TW202034447A - 可調溫式多區域靜電卡盤 - Google Patents

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Abstract

本案描述的實施方式提供了一種用於校準基板支撐組件的溫度的方法，該方法賦能離散地調節基板支撐組件的溫度分佈。在一個實施例中，一種系統，包括一記憶體，其中記憶體包括被配置為在基板支撐組件上執行操作的一應用程式，設置在基板支撐組件中的一控制板，其中控制板包括具有一無線介面的一處理器，一脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中處理器係連接至記憶體以在操作中從記憶體讀取並存取應用程式，以及一加熱元件，其耦合到脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中加熱元件包括複數個空間可調式加熱器，這些加熱器係藉由脈寬調節（PWM）加熱器控制器而可單獨地調節。

Description

可調溫式多區域靜電卡盤
本案描述的實施例大體上涉及半導體製造，並且更具體地涉及靜電卡盤的溫度控制或溫度校準及其使用方法。
隨著元件圖案的特徵尺寸變小，這些特徵的關鍵尺寸（CD）要求成為穩定的及可重複的元件性能的更重要標準。由於難以控制腔室製程參數，例如腔室與基板的溫度偏差、流導、及RF場，因此難以在處理腔室內處理的基板上達到允許的CD變化。
在利用靜電卡盤的製程中，由於卡盤在基板下方的非均勻構造，整個基板表面的溫度控制的均勻性甚至更具挑戰性。例如，靜電卡盤的一些區域具有氣孔，而其他區域具有從氣孔橫向偏移的升降銷孔。還有其他區域具有卡盤電極，而其他區域具有從卡盤電極橫向偏移的加熱器電極。由於靜電卡盤的結構在橫向及方位角上均可以變化，因此在卡盤和基板之間的傳熱均勻性非常複雜並且很難獲得，從而導致整個卡盤表面出現局部熱點與冷點，從而會產生沿基板表面的不均勻的處理結果。
另外，在每次腔室維護或保養的間歇，靜電卡盤的溫度分佈可能會變化。因此，分佈在靜電卡盤上的溫度分佈很難校準或控制，因為溫度可能會在卡盤表面的熱點及冷點上發生變化。
因此，需要一種能夠提供簡單的溫度校準的改良的基板支撐組件。
本案描述的實施例提供了一種用於校準基板支撐組件的溫度的方法，該方法賦能離散地調節基板支撐組件的溫度分佈。在一個實施例中，一系統包含：一記憶體，其中該記憶體包括一應用程式，該應用程式經配置以在該基板支撐組件上執行一操作；一控制板，設於該基材支撐組件內，其中該控制板包含：一處理器，具有一無線介面；一脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中該處理器係連接至該記憶體，以在操作中從記憶體讀取並存取該應用程式；以及，一加熱元件，耦接至該脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中該加熱元件包含複數個空間可調式加熱器，該些空間可調式加熱器可藉由該脈寬調節（PWM）加熱器控制器而單獨地調節。
在另一個實施例中，一在基板支撐組件上執行處理的方法包括步驟：在一基板支撐組件上執行一預定程序，以在設置在該基板支撐組件上的一基板上獲得一初始溫度分佈，其中該支撐組件具有主加熱器及空間可調式加熱器；從執行該預定程序的一結果，確定一偏差溫度分佈；藉由設置於該基材支撐組件內的一處理器，確定調節參數；響應於該偏差溫度分布，使用該等調節參數將該初始溫度分佈調整為該基板支撐組件上的一目標溫度分佈，其中該調整為該目標溫度分佈的步驟，包括增加提供給該等空間可調式加熱器中一或多者的電力；以及，將該些調節參數與該偏差溫度分佈儲存於設置在該基板支撐組件內的一記憶體中。
在又一個實施例中，一在一基板支撐組件上執行一程序的方法包括步驟：當對設置在該基板支撐組件上的一基板進行一程序時，測量該基板支撐組件的一第一溫度分佈；藉由設置在該基板支撐組件中的一處理器，透過將該第一溫度分佈與一目標溫度分佈進行比較，來確定一溫度偏移圖；藉由該處理器確定調節參數，以供該基板支撐組件將該第一溫度分佈校準成該目標溫度分佈；以及，將調節參數儲存在設置在基板支撐組件內的記憶體中。
本案描述的實施例提供了一種用於校準空間可調式加熱器的方法，該方法賦能離散地調節基板支撐組件的溫度分佈。該校準程序包括調節或校準靜電卡盤（ESC）與基板之間的熱傳遞。該方法包括處理設置在ESC上的基板，該基板上設置有複數個可調式加熱器，以獲得ESC的預校準溫度分佈。用於獲得預校準溫度分佈的基板可以是一虛擬基板或一校準基板。透過將處理基板的結果（例如，預先校準的溫度分佈的結果）與目標結果分佈進行比較，來確定一溫度偏差分佈。然後校準並調整提供給ESC中加熱器的電力，以根據偏差分佈將ESC的預校準溫度分佈與目標結果分佈相匹配。調整為目標結果分佈的步驟，包括在與偏差分佈相對應的一或多個離散位置中增加對一或多個可調式加熱器的電力。然後將用於調整/校準及偏差分佈的調節參數儲存在ESC內嵌的記憶體中。
儘管以下在蝕刻處理腔室中描述具有空間可調式加熱器的基板支撐組件，但是該基板支撐組件可以用於其他類型的處理腔室中，例如物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、離子注入腔室等，以及需要對橫向溫度分佈進行方位角調節的其他系統。還可以預期，空間可調式加熱器也可以用於控制其他表面的溫度，包括未用於半導體加工的表面。
如本領域的習知技藝者將能理解的，本案的態樣可以系統、方法、或計算機程式產品來實現。因此，本案的應用可以採取以下形式：完全硬體實施例、完全軟體實施例（包括韌體、常駐軟體、微代碼等）、或結合了軟體與硬體態樣的實施例的形式，在此可以將其稱為「電路」、「模組」、或「系統」。此外，本案的實施例可以採取在具有計算機可讀程式代碼的一或多個計算機可讀媒體中實施的計算機程式產品的形式。
一種或多種計算機可讀媒體的任意組合可以用於儲存程式產品，該程序產品在被執行時係用來執行用於預防性維護事件的排程的方法。該計算機可讀媒體可以是計算機可讀訊號媒體或計算機可讀儲存媒體。一計算機可讀儲存媒體，可以是例如但不限於，電子、磁性、光學、電磁、紅外線、或半導體系統、裝置、或設備，或前述的任何合適的組合。計算機可讀儲存媒體的更具體實例（非詳盡列表）將包括下列：可攜式計算機磁碟、硬碟、非揮發性記憶體、隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、可抹除可程式化唯讀記憶體（EPROM或快閃記憶體）、光纖、可攜式光碟唯讀記憶體（CD-ROM）、光學儲存裝置、磁性儲存裝置或以上的任何適當組合。在本案的上下文中，計算機可讀儲存媒體可以是任何有形媒體，其可以包含或儲存供指令執行的系統、設備、或裝置使用或與其結合使用的程式。
