TW202026843A - 電容式觸控偵測電路 - Google Patents

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張智凱
陳治雄
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許有津
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Abstract

一種電容式觸控偵測電路，包含運算放大器、並接電容、串接電容、偵測電容、測試電容、第一~第八開關及第一~第二電流源。並接電容耦接運算放大器之第一輸入端與輸出端。串接電容與偵測電容串接於第一輸入端與接地端之間。測試電容耦接第二接點與接地端。第一開關耦接工作電壓與第一接點。第二開關耦接第一接點與接地端。第三開關耦接第二接點與接地端。第四開關耦接工作電壓與第二接點。第一電流源與第五開關串接於工作電壓與第一接點之間。第六開關與第二電流源串接於第一接點與接地端之間。第七開關耦接第二及第三接點。第八開關並聯並接電容。

Description

電容式觸控偵測電路
本發明係與觸控偵測有關，尤其是關於一種電容式觸控偵測電路。
如圖1所示，於自電容觸控偵測電路1中，在充電相位時，開關S1斷開且開關S2導通，致使偵測電容Cb之一端耦接至輸入電壓VIN；在導通相位時，開關S2斷開且開關S1導通，致使偵測電容Cb之一端耦接至切換電容電路10。
切換電容電路10包含運算放大器OP、並接電容Cop及開關S3。並接電容Cop與並接電容Cop並聯耦接於運算放大器OP的第一輸入端-與輸出端J之間。運算放大器OP的第二輸入端+耦接參考電壓VCM，使得偵測電容Cb之一端的電位變為參考電壓VCM。在未觸控的情況下，偵測電容Cb所儲存的電荷轉移至切換電容電路10輸出一輸出電壓Vout做為基準輸出電壓。
一旦偵測電容Cb產生變化(例如在觸控的情況下)，在導通相位時因電容值增加而使偵測電容Cb儲存的電荷增加，偵測電容Cb所儲存的電荷轉移至切換電容電路10輸出的輸出電壓Vout’會低於基準輸出電壓Vout，而兩者之間的差值即為可偵測電位，其變化量與並接電容Cop成反比。
一般自電容觸控偵測的缺點在於：當並接電容Cop愈小時，雖可使得可偵測電位的變化量愈大而愈容易偵測，但相對也會將雜訊放大。一旦輸出因雜訊而飽和，此時即使偵測電容Cb產生變化亦無法影響輸出，可偵測電位的變化量即會失效。因此，並接電容Cop通常具有數pF以上的電容值，佔用相當大的晶片面積，造成晶片面積無法有效縮減且生產成本難以降低。
有鑑於此，本發明提出一種電容式觸控偵測電路，以有效解決先前技術所遭遇到之上述問題。
根據本發明之一具體實施例為一種電容式觸控偵測電路。於此實施例中，電容式觸控偵測電路包含運算放大器、並接電容、串接電容、偵測電容、測試電容、第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第一電流源、第二電流源、第五開關、第六開關、第七開關及第八開關。運算放大器具有第一輸入端、第二輸入端及輸出端。第二輸入端接收參考電壓。並接電容耦接於運算放大器之第一輸入端與輸出端之間。串接電容耦接於運算放大器之第一輸入端與第一接點之間。偵測電容耦接於第一接點與接地端之間。測試電容耦接於第二接點與接地端之間。第一開關耦接於工作電壓與第一接點之間。第二開關耦接於第一接點與接地端之間。第三開關耦接於接地端與第二接點之間。第四開關耦接於工作電壓與第二接點之間。第一電流源耦接工作電壓。第二電流源耦接接地端。第五開關耦接於第一電流源與第一接點之 間。第六開關耦接於第一接點與第二電流源之間。第七開關耦接於第二接點與第三接點之間，其中第三接點位於串接電容與運算放大器之第一輸入端之間。第八開關與並接電容並聯而耦接於運算放大器之第一輸入端與輸出端之間。
於一實施例中，當電容式觸控偵測電路操作於第一充電相位時，第二開關、第三開關及第八開關導通且第一開關、第四開關、第五開關、第六開關及第七開關斷開，致使第一接點及第二接點均耦接接地端，第二接點與第三接點彼此斷開，運算放大器之第一輸入端一與輸出端彼此耦接，運算放大器之輸出端所輸出之輸出電壓等於參考電壓。
