TW202004243A - 具有包含二維晶格上之選擇元件之發光結構的整合式相控陣列 - Google Patents
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Abstract
一種裝置具有N個光學結構,其等經定位於界定一平面之一二維晶格上。該N個光學結構經組態以將光重新引導出該平面。該N個光學結構經共同組態成包含該二維晶格上之選擇元件之一組態。N個光學波導經整合於該平面中,以個別地供應光學功率給該N個光學結構之各者。
Description
本發明大體上係關於光學相控陣列系統。更特定言之,本發明係關於一種具有包含一二維晶格上之選擇元件之一組態中之光學結構之一整合式光學相控陣列。
圖1繪示具有一雷射源102之一先前技術光學相控陣列100,該雷射源102將光學功率傳遞至連接至相位調諧器106_1至106_N之波導104_1至104_N。相位調諧器106_1至106_N之光學輸出經施加至對應光學發射器108_1至108_N。
光學相控陣列100實施光束成形。藉由控制發射器108_1至108_N之相位及/或振幅,可控制靠近發射器之電磁場,稱為近場。遠離發射器108_1至108_N之稱為遠場的電磁場可模型化為近場之一複數形傅立葉變換。為達成在遠場中之一窄光束,需要近場中之一平坦相位輪廓。陣列之寬度判定遠場光束之寬度,其反向縮放。近場相位輪廓之斜率判定光束之輸出角度。此意謂藉由相位調諧發射器,達成光束操縱。
一直需要經改良之光學相控陣列組態,其使用本文中所揭示之實施例解決。
一種裝置具有N個光學結構,其等定位於界定一平面之一二維晶格上。該N個光學結構經組態以將光重新引導出該平面。該N個光學結構共同組態成包含該二維晶格上之選擇元件之一組態。N個光學波導整合於該平面中以個別地供應光學功率給該N個光學結構之各者。
圖2繪示由以一週期性方式分佈於一平面上之節點202形成之一二維晶格200。晶格200具有兩個主向量204及206,其等可平行或可不平行且可具有相同或不同長度。
具有正交及相等主向量之圖3及圖4之正方形晶格係例示性的;可根據本發明之實施例使用任何其他二維晶格,諸如具有非正交軸之一六邊形晶格。
圖3繪示一二維正方形晶格300。光學結構302以一彎曲組態定位(連接所有光學結構之一虛擬線具有一彎曲組態)。光學結構302可為鏡子、光柵、光纖端面、由鏡子終止之波導、雷射二極體、或光散射粒子。各光學結構302具有一對應光學波導304。
在其最一般形式中,一彎曲組態係具有彎曲組件之光學結構之一集合收集;該彎曲組態可包含線性片段,但光學結構之集合收集具有彎曲組件。圖3之彎曲組態具有傾斜線性片段,諸如片段306、308及310。
更一般而言,光學結構302係以包含二維晶格上之選擇元件之一組態配置。即,選擇光學結構係定位於二維晶格上。選擇元件可呈一不規則組態,如圖3中所展示。
圖4繪示具有形成一規則正方形晶格之正交軸之一二維晶格400。光學結構402係以一彎曲組態定位。各光學結構402具有一對應光學波導404。圖4中之彎曲組態近似於一正弦函數。本發明的實施例利用呈拋物線及圓形之形式之發射器的彎曲組態。光學結構之組態可形成一數位化線。
所揭示之裝置(諸如圖3及圖4中所展示)可係以一堆疊配置,使得不同層中之光學結構構成一單一光學相位陣列。此允許更多發射器、更大陣列尺寸及更小晶格常數。
在一個實施例中,N個光學波導之水平寬度係波導間距之N-1倍,其中間距係相鄰波導之間的距離。在一個實施例中,N個光學波導之各者具有對應於一晶格常數之一實質上相同的波導間距。
光學結構經放置於界定一平面之一二維晶格的節點中以產生規則光束圖案。經放置於二維晶格之非節點位置中的光學結構產生一單一光束。
