TW202003391A - 提供超純水的設備及方法 - Google Patents

Abstract

本發明有關用於提供超純水，尤其是使用在半導體製造中之超純水的設備。此設備包含至少一圓柱形反應器，具有內圓柱形殼體、外圓柱形殼體、及在內殼體與外殼體之間的通道狀體積。根據本發明：內圓柱形殼體容置至少一UV發射裝置；外圓柱形殼體包含用於反射UV輻射之至少一機構；及通道狀體積提供用於使水流經反應器。

Description

提供超純水的設備及方法

本發明有關提供超純水的設備及方法，尤其是有關用於提供使用在半導體製造之超純水的設備及方法。

於生產半導體晶片(邏輯晶片、DRAM(動態隨機存取記憶體)、NAND快閃記憶體、還有更多)、積體電路、微系統、醫療裝置、感測器與類似者等之電子零組件中，超純水是必要的清潔介質。鑑於對這些奈米級電子零組件之持續結構小型化，對超純水質量的先前高要求仍在增加。因此，例如，顆粒含量、金屬雜質、離子含量以及TOC(總有機碳)含量必須盡可能低(從用於TOC的亞ppb(十億分之一)水平至用於離子的ppt(一兆分之一)直至用於金屬的ppq(千兆分之一)的水平)。

通常，超純水之生產在數個製程步驟中進行，分組為所謂的預處理、製備、和精製區段。最後之精製步驟進一步處理經過預處理和製備區段預處理的水，以便滿足微電子和類似技術之要求。

因此，應避免任何腐蝕和金屬顆粒釋放進入處理過的水中。在這種情況下，較佳的是超純水中之金屬顆粒的含量至少小於0.1ppt(一兆分之一)。

然而，根據目前最佳技術，用於超純水的精製步驟中所使用之容器(例如於光解反應器(UV/VUV-反應器)的目前最佳技術中)全部由不銹鋼所製成，因為聚合物材料長期不耐受UV光(

400nm)。

在這種情況下，“UV”意指“紫外線(輻射)”，“VUV”意指“真空紫外線(輻射)”。

再者，於先前技術領域中，通常在精製步驟中使用至少三個單獨之裝置來生產超純水、亦即UV反應器、包含有至少一離子交換樹脂的裝置、和包含有固 定在支撐件上之至少一種催化劑的裝置。這些裝置及其配置於工廠中佔用大量空間。

因此，在一方面，於超純水生產中，尤其是用於半導體用途有一般市場需求，以在此超純水生產之精製步驟中於水和金屬及其合金(例如鋼)之間的接觸越來越少。在另一方面，需要用於提供超純水之改良設備，其克服目前已知設備的缺點。尤其是，需要找到一種減少由先前技術領域已知之設備的高空間要求之設備。

為了克服這些缺點並滿足這些需要，本發明提供用於提供超純水，尤其是用於具有請求項第1項的特徵之半導體製造的超純水之設備。本發明設備的較佳實施例在請求項第1項之附屬項中界定。

再者，本發明提供用於提供具有申請專利範圍第15項的特徵之超純水的方法、以及具有請求項第16項之特徵的本發明設備之創造性用途。

所有請求項的用辭據此通過參考明確地併入本敘述。

根據本發明，上面所論及之設備包含至少一圓柱形反應器，其具有內圓柱形殼體、外圓柱形殼體、和在內殼體與外殼體之間的通道狀體積。所述內圓柱形殼體容置至少一UV發射裝置。所述外圓柱形殼體包含至少一用於反射UV輻射之機構。且所述通道狀體積提供用於使水流經反應器。

換句話說：本發明的設備包含二同心配置之管子或管件。由於此配置，在二管子/管件之間形成具有環形橫截面積的空間。至少一UV發射裝置配置在內管子/管件內。水流經內管子/管件和外管子/管件之間的空間。外管子/管件包含至少一用於反射UV輻射之機構。

