TW202022386A - 測試半導體設備之方法及結構 - Google Patents

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TW202022386A TW108118457A TW108118457A TW202022386A TW 202022386 A TW202022386 A TW 202022386A TW 108118457 A TW108118457 A TW 108118457A TW 108118457 A TW108118457 A TW 108118457A TW 202022386 A TW202022386 A TW 202022386A
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Abstract

本發明係提供測試半導體前於探針卡下方設置加熱元件進行加熱後，並對半導體進行測試之方法及裝置，於本發明中一第一加熱器係設置於第一載體下方，並位於探針卡之底部，一第二加熱器係設置於一測試載體內，其中本發明之第一加熱器更可以設置於探針卡內，且第一加熱器以及第二加熱器可為直流電加熱或熱風加熱，此外更可以提供一控制器連接該第一加熱器以及該第二加熱器用來控制其溫度，且該第一加熱器係依據該第二加熱器對該測試載體所加熱之溫度，而對該探針卡加熱，使該探針卡能夠於進行測試前，先預熱變形。

Description

測試半導體設備之方法及結構
本發明係關於利用預熱元件對探針卡進行預熱之測試半導體設備之方法及結構。
近年來，積體電路(Integrated circuit，IC)在切割並封裝至模塊中或直接設置於電路上前，其必須先進行測試，晶圓級的積體電路測試是積體電路在製造過程中極為關鍵的部分，其可辨識有瑕疵或無法運作之積體電路，進而改善產品的品質以及設計，並降低製造成本，晶圓級積體電路測試測試積體電路時，其更能夠預防無效功能之積體電路，來降低封裝成本，並在某些應用中更能夠用於高溫下之壓力測試或老化測試，以確保積體電路晶片之穩定性。
傳統的積體電路晶片的測試中，其係使用探針卡上之彈簧針係提供一電路徑於測試系統與測試晶片之間，探針卡一般具有複數個電子接觸點，且該些接觸點可以為彈簧針，該些彈簧針係依據積體電路晶片之密度以及尺寸進行設計，且其導電模式係由該些彈簧針提供電子信號至待測晶片上進行測試，該探針卡通常係固定於待測晶片上方之位置，並且該探針卡上之該些彈簧針係電性連接該待測晶片。
隨著半導體工業的發展，積體電路晶片之尺寸也越做越小，且相對複雜，積體電路晶片上具有許多連接墊，當積體電路晶片製作的越小，則每個連接墊之大小也會相對應縮小，同時，為了降的成本，積體電路晶片的製造商於晶片測試時，就會一次測試大量的晶片，此種排程能夠改善晶片測試的方式並減少晶圓總測試時間，因此大幅降低晶片/晶圓測試的總體成本，現今業界已經推出探針卡可以接觸300mm的積體電路晶片，且該探針卡內多達60000根彈簧針，而該探針卡內之該些彈簧針於測試過程中，每一該彈簧針會對測試晶片產生2-5公克之接觸力，也就是說，該些彈簧針所產生之接觸力總合高達300公斤的接觸力，對於傳統測試系統之探針卡於測試中，當測試之產量下降時，就必須先停止晶片的測試，接著分析及調整彈簧針的位置後，才能夠繼續測試積體電路晶片，探針卡係由彈性的導體或導線以陣列之方式組成，形成陣列之彈簧針或導線係設置於印刷電路板上，且該些彈簧針位置使得其能夠與測試晶片有精準的定位，根據不同的探針卡通常用於不同之的積體電路晶片的測試，因為其連接墊會隨著每個積體電路晶片而變化，在使用期間，積體電路晶片係位於彈簧針陣列之下方，該些彈簧針係對應積體電路晶片上之連接墊，接著積體電路晶片會與彈簧針接觸，但彈簧針會於接觸點稍微滑動，電子訊號傳導以及訊號回傳將通過探針卡傳導到電子測試裝置，然後分離探針卡以及積體電路，接著將彈簧針與另一積體電路晶片相互對應，以重複進行測試，直到測試完積體電路晶片上所有的積體電路。
