TW202015162A - 基板處理裝置及用於處理基板之方法 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理裝置，其包含一殼體，該殼體界限一處理通道，該處理通道朝一縱向延伸且組配成收納複數實質平坦基板，該等基板在使用時被多個氣體軸承浮動地支持且用一基板運送速度朝該縱向同時地運送通過該處理通道。該處理通道被一上壁、一下壁及二橫向側壁界限。該等橫向側壁係用被至少一驅動器驅動之二循環運送帶來實施。依據在此揭露之一方法，用一帶速度驅動該等二循環帶使得形成該等橫向側壁之該等帶部份具有與該基板運送速度實質相同的一帶速度。

Description

基板處理裝置及用於處理基板之方法
本發明係有關於基板處理裝置及用於處理基板之方法。
WO2011/062490揭露一種基板處理裝置，其包含一殼體，該殼體界限一處理通道，該處理通道朝一縱向延伸且組配成收納在使用時朝該縱向同時地運送通過該處理通道之複數實質平坦基板。該殼體包括一上壁，且該上壁之一向下平面通道側界限該處理通道之一上側。該向下平面通道側包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該上壁之間形成一上氣體軸承。該殼體亦包括一下壁，且該下壁之一向上平面側與該向下平面通道側平行地延伸並且界限該處理通道之一下側。該向上平面通道側亦包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該下壁之間形成一下氣體軸承。此外，該殼體包括二橫向側壁，該等橫向側壁朝該縱向延伸且界限該處理通道之二橫向側。多個排氣孔設置在該等側壁中且通入該處理通道用於由該處理通道排出氣體。
WO2011/062490主要係有關藉由以一聰明方式將該等排氣孔設置在該等側壁，因此不僅有一上氣體軸承與一下氣體軸承而且事實上亦有二橫向氣體軸承來防止該等基板與該等側壁間之碰撞。
因為該等基板之比較大上與下表面，所以該等上與下氣體軸承非常硬，即使在一基板非完全平坦，例如稍微翹曲時，它亦可藉由該等上與下氣體軸承平坦化。該等橫向氣體軸承只具有該基板之橫向邊緣可在該基板上施加一力。因為實際上該等基板薄，通常小於1 mm，例如150 μm，所以由該等基板之橫向邊緣形成的橫向表面積非常小，因此由該等橫向氣體軸承施加之橫向力亦小。實際上，對具有大約156 mm之一邊緣長度及150 μm之一厚度之正方形矽晶圓的基板而言，可處理大約3500 基板/小時。
應注意的是在多個基板及該等上與下壁間形成該等上與下氣體軸承的該等氣體層非常薄。因此，一方面在上與下壁間之該等薄氣體層及另一方面該基板在該等基板上施加與基板速度正比地增加的黏滯力。在目前市售之Levitrack中，在移動0.4至0.6公尺之一距離後，這些黏滯力使該向前基板速度穩定成(通常是)0.2至0.3 m/s。一Levitrack程序之一典型長度的級數為3至15公尺。因此，該等基板在大部份處理通道長度具有一固定基板速度。當在這申請案中使用該用語「基板速度」時，表示該等基板在該處理通道之頭一公尺中的初始加速後獲得的固定基板速度。
當進一步增加該等基板之運送速度以達成一更高產率，例如一高50%之產率時，該等基板之慣性力變得更高且有時在一基板之一橫向邊緣與該處理通道之一橫向側壁間有些許碰撞或非常輕之碰觸。這使該碰觸基板減速且增加碰觸基板與該碰觸基板下游之該基板間的間距。更重要的是，它亦減少該碰觸基板與該碰觸基板上游之基板或多個基板間的間隙。這效果稱為群聚(bunching)且顯示在圖1A至1D中。圖1A顯示該等基板具有一固定間距且用一基板速度VS 漂浮至右方。圖1B顯示其中一基板S1碰觸一橫向側壁。圖1C顯示在該碰觸基板S1之上游的某些基板Su間的減小間距。圖1D顯示該碰觸基板S1再被該橫向氣體軸承推回成一直線但該碰觸基板S1及該等上游基板Su被「群聚」在一起。因為一組群聚晶圓之後續基板到達拾取總成間之時間間隔非常短，所以在該處理通道之下游端拾取該等基板的該拾取總成在處理該組群聚晶圓時有問題。