光學結構佔據一狹窄細長區域,使得其可在一個平面中由一波導陣列供電。該區域之狹窄允許一者保持發射器間之距離小,其提供大光束間角距(beam to beam angular separation)。由發射器佔據之細長區域應包圍充分側向尺寸之一區域,以確保所需光束侷限。
所揭示之技術可結合用於掃描系統(即,雷達)之可重新組態的發射天線、資訊顯示、資訊寫入、精確溫度控制、依賴於空間受限之傳輸的高安全性通信系統或一雷射槍一起使用。
所揭示之結構提供形成及操縱一電磁輻射束之一可能性。藉由個別控制來自構成陣列之光學結構(例如發射器)之輻射的相位來達成光束形成,使得其等在一特定方向相長干涉。對於任何其他方向,應判定一組新發射器相位(實驗或理論上)。藉由將發射器相位切換至預定值來達成操縱,使得在對應方向上形成光束。僅可在個別發射器照射之角度範圍中達成操縱。在最一般意義上,個別發射器僅僅係光學結構。如本文中所使用,一光學結構係一鏡子、光柵、光纖端面、由一鏡子終止之波導、雷射二極體,或光散射粒子。
規則陣列(具有類似晶格之晶體的規則陣列)產生一組光束,此係因為同時滿足多個方向之相長干涉條件。光束之角距(最小光束間角度(beam to beam angle))與陣列之晶格常數成反比。光束對比度(光束中之能量密度與背景能量密度之關係)與陣列大小(構成陣列之發射器之數目)成比例。光束之角度大小(光束之半高全寬(FWHM))與陣列之側向尺寸成反比。
可見光及紅外電磁輻射之相位可受控於熱或電光移相器。由各發射器輻射之電磁波之相位應個別受控制。波導不應相互干涉,其通常藉由提供足夠波導間離距(waveguide to waveguide separation)來達成。可藉由積體光學波導供應能量給發射器陣列。對於最小波導間之間隔(waveguide to waveguide spacing)的要求導致大發射器間離距(emitter-to-emitter separation),如圖3及圖4中所展示,其導致小光束間角度距離(beam to beam angular distance)。
所揭示之彎曲陣列結構有助於針對相同波導間距減小發射器陣列之晶格常數。陣列之側向尺寸可比相同大小及晶格常數之一緊湊陣列之側向尺寸大幾倍。小晶格常數與側向延伸之晶格組合提供具有大光束間離距之良好受侷限之光束。需要大光束間離距以共在雷達系統中使用,以確保分開地偵測接近的光束。光束侷限轉譯成系統解析度,光束越小,解析度越精細。
熟習此項技術者將瞭解,與具有相同數目個發射器之一緊湊陣列之發射器相比,相對較小之晶格常數及較大陣列尺寸有利於更大光束間角度。
併入所揭示之發射器之任何系統亦可搭配任何數目個互補感測器、資料處理模組、通信模組、儲存模組及電源一起操作。機械組件經組態以保護,連接及安裝系統組件。例如,圖5繪示一系統500,其具有安裝於一印刷電路板514上之所揭示之光學結構502、接收器504、額外感測器506、一處理器508、記憶體510及電力電子器件512。
本發明可結合飛行時間(ToF)雷達感測器一起使用,用於即時三維測繪及物體偵測、追蹤、識別及/或分類。一雷達感測器係一光偵測及測距感測器。雷達感測器係一光學遠端感測模組,其可藉由使用來自一雷射之脈衝(或替代地一調變信號)照射目標或場景並量測光子行進至一目標或場景且在反射之後返回至雷達模組中之一接收器所需之時間,來量測至該目標或場景中之物體之距離。使用飛行時間及脈衝(或調變信號)之強度偵測反射脈衝(或調變信號),其等分別係感測物體之距離及反射率之量測。因此,光學發射器之二維組態提供兩個資訊度(例如,x軸及y軸),而飛行時間資料提供一第三資訊度(例如,z軸或深度)。
微製造及/或奈米製造技術用於產生一光學相控陣列光子積體電路(OPA PIC),其包含分佈來自一雷射之一光學信號之光學功率分離器、耦合至晶片或整合於晶片上之光纖、用於相位控制之可調諧光學延遲線、及用於增加光學功率之積體光學放大器。延遲線將其等輸出光學信號引導至諸如光學發射器、鏡子、光柵、雷射二極體、光散射粒子及其類似者之結構。該等結構建立光之平面外耦合。