於一實施例中，當電容式觸控偵測電路操作於第一轉移相位時，第五開關及第七開關導通且第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第六開關及第八開關斷開，第二接點與第三接點彼此耦接，第一電流源提供第一基準補償電流至第一接點，致使第一接點具有第一電壓。
於一實施例中，第一基準補償電流係和第一電壓、參考電壓、串接電容及偵測電容有關，且第一電壓與參考電壓之比例係和測試電容與串接電容之比例有關。
於一實施例中，當電容式觸控偵測電路操作於第二充電相位時，第一開關、第四開關及第八開關導通且第二開關、第三開關、第五開關、第六開關及第七開關斷開，致使第一接點N1及第二接點均耦接工作電壓，第二接點與第三接點彼此斷開， 運算放大器之第一輸入端與輸出端彼此耦接。
於一實施例中，當電容式觸控偵測電路操作於第二轉移相位時，第六開關及第七開關導通且第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關及第八開關斷開，第二接點與第三接點彼此耦接第二電流源從第一接點提供第二基準補償電流至接地端，致使第一接點具有第二電壓。
於一實施例中，第二基準補償電流係和第二電壓、參考電壓、工作電壓、串接電容及偵測電容有關，且工作電壓減去第二電壓後之電壓值與參考電壓之比例係和測試電容與串接電容之比例有關。
於一實施例中，當偵測電容改變時，運算放大器之輸出端所輸出之輸出電壓亦隨之改變。
於一實施例中，輸出電壓之輸出電壓變化量在第一充電-轉移相位中係和偵測電容之偵測電容變化量、偵測電容、串接電容、並接電容及第一接點之第一電壓有關。
於一實施例中，第一電壓與參考電壓之比例係和測試電容與串接電容之比例有關。
於一實施例中，輸出電壓之輸出電壓變化量在第二充電-轉移相位中係和偵測電容之偵測電容變化量、偵測電容、串接電容、並接電容及工作電壓減去第一接點之第二電壓後之電壓值有關。
於一實施例中，工作電壓減去第二電壓後之電壓值 與參考電壓之比例係和測試電容與串接電容之比例有關。
相較於先前技術，本發明之電容式觸控偵測電路透過其內部設置有串接電容(Cs)及測試電容(Ct)來有效降低所需之並接電容(Cop)的電容值，藉以達到有效縮減晶片面積及降低生產成本之功效，其優點如下：
(1)可增加偵測變化量。
(2)可透過具有較小電容值之串接電容(Cs)、測試電容(Ct)及並接電容(Cop)的組合達到與傳統的電容式觸控偵測電路中之並接電容(Cop)相同的偵測變化量。
(3)可增加抑制雜訊之能力。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1、2、4‧‧‧電容式觸控偵測電路
10‧‧‧切換電容電路
OP‧‧‧運算放大器
+‧‧‧第二輸入端
-‧‧‧第一輸入端
J‧‧‧輸出端
S1~S8‧‧‧第一開關~第八開關
Cb‧‧‧偵測電容
Cop‧‧‧並接電容
VCM‧‧‧參考電壓
VIN‧‧‧輸入電壓
Vout、Vout’‧‧‧輸出電壓
GND‧‧‧接地端
VDD‧‧‧工作電壓
Cs‧‧‧串接電容
Ct‧‧‧測試電容
IH‧‧‧第一電流源
IL‧‧‧第二電流源
N1~N3‧‧‧第一接點~第三接點
VH‧‧‧第一電壓
VL‧‧‧第二電壓
R‧‧‧電阻
PAD、PAD’‧‧‧接觸墊電壓
△Vout‧‧‧輸出電壓變化量
t1~t2‧‧‧時間
圖1係繪示先前技術之自電容觸控偵測電路1的示意圖。
圖2係繪示根據本發明之一較佳具體實施例中之自電容觸控偵測電路2的示意圖。
圖3A至圖3D分別繪示電容式觸控偵測電路操作於第一充電相位(Charge Phase H)、第一轉移相位(Transfer Phase H)、第二充電相位(Charge Phase L)及第二轉移相位(Transfer Phase L)時之示意圖。
圖4係繪示假設偵測電容Cop=100p、串接電容 Cs=0.2p、測試電容Ct=0.28p、並接電容Cop=0.15p及電阻R=2k時之電容式觸控偵測電路4的模擬示意圖。
圖5係繪示根據圖4的電容式觸控偵測電路4模擬偵測到的輸出電壓變化量為12.7mV的時序圖。
