TWI616563B - 三族氮化物磊晶結構及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種三族氮化物磊晶結構及其製作方法，用於解決習知LED元件效能問題，該三族氮化物磊晶結構包含：一氮化鎵層，由M平面氮化鎵圍繞c平面氮化鎵構成；一氮化銦鎵層，覆設於該氮化鎵層，該氮化銦鎵層由M平面氮化銦鎵圍繞c平面氮化銦鎵構成；及一氮化銦層，覆設於該氮化銦鎵層，該氮化銦層由M平面氮化銦圍繞c平面氮化銦構成；其中，該c平面氮化鎵、c平面氮化銦鎵及c平面氮化銦疊成一頸部，該頸部連接一c平面氮化銦薄碟，該c平面氮化銦薄碟與M平面氮化銦之間具有間隙。藉此，可確實解決上述問題。

Description

三族氮化物磊晶結構及其製作方法
本發明係關於一種三族氮化物；特別是關於一種含有氮化銦微米碟的三族氮化物。
習知發光二極體(LED)照明技術，以氮化鎵基底(GaN-based)材料為主的白光LED方法有兩種：第一種係以氮化銦鎵(InGaN)產生的藍光加上其互補色黃光螢光劑(Ce-doped yttrium aluminum garnet，YAG phosphor)混成白光；第二種係直接由InxGa1-xN/GaN紅、綠、藍三色LEDs發出的單色光(monochromatic emitters)混成白光。
雖然第一種白光LED技術是目前主流光源技術，然而，第一種技術有以下缺點：一、受制於S.Nakamura的發明專利；二、螢光劑中稀有元素(Rare-earth elements：黃光Ce-doped、紅光Eu-doped、綠光Er-doped、藍光Tm-doped phosphors)取得不易；三、其互補色黃光之產生係來自於InGaN產生的藍光，部分能量被螢光劑(Ce-doped YAG)吸收後轉換為黃光，在螢光轉換過程中造成能量耗損，使其發光效率降低，且耗損之能量以熱輻射(thermal radiation)方式呈現，造成元件結構脆化之危險因子，而使元件壽命縮短。
為了解決上述問題，最簡單的解決方法即是採用上述無需螢光劑輔助(phosphor-free)的第二種技術。然由半導體物理理論可知，氮化銦(InN)與氮化鎵(GaN)在a軸上之晶格不匹配度高達10.9%，在GaN微 米碟(microdisk)上成長高銦含量之InxGa1-xN/GaN量子井有一定難度，且氮化鎵微米碟之厚度(約2微米)過厚，需進一步切除其底下部分，導致製程步驟較為繁複；又，習知氮化銦立體結構之研究多以奈米線(nanowire)或奈米柱(nanopillar)為主，其直徑大小約僅70奈米左右，且尾端為尖狀(非平面)，不適合成長InxGa1-xN/GaN量子井，縱可使其尾端為平面，亦因尺寸過小而不適用現有製程。
有鑑於此，上述先前技術在實際使用時確有不便之處，亟需進一步改良，以提升其實用性。
本發明係提供一種三族氮化物磊晶結構，可形成薄型氮化銦微米碟，用以成長高銦含量之InxGa1-xN/GaN量子井，以提高晶格匹配度。
本發明係提供上述三族氮化物磊晶結構的製作方法，可產生薄型氮化銦微米碟，用以成長高銦含量之InxGa1-xN/GaN量子井，以提高晶格匹配度。
本發明揭示一種三族氮化物磊晶結構，可包含：一氮化鎵層，由M平面氮化鎵圍繞c平面氮化鎵構成；一氮化銦鎵層，覆設於該氮化鎵層，該氮化銦鎵層由M平面氮化銦鎵圍繞c平面氮化銦鎵構成；及一氮化銦層，覆設於該氮化銦鎵層，該氮化銦層由M平面氮化銦圍繞c平面氮化銦構成；其中，該c平面氮化鎵、c平面氮化銦鎵及c平面氮化銦疊成一頸部，該頸部連接一c平面氮化銦薄碟，該c平面氮化銦薄碟與M平面氮化銦之間具有間隙，所述c平面氮化銦薄碟可具有一成長方向，該c平面氮化銦薄碟之側剖面可具有一環錐邊緣朝向該M平面氮化銦，該環錐邊緣與該成長方向之夾角範圍可介於72至73度之間。
