TW202017297A - 用於耦合電感器電路之分段繞組技術 - Google Patents

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Abstract

於此提供用於直流對直流電壓轉換器或調節器中耦合電感器之分段繞組技術。於一範例中，耦合電感器電路可包括一第一繞組，其包含具有一中心軸之一導電線圈，以及一第二繞組，其係經設置與該第一繞組磁性耦合。該第二繞組可具有複數個獨立區段。各獨立區段可形成該第二繞組之一匝之一部分。各區段可包括一第一導體、一接地導體以及一第一開關以選擇性耦合與選擇性隔離該第一導體與該接地導體。

Description

用於耦合電感器電路之分段繞組技術
本發明提供用於直流對直流電壓轉換器或調節器之耦合電感器電路之技術。
直流對直流切換式調節器，顧名思義為利用高頻率切換以產生用於電子裝置之期望輸出電壓。於某些應用中，對於低壓電子裝置能接受相對較高電源電壓之需求，將帶來使電源電壓降壓至低電源電壓之設計挑戰。於高電源電壓自一低輸入電源電壓進行轉換之升壓應用中亦可發現相同或極為近似之設計挑戰。
於此提供用於直流對直流電壓轉換器或調節器中耦合電感器的分段繞組之技術。於一範例中，耦合電感器電路可包括一第一繞組，其包含具有一中心軸之導電線圈，以及一第二繞組，其係經設置以與第一繞組磁性耦合。第二繞組可具有複數個獨立區段。各獨立區段可形成第二繞組之一匝之一部分。各區段可包括一第一導體、一接地導體以及一第一開關以選擇性耦合與選擇性隔離該第一導體與該接地導體。
本發明人已認知到平面變壓器或平面耦合電感器電路之技術，其可實施分段繞組以減少尺寸，並且相較於傳統技術，可能降低用於直流對直流電壓轉換器之某些降壓與升壓變壓器之複雜性。圖1A概括描繪平面耦合電感器電路100之分解視圖，其包括具有複數個區段之繞組101、102。於某些範例中，耦合電感器電路100可包括兩個繞組101、102，其中第一繞組101佔據平面耦合電感器電路100之一或多個內部基板層103、104，而第二繞組102佔據一或多個基板層105、106，其等相鄰或包夾第一繞組101之基板層。於圖1A之範例中，第一繞組101可佔據基板之第一層103與第二層104，而第二繞組102可佔據基板之第三層105與第四層106。基板之第一層103及第二層104可位於基板之第三層105與第四層106之間。一或多個層體可包括允許用於基板層體之間電性連接之通孔107。
圖1B概括描繪基板層103、104其中一者之例示佈局，其包括圖1A裝置之第一繞組101之部分。所述佈局可包括一單跡線108，其位於基板上或與其整合並且具有提供圍繞一中心軸兩匝之路徑。於某些範例中，跡線108可耦合至開關（圖中未顯示），其例如將第一繞組101連接之極性交替至諸如電源電壓之其他裝置。除了跡線108之外，層體可包括用於容置耦合電感器電路100之基板層之間互連之通孔107。
圖1C概括描繪基板層105、106其中一者之例示佈局，其包括圖1A耦合電感器電路100之第二繞組102之部分。所述佈局可包括第一區段跡線109、第二區段跡線110、第一參考平面跡線111以及第二參考平面跡線112。於某些範例中，磁心113之窗口可經設置使區段跡線109、110穿過一窗口。於某些範例中，區段跡線109、110以及參考平面跡線111、112可容置一電晶體電路114，其將耦合於一區段跡線之一端與相鄰參考平面跡線之間。於某些範例中，所述佈局可包括一終端襯墊115，其用於控制前往各電晶體電路之訊號。
如圖所示，圖1A之範例可包括第一繞組101，其圍繞磁心113之軸線為四匝，以及一第二繞組102，其圍繞磁心113之軸心為兩匝，並且各匝包括兩區段。然而，以下將解釋，各繞組圍繞核心之實際匝數可根據各基板層之終端與相對應繞組之相對應層體互連之情況決定。