本發明之目的係解決這問題且因此提供每小時可處理更多晶圓之一基板處理裝置。
為達此目的，本發明提供一種如請求項1之基板處理裝置。即，一種基板處理裝置包含： 一殼體，其界限一處理通道，該處理通道朝一縱向延伸且組配成收納複數實質平坦基板，該等基板在使用時朝該縱向同時地運送通過該處理通道， 其中該殼體包括： 一上壁，其一向下平面通道側界限該處理通道之一上側，其中該向下平面通道側包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該上壁之間形成一上氣體軸承； 一下壁，其一向上平面側與該向下平面通道側平行地延伸且界限該處理通道之一下側，其中該向上平面側包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該下壁之間形成一下氣體軸承； 二橫向側壁，其朝該縱向延伸且界限該處理通道之二橫向側； 多數排氣孔，其設置在上述壁中之一壁中且通入該處理通道用於由該處理通道排出氣體； 其特徵為： 二循環運送帶，其中各側壁係用該等二循環運送帶中之一相關循環運送帶的一帶部份來實施；及 至少一驅動器，用於驅動該等循環運送帶。
當一基板碰觸該等運送帶中之一或兩者時，因為該循環運送帶之速度可與在該等處理通道中之該等基板的運送速度實質相同，所以這未導致該基板之減速。因此，上述晶圓群聚之問題未發生。應注意的是該等循環運送帶沒有運送該等基板通過該處理通道之功能。通常，在形成該等側壁之該等循環運送帶部份與該等基板之間沒有接觸。只有當因為某些原因，其中一基板碰撞或碰觸作為側壁使用之其中一帶時有一短瞬間之接觸。因為在該基板與該循環運送帶部份之間沒有或事實上沒有速度差，這接觸在該基板上沒有制動衝擊。由於沒有基板之群聚，該基板處理裝置之容量可增加至少50%。結果該等後續基板間之間距仍未受影響。因此，在該處理通道之下游端的一拾取總成或拾取機器人可被規律地供應基板。不僅當供給該等基板至該處理通道中時可保持該等基板間之間距為較小，該基板速度亦可相對習知系統增加，因為事實上該基板之環境用與該等基板本身相同之速度朝該運送方向移動。當然，由該上壁形成之向下平面通道側及由該下壁形成之向上平面通道側未朝該運送方向移動。但是，這些側及另一方面該等基板間之該等氣體軸承硬到使得該基板與該向下或向上平面通道側中之一者間不可能接觸。
本發明提供一種如請求項13之方法。即，一種用於處理基板之方法包含以下步驟： 提供依據本發明之一基板處理裝置； 在該處理通道之一上游端間歇地供應多個基板進入該處理通道且在該處理通道之一下游端由該處理通道間歇地排出該等基板並且同時地收納複數實質平坦基板在該處理通道中且藉由該等上與下氣體軸承浮動地支持該等複數基板； 使該等複數基板之各基板用一基板運送速度沿著該處理通道之該縱向移動通過該處理通道； 用一帶速度(Vb )驅動該等二循環運送帶使得形成該等橫向側壁之該等帶部份具有與該基板運送速度實質相同之一帶速度。
在這上下文中，該基板速度係該等基板在該處理通道之大約頭一公尺中的初始加速後獲得的穩定固定基板速度。實質上該基板速度表示該帶速度在該固定基板速度之90%至110%之範圍內。
依據形成該等橫向側壁之該等帶部份具有與該基板運送速度實質相同之一帶速度的事實，在一基板與其中一間之一碰撞或稍微碰觸未導致基板速度之減少。因此，可解決群聚之問題。有鑒於此，因為在處理時該等基板間之間距保持固定，所以用固定間隔由處理通道排出該等基板，因此可減少該等基板間之間距且可增加該等基板之速度。因此，可增加該基板處理裝置之生產量。測試已顯示可實現至少50%之一產率增加。相對目前市售之Levitrack，這表示由每小時3200基板增加至4800基板。
本發明之其他實施例係在依附項中請求且將在詳細說明中參照圖中所示之一例子說明。
