TW202013774A - 一種ｌｅｄ燈及其增加流明的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種LED燈，LED燈包含：一基板本體；至少一反射杯，該反射杯設置於該基板本體上；至少一LED元件，該LED元件設置於該基板本體上且電性連接於該基板本體；與至少一螢光單元，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一基板本體表層。所形成之發光二極體結構增加之亮度，優於目前已知之發光二極體結構。
Description
本發明係關於一種LED燈，特別係關於一種藉由LED燈增加流明之方法。
近年來，為了地球環保及永續生存的期望，節能光源之使用，開始大量普及，其中尤以電能需求量甚低，而又能提供足夠亮度需求的LED燈成長最為快速。
LED燈與傳統光源比較，LED燈係具有體積小、省電、發光效率佳、壽命長、操作反應速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質的污染等優點，因此近幾年來，LED燈的應用面已極為廣泛。過去由於LED燈之亮度還無法取代傳統之照明光源，但隨著技術領域之不斷提升，目前已研發出高照明輝度之高功率發光二極體，其足以取代傳統之照明光源。然而，傳統使用發光二極體燈具仍然無 法有效提升整體的出光效率。
習知的LED燈封裝結構通常包括基板、位於基板上的電極、承載於基板上並與電極電性連接的發光二極體晶片以及覆蓋發光二極體晶片於基板上的封裝體。為改善發光二極體晶片發光特性，通常會在發光二極體封裝結構中設置螢光顆粒，參見第一圖與第二圖所示，其中，第一圖中各元件分別如下：基板本體101、LED元件102、圍繞式反射框架105、封裝膠體110、矽膠120、矽膠130、螢光顆粒131。其中，第二圖中各元件分別如下：基板本體201、LED元件202、圍繞式反射框架205、矽膠230、螢光顆粒231。螢光顆粒通常是採用點膠或噴塗的方式塗覆在封裝體的出光面上，然而由於噴塗的隨機性容易導致螢光顆粒分佈不均勻；或者在形成封裝體之前混合在封裝材料中，而由於封裝材料凝固時懸浮在封裝材料中的螢光顆粒會發生沉積，或螢光顆粒過多造成螢光顆粒產生的光被其它螢光顆粒阻擋，造成發光效率的降低，或是固化後的封裝體中的螢光顆粒分佈不均勻，從而影響發光二極體封裝結構最終的出光效果。
因此，如何製造成本低廉的LED燈，及其所生產的色溫過高問題，並且避免亮度不足現象，亦即提高 單位的亮度，仍為當前業界亟思改善之產業上的需求。
鑒於上述之發明背景，為了符合產業上的需求，本發明提供一種LED燈以解決目前產業上所面臨的問題，同時提升LED燈的亮度。
根據本發明之一目的提供一種LED燈，該LED燈包含：一基板本體；至少一反射杯，該反射杯設置於該基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度；至少一LED元件，該LED元件設置於該基板本體上且電性連接於該基板本體；與至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一基板本體表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板本體表面介於該LED元件與該反射杯之間，並且厚度 介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%。
根據本發明之另一目的提供一種LED燈，該LED燈包含：一基板本體；至少一反射杯，該反射杯設置於該基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度；至少一LED元件，該LED元件設置於該基板本體上且電性連接於該基板本體；與至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層、一基板本體表層及一反射杯頂表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板本體表面介於該LED元件與該反 射杯之間，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層係為設置於反射杯頂部表面，並且厚度介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；與至少一封裝單元，其係為覆蓋上述LED元件、該反射杯、與該螢光單元之封裝膠體。
根據本發明之另一目的提供一種LED燈，該LED燈包含：一反射杯；至少一LED元件，該LED元件設置於該反射杯內，且該反射杯之傾斜面與該反射杯之底端面之夾角介於15度到80度；至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一反射杯頂表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該反射杯之底端面的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該反射杯之底端面垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並 且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層係為設置於反射杯頂部表面，並且厚度介於1奈米以上；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該反射杯之底端面垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；與至少一封裝單元，其係為覆蓋上述LED元件、該反射杯、與該螢光單元之封裝膠體。