一計算機可讀訊號媒體，可包括例如在基頻中或作為載波的一部分的傳播的資料訊號，其具有實施於其中的計算機可讀程式代碼。這樣的傳播訊號可以採取多種形式中的任何一種，包括但不限於，電磁、光、無線電、或其任何合適的組合。計算機可讀訊號媒體可為不是計算機可讀儲存媒體的任何計算機可讀媒體，並且可以通訊、傳播、或傳輸供指令執行的系統、設備、或裝置使用或與其結合使用的程式。
可以使用任何適當的媒體來傳輸包含在計算機可讀媒體上的程式代碼，包括但不限於無線、有線、光纖、RF等，或上述的任意適當的組合。
可以以一或多種編程語言的任何組合來編寫用於執行本發明各態樣的操作的計算機程式代碼，所述編程語言包括諸如JAVATM 、SMALLTALKTM 、C++之類的面向對象的編程語言，以及常規的程序編程語言，例如「C」編程語言或類似的編程語言。程式代碼可以完全在使用者計算機上，部分在使用者計算機上作為獨立軟體包執行，部分在使用者計算機上且部分在遠端計算機上執行，或者完全在遠端計算機或伺服器上執行。在後一種情況下，遠端計算機可以透過任何類型的網路（包括區域網路（LAN）或廣域網路（WAN））連接到使用者的計算機，或者可以與外部計算機建立連接（用於例如，透過使用網際網路服務提供商的網際網路）。
也可以將計算機程式指令加載到計算機，其他可編程資料處理設備或其他設備上，以使一系列操作步驟在計算機、其他可編程設備、或其他裝置上執行以產生供計算機實現的程序，從而使在計算機或其他可編程裝置上執行的指令提供了用於實現流程圖、及/或方塊圖方塊中指定的功能/動作的程序。
可透過雲端計算基礎設施將本案的實施例提供給一最終使用者設施。雲端計算是指透過網路提供可擴展計算資源作為服務。更正式而言，雲端計算可以定義為一種計算能力，它提供計算資源與其底層技術體系結構（例如伺服器、儲存器、網路）之間的抽象概念，從而實現對可配置計算資源的共享池的便利的、依需求的網路存取，該等資源可透過最少的管理工作或服務提供商的互動而快速提供及釋放。因此，雲端計算允許使用者存取「雲端」中的虛擬計算資源（例如，儲存器、資料、應用程式、甚至完整的虛擬化計算系統），而無需考慮用於執行以提供計算資源的底層實體系統（或那些系統的位置）。
通常，雲端計算資源是按使用量付費提供給使用者的，其中僅向使用者收取實際使用的計算資源的費用（例如，使用者消耗的儲存空間量，或由使用者實例化的多個虛擬化系統所消耗的儲存空間量）。一使用者可以隨時隨地從網際網路的任何位置存取駐留在雲端中的任何資源。在本案的上下文中，使用者可以存取雲端中可用的軟體常式（例如，用於檢測一或多個接地帶斷開的方法）或相關資料。例如，軟體常式可以在雲端中的計算系統上執行。在這種情況下，軟體常式可以在雲端中的儲存位置維護空間與非空間資料。這樣做允許使用者從附接到連接到雲端（例如，網際網路）的網路的任何計算機系統存取該資訊。
圖1是具有至少一個處理腔室的多腔室真空處理系統的示意性頂視圖。多腔室真空處理系統100還包括系統控制器160、一真空密封處理平台110、及一工廠介面140。多腔室真空處理系統100可以額外連接到一預先處理控制器（APC）180。APC 180可以具有一資料庫182及一運算平台184。除了系統控制器160之外，還可以可選地使用APC 180，並且在製造設施處整合複數個處理工具102。APC 180可以追蹤操作並將度量儲存在其中進行製造的基板上。
工廠介面（FI）140可以具有複數個前開式晶片盒（FOUP）144及至少一個FI機械手142。FI 140還可以具有其他站點，例如計量站150。計量站150可以可替代地位於FOUP 144附近。FI機械手142可以具有軌道及可移動的端效器，該端效器可以是刀片、複數個手指、夾具、或用於在其上移送基板118的其他合適的設備。FI機械手142在大氣條件下可操作，並且被配置為具有足以在處理系統100的FOUP 144、計量站150、及一或多個裝載閘腔室134、132之間移送設置在可移動端效器上的基板118的一運動範圍。FOUP 144可以抓持複數個基板118，以向或從多腔室真空處理系統100移送基板118。例如，FOUP 144可以將在多腔室真空處理系統100上處理的基板118移動到單獨的計量站、化學拋光站、或其他設備，以進行進一步處理。
裝載閘腔室134、132係設置在工廠介面140與真空密封處理平台110之間，以促進基板118在工廠介面140中所保持的一大致周圍環境，及真空密封處理平台110中所保持的一真空環境之間的移送。裝載閘腔室134、132具有一個或多個入口/出口槽（未圖示出），基板118可通過該等入口/出口槽從FI 140移送進出裝載閘腔室134、132。同樣，裝載閘腔室134、132具有相同數量的入口/出口槽，基板118可以通過該等入口/出口槽在裝載閘腔室134、132的內部與真空密封處理平台110之間移送。裝載閘腔室134、132的每個入口/出口槽均由狹縫閥（未顯示）選擇性地密封，以將裝載閘腔室134、132的內部與FI 140或真空密封處理平台110的內部隔離。
真空密封處理平台110除了裝載閘腔室134、132之外，還具有圍繞移送腔室130佈置的複數個附接腔室120。移送腔室130係耦接至一真空系統（未圖示出），以在真空密封處理平台110中提供減小的大氣條件。移送腔室130容納至少一個移送腔室機械手114。移送腔室機械手114可以旋轉以與任何腔室120一起傳送基板118。一或多個附接腔室120可包括蝕刻腔室或沉積腔室，例如化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、或原子層沉積腔室，其上具有用於處理基板118的基板支撐組件200（圖2所示）。此外，附接腔室120之一者可以是具有用於測量基板118的屬性的計量設備的計量腔室152、導向腔室、脫氣腔室、或用於處理基板118的其他合適腔室。在一些實施例中，一個腔室120可以蝕刻並測量基板118。例如，可以將用於測量基板118的屬性的計量設備併入腔室120中。可替代地，用於測量基板118的屬性的計量設備可與移送腔室130、FI 140位於一處，或其他方便的位置。