根據本發明之一具體實施例為一種電容式觸控偵測電路。於此實施例中，電容式觸控偵測電路為自電容(Self-capacitive)觸控偵測電路，但不以此為限。
請參照圖2，圖2係繪示此實施例中之電容式觸控偵測電路2的示意圖。
如圖2所示，電容式觸控偵測電路2可包含運算放大器OP、並接電容Cop、串接電容Cs、偵測電容Cb、測試電容Ct、第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3、第四開關S4、第一電流源IH、第二電流源IL、第五開關S5、第六開關S6、第七開關S7及第八開關S8。
運算放大器OP具有第一輸入端-、第二輸入端+及輸出端J。其中，第一輸入端-耦接串接電容Cs；第二輸入端+接收參考電壓VCM。並接電容Cop耦接於運算放大器OP之第一輸入端-與輸出端J之間。
串接電容Cs耦接於運算放大器OP之第一輸入端-與第一接點N1之間。偵測電容Cb耦接於第一接點N1與接地端GND之間。測試電容Ct耦接於第二接點N2與接地端GND之間。
第一電流源IH耦接於工作電壓VDD與第五開關S5之間。第二電流源IL耦接於第六開關S6與接地端GND之間。
第一開關S1耦接於工作電壓VDD與第一接點N1之間。第二開關S2耦接於第一接點N1與接地端GND之間。第三開關S3耦接於接地端GND與第二接點N2之間。第四開關S4耦接於工作電壓VDD與第二接點N2之間。
第五開關S5耦接於第一電流源IH與第一接點N1之間。第六開關S6耦接於第一接點N1與第二電流源IL之間。第七開關S7耦接於第二接點N2與第三接點N3之間，其中第三接點N3位於串接電容Cs與運算放大器OP之第一輸入端-之間。第八開關S8與並接電容Cop並聯而耦接於運算放大器OP之第一輸入端-與輸出端J之間。
需說明的是，本發明的電容式觸控偵測電路2可透過控制其第一開關S1~第八開關S8之開啟或關閉而分別操作於下列四個相位：第一充電相位(Charge Phase H)、第一轉移相位(Transfer Phase H)、第二充電相位(Charge Phase L)及第二轉移相位(Transfer Phase L)。
於實際應用中，電容式觸控偵測電路2可操作於第一充電相位(Charge Phase H)及第一轉移相位(Transfer Phase H)完成觸控偵測；電容式觸控偵測電路2可操作於第二充電相位(Charge Phase L)及第二轉移相位(Transfer Phase L)完成觸控偵測；電容式觸控偵測電路2亦可將兩者搭配而操作於第一充電相位(Charge Phase H)、第一轉移相位(Transfer Phase H)、第二充電相位(Charge Phase L)及第二轉移相位(Transfer Phase L)完成觸控偵測，以達到抑制雜訊之效果。
接著，將透過下列實施例分別針對電容式觸控偵測電路2操作於四個不同相位的情況進行說明。
請參照圖3A至圖3D。圖3A至圖3D分別繪示電容式觸控偵測電路2操作於第一充電相位(Charge Phase H)、第一轉移相位(Transfer Phase H)、第二充電相位(Charge Phase L)及第二轉移相位(Transfer Phase L)時之示意圖。需說明的是，圖3A至圖3D僅繪示出各開關有導通的部分，至於各開關斷開的部分則省略而未繪示。
如圖3A所示，當電容式觸控偵測電路2操作於第一充電相位(Charge Phase H)時，電容式觸控偵測電路2控制第二開關S2、第三開關S3及第八開關S8導通(ON)且第一開關S1、第四開關S4、第五開關S5、第六開關S6及第七開關S7斷開(OFF)。此時，第一接點N1及第二接點N2均耦接至接地端GND，第二接點N2與第三接點N3彼此斷開，運算放大器OP之第一輸入端一與輸出端J彼此耦接，運算放大器OP之輸出端J所輸出之輸出電壓Vout等於參考電壓VCM。
如圖3B所示，當電容式觸控偵測電路2操作於第一轉移相位(Transfer Phase H)時，電容式觸控偵測電路2控制第五開關S5及第七開關S7導通(ON)且第一開關S1、第二開關S2、第三開關 S3、第四開關S4、第六開關S6及第八開關S8斷開(OFF)。此時，第二接點N2與第三接點N3彼此耦接，第一電流源IH提供第一基準補償電流至第一接點N1，致使第一接點N1具有第一電壓VH。