圖2概括描繪用於圖1A耦合電感器電路100之例示第一繞組電路220。所述內容以與一變壓器主要繞組相關之用語解釋第一繞組電路220，然而於其他範例中並未如此限制。於某些範例中，第一繞組電路220可包括第一繞組101，以及四個開關（Q1、Q2、Q3、Q4）。如上所述，第一繞組101可經製造於兩基板層103、104上，其中第一基板層103之跡線係與第二基板層104之跡線串聯連接。此等四個開關（Q1、Q2、Q3、Q4）可將第一繞組101之端子端部221、222其中一者耦合至一電源電壓之電壓（VIN ，GND）。應當理解於某些範例中，於不脫離本發明主體之範疇下，第一繞組可比上述更多或更少基板層上包括更多或更少之匝數。
於某些範例中，耦合電感器電路100可包括安裝於基板中或於其上之一控制器225。於某些範例中，控制器225可遠端控制耦合電感器電路100。對於目前範例，主要繞組電路200可具有三種作業狀態。第一狀態，其為一自由輪轉（free-wheeling）狀態，可具有呈「斷開」之一第一開關（Q1）與一第二開關（Q2）或處於高阻抗狀態，呈「接通」之一第三開關（Q3）與一第四開關（Q4）或處於低阻抗狀態。於第一自由輪轉狀態，第一繞組101之端子端部221、222可與一直流電源電壓分離並且可耦合至一參考電壓例如接地（GND）。此種連接可終止流經第一繞組101之電流。於某些範例中，於跨第一繞組施加電源電壓（VIN ）之前後，所有開關（Q1、Q2、Q3、Q4）可於短暫時間間隔內處於高阻抗狀態以避免電源電壓（VIN ）對接地之間發生短路，例如因此等開關（Q1、Q2、Q3、Q4）其中一者之固有延遲較長所造成。
第一繞組電路220之第二狀態與第三狀態，或各該狀態之至少一過渡期可為耦合電感器電路100之發電狀態。於第二狀態中，第二開關（Q2）與第三開關（Q3）可為「接通」，且第一開關（Q1）與第四開關（Q4）可為「斷開」。第二狀態可提供跨第一繞組101之一直流電壓（Vd），其中第一繞組101之第一終端端部221其正電性比第一繞組101之第二終端端部222更高。於第三狀態中，第一開關（Q1）與第四開關（Q4）可為「接通」，且第二開關（Q2）與第三開關（Q3）可為「斷開」。第三狀態可再次提供跨第一繞組101之一直流電壓（Vd），其中第一繞組101之第一終端端部221其負電性比第一繞組101之第二終端端部222更高。因此，第一繞組電路220其操作之第二與第三狀態之間之差為耦合至第一繞組101之電源電壓（Vd）之極性。
圖3概括描繪用於圖1例示耦合電感器電路100之例示第二繞組電路330。雖然所述內容以與降壓變壓器次要繞組相關之用語解釋第二繞組電路330，但其並未如此限制。於某些範例中，第二繞組電路330可包括第二繞組102之各區段109、110、309、310或區段跡線、各參考平面跡線111、112、311、312，複數個開關（M1至M8）以及所述開關（M1至M8）之驅動器331、332、333、334。各開關可將各區段跡線之各端部與參考平面跡線耦合與分離。於某些範例中，一獨立驅動器可耦合至各獨立開關。於部分範例中，如圖3所示，其可能利用一單一驅動器驅動至少二開關。第二繞組102可分佈於耦合電感器電路基板之複數層體之間，例如上述有關圖1A之第三層105與第四層106。
於某些範例中，第二繞組102之部分區段可為電性耦合。舉例而言，於所示範例中，第三層105中各區段跡線109、110可與第四層106中相對應區段跡線309、310並聯電連接。利用第二繞組102之區段或區段跡線並聯連接，耦合電感器電路100可將施加予第一繞組101之電壓降壓8倍。
總括而言，第一繞組電壓與第二繞組電壓之間之電壓比率（V1 /V2 ）可由以下等式給定：
Figure 02_image001
，其中V1為第一繞組之端子端部處之電壓，V2為第二繞組之端子端部處之電壓，N為匝數比率，且Ns為分段第二繞組每一匝之區段數量。對於所示圖1A至1C之耦合電感器電路與層體，匝數比率（N）為4且各匝之區段數量（Ns）為2，因此電壓比率為8，藉此
Figure 02_image003
。應注意，雖然第二繞組包括可圈繞核心兩次（經由層105、106）之跡線組合（圖1C；109、110、111、112），但是區段對之並聯連接可產生用於第二繞組102之單一有效匝。