請參閱第一A圖至第一E圖，其係為傳統之半導體晶片測試方法及裝置，其包含一電子測試裝置10、一探針卡20以及一測試載體30，該探針卡20係設置於電子測試裝置10下方，該測試載體30係對應於該探針卡20下方，且該探針卡20上具有複數個彈簧針22，該些彈簧針22係對應於該測試載體30上之一待測元件32，如第一A圖所示，首先，先將該待測元件32放置於該測試載體30上，然後將該測試載體30移動至該探針卡20之底部，如第一B圖所示，該測試載體30移動至該探針卡20下方，其中該測試載體30發出熱能，當該測試載體30移動至該探針卡20下方時，其會將熱能藉由熱輻射之方式傳遞給該探針卡20，且該探針卡20吸收熱能並上升至最高溫所需的時間大約需要6-10分鐘，如第一C圖所示，該探針卡充分吸收該測試載體30所產生之熱能後，該探針卡20將移動更靠近該測試載體30，使該些彈簧針22觸碰至該待測元件32以開始進行測試，如第一D圖所示，完成該待測元件32之測試後，該測試載體30會遠離該探針卡20並向下移動，如第一E圖所示，該測試載體30會向一側移動，並將測試完成之該待測元件取下，接著放置新的該待測元件繼續前述之晶圓測試之步驟。
綜上所述之使用現有之半導體晶片測試之方法，其缺點在於該探針卡進行預熱時，需要消耗許多時間，且於該待測元件測試完成後，該測試載體需要由該探針卡下方移開至一側，將測試完成之該待測元件取下，再換上新的該待測元件進行測試，但於這期間，該探針卡之溫度將會下降，當再次測試時，則需要再次預熱，如此不斷循環，將耗費許多時間，且製造成本相對提高很多。
本發明之主要目的，係提供一種測試半導體設備之方法及結構，其係測試半導體前使用一第一加熱器對一探針卡進行加熱，使該探針卡能夠遇熱變形，其中該第一加熱器係連接於該探針卡上，其能夠於測試過程中，用於減少再次加熱探針卡消耗之時間。
本發明之另一目的，係提供一種測試半導體設備之方法及結構，其包含該第一加熱器以及一第二加熱器，該第一加熱器係連接至該探針卡，用於測試過程前及過程中來預熱及保持該探針卡之溫度，該第二加熱器係連接該測試載體，並將該測試載體進行加熱。
本發明之再一目的，係提供一導熱層，其係設置於該探針卡與該第一加熱器之間，其能夠將該第一加熱器所發出之熱能更均勻的傳遞至該探針卡上。
為了達到上述之目的，本發明揭示了一種測試半導體設備之方法，其步驟包含使用一第一加熱器加熱一探針卡以及一第二加熱器加熱一待測元件，以及透過該探針卡上之複數個彈簧針電性連接該待測元件並對該待測元件進行測試。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器係依據該第二加熱器的該第二溫度之實際溫度之一半正負10度來對該探針卡進行加熱。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器與該第二加熱器係為直流電加熱器、熱空氣加熱器或其組合。
為了達到上述之目的，本發明另外揭示了一種測試半導體設備之方法，其步驟包含控制一第一加熱器加熱一探針卡至一第一溫度以及一第二加熱器加熱一測試載體上之一待測元件至一第二溫度，且該第一加熱器以及該第二加熱器係經由一控制器分別控制，以及透過該探針卡上之複數個彈簧針電性連接該待測元件進行測試。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器係依據該第二加熱器的該第二溫度之實際溫度之一半正負10度來對該探針卡進行加熱。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器與該第二加熱器係為直流電加熱器、熱空氣加熱器或其組合。
為了達到上述之目的，本發明另外揭示了一種測試半導體設備之方法，其步驟包含安裝一第一加熱器於一第一載體上，且於一探針卡下方，並加熱該探針卡至一第一溫度，其中該探針卡包含複數個彈簧針，放置一待測元件於一測試載體上，並加熱該測試載體至一第二溫度，將該探針卡上之該些彈簧針電性連接至該待測元件，以提供一電路於一電子測試裝置與該待測元件之間進行測試，完成該待測元件測試後，移動該測試載體，並由該探針卡之底部移開，以及替換一新待測元件進行測試，且該第一加熱器保持一第一加熱溫度。
本發明之一實施例中，其亦揭露於該待測元件測試過程中移動該測試載體，該探針卡係保持穩定。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器係為直流電加熱器或熱空氣加熱器，且該測試載體係安裝直流電加熱器或熱空氣加熱器。