系統控制器160係耦合到並控制多腔室真空處理系統100的每個腔室120及/或模組。通常，系統控制器160可使用對處理系統100的腔室與設備的直接控制，或可替代地，透過控制與這些腔室與設備相關聯的計算機來控制處理系統100的所有方面的操作。此外，系統控制器160還可經配置為藉由APC 180而與相關聯於移送腔室機器人114的控制單元及其他控制器通訊。例如，可藉由系統控制器160控制傳送腔室機械手114的移動、向或從處理腔室120傳送基板118的運動及執行處理的順序、協調多腔室真空處理系統100的各個部件的操作等。此外，系統控制器160可以控制處理腔室120中的製程配方。例如，系統控制器可以控制真空、腔室溫度、基板支撐表面溫度分佈，氣體流速、及製程配方的各種其他製程參數。在操作中，系統控制器160使能來自各個腔室與設備的反饋以優化基板產量。
以下參照圖4說明系統控制器160。系統控制器160可以改變在腔室120中進行處理的基板118的製程配方。系統控制器160可以使用來自計量設備的反饋來確定製程配方中的變化。計量設備可以測量整個基板118上的臨界尺寸並改變製程參數，例如整個基板支撐組件上的局部溫度，以改變局部處理。
圖2是局部剖視側視圖，詳細圖示出了基板支撐組件200的部分，其經配置為提供整個基板支撐組件的溫度分佈的調節。可以透過在控制器160上運行的軟體常式來控制整個基板支撐組件200的溫度分佈的調節。基板支撐組件200可以設置在多腔室真空處理系統100中的腔室120的任一者中。軟體常式也可以或可替代地由第二控制器（未圖示出）儲存及/或執行，該第二控制器遠離多腔室真空處理系統100，例如位於處理腔室120或APC 180處。
基板支撐組件200通常至少包括一基板支撐210。基板支撐件210可以是真空卡盤、靜電卡盤、基座、或其他工件支撐表面。在一個實施例中，基板支撐件210是靜電卡盤，並且在下文中將被描述為靜電卡盤210。基板支撐組件200還可包括冷卻基座260。冷卻基座260可以可替代地與基板支撐組件200分離。基板支撐組件200可以可移除地耦接到支撐基座205。支撐基座205，其可以包括底座基座244。基板支撐組件200可以週期性地從支撐基座205上移除，以允許翻新基板支撐組件200的一或多個部件。
靜電卡盤210具有一安裝表面203及與安裝表面203相對的工件支撐表面202，其中基板118可移除地設置在工件支撐表面202上。靜電卡盤210通常包括嵌入介電體208中的卡盤電極207。儘管顯示的卡盤電極207靠近靜電卡盤210的安裝表面203，但是卡盤電極207可以嵌入到靜電卡盤210的其他部分中，例如在工件支撐表面202的正下方。夾持電極207可以被配置為單極、雙極電極、或其他合適的佈置。夾持電極207透過RF濾波器204耦合到夾持電源206，該夾持電源206提供RF或DC電源以將基板118靜電固定到靜電吸盤210的工件支撐表面202。RF濾波器204防止用於在處理腔室120內形成電漿的RF電源損壞電氣設備或在腔室外部造成電危害。
靜電卡盤210的介電體208可以由陶瓷材料製成，例如AlN或Al2 O3 。可替代地，介電體208可以由聚合物製成，例如聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚芳基醚酮等。加熱器可以被嵌入在介電體208內。介電體208可包括一或多個主電阻加熱器212及/或複數個空間可調式加熱器214。可以提供主電阻加熱器212以將基板支撐組件200的溫度升高到用於進行腔室處理的溫度，諸如進行基板118的處理及/或清潔處理腔室120的內部。主電阻加熱器212可以被配置為提供任何一或多個橫向分離的加熱區域，例如，複數個同心環形區域。空間可調式加熱器214與主電阻加熱器212互補，並且經配置以調節在由主電阻加熱器212所定義的多個橫向分離的加熱區域中的複數個離散位置中的任何一或多者中的靜電卡盤210的局部溫度。例如，空間可調式加熱器214可以佈置成極性陣列、卡式網格（Cartesian grid）的列與行、六邊形網格、或其他合適的矩陣。因此，空間可調式加熱器214對放置在基板支撐組件200上的基板118的溫度分佈提供局部調節。因此，主電阻加熱器212操作以將工件支撐表面202的溫度分佈維持在全局宏觀尺度上，而空間可調式加熱器214操作以在局部微尺度上調節工件支撐表面202的溫度曲線離散位置處的溫度。
主電阻加熱器212與空間可調式加熱器214藉由RF濾波器218耦合到加熱器電源222。加熱器電源222可以向個別加熱器212、214提供900瓦特或更多的電力。控制器160可以控制加熱器電源222的操作，該加熱器電源222通常被設置為向個別加熱器212、214提供電力，以將基板118加熱到預定的溫度分佈。在一實施例中，主電阻加熱器212包括側向分離的加熱區，其中控制器160使主電阻加熱器212的一個區域，或甚至單個空間可調式加熱器214相對於相鄰的個別加熱器212、214優先被加熱。在一些實施例中，每個空間可調式加熱器214可以被獨立地控制以提供與另一個空間可調式加熱器214的溫度不同的溫度。在一些實施例中，獨立地及/或同時地向複數個（例如至少兩個且多達所有）空間可調式加熱器214供電，以提供穩定的溫度分佈，這導致穩定且容易控制的溫度分佈，其具有所需的局部溫度設置，這有助於提高基板處理結果的均勻性和可預測性。
靜電卡盤210可包括一或多個溫度傳感器254。溫度感測器254可以測量工件支撐表面202上的複數個離散位置處的溫度。溫度感測器254可以向控制器160提供溫度反饋資訊，以控制由加熱器電源222施加到主電阻加熱器212和空間可調式加熱器214的電力。另外，反饋資訊可用於控制冷卻基座260的操作。
靜電卡盤210可以設置在溫度受控的冷卻基座260上。溫度受控的冷卻基座260係耦接至傳熱流體源262。傳熱流體源262提供傳熱流體，例如液體、氣體、或其組合，該傳熱流體藉由設置在冷卻基座260中的一或多個導管290循環。控制器160可以控制流過隔離的相鄰導管290的流體，以實現對靜電卡盤210與冷卻基座260的不同區域之間的熱傳遞的局部控制，這有助於控制基板118的橫向溫度分佈。