根據本發明之另一目的提供一種LED燈增加流明的方法，該LED燈增加流明的方法包含：提供至少一反射杯，該反射杯設置於一基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度，一LED元件設置且電性連接於該基板本體上；提供至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一基板本體表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板 本體表面介於該LED元件與該反射杯之間，並且厚度介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；藉由電性驅動使該LED元件進行一自發光程序以產生自發光；與藉由自發光與該螢光單元進行一激發光程序以產生激發光。
根據上述本發明之另一樣態，其中上述之黏著劑包含環氧樹脂、矽膠、臘、石蠟烴、陶瓷粉、石墨烯和玻璃粉。
根據上述本發明之另一樣態，其中該LED元件頂層厚度介於1奈米到1厘米。
根據上述本發明之另一樣態，其中該LED元件側面層厚度介於1奈米到1厘米。
根據上述本發明之另一樣態，其中該反射杯斜 面表層厚度介於1奈米以上。
根據上述本發明之另一樣態，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%。
根據上述本發明之另一樣態，其中該LED元件側面層厚度小於該LED元件頂層厚度。
根據上述本發明之另一樣態，該基板本體表層厚度小於該LED元件頂層厚度。
根據上述本發明之另一樣態，其中上述之反應該LED元件包括藍光晶片。
根據上述本發明之另一樣態，該螢光顆粒的平均直徑1奈米以上。
根據上述本發明之另一樣態，中該反射杯頂面層的厚度介於1奈米以上。
101‧‧‧基板本體
102‧‧‧LED元件
105‧‧‧圍繞式反射框架
110‧‧‧封裝膠體
120‧‧‧矽膠
130‧‧‧矽膠
131‧‧‧螢光顆粒
201‧‧‧基板本體
202‧‧‧LED元件
205‧‧‧圍繞式反射框架
230‧‧‧矽膠
231‧‧‧螢光顆粒
300‧‧‧LED燈
301‧‧‧基板本體
305‧‧‧反射杯
R‧‧‧反射杯305之傾斜面與該基板本體301之夾角
310‧‧‧LED元件
320‧‧‧螢光單元
321‧‧‧LED元件頂層
322‧‧‧LED元件側面層
323‧‧‧反射杯斜面表層
324‧‧‧基板本體表層
W‧‧‧LED元件頂層的厚度
V‧‧‧LED元件側面層的厚度
Y‧‧‧反射杯斜面表層的厚度
U‧‧‧基板本體表層的厚度
400‧‧‧LED燈
401‧‧‧基板本體
405‧‧‧反射杯
R‧‧‧反射杯405之傾斜面與該基板本體401之夾角
410‧‧‧LED元件
420‧‧‧螢光單元
421‧‧‧LED元件頂層
422‧‧‧LED元件側面層
423‧‧‧反射杯斜面表層
424‧‧‧基板本體表層
425‧‧‧反射杯頂表層
Z‧‧‧反射杯頂面層的厚度
430‧‧‧封裝單元
500‧‧‧LED燈
505‧‧‧反射杯
R‧‧‧反射杯505之傾斜面與該反射杯505之底端面之夾角
510‧‧‧LED元件
520‧‧‧螢光單元
521‧‧‧LED元件頂層
522‧‧‧LED元件側面層
523‧‧‧反射杯斜面表層
525‧‧‧反射杯頂表層
530‧‧‧封裝單元
第一圖係為先前技術之一實施例之示意圖；第二圖係為先前技術之一實施例之示意圖；第三圖係為本發明之一較佳實施例之示意圖；第四圖係為本發明之一較佳實施例之示意圖；第五圖係為本發明之一較佳實施例之示意圖；第六A圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第六B圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第六C圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第七A圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第七B圖係為本發明之一較佳實施例放大照片； 第七C圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第八A圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第八B圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第八C圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第九A圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第九B圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第九C圖係為本發明之一較佳實施例放大照片。
第十A圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；第十B圖係為本發明之一較佳實施例放大照片；與第十C圖係為本發明之一較佳實施例放大照片。
本發明在此所探討的是一種LED燈。為了能徹底地瞭解本發明，將在下列的描述中提出詳盡的原料、步驟和應用。顯然地，本發明的施行並未限定於該領域之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面，眾所周知的原料或步驟並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。本發明的範例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地施行在其他的範例中，且本發明的範圍不受限定，其以之後的專利範圍為準。