於某些範例中，耦合電感器電路可包括一輸出級，其耦合至可提供一輸出直流電壓之開關之源極。於一範例中，輸出級可包括具有一節點之獨立電感器，該節點耦合至第二繞組102之相對應輸出節點（A、B、C、D）。各電感器之其他節點可耦合至其他電感器之其他節點以提供用於輸出直流電壓之一輸出節點。
圖4概括描繪用於圖1A至1C耦合電感器電路以及圖2與圖3電路之第一與第二繞組開關之控制訊號圖表。圖表包括控制第二繞組開關、跨第一繞組之電壓（V1 ）、第一繞組中之電流（I1）以及第二繞組輸出節點（A、B、C、D）處之電壓（VA 、VB 、VC 、VD ）之階段1（PH1）與階段2（PH2）訊號之邏輯位準。
總括而言，第二繞組之繞組區段係位於三個階段其中一者中，藉以擷取於有關施加予第一繞組或與其分離之電源電壓之過渡期期間由第一繞組所感應之電壓。當電源電壓施加予第一繞組或與其分離時，流經第一繞組之電流變化可跨各第二繞組區段感應一電壓。透過切換第二繞組區段之連接以擷取當第一繞組之電流極性改變時所感應之電壓，可於第二繞組之端子端部或輸出節點（A、B、C、D）處擷取經降壓之直流電壓。訊號之圖表假設邏輯高位準將各開關或電晶體放置於低阻抗狀態（例如為「接通」），以及邏輯低位準將各開關放置於高阻抗狀態（例如為「斷開」）。然而應當理解，不同地響應邏輯指令之開關或電晶體係為可行，並且未脫離本發明主體之範圍。
舉例而言，於t0 ，第一繞組電路係處於第一自由輪轉狀態，而第二繞組電路使全部開關（M1至M8）「接通」（例如PH1=PH2=「高」），因此將區段之各節點耦合至接地。第一繞組之自由輪轉狀態允許第一繞組中任何電流持續流動直到電路損耗停止。因系統切換相對較快，因此於自由輪轉狀態期間電流通常幾乎無任何變化。因第一繞組之電流幾乎無變化，因此第二繞組之區段中並無由第一繞組所感應之電壓。
於t1 ，第一繞組電路移動至第二狀態，並且可以第一極性（+VIN ）跨第一繞組施加電源電壓。施加電源電壓（VIN ）可使第一繞組之電流（I1）發生變化，並且跨第二繞組之區段可感應出一電壓。舉例而言，於第一繞組上施加電源電壓（+VIN ）或對其響應，與階段2控制訊號（PH2）相關之開關（圖3；M2、M3、M6、M7）可為「斷開」。第一繞組之電流（I1）變化可於與階段2控制訊號（PH2）之開關（圖3；M2、M3、M6、M7）之汲極（B、D）處感應一電壓。呈平面之第一及第二繞組之磁性耦合可為極佳，藉此第二繞組之區段經感應之電壓（VB 、VD ）可匹配施加予第一繞組之電源電壓（VIN ）之尖銳脈波形狀。耦合至開關汲極（A、B、C、D）之輸出濾波器可提供平穩直流輸出電壓。於某些範例中，輸出濾波器可包括輸出濾波器電感器。
於t2 ，第一繞組電路轉換回第一自由輪轉狀態並且第二繞組電路使所有開關（M1至M8）呈「接通」（例如PH1=PH2=「高」），因此可將第二繞組區段之各節點耦合至接地。如前述，於第一繞組中流動之任何電流持續流動，因為第一繞組電感會抵抗電流流動變化。因電路中之損耗，於自由輪轉狀態期間電流可能會略微下降，然而以本發明目的為由，因系統之高切換頻率，因此可忽略所述損耗。
於t3 ，第一繞組電路移動至第三狀態，可以第二極性（-VIN ）跨第一繞組施加電源電壓（VIN ）。施加電源電壓（VIN ）可使第一繞組之電流（I1）發生變化，並且跨第二繞組之區段可感應出電壓。舉例而言，於第一繞組上施加電源電壓（-VIN ）或對其響應，與階段1控制訊號（PH1）相關之開關（圖3；M1、M4、M5、M8）可為「斷開」。第一繞組之電流（I1）變化可於與階段1控制訊號（PH1）之開關（圖3；M1、M4、M5、M8）之汲極（A、C）處感應一電壓。呈平面之第一及第二繞組之磁性耦合可為極佳，藉此第二繞組之區段經感應之電壓（VA 、VC ）可匹配施加予第一繞組之電源電壓（VIN ）之尖銳脈波形狀。
