TW202020725A - 光學指紋識別裝置、陣列基板及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種光學指紋識別裝置，包括光敏感應器、發光層及聚光元件，所述光敏感應器包括感光層，所述感光層與所述發光層層疊設置，所述發光層包括間隙，所述發光層用於發出光線，所述聚光元件對應所述發光層的間隙設置，所述聚光元件用於將手指反射的光線傳送至所述感光層，所述光敏感測器藉由所述感光層接收的光線識別指紋。本發明提供的光學指紋識別裝置，由於聚光元件的聚光作用，減少經手指反射的光線的散射及損耗，從而提高所述光學指紋識別裝置的指紋識別準確性。

Description

光學指紋識別裝置、陣列基板及顯示裝置

本發明涉及指紋識別技術領域，特別涉及一種光學指紋識別裝置、陣列基板及顯示裝置。

當前，顯示模組中集成的指紋識別裝置通常設置在主功能表鍵或顯示模組的背面等非顯示器區域，而顯示模組正在向超薄、高色域、廣視角、集成化的方向發展，故將指紋識別裝置集成於顯示模組的顯示區域實現光學指紋識別是一個研究熱點。惟，現有的光學指紋識別裝置，手指反射後的光在傳播過程會發生散射，易造成光線的損失，進而導致根據感測器接收到的光線識別出的指紋資訊不準確。故，如何在光學指紋識別過程中提高識別出的指紋資訊的準確性，成為了需要解決的問題。

為解決上述問題，本發明實施例公開一種能夠提高準確性的光學指紋識別裝置和顯示裝置。

一種光學指紋識別裝置，包括光敏感應器、發光層及聚光元件，所述光敏感應器包括感光層，所述感光層與所述發光層層疊設置，所述發光層包括間隙，所述發光層用於發出光線，所述聚光元件對應所述發光層的間隙設置，所述聚光元件用於將手指反射的光線傳送至所述感光層，所述光敏感測器藉由所述感光層接收的光線識別指紋。

一種陣列基板，包括如上所述的光學指紋識別裝置。

一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板

本發明提供的光學指紋識別裝置、陣列基板及顯示裝置，由於聚光元件的聚光作用，減少經手指反射的光線的散射及損耗，從而提高所述光學指紋識別裝置的指紋識別準確性。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出進步性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，均屬於本發明保護的範圍。

請參閱圖1，圖1為本發明第一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。一種光學指紋識別裝置10包括光敏感應器11、發光層13及至少一個聚光元件15。光敏感應器11包括感光層113，感光層113與發光層13層疊設置。發光層13包括間隙131。聚光元件15對應發光層13的間隙131設置，聚光元件15用於將手指反射的光線傳送至感光層113。光敏感測器11藉由感光層113接收的光線識別指紋。

本實施方式提供的光學指紋識別裝置10，由於聚光元件15的聚光作用，減少經手指101反射的光線的散射及損耗，從而提高光學指紋識別裝置10的指紋識別準確性。

光敏感應器11為電荷耦合器件（charge coupled device，CCD），感光層113為電荷耦合器件的感光像素層。可理解，光敏感應器11可為互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS），感光層113為互補金屬氧化物半導體的感光像素層。對於光敏感應器11的具體結構及工作原理在此不作贅述。

發光層13包括複數發光單元133，相鄰的發光單元133形成間隙131。發光單元133用於發出光線。發光層13還包括功能層135，功能層135包括電流均化層、水氧阻隔層、偏光層、觸控層、相位補償層等等。功能層135覆蓋複數發光單元133並填充間隙131。本實施方式中，發光單元133均為一個獨立的發光像素點，三個相鄰的發光像素點組成一個RGB像素。可理解，不限定發光單元133為R、G、B像素點中的一種，不限定三個相鄰的發光像素點組成一個RGB像素。製備時，聚光元件15先于發光層13形成於光學指紋識別裝置10內。