本發明另揭示一種三族氮化物磊晶結構的製作方法，其步驟可包含：設定一基板之溫度為800度，供鎵原子於該基板上放置一第一成 長時間(如5分鐘)；調控電漿功率為300瓦，氮與鎵之流量比值由39.9至55.9，成長溫度為800度維持一第二成長時間(如25分鐘)，成長溫度為850度維持一第三成長時間(如30分鐘)；調降該基板之溫度至650度，銦與鎵之流量比值為1.26，維持一第四成長時間(如30分鐘)；及提高電漿功率至450瓦，氮與銦之流量比值為39.3，設定該基板之溫度為470度，維持一第五成長時間(如60分鐘)。
所述c平面氮化銦鎵與c平面氮化銦之介面係非平面。
上揭三族氮化物磊晶結構及其製作方法，可使用電漿輔助分子束磊晶技術，在鋰酸鋁基板上以低溫(470℃)成長薄型氮化銦微米碟。當氮化銦最外圍銦原子之懸鍵捕抓到氮原子，此氮原子之懸鍵又捕抓到銦原子形成側向成長機制，藉由高解析度穿透電子顯微鏡分析得知c軸方向每單位晶格氮化銦會於M軸方向側向成長三個單位晶格，且微米碟側邊與c軸之夾角為73度。因此，本發明可有效成長薄型氮化銦微米碟，適合成長InxGa1-xN/GaN量子井，該薄型氮化銦微米碟無需切除過厚部份，即可適用以氮化鎵基底材料為主的白光發光二極體，有效降低在a軸上之晶格不匹配度，可以達到「提升發光效率」、「降低能量轉換損耗」及「降低製程複雜度及成本」等功效，有利於產製高品質照明光源，供應日常生活中的照明需求，提升產業價值，創造民眾、廠商與政府三贏之局面。
1‧‧‧氮化鎵層
1a‧‧‧M平面氮化鎵
1b‧‧‧c平面氮化鎵1b
2‧‧‧氮化銦鎵層
2a‧‧‧M平面氮化銦鎵
2b‧‧‧c平面氮化銦鎵
3‧‧‧氮化銦層
3a‧‧‧M平面氮化銦
3b‧‧‧c平面氮化銦
B‧‧‧頸部
T‧‧‧c平面氮化銦薄碟
T1‧‧‧環錐邊緣
F‧‧‧成長方向
d‧‧‧間隙
θ‧‧‧夾角
第1圖：係本發明之三族氮化物磊晶結構實施例的組合剖視圖。
第2圖：係本發明之三族氮化物磊晶結構的樣品透過電子束掃瞄電子顯微鏡取得的不同影像。
第3圖：係本發明上述樣品的晶體結構用高解析度X光繞射(XRD)(Bede D1)描述的強度曲線。
第4圖：係本發明上述樣品的[110]InN//[001]LAO帶軸的亮場影像及其不同區域的選區繞射影像。
第5圖：係本發明上述樣品於上述不同區域的高解析度穿透式電子顯微鏡影像。
第6圖：係本發明上述樣品使用標準纖維鋅礦氮化銦(JCPDS file No.50-1239)之球-條(ball-stick)模型及驗證夾角存在的高解析度穿透式電子顯微鏡影像。
為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：本發明全文所述之方向性用語，例如「前」、「後」、「左」、「右」、「上(頂)」、「下(底)」、「內」、「外」、「側」等，主要係參考附加圖式的方向，各方向性用語僅用以輔助說明及理解本發明的各實施例，非用以限制本發明。
本發明全文所述之「纖維鋅礦」(wurtzite)，係指屬於六方晶系(hexagonal)的礦物結構，其c軸(c-axis)方向為四軸座標系統之[0001]方向，係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解。
本發明全文所述之「c平面」(c plane)，係指六方晶系(hexagonal)六角柱頂面之六角形平面，係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解。
本發明全文所述之「M平面」(M plane)，係指六方晶系(hexagonal)六角柱側面之長方形平面，係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解。
請參閱第1圖所示，其係本發明之三族氮化物磊晶結構實施例的組合剖視圖。其中，該三族氮化物磊晶結構可包含一氮化鎵層1、一 氮化銦鎵層2及一氮化銦層3，該氮化銦鎵層2可覆設於該氮化鎵層1，該氮化銦層3可覆設於該氮化銦鎵層2。