在該詳細說明中，說明可組合且可互相獨立地應用之各種實施例。在該詳細說明中之符號表示圖中所示之例子。本發明及本發明之其他實施例不限於圖中所示之例子。事實上，該詳細說明中之符號未限制這詳細說明。申請專利範圍中所述之符號亦未限制申請專利範圍。
本發明係有關於基板處理裝置10，其包含一殼體，且該殼體界限朝一縱向延伸之一處理通道12。該處理通道12係組配成收納複數實質平坦基板S，該等基板在使用時朝該縱向同時地運送通過該處理通道12。該殼體包括一上壁14，該上壁14之一向下平面通道側16界限該處理通道12之一上側。該向下平面通道側16包括複數氣體噴射孔18，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔18至該處理通道12中用於在該等複數基板之各基板S與該上壁14之間形成一上氣體軸承。該殼體另外地包括一下壁20，該下壁20之一向上平面側22與該向下平面通道側16平行地延伸並且界限該處理通道12之一下側。該向上平面通道側22包括複數氣體噴射孔24，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔24至該處理通道12中用於在該等複數基板之各基板S與該下壁20之間形成一下氣體軸承。該殼體更包括朝該縱向延伸且界限該處理通道12之二橫向側的二橫向側壁26a、28a。最後，提供設置在上述壁中之一壁中且通入該處理通道12用於由該處理通道12排出氣體之多個排氣孔30。
依據本發明，該基板處理裝置10包含二循環運送帶26、28。事實上，各側壁係用該等二循環運送帶26、28中之一相關循環運送帶的一帶部份26a、26b來實施。此外，該基板處理裝置10包含用於驅動該等循環運送帶26、28之至少一驅動器32。
利用依據本發明之基板處理裝置10獲得的優點係在此參考之概要中說明。
在其一例顯示在圖中之一實施例中，該基板處理裝置可包含一電子控制器34，該電子控制器34係組配成控制各循環運送帶26、28之一運送方向及運送速度，使得在使用時，各形成一橫向側壁之該等二循環運送帶部份26a、28a的運送速度及運送方向與朝該縱向移動通過該處理通道12之該等複數基板S的一運送速度及運送方向實質相同。
利用該電子控制器，該帶速度Vb 可配合該基板運送速度Vs 。當在該處理通道12之大約頭一公尺中的一初始加速相後獲得的穩定固定基板運送速度Vs 隨著不同批次之基板而不同時，這是重要的。這可為當後續批次之基板具有不同性質，例如不同重量時的情形。它亦可為具有一可變壓力驅動器或一可變重力驅動器之一基板處理裝置10的情形。以下更詳細地說明該壓力驅動器及重力驅動器。
在一實施例中，該等循環運送帶26、28可為纖維強化聚四氟乙烯運送帶。聚四氟乙烯非常耐熱且可耐受200℃之溫度而沒有任何問題。
在一實施例中，該等纖維可選自於由玻璃纖維、碳纖維及醯胺纖維構成之群組。因為其耐熱性且因為比較低之成本，玻璃及碳纖維是較佳的。
在另一實施例中，各循環運送帶26、28可包含一閉環金屬帶。
金屬帶具有一極佳耐用性。
在一實施例中，該金屬可為不鏽鋼。
在這實施例之另一修改例中，該閉環金屬帶可塗布一聚四氟乙烯塗層。因此該金屬帶之厚度可保持為低，因此可保持一最佳撓性。
在其一例顯示在圖中之一實施例中，該等排氣孔30可定位在沿著該處理通道12之長度延伸的二橫向區域36、38中之該向上平面通道側22中。替代地或另外地，該等排氣孔30可定位在沿著該處理通道之長度延伸的該等二橫向區域36、38中之該向下平面通道側16中。各橫向區域36、38係藉由形成該等側壁之該等二循環運送帶26、28的二帶部份26a、28a中之一相關帶部份來界限。在這實施例中，該等氣體噴射孔18、24係定位在該等橫向區域36、38之間使得在使用時，透過該等氣體噴射孔18、24噴射至該處理通道12中的氣體實質橫向地流至該等橫向區域36、38且透過該等排氣孔30排出。
