的一條途徑，即使在將EC窗板密封至絕緣玻璃單元(IGU)中之後仍能進入；其妨礙密封完整性。若水通向EC裝置，則裝置中之材料層可能會腐蝕或以其他方式降解，從而可導致裝置之過早故障。取決於例如IGU所曝露至之水分的量，所產生之降解可隨時間推移(例如，2年、6年等)而發生。窄 PDLD 製程 (NPDLD) 本文所述之某些實施例包括製造光學裝置之改良方法，該等方法解決了EC裝置層殘留物保留在某一區域中的上述問題，在該區域中使用例如IGU隔片來進行其與基板之密封。使用稱為「窄雷射前邊緣去除」方法或「NPDLD」方法之方法。例如，不是移除第一導體層之周邊部分(例如，TCO)直至基板邊緣，然後在其上沈積裝置層，而是保留第一導體層在邊緣處之周邊部分，隨後在其上製造裝置層，且隨後僅於基板邊緣處移除第一(下部)導體層之周邊部分以及其他裝置層。此導致對以上提及之殘留物之出乎意料地更乾淨的移除；若仍存在，則其係很少的。此製程可被認視為原位遮罩，其中僅在其他裝置層沈積於第一導體層上之後才移除第一導體層之周邊邊緣部分。以此方式，當移除第一導體層之周邊邊緣部分時，將上覆裝置層與其一起移除，如常規遮罩的情況。因此，上覆裝置層從不與基板接觸，且更容易自基板移除，此係由於下伏第一導體層與上覆層一起被移除。因此，某些實施例係關於製造光學裝置之改良方法，該等方法包含NPDLD製程，該NPDLD製程沿遠離大體透明基板之外緣的區移除下部導體層之「窄」條帶。術語「窄」在此情況下僅用作命名慣例，因為所移除之材料條帶大體上沒有習知PDLD中可能移除之條帶寬；然而，此情形並非必要的。如上文所提及，NPDLD操作沿大體透明基板之一或多個側自第一導體層移除材料條帶。在一些情況下，諸如圖 1B 中所示，該區係沿一側移除、直至相鄰側之外緣。自外部基板邊緣移除掉此材料條帶沿彼等一或多個側留下第一(下部)導體層之相應墊。雖然不希望受到理論的限制，但咸信，因為第一導體層(例如，TEC)通常具有大體均勻的光學性質，所以此周邊墊中之材料可於後LED製程期間有效吸收雷射能。歸因於對雷射能之此有效吸收，墊將於後LED製程中自基板界面(即，基板與第一導體層之間的界面)「剝離」，且將其與沈積於墊上之任何裝置層(例如，EC裝置層)一起剝離。如上所述，第一導體層之圍繞周邊邊緣的墊可被視為原位遮罩。自基板界面之此材料「剝離」可導致裝置材料層被有效移除，而不會將殘留物留在後LED區中。因此，NPDLD操作允許更乾淨的後邊緣去除製程且可被視為改良的LED製程之組件。在某些實施例中，具有NPDLD製程之改良製造方法可允許在後LED區中自基板界面移除材料，同時幾乎沒有或完全沒有殘留物留在基板上。因為已有效移除殘留材料，所以幾乎沒有或完全沒有材料遺留以致於可能產生水進入EC裝置之作用區域中的途徑，從而可避免以上提及之腐蝕問題。因此，實施例之包含所述窄LED製程之改良製造方法歸因於例如IGU構造或疊片構造中之改良密封而可增加所製造光學裝置之效能及可靠性。圖 5A 為描述利用NPDLD製程製造光學裝置(例如，電致變色裝置)之改良方法之態樣的處理流程500 。關於圖 5B-C 所述之例示性光學裝置550 係用來說明該處理流程。光學裝置550 沈積於大體透明基板(例如，玻璃)上。雖然光學裝置為矩形裝置，處理流程500 可適用於任何形狀。在步驟 510 處，將上面沈積有第一導體層之大體透明基板接納於例如雷射工具中。接下來，執行NPDLD製程(步驟 520 )。在步驟 520 處，NPDLD操作於距外緣某一距離處且於基板之一或多個側上對第一導體層之第一寬度w₁ 執行沈積前去除(移除)。此第一寬度w₁ 通常為但未必為均勻寬度。