在此實施例中，該氮化鎵層1可成長於一基板(如：鋁酸鋰，LAO)上，該氮化鎵層1可由M平面(M plane)氮化鎵1a圍繞c平面(c plane)氮化鎵1b構成；該氮化銦鎵層2可由M平面氮化銦鎵2a圍繞c平面氮化銦鎵2b構成；該氮化銦層3可由M平面氮化銦3a圍繞c平面氮化銦3b構成；其中，該c平面氮化鎵1b、c平面氮化銦鎵2b及c平面氮化銦3b疊成一頸部B，該頸部連接一c平面氮化銦薄碟T，該c平面氮化銦薄碟T與M平面氮化銦3a之間具有間隙d，該c平面氮化銦薄碟T具有一成長方向F，該c平面氮化銦薄碟T之側剖面具有一環錐邊緣T1朝向該M平面氮化銦3a，該環錐邊緣T1與該成長方向F之夾角θ範圍可介於72至73度(degree，°)之間，該c平面氮化銦鎵2b與c平面氮化銦3b之介面係非平面(如第1圖所示)。以下舉例說明上述三族氮化物磊晶結構的製作態樣，惟不以此為限。
舉例而言，磊晶成長上述三族氮化物磊晶結構之樣品時，可利用低溫電漿輔助分子束磊晶(PA-MBE)系統作為一磊晶設備，如：Veeco Applied-GEN 930等，該磊晶設備具有可產生銦(In)、鎵(Ga)蒸氣的標準分子束發射室(standard effusion cell)，及可產生氮(N2)電漿的300W射頻電漿室(rf-plasma cell)，使該樣品成長於高品質的1×1cm2鋁酸鋰(LAO，100)基板，惟不以此為限，該鋁酸鋰基板可切割自習知柴式提拉法(Czochralski pulling technique)製成之晶錠(crystal ingot)，在開始磊晶成長該樣品前，可先進行一潔淨過程，如：鋰酸鋁基板以丙酮(acetone)清洗5分鐘，再以異丙醇(isopropanol)清洗5分鐘，再以去離子水(de-ionized)清洗約5秒，再立即以氮氣烘乾等。之後，於該磊晶設備內對該基板導入化學處理，如：加熱除氣過程，使該基板以850度(℃)持 續10分鐘，該溫度可由該基板背面裝設的熱電偶(thermal couple)設定。
之後，該基板可降至成長溫度，用以進行樣品成長過程，首先，供鎵原子在800度的鋰酸鋁基板上放置5分鐘，接著，以兩階段法在電漿功率為300瓦(W)下成長氮化鎵(磊晶)層，如：兩個不同氮/鎵流量比值由39.9至55.9，成長時間分別為25分鐘、30分鐘，成長溫度分別為800度、850度，之後，再調降基板溫度至650度且銦/鎵流量比值為1.26，用以成長氮化銦鎵(緩衝)層30分鐘，最後，提高電漿功率至450瓦，於氮/銦流量比值為39.3，且基板溫度為470度之條件下，成長氮化銦60分鐘，上述時間可隨使用需求而調整，並不以此為限。以下說明上述樣品之分析測試結果。
為了驗證上述樣品的表面形態，可透過電子束掃瞄電子顯微鏡(FE-SEM，SII-3050)，第2圖中的(a)及(b)影像分別顯示以一傾角及俯視觀察該樣品的SEM圖像。該樣品的形態顯示二維(2D)M平面(M-plane)的氮化銦(InN)薄膜及三維(3D)c平面(c-plane)的氮化銦(InN)六角形薄碟係成長於鋰酸鋁基板上。
第2圖中的(c)及(d)影像分別顯示以一傾角及俯視觀察第2圖中的(b)影像中央所示的氮化銦薄碟的SEM圖像，該氮化銦碟的直徑是0.74微米(μm)，該樣品的微影(micrographic)圖像顯示，當三維c平面的氮化銦(InN)六角形薄碟及奈米柱生長在鋰酸鋁基板的陰離子六角形基面上，二維M平面的氮化銦(InN)薄膜係沿側向([110]InN//[001]LAO)定向發展。在此例中，可於具有氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InGaN)緩衝層的鋰酸鋁基板，應用兩個定向生長M平面的氮化銦(InN)薄膜及三維c平面氮化銦(InN)六角形薄碟。
