TW202024385A - 氮化銦鎵／氮化鎵量子井倒角錐的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，用以解決習知發光二極體晶粒製造方法過程繁瑣的問題。係包含：於600~650℃之溫度下，在一基板上依序進行一第一磊晶反應及一第二磊晶反應，以形成一氮化鎵角錐，其中，該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為25：1~35：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為130：1~150：1；於該氮化鎵角錐遠離該基板的一端面上形成一氮化銦鎵層；及於該氮化銦鎵層上形成一氮化鎵層。

Description

氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法
本發明係關於一種發光二極體晶粒的製造方法，尤其是一種可直接經由磊晶法形成單一發光二極體晶粒的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法。
發光二極體(light-emitting diode，LED)相較於傳統發光元件，具有高亮度、節省能源及不易發熱等優點，因此發光二極體經常作為日常照明及顯示器的光源。為了達到良好的發光效率及熱傳導性能，具備上述特性的三族-氮化物(例如：氮化鎵)已成為目前製造發光二極體晶粒的首選材料。
習知發光二極體晶粒製造方法係先採用金屬有機物化學氣相沈積法(metal-organic chemical vapor deposition，MOCVD)、液相磊晶法(liquid phase epitaxy，LPE)或是分子束磊晶法(molecular beam epitaxy，MBE)，使三族-氮化物可以於一基板上形成大面積的一半導體薄膜，最後再經由切割步驟將該半導體薄膜分為數個發光二極體晶粒。
惟，習知發光二極體晶粒製造方法必須經過多次的切割及檢測步驟，確保發光二極體晶粒符合預期的尺寸，因此習知發光二極體晶粒製造方法相當繁瑣；又，習知發光二極體晶粒製造方法中的切割步驟仍有技術上 的限制，導致發光二極體晶粒的尺寸仍然維持在毫米(mm)等級，使得由發光二極體晶粒所製造的顯示器解析度難以提升。
有鑑於此，習知的發光二極體晶粒製造方法確實仍有加以改善之必要。
為解決上述問題，本發明的目的是提供一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，係可以減少製程步驟者。
本發明的次一目的是提供一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，係可以製造出小尺寸的發光二極體晶粒。
本發明的又一目的是提供一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，係可以製造出可發出三原色光的發光二極體晶粒。
本發明的再一目的是提供一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，係可以提升磊晶成功率者。
本發明的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，包含：於600~650℃之溫度下，在一基板上依序進行一第一磊晶反應及一第二磊晶反應，以形成一氮化鎵角錐，其中，該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為25：1~35：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為130：1~150：1；於該氮化鎵角錐遠離該基板的一端面上形成一氮化銦鎵層；及於該氮化銦鎵層上形成一氮化鎵層。
據此，本發明的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，藉由依序以不同的氮：鎵流量比進行磊晶反應，使形成的氮化鎵角錐可以沿著一固定方向成長，故可以控制該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐成長的尺寸，無須經由切割步驟即可得到單一個氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的晶粒，係 具有降低製程複雜度及提升控制晶粒尺寸的便利性等功效。
其中，該基板可以為一鋁酸鋰基板、一鎵酸鋰基板或一氧化鋅基板。如此，可以增加該基板與其他材料之間晶格匹配的程度，具有提高後續製程的成功率的功效。
其中，可以先於該基板上形成一鎵浸潤層，再於形成有該鎵浸潤層的基板上進行該第一磊晶反應。如此，該氮化鎵角錐可以形成於材料性質較相近的該鎵浸潤層上，具有提高該氮化鎵角錐的磊晶成功率的功效。
其中，較佳於630℃之溫度下，依序進行該第一磊晶反應及該第二磊晶反應；該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為29：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為138.8：1。如此，具有提升該氮化鎵角錐的品質的功效。