底座基座244設置在冷卻基座260的下方，並且經配置以容納複數個驅動機構，該複數個驅動機構經配置以升高和降低複數個升降銷。另外，底座基座244經配置以容納來自靜電卡盤210與冷卻基座260的複數個流體連接。基座244還經配置以容納來自靜電卡盤210的複數個電連接。無數的連接，例如流體、電、資料訊號，可以在基板支撐組件200的外部或內部實現。
系統控制器160包括設置在底座基座244中的控制板250。可替代地，控制板250可以設置在基板支撐組件200內部或外部的其他地方。控制板250可以具有脈寬調節（PWM）加熱器控制器216。控制板250還可以可選地具有溫度感測器控制器252。
溫度感測器控制器252可以通訊地耦接至溫度感測器254，以測量基板118的溫度。溫度感測器控制器252可以將來自溫度感測器254的訊號轉換為圍繞工件支撐表面202的離散位置中的實際溫度讀數。接著，將實際溫度讀數的資料傳輸到PWM加熱器控制器216，再傳輸到系統控制器160進行分析和計算。
PWM加熱器控制器216可以直接或間接連接到個別加熱器212、214。PWM加熱器控制器216可以改變由加熱器電源222提供給個別加熱器212、214的電力。可透過在每個空間可調式加熱器214處測量溫度，來對PWM加熱器控制器216進行編程和校準。亦即，每個空間可調式加熱器214具有其自己獨立的PWM控制。PWM加熱器控制器216可以透過調整各個空間可調式加熱器214的功率參數來控制溫度。例如，向空間可調式加熱器214之一者提供100％的電力可能會導致大約攝氏5度的熱量輸出，以增加主加熱器為空間可調式加熱器214上方的表面位置設置的溫度。另外，對一或多個空間可調式加熱器214提供20％的電力可能會導致大約攝氏1度的熱量輸出，以增加主加熱器為空間可調式加熱器214上方的表面位置設置的溫度。對於數個空間可調式加熱器214，電力可以減小到20％，並且在整個處理操作中保持在該位準。另外，PWM加熱器控制器216可以以第一電力位準（例如80％）操作一或多個空間可調式加熱器214，而同時以第二電力位準（例如約20％）操作一或多個單獨的空間可調式加熱器214。在一實施例中，可以透過增加對空間可調式加熱器214的電力來調節溫度。例如，在處理程序中，增加提供給空間可調式加熱器214的電力的百分比（例如增加9％），可以獲得溫度上升。在另一實施例中，可以透過循環打開和關閉一或多個空間可調式加熱器214來調節溫度，而其他可調式加熱器214也可以同相地、或異相地循環打開和關閉。在又一實施例中，可以藉由調節電力位準、循環並根據需要維持一個所需溫度分佈的一或多個空間可調式加熱器214的電力增量調節電力的組合，來調節溫度。在又一實例中，整個靜電卡盤210的溫度可透過對所有空間可調式個別加熱器212、214的電力而同時提高，同時維持在整個靜電卡盤210的空間可調式加熱器214之間所保持的相同比例的電力分佈。例如，由空間可調式加熱器214之一者控制的離散區域，可以具有比相鄰的離散區域更高的溫度範圍的約0.5％的溫度偏差。因此，儘管對整個過靜電卡盤210的所有空間可調式個別加熱器212、214供電，仍然保持了在離散區域至其相鄰的離散區域處的靜電卡盤210。因此，透過對每個空間可調式加熱器214的單獨控制，可以控制和調節這樣的溫度偏差，以便在靜電卡盤210上提供相對更均勻的溫度分佈。
可以透過在單個實例上，改變每個個別的空間可調式加熱器214的熱輸出來獲得溫度分佈（例如，溫度圖）。所測量的溫度分佈，可將基板溫度分佈與每個空間可調式加熱器214的電力分佈分佈相關連。因此，空間可調式加熱器214可用來根據調節各個空間可調式加熱器214的電力設置的程式而在基板上產生一溫度分佈。邏輯可以直接放置在PWM加熱器控制器216、記憶體302（如圖3所示）、或連接到設置在基座244內的或在外部連接的控制器（例如控制器160）中的PWM加熱器控制器216的另一個儲存設備（未顯示）。因此，PWM加熱器控制器216經配置以相對於其他複數個空間可調式加熱器214中的每一者，及相對於主電阻加熱器212，獨立地且單獨地控制複數個空間可調式加熱器214中的每一的輸出。
處理腔室120中的基板118的表面的溫度可能受到泵抽空處理氣體、狹縫閥、電漿、及其他因素的影響。控制器160可以具有用於基板118的溫度分佈圖，以獲得高品質的處理結果。控制器160可以從計量設備或其他處理設備接收輸入，以校正基板118的處理結果中的偏差或不利趨勢。例如，基板118的一個區域可以比基板118的另一區域更快地被處理。控制器160可以向空間可調式加熱器214發訊號，以在處理速率偏離的區域中調整基板118的表面溫度，例如執行校準處理。控制器160可以以具有不同處理速率的區域的形狀相似的圖案，來調整空間可調式加熱器214。透過將溫度分佈的變化減小到大約攝氏+/-0.3度，可以調節空間可調式加熱器214，以改善由主電阻加熱器212產生的基板118的表面的溫度分佈。透過使用空間可調節的加熱器214，可以使溫度分佈均勻或以預定方式在基板118的整個區域內精確地變化，以獲得所需的結果。使用獨立可控制的空間可調式加熱器214來平滑化或校正由主電阻加熱器212產生的溫度分佈，賦能將整個基板上的局部溫度均勻性控制在非常小的公差，因而使得在處理基板118時能夠對整個靜電卡盤210進行精確的處理。另外，相對於主電阻加熱器212而言，空間可調式加熱器214的小尺寸和高密度，賦能在靜電卡盤210上的特定位置處進行溫度控制，而基本上不影響相鄰區域的溫度，因而允許對局部熱點和冷點進行補償，以獲得所需的溫度分佈，以及增強局部溫度控制。
可以理解的是，在構造成與300mm基板一起使用的基板支撐組件200的已知實施例中，可以存在約100至約400個或甚至更多個空間可調式加熱器214。對於450mm或更大的基板，可以理解甚至更多的空間可調式加熱器214。以下參照圖4進一步描述空間可調式加熱器214的示例性分佈。在一個實例中，在圖1-2中描繪的實例中，有大約150至大約300個之間的空間可調式加熱器214。
圖3描繪了如虛線所示在RF環境351中設置在基座244上的控制板250的方塊圖。如上所述，控制板250包括設置在其中的PWM加熱器控制器216。PWM加熱器控制器216耦接到可以被無線控制的處理器304。處理器304可以將命令或訊號發送到PWM加熱器控制器216。可以預先設置命令或訊號以控制發送到PWM加熱器控制器216的設定點，以進一步控制個別加熱器212、214。處理器304可以直接無線地受控制器160控制或與控制器160通訊，或藉由一外部控制器338電連接到處理器304。外部控制器338可以進一步以任何合適的方式與控制器160通訊。