相位調諧器(諸如圖1之相位調諧器106)建立相位延遲以透過發射光束之干涉形成所期望遠場輻射圖案。可使用任何數目個相移光學器件之組態來實施相移,包含(但不限於):增益元件、全通濾波器、布拉格光柵、色散材料、波長調諧及相位調諧。當使用相位調諧時,用於調諧延遲線之致動機構及當其等可調諧時之光學分離器可為各種機構之任一者,包含(但不限於):熱光致動、電光致動、電子吸收致動、自由載子吸收致動、磁光致動、液晶致動及全光致動。
在一個實施例中,利用至少一個晶片上光柵或至少一個晶片外透鏡來減小光點大小的垂直尺寸(即,垂直於操縱方向之尺寸)。晶片外透鏡之類型包含(但不限於):折射透鏡、漸變折射率透鏡、一繞射光學元件,及一全像光學元件。
在一飛行時間雷達應用中,基於OPA之雷達包含一光學發射器(包含雷射、雷射驅動器、雷射控制器、OPA PIC及OPA控制器)、一光學接收器(包含光電偵測器、光電偵測器驅動器及接收器電子器件),及用於功率調節、控制、資料轉換及處理之電子器件。
圖6繪示本發明之一實施例,其中所揭示之裝置(諸如圖3及圖4中所展示)係堆疊於M個平行平面中。平行平面實施例600包含一第一平面602中之一第一二維晶格。該第一二維晶格包含光學結構604及對應光學波導606。結構600亦包含一第二平面608中之一第二二維晶格及一第三平面610中之一第三二維晶格。觀察到各平行平面係交錯的,使得來自一個平面之平面外光不由另一平面阻擋。各平面中之光學結構及光學波導伴有互補電子器件,諸如圖5中所展示。
以下係所揭示技術之例示性實施方案。實例 1 ( 光束成形 )
一光學晶片係產生於一矽平台上,該矽平台包括一雷射介面、能量分離設施、移相器陣列,及圖4之OPA結構。啁啾光柵用於將光重新引導出晶片平面。一雷射經整合至晶片上,且該晶片經安裝至一控制板上,為雷射提供電源,且可個別改變OPA中各光柵發射之光的相位。藉由對OPA通道之各者施加特定相移來形成一光束。該光束經觀察為一螢幕上之一亮光點。在其中於一反覆最佳化程序中使通過一小孔徑之光學功率最大化之一程序中,獲得特定相移。光束之形狀(螢幕上之亮光點)對應於理論預測形狀。實例 2 ( 光束掃描 )
實例1之固定化器件可在不同方向上形成光束。對於各方向,可藉由將孔徑放置於自OPA指向此方向之線上並執行反覆最佳化程序上來獲得對應組之OPA相位。之後,藉由應用對應於所期望方向的OPA相位組來達成狀態之間的切換。當狀態切換時,吾人可見光束在螢幕上之位置發生變化。實例 3 (2D 光束操縱 )
固定實例1之OPA,固定一螢幕,使得最強光柵光萃取(grating outcoupling)之方向垂直於該螢幕。選擇一組16個點,使得其等沿最強光柵光萃取之點之中心之一圓均勻分佈。對於16個點之各者,判定對應組OPA相位以在該點之位置處形成一光束。當OPA將16個狀態切換為1時,吾人可觀察到所形成之光束沿圓形線行進。實例 4 ( 雷射雷達 )
實例1之器件與能夠一偵測器器件連接,偵測器器件將由雷射發射之光記錄於OPA晶片上。雷射輻射由雷射以脈衝發射,一組OPA相位形成一光束,其接著由一目標(白色螢幕)散射。觀察到自OPA發射器陣列至目標及至偵測器之光之飛行時間取決於目標之位置而不同。因此,由OPA晶片組成之發射器模組可用於LIDAR系統中以判定至目標之範圍。
出於解釋目的,以下描述使用特定命名法以提供對本發明之一透徹理解。然而,熟習此項技術者應明白:特定細節可無需用於實踐本發明。因此,本發明之特定實施例之上述描述為圖解說明及描述之目的而呈現。其等不意欲詳盡或限制本發明於所揭示之精確形式;顯然地,可根據以上教示做出諸多修改及變動。選取所描述之實施例以最佳說明本發明之原理及其實際應用,藉此使熟習此項技術者能夠在各項實施例中最佳利用本發明且運用適於預期之特定使用之各種修改。意欲以下申請專利範圍及其等之均效物界定本發明之範疇。