其中，較佳進行該第一磊晶反應35分鐘。如此，具有方便控制該氮化鎵角錐的尺寸的功效。
其中，較佳進行該第二磊晶反應70分鐘。如此，具有方便控制該氮化鎵角錐的尺寸的功效。
其中，較佳以銦：鎵：氮的流量比為1.55：1：165.09、時間為1.5分鐘且溫度為780℃磊晶形成該氮化銦鎵層。如此，具有提升該氮化銦鎵層的品質的功效。
其中，較佳先於該端面上形成一銦浸潤層，再於形成有該銦浸潤層的端面上形成該氮化銦鎵層。如此，該氮化銦鎵層可以形成於材料性質較相近的該銦浸潤層上，具有提高該氮化銦鎵層的磊晶成功率的功效。
其中，可以於該氮化鎵層上再依序堆疊形成一氮化銦鎵層、一氮化鎵層、一氮化銦鎵層及一氮化鎵層。如此，具有提升發光效率的功效。
〔本發明〕
1‧‧‧基板
2‧‧‧氮化鎵角錐
2a‧‧‧端面
3‧‧‧鎵浸潤層
4‧‧‧氮化銦鎵層
5‧‧‧銦浸潤層
6‧‧‧氮化鎵層
S1‧‧‧氮化鎵角錐成形步驟
S11‧‧‧角錐第一成形步驟
S12‧‧‧角錐第二成形步驟
S2‧‧‧氮化銦鎵層成形步驟
S3‧‧‧氮化鎵層成形步驟
〔第1圖〕本發明之製造方法的步驟文字流程圖。
〔第2圖〕本發明之製造方法的步驟結構流程圖。
〔第3圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的結構剖面圖。
〔第4a圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品群的掃描式電子顯微鏡圖。
〔第4b圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的掃描式電子顯微鏡上視圖。
〔第4c圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的掃描式電子顯微鏡側視圖。
〔第4d圖〕如第4b圖中的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的掃描式電子顯微鏡放大圖。
〔第4e圖〕如第4c圖中的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的掃描式電子顯微鏡放大圖。
〔第5圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的光致螢光光譜圖。
〔第6圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的陰極螢光光譜圖。
〔第7a圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品於室溫下的二次電子影像圖。
〔第7b圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品於室溫下且陰極螢光光子能量為3.371eV時的陰極螢光影像圖。
〔第7c圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品 於室溫下且陰極螢光光子能量為2.893eV時的陰極螢光影像圖。
〔第7d圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品於室溫下且陰極螢光光子能量為2.250eV時的陰極螢光影像圖。
〔第7e圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品於溫度為10K時的二次電子影像圖陰極螢光影像。
〔第7f圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品於溫度為10K且陰極螢光光子能量為2.893eV時的陰極螢光影像圖。
〔第8a圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的掃描式電子顯微鏡上視圖。
〔第8b圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的穿透式電子顯微鏡圖。
〔第8c圖〕本發明之製造方法所製得的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品的高角度環狀暗場圖。
〔第8d圖〕如第8b圖的區域DP01的穿透式電子顯微鏡放大圖。
〔第8e圖〕如第8d圖的區域HR01的穿透式電子顯微鏡放大圖。
〔第8f圖〕如第8d圖的區域HR02的穿透式電子顯微鏡放大圖。
〔第8g圖〕如第8d圖的區域HR03的穿透式電子顯微鏡放大圖。
〔第8h圖〕如第8d圖的區域HR04的穿透式電子顯微鏡放大圖。
為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：本發明全文所述之「電致發光效應」(electroluminescence effect)，係指當電流流過發光二極體之接面(p-njunction)時，電子(electron) 與電洞(electron hole)於其內複合而發光光線，係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解。
本發明全文所述之「纖維鋅礦」(wurtzite)，係指屬於六方晶系(hexagonal crystal system)的礦物結構，其C軸(c-axis)方向為四軸座標系統之[0001]方向，係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解。