在許多情況下，以此第一寬度移除整個厚度的第一導體層。於距外緣某一距離處移除此第一導體層之第一寬度使第一導體層之墊保留至外緣。在一些實施例中，去除部分(區)係沿基板之除一個以外的所有側。在其他實施例中，去除區係沿基板之一側。更一般而言，去除係沿基板之周邊的約50%與約90%之間。在某些實施例中，去除係沿基板之周邊的約50%與約75%之間。例如，就圓形基板而言，NPDLD操作可自圓周之約50%至約75%移除材料。就方形基板而言，三邊NPDLD製程可自周邊之約75%移除材料。就其他矩形基板而言，取決於自哪些側執行NPDLD操作，可自周邊之約90%移除材料。例如，在基板為2’ x 10’，且自三個側移除材料的情況下，可自兩個短邊及一個長邊移除材料，例如自24’周邊之約14’或該周邊之約58%移除材料。在另一實例中，在同一2’ x 10’基板的情況下，若圍繞兩個長邊及一個短邊執行NPDLD，則移除將自周邊之約22’/24’或約92%進行。一般而言，就矩形基板而言，當自三個側移除材料時，使用兩個較短邊及一個長邊。以此方式，沿較長邊製造相對的匯流條，從而在匯流條之間留下更短距離，且因此允許更快切換。在某些情況下，此NPDLD去除可移除第一導體層且亦可移除擴散障壁(若存在)。若擴散障壁係存在，則墊將包括第一導體層及擴散障壁。在一種情況下，基板係玻璃，且在其上包括鈉擴散障壁及下部透明導電層，例如基於氧化錫之透明金屬氧化物導電層。通常，使用雷射燒蝕來去除材料。雖然未展示，但光學拋光步驟在一些情況下可發生在步驟 510 與520 之間。任選的拋光步驟可類似於參照圖 1A 所述之步驟 101 。如圖 5B 之頂部說明圖之俯視圖中所描繪，通常但不必要的，NPDLD操作圍繞整個周邊邊緣留下第一導體層(例如，TCO)之墊。此係為了當在後LED製程中移除第一導體層之該周邊邊緣部分時，圍繞整個周邊不存在剩餘之殘留物，且因此圍繞整個周邊改良周邊密封。在某些實施例(例如，參見圖 5E )中，可圍繞周邊邊緣自小的區域移除一些第一導體層。圖 5B 之頂部說明圖及底部說明圖分別為沈積於基板上之光學裝置(例如，電致變色裝置)之第一導體層的俯視圖及側視圖，該基板已經歷類似於參照圖 5A 之步驟520 處所述的NPDLD操作。在根據520 之NPDLD操作之後，於距基板之外緣距離d 處沿三個側移除下部導體層之第一寬度w₁ 。此距離d 界定墊之寬度。下文參照後LED操作來描述第二寬度w₂ 。在圖 5B 中，w₁ 為約4 mm且距離d 為約10 mm。圖 5B 中之頂部說明圖指示在NPDLD操作之後的裝置550 之基板及第一導體層的橫截面X-X' 及Y-Y' 。下部說明圖係頂部說明圖之裝置550 的橫截面圖X-X' 或Y-Y' 之描繪。在圖 5B 中，存在第一導體層之階式漸縮部分，其類似於參照圖 4 中之底部說明圖所述之階式部分。此階式漸縮部分可在參照圖 1A 所詳細描述之任選操作107 、108 以及109 中。雖然未展示，但圖 5A 中之流程圖所說明之方法可包括圖 1A 之任選步驟107 、108 以及109 中之一或多個。部分移除區之寬度為w_pr 。此被說明為500 μm，但可具有其他寬度。在此所說明實例中，部分移除之台階之深度被說明為250nm +-50nm，但可具有其他深度。漸縮部分及漸縮操作係任選的。在一些實施例中，墊之距離或寬度d 為約10 mm。在一些實施例中，墊之距離或寬度d 處於約1 mm至約10 mm的範圍內。在一些實施例中，墊之距離或寬度d 為約5 mm。在一些實施例中，墊之距離或寬度d 處於約5mm至約10mm的範圍內。在一些實施例中，寬度w₁ 可為約4 mm。