此外，該樣品的晶體結構可用高解析度X光繞射(XRD)(Bede D1)描述，並測繪如第3圖所示。該InxGa1-xN中的銦含量可用維 軋方程式(Vegards’equation)評估，給定X光繞射形態(31.69±0.01)°的2θ峰值為In0.20Ga0.80N，該2θ峰值於(29.07±0.01)°、(31.31±0.01)°、(32.29±0.01)°及(34.69±0.01)°係分別對應於M平面氮化銦(100)、c平面氮化銦(000)、M平面氮化鎵(100)及鋰酸鋁基板(100)的X光繞射形態，該X光繞射形態的該些峰值位置可經由具Asymmetric Double Sigmoidal linear curve fitting功能的Quick Graph(Version 2.0)軟體獲得，並將該些資料與標準纖維鋅礦(wurtzite)結構塊氮化銦(JCPDS file No.50-1239)相匹配，其結果可由具Gaussian-function curve fitting功能的OriginPro 8.0軟體再次證實。
相較於Bragg定律(2dsinθ=nλ)及銅(Cu)Kα1波長λ=0.1540562奈米(nm)，介於氮化銦的{000}平面的d間距係估測為d0002=0.28216奈米，相較於JCPDS file的d0002=0.28528奈米，上述樣品之纖維鋅礦氮化銦微米碟與結構塊氮化銦的差異為1.09%，由此可知，該氮化銦微米碟的晶格常數(lattice constant)小於結構塊氮化銦的晶格常數。
該樣品之微結構可經由場發射穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(Phillips，model Tecnai F-20)以200kV電子伏特(electron voltage)進行分析，該樣品的橫截面TEM樣本可經由雙光束FIB系統(Seiko Inc.,SII-3050)將該c平面氮化銦六角形薄碟沿[100]方向分裂而取得，該FIB可產生30kV的加速電壓以大概的切割該樣品，再另以5kV的加速電壓重製該樣本。
第4圖中的(a)影像顯示[110]InN//[001]LAO帶軸的亮場影像，在區域DP4至DP6區域，可清楚顯示氮化銦係良好地形成於氮化銦鎵緩衝層，且該氮化銦鎵緩衝層係良好地建立於氮化鎵磊晶層，該M平面氮化銦、M平面氮化銦鎵及M平面氮化鎵的厚度可分別測得約365奈米、51奈米及137奈米。在區域DP3中，係建立一c平面氮化銦六角形薄碟，該c平面氮化銦六角形薄碟由頸部至頂部之高度係約188奈米，位於區域DP1至 DP6之選區繞射(SAD)結果係顯示於第4圖中的(b)至(g)影像。
第4圖中的(b)影像係清楚地顯示矩形(白色)及六角形(藍色)繞射形態局部重疊於區域DP1，揭示c平面纖維鋅礦氮化鎵及M平面纖維鋅礦氮化鎵係自始集結於該鋰酸鋁基板上。其中，六角形繞射亮點強度大於矩形繞射亮點強度，揭示二維M平面纖維鋅礦氮化鎵薄膜在開始集結時的生長情況適當。第4圖中的(c)影像純粹顯示位於區域DP3的單一矩形繞射形態(紅色)，揭示該六角形薄碟係由該c平面纖維鋅礦氮化銦單獨形成，介於氮化銦六角形薄碟的{000}平面的d間距係可量測為dc=0.5687奈米，且介於氮化銦六角形薄碟的{100}平面的d間距係可量測為dM=0.3025奈米，相較於JCPDS file No.50-1239之值分別為0.5703奈米及0.30647奈米，纖維鋅礦氮化銦微米碟與結構塊氮化銦對於dc及dM的差異分別為0.28%及1.24%，由此可知，該氮化銦微米碟的晶格常數小於結構塊氮化銦的晶格常數，該結果與X光繞射形態相同。
在該碟(位於區域DP2)的頸部範圍，第4圖中的(d)影像之選區繞射形態顯示兩個矩形及兩個六角形的重疊區域，揭示在c平面氮化鎵(白色矩形)、c平面氮化銦(紅色矩形)及M平面氮化鎵(藍色六角形)外，於頸部還形成一M平面氮化銦(黃色六角形)。