本發明之一實施例中，其亦揭露於完成該待測元件測試後，更換該新待測元件之過程中，該第一加熱器持續對該探針卡，使該探針卡之變形持續存在。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器係依據設置於該測試載體內之該第二加熱器的實際溫度之一半正負10度對該探針卡進行加熱。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器傳遞熱量至該探針卡，該探針卡再將熱量傳遞至該些彈簧針上，使該探針卡以及該些彈簧針產生變形。
為了達到上述之目的，本發明另外揭示了一種測試半導體設備之結構，其包含一電子測試裝置，一探針卡，該探針卡上具有複數個彈簧針並位於該電子測試裝置下方，且該探針卡下方設置一第一加熱器，其係用於測試期間將該探針卡加熱至一第一溫度，使測試期間該探針卡能夠穩定的受熱變形，以及一測試載體，其承載一待測元件，並加熱該待測元件至一第二溫度。
本發明之一實施例中，其亦揭露該測試半導體設備之結構更進一步包含一控制裝置，該控制裝置經耦合以感測該探針卡以及該測試載體之溫度，並對該測試載體以及該探針卡之溫度進行調節。
本發明之一實施例中，其亦揭露該測試半導體設備之結構更進一步設置一第二加熱器，其係設置於該測試載體內，並加熱至該第二溫度。
為了達到上述之目的，本發明另外揭示了一種測試半導體設備之結構，其包含一電子測試裝置，其包含一探針卡，其具有複數個彈簧針，該些彈簧針位於該電子測試裝置之下，其中一第一載體上設置一第一加熱器，且該第一加熱器係設置於該探針卡之下，其係用於將該探針卡加熱至一第一溫度並於測試期間使該探針卡穩定地變形，以及一測試載體，其上方承載一待測元件，並將該待測元件加熱至一第二溫度。
本發明之一實施例中，其亦揭露該測試半導體設備之結構更進一步包含一控制裝置，該控制裝置係耦合於該探針卡，用於感測該探針卡之溫度並將該探針卡之溫度調整為該第一溫度。
本發明之一實施例中，其亦揭露該測試半導體設備之結構更進一步設置一導熱層，其係設置於該探針卡之下。
本發明之一實施例中，其亦揭露該第一加熱器係依據該該測試載體之工作溫度，將該探針卡進行加熱，並使其變形。
本發明之一實施例中，其亦揭露該測試半導體設備之結構更進一步設置一第二加熱器，其係設置於該測試載體內，並加熱至該第二溫度。
為使　貴審查委員對本發明之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明，說明如後：
首先，請參閱第二A圖至第二E圖，其係為本發明之第一實施例之步驟示意圖，如圖所示，本發明公開了一種測試半導體設備之方法及結構，其包含一電子測試裝置10、一探針卡20、一測試載體30以及一第一加熱器40。
該探針卡20係設置於該電子測試裝置10下方，該測試載體30係位於該探針卡20下方，該測試載體30上放置一待測元件32，該待測元件32係相對於該探針卡20，且該探針卡20內具有複數個彈簧針22，該些彈簧針22之一端係電性連接該電子測試裝置10，該些彈簧針22之另一端係露出於該探針卡20，且該些彈簧針22之另一端係分別相對於該待測元件32，本發明與先前技術相比較，本發明更包含該第一加熱器40，該第一加熱器40係設置於該探針卡20下，且該第一加熱器40係對該探針卡20進行加熱，並加熱至一第一溫度T1 ，當該探針卡20到達該第一溫度T1時，該探針卡20會於該第一溫度T1 內受熱變形，而該測試載體30係於測試期間，將該待測元件32放置於其上，測試結束後，該待測元件32會被卸除，接著再換上新的之該待測元件32進行測試，且當開始測試前，該測試載體30內具有一第二加熱器34，該第二加熱器34係將該測試載體30加熱至一第二溫度T2 。
接著請繼續參閱第二A圖，其係為本實施例之測試半導體設備之方法之第一步，將該第一加熱器40對該電子測試裝置10下之該探針卡20進行加熱，並加熱至該第一溫度T1 ，該第二加熱器34對該測試載體30進行加熱，並加熱至該第二溫度T2 ，且該測試載體30上已放置該待測元件32，以及將該測試載體30移動至該探針卡20下方，其中該第一加熱器40可將該探針卡20預先進行加熱，使該探針卡20能夠預先受熱變形，當該測試載體30移動至該探針卡20下方後，其就不用再等待該探針卡20被加熱至該第一溫度T1 。