於某些範例中，採用具有分段匝之繞組之耦合電感器電路可優於傳統變壓器，因具有分數匝數之繞組其電阻可小於傳統繞組之電阻。圖5A描繪具有四匝之第二繞組其中一匝。圖5B描繪具有四個區段之一例示第二繞組。圖5A與5B之各範例包括繞組或匝之導電部分530，以及含各繞組之耦合電感器電路之磁心531之橫截面。各區段或匝可使變壓器匝數比率變為四倍。舉例而言，若圖5A與圖5B之各第二繞組係使用作為次要繞組，則各匝或區段可經連接使壓降為¼倍。圖5A與圖5B之各繞組或其部分係描繪於格網532上。出於繪示目的，各繞組之電阻係每一網格長度為1單位。對於圖5A之完整繞組，各匝之路徑橫穿8個網格長度。因此，圖5A完整四匝繞組之總電阻為， 8單位/匝 * 4匝 = 32單位。 例如圖5B之例示第二繞組，各區段橫穿2個網格距離。因此該例示繞組之總電阻為， 2單位/區段 * 4區段 = 8單位 圖5B之例示分段第二繞組之減低繞組電阻可使耦合電感器電路更有效益，因相較於圖5A之傳統第二繞組，相似電流量於圖5B例示分段第二繞組中作為電阻熱耗散之能量更少。
圖6概括描繪操作具有分段繞組之一耦合電感器電路之範例方法600流程圖。於步驟601，分段繞組之第一區段之第一節點可電性耦合至接地。於某些範例中，電晶體可將第一節點耦合至接地，例如於分段繞組之一匝路徑中之接地板。於步驟603，第一區段之第二節點可與接地電性分離。於某些範例中，第二電晶體可用以將第二節點與例如分段繞組之該匝路徑中之第二接地板分離。於步驟605，具有第一極性之電源電壓可耦合跨第二繞組之端部節點，其係與分段繞組磁性耦合。電源電壓可以預定間隔耦合至第二繞組，以將一電壓脈衝施加至第二繞組。於某些範例中，繞組可為平面繞組，其經製造於層體中，呈堆疊狀並經配置以具有與繞組相交之金屬核，以助於磁性耦合繞組。於步驟607，因施加電源電壓所導致之電流變化可於區段之第二節點處感應一電壓。於某些範例中，分段繞組之一或多個第二區段可與第一區段並聯耦合，並且可經配置使電壓經由第二區段於第二節點處受到強化。於某些範例中，感應電壓可為根據分段繞組之一匝之部分，由第一區段之路徑表示。
該方法之第二階段可將第一區段之第二節點耦合至接地，並將第一區段之第一節點與接地分離，以相反極性將電源電壓施加至第二繞組，並利用第二繞組之電流變化於第一節點處感應電壓。於階段之間，該方法可包括將第二繞組之端部共同電性耦合，藉此維持第二繞組中之電流流動，並可包括將分段繞組之各區段之各節點耦合至接地板。
以上詳細說明包括對於附圖之參考，其構成詳細說明之一部分。透過圖式說明之方式，圖式顯示出可實施本發明之具體實施例。該等實施例於此亦稱為「範例」。該等範例可包括已顯示或所述元件外之元件。然而，本發明人亦考量利用所示或所述該等元件之任何組合或排列（或其一或多個態樣），關於特定範例（或其一或多個態樣）或關於本文所示或所述之其他範例（或其一或多個態樣）。若本文件與透過引用方式併入本文之任何文獻之間用法上有不一致之情形，則以本文件之用法為準。
於本文件中，專利文件中常見之用語「一」或「一個」係包括一個或多於一個，獨立於「至少一」或「一或多個」之任何其他例示或用途。於本文件中，該用語「或」係用以指一非排他性用語，除非另有說明，否則「A或B」包括「A但非B」、「B但非A」以及「A與B」。於本文件中，用語「包括」與「於其中」係分別作為該等用語「包含」與「其中」其簡明英語之同義詞。此外，於以下申請專利範圍中，該等用語「包括」與 「包含」係為開放式，即一系統、裝置、物件、組合、配方或程序包括除一態樣中此用語後所列元件之外，經視為完全落入此態樣範圍內之元素。此外，於申請專利範圍中，該等用語「第一」、「第二」與「第三」等僅作為標示之用，並不用以對該等標的施加數字意義上之要求。於此所述方法範例至少一部分為機器或電腦所實施。某些範例可包括一電腦可讀取媒體或機器可讀取媒體，其等係編碼可操作以設置一電子裝置執行上述範例方法之指令。該等方式之實施方式可包括代碼，例如微代碼、組合語言代碼、高階語言代碼等。該等代碼可包括用於執行各種方法之電腦可讀取指令。該代碼可形成電腦程式產品之部分。進一步於一範例中，該代碼可具體儲存於一或多個揮發性、非暫態或非揮發性有形電腦可讀取媒體，例如於執行期間或於其他時點。該等有形電腦可讀取媒體之範例可包括，但不限於硬碟、可攜式磁碟、可攜式光碟（例如，光碟與數位影音光碟）、磁帶、記憶卡或記憶條、隨機存取記憶體（RAMs）、唯讀記憶體（ROMs）等。