光學指紋識別裝置10還包括基材層16，聚光元件15設於感光層113上，基材層16覆蓋聚光元件15並位於感光層113與發光層13之間。本實施方式中，基材層16藉由粘合層18與感光層113粘合於一起，聚光元件15設於粘合層18之上，基材層16覆蓋聚光元件15。可理解，聚光元件15可完全嵌設於基材層16，即聚光元件15可由基材層16完全包覆；聚光元件15可完全嵌設於粘合層18，即聚光元件15可由粘合層18完全包覆。所述至少一個聚光元件15嵌設於所述基材層16、所述粘合層18中的至少一個之中。本實施方式中，基材層16為柔性基材層。可理解，基材層16也可為剛性基材層。本實施方式中，聚光元件15為凸形透光件。聚光元件15位於間隙131所在位置的正下方。聚光元件15的折射率大於基材層16的折射率，聚光元件15可選用SiN材料。本實施方式中，聚光元件15為半圓球形或半橢球形透光件，即聚光元件15為平凸鏡，聚光元件15的平面151與粘合層18粘結並朝向感光層113設置。可理解，對聚光元件15的形狀不作限定，其能夠將手指反射回來的光線改變光路傳送至感光層113即可。

可理解，聚光元件15也可僅部分位於間隙131所在位置的正下方，例如聚光元件15僅二分之一、三分之一部分位於間隙131所在位置的正下方，聚光元件15位於經手指101反射過來的光線的光路上並能夠將所述光線傳送至感光層113即可。

在一實施方式中，請參閱圖2，聚光元件15為圓球形或橢球形透光件，聚光元件15嵌設於粘合層18及基材層16。在其他實施方式中，聚光元件還可採用其他的聚光元件代替，比如反射件、反射面與透鏡的組合等。在其他實施方式中，所述聚光元件包括凸形透光件。

請再次參閱圖1，光學指紋識別裝置10還包括封裝層17。基材層16、發光層13與封裝層17依次層疊設置於感光層113上，封裝層17設置於光學指紋識別裝置10的指紋識別側的最外側，即，光學指紋識別裝置10進行指紋識別時，用戶的手指101與所述封裝層17最近。其中，光學指紋識別裝置10進行指紋識別時，用戶的手指101可接觸或不接觸封裝層17。製備時，所述聚光元件15先于封裝層17形成於光學指紋識別裝置10內。

本實施方式中，例如，功能層135的折射率、基材層16的折射率及封裝層17的折射率為1.7，聚光元件15的折射率大於1.7，粘合層18的折射率與聚光元件15的折射率相同。可理解，依據需要對聚光元件15的折射率與位於光線的光路上各疊層的折射率進行搭配，使經手指101反射回來的光線經聚光元件15到達感光層113。

感光層113還包括吸光層1131，感光層113對應聚光元件15之外的區域形成吸光層1131。吸光層1131包括鏤空區域1133，吸光層1131覆蓋於感光層113上用於吸收雜散光。粘合層18覆蓋吸光層1131並填充鏤空區域1133。本實施方式中，鏤空區域1133對應聚光元件15設置，用於使經聚光元件15的光線能夠經過鏤空區域1133到達感光層113。當手指101觸碰光學指紋識別裝置10時，發光單元133發出的光線部分經手指101反射穿過間隙131到達聚光元件15。聚光元件15將手指101反射過來的光線經過鏤空區域191傳輸至感光層113。由於聚光元件15的聚光作用，將經手指101反射後的光線改變光路，使大角度光變為小角度光，從而減少光線的散射及損耗，提高光學指紋識別裝置10識別指紋的準確性。

本實施方式中，光學指紋識別裝置10應用于有機發光顯示面板中，使得有機發光顯示面板在具顯示功能的同時具備光學指紋識別功能。有機發光顯示面板的制程分別包括陣列基板（Array）段、晶片（Cell）段以及模組（Module）段。