請參照第1及2圖所示，其係本發明氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法的一實施例，係包含一氮化鎵角錐成形步驟S1、一氮化銦鎵層成形步驟S2及一氮化鎵層成形步驟S3，經由上述步驟可以製得一氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐。
在進行該氮化鎵角錐成形步驟S1之前，可以選擇對用以乘載該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的一基板1進行清理，以移去該基板1表面可能存在的雜質，提升後續磊晶的品質。詳言之，可以依序以丙酮(acetone)、異丙醇(isopropanol)、去離子水、磷酸(phosphoric acid)溶液及去離子水清洗該基板1的表面，並利用氮氣乾燥除去該基板1表面的液體後，再加熱該基板1(例如：加熱至750℃，並維持10分鐘)，確保該基板1的表面乾淨。該基板1可以選用一鋁酸鋰(LiAlO2)基板、一鎵酸鋰(LiGaO2)基板或一氧化鋅(ZnO)基板，以提升該基板與其他材料(例如：後續反應使用之氮化鎵)之間晶格匹配的程度，可以提高後續製程的成功率。
請一併參照第3圖，為了控制該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的尺寸，本發明將該氮化鎵角錐成形步驟S1分為一角錐第一成形步驟S11及一角錐第二成形步驟S12，兩階段形成一氮化鎵角錐2。詳言之，該角錐第一成形步驟S11係於600~650℃之溫度下，在該基板1上以氮：鎵的流量比為25：1~35：1進行一第一磊晶反應，使一氮化鎵角錐半成品形成於該基板1上；該角錐第一成形步驟S11較佳於630℃之溫度下，以氮：鎵流量比為29： 1進行該第一磊晶反應35分鐘，以獲得晶格結構良好的該氮化鎵角錐半成品。
該角錐第二成形步驟S12係於於600~650℃之溫度下，在該基板1上以氮：鎵的流量比為130：1~150：1進行一第二磊晶反應，使該氮化鎵角錐半成品形成該氮化鎵角錐2；該角錐第二成形步驟S12較佳於630℃之溫度下，以氮：鎵流量比為138.8：1進行該第二磊晶反應70分鐘，以獲得晶格結構良好的該氮化鎵角錐2。該氮化鎵角錐2具有遠離該基板1的一端面2a，可以提供後續磊晶反應較大的反應面積。
除此之外，亦可以選擇在該基板1上先形成一鎵浸潤層3，再於形成有該鎵浸潤層3的基板1上進行該氮化鎵角錐成形步驟S1；由於該鎵浸潤層3的材料性質較接近形成該氮化鎵角錐2的氮化鎵，藉此該鎵浸潤層3可以提升該基板1與該氮化鎵角錐2之間的結合度，並提升該氮化鎵角錐2的磊晶成功率。詳言之，可以利用下列步驟形成該鎵浸潤層3：於溫度為630℃下提供一含鎵蒸氣，使該含鎵蒸氣當中的鎵元素磊晶於該基板1上，磊晶時間為5分鐘，以於該基板1表面形成該鎵浸潤層3。
該氮化銦鎵層成形步驟S2係使一氮化銦鎵層4形成於該端面2a上，其中，可以選擇銦：鎵：氮的流量比為1.55：1：165.09進行磊晶反應(例如，可以調控銦的壓力為8.5×10-8托爾、鎵的壓力為5.5×10-8托爾且氮的壓力為9.08×10-6托爾)，且磊晶反應的時間可以選擇為1.5分鐘、溫度可以選擇為780℃，以形成該氮化銦鎵層4。
除此之外，亦可以選擇在該端面2a上先形成一銦浸潤層5，再於形成有該銦浸潤層5的端面2a上進行該氮化銦鎵層成形步驟S2；由於該銦浸潤層5的材料性質較接近形成該氮化銦鎵層4的氮化銦鎵，藉此該銦浸潤層5可以提升該基板1與該氮化銦鎵層4之間的結合度，並提升該氮化銦鎵層4磊晶的成功率。詳言之，可以利用下列步驟形成該銦浸潤層5：於溫 度為780℃下提供一含銦蒸氣，使該含銦蒸氣當中的銦元素磊晶於該端面2a上，磊晶時間為1分鐘，以於該端面2a形成該銦浸潤層5。
該氮化鎵層成形步驟S3可以使一氮化鎵層6形成於該氮化銦鎵層4上；該氮化鎵層6可以阻隔及保護該氮化銦鎵層4，並阻止外部離子擴散進入該氮化銦鎵層4，進而可以延長該氮化銦鎵層4的使用壽命。在該氮化鎵層成形步驟S3中，較佳選擇氮：鎵的流量比為165.09：1進行磊晶反應(例如，可以調控氮的壓力為9.08×10-6托爾且鎵的壓力為5.5×10-8托爾)，且磊晶反應的時間可以選擇為30秒、溫度可以選擇為780℃，以於該氮化銦鎵層4上形成一氮化鎵覆蓋層；且較佳選擇氮：鎵的流量比為70.39：1進行磊晶反應(例如，可以調控氮的壓力為9.08×10-6托爾且鎵的壓力為1.29×10-7托爾)，磊晶反應的時間可以選擇為10分鐘、溫度可以選擇為780℃，以於該氮化鎵覆蓋層上形成一氮化鎵屏障層，該氮化鎵覆蓋層及該氮化鎵屏障層共同形成該氮化鎵層6。藉由完成上述步驟，可以製得該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐，且該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐包含該氮化鎵角錐2、該氮化銦鎵層4及該氮化鎵層6。
值得注意的是，該氮化銦鎵層4可以因為電致發光效應而產生光線，而該氮化銦鎵層4發出的光線顏色與其元素的組成比例相關，亦即，可以藉由調控該氮化銦鎵層成形步驟S2中的銦：鎵：氮流量比，改變該氮化銦鎵層4(InxGa1-xN)當中的銦元素與鎵元素比例，藉此控制該氮化銦鎵層4發出不同的色光。