於實際應用中，第一電流源IH提供的第一基準補償電流係和第一電壓VH、參考電壓VCM、串接電容Cs及偵測電容Cb有關，且第一電壓VH與參考電壓VCM之比例係和測試電容Ct與串接電容Cs之比例N有關，例如VH/VCM=Ct/Cs=N，但不以此為限。
舉例而言，假設電容式觸控偵測電路2操作於第一轉移相位之時間長度為T，第一電流源IH提供的第一基準補償電流可等於[(VH-VCM)*Cs+VH*Cb]/T，但不以此為限。
如圖3C所示，當電容式觸控偵測電路2操作於第二充電相位(Charge Phase L)時，電容式觸控偵測電路2控制第一開關S1、第四開關S4及第八開關S8導通(ON)且第二開關S2、第三開關S3、第五開關S5、第六開關S6及第七開關S7斷開(OFF)。此時，第一接點N1及第二接點N2均耦接工作電壓VDD，第二接點N2與第三接點N3彼此斷開，運算放大器OP之第一輸入端一與輸出端J彼此耦接，運算放大器OP之輸出端J所輸出之輸出電壓Vout等於參考電壓VCM。
如圖3D所示，當電容式觸控偵測電路2操作於第二轉移相位(Transfer Phase L)時，電容式觸控偵測電路2控制第六開關S6及第七開關S7導通(ON)且第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3、第四開關S4、第五開關S5及第八開關S8斷開(OFF)。此時， 第二接點N2與第三接點N3彼此耦接，第二電流源IL從第一接點N1提供第二基準補償電流至接地端GND，致使第一接點N1具有第二電壓VL。
於實際應用中，第二電流源IL提供的第二基準補償電流係和第二電壓VL、參考電壓VCM、工作電壓VDD、串接電容Cs及偵測電容Cb有關，且工作電壓VDD減去第二電壓VL的電壓值與參考電壓VCM之比例係和測試電容Ct與串接電容Cs之比例(N)有關，例如(VDD-VL)/VCM=Ct/Cs=N，但不以此為限。
舉例而言，假設電容式觸控偵測電路2操作於第二轉移相位之時間長度為T，第二電流源IL提供的第二基準補償電流可等於[(VCM-VL)*Cs+(VDD-VL)*Cb]/T，但不以此為限。
由上述可知：當電容式觸控偵測電路2由第一充電相位(Charge Phase H)切換至第一轉移相位(Transfer Phase H)時，可得到第一電流源IH所提供的第一基準補償電流；當電容式觸控偵測電路2由第二充電相位(Charge Phase L)切換至第二轉移相位(Transfer Phase L)時，可得到第二電流源IL所提供的第二基準補償電流。
於實際應用中，若偵測電容Cb產生變化，運算放大器OP之輸出端J所輸出之輸出電壓Vout亦會隨之改變。
若以第一充電-轉移相位(亦即第一充電相位與第一轉移相位)為例，假設偵測電容Cb的偵測電容變化量為△Cb，則輸出電壓Vout在第一充電-轉移相位下之輸出電壓變化量△Vout 係和偵測電容Cb之偵測電容變化量△Cb、偵測電容Cb、串接電容Cs、並接電容Cop及第一接點N1之第一電壓VH有關，但不以此為限。舉例而言，輸出電壓變化量△Vout可用下列公式1表示：△Vout=[△Cb/(Cb+Cs)]*VH*(Cs/Cop) (公式1)
由公式3可知：在第一充電-轉移相位下之輸出電壓變化量△Vout係和第一電壓VH成正比、和串接電容Cs與並接電容Cop之比例成正比，但和偵測電容Cb成反比。
此外，第一電壓VH與參考電壓VCM之比例係和測試電容Ct與串接電容Cs之比例(N)有關，因此可透過調整測試電容Ct與串接電容Cs之比例(N)增加第一電壓VH，最高可增加至工作電壓VDD，以增加輸出電壓變化量△Vout，但不以此為限。
若以第二充電-轉移相位(亦即第二充電相位與第二轉移相位)為例，輸出電壓Vout在第二充電-轉移相位下之輸出電壓變化量△Vout係和偵測電容Cb之偵測電容變化量△Cb、偵測電容Cb、串接電容Cs、並接電容Cop及工作電壓VDD減去第一接點N1之第二電壓VL後之電壓值有關。舉例而言，輸出電壓變化量△Vout可用下列公式2表示：△Vout=[△Cb/(Cb+Cs)]*(VDD-VL)*(Cs/Cop) (公式2)