在一些實施例中，寬度w₁ 可小於4 mm。在一些實施例中，寬度w₁ 可處於約1 mm與約4 mm的範圍內。在一些實施例中，寬度w₁ 可處於約1 mm至約10 mm的範圍內。在一些實施例中，寬度w₁ 可為約1 mm。在一些實施例中，寬度w₁ 可為約2 mm。在一些實施例中，寬度w₁ 可為約3 mm。在一些實施例中，寬度w₁₊ w_pr 可為約4 mm。在一些實施例中，寬度w₁₊ w_pr 及/或w_pr 可小於4 mm。在一些實施例中，寬度w₁₊ w_pr 及/或w_pr 可處於約1 mm與約4 mm的範圍內。在一些實施例中，寬度w₁₊ w_pr 及/或w_pr 可處於約1 mm至約10 mm的範圍內。在一些實施例中，寬度w₁₊ w_pr 及/或w_pr 可為約1 mm。在所說明之第一寬度w₁ 、第二寬度w₂ 、w_pr 及/或距離d 不均勻的情況下，其相對於彼此的相對量值係依據其平均寬度來描述。參照圖 5A ，沈積光學裝置之某些層(步驟 530 )。在EC裝置實施例中，可沈積電致變色堆疊及/或上部導體層(例如，諸如銦錫氧化物(ITO)之透明導電層)。該等層可沈積於一部分或整個基板上。在某些所說明情況下，所描繪之覆蓋範圍大體上為整個基板，但歸因於利用某一邊緣支撐件及/或夾緊機構將玻璃保持在適當位置的載體，可存在一些周邊遮蔽。圖 5C 中之頂部說明圖可為圖 5B 之裝置550 在已於圖 5A 之步驟530 中將光學裝置層沈積於整個基板上之後的之橫截面圖。參照圖 5A ，在步驟540 處，執行後LED操作來去除第二寬度w₂ ，直至基板之外緣。在一些實施例中，第二寬度w₂ 可至少為墊之寬度的距離d 。在此後LED操作中，將電磁輻射(例如，雷射能)施加至墊及/或圍繞該墊之區。因為墊具有大體上均勻的性質，所以其容易吸收能量且剝離基板界面，從而移除墊及在步驟 530 中沈積於墊上的任何材料。在步驟540 處之此後LED操作中，在墊之區處自基板移除材料。圖 5C 中之頂部說明圖為圖 5B 之頂部說明圖在沈積光學裝置(在此實例中為EC堆疊(例如，電致變色層、離子導體層以及反電極層)及第二(上部)導體層(例如，ITO))之後的橫截面圖(例如，X-X' 或Y-Y' )。底部說明圖為後LED操作之後的橫截面圖，該後LED操作在後LED區中移除寬度w₂ 。在圖 5C 中，w₂ 為10 mm。在許多情況下，後LED區之第二寬度w₂ 至少為跨該墊之距離d 。由於在後LED移除中包括第一導體層，所以曝露出更乾淨的玻璃表面以用於IGU或疊片構造中之黏結劑的相應密封區域之副密封。圖 5C 中之底部說明圖可為步驟540 中之後邊緣去除操作之後的橫截面圖。雖然圖 5A 中未展示，但製造光學裝置之所說明方法亦可包含參照圖 1A 所述之步驟120 (匯流條墊曝露操作)及125 (匯流條應用操作)中之一或多個。在實施例中，NPDLD操作於距基板之外緣某一距離d 處移除第一導體層之第一寬度，從而使墊保留至基板之外緣(即，保留第一導體層之寬度d )。在某些態樣中，該墊可界定後LED區(即，藉由後LED操作所移除的材料之寬度)或位於後LED區中。即，在後LED操作中墊剝離將移除墊及該墊上之任何材料層。因此，在後LED操作中移除之後LED區通常將至少為墊之寬度(距離d )。雖然某些去除製程中所移除之材料寬度經展示或描述為圍繞基板之多個側具有恆定寬度，但此等寬度係說明性的。應理解，沿不同側所移除之寬度可改變。圖 5D 描繪圖 5C 中之底部說明圖之裝置550 在步驟540 中之後邊緣去除操作之後的俯視圖。圖 5E 描繪根據實施例之在NPDLD操作之後沈積於基板上之第一導體層的俯視圖(頂部說明圖)及橫截面圖(下部說明圖)。