除此之外，可以藉由重複進行該氮化銦鎵層成形步驟S2及該氮化鎵層成形步驟S3，在該氮化鎵角錐2的端面2a上形成數個氮化銦鎵層4及數個氮化鎵層6，以增加該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的發光效率。舉例而言，可以於完成第一次的該氮化銦鎵層成形步驟S2及該氮化鎵層成形步驟 S3，再重複進行該氮化銦鎵層成形步驟S2及該氮化鎵層成形步驟S3兩次，以形成總共三個氮化銦鎵層4及三個氮化鎵層6；該三個氮化鎵層6分別位於該三個氮化銦鎵層4之上，且第二及第三次形成的氮化銦鎵層4則分別位於第一及第二次形成的氮化鎵層6上，以形成如第3圖所示之層層堆疊的結構。
同樣以形成三個氮化銦鎵層4為例，可以藉由調控每次氮化銦鎵層成形步驟S2中的銦：鎵：氮流量比，使各該氮化銦鎵層4具有不同的銦元素與鎵元素比例，以分別發出不同的色光；該三個氮化銦鎵層4較佳可以分別形成一紅光氮化銦鎵層、一綠光氮化銦鎵層及一藍光氮化銦鎵層，使該三個氮化銦鎵層4可以分別發出紅光、綠光及藍光等三原色光，並藉由調控該三原色光的強弱，產生各種不同顏色的光線。藉此，在作為顯示器的像素點的應用上，單一個氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐即可做為一個像素點，可以提升應用上的便利性。
為了得知該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的結構以及性質，遂進行以下實驗：
(一)掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)分析
請參照第4a圖，其係於一基板上的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐樣品群的掃描式電子顯微鏡圖，其中，以第4a圖中虛線圈起的一樣品P作為後續實驗所檢測的目標，並以虛線圈起的二背景區域bg1、bg2則作為後續實驗的背景值。該樣品P、該背景區域bg1及該背景區域bg2分別為氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐、纖維鋅礦之三維C平面的氮化鎵結構及纖維鋅礦之二維M平面的氮化鎵結構。請參照第4b~4e圖，其係該樣品P的放大圖，其中第4b及4d圖為上視圖，第4c及4e圖為側視圖。由第4b~4e圖可知， 該樣品P未與該基板1連接的一頂面之直徑約為2.9μm，且該樣品P呈現六角錐的型態。
(二)光致螢光(photoluminescence，PL)光譜分析
請參照第5圖，其係該樣品P及該二背景區域bg1、bg2的光致螢光光譜測量結果。由第5圖可知，該樣品P在光子能量分別為(2.210±0.001)、(2.935±0.001)及(3.359±0.001)eV時產生明顯的波峰；相較之下，該背景區域bg1僅在(2.206±0.001)及(3.373±0.001)eV產生波峰，該背景區域bg2僅在(3.412±0.002)eV產生波峰。
其中，該樣品P及該二背景區域bg1、bg2皆具有落在3.359~3.412eV的波峰，其係由具有纖維鋅礦之三維C平面或纖維鋅礦之二維M平面結構的氮化鎵經能隙轉換而產生；且在該樣品P及該背景區域bg1當中，由於受到量子井尺寸的影響，導致其峰值較該背景區域bg2下降。該樣品P及該背景區域bg1的其餘波峰，則待後續以陰極螢光光譜(cationluminescence，CL)進行分析。
(三)陰極螢光光譜及影像分析
第6圖係為該樣品P的陰極螢光光譜的測量結果。由第6圖可知，該樣品P在光子能量分別為(2.250±0.002)、(2.893±0.003)及(3.371±0.002)eV時產生明顯的波峰。
第7a~7d圖為該樣品P於室溫下的陰極螢光影像圖。第7a圖為該樣品P的二次電子影像圖。第7b圖為該樣品P在陰極螢光光子能量為3.371eV(波長約為366nm)時的影像圖；由第7b圖可以得知，光子能量為3.371eV時的波峰是由具有纖維鋅礦結構的氮化鎵晶體經由能隙轉換所形成，且主要是由位於該樣品P四周的氮化鎵晶體所形成。第7c圖為該樣品P在陰極螢光光子能量為2.893eV(光子波長約為426nm)時的影像圖；由第 7c圖可以得知，光子能量為2.893eV時的波峰是由具有三維C平面結構的該樣品P所形成。第7d圖為該樣品P在陰極螢光光子能量為2.250eV(光子波長約為555nm)時的陰極螢光影像圖；由第7d圖可以得知，光子能量為2.250eV時的波峰是由該樣品P及其四周的氮化鎵晶體，經由能隙轉換或是具有結構缺陷的能階所形成。由此可知，光子能量為2.893eV時的波峰僅能由具有具有三維C平面結構的該樣品P所產生。
請參照第7e及7f圖，第7e圖為該樣品P在溫度為10K時的二次電子影像圖，而第7f圖為該樣品P在溫度為10K且陰極螢光光子能量為2.893eV時的陰極螢光影像圖。由第7e及7f圖可知，經由量子侷限效應，可以增強該樣品P的發光強度。
(四)穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscope，TEM)分析