所述陣列基板段為前段制程，主要將薄膜電晶體制作於玻璃上，主要包括成膜、微影、蝕刻和檢測等步驟。製備時，聚光元件15與所述有機發光層均在有機發光顯示面板的陣列基板段制程內形成。

所述晶片段為中段制程，以前段的所述陣列基板段中制好的陣列基板為基礎，藉由蒸鍍、封裝等步驟形成有機發光層。

所述模組段為後段模組制程，即完成顯示幕與觸控面板、驅動晶片等的貼合、綁定等。製備時，感光層113在有機發光顯示面板的模組段制程內形成。

可理解，光學指紋識別裝置10不限定應用于有機發光顯示面板，光學指紋識別裝置10也可應用於其他設備中，例如考勤裝置等等。

請參閱圖3，圖3為本發明第二實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。光學指紋識別裝置30與第一實施方式提供的光學指紋識別裝置10的不同在於，聚光元件35嵌設於功能層335並位於發光單元333遠離感光層313的一側。聚光元件35亦可設於功能層335對應間隙的位置作為間隙物（photo spacer，PS）使用。本實施方式中，聚光元件35為半圓球形或半橢球形透光件，聚光元件35的平面朝向感光層313設置。請參閱圖4，在一實施方式中，聚光元件35為圓球形或橢球形透光件。

請參閱圖5，圖5為本發明第三實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。光學指紋識別裝置50與第一實施方式提供的光學指紋識別裝置10的不同在於，聚光元件55設於基材層56上，光學指紋識別裝置50還包括平坦層59，平坦層59覆蓋聚光元件55並位於發光層53與基材層56之間。換而言之，聚光元件55嵌設於平坦層59。

可理解，聚光元件55可完全嵌設於平坦層59，即聚光元件55可由平坦層59完全包覆。所述至少一個聚光元件55嵌設於所述基材層56、所述平坦層59中的至少一個之中。

本實施方式中，聚光元件55為半圓球形或半橢球形透光件，聚光元件55的平面551朝向感光層513設置。請參閱圖6，在一實施方式中，聚光元件55為圓球形或橢球形透光件，聚光元件55嵌設於平坦層59與基材層56。

請參閱圖7，圖7為本發明第四實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。光學指紋識別裝置60與第三實施方式提供的光學指紋識別裝置10的不同在於，光學指紋識別裝置60還包括像素定義層69，像素定義層69位於平坦層61與發光層63之間，聚光元件65設於基材層66上，平坦層61覆蓋聚光元件65。可理解，聚光元件65可完全嵌設於平坦層61，即聚光元件65完全由平坦層61包覆。可理解，所述至少一個聚光元件65嵌設於基材層66及平坦層61中的至少一個之中。

本實施方式中，聚光元件65為半圓球形或半橢球形透光件，聚光元件65的平面651朝向感光層613設置。請參閱圖8，在一實施方式中，聚光元件65為圓球形或橢球形透光件，聚光元件65嵌設於平坦層61與基材層66之間。

在一實施方式中，聚光元件65嵌設于像素定義層69及平坦層61中的至少一個之中。

請參閱圖9，本發明還提供一種陣列基板70。陣列基板70包括如上所述任一實施方式提供的光學指紋識別裝置，陣列基板70還包括遮光部701，遮光部701位於所述光學指紋識別裝置的聚光元件703與感光層705之間，聚光元件703與遮光部701在所述光學指紋識別裝置的感光層705上的正投影的交疊面積為零，即聚光元件703避開遮光部701設置，避免手指反射過來的光線被遮光部701阻擋不能到達所述光學指紋識別裝置的感光層705。

具體的，陣列基板70為底柵型陣列基板。陣列基板70包括基材層711、設置於基材層711上薄膜電晶體713。遮光部701為薄膜電晶體713的源漏極（Source Drain）。薄膜電晶體713包括層疊設置的柵極7131、柵極絕緣層（Gate Insulation layer）7133及有源層7135。感光層705設於基材層711遠離薄膜電晶體713的一側。