PWM加熱器控制器216係耦接到一隔離器308。隔離器308從PWM加熱器控制器216接收PWM訊號。隔離器308可以是光隔離器。隔離器308係進一步耦接到一開關裝置306。PWM加熱器控制器216可以接通或斷開開關裝置306中的一或多個，該開關裝置還耦接到加熱元件311。加熱元件311與空間可調式加熱器214和主電阻加熱器212連接，以提供對設置在靜電卡盤210中的空間可調式加熱器214與主電阻加熱器212的單獨控制。PWM加熱器控制器216可以藉由開關裝置306控制施加到加熱元件311的佔空比、電壓、電流、或電力的持續時間中的至少一或多個。在一實施例中，PWM加熱器控制器216接收設定引腳的佔空比的一命令，或接收來自控制器160及/或來自處理器304的輸出。然後，PWM加熱器控制器216根據該設定的佔空比來接通和斷開開關裝置306。透過增加和減小該佔空比，PWM加熱器控制器216可以控制開關裝置306接通的時間量與開關裝置306斷開的時間量。當接通時，開關裝置306向加熱元件311提供電力和控制。透過控制開關裝置306的佔空比，可以高精度地控制輸送到加熱元件311的電量。PWM加熱器控制器216可以切換開/關狀態，或者控制耦接到加熱元件311的個別空間可調式加熱器214與主電阻加熱器212的佔空比。替代地或附加地，PWM加熱器控制器216可以控制輸送到耦接至加熱元件311的個別加熱器212、214的電量。需注意的是，控制板250可以包括複數個PWM加熱器控制器216，並且每個PWM加熱器控制器216可以控制複數個開關裝置306（例如，電晶體、閘流體、雙向三極體等）以及耦接到那些開關裝置306的元件。
PWM加熱器控制器216可以透過調節提供給個別加熱器212、214的電力參數來控制個別加熱器212、214的溫度。輸入到PWM加熱器控制器216以控制各個加熱器212、214的溫度的輸入命令，可以來自處理器304的使用者輸入，其可以進一步藉由控制器160無線控制或通訊。在一實施例中，可以透過增加對個別加熱器214的電力來調節溫度。例如，可以增加透過提供給加熱元件的電力的百分比（例如增加9％）來獲得溫度上升。在另一個實施例中，可以透過打開和關閉加熱元件循環來調節溫度。在又一個實施例中，可以透過循環和逐步調節對每個加熱元件的電力的組合來調節溫度。可以使用該方法而得到溫度分佈（例如，圖）。溫度分佈可以將溫度與每個個別的加熱元件的電力分佈曲線相關聯。接著，將這種溫度分佈傳輸到PWM加熱器控制器216，再傳輸到處理器304。因此，個別加熱元件可用來依據一程式來產生基板上的一溫度分佈，該程式調節來自PWM加熱器控制器216並進一步到處理器304的個別的加熱元件的電力設置。邏輯可以直接放置在PWM加熱器控制器216、處理器304、或另一個處理裝置（例如包含在控制板250中的記憶體302）中。應注意的是，所測量並校準的溫度分佈可以儲存在記憶體302中，記憶體302可以與處理器304通訊以供重複使用，或者可以與資料庫通訊以用於將來的校準。
在一些實例中，處理器304可操作用於在施加高於預定閾值的電力時，自動執行儲存在記憶體302中的指令，從而可以根據需要自動觸發溫度校準程序。
控制板250另外包括一或多個感測器，例如第一感測器314與第二感測器316。第一感測器314與第二感測器316可以是類比感測器，並且可以連接到類比訊號接收器312，該類比訊號接收器312可以從第一感測器314與第二感測器316接收類比測量訊號。從類比訊號接收器312接收到的類比測量訊號接著被發送到處理器304，以將類比測量訊號轉換成數位測量訊號。經轉換的數位電測量訊號接著被轉換為數位光學測量訊號或其他測量訊號，以輸出到數位訊號輸出310，該數位訊號輸出310可以進一步將該訊號傳輸至PWM加熱器控制器216以進行加熱元件控制。第一感測器314及/或第二感測器316可以替代地是數位感測器，其向處理器304輸出數位測量訊號，該些數位測量訊號可以進一步被發送到PWM加熱器控制器216。
外部控制器338係電連接到處理器304。RF濾波器204係設置在處理器304與外部控制器338之間。外部控制器338包括對外部控制器338的組件供電的一第一電源336及對設於控制板250中的處理器304供電的一第二電源330。第一電源336耦接到電源344，且第二電源330也耦接到電源344。第二電源330透過AC接觸器355耦接到電源344。第一電源336可以包括電流/電壓夾箝，例如外部控制器338中的單個電流/電壓夾箝，其可以測量或監視第一電源336的電壓位準。RF濾波器204將第二電源330與控制板250分開。如上所述，RF濾波器204濾除由RF環境351引入到電力線的RF噪聲，以保護外部控制器338。在一實例中，第二電源330向處理器304提供約9伏特至40伏特範圍內的電壓電力。
外部控制器338還包括可以與控制器160通訊的處理裝置334。處理裝置334可以由第一電源336供電。處理裝置334包括簡單數位輸入、數位輸出、類比輸入、及類比輸出介面，其可以從ECAT（例如，EtherCAT或以太控制自動化技術）輸入埠340及ECAT輸出埠342與ECAT輸出埠342接收訊號，或從以太網TCP-IP接收訊號。處理裝置334與控制器160通訊以提供命令與訊號至處理裝置334。RF環境351外部的ECAT輸入埠340與ECAT輸出埠342以及控制板250，可根據需要進一步將訊號或命令發送到處理裝置334。控制器160產生命令，並且根據使用者輸入將命令發送到處理裝置334。例如，使用者可以提供選擇製程配方並發出命令以執行該製程配方的輸入。處理裝置334可以依據從控制器160接收的命令來產生一或多個附加命令。例如，控制器160可以向處理裝置334發送一命令，該命令使處理裝置334依需要產生用於ECAT輸入埠340與ECAT輸出埠342的指令，及用於控制板250的另一指令。指令可以是類比訊號或數位訊號。因此，處理裝置334能夠生成用於控制在RF環境351內部與RF環境351外部的多種不同類型的數位與類比裝置的命令。