如第4圖中的(e)至(g)影像所示，該M平面氮化銦(黃色六角形)可經由該區域DP4至DP6產生的選區繞射形態加以確認，如第4圖中的(e)影像所示，在區域DP6中，只有單一六角形形態(黃色)用於偵測M平面纖維鋅礦氮化銦，如第4圖中的(g)影像所示，在區域DP4中，只有M平面氮化鎵的單一六角形形態(藍色)繞射形態，該鋰酸鋁基板的繞射有一些不明顯的亮點產生，如第4圖中的(f)影像所示，在區域DP5中，兩個六角形的形態重疊，揭示M平面氮化鎵(藍色六角形)及氮化銦(黃色六角形)的形成同時發生，這兩個六角形同如第4圖中的(d)影像所示， 揭示該M平面纖維鋅礦氮化銦及M平面纖維鋅礦氮化鎵以同一結晶方向生長，經由選區繞射形態分析，可以發現氮化鎵在鋰酸鋁基板上生長時(例如：在區域DP1)，該c平面纖維鋅礦奈米結晶開始集結而嵌入多個M平面纖維鋅礦氮化鎵之間，該頸部的詳細微結構係可經由高解析度穿透式電子顯微鏡進行調查。
該樣品位於區域HR1至HR6的光束方向[110]InN//[001]LAO之高解析度穿透式電子顯微鏡影像係產生如第5圖中的(a)影像所示，在第5圖中的(b)及(c)影像中，c平面及M平面纖維鋅礦氮化鎵、氮化銦鎵及氮化銦之間的介面清楚可見，介於c平面與M平面氮化鎵的邊緣可發現條狀缺陷(staking fault)，其係釋放氮化鎵介於c平面與M平面纖維鋅礦結構不匹配的斷層，如第5圖中的(d)影像所示，該c平面纖維鋅礦結構係充滿該頸部範圍(如HR3)，且形成單一c平面氮化銦鎵角錐形結構，在角錐形結構之外，由於介於氮化銦鎵與氮化銦之間的c平面纖維鋅礦不匹配的條狀缺陷產生波浪狀結構，單一c平面氮化銦鎵角錐係可如第2圖中的(a)及(b)影像所示，其係類似量子點結構發出高流明強度，如第5圖中的(e)影像所示，在區域HR4之波浪狀結構係為唯一，該c平面纖維鋅礦係緊接形成該氮化銦六角形微米碟構造，如第5圖中的(f)影像所示，該對稱的六角形揭示高品質的氮化銦微米碟結晶結構。
特別注意的是，六角形碟狀結構的薄度造成如第5圖中的(a)影像中c軸外的73度角，其係遠大於氮化鎵微米碟的角度，其係藉由一dM間距，θ=tan-1(dM/dc)=28°於各單位階層(step-layer)側向沿該(100)方向過生長(over-growth)而獲得。
為了建立該薄的氮化銦六角形之生長機制，如第6圖中的(a)影像所示，使用標準纖維鋅礦氮化銦(JCPDS file No.50-1239)之球-條(ball-stick)模型，以a=0.3537奈米、c=0.5703奈米及u=/c=3/8，用於 模擬該c平面氮化銦六角形微米碟，其中藍色球表示銦原子，且紅色球表示氮原子。又，在該氮化鎵側向過成長過程中，各單位階層可由最外圍鎵原子的懸鍵捕抓氮原子，使氮化鎵(000)微米碟的28度傾角被建立。
因此，在此例中的氮化銦微米碟，當成長溫度低至470度時，該c平面氮化銦(000)六角形薄碟可建立由最外圍銦原子的懸鍵捕抓氮原子，而後發生側向過成長，由氮原子的懸鍵捕捉銦原子以形成薄的微米碟。各單位階層沿(100)方向側向過成長係延伸至六dM間距(如dc間距)，造成離該c軸73度角。
基於該球-條模型，每單位階層側向延伸寬度沿該[100]InN方向係等於，如第6圖中的(b)影像所示，該邊緣隨後與c軸[000]方向傾斜的角度，其中等於6dM，亦可由如第4圖中的(c)影像中氮化銦六角形薄碟的選區繞射資料計算該角度，可獲得介於{000}平面的d間距為dc=0.5687奈米，且介於{100}平面的d間距為dM=0.3025奈米，導致Φ=tan -1(6d M /d c )=72.60°，其係與模型預測一致。
如第6圖中的(c)影像所示，該邊緣與成長方向的角度可經由高解析度穿透式電子顯微鏡影像於HR6直接察知介於72至73度之間。為了確認該邊緣與成長方向之間的角度，可將位於HR6的高解析度穿透式電子顯微鏡圖像利用快速傅立葉轉換(FFT)及反快速傅立葉轉換(IFFT)，第6圖中的(c)影像中白點方框區域的FFT及IFFT的型態分別如第6圖中的(d)及(e)影像所示，其係再次證實該c平面氮化銦六角形薄碟的傾斜角度(Φ73°)係由纖維鋅礦結構側向過成長形成。