接著請繼續參閱第二B圖，其係為本實施例之第二步，該測試載體30移動至該探針卡20下方準備進行測試，於先前技術中，當測試載體30移動至該探針卡20下方時，還需等待6至10分鐘的時間，來將該探針卡20進行加熱，但本發明於該探針卡20下方設置該第一加熱器40後，該探針卡20即可預先進行加熱，其中該第一加熱器40將該探針卡20加熱至該第一溫度T1 係依據該第二加熱器34所加熱之該第二溫度T2 來決定該第一溫度T1 ，也就是說該第一加熱器40係依據該第二加熱器34的實際溫度之一半加正負10度來對該探針卡20進行加熱。
接著請繼續參閱第二C圖，其係為本實施例之第三步，當完成該探針卡20之預熱後，接著將該測試載體30朝該探針卡20移動，使該探針卡20上之該些彈簧針22能夠對應該測試載體30上之該待測元件32，對應完成後，將該些彈簧針22觸碰該待測元件32，並對該待測元件32進行測試。
接著請繼續參閱第二D圖，其係為本實施例之第四步，當測試完成後，該測試載體30將向下移動，並遠離該探針卡20之底部。
接著請繼續參閱第二E圖，其係為本實施例之第五步，當該測試載體30遠離該探針卡20後，將測試完成之該待測元件32取下，再換上新的該待測元件32，接著繼續第一步之測試，更值得一提的是，本實施例之該第一加熱器40係持續對該探針卡20加熱，使該探針卡20維持在該第一溫度T1 ，只有第一次進行該待測元件32之測試可能需要等待該探針卡20受熱，之後進行該待測元件32測試時，就不用等待該探針卡20受熱，即可直接進行測試。
經由上述之測試半導體設備之方法，其能夠於測試該待測元件32前，就預先將該探針卡20進行加熱，使該探針卡20預先受熱變形，如此，當該測試載體30移動至該探針卡20下方時，就可直接進行測試，因此，本發明相較於先前技術，不但節省每次探針卡之預熱時間，且本發明能夠穩定地提供熱能至該探針卡20，使該探針卡20能夠維持受熱變形的形態，進而能夠維持測試該待測元件32之準確度，且該第一加熱器40與該第二加熱器34其係分別連接至少一加熱源，該加熱源可以為直流電加熱源。
接著，以一實際例子並搭配表1進行說明，當該第二加熱器34之以實際溫度85度對該測試載體30進行加熱，並使該測試載體30之溫度上升至85度時，該第一加熱器40將以該第二加熱源件34所加熱之溫度之一半再正負10度對該探針卡20進行加熱，使該探針卡20之溫度上升至32.5-52.5度之間，當該測試載體30之實際溫度為100度時，則該探針卡20上升之溫度將會介於40-60度之間，因此當該待測元件32完成測試並遠離該探針卡20後，該探針卡20依然能夠持續保持固定之溫度，當接續新的該待測元件32測試時，該探針卡20就無需再進行預熱，即可直接進行對該待測元件32之測試。 表1
Figure 108118457-A0304-0001
接著，請繼續參閱第3A圖至第3C圖，其係為本發明之第二實施例，如圖所示，本發明公開了一種測試半導體設備之結構1，其包含一探針卡20、一第一加熱器40以及一控制裝置50。
該探針卡20下方係設置該第一加熱器40，且該第一加熱器40係接觸該探針卡20，該第一加熱器40下方設置一第一載體42，該第一載體42係用來承載該第一加熱器40，也就是說，該第一加熱器40之一側係設置於該第一載體42上，該第一加熱器40之另一側係設置於該探針卡20下，該第一載體42能夠支撐該第一加熱器40，使該第一加熱器40對該探針卡20加熱時不容易脫落，接著該第一加熱器40係連接該控制裝置50，其中該控制裝置50可以位於該第一加熱器40之外部，其只需連接該第一加熱器40即可，該控制裝置50係用來感測該第一加熱器40之溫度，並控制該第一加熱器40所加熱之溫度，使該第一加熱器40能夠準確地將該探針卡20加熱至一第一溫度T1 ，而該測試載體30之結構於第二實施例已說明，本實施例不再贅述，此外，該控制裝置50更能夠連接該測試載體30之該第二加熱器34，也就是說，該控制裝置50係分別連接該第一加熱器40以及該第二加熱器34，且該控制裝置50係控制該第二加熱器34對該測試載體30加熱至一第二溫度T2 ，並控制該第一加熱器40對該探針卡20加熱至該第一溫度T1 ，且該第一加熱器40係依據該第二加熱器34的實際溫度之一半加正負10度來對該探針卡20進行加熱。
在測試半導體過程中，該探針卡20一側上係設置並電性連接一電子測式裝置10，該探針卡20內之該些彈簧針22係電性連接該測試載體30上之該待測元件32，該第一加熱器40係加熱該探針卡20，該第二加熱器34係加熱該測試載體30，使該測試載體30上之該待測元件32達測試溫度，該測試載體30移動至該探針卡20底部，接著該些彈簧針22與該待測元件32接觸並電性連接進行該待測元件32之電子測試。