因此，外部控制器338中的第一與第二電源336、330主要用於向處理裝置334和控制板250供電，以對靜電卡盤210中的各個加熱器212、214執行溫度校準程序。因此，利用了外部控制器338的相對緊湊的架構。通常存在於傳統控制器中的一可編程邏輯控制器（PLC）或一編程處理器，可被消除以節省空間，並減少外部控制器338的佔地面積。來自第一與第二電源336、330的相對可預測的低位準的電力，可以用於透過PWM加熱器控制器216為加熱元件311供電。因此，第二電源330（或第一電源336）中的一個電流鉗，通常足以控制外部控制器338中用來為控制板250中的加熱元件311供電的電壓和電流位準。
在該實施例中，當靜電卡盤斷電時，可以依據需要從第二電源330透過處理器304向記憶體302供電，以存取資訊（例如，資料或溫度分佈圖）。例如，溫度分佈圖及/或加熱器電力調節分佈圖，可以透過利用外部控制器338中的第二電源330的控制依據需要而離線存取。因此，即使處理腔室或靜電卡盤離線並且不在操作中，也可以容易地存取儲存在靜電卡盤的記憶體302中的資訊。
圖4是靜電卡盤210的頂視圖，其圖示出了其中具有空間可調式加熱器214的單元410、412的示例性佈局。單元410、412可具有用作相鄰單元410、412之間的熱扼流器411的材料（或間隙）。熱扼流器411分離並減少相鄰單元410、412之間的傳導。因此，透過單獨和獨立地控制提供給每個單元410、412中的每個空間可調式加熱器214的電力，實現了用於控制溫度的局部方法，該方法賦能加熱或冷卻基板118的特定點，從而真正實現可尋址的橫向溫度分佈的調節及對基板118表面的控制。
熱扼流器411設置在每個相鄰的單元410、412之間。每個單元410、412具有與其相關聯的至少一個空間可調式加熱器214。所示的單元410、412的數量僅用於說明，並且任何數量的實施例可具有實質上更多（或更少）的單元410、412。空間可調式加熱器214的數量可以比主電阻加熱器212的數量至少大一個數量級。位在整個基板支撐組件200的空間可調式加熱器214的數量，可以容易地超過三百，例如大於五百。
空間可調節加熱器214可配置成一圖案，以有效地沿著靜電卡盤210的表面產生熱分佈。該圖案可以關於靜電卡盤210的中心點401對稱或不對稱。每個空間可調式加熱器214可由控制器160透過從處理器304無線控制的PWM加熱器控制器216來控制。PWM加熱器控制器216可以接通定義一局部區域的一單個空間可調式加熱器214；或複數個空間可調式加熱器214，其被分組以定義不同的同心區域或一卡式網格，例如不同的同心區域402、404、406、408，或其他所需的幾何構造，包括用於確定一所需溫度分佈的非連續配置。以這種方式，可以沿著靜電卡盤210的表面在獨立的位置處精確地控制溫度，這種獨立的位置不限於同心環，或本領域中已知的其他中心到邊緣的構造。
在圖4所示的實例中，空間可調式加熱器214係佈置在複數個同心區域402、404、406、408中所定義的同心通道中，從而定義了個別溫度可控單元410、412的極性。複數個同心區402、404、406、408係圍繞靜電卡盤210的中心點401而定義出的。每個同心區402、404、406、408中的空間可調式加熱器214的同心通道模式可以選擇由熱扼流器411隔開。可設想的是，空間可調式加熱器214和單元410、412可以以其他方向佈置。應當理解，如上所述，空間可調式加熱器214可以成組或單個被啟動，包括在一單個區域內的獨立控制。
空間可調式加熱器214的數量和密度有助於將基板上的溫度均勻性控製到非常小的公差的能力，這使得在處理基板118時能夠進行精確的處理。另外，相對於另一個空間可調式加熱器214對一個空間可調式加熱器214的單獨控制，賦能在沿著基板支撐組件200的表面的離散位置處進行溫度控制，而基本上不影響該表面的相鄰或鄰近區域的溫度。此功能允許對局部熱點與冷點進行補償。空間可調式加熱器214可以具有在大約攝氏0.0度與大約攝氏50.0度之間的一個別溫度範圍，並且具有以大約攝氏0.1度的增量的控制溫度上升的能力。在一個實施例中，基板支撐組件200中的複數個空間可調式加熱器214與主電阻加熱器212相結合，已說明了能夠將在其上處理的基板118的溫度均勻性控制為小於約±0.3攝氏度。因此，空間可調式加熱器214允許在基板支撐組件200上處理的基板118的橫向溫度分佈的橫向調節與方位角調節。
個別加熱器212、214可以由軟體常式控制。該軟體可以結合當前的基板溫度分佈圖及校準方法，以調節處理腔室120中基板118的溫度分佈。
圖5記載了可以利用個別可控制的個別加熱器212、214來校準基板支撐溫度的程序500。可以將程序500儲存在控制器160或控制板250中的記憶體302中，使得在預防性維護或在客戶端現場（或製造地點以外的其他位置）進行其他服務之後，可以容易地存取以執行校準程序校準。該流程圖可以被實現為計算裝置上的一軟體常式。空間可調式加熱器是可獨立控制的，並決定在其上處理的基板的溫度分佈。控制器可以透過控制分別施加到每個個別的空間可調式加熱器相對於彼此的佔空比、電壓、電流、電力的持續時間中的至少一個或多個，來改變一個空間可調式加熱器相對於另一空間可調式加熱器所產生的熱量。如上所述，提供給空間可調式加熱器的電力還可以在複數個加熱器之間同時提供，或者可替代地，順序地掃描所有個別空間可調式加熱器。在基板支撐組件上可處理一工件（例如基板118），以幫助收集和校準基板支撐組件200上的溫度分佈。例如，可以在一真空腔室中例如使用電漿製程來處理基板。可以任選地在處理腔室內存在電漿的情況下執行的真空製程，可以是蝕刻、化學氣相沉積、物理氣相沉積、離子注入、電漿處理、退火、氧化物去除、消減或其他電漿製程之一者。可以理解的是，在其他環境中，例如在大氣條件下，對於其他應用，可以在溫度受控制的表面上處理工件。
程序500透過在諸如設置在基板支撐組件200上的基板118之類的基板上執行預定程序，而在操作502處開始。需注意的是，依需要，基板118可以是一普通生產晶片、一校準晶片、或一虛設晶片。預定程序可以是將用於獲得整個基板支撐組件200分佈的溫度分佈的程序。
在操作504，基於在操作502執行的預定程序，獲得預校準的基板溫度分佈。可以由溫度感測器254（如圖2所示）測量溫度分佈，然後將其傳輸到控制器160以進行進一步的處理及/或分析。