NPDLD操作類似於參照圖 5A 之步驟520 所描述的操作。在根據520 之NPDLD操作之後，於距基板之外緣距離d 處沿三個側(側1、側2以及側3)移除第一導體層之第一寬度w₁ 。PDLD操作沿側1及3中之每一個移除材料，直至相鄰側2之外緣。在圖 5E 中，w₁₊ w_pr 為約4 mm且距離d 為約10 mm。圖 6 描繪根據實施例之在圖 5C 中所示之裝置上執行BPE操作之後的俯視圖(頂部說明圖)及橫截面Z1-Z1’(底部說明圖)。在BPE操作之後，可將匯流條應用於下部導體之曝露墊。參照圖 7A-7F 展示BPE操作之後的裝置之其他實例。圖 7A 描繪電致變色裝置1000 之橫截面部分。在區域1005 中沿一側燒蝕下部TCO以形成BPE4435 。在此實例中，利用散焦雷射來燒蝕三個區域1005 中之每一個，以使得橫截面為如所描繪之凹面。在此實例中，以相同雷射通量等級(功率密度)製造劃線中之每一者。另外，未使用雷射燒蝕之重疊，使得存在保留於相鄰燒蝕線之間的TCO材料之凸起區(在此情況下為隆脊)。此係使用不同雷射燒蝕程度沿複數個個別劃線使用上覆材料直至下伏導體層之雷射燒蝕的一實例。實質上存在用於達成可變燒蝕深度之三個「旋鈕」：脈波持續時間、通量等級以及雷射光點及/或圖案(藉由個別光點之定位形成的線、形狀)之重疊。在某些實施例中，使用100%重疊，例如單個光點位置上之多次照射或跨同一區域之多條線。本文中用於達成不同燒蝕深度之實施例使用此等中之任一個或其任何組合。一實施例為製造BPE之方法，該方法包含在BPE之製造期間使用不同雷射燒蝕等級沿複數個個別劃線進行的上覆材料直至下伏TCO層之雷射燒蝕。在一實施例中，使用準頂帽型以相同通量等級刻劃複數條劃線之個別劃線中之每一者。可使用除線之外的其他圖案，只要存在不同燒蝕深度即可。例如，可按棋盤式圖案(具有或不具有相鄰光點之重疊)來應用雷射光點，其中個別光點應用不同脈波時間以達成不同燒蝕深度。在某些實施例中，針對每條線使用不同通量等級來刻劃複數條劃線之至少兩條個別劃線。以下更詳細地描述此等實施例。圖 7B 描繪實施例之電致變色裝置1010 之橫截面部分。電致變色裝置1010 具有BPE4435 ，該BPE係經由沿裝置之一邊緣、沿複數條雷射燒蝕線1015 、1020 以及1025 使用不同燒蝕深度雷射燒蝕下部TCO來形成的。在此實例中，該等線係藉由使雷射光點沿每條線重疊來形成，但其中每條線使用個別光點之不同重疊百分比。在此實例中，亦存在線之重疊；然而在一些實施例中，一或多條線之間不存在重疊。圖 7C 展示由三條線1015 、1020 以及1025 製成的BPE4435 (本文所述之任何裝置可具有如關於圖 7A-F 所述之BPE)之俯視圖。此等線相對於其他線各自具有至TCO中之不同燒蝕深度，但在任何給定之線內具有大體相同的燒蝕深度。藉由使用不同燒蝕深度(例如使用雷射光點之不同通量等級、光點或線中之重疊、脈波持續時間或其組合)，BPE具有多個深度剖面且解決了與雷射燒蝕期間的薄膜吸收變化相關聯的問題。即，若雷射燒蝕得不夠深或燒蝕得過深，則仍有足夠量的TCO被曝露，以便沿裝置邊緣與匯流條進行良好的電接觸，且因此在裝置之操作期間產生良好的效能及顯色。在此實例中，隨著雷射自每條線移動至下一條線，逐漸更深地燒蝕TCO，以便BPE在外緣處逐漸更薄且在靠近裝置堆疊之最內側表面處更厚。圖10B中所描繪之BPE展示線之間的略微傾斜的過渡，其指示雷射燒蝕路徑係部分重疊的。如所描繪，最終BPE係三階式構造。藉由使用不同燒蝕深度來確保匯流條與BPE之間的良好電接觸，因為即使存在吸收變化，燒蝕線中之至少一者仍將完全穿透至下部TCO。