承上，可利用電漿輔助分子束磊晶技術於γ-LiAlO2基板上成長氮化銦六角形薄形纖維鋅礦碟片，經由表面形態及微結構分析可知，在鋰酸鋁基板上集結氮化鎵時可建立c平面纖維鋅礦，且可在氮化銦鎵緩衝層後以低溫(470度)成長c平面氮化銦六角形薄碟，該c平面氮化銦(000) 六角形薄碟被產生的過程，可由最外圍銦原子的懸鍵捕抓氮原子，再由側向沿[100]方向以6dM間距過成長單位階層。
藉此，本發明上述實施例可使用電漿輔助分子束磊晶技術，在鋰酸鋁基板上以低溫(470℃)成長薄型氮化銦微米碟。當氮化銦最外圍銦原子之懸鍵捕抓到氮原子，此氮原子之懸鍵又捕抓到銦原子形成側向成長機制，藉由高解析度穿透電子顯微鏡分析得知c軸方向每單位晶格氮化銦會於M軸方向側向成長三個單位晶格，且微米碟側邊與c軸之夾角為73度。因此，本發明可有效成長薄型氮化銦微米碟，適合成長InxGa1-xN/GaN量子井，該薄型氮化銦微米碟無需切除過厚部份，即可適用以氮化鎵基底(GaN-based)材料為主的白光發光二極體(LED)，有效降低在a軸上之晶格不匹配度，可以達到「提升發光效率」、「降低能量轉換損耗」及「降低製程複雜度及成本」等功效，有利於產製高品質照明光源，供應日常生活中的照明需求，提升產業價值，創造民眾、廠商與政府三贏之局面。
雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (8)

  1. 一種三族氮化物磊晶結構，包含：一氮化鎵層，由M平面氮化鎵圍繞c平面氮化鎵構成；一氮化銦鎵層，覆設於該氮化鎵層，該氮化銦鎵層由M平面氮化銦鎵圍繞c平面氮化銦鎵構成；及一氮化銦層，覆設於該氮化銦鎵層，該氮化銦層由M平面氮化銦圍繞c平面氮化銦構成；其中，該c平面氮化鎵、c平面氮化銦鎵及c平面氮化銦疊成一頸部，該頸部連接一c平面氮化銦薄碟，該c平面氮化銦薄碟與M平面氮化銦之間具有間隙，該c平面氮化銦薄碟具有一成長方向，該c平面氮化銦薄碟之側剖面具有一環錐邊緣朝向該M平面氮化銦，該環錐邊緣與該成長方向之夾角範圍介於72至73度之間。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之三族氮化物磊晶結構，其中該c平面氮化銦鎵與c平面氮化銦之介面係非平面。
  3. 一種三族氮化物磊晶結構的製作方法，其步驟包含：設定一基板之溫度為800度，供鎵原子於該基板上放置一第一成長時間；調控電漿功率為300瓦，氮與鎵之流量比值由39.9至55.9，成長溫度為800度維持一第二成長時間，成長溫度為850度維持一第三成長時間；調降該基板之溫度至650度，銦與鎵之流量比值為1.26，維持一第四成長時間；及提高電漿功率至450瓦，氮與銦之流量比值為39.3，設定該基板之溫度為470度，維持一第五成長時間。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述之三族氮化物磊晶結構的製作方法，其中該第一成長時間為5分鐘。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述之三族氮化物磊晶結構的製作方法，其中該第二成長時間為25分鐘。
  6. 根據申請專利範圍第3項所述之三族氮化物磊晶結構的製作方法，其中該第三成長時間為30分鐘。
  7. 根據申請專利範圍第3項所述之三族氮化物磊晶結構的製作方法，其中該第四成長時間為30分鐘。
  8. 根據申請專利範圍第3項所述之三族氮化物磊晶結構的製作方法，其中該第五成長時間為60分鐘。
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