陣列基板71還包括緩衝層715、刻蝕阻擋層716、鈍化層717及平坦層718。緩衝層715疊設於基材層711上，柵極7131設於緩衝層715遠離基材層711的一側，柵極絕緣層7133疊設於柵極7131及緩衝層715上，有源層7135設於柵極絕緣層7133上，刻蝕阻擋層716疊設於柵極絕緣層7133上及有源層7135上，遮光部701設於刻蝕阻擋層716上並藉由刻蝕阻擋層716的通孔與有源層7135電性連接。鈍化層717疊設於遮光部701及刻蝕阻擋層716上，平坦層718疊設於鈍化層717上。

陣列基板71還包括像素電極719、像素定義層723及發光層725及間隙物727。像素電極719設於平坦層718並藉由貫通平坦層718與鈍化層717的通孔與遮光部701電性連接，像素定義層723設於平坦層718及像素電極719。發光層725形成在像素定義層723上。所述間隙物727設于發光層725。發光層725為有機發光層，所述有機發光層發出的光線還用於顯示圖像。

本實施方式中，聚光元件703設於平坦層718，聚光元件703與遮光部701在感光層705上的正投影的交疊面積為零，即聚光元件703避開所述遮光部701設置，避免手指反射過來的光線被遮光部701阻擋不能到達所述光學指紋識別裝置的感光層705，感光層705貼合於陣列基板70的基材層711遠離發光層725的一側，即將光學指紋識別裝置集成設置於陣列基板70。聚光元件703與所述有機發光層均在有機發光顯示面板的陣列基板段制程內形成。所述感光層705在有機發光顯示面板的模組段制程內形成。

製備時，將聚光元件703集成設置於陣列基板70的平坦層718，將光學指紋識別裝置的感光層705貼合於陣列基板70的基材層711遠離發光層727的一側上。

在其他實施方式中，聚光元件703可設置於陣列基板70的其他疊層中，例如基材層711、像素定義層723等等，聚光元件703還可設置于發光層725中作為間隙物使用，所述聚光元件703避開遮光部701設置，聚光元件703將指紋反射回來的光進行縮小光線角度成像，投射到光敏感應器的感光層705上即可。

本實施方式提供的陣列基板70集成有光學指紋識別裝置，使得陣列基板70具光學指紋識別功能，實現指紋識別顯示一體化。進一步地，藉由聚光元件703的聚光作用，減少手指反射回來的光線不易發散，提高所述光學指紋識別裝置的識別的準確性。另外，陣列基板70不需要額外再設立准直層、阻隔層和小孔層，光的利用率高，使成像更清晰同時減少了技術難度以及成本，且可降低整體的厚度。還有，集成光學指紋識別裝置集中在陣列基板70的制程段，能夠簡化制程降低製造成本。另外，本實施方式中光線的光學路徑基本在具陣列基板的顯示裝置內，減少光線的損耗，有利於提高指紋識別的準確性。

請參閱圖10，本發明還提供一種陣列基板90。陣列基板90包括如上所述任一實施方式提供的光學指紋識別裝置，陣列基板90還包括遮光部901，遮光部901位於所述光學指紋識別裝置的聚光元件903與感光層905之間，聚光元件903與遮光部901在所述光學指紋識別裝置的感光層905上的正投影的交疊面積為零，即聚光元件903避開遮光部901設置，避免手指反射過來的光線被遮光部901阻擋不能到達所述光學指紋識別裝置的感光層905。

具體的，陣列基板90為頂柵型陣列基板。陣列基板90包括基材層911、設置於基材層911上薄膜電晶體913。遮光部901為薄膜電晶體913的源漏極。薄膜電晶體913還包括柵極9131、柵極絕緣層9133及有源層9135。有源層9135、柵極絕緣層9133及柵極9131依次層疊設於基材層911上，其中，有源層9135設於基材層911上，遮光部901與有源層9135電性連接。遮光部901通常由不透光或較低透光率的材料製成。感光層905設於基材層911遠離薄膜電晶體915的一側。