在操作506，在分析了預校準的基板溫度分佈並將其與儲存在控制器160及/或記憶體302中的目標溫度分佈進行比較之後，確定溫度偏移（例如，溫度偏差）圖。該溫度偏移（例如，溫度偏差）圖可以進一步確定溫度調節參數。溫度偏移係反饋給溫度調諧器，例如PWM加熱器控制器216或處理器304，以確定調節圖或調節加熱分佈。例如，調節圖可以確定每個單元410、412需要多少溫度升高或降低。因此，可以調節提供給每個空間可調式加熱器214及/或主電阻加熱器212的電力，以向其提供不同位準/電壓電平，這可能影響由空間可調式加熱器214及/或主電阻加熱器212所產生的熱能。結果，可以基於調節圖來調節局部溫度的調整和偏移，以便在整個ESC上提供所需的均勻溫度分佈。
在操作508，使用ESC的調節圖來確定溫度調節參數，以校準位於指定區域中的預定的離散的獨立加熱器212、214。因此，基於從依據溫度偏移（例如，溫度偏差）圖的調節圖確定的溫度調節參數來執行校準程序。可以在靜電卡盤210中同時執行對每個空間可調式加熱器214的控制，從而允許對空間可調式加熱器214進行任何選擇，以快速產生一特定的溫度分佈/圖。可以藉由外部控制器338來提供對從第二電源330到各個空間可調式加熱器214的電力的控制/供應。PWM加熱器控制器216調節提供給每個單獨的空間可調式加熱器214的電力，從而可以從空間可調式加熱器214提供不同的熱能，以局部地控制ESC的溫度設置，以實現所需的溫度分佈。儘管供給一空間可調式加熱器214的電力係經調節，可以關閉其他空間可調式加熱器214，或將其保持在已知的輸出。可替代地，可以同時調節對多個，例如兩個、更多、或全部的空間可調式加熱器214的電力。可能存在150個或更多的空間可調式加熱器214，每個空間可調式加熱器214都被單獨控制以獲得可定制的熱量輸出。例如，處理器304可以指示PWM加熱器控制器216向一個空間可調式加熱器，例如空間可調式加熱器x提供20％的電力，以在與該加熱器相鄰的第一位置中實現大約攝氏1度的溫度增加。處理器304可同時指示PWM加熱器控制器216向一第二空間可調式加熱器，例如空間可調式加熱器y提供80％的電力，以在與該加熱器相鄰的第二位置中實現大約攝氏4度的溫度增加。以這種方式，可以同時單獨控制多達100％的空間可調式加熱器，以建立唯一的溫度分佈。
傳統地，一些光學通訊，例如光纖連接或光學饋通，可以被用來輔助傳輸信號以確定用於調節加熱器的調節參數。然而，這種光通訊通常需要設置在基板支撐組件200中的附加光學裝置，這可能會不利地增加了製造成本或測量複雜度。相反地，在本案中，在來自溫度感測器254的反饋控制之後，PWM加熱器控制器216、處理器304、及第二電源330之間的方向通訊可以消除這種光學裝置的使用。因此，可以獲得基板支撐組件200的緊湊結構以及控制板250的簡單設計，以增強資料通訊並簡化車削製程控制。此外，來自處理器304的無線介面還可以以更即時、有效、和動態的方式幫助控制溫度的變化。第二電源330可以同時透過PWM加熱器控制器216向一個空間可調式加熱器214提供電力，同時使另一空間可調式加熱器214循環，並且使其他空間可調式加熱器214以不同的重疊時間間隔循環。以這種方式，空間可調式加熱器214可以具有跨基板支撐件的溫度分佈，該溫度分佈被製成為匹配從調節圖所設置的溫度調節參數。
在操作510，在校準程序完成之後，該調節圖以及其他資訊（例如溫度偏差或偏移圖）、從第二電源330提供的電力、來自PWM加熱器控制器216的命令及確定的調節參數，可以儲存在記憶體302中，控制器160及/或處理器304可以容易地存取並讀取這些參數。在進行預防性維護之後或在需要的任何合適情況下，可以重複地參考儲存在記憶體302中的調節圖以及溫度偏移與偏差分佈，及已確定的調節參數，以校準基板支撐組件200的溫度分佈。
圖6A與6B是在溫度校準程序之前與之後的基板118的溫度分佈。在操作504的溫度測量之後，可以獲得預校準的基板溫度分佈或圖602，如圖6A所示。在圖6A的實例中，預校準的基板溫度分佈602可以處於不對稱配置，其具有大致三個不同的溫度區域610、612、613。第一區域612形成為稍微偏離中心並且比第二區域613和第三區域610具有更高的溫度。在第一區域612處的相對較高的溫度，可能以與第二區域和第三區域613、610不同的速率不利地處理基板。在操作508的溫度校準程序完成之後，可以透過增加提供給位於第二區域613和第三區域610中的加熱器214的電力，來增加第二區域613和第三區域610中的溫度。可替代地，可以透過減小供應到位於第一區域612中的加熱器214的電力來降低第一區域612中的溫度。因此，在溫度校準之後，校準的溫度分佈（例如，溫度圖）650在整個基板上基本上更均勻，如圖6B所示，其中中心區域652具有所需的溫度範圍，而小邊緣區域654具有比中心區域652略低或較高的溫度。因此，在整個基板支撐組件200上獲得了均勻的溫度分佈。
有利地，在基板處理程序期間，校準程序可以提供並控制整個基板支撐組件的溫度均勻性。各個空間可調式加熱器可用於促進局部溫度控制及補償，以增強整個基板支撐組件的溫度均勻性。使用來自供應給PWM加熱器控制器216的電力的直接通訊，可以進一步用於調節從空間可調式加熱器產生的熱量，可以在不使用傳統光學裝置進行測量的情況下提供對溫度分佈的有效且簡單的控制。因此，空間可調式加熱器調節該溫度分佈以補償隨時間的變化。
儘管前述內容針對本發明的實現，但是在不脫離本發明的基本範圍的情況下，可以設計本發明的其他和進一步的應用，而本發明的範圍係由所附申請專利範圍來確定。