接著，請繼續參閱第4A圖至第4C圖，其係為本發明之第三實施例，如圖所示，本發明公開了一種測試半導體設備之結構1，其包含一探針卡20、一第一加熱器40、一第一載體42、一控制裝置50、一電磁隔離層44以及一導熱層46。
該第一載體42上係設置一第一加熱器40，該第一加熱器40上係設置該電磁隔離層44，該電磁隔離層44上係設置該導熱層46，該探針卡20再設置於該導熱層46上，當該第一加熱器40產生熱能時，其能夠通過該電磁隔離層44將熱能傳遞至該導熱層46，該導熱層46係為膠體或是能夠均勻擴散熱量之材質，該導熱層46能夠將該第一加熱器40產生之熱量均勻地傳遞至該探針卡20上，使該探針卡20之受熱面積能夠更加平均，且該電磁隔離層44上連接一接地線44g之一端，該接地線44g之相對於該電磁隔離層44之另一端係連接地面，如果該第一加熱器40產生熱能之方式係為電阻加熱或使用電加熱來產生熱能的話，當該第一加熱器40發出熱量時，也會伴隨磁場的產生，磁場將會影響該探針卡20之測試結果，因此該電磁隔離層44能夠阻擋該第一加熱器40所產生之磁場，該電磁隔離層44可以為任何隔絕磁場之材質，該第一加熱器40以及該探針卡20係分別連接該控制裝置50，該控制裝置50係用來量測該探針卡20之熱能，並控制該第一加熱器40所產生之熱能，使該探針卡20加熱至一第一溫度T1 。
接著，請繼續參閱第5A圖至第5B圖，其係為本發明之第四實施例，如圖所示，本發明公開了一種測試半導體設備之結構1，其包含一探針卡20、一第一加熱器40、一電磁隔離層44以及一控制裝置50。
該第一加熱器40係直接設置於該探針卡20內之底部，該第一加熱器40上係設置該電磁隔離層44，該電磁隔離層44上連接一接地線44g之一端，該接地線44g之相對於該電磁隔離層44之另一端係連接地面，如果該第一加熱器40產生熱能之方式係為電阻加熱或使用電加熱來產生熱能的話，當該第一加熱器40發出熱量時，也會伴隨磁場的產生，磁場將會影響該探針卡20之測試結果，因此該電磁隔離層44能夠阻擋該第一加熱器40所產生之磁場，該控制裝置50係連接該第一加熱器40，其能夠控制該第一加熱器40發出熱能，再者，該控制裝置50更能夠進一步連接該探針卡20，其能夠量測該探針卡20之溫度，接著再控制該第一加熱器40對該探針卡20進行加熱至一第一溫度T1 。
接著，請繼續參閱第6A圖至第6B圖，其係為本發明之第五實施例，如圖所示，本發明公開了一種測試半導體設備之結構1，其包含一探針卡20、一第一載體42、一控制裝置50以及一熱風裝置60。
該第一載體42上係設置該探針卡20，且該第一載體42內具有一氣流流動空間422，且該第一載體42之一側上設置一入風口424，相對於該第一載體42之一側之該入風口424之另一側設置一該出風口426，其中該入風口424與該出風口426係相對設置，該熱風裝置60上係分別設置一熱風出口602以及一冷風出口604，該熱風出口602係對應連接該入風口424以及該冷風出口604係對應連接該出風口426，該熱風裝置60能夠以管體來分別連接該入風口424與該出風口426，當該熱風裝置60產生一熱風62時，該熱風62會由該入風口424進入該氣流流動空間422內，並將熱能傳遞至該探針卡20，接著該熱風62會再由該出風口426回到該熱風裝置60內來完成一個循環，此外，為了增加該探針卡20之導熱效果，該探針卡20之二端係設置於該第一載體42上，該探針卡20相對於該第一載體42之面，則直接連通該氣流流動空間422，當該熱風62進入該氣流流動空間422時，該熱風62就能夠直接與該探針卡20接觸，如此，其能夠增加導熱效果，該控制裝置50係連接該熱風裝置60，該控制裝置50能夠控制該熱風裝置60所產生之該熱風62之溫度，且該控制裝置50更能夠連接該探針卡20，其係為了隨時量測該探針卡20之溫度，當該探針卡20之測試過程中，該控制裝置50能夠一邊量測該探針卡20之溫度，一邊控制該熱風裝置60所產生之該熱風62之溫度，以保持該探針卡20之溫度為一第一溫度T1 。