陣列基板90還包括緩衝層915、阻擋層916、介電層917、鈍化層918、平坦層919。緩衝層915疊設於基材層911上，阻擋層916疊設於緩衝層915上，有源層9135設於阻擋層916遠離基材層711的一側，柵極絕緣層9133疊設於有源層915及阻擋層916上，介電層917設於阻擋層916及有源層9135上，遮光部901設於介電層917上並藉由介電層917上的通孔與有源層9135電性連接。鈍化層918疊設於遮光部901及介電層917上，平坦層919疊設於鈍化層918上。

陣列基板91還包括像素電極921、像素定義層923、發光層925及間隙物927。像素電極921設於平坦層919並藉由貫通平坦層919與鈍化層918的通孔與遮光部901電性連接，像素定義層923設於平坦層919及像素電極921上。發光層925設于像素定義層923上，間隙物927設于發光層925。發光層925為有機發光層，所述有機發光層發出的光線還用於顯示圖像。

本實施方式中，聚光元件903設於平坦層919，聚光元件903與遮光部901在感光層905上的正投影的交疊面積為零，聚光元件903避開遮光部901設置，避免手指反射過來的光線被遮光部901阻擋不能到達所述光學指紋識別裝置的感光層905。此外，感光層905貼合於陣列基板90的基材層911遠離發光層925的一側，即將光學指紋識別裝置集成設置於陣列基板90。聚光元件903與所述有機發光層均在有機發光顯示面板的陣列基板段制程內形成。所述感光層905在有機發光顯示面板的模組段制程內形成。

製備時，將聚光元件903集成設置於陣列基板90的平坦層919，感光層905貼合於陣列基板90的基材層911遠離發光層925的一側。

在其他實施方式中，聚光元件903可設置於陣列基板90的其他疊層中，例如基材層911、或者像素定義層923等等，聚光元件903還可設置于發光層925中作為間隙物使用，所述聚光元件903避開遮光部901設置，聚光元件903將指紋反射回來的光進行縮小光線角度成像，投射到光敏感應器的感光層905上即可。

請參閱圖11，本發明還提供一種具陣列基板的顯示裝置100，所述顯示裝置100可為OLED面板或AMOLED面板，也可為包括OLED面板或AMODLED面板的手機、平板電腦、顯示器等電子裝置。

最後應說明的是：以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，均應涵蓋在本發明的保護範圍之內。故，本發明的保護範圍應以權利要求的保護範圍為准。

10、30、50、60:光學指紋識別裝置101:手指11:光敏感應器113、313、613、705、905:感光層1131:吸光層1133:鏤空區域13、53、725:發光層131:間隙133:發光單元135、335:功能層15、35、55、65、703、903:聚光元件151、651:平面16、56、66、711、911:基材層17:封裝層18:粘合層59、61、718、919:平坦層69、723:像素定義層70、90:陣列基板701、901:遮光部713、913:薄膜電晶體7131、9131:柵極7133、9133:柵極絕緣層7135、9135:有源層715、915:緩衝層716:刻蝕阻擋層916:阻擋層717、918:鈍化層719:像素電極723:像素定義層727:間隙物917:介電層100:顯示裝置

為了更清楚地說明本發明實施例或習知技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出進步性勞動的前提下，還可以根據該等附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明第一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖2為本發明一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖3為本發明第二實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖4為本發明一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖5為本發明第三實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖6為本發明一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖7為本發明第四實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖8為本發明一實施方式提供的一種光學指紋識別裝置的疊層結構示意圖。

圖9為本發明一實施方式提供的一種陣列基板的疊層結構示意圖。

圖10為本發明一實施方式提供的一種陣列基板的疊層結構示意圖。

圖11為本發明實施方式提供的一種顯示裝置的平面示意圖。

10:光學指紋識別裝置

101:手指

11:光敏感應器

113:感光層

1131:吸光層

1133:鏤空區域

13:發光層

131:間隙

133:發光單元

135:功能層

15:聚光元件

151:平面

16:基材層

17:封裝層

18:粘合層

Claims (28)

