KR101119279B1 - 전력증폭기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전력증폭기에 관한 것으로, 입력신호를 소정의 레벨로 증폭시키는 N개의 전력증폭수단; 상기 전력증폭수단의 출력에 각각 연결되는 N/2 개의 1차 권선과 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결되어 1차 권선에서 전달된 전력을 합산하는 2차 권선로 구성된 트랜스포머; 및 상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수의 출력을 제거하는 하모닉 제거부를 포함하며, 전력증폭기의 출력 특성을 향상시키고, 체배 주파수의 출력을 제어할 수 있도록 한다.

Description

전력증폭기{Power Amplifier}
본 발명은 전력증폭기에 관한 것이다.
일반적으로, 전력증폭기(Power Amplifier)는 비선형 능동소자를 이용하여 기설정된 주파수(Center Frequency; f0)에서 송신단으로부터 받은 저전력 신호를 고전력 신호로 증폭하는 역할을 수행하는 회로이다.
이러한, 전력증폭기는 비선형 소자를 사용하기 때문에 기설정된 주파수에서만 신호가 출력되지 않고, 기설정된 주파수의 체배 주파수(Harmonic Frequecny; N×f0)에서도 신호를 발생하게 된다.
이때, 체배 주파수는 다른 시스템의 통신에 영향을 주기 때문에 각각의 시스템마다 체배 주파수에 대한 강도를 설정하고 있다.
한편, CMOS 전력증폭기는 일반적으로 밸런스 구조를 많이 사용하기 때문에 출력 매칭 회로의 손실을 줄이기 위해 IPD(Integrated Passive Device) 상에 트랜스포머(Transfomer) 형태로 구현된다.
전력증폭기의 출력 매칭에 사용되는 트랜스포머는 일반적으로 출력 전압을 변압하기 위해 트랜스포머와 커패시터(Capacitor)만을 사용하게 된다.
이때, 커패시터는 트랜스포머의 1차 권선의 양단에 연결되어 입력신호와 매칭을 수행하고, 트랜스포머의 2차 권선은 1차 권선에 전달된 전력을 합하도록 형성된다.
이러한, 구조의 종래기술에 따른 전력증폭기는 출력 전압을 변압하기 위해 트랜스포머와 커패시터만 사용하기 때문에 도 1에 도시된 바와 같이 기설정된 주파수에서의 출력 특성은 최적화시킬 수 있으나, 도 2에 도시된 바와 같이 비선형 소자에 의해 발생 되는 체배 주파수에서의 출력을 제어할 수 없는 문제가 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출 된 본 발명은 커패시터와 인덕터로 구성된 하모닉 제거부를 트랜스포머의 2차 권선 양단에 설치하여 체배 주파수의 출력을 제어할 수 있는 전력증폭기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 입력신호를 소정의 레벨로 증폭시키는 N개의 전력증폭수단; 상기 전력증폭수단의 출력에 각각 연결되는 N/2 개의 1차 권선과 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결되어 1차 권선에서 전달된 전력을 합산하는 2차 권선로 구성된 트랜스포머; 및 상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수의 출력을 제거하는 하모닉 제거부를 포함한다.
또한, 본 발명에서 상기 하모닉 제거부는, 상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 직렬로 연결된 커패시터와 인덕터로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 커패시터와 인덕터의 값은 제거하고자 하는 체배 주파수에 따라 변경되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 트랜스포머의 1차 권선의 양단에 설치되어 상기 전력증폭수단으로부터 전송된 신호의 매칭을 수행하는 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 전력증폭수단은 선형 전력증폭기, 스위칭 모드 전력증폭기 및 차동 전력증폭기 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 하모닉 제거부는 상기 트랜스포머 내부에 배치되는 레이아웃 구조로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 트랜스포머의 1차 권선은 일단이 정 입력 포트에 연결되고, 타단이 제 1 공통 포트에 연결된 제 1 세그먼트와 일단이 부 입력 포트에 연결되고, 타단이 상기 제 1 공통 포트와 분리되도록 형성된 제 2 공통 포트에 연결된 제 2 세그먼트를 포함하도록 형성되고, 상기 트랜스포머의 2차 권선은 상기 제 1 세그먼트와 제 2 세그먼트 사이에 제 1 턴이 형성되고, 상기 제 2 세그먼트 내부에 제 2 턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 정 입력 포트와 부 입력 포트는 전력증폭수단의 출력단과 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 제 1 턴의 일단은 접지 포트에 연결되고, 타단은 상기 제 2 턴의 일단과 연결되며, 상기 제 2 턴의 타단은 출력 포트에 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 1차 권선의 제 1 세그먼트 및 제 2 세그먼트와 상기 2차 권선은 중첩되는 부분이 비아 연결을 통해 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 상기 제 1 공통 포트와 제 2 공통 포트는 공통 전원이나 공통 접지 중 어느 하나에 연결되는 것을 특징으로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고, 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 의하면, 커패시터와 인덕터로 구성된 하모닉 제거부를 트랜스포머의 2차 권선의 양단에 설치하여 체배 주파수를 제거하기 때문에 전력증폭기의 출력 