請繼續參閱第6B圖，經由上述之結構，當進行測試半導體時，一待測元件32係放置於一測試載體30上，且該測試載體30內包含一第二加熱器34，該第二加熱器34係對該測試載體30進行加熱，使該測試載體30上升至一第二溫度T2 ，該熱風裝置60產生該熱風62，該熱風62由該入風口424進熱該氣流流動空間422，此時，該熱風62會將熱量傳遞給該探針卡20，使該探針卡20之溫度上升至一第一溫度T1 並受熱變形，接著該熱風62會再由該出風口426離開，並回到該熱風裝置60內，當該探針卡20變形後，即可進行半導體測試，該測試載體30將朝該探針卡20之複數個彈簧針22移動，使該些彈簧針22觸碰至該待測元件32並進行測試，當測試結束後，該測試載體30再移動並遠離該探針卡20，接著該測試載體30再將完成測試之該待測元件32取出，再放入新的該待測元件32，接續上述測試之步驟，且於該測試載體30更換該待測元件32時，該熱風裝置60係持續對該探針卡20傳遞熱能，使該探針卡20能夠維持受熱之變形量，其中該第一溫度T1 係依據該第二溫度T2 之一半並加減10度來對該探針卡20進行加熱，且該控制裝置50為了更精準控制該探針卡20之變形量，該控制裝置50能夠分別連接該探針卡20、該第二加熱器34以及該熱風裝置60，該控制裝置50能夠控制該第二加熱器34所產生之該第二溫度T2 ，並依據該第二溫度T2 來控制該熱風裝置60所產生之熱量，進而控制該探針卡20之溫度，切該控制裝置50係持續量測該探針卡20之溫度，以維持該探針卡20與該測試載體30之相對溫度，如此，於半導體測試過程中，該探針卡20就能維持該第一溫度T1 之變形量，每當開始進行半導體測試時，該探針卡20就不須預熱即可直接進行測試。
綜上所述，該測試半導體設備之方法及結構能夠經由該第一加熱器對該探針卡持續加熱並維持在該第一溫度，使該探針卡能夠以相同之變形量進行半導體測試，且該探針卡上之該第一溫度係依據該測試載體上之該第二溫度來決定，當完成半導體測試後，該測試載體在更換新的該待測物時，該探針卡依然能夠藉由該第一加熱器維持在第一溫度之變形量，如此，於測試過程中，即可節省探針卡預熱變形時的時間，如此大幅降低製造成本。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
1:測試半導體設備之結構 10:電子測試裝置 20:探針卡 22:彈簧針 30:測試載體 32:待測元件 34:第二加熱器 40:第一加熱器 42:第一載體 44:電磁隔離層 44g:接地線 46:導熱層 422:該氣流流動空間 424:入風口 426:出風口 50:控制裝置 60:熱風裝置 62:熱風 T1:第一溫度 T2:第二溫度
第一A圖至第一E圖：其係為本發明之先前技術之步驟示意圖； 第二A圖至第二E圖：其係為本發明之第一實施例之步驟示意圖； 第三A圖：其係為本發明之第二實施例之立體分解示意圖； 第三B圖：其係為本發明之第二實施例之前視示意圖； 第三C圖：其係為本發明之第二實施例之做動示意圖； 第四A圖：其係為本發明之第三實施例之立體分解示意圖； 第四B圖：其係為本發明之第三實施例之前視示意圖； 第四C圖：其係為本發明之第三實施例之做動示意圖； 第五A圖：其係為本發明之第四實施例之前視示意圖； 第五B圖：其係為本發明之第四實施例之做動示意圖； 第六A圖：其係為本發明之第五實施例之前視示意圖；以及 第六B圖：其係為本發明之第五實施例之做動示意圖。
10:電子測試裝置
20:探針卡
22:彈簧針
30:測試載體
32:待測元件
34:第二加熱器
40:第一加熱器
42:第一載體
50:控制裝置

Claims (20)

  1. 一種測試半導體設備之方法，其步驟包含: 使用一第一加熱器加熱一探針卡以及一第二加熱器加熱一待測元件；以及 透過該探針卡上之複數個彈簧針電性連接該待測元件並對該待測元件進行測試。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器係依據該第二加熱器的該第二溫度之實際溫度之一半正負10度來對該探針卡進行加熱。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器與該第二加熱器係為直流電加熱器、熱空氣加熱器或其組合。
  4. 一種測試半導體設備之方法，其步驟包含: 控制一第一加熱器加熱一探針卡至一第一溫度以及一第二加熱器加熱一測試載體上之一待測元件至一第二溫度，且該第一加熱器以及該第二加熱器係經由一控制裝置分別控制加熱溫度；以及 透過該探針卡上之複數個彈簧針電性連接該待測元件進行測試。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器係依據該第二加熱器的該第二溫度之實際溫度之一半正負10度來對該探針卡進行加熱。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器與該第二加熱器係為直流電加熱器、熱空氣加熱器或其組合。