如上面業已解釋，“超純水”(UPW)一詞是已純化至非常嚴格規格的水。根據定義，此水應僅含有H2O，且H+離子和OH-離子處於平衡狀態。如亦業已論及，超純水主要用於半導體工業中、且亦用於可能是較低純度等級之製藥工業中。

根據本發明，“UV發射裝置”一詞應包括能夠發射波長在10nm和400nm之間的電磁輻射之任何光源。這些光源可為所謂的紫外燈、像短波紫外燈、鹵素燈、氣體放電燈、準分子燈，且亦可為紫外線LED和紫外線雷射。

較佳地係，UV燈放置於氣體環境中之內殼體(圓柱體)中，尤其是在空氣、氮氣(N₂)或其他惰性氣體(例如像氬氣的稀有氣體)之環境中。

在本發明設備的較佳實施例中，內圓柱形殼體由SiO₂(石英)，尤其是由合成結晶SiO₂所製成。此石英材料，尤其是石英玻璃對紫外光具有優異的(最大)光學透射率。這些材料已知為“合成UV級熔融矽石”。這些材料由高純度合成生產之熔融石英材料所組成。

根據本發明，較佳的是UV發射裝置具有波長

380nm之發射光譜，其中較佳地係所述發射光譜包括

200nm的發射峰值。在這種情況下，進一步較佳的是如果發射光譜包括至少185nm和254nm之發射峰值。

作為UV發射裝置的較佳範例，汞低壓UV燈發射具有約254nm波長的90%UV光和具有約185nm波長之10%UV光。尤其是，具有波長為185nm的UV光在水中產生OH-自由基，其可將痕量有機雜質氧化成有機酸，或甚至可將這些有機雜質礦化成例如CO₂/HCO₃ ^--離子、或SO₄ ^2--、Cl^--離子、和NO₃ ^--離子。在超純水之進一步精製步驟中，藉由離子交換樹脂將那些所得物質完全除去。

根據本發明，較佳的是如果本發明設備中之外圓柱形殼體(亦)由SiO₂(石英)所製成。當來自紫外線發射裝置的UV光業已通過通道狀體積中之待處理的水時，使用具有較低UV透射率之石英材料(與超純合成結晶SiO₂相比)就足夠當作外圓柱形殼體的材料。

參考用於本發明設備中之反射UV輻射的機構，可能使用不同之機構。例如，可能使用屏蔽件，尤其是在其外表面處圍繞外圓柱形殼體的箔材。此屏蔽件可由UV反射金屬，尤其是由鋁製成所製成。

雖然如此，根據本發明，較佳的是如果用於反射UV輻射之機構係至少一塗層，其尤其是亦可設置在所述外圓柱形殼體的外表面。塗層亦可由任何UV反射材料、例如像鋁之金屬所製成。雖然如此，較佳的是如果此一塗層由SiO₂、較佳地係由非晶質SiO₂所製成。

原則上，本發明設備中之通道狀體積的尺寸並不重要。然而，為了支持用UV光有效處理水，較佳的是通道狀體積之寬度在0.1mm和100mm之間。尤其是，所述寬度在2mm和50mm之間、較佳地係在2mm和15mm之間。

根據本發明，可在內圓柱形殼體及外圓柱形殼體之間提供一連續的通道狀體積。在這些情況下，待處理之水沿著通道狀體積在兩個殼體之間不受阻礙地流動。然而，根據本發明，亦可能及較佳的是，所述通道狀體積由(沿著殼體)串聯配置之至少二腔室狀區段所組成。以這些實施例，分別在每一區段中用UV 光處理水。如果在內圓柱形殼體中提供一個以上的UV發射裝置，則也可有利地使用這些實施例。在這些情況下，可為通道狀體積之每一區段提供一UV發射裝置，以致在每一區段中藉由另一發射裝置的UV光一個接一個地處理水。