上述說明係為說明性而非限制性。舉例而言，上述範例（或其一或多個態樣）可相互組合使用。如本技術領域通常知識者於閱讀上述說明後可使用其他實施例。所提供之摘要係符合37 C.F.R. §1.72（b）以使讀者能快速掌握技術內容之本質。於提交時應當理解其非用以解釋或限制此等態樣之範圍或意義。此外，於上述詳細說明中，各種特徵可經分群以簡化本發明內容。此不應解釋為未主張但已揭露之特徵對於任何態樣係相當重要。相反地，本發明之目標主體可能比一特定揭露之實施例之所有特徵要少。因此，以下態樣於此係併入至詳細說明中作為範例或實施例，其中各態樣獨自作為一獨立實施例，並可考量到該等實施例能以各種組合方式或排列方式相互組合使用。
100:耦合電感器電路 101:繞組 102:繞組 103:基板層/第一層 104:基板層/第二層 105:基板層/第三層 106:基板層/第四層 107:通孔 108:跡線 109:區段跡線 110:區段跡線 111:參考平面跡線 112:參考平面跡線 113:磁心 114:電晶體電路 115:終端襯墊 220:第一繞組電路 221:端部 222:端部 225:控制器 309:區段/區段跡線 310:區段/區段跡線 311:參考平面跡線 312:參考平面跡線 330:第二繞組電路 331:驅動器 332:驅動器 333:驅動器 334:驅動器 530:導電部分 531:磁心 532:格網 600:方法 601:步驟 603:步驟 605:步驟 607:步驟
於圖式中，未必以實際比例繪製，相似標號可描述不同圖式中相似元件。具有不同字尾之相似標號可代表相似元件之不同實例。圖式係以範例方式而非限制性概略描繪本發明所述各種實施例。 圖1A概括描繪一平面耦合電感器電路之分解視圖，其包括具有複數個區段之繞組。 圖1B概括描繪其中一基板層之例示佈局，其包括圖1A裝置之第一繞組之部分。 圖1C概括描繪其中一基板層之例示佈局，其包括圖1A耦合電感器電路之第二繞組之部分。 圖2概括描繪用於圖1A耦合電感器電路之一例示第一繞組電路。 圖3概括描繪用於圖1例示耦合電感器電路之一例示第二繞組電路。 圖4概括描繪用於圖1A至1C耦合電感器電路以及圖2與圖3電路之第一與第二繞組開關之控制訊號圖表。 圖5A描繪具有四匝之第二繞組之其中一匝。 圖5B描繪具有四個區段之例示第二繞組。 圖6概括描繪操作具有一分段繞組之耦合電感器電路之範例方法流程圖。
102:繞組
105:基板層/第三層
109:區段跡線
110:區段跡線
111:參考平面跡線
112:參考平面跡線
113:磁心
115:終端襯墊

Claims (20)

  1. 一種耦合電感器電路，包含： 一第一繞組，其包含具有一中心軸之一導電線圈； 一第二繞組，其係經設置以與該第一繞組磁性耦合，該第二繞組具有複數個獨立區段，其中各該獨立區段形成該第二繞組之一匝之一部分；且 其中，各該獨立區段包括一第一導體、一接地導體以及一第一開關，其用以選擇性耦合與選擇性分離該第一導體與該接地導體。
  2. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，各該獨立區段包括一第二開關，其係經設置以選擇性耦合與選擇性分離該第一導體與一第二接地導體，其中，該第二接地導體為該第二繞組之該複數個獨立區段中一相異獨立區段之該接地導體。
  3. 如請求項1所述之耦合電感器電路，包括一控制器電路，其係經設置以將一直流電源選擇性耦合至該第一繞組以於該第二繞組中感應電流，並且控制該第二繞組各區段之該第一開關與該第二開關以提供一直流輸出電壓。
  4. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，該第一繞組為一平面繞組。
  5. 如請求項4所述之耦合電感器電路，包括一多層基板； 其中，該多層基板之一或多個第一層包括該第一繞組；且 其中，該多層基板之一或多個第二層包括該第二繞組。