특성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 기설정된 주파수에서의 출력 특성의 변화 없이 체배 주파수에서의 출력을 제어할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 전력증폭기의 출력 전력 및 효율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 종래기술에 따른 전력증폭기의 2차 및 3차 하모닉 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭기의 레이아웃 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기의 출력 전력 및 효율을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기의 2차 및 3차 하모닉 특성을 나타내는 그래프이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기를 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 도 3에 도시된 바와 같이, 입력신호(Pin)를 소정의 레벨로 증폭시키는 N개의 전력증폭수단(10), 상기 전력증폭수단(10)의 출력에 각각 연결되는 N/2 개의 1차 권선(L1)과 출력단(Pout)과 접지(GND) 사이에 직렬로 연결되어 1차 권선(L1)에서 전달된 전력을 합산하는 2차 권선(L2)로 구성된 트랜스포머(20), 및 상기 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2) 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수의 출력을 제거하는 하모닉 제거부(30)를 포함하도록 구성된다.
N개의 전력증폭수단(10)들은 입력신호(Pin)를 소정 레벨로 증폭시킨다.
이러한, N개의 전력증폭수단(10)들은 출력단에 연결된 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)에 각각 연결되고, 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1) 양단에 서로 다른 레벨의 신호를 제공한다.
다시 말해, 상기 N개의 전력증폭수단(10)들 중 홀수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들과 짝수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들은 서로 다른 레벨의 신호를 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)에 전달한다.
이를 위해, 상기 N개의 전력증폭수단(10)들 중 홀수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들이 (+) 신호를 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 일 단에 공급할 때, 짝수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들은 (-) 신호를 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 타단에 공급한다.
그리고, 상기 N개의 전력증폭수단(10)들 중 홀수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들이 (-) 신호를 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 일 단에 공급할 때, 짝수 번째 위치에 배열된 전력증폭수단들은 (+) 신호를 상기 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 타단에 공급한다.
이러한, 전력증폭수단(10)들은 선형 전력증폭기, 스위칭 모드 전력증폭기 및 차동 전력증폭기 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
트랜스포머(20)는 N/2 개의 1차 권선(L1)과 하나의 2차 권선(L2)으로 구성되고, 1차 권선(L1)과 2차 권선(L2)은 N1:N2의 권선비를 갖도록 형성되며, 상기 N개의 전력증폭수단(10)으로부터 전달된 전력이 N/2 개의 1차 권선(L1)에 유도되면, 2차 권선(L2)에서 N/2 개의 1차 권선(L1)에 전달된 전력을 동일한 위상으로 합산하여 출력한다.
이를 위해, 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 양단에는 전력증폭수단(10)이 각각 연결되고, 상기 2차 권선(L2)은 N/2 개의 1차 권선(L1)에서 전달된 전력을 합산하도록 출력단(Pout)과 접지(GND) 사이에 직렬로 연결된다.
이때, 상기 출력단(Pout)에는 부하가 연결될 수 있는데, 상기 부하는 스위치, 멀티플렉서, 필터, 안테나 또는 기타 다른 종류의 부하일 수 있다.
이러한, 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2)에 전달되는 전류는 실질적으로 I2 = N1/N2×N/2×I1으로 표현될 수 있고, 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2)에 전달되는 전압은 실질적으로 V2 = N1/N2×N/2×V1으로 표현될 수 있다.
여기서, I2는 2차 권선(L2)에 흐르는 전류이고, N1/N2는 1차 권선(L1)과 2차 권선(L2)의 권선비이며, N/2은 1차 권선(L1)의 수이고, I1은 1차 권선(L1)에 흐르는 전류이며, V2는 2차 권선(L2)에 전달되는 전압이고, V1은 1차 권선(L1)에 공급된 전압이다.
이러한, 트랜스포머(20)의 1차 권선(L1)의 양단에는 전력증폭수단(10)으로부터 전송된 신호의 매칭(matching)을 위해 커패시터(C1, C2, …, Cn, 여기서, n은N/2임)가 연결된다.
하모닉 제거부(30)는 상기 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2) 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수를 제거한다.