請參照第8a~8h圖，第8a圖為另一樣品P'的掃描式電子顯微鏡圖，該樣品P'亦為氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐，而第8b至8h圖係為第8a圖所示之該樣品P'的穿透式電子顯微鏡圖，且係以第8a圖之B-B線所分割之平面進行分析，其中，穿透式電子顯微鏡的觀察方向為四軸座標系統的[1
Figure 107146512-A0101-12-0011-25
00]方向。
由第8b圖可得知，在該樣品P'的氮化鎵角錐部分，該氮化鎵角錐的側面與四軸坐標系之C軸的夾角A1約呈28°；該氮化鎵角錐以28°的夾角A1發散成長為錐狀的原因在於，由於磊晶時的側向成長效應，使得位於結構邊緣的鎵原子可以與氮原子形成鍵結，並形成錐狀的氮化鎵角錐。
請參照第8c圖，其係該樣品P'的高角度環狀暗場(high-angle annular dark-field，HAADF)圖。由第8c圖可得知，該三個氮化銦鎵層可以均勻地成長於該氮化鎵角錐的端面上；由於銦原子與鎵原子之間的晶格錯位 所造成的微擾動現象(micro-fluctuation)，導致該氮化銦鎵層無法繼續沿著28°的夾角A1發散成長，使得後續形成的該氮化銦鎵層及該氮化鎵層的側面與C軸呈現平行甚至向C軸會聚。
第8d圖為第8b圖中區域DP01的放大圖；在第8d圖中可以測得其中二個氮化銦鎵層之間的距離D1為57.6nm。第8e至8h圖分別為第8d圖中區域HR01至HR04的放大圖；由第8e圖可以看出，該氮化鎵角錐係具有排列整齊的纖維鋅礦結構，而在第8f至8h圖中可以看出，該氮化銦鎵層順利形成於該氮化鎵角錐及該氮化鎵層之間、或是形成於二個氮化鎵層之間。
綜上所述，本發明的氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，藉由依序以不同的氮：鎵流量比進行磊晶反應，使形成的氮化鎵角錐可以沿著一固定方向成長，故可以控制該氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐成長的尺寸，無須經由切割步驟即可得到單一個氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的晶粒，係具有降低製程複雜度及提升控制晶粒尺寸的便利性等功效。
雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1‧‧‧氮化鎵角錐成形步驟
S11‧‧‧角錐第一成形步驟
S12‧‧‧角錐第二成形步驟
S2‧‧‧氮化銦鎵層成形步驟
S3‧‧‧氮化鎵層成形步驟

Claims (9)

  1. 一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，包含：於600~650℃之溫度下，在一基板上依序進行一第一磊晶反應及一第二磊晶反應，以形成一氮化鎵角錐，其中，該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為25：1~35：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為130：1~150：1；於該氮化鎵角錐遠離該基板的一端面上形成一氮化銦鎵層；及於該氮化銦鎵層上形成一氮化鎵層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，該基板係為一鋁酸鋰基板、一鎵酸鋰基板或一氧化鋅基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，先於該基板上形成一鎵浸潤層，再於形成有該鎵浸潤層的基板上進行該第一磊晶反應。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，係於630℃之溫度下，依序進行該第一磊晶反應及該第二磊晶反應；該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為29：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為138.8：1。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，係進行該第一磊晶反應35分鐘。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，係進行該第二磊晶反應70分鐘。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，係以銦：鎵：氮的流量比為1.55：1：165.09、時間為1.5分鐘且溫度為780℃磊晶形成該氮化銦鎵層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，先於該端面上形成一銦浸潤層，再於形成有該銦浸潤層的端面上形成該氮化銦鎵層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之氮化銦鎵/氮化鎵量子井角錐的製造方法，其中，係於該氮化鎵層上再依序堆疊形成一氮化銦鎵層、一氮化鎵層、一氮化銦鎵層及一氮化鎵層。
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