100:多腔室真空處理系統 102:處理工具 110:真空密封處理平台 114:移送腔室機械手 118:基板 120:腔室 130:移送腔室 132:裝載閘腔室 134:裝載閘腔室 140:工廠介面（FI） 142:FI機械手 144:前開式晶片盒（FOUP） 150:計量站 152:計量腔室 160:系統控制器 180:預先處理控制器（APC） 182:資料庫 184:運算平台 200:基板支撐組件 202:工件支撐表面 203:安裝表面 204:RF濾波器 205:支撐基座 206:夾持電源 207:卡盤電極 208:嵌入介電體 210:靜電卡盤 212:主電阻加熱器 214:空間可調式加熱器 216:脈寬調節（PWM）加熱器控制器 218:RF濾波器 222:加熱器電源 244:底座基座 250:控制板 252:溫度感測器控制器 254:溫度感測器 260:冷卻基座 262:傳熱流體源 290:導管 302:記憶體 304:處理器 306:開關裝置 308:隔離器 310:數位訊號輸出 311:加熱元件 312:類比訊號接收器 314:第一感測 316:第二感測 330:第二電源 334:處理裝置 336:第一電源 338:外部控制器 340:ECAT輸入埠 342:ECAT輸出埠 344:電源 351:RF環境 355:AC接觸器 401:中心點 402:同心區域 404:同心區域 406:同心區域 408:同心區域 410:單元 411:熱扼流器 412:單元 500:程序 502:操作 504:操作 506:操作 508:操作 510:操作 602:溫度分佈 610:第三區域 612:第一區域 613:第二區域 650:溫度分佈 652:中心區域 654:小邊緣區域
為了可以詳細地理解本發明的上述特徵的方式，可以透過參考實施例來對本發明進行更具體的描述，上文對本發明進行了簡要概述，其中一些實施例在附圖中圖示出。然而，應注意的是，附圖僅示出了本發明的典型實施例，因此不應視為對本發明範圍的限制，因為本發明可以允許其他等效實施例。
圖1是具有至少一個處理腔室的多腔室真空處理系統的示意性頂視圖；
圖2是局部剖視側視圖，詳細圖示出了具有空間可調式加熱器的基板支撐組件的各部分；
圖3是適合於儲存和執行其中可以實現本案的實施例的軟體常式的系統的控制架構的方塊圖；
圖4是基板支撐組件的頂視圖，圖示出了空間可調式加熱器的示例佈局；
圖5是根據一實施例的用於對空間可調式加熱器進行溫度校準程序的流程圖；及
圖6A~6B是圖5的溫度校準程序之前與之後的基板溫度分佈。
為了便於理解，在可能的地方使用了相同的附圖標記來表示圖中共有的相同元件。可預期的是，一個實施例中公開的元件可以在沒有具體敘述的情況下有利地用於其他實施例中。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
160:系統控制器
204:RF濾波器
212:主電阻加熱器
214:空間可調式加熱器
216:脈寬調節(PWM)加熱器控制器
250:控制板
302:記憶體
304:處理器
306:開關裝置
308:隔離器
310:數位訊號輸出
311:加熱元件
312:類比訊號接收器
314:第一感測
316:第二感測
330:第二電源
334:處理裝置
336:第一電源
338:外部控制器
340:ECAT輸入埠
342:ECAT輸出埠
344:電源
351:RF環境
355:AC接觸器

Claims (20)

  1. 一種系統，包含： 一基材支撐組件； 一記憶體，其中該記憶體包括一應用程式，該應用程式經配置以在該基板支撐組件上執行一操作， 一控制板，設於該基材支撐組件內，其中該控制板包含： 一處理器，具有一無線介面； 一脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中該處理器係連接至該記憶體，以在操作中從記憶體讀取並存取該應用程式；以及 一加熱元件，耦接至該脈寬調節（PWM）加熱器控制器，其中該加熱元件包含複數個空間可調式加熱器，該些空間可調式加熱器係藉由該脈寬調節（PWM）加熱器控制器而可單獨地調節。
  2. 如請求項1所述的系統，其中該記憶體係位於該控制板內。
  3. 如請求項1所述的系統，其中該記憶體係遠離於該控制板，而位於該基材支撐組件內。
  4. 如請求項1所述的系統，更包含： 一外部控制器，係電耦接至該控制板。
  5. 如請求項4所述的系統，其中該外部控制器更包含： 一第一電源供應器，係電耦接至該處理器。
  6. 如請求項5所述的系統，其中該第一電源供應器係配置以提供電力至該加熱元件。
  7. 如請求項5所述的系統，其中該外部控制器不包含一程式化處理器。
  8. 如請求項5所述的系統，其中該外部控制器更包含一第二電源供應器。
  9. 如請求項5所述的系統，其中該外部控制器包含一單一電流鉗。
  10. 如請求項1所述的系統，其中該處理器是無線可控的。
  11. 如請求項1所述的系統，其中該處理器係可操作以在施加高於一預定閾值的電力時，自動執行儲存在該記憶體中的指令。
  12. 一種在一基板支撐組件上執行一程序的方法，該方法包括步驟： 在一基板支撐組件上執行一預定程序，以在設置在該基板支撐組件上的一基板上獲得一初始溫度分佈，其中該支撐組件具有主加熱器及空間可調式加熱器； 從執行該預定程序的一結果，確定一偏差溫度分佈； 藉由設置於該基材支撐組件內的一處理器，確定調節參數； 響應於該偏差溫度分布，使用該些調節參數將該初始溫度分佈調整為該基板支撐組件上的一目標溫度分佈，其中該調整為該目標溫度分佈的步驟，包括增加提供給一或多個該空間可調式加熱器的電力的步驟；以及 將該些調節參數與該偏差溫度分佈儲存於設置在該基板支撐組件內的一記憶體中。
  13. 如請求項12所述的方法，其中該處理器是無線可控的。
  14. 如請求項12所述的方法，其中該記憶體係設置於一控制板上，該控制板嵌入該基板支撐組件。
  15. 如請求項12所述的方法，其中該增加電力的步驟，係由由設置在設於該基板支撐組件外部的一外部控制器中的一電源供應器來增加。
  16. 如請求項15所述的方法，其中該外部控制器包含一單一電流鉗。
  17. 如請求項12所述的方法，其中該處理器係與該記憶體可通訊，以讀取儲存在該記憶體中的該些調節參數及該偏差溫度分佈。
  18. 如請求項12所述的方法，其中該些空間可調式加熱器被同時供電，並且其中該些空間可調式加熱器中的至少兩個，具有不同的電力輸出百分比。
  19. 一種在一基板支撐組件上執行一程序的方法，該方法包括步驟： 當對設置在該基板支撐組件上的一基板進行一程序時，測量該基板支撐組件的一第一溫度分佈； 藉由設置在該基板支撐組件中的一處理器，透過將該第一溫度分佈與一目標溫度分佈進行比較，來確定一溫度偏移圖； 藉由該處理器確定調節參數，以供該基板支撐組件將該第一溫度分佈校準成該目標溫度分佈；以及 將該些調節參數儲存於設置在該基板支撐組件內的一記憶體中。
  20. 如請求項19所述的方法，其中該處理器是無線可控的以執行該些調節參數的步驟。
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