이러한, 하모닉 제거부(30)는 상기 트랜스포머(20)의 2차 측 양단에 직렬로 연결된 커패시터(C)와 인덕터(L)로 구성된다.
이때, 커패시터(C)와 인덕터(L)는 제거(또는 감쇄)하고자 하는 체배 주파수에 따라 조절할 수 있다.
즉, 커패시터(C)와 인덕터(L)의 값을 조절하면, 출력전력을 제거하고자 하는 체배 주파수를 선택할 수 있게 된다.
이러한, 하모닉 제거부(30)를 구성하는 커패시터(C)와 인덕터(L)는 도 4에 도시된 바와 같이 IPD 상에 패턴으로 형성되고, 상기 트랜스포머(20)와 함께 IPD 상에 구현된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭기의 레이아웃 구조를 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭기는 트랜스포머(20)의 내부에 하모닉 제거부(30)가 배치되는 레이아웃 구조를 갖도록 형성된다.
이러한 레이아웃 구조의 전력 증폭기에서 상기 트랜스포머(20)는 1차 권선(L1)이 두 개의 세그먼트(즉, 일단이 정(positive) 입력 포트(+)에 연결되고, 타단이 제 1 공통 포트(M1)에 연결된 제 1 세그먼트(22)와 일단이 부(negative) 입력 포트(-)에 연결되고, 타단이 상기 제 1 공통 포트(M1)와 마주보는 곳에 상기 제 1 공통 포트(M1)와 분리되도록 형성된 제 2 공통 포트(M2)에 연결된 제 2 세그먼트(24))를 포함하도록 형성되고, 2차 권선(L2)은 2회의 턴 수를 갖도록 형성된다.
이때, 상기 제 1 공통 포트(M1)와 제 2 공통 포트(M2)는 공통 전원이나 공통 접지 중 어느 하나에 연결될 수 있으나 공통 접지에 연결되는 게 바람직하다.
또한, 정 입력 포트(+)와 부 입력 포트(-) 사이에는 전력증폭수단(10)으로부터 전송된 신호의 매칭을 위해 커패시터(C1, C2)가 연결된다.
한편, 2회의 턴 수를 갖도록 형성된 2차 권선(L2)의 제 1 턴(26)은 1차 권선(L1)의 제 1 세그먼트(22)와 제 2 세그먼트(24) 사이에 형성되고, 제 2 턴(28)은 상기 제 2 세그먼트(24) 내부에 형성된다.
이때, 2차 권선(L2)의 제 1 턴(26)의 일단은 접지 포트(GND)에 연결되고, 타단은 제 2 턴(28)의 일단과 연결되며, 상기 제 2 턴(28)의 타단은 출력 포트(Pout)에 연결된다.
또한, 상기 2차 권선(L2)의 제 1 턴(26)의 일단은 상기 트랜스포머(20)의 내부에 형성된 하모닉 제거부(30)의 인덕터(L) 일단과 연결되고, 상기 2차 권선(L2)의 제 2 턴(28)의 타단은 상기 트랜스포머(20) 내부에 형성된 하모닉 제거부(30)의 커패시터(C) 일단에 연결되며, 상기 인덕터(L)의 타단은 상기 트랜스포머(20)의 내부에서 상기 커패시터(C)의 타단과 연결된다.
한편, 상기 1차 권선(L1)의 세그먼트(22, 24)들과 상기 2차 권선(L2)은 서로 중첩되는 부분이 하나 또는 그 이상의 비아 연결(Via connection)을 통해 연결된다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 하모닉 제거부(30)를 구성하는 커패시터(C)와 인덕터(L)가 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2) 내부에 형성되기 때문에 IPD의 크기 변화없이 하모닉 특성을 향상시킬 수 있어 원가 절감 및 제품의 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 커패시터(C)와 인덕터(L)로 구성된 하모닉 제거부(30)가 트랜스포머(20)의 2차 권선(L2)의 양단에 설치되어 체배 주파수를 제거하기 때문에 도 5 도시된 바와 같이 전력증폭기의 출력 특성(즉, 광대역 특성)을 향상시킬 수 있게 된다.