由公式4可知：在第二充電-轉移相位下之輸出電壓變化量△Vout係和工作電壓VDD減去第二電壓VL後之電壓值成正比、和串接電容Cs與並接電容Cop之比例成正比，但和偵測電容Cb成反比。
此外，工作電壓VDD減去第二電壓VL後之電壓值與參考電壓VCM之比例係和測試電容Ct與串接電容Cs之比例(N)有關，因此可透過調整測試電容Ct與串接電容Cs之比例(N)降低第二電壓VL，使得工作電壓VDD減去第二電壓VL後之電壓值增加，以增加輸出電壓變化量△Vout，但不以此為限。
接著，請參照圖4及圖5。假設圖4中之電容式觸控偵測電路4的偵測電容Cop=100p、串接電容Cs=0.2p、測試電容Ct=0.28p、並接電容Cop=0.15p及電阻R=2k，則如圖5所示，經模擬後，電容式觸控偵測電路4偵測到的輸出電壓變化量△Vout=(Vout’-Vout)=12.7mV，但不以此為限。
相較於先前技術，本發明之電容式觸控偵測電路透過其內部設置有串接電容(Cs)及測試電容(Ct)來有效降低所需之並接電容(Cop)的電容值，藉以達到有效縮減晶片面積及降低生產成本之功效，其優點如下：
(1)可增加偵測變化量。
(2)可透過具有較小電容值之串接電容(Cs)、測試電容(Ct)及並接電容(Cop)的組合達到與傳統的電容式觸控偵測電路中之並接電容(Cop)相同的偵測變化量。
(3)可增加抑制雜訊之能力。
由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各 種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
2‧‧‧電容式觸控偵測電路
OP‧‧‧運算放大器
Cop‧‧‧並接電容
Cs‧‧‧串接電容
Cb‧‧‧偵測電容
Ct‧‧‧測試電容
S1~S8‧‧‧第一開關~第八開關
IH‧‧‧第一電流源
IL‧‧‧第二電流源
VCM‧‧‧參考電壓
Vout‧‧‧輸出電壓
VDD‧‧‧工作電壓
GND‧‧‧接地端
N1~N3‧‧‧第一接點~第三接點

Claims (15)

  1. 一種電容式觸控偵測電路，包含：一運算放大器，具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，該第二輸入端接收一參考電壓；一並接電容，耦接於該運算放大器之該第一輸入端與該輸出端之間；一串接電容，耦接於該運算放大器之該第一輸入端與一第一接點之間；一偵測電容，耦接於該第一接點與一接地端之間；一測試電容，耦接於一第二接點與該接地端之間；一第一開關，耦接於一工作電壓與該第一接點之間；一第二開關，耦接於該第一接點與該接地端之間；一第三開關，耦接於該接地端與該第二接點之間；一第四開關，耦接於該工作電壓與該第二接點之間；一第一電流源，耦接該工作電壓；一第二電流源，耦接該接地端；一第五開關，耦接於該第一電流源與該第一接點之間；一第六開關，耦接於該第一接點與該第二電流源之間；一第七開關，耦接於該第二接點與一第三接點之間，其中該第三接點位於該串接電容與該運算放大器之該第一輸入端之間；以及一第八開關，與該並接電容並聯而耦接於該運算放大器之該第一輸入端與該輸出端之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第一充電相位時，該第二開關、該第三開關及該第八開關導通且該第一開關、該第四開 關、該第五開關、該第六開關及該第七開關斷開，致使該第一接點及該第二接點均耦接該接地端，該第二接點與該第三接點彼此斷開，該運算放大器之該第一輸入端與該輸出端彼此耦接，該運算放大器之該輸出端所輸出之一輸出電壓等於該參考電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第一轉移相位時，該第五開關及該第七開關導通且該第一開關、該第二開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第八開關斷開，該第二接點與該第三接點彼此耦接，該第一電流源提供一第一基準補償電流至該第一接點，致使該第一接點具有一第一電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電容式觸控偵測電路，其中該第一基準補償電流係和該第一電壓、該參考電壓、該串接電容及該偵測電容有關，且該第一電壓與該參考電壓之比例係和該測試電容與該串接電容之比例有關。