在一實施例中，使用雷射燒蝕來以不同燒蝕深度沿每條線、沿EC裝置之邊緣自至少兩條線移除材料。在一實施例中，燒蝕深度係選自下部TCO之至少上部10%、下部TCO之至少上部25%、下部TCO之至少上部50%以及下部TCO之至少上部75%。圖 7D 描繪實施例之電致變色裝置1030 之橫截面部分。參照圖 7D ，即使底部TCO上之材料的吸收自計算值有所改變(例如，歸因於由於某種原因的吸收損耗，雷射燒蝕並未像計算那麼深地進入堆疊中)，因為不同深度處存在多條線，所以BPE製程係成功的，即，與匯流條920 之良好電連接性得以達成。在圖 7D 中所描繪之實例中，雷射並未燒蝕得像計算那麼深，例如線1015 具有一些剩餘的EC堆疊材料，該EC堆疊材料將妨礙BPE與匯流條之間的電接觸。但線1020 及1025 確實穿透直至TCO，且因此匯流條920 與下部TCO進行良好電接觸。圖 7E 描繪實施例之電致變色裝置1040 之橫截面部分。圖 7E 描繪雷射穿透得比計算更深(例如當材料層之吸收漂移至比預期增加更多的狀態時)的情形。在此實例中，線1025 不具有足以正確地導電的TCO厚度，但剩餘的線1015 及1020 允許與匯流條920 之良好電連接。圖 7F 描繪實施例之電致變色裝置1050 之橫截面部分。圖 7F 說明，隨著雷射線自BPE之內部部分移動至BPE之外部部分，雷射線之不同深度不需要係自較小深度至較大深度。在此實例中，雷射燒蝕深度經組配以使得BPE於距EC裝置最遠處更厚，且在最靠近裝置邊緣處最薄。當例如希望絕對確保BPE上製造匯流條之處與裝置堆疊之間不存在堆疊材料時，此圖案可具有優點。藉由在接近EC裝置之線(1015 )上更深地穿透至TCO中，達成上述情況。在一實施例中，雷射經組配來在複數條劃線中之每一者中逐漸移除更多的下伏導體層，每條劃線之燒蝕區域與先前劃線之燒蝕區域至少部分重疊，且複數條劃線係藉由在最靠近裝置堆疊處對下伏導體層之最多移除及在最遠離裝置堆疊處對下伏導電層之最少移除來製造。在一實施例中，雷射經組配來在複數條劃線中之每一者中逐漸移除更多的下伏導體層，該等至少兩條劃線之燒蝕區域與燒蝕區域至少部分重疊，且複數條劃線係藉由在最靠近裝置堆疊處對下伏導電層之最少移除及在最遠離裝置堆疊處對下伏導體層之最多移除來製造。雖然參照BPE製造來描述為了改變燒蝕深度的不同通量及/或雷射燒蝕光點、線或圖案之重疊及脈波持續時間，但BPE製造亦可用來產生如本文所述之邊緣漸縮。此等方法不限於彼等實施例，例如，該等方法亦可用來產生隔離溝槽，例如其中以不同深度來燒蝕兩條或兩條以上線以確保EC裝置之一個區段與另一區段之正確電(且任選地，離子)隔離。在一實施例中，製造L3劃線，其中使用兩條或兩條以上劃線來製造L3劃線，且至少兩條劃線各自具有不同燒蝕深度，該等線重疊或不重疊。依據矩形任選裝置(例如，矩形EC裝置)來描述上述製造方法。此並非必要的，因為該等製造方法亦適用於規則或不規則的其他形狀。另外，取決於需要，重疊的裝置層以及BPE之佈置及其他特徵可沿裝置之一或多個側。在2014年6月4日申請之標題為「薄膜裝置及製造」的美國專利申請案第14/362,863號中更詳細地描述其他形狀及組態，該專利申請案以全文引用之方式併入本文中。在某些實施例中，各種燒蝕操作中所使用的電磁輻射可由相同雷射或不同雷射提供。使用光纖或敞開式光束路徑傳遞(雷射)輻射。取決於電磁輻射波長之選擇，可自玻璃側或薄膜側執行燒蝕。燒蝕材料所需要之能量密度係藉由使雷射光束通過光學透鏡來達成。