그리고, 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 커패시터(C)와 인덕터(L)로 구성된 하모닉 제거부(30)가 트랜스포머의 2차 권선(L2)의 양단에 설치되어 체배 주파수를 제거하기 때문에 종래에는 도 2에 도시된 바와 같이 2차, 3차의 출력 특성이 0dBm 이상이나, 본 발명의 실시 예에 따른 전력증폭기는 도 6 도시된 바와 같이 2차, 3차 체배 주파수에서의 출력 전력을 -10dBm 이하로 감소시킬 수 있어 기설정된 주파수에서의 출력 특성의 변화 없이 체배 주파수의 출력을 제어할 수 있게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 전력증폭수단 20 : 트랜스포머
22, 24 : 세그먼트 26, 28 : 턴
30 : 하모닉 제거부 M1, M2 : 공통 포트

Claims (11)

  1. 입력신호를 소정의 레벨로 증폭시키는 N개의 전력증폭수단;
    상기 전력증폭수단의 출력에 각각 연결되는 N/2 개의 1차 권선과 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결되어 1차 권선에서 전달된 전력을 합산하는 2차 권선로 구성된 트랜스포머; 및
    상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 설치되어 기설정된 주파수의 체배 주파수의 출력을 제거하는 하모닉 제거부를 포함하며,
    상기 하모닉 제거부는 상기 트랜스포머 내부에 배치되는 레이아웃 구조로 형성된 것을 특징으로 하고,
    상기 트랜스포머의 1차 권선은 일단이 정 입력 포트에 연결되고, 타단이 제 1 공통 포트에 연결된 제 1 세그먼트와 일단이 부 입력 포트에 연결되고, 타단이 상기 제 1 공통 포트와 분리되도록 형성된 제 2 공통 포트에 연결된 제 2 세그먼트를 포함하도록 형성되고, 상기 트랜스포머의 2차 권선은 상기 제 1 세그먼트와 제 2 세그먼트 사이에 제 1 턴이 형성되고, 상기 제 2 세그먼트 내부에 제 2 턴이 형성된 것을 특징으로 하는 전력 증폭기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하모닉 제거부는,
    상기 트랜스포머의 2차 권선 양단에 직렬로 연결된 커패시터와 인덕터로 구성된 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 커패시터와 인덕터의 값은 제거하고자 하는 체배 주파수에 따라 변경되는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 트랜스포머의 1차 권선의 양단에 설치되어 상기 전력증폭수단으로부터 전송된 신호의 매칭을 수행하는 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 전력증폭수단은 선형 전력증폭기, 스위칭 모드 전력증폭기 및 차동 전력증폭기 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전력증폭기.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 정 입력 포트와 부 입력 포트는 전력증폭수단의 출력단과 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 턴의 일단은 접지 포트에 연결되고, 타단은 상기 제 2 턴의 일단과 연결되며, 상기 제 2 턴의 타단은 출력 포트에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 1차 권선의 제 1 세그먼트 및 제 2 세그먼트와 상기 2차 권선은 중첩되는 부분이 비아 연결을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 공통 포트와 제 2 공통 포트는 공통 전원이나 공통 접지 중 어느 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8502598B2 (en) * 2011-09-30 2013-08-06 Intel Corporation Digitally-scalable transformer combining power amplifier
US8929945B1 (en) * 2013-07-18 2015-01-06 Mstar Semiconductor, Inc. Transceivers with a transformer supporting multiband operation
US10270401B2 (en) * 2014-10-20 2019-04-23 Richwave Technology Corp. Two-stage electromagnetic induction transformer
KR102209324B1 (ko) * 2017-04-10 2021-01-28 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍) 통합형 트랜스포머
JP2019118075A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社村田製作所 整合回路、及び電力増幅回路
US10439575B1 (en) * 2018-05-24 2019-10-08 Speedlink Technology Inc. Wideband distributed differential power amplifier utilizing metamaterial transmission line conception with impedance transformation
US11195655B2 (en) 2018-10-24 2021-12-07 Analog Devices International Unlimited Company Segmented winding techniques for a coupled inductor circuit
US11430600B2 (en) 2020-04-17 2022-08-30 Analog Devices International Unlimited Company Segmented winding center-tap techniques for a coupled inductor circuit
US11574766B2 (en) 2020-04-17 2023-02-07 Analog Devices International Unlimited Company Techniques for a coupled inductor circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090129379A (ko) * 2008-06-12 2009-12-16 삼성전기주식회사 집적 수동 소자를 갖는 전력 증폭 시스템 및 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264810A (en) * 1992-10-16 1993-11-23 Rockwell International Corporation Signal power combiner and divider
US7471156B2 (en) * 2006-09-29 2008-12-30 Motorola, Inc Amplifier containing programmable impedance for harmonic termination
US7728661B2 (en) * 2008-05-05 2010-06-01 Javelin Semiconductor, Inc. Controlling power with an output network

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090129379A (ko) * 2008-06-12 2009-12-16 삼성전기주식회사 집적 수동 소자를 갖는 전력 증폭 시스템 및 방법

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