  7. 一種測試半導體設備之方法，其步驟包含: 安裝一第一加熱器於一第一載體上，且於一探針卡下方，並加熱該探針卡至一第一溫度，其中該探針卡包含複數個彈簧針； 放置一待測元件於一測試載體上，並加熱該測試載體至一第二溫度； 將該探針卡上之該些彈簧針電性連接至該待測元件，以提供一電路於一電子測試裝置與該待測元件之間進行測試； 完成該待測元件測試後，移動該測試載體，並由該探針卡之底部移開；以及 替換一新待測元件進行測試，且該第一加熱器保持一第一加熱溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之測試半導體設備之方法，其中於該 待測元件測試過程中移動該測試載體，該探針卡係保持穩定。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器第二加熱器係為直流電加熱器或熱空氣加熱器，且該測試載體係安裝直流電加熱器或熱空氣加熱器。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之測試半導體設備之方法，其中於完 成該待測元件測試後，更換該新待測元件之過程中，該第一加熱器持續對該探針卡，使該探針卡之變形持續存在。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器係依據設置於該測試載體內之該第二加熱器的實際溫度之一半正負10度對該探針卡進行加熱。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之測試半導體設備之方法，其中該第 一加熱器傳遞熱量至該探針卡，該探針卡再將熱量傳遞至該些彈簧針上，使該探針卡以及該些彈簧針產生變形。
  13. 一種測試半導體設備之結構，其包含: 一電子測試裝置； 一探針卡，該探針卡上具有複數個彈簧針並位於該電子測試裝置下方，且該探針卡下方設置一第一加熱器，其係用於測試期間將該探針卡加熱至一第一溫度，使測試期間該探針卡能夠穩定的受熱變形；以及 一測試載體，其承載一待測元件，並加熱該待測元件至一第二溫度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步包含一控制裝置，該控制裝置經耦合以感測該探針卡以及該測試載體之溫度，並對該測試載體以及該探針卡之溫度進行調節。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步設置一第二加熱器，其係設置於該測試載體內，並加熱至該第二溫度。
  16. 一種測試半導體設備之結構，其包含: 一電子測試裝置，其包含: 一探針卡，其具有複數個彈簧針，該些彈簧針位於該電子測試裝置之下，其中一第一載體上設置一第一加熱器，且該第一加熱器係設置於該探針卡之下，其係用於將該探針卡加熱至一第一溫度並於測試期間使該探針卡穩定地變形；以及 一測試載體，其上方承載一待測元件，並將該待測元件加熱至一第二溫度。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步包含一控制裝置，該控制裝置係耦合於該探針卡，用於感測該探針卡之溫度並將該探針卡之溫度調整為該第一溫度。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步包含一導熱層，其係設置於該探針卡之下。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步設置一熱風裝置，該熱風裝置上設置一熱風出口以及一冷風進口，該第一載體內設置一氣流流動空間，且該第一載體一側設置一入風口，另一側設置一出風口，該入風口以及該出風口分別連接該熱風出口以及該冷風進口。第一加熱器第二加熱器
  20. 如申請專利範圍第16項所述之測試半導體設備之結構，更進一 步設置一第二加熱器，其係設置於該測試載體內，並加熱至該第二溫度。
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