透鏡使雷射光束聚焦為所要的形狀及大小，例如具有以上描述之尺寸的「頂帽型」，在一實施例中，具有介於約0.5 J/cm² 與約4.0 J/cm² 之間的能量密度。在某些情況下，可能希望控制雷射之通量等級。控制通量之一種方式為在焦平面上方執行雷射燒蝕，即，可使雷射光束散焦。在一實施例中，例如，雷射光束之散焦剖面可為經修改之頂帽型或「準頂帽型」。藉由使用散焦雷射剖面，傳遞至表面之通量可增加而不會損壞雷射光點重疊區處之下伏材料。可在某些實施例之沈積前操作中使用此散焦雷射剖面，以使留在基板上之殘留材料的量減至最低。雖然本文中一般依據矩形任選裝置來描述實施例之去除製程，但其他規則形狀(例如，圓形、橢圓形、梯形等)及不規則形狀亦可適用。在一些情況下，去除製程使用矩形(例如，方形)雷射圖案，該矩形雷射圖案可用來自矩形區去除材料。例如，可引導雷射光點/光束在裝置之表面上線性地來回移動，並且在所形成的線之間具有某種均勻程度的重疊。在此等情況下，所形成的雷射線通常彼此平行。雷射線平行於或垂直於裝置之邊緣。在其他情況下，去除製程可使用非矩形雷射圖案。例如，去除製程可使用圓形雷射光點來產生重疊的圓圈，以自彎曲區去除材料。在此情況下，雷射光點係圓形的。在其他情況下，雷射光點可為矩形的。矩形形狀的雷射光點可經旋轉以具有平行於裝置之邊緣的定向，該裝置正被移除材料。在一些情況下，去除製程可沿光學裝置之一或多個側自多個區移除材料。取決於電致變色裝置之形狀，此等區可具有相同形狀(例如，多個矩形區)或可具有不同形狀(例如，矩形及彎曲的形狀)。某些態樣係關於光學裝置之方法，該光學裝置包含夾在第一導體層與第二導體層之間的一或多個材料層，其中該方法包括：(i)接納基板，該基板在其工作表面上具有第一導體層；(ii)沿基板之周邊區的約50%與約90%之間移除第一導體層之第一寬度，同時留下第一導體層之墊，該墊圍繞基板之周邊邊緣與第一寬度共同延伸；(iii)將光學裝置之該一或多個材料層及第二導體層沈積於基板之工作表面上；以及(iv)大體上圍繞基板之整個周邊移除所有層之第二寬度，其中移除的深度至少足以移除第一導體層，以使得第一導體層之墊係沿周邊區與第一導體層之剩餘約25%至約50%一起移除。在此等情況中之一些中，該等方法進一步包含(v)移除第二導體層之至少一部分及光學裝置之在其下的一或多個層，進而顯露第一導體層之至少一曝露部分；以及(vi)將匯流條應用於第一導體層之該至少一曝露部分，其中第一導體層及第二導體層中之至少一個係透明的。在方法之一實例中，歸因於基板圍繞周邊邊緣被載體固持機構遮蔽，光學裝置之該一或多個材料層及第二導體層係沈積於基板之大體整個工作表面上。在方法之一實例中，歸因於基板圍繞周邊邊緣被由載體固持機構遮蔽，光學裝置之該一或多個材料層及第二導體層係沈積於基板之大體整個工作表面上。在方法之一實例中，第一寬度為距基板之外緣的介於約1 mm與約10 mm之間的距離。在方法之一實例中，第一寬度為距基板之外緣的介於約1 mm與約5 mm之間的距離。在方法之一實例中，第一寬度為距基板之外緣的為約10 mm的距離。在方法之一實例中，第一寬度介於約1 mm與約5 mm之間。在方法之一實例中，第一寬度為約4 mm。在方法之一實例中，該方法進一步包含使下部導體層之邊緣漸縮。在方法之一實例中，該方法進一步包含將第二匯流條應用於第二導體層。在此等情況下，該方法可進一步包含將光學裝置併入絕緣玻璃單元(IGU)中及/或製造包含光學裝置及另一基板之疊片。在各種實施例中，可按不同次序執行本文所述之方法的操作，且可不包括某些操作或可於少於所提及或與所提及不同的側上執行某些操作。例如，在一種情況下，處理流程如下：於電致變色窗板之3個邊緣上執行PDLD；執行BPE操作；執行L3隔離劃線操作；以及執行透明電導體(TEC)匯流條沈積後PDLD操作。雖然已在一定程度上詳細地描述先前實施例以促進理解，但所描述實施例應被視為說明性的而非限制性的。一般熟習此項技術者將顯而易見，在說明書之範疇內可實踐某些改變及修改。