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第二充電相位時，該第一開關、該第四開關及該第八開關導通且該第二開關、該第三開關、該第五開關、該第六開關及該第七開關斷開，致使該第一接點及該第二接點均耦接該工作電壓，該第二接點與該第三接點彼此斷開，該運算放大器之該第一輸入端與該輸出端彼此耦接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第二轉移相位時，該第六開關及該第七開關導通且該第一開關、該第二開關、該第三開關、 該第四開關、該第五開關及該第八開關斷開，該第二接點與該第三接點彼此耦接，該第二電流源從該第一接點提供一第二基準補償電流至該接地端，致使該第一接點具有一第二電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電容式觸控偵測電路，其中該第二基準補償電流係和該第二電壓、該參考電壓、該工作電壓、該串接電容及該偵測電容有關，且該工作電壓減去該第二電壓後之電壓值與該參考電壓之比例係和該測試電容與該串接電容之比例有關。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第二充電相位時，該第一開關、該第四開關及該第八開關導通且該第二開關、該第三開關、該第五開關、該第六開關及該第七開關斷開，致使該第一接點及該第二接點均耦接該工作電壓，該第二接點與該第三接點彼此斷開，該運算放大器之該第一輸入端與該輸出端彼此耦接。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該電容式觸控偵測電路操作於一第二轉移相位時，該第六開關及該第七開關導通且該第一開關、該第二開關、該第三開關、該第四開關、該第五開關及該第八開關斷開，該第二接點與該第三接點彼此耦接，該第二電流源從該第一接點提供一第二基準補償電流至該接地端，致使該第一接點具有一第二電壓。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電容式觸控偵測電路，其中該第二基準補償電流係和該第二電壓、該參考電壓、該工作電壓、 該串接電容及該偵測電容有關，且該工作電壓減去該第二電壓後之電壓值與該參考電壓之比例係和該測試電容與該串接電容之比例有關。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控偵測電路，其中當該偵測電容改變時，該運算放大器之該輸出端所輸出之一輸出電壓亦隨之改變。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電容式觸控偵測電路，其中該輸出電壓之一輸出電壓變化量在一第一充電-轉移相位中係和該偵測電容之一偵測電容變化量、該偵測電容、該串接電容、該並接電容及該第一接點之一第一電壓有關。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電容式觸控偵測電路，其中該第一電壓與該參考電壓之比例係和該測試電容與該串接電容之比例有關。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之電容式觸控偵測電路，其中該輸出電壓之一輸出電壓變化量在一第二充電-轉移相位中係和該偵測電容之一偵測電容變化量、該偵測電容、該串接電容、該並接電容及該工作電壓減去該第一接點之一第二電壓後之電壓值有關。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之電容式觸控偵測電路，其中該工作電壓減去該第二電壓後之電壓值與該參考電壓之比例係和該測試電容與該串接電容之比例有關。
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