100‧‧‧光學相控陣列
102‧‧‧雷射源
104_1‧‧‧波導
104_2‧‧‧波導
104_N‧‧‧波導
106_1‧‧‧相位調諧器
106_2‧‧‧相位調諧器
106_N‧‧‧相位調諧器
108_1‧‧‧光學發射器
108_2‧‧‧光學發射器
108_N‧‧‧光學發射器
200‧‧‧二維晶格
202‧‧‧節點
204‧‧‧主向量
206‧‧‧主向量
300‧‧‧二維正方形晶格
302‧‧‧光學結構
304‧‧‧光學波導
306‧‧‧片段
308‧‧‧片段
310‧‧‧片段
400‧‧‧二維晶格
402‧‧‧光學結構
404‧‧‧光學波導
500‧‧‧系統
502‧‧‧光學結構
504‧‧‧接收器
506‧‧‧感測器
508‧‧‧處理器
510‧‧‧記憶體
512‧‧‧電力電子器件
514‧‧‧印刷電路板
600‧‧‧平行平面實施例
602‧‧‧第一平面
604‧‧‧光學結構
606‧‧‧光學波導
608‧‧‧第二平面
610‧‧‧第三平面
結合以下結合隨附圖式之[實施方式],將更全面地瞭解本發明,其中:
圖1繪示根據先前技術組態之一光學相控陣列。
圖2繪示根據本發明之一實施例而使用之一二維晶格。
圖3繪示根據本發明之一實施例之具有一二維晶格中之對應光學波導之光學結構之一第一配置。
圖4繪示根據本發明之一實施例之具有一二維晶格中之對應光學波導之光學結構之一第二配置。
圖5繪示結合光學相控陣列使用之系統組件。
圖6繪示本發明之一平行平面實施例。
貫穿圖式之若干視圖,相同元件符號係指對應部分。
400‧‧‧二維晶格
402‧‧‧光學結構
404‧‧‧光學波導
Claims (17)
- 一種裝置,其包括: N個光學結構,其等經定位於界定一平面之一二維晶格上,該N個光學結構經組態以將光重新引導出該平面,該N個光學結構經共同配置成包含該二維晶格上之選擇元件之一組態;及 N個光學波導,其等經整合於該平面中以個別地供應光學功率給該N個光學結構之各者。
- 如請求項1之裝置,其中該N個光學結構之各者係定位於該二維晶格之軸之一交叉處。
- 如請求項2之裝置,其中該組態具有傾斜線性片段。
- 如請求項2之裝置,其中該組態近似於一正弦函數。
- 如請求項2之裝置,其中該組態係一數位化線。
- 如請求項2之裝置,其中該組態係一拋物線。
- 如請求項2之裝置,其中該組態係一圓形。
- 如請求項1之裝置,其中該二維晶格具有正交軸。
- 如請求項1之裝置,其中該二維晶格具有非正交軸。
- 如請求項1之裝置,其中該二維晶格具有界定一單一晶格常數之相同主向量。
- 如請求項1之裝置,其中該二維晶格具有界定兩個不同晶格常數之不同大小的主向量。
- 如請求項1之裝置,其中該N個光學波導之該水平寬度係波導間距的N-1倍。
- 如請求項1之裝置,其中該N個光學波導之各者具有對應於一晶格常數之一實質上相同的波導間距。
- 如請求項1之裝置,其中該N個光學結構係選自鏡子、光柵、光纖端面、由鏡子終止之波導、雷射二極體,及光散射粒子。
- 如請求項1之裝置,其與一雷達系統組合。
- 如請求項1之裝置,進一步包括: 一第二組N個光學結構,其等經定位於界定經堆疊於該平面之頂部上之一第二平面之一二維晶格上,該第二組N個光學結構經組態以將光重新引導出該第二平面,該第二組N個光學結構係共同以包含界定該第二平面之該二維晶格上之選擇元件之一組態配置;及 一第二組N個光學波導,其等經整合於該第二平面中以個別地供應光學功率給該第二組N個光學結構之各者。
- 如請求項1之裝置,其經實施於M個平行平面上。
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