100:處理流程 101:製程 105:製程 107:製程 108:製程 109:製程 110:製程 115:製程 120:製程 125:製程 130:基板 135:BPE 140:周邊區域 200:裝置 200a:裝置 200b:裝置 200c:裝置 240:一或多個材料層之重疊部分 500:處理流程 510:步驟 520:步驟 530:步驟 540:步驟 550:光學裝置 700:裂縫 705:區域 900:電致變色裝置 905:第二(上部)透明導體層 910:裝置堆疊 915:第一(下部)透明導體層 920:匯流條 925:區域 930:區域 935:區域 940:區域 1000:電致變色裝置 1005:區域 1010:電致變色裝置 1015:雷射燒蝕線 1020:雷射燒蝕線 1025:雷射燒蝕線 1030:電致變色裝置 1040:電致變色裝置 1050:電致變色裝置 4435:BPE A:寬度 A_1:寬度 B:寬度 B₁:寬度 d:距離 L2:劃線 L3:劃線 t_lc:第一導體層之厚度 W₁:第一寬度 W₂:第二寬度 W_pr:部分移除區之寬度

在結合圖式考慮時可更徹底地理解以下詳細描述，在圖式中：圖 1A 為描述根據某些實施例之製造電致變色裝置之方法的態樣之處理流程的流程圖。圖 1B 描繪說明關於圖 1A 所述之處理流程中之步驟的俯視圖。圖 1C 描繪類似於關於圖 1B 所述之裝置的裝置的俯視圖。圖 1D 描繪關於圖 1B 所述之電致變色窗板的Z-Z’橫截面圖。圖 1E 描繪關於圖 1B 所述之電致變色窗板的W-W’橫截面圖。圖 1F 及圖 1G 為描繪與曝露下部導體以便進行匯流條應用相關的棘手問題之圖式。圖 2 及圖 3 描繪EC窗板在製造方法之各步驟中的俯視圖及側視圖。圖 4 為留在後LED區中之殘留物的說明。圖 5A 為描述根據某些實施例之製造光學裝置之方法的態樣之處理流程的流程圖，該方法使用窄沈積前LED操作。圖 5B 描繪根據實施例之NPDLD操作之後的俯視圖及橫截面圖。圖 5C 描繪根據實施例之圖 5B 的說明分別在沈積光學裝置之各層之後及後邊緣去除製程之後的橫截面圖。圖 5D 描繪根據實施例之圖 5C 之裝置在後邊緣去除操作之後的俯視圖。圖 5E 描繪根據實施例之NPDLD操作之後的俯視圖及橫截面圖。圖 6 描繪根據實施例之BPE操作之後的俯視圖及側視圖。圖 7A 至圖 7F 為描繪根據實施例之用於改良的匯流條墊曝露之實施例的圖式。

500:處理流程

510:步驟

520:步驟

530:步驟

540:步驟

Claims

一種製造一光學裝置之方法，該光學裝置包含夾在一第一導體層與一第二導體層之間的一或多個材料層，該方法按順序包含： (i) 接納一基板，該基板在其工作表面上具有該第一導體層； (ii) 在沿該基板之周邊之50%與90%之間的一區中移除該第一導體層之一第一寬度，同時留下該第一導體層之一墊，該墊沿該基板之該周邊與該第一寬度共同延伸； (iii) 將該光學裝置之該一或多個材料層及該第二導體層沈積於該基板之該工作表面上；以及 (iv) 大體上沿該基板之該整個周邊移除所有該等層之一第二寬度，其中移除深度至少足以移除該第一導體層，且其中該第二移除寬度足以沿該基板之該周邊移除該墊及該第一導體層之剩餘10%至50%，其中該第一導體層及第二導體層中之至少一個係透明的。