根據本發明之一較佳實施範例，如第三圖所示，本發明提供一種LED燈300，該LED燈300包含：一基板本體301；至少一反射杯305，該反射杯305設置於該基板本體301上且該反射杯305之傾斜面與該基板本體301之夾角R介於15度到80度；至少一LED元件310，該LED元件310設置於該基板本體301上且電性連接於該基板本體301；與一螢光單元320，該螢光單元320係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元320更包含一LED元件頂層321、一LED元件側面層322、一反射杯斜面表層323及一基板本體表層324；該LED元件頂層321係為設置於該LED元件310遠離該基板本體301的一面，並且LED元件頂層的厚度W介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層 322係為設置於該LED元件310與該基板本體301垂直的一面，並且LED元件側面層的厚度V介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層323係為設置於該反射杯305的傾斜面，並且反射杯斜面表層的厚度Y介於1奈米以上；該基板本體表層324係為設置於該基板本體301表面介於該LED元件310與該反射杯305之間，並且基板本體表層的厚度U介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層322不與該反射杯斜面表層323相接；其中，該基板本體表層324不高於該LED元件頂層321；該反射杯斜面表層323覆蓋該反射杯305之傾斜面，其中該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積大於50%。
根據本發明之一較佳實施範例，如第四圖所示，本發明提供一種LED燈400，該LED燈400包含：一基板本體401；至少一反射杯405，該反射杯405設置於該基板本體401上且該反射杯405之傾斜面與該基板本體401之夾角R介於15度到80度；至少一LED元件410，該LED元件410設置於該基板本體401上且電性連接於該基板本體401；至少一螢光單元420，該螢光單元420係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元420更包含一LED元件頂層421、一LED元件側面層422、一反射杯斜面表層423、一基板本體表層424及一反射杯頂表層425；該LED 元件頂層421係為設置於該LED元件410遠離該基板本體401的一面，並且LED元件頂層的厚度W介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層422係為設置於該LED元件410與該基板本體401垂直的一面，並且LED元件側面層的厚度V介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層423係為設置於該反射杯405的傾斜面，並且反射杯斜面表層的厚度Y介於1奈米以上；該基板本體表層424係為設置於該基板本體401表面介於該LED元件410與該反射杯405之間，並且基板本體表層的厚度U介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層425係為設置於反射杯405頂部表面，並且反射杯頂面層的厚度Z介於1奈米以上；其中，該LED元件側面層422不與該反射杯斜面表層423相接；其中，該基板本體表層424不高於該LED元件頂層421；該反射杯斜面表層423覆蓋該反射杯405之傾斜面，其中該反射杯斜面表層423的螢光顆粒覆蓋該反射杯405之傾斜面的面積大於50%；至少一封裝單元430，其係為覆蓋上述LED元件410、該反射杯405、與該螢光單元420之封裝膠體。
再者，該反射杯頂面層425與該封裝單元430係為用以增加上述LED燈400的亮度。
根據本發明之一較佳實施範例，如第五圖所示，本發明提供一種LED燈500，該LED燈500包含：一反射杯505；至少一LED元件510，該LED元件510設置於該反射杯505內，且該反射杯505之傾斜面與該反射杯505之底端面之夾角R介於15度到80度；至少一螢光單元520，該螢光單元520係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元520更包含一LED元件頂層521、一LED元件側面層522、一反射杯斜面表層523及一反射杯頂表層525；該LED元件頂層521係為設置於該LED元件510遠離該反射杯505之底端面的一面，並且厚度W介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層522係為設置於該LED元件510與該反射杯505之底端面垂直的一面，並且厚度V介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層523係為設置於該反射杯505傾斜面，並且厚度Y介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層525係為設置於反射杯505頂部的表面，並且厚度Z介於1奈米以上；其中，該LED元件側面層522與該反射杯斜面表層523相加厚度小於該LED元件510與該反射杯505之底端面垂直的一面與該反射杯505傾斜面之距離；該反射杯斜面表層523覆蓋該反射杯505之傾斜面，其中該反射杯斜面表層523的螢光顆粒覆蓋該反射杯505之傾斜面的面積大於50%；與至少一封裝單元530，其係為覆蓋上述LED元件510、該反射杯505、與該螢光單元520之封裝膠體。
參考第六A圖至六C圖所示，根據本實施範例，該反射杯305之傾斜面部分未有螢光顆粒覆蓋。該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約60%，反射杯斜面表層的厚度Y約50微米。