在背景段中所述之最接近習知技術中，該等排氣孔設置在該等側壁中。藉由將該等排氣孔30放在該等固定向下及/或向下平面通道側16、22中，該等排氣孔保持固定，而這由一結構之觀點來看極為有利。在圖4中，該等橫向地設置之排氣孔30只顯示在該處理通道12之上游部份中。但是，明顯的是這些排氣孔30係沿著該處理通道12之全長設置。
在這實施例之另一修改例中，該等橫向區域36、38各具有小於2 mm之一橫向寬度。
藉由使該等橫向區域36、38之橫向寬度為小，可獲得一有效橫向氣體軸承。
在其一例顯示在圖2中之一實施例中，基板處理裝置10可包括複數控制閥40，且該等氣體噴射孔18、24可透過該等控制閥40與氣體源44、46、48連接。在圖2所示之例子中，具有符號44之氣體源可為如N2 之一惰性氣體。具有符號46之氣體源可為如TMA(三甲基鋁)之一第一先質氣體。具有符號48之氣體源可為如H2 O之一第二先質氣體。利用這組合，可實行一原子層沈積以形成一Al2 O3 層。在圖2所示之例子中，該原子層沈積係在該等基板S之上側實施。該等基板之下側未被處理而只被由如N2 之一惰性氣體形成的一氣體軸承支持。明顯的是該ALD可另外地在該等基板之下側實施且在該情形中該等基板之上側未被處理而只被一氣體軸承支持。此外，所示例子亦適合在該等基板之兩側實行ALD。就此而言，在圖之上半部所示的氣體源配置亦應設置在該圖之下半部，而非此時顯示在圖2之下半部的該等惰性氣體源44。可實行其他基板處理，例如利用惰性氣體退火，而非原子層沈積，藉此可加熱該等上及/或下壁14、20。另外，舉例而言，亦可為其他CVD程序而非上述ALD程序。
在該實施例中，該等控制閥40可與一電子控制器50操作地連接。藉由該等控制閥40可控制供應氣體之量。依此方式，可控制例如該處理通道中之平均氣體壓力，使得當由該處理通道之一上游端12’前進至一下游端12”時，該平均氣體壓力逐漸減少。該減少壓力分布曲線提供一壓力驅動。即，該基板速度Vs 可藉由沿著該處理通道12之長度控制該壓力分布曲線來控制。依此方式，該基板速度Vs 亦可只藉由沿著該處理通道12之長度改變該壓力分布曲線來改變。
在一實施例中，該處理通道12可包括複數縱向段。各縱向段橫向地延伸在該處理通道12之整個寬度上且在該處理通道12之長度的一部份上。各縱向段可藉由透過該等複數控制閥40中之一控制閥與該等氣體源44、46、48中之一氣體源連接的該向上側及/或向下側中的該等氣體噴射孔18、24來界定。在這實施例中，與該等控制閥44、46、48操作地連接之該電子控制器50可組配成用於控制該等控制閥44、46、48以便在該處理通道12之各縱向段中產生一平均氣體壓力。藉由該實施例，可沿著該處理通道12之長度非常準確地控制該壓力分布曲線。
在一實施例中，該電子控制器50可組配成用於控制該等控制閥40以便在該處理通道12之各縱向段中產生一平均氣體壓力，使得該處理通道12中之平均氣體壓力由在該處理通道之一上游縱向端12’的一第一平均氣體壓力逐漸減少至在該處理通道之下游縱向端12”的一第二平均氣體壓力。該第一平均氣體壓力比該第二平均氣體壓力高。當沿著該處理通道12之長度產生該壓力分布曲線時，產生一壓力驅動。該等基板S漂浮至該平均氣體壓力最小的該處理通道12之下游端12”。藉由該壓力驅動，可獲得該基板速度Vs 之一非常準確的控制。應注意的是壓力驅動係在WO2012/005577中廣泛地說明。
在可為該壓力驅動之一替代例或可與該壓力驅動組態組合應用之實施例中，可使用重力將該等基板由該處理通道12之一上游端12’推進至一下游端12”。該處理通道12界定處理通道中心線C，該處理通道中心線C與該等二側壁26a、28a等距地且與該向下平面通道側16及該向上平面通道側22等距地延伸。該殼體係設置成使得該處理通道中心線C包括相對一水平面之一小角度α，使得該處理通道12之一上游端12’係在比該處理通道12之一下游端12”高之高度。該小角度α可在0°至5°之間。這種重力驅動係在WO2009/142487中廣泛地說明。該基板速度Vs 可藉由改變該角度α來改變。明顯的是一較陡角度可產生一較高基板速度Vs 。