  6. 如請求項5所述之耦合電感器電路，其中，該一或多個第一層係位於該一或多個第二層之兩層體之間。
  7. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，該第二繞組為一平面繞組。
  8. 如請求項1所述之耦合電感器電路，包括一金屬核。
  9. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，該金屬核包括複數個開孔；且 其中，該第二繞組之各線圈之各區段之該第一導體穿過該金屬核之該複數個開孔中其中一開孔。
  10. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，該第一繞組包括圍繞該中心軸之N個線圈；且 其中，該第二繞組包括圍繞該中心軸之m個線圈； 其中，該第二繞組包括x個區段，其位於各該m個線圈中；且 其中，選擇性耦合至該第一繞組之一輸出電壓（Vin）與於該第二繞組之各區段上所感應之一輸出電壓（Vout）之比率係由以下等式給定： Vin/Vout = N*m。
  11. 如請求項1所述之耦合電感器電路，其中，該控制器係經設置以： 於一第一階段期間，將該第二繞組之各該區段之各該第一導體之一第一節點耦合至該接地導體； 於該第一階段期間，將該第二繞組之各該區段之各該第一導體之一第二節點與該接地導體分離；以及 於該第一階段期間，以一第一極性施加一輸入電壓予該第一繞組。
  12. 如請求項11所述之耦合電感器電路，其中，該控制器係經設置以： 於一第二階段期間，將該第二繞組之各該區段之各該第一導體之該第二節點耦合至一相鄰區段之一接地導體； 於該第二階段期間，將該第二繞組之各該區段之各該第一導體之該第一節點與該接地導體分離；以及 於該第二階段期間，以與該第一極性相反之一第二極性施加該輸入電壓予該第一繞組。
  13. 一種控制具有一繞組之直流對直流耦合電感器電路之方法，該繞組包括用於各匝之複數區段，該方法包含以下步驟： 將一第一繞組之一第一匝之一第一區段之一第一端部電性耦合至接地，該第一區段係與該第一繞組之該第一匝之一第二區段並聯耦合； 將該第一區段之一第二端部與該接地電性分離； 以一第一極性跨一第二繞組電性耦合一電源電壓（VIN），該第二繞組係磁性耦合至該第一區段；以及 利用該第二繞組之電流變化於該第一端部處感應一輸出電壓，該輸出電壓係取決於該第一匝之一部分並由該第一區段之一路徑表示。
  14. 如請求項13所述之方法，包括以下步驟：於一第一延遲後，將該第一區段之該第一端部與該接地分離；以及 將該電源電壓與該第二繞組分離。
  15. 如請求項14所述之方法，包括以下步驟：於一第二延遲後，將該第一繞組之該第一匝之該第一區段之該第二端部與該接地分離； 將該第一區段之該第一端部與接地耦合； 以一第二極性將該電源電壓耦合至該第二繞組；以及 利用該第二繞組之電流變化於該第二端部處感應該輸出電壓，該輸出電壓係取決於該第一匝之一部分並由該第一區段之一路徑表示。
  16. 如請求項15所述之方法，包括以下步驟：於一第三延遲後，將該第一區段之該第二端部與該接地耦合；以及 將該電源電壓與該第二繞組電性分離。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該耦合一第一繞組之一第一匝之該第一區段之該第一端部之步驟包括以下步驟：將該第一繞組之一第二區段之一第一端部耦合至該接地。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該第二區段係直接與該第一區段並聯耦合。
  19. 如請求項17所述之方法，其中該第二區段為該第一繞組之該第一匝之一第二區段，並經選擇性耦合至該第一區段。
  20. 如請求項17所述之方法，其中該第二區段包括與該第一區段直接並聯耦合之複數個區段。
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