參考第七A圖至七C圖所示，根據本實施範例，該反射杯305之傾斜面部分未有螢光顆粒覆蓋。該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約70%，反射杯斜面表層的厚度Y約70微米。
參考第八A圖至八C圖所示，根據本實施範例，該反射杯305之傾斜面部分未有螢光顆粒覆蓋。該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約80%，反射杯斜面表層的厚度Y約80微米。
參考第九A圖至九C圖所示，根據本實施範例，該反射杯305之傾斜極少面部分未有螢光顆粒覆蓋。該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約90%，反射杯斜面表層的厚度Y約100微米。
參考第十A圖至十C圖所示，根據本實施範 例，該反射杯305之傾斜極少面部分未有螢光顆粒覆蓋。該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約100%，反射杯斜面表層的厚度Y約200微米。
根據上述實施範例，該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約60%，反射杯斜面表層的厚度Y約50微米，此時藉由測試設備LED光譜測試機DP76以點測功率350mA進行測試得到色溫2萬~3萬K，亮度147.8Lm，此外，藉由測試設備大積分球以點測功率1.08W進行測試得到色溫15850K，亮度127Lm。反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積約70%~100%，測量色溫及亮度結果如下列表所示：
此外，該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積小於60%，藉由測試設備DP76以點測功率350mA進行測試得到色溫大於2萬~3萬K，不在本實施例討論。
再者，反射杯斜面表層的厚度Y須高於晶片以上1奈米(nm)~無限大以內的螢光反射層，也就是說從基板本體301的表面到LED元件310的表面以上1奈米~無限大範圍分布比例。反射杯斜面表層的厚度Y界定在1奈米~無限大，因為只要螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面分布達到100%之後，反射杯斜面表層的厚度Y是不影響反射杯的 激發亮度，只有LED元件310的表面上的LED元件頂層的厚度W會影響到色溫變化跟亮度。
根據本發明之另一目的提供一種LED燈300增加流明的方法，該LED燈300增加流明的方法包含：提供至少一反射杯305，該反射杯305設置於一基板本體301上且該反射杯305之傾斜面與該基板本體301之夾角R介於15度到70度，一LED元件310設置且電性連接於該基板本體301上；提供至少一螢光單元320，該螢光單元320係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元320更包含一LED元件頂層321、一LED元件側面層322、一反射杯斜面表層323及一基板本體表層324；該LED元件頂層321係為設置於該LED元件遠離該基板本體301的一面，並且厚度W介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層322係為設置於該LED元件310與該基板本體301垂直的一面，並且厚度V介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層323係為設置於該反射杯305傾斜面，並且厚度Y介於1奈米以上；該基板本體表層324係為設置於該基板本體301表面介於該LED元件與該反射杯305之間，並且厚度U介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層322不與該反射杯斜面表層323相接；其中，該基板本體表層324不高於該LED元件頂層321；該反射杯斜面表層323覆蓋該反射杯305 之傾斜面，其中該反射杯斜面表層323的螢光顆粒覆蓋該反射杯305之傾斜面的面積大於50%；藉由電性驅動使該LED元件310進行一自發光程序以產生自發光；與藉由自發光與該螢光單元進行一激發光程序以產生激發光。
綜上所述，本發明之LED燈，本發明改善了舊有發光二極體之缺點，具有明顯之市場價值。顯然地，依照上面實施例中的描述，本發明可能有許多的修正與差異。因此需在其附加的權利請求項之範圍內加以理解，除上述詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例中施行。上述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在下述申請專利範圍內。
300‧‧‧LED燈
301‧‧‧基板本體
305‧‧‧反射杯
R‧‧‧反射杯305之傾斜面與該基板本體301之夾角
310‧‧‧LED元件
320‧‧‧螢光單元
321‧‧‧LED元件頂層
322‧‧‧LED元件側面層
323‧‧‧反射杯斜面表層
324‧‧‧基板本體表層
W‧‧‧LED元件頂層的厚度
V‧‧‧LED元件側面層的厚度
Y‧‧‧反射杯斜面表層的厚度
U‧‧‧基板本體表層的厚度
Claims (13)
- 一種LED燈，該LED燈包含：一基板本體；至少一反射杯，該反射杯設置於該基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度；至少一LED元件，該LED元件設置於該基板本體上且電性連接於該基板本體；與至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一基板本體表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板本體表面介於該LED元件與該反射杯之間，並且厚度介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射 杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%。