本發明亦有關於一種用於處理基板S之方法，該方法包含提供依據本發明之一基板處理裝置10的步驟。該方法另外包含以下步驟： 在該處理通道12之一上游端12’間歇地供應多個基板S進入該處理通道12且在該處理通道12之一下游端12” 由該處理通道12間歇地排出多個基板S並且同時地收納複數實質平坦基板S在該處理通道12中且藉由該等上與下氣體軸承浮動地支持該等複數基板S； 使該等複數基板之各基板S用一基板運送速度Vs 沿著該處理通道之該縱向移動通過該處理通道12；及 用一帶速度Vb 驅動該等二循環運送帶26、28使得形成該等橫向側壁之該等帶部份26a、28a具有與該基板運送速度Vs 實質相同之一帶速度Vb 。
該方法之優點已在以上在該概要段中說明過了。該說明之這部份在此插入作為參考。
本發明不限於圖中所示之例子而是由附加申請專利範圍來界定。詳細說明及申請專利範圍中使用之符號未限制本揭示之這些部件。
10:基板處理裝置 12:處理通道 12’:上游端 12”:下游端 14:上壁 16:向下平面通道側 18, 24:氣體噴射孔 20:下壁 22:向上平面(通道)側 26, 28:循環運送帶 26a, 28a:橫向側壁；帶部份 30:排氣孔 32:驅動器 34, 50:電子控制器 36, 38:橫向區域 40:控制閥 44, 46, 48:氣體源 C:處理通道中心線 S:基板 Su:上游基板 S1:碰觸基板 Vb:帶速度 Vs:基板(運送)速度 α:角度
圖1A至1D顯示一習知處理通道之內部的俯視圖，其中多個基板朝一運送方向漂浮； 圖2顯示沿著基板處理裝置之一例之沿著一垂直平面截取的橫截面，該平面係藉由圖3中之線II-II顯示； 圖3顯示沿著圖2中之線III-III截取的橫截面； 圖4顯示該基板處理裝置之俯視圖，且該上壁被移除；及 圖5顯示沿圖4中之線V-V截取之該基板處理裝置的橫截面。
12:處理通道
12’:上游端
12”:下游端
20:下壁
24:氣體噴射孔
26a,28a:橫向側壁；帶部份
30:排氣孔
32:驅動器
34:電子控制器
C:處理通道中心線
S:基板
Vb:帶速度
Vs:基板(運送)速度

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其包含： 一殼體，其界限一處理通道，該處理通道朝一縱向延伸且組配成收納複數實質平坦基板，該等基板在使用時朝該縱向同時地運送通過該處理通道， 其中該殼體包括： 一上壁，其一向下平面通道側界限該處理通道之一上側，其中該向下平面通道側包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該上壁之間形成一上氣體軸承； 一下壁，其一向上平面側與該向下平面通道側平行地延伸且界限該處理通道之一下側，其中該向上平面側包括複數氣體噴射孔，且在使用時，氣體噴射通過該等氣體噴射孔至該處理通道中用於在該等複數基板之各基板與該下壁之間形成一下氣體軸承； 二橫向側壁，其朝該縱向延伸且界限該處理通道之二橫向側； 多數排氣孔，其容納在上述壁中之一壁中且通入該處理通道以供由該處理通道排出氣體； 其特徵為： 二循環運送帶，其中各側壁係用該等二循環運送帶中之一相關循環運送帶的一帶部份來實施；及 至少一驅動器，用於驅動該等循環運送帶。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，更包含： 一電子控制器，其組配成控制各循環運送帶之一運送方向及運送速度，使得在使用時，各形成一橫向側壁之該等二循環運送帶部份的該運送速度及運送方向與朝該縱向移動通過該處理通道之該等複數基板的一運送速度及運送方向實質相同。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中該等循環運送帶係纖維強化聚四氟乙烯運送帶。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中該等纖維係選自於由玻璃纖維、碳纖維及醯胺纖維構成之群組。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中各循環運送帶包含一閉環金屬帶。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中該金屬帶係一不鏽鋼帶。