1. 一種光學指紋識別裝置，其改良在於，包括光敏感應器、發光層及至少一個聚光元件，所述光敏感應器包括感光層，所述感光層與所述發光層層疊設置，所述發光層包括間隙，所述發光層用於發出光線，所述至少一個聚光元件對應所述發光層的間隙設置，所述聚光元件用於將手指反射的光線傳送至所述感光層，所述光敏感測器藉由所述感光層接收的光線識別指紋資訊。
2. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述發光層包括多個發光單元，相鄰的發光單元之間形成間隙。
3. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述發光單元為一個獨立的發光圖元點，三個相鄰的發光圖元點組成一個RGB圖元。
4. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述發光單元發出的光線經手指反射回來之後，穿過所述間隙再到達所述感光層。
5. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件包括凸形透光件。
6. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述發光層為有機發光層，所述有機發光層發出的光線還用於顯示圖像。
7. 如申請專利範圍第6項所述的所述光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件在有機發光顯示面板的陣列基板段制程內形成。
8. 如申請專利範圍第7項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述感光層在有機發光顯示面板的模組段制程內形成。
9. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述感光層對應聚光元件之外的區域形成吸光層。
10. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括基材層，所述基材層設於所述感光層與所述發光層之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括粘合層，所述感光層藉由所述粘合層與所述基材層粘結。
12. 如申請專利範圍第11項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述至少一個聚光元件嵌設於所述基材層、所述粘合層中的至少一個之中。
13. 如申請專利範圍第10項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括平坦層，所述平坦層設於所述基材層與所述發光層之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述至少一個聚光元件嵌設於所述基材層、所述平坦層中的至少一個之中。
15. 如申請專利範圍第13項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括圖元定義層，所述圖元定義層設於所述平坦層與所述發光層之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述至少一個聚光元件嵌設於所述基材層及所述圖元定義層中的至少一個之中。
17. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述發光層包括多個發光單元及功能層，相鄰的發光單元之間形成所述間隙，所述功能層覆蓋所述發光單元並填充所述間隙，所述至少一個聚光元件設於所述功能層的對應間隙的位置而作為間隙物使用。
18. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件為半圓球形或半橢球形透光件，所述聚光元件的平面朝向所述感光層設置。
19. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件為圓球形或橢球形透光件。
20. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括吸光層，所述吸光層設於所述感光層與所述發光層之間，所述吸光層具鏤空區域，所述鏤空區域對應所述聚光元件設置。
21. 如申請專利範圍第1項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述光學指紋識別裝置還包括封裝層，所述封裝層設于所述發光層遠離所述感光層的一側。
22. 如申請專利範圍第21項所述的光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件先于所述封裝層形成於光學指紋識別裝置內。
23. 如申請專利範圍第22項所述的所述光學指紋識別裝置，其中，所述聚光元件先于所述發光層形成於光學指紋識別裝置內。
24. 一種陣列基板，其改良在於，所述陣列基板包括如申請專利範圍第1-23項任意一項所述的光學指紋識別裝置。
25. 如申請專利範圍第24項所述的陣列基板，其中，所述陣列基板還包括遮光部，所述遮光部位於所述聚光元件與所述感光層之間，所述聚光元件與所述遮光部兩者在所述感光層的正投影的交疊面積為零。
26. 如申請專利範圍第24項所述的陣列基板，其中，所述感光層設於所述陣列基板的基材層遠離所述發光層的一側。
27. 如申請專利範圍第24項所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括薄膜電晶體，所述遮光部為所述薄膜電晶體的源漏極。
28. 一種顯示裝置，其改良在於，所述顯示裝置包括如如申請專利範圍第24-27項任意一項所述的陣列基板。

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