- 一種LED燈，該LED燈包含：一基板本體；至少一反射杯，該反射杯設置於該基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度；至少一LED元件，該LED元件設置於該基板本體上且電性連接於該基板本體；至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層、一基板本體表層及一反射杯頂表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板本體表面介於該LED元件與該反射杯之間，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層係為設置於反射杯頂部表面，並且厚度介於1奈米以上；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的 一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；與至少一封裝單元，其係為覆蓋上述LED元件、該反射杯、與該螢光單元之封裝膠體。
- 一種LED燈，該LED燈包含：一反射杯；至少一LED元件，該LED元件設置於該反射杯內，且該反射杯之傾斜面與該反射杯之底端面之夾角介於15度到80度；至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一反射杯頂表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該反射杯之底端面的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該反射杯之底端面垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯頂面層係為設置於反射杯頂部表面，並且厚 度介於1奈米以上；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該反射杯之底端面垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；與至少一封裝單元，其係為覆蓋上述LED元件、該反射杯、與該螢光單元之封裝膠體。
- 一種LED燈增加流明的方法，該LED燈增加流明的方法包含：提供至少一反射杯，該反射杯設置於一基板本體上且該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於15度到80度，一LED元件設置且電性連接於該基板本體上；提供至少一螢光單元，該螢光單元係為螢光顆粒與黏著劑之混合層，其中，該螢光單元更包含一LED元件頂層、一LED元件側面層、一反射杯斜面表層及一基板本體表層；該LED元件頂層係為設置於該LED元件遠離該基板本體的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該LED元件側面層係為設置於該LED元件與該基板本體垂直的一面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該反射杯斜面表層係為設置於該反射杯傾斜面，並且厚度介於1奈米到10厘米；該基板本體表層係為設置於該基板本體表面介於該LED元件與 該反射杯之間，並且厚度介於1奈米到10厘米；其中，該LED元件側面層與該反射杯斜面表層相加厚度小於該LED元件與該基板本體垂直的一面與該反射杯傾斜面之距離；其中，該基板本體表層小於該LED元件遠離該基板本體的一面與基板本體表面之距離；該反射杯斜面表層覆蓋該反射杯之傾斜面，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於50%；藉由電性驅動使該LED元件進行一自發光程序以產生自發光；與藉由自發光與該螢光單元進行一激發光程序以產生激發光。
- 根據申請專利範圍第1、2、3項之LED燈，其中上述之黏著劑包含環氧樹脂、矽膠、臘、石蠟烴、陶瓷粉、石墨烯和玻璃粉。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，其中該LED元件頂層的厚度介於1奈米到1厘米。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，其中該LED元件側面層的厚度介於1奈米到1厘米。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，其中該反 射杯斜面表層的厚度介於1奈米到1厘米。
- 根據申請專利範圍第1、2、4項之LED燈，其中該基板本體表層的厚度介於1奈米到1厘米。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，其中該反射杯之傾斜面與該基板本體之夾角介於30度到60度。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，其中該反射杯斜面表層的螢光顆粒覆蓋該反射杯之傾斜面的面積大於65%。
- 根據申請專利範圍第1、2、3、4項之LED燈，該基板本體表層厚度小於該LED元件頂層厚度。
- 根據申請專利範圍第2、3項之LED燈，其中該反射杯頂面層的厚度介於1奈米以上。
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| TW107133211A TWI703745B (zh) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 一種ｌｅｄ燈及其增加流明的方法 |
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