  7. 如請求項5或6之基板處理裝置，其中該閉環金屬帶塗布有一聚四氟乙烯塗層。
  8. 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置，其中該等排氣孔係定位在沿著該處理通道之長度延伸的二橫向區域中之該向下平面通道側及/或該向上平面通道側中，其中該各橫向區域係藉由形成該等側壁之該等二循環運送帶的該等二帶部份中之一相關帶部份來界限，其中該等氣體噴射孔係定位在該等二橫向區域之間，使得在使用時，透過該等氣體噴射孔噴射至該處理通道中的氣體實質橫向地流至該等橫向區域且透過該等排氣孔排出。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中該等橫向區域各具有小於2 mm之一橫向寬度。
  10. 如請求項1至9中任一項之基板處理裝置，更包含： 複數控制閥，該等氣體噴射孔可透過該等控制閥與多個氣體源連接； 一電子控制器，其與該控制閥操作地連接； 其中該處理通道包括複數縱向段，其中各縱向段橫向地延伸在該處理通道之整個寬度上且在該處理通道之長度的一部份上，其中各縱向段係藉由透過該等複數控制閥中之一控制閥而與該等氣體源中之一氣體源連接的該向上平面通道側及/或該向下平面通道側中之該等氣體噴射孔來界定， 其中與該等控制閥操作地連接之該電子控制器係組配成用於控制該等控制閥以便在該處理通道之各縱向段中產生一平均氣體壓力。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中與該等控制閥操作地連接之該電子控制器係組配成用於控制該等控制閥以便在該處理通道之各縱向段中產生一平均氣體壓力，使得該處理通道中之該平均氣體壓力由在該處理通道之一上游縱向端的一第一平均氣體壓力逐漸減少至在該處理通道之下游縱向端的一第二平均氣體壓力，其中該第一平均氣體壓力比該第二平均氣體壓力高。
  12. 如請求項1至11中任一項之基板處理裝置，其中一處理通道中心線藉由與該等二側壁等距地延伸且與該向下平面通道側及該向上平面通道側等距地延伸的一線界定，其中該殼體係設置成使得該處理通道中心線包括相對一水平面之一小角度，使得該處理通道之一上游端處於比該處理通道之一下游端高之高度，其中該小角度係在0°至5°之間。
  13. 一種用於處理基板之方法，其包含以下步驟： 提供如請求項1至12中任一項之基板處理裝置； 在該處理通道之一上游端間歇地供應多個基板進入該處理通道且在該處理通道之一下游端由該處理通道間歇地排出多個基板並且同時地收納複數實質平坦基板在該處理通道中且用該等上與下氣體軸承浮動地支持該等複數基板； 使該等複數基板之各基板用一基板運送速度沿著該處理通道之該縱向移動通過該處理通道； 用一帶速度驅動該等二循環運送帶使得形成該等橫向側壁之該等部份具有與該基板運送速度實質相同之一帶速度。
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NL2005049C2 (en) 2010-07-07 2012-01-10 Levitech B V Method and apparatus for contactlessly advancing substrates.
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