利用本發明設備之進一步較佳實施例，通道狀體積包含用於在所述體積中產生流動水的紊流之機構。以此措施，UV光和水之間的接觸以及水中零組件之接觸將得到加強，且UV處理的效率增加。例如，OH自由基在水中之均質分佈將改善其與有機雜質的反應。這些OH自由基主要在接近內殼體之水中靠近UV發射裝置形成，且藉由所述機構較佳地分佈在水體積中。

用於產生紊流的所述機構較佳地係堅牢地安裝在通道狀體積之靜態機構。尤其是所述機構為螺旋零組件、較佳地係由SiO₂所製成的螺旋零組件。在這種情況下，因為它們之高UV透射率、它們的化學穩定性、和對UV光之穩定性，如之前所論及地使用由結晶SiO₂所製成的螺旋零組件係較佳的。

再者，於較佳實施例中，本發明設備包含圓柱形屏蔽件，其包圍圓柱形反應器之外圓柱形殼體。此亦形成像管子或管件的額外圓柱形屏蔽件容置及保護圓柱形反應器、較佳地係僅具有稍微較大之尺寸。此額外的屏蔽件亦界定包括在用於提供超純水之裝置中的其他零組件之邊界表面。

所述額外的圓柱形屏蔽件較佳地係由塑膠所製成或具有至少一由塑膠所製成之表面。

根據本發明，原則上本發明設備的整體尺寸並不重要。然而，如果包括圓柱形屏蔽件(在適用之處)的本發明設備(反應器)之長度/高度於500mm和3000mm之間、尤其是在1000mm和2000mm之間，且直徑於100mm和500mm之間、較佳地係在200mm和400mm之間。

在本發明的其他較佳實施例中，圓柱形反應器包含在容器，尤其是圓柱形容器中。此容器可由鋼、不銹鋼或其他金屬材料(如鈦和鈦合金)所製成。然而，此容器較佳地係(亦)由塑膠材料所製成或至少具有由塑膠材料所製成之表面。

根據本發明，較佳的是如果容器係可與高達15巴(bar)的壓力一起使用之高壓容器。

根據本發明，容器、較佳地係圓柱形容器可包括多於一個的圓柱形反應器，尤其是多數配置成陣列之反應器。以此措施，能以本發明的設備處理更大量之 水。通常且較佳地係，圓柱形反應器以一方式安裝在容器中，使得待處理的水在圓柱形反應器之底部進入圓柱形反應器並在其頂部離開圓柱形反應器。

根據本發明設備的進一步較佳實施例，容器(包含圓柱形反應器)和外圓柱形殼體之間的容積之至少一部分、或容器與包圍外圓柱形殼體的屏蔽件之間的容積之至少一部分提供用於流經反應器的水之至少一個另外的處理步驟。以此措施，可能實現整個設備之節省空間的設計。

對於最後提到之實施例，較佳的是所述體積(用於進一步處理水)至少局部地填充有至少一吸收材料、較佳地係至少一離子交換樹脂。再者，以最後提到之實施例，亦較佳的是所述體積(用於進一步處理水)至少局部地用至少一催化劑填充，其中較佳地係所述催化劑固定在支撐件上。

水會通過於最後所提到之實施例中的(外部)體積(用於進一步處理水)，所述水較佳地係由頂部離開圓柱形反應器並經過噴嘴在容器底部收集。然後，經完全處理之精製步驟的超純水會離開容器。

催化劑通常固定在鹼性支撐件(亦即呈OH形式之陰離子交換樹脂)上。催化劑較佳地係可選自貴金屬，尤其是鈀或鉑、呈具有高表面積的元素形式。金屬之濃度將為例如每升樹脂1g。包括催化劑的樹脂可層疊在混合床樹脂之頂部上。它亦可層疊在混合床(離子交換)樹脂上，作為5%至15%催化劑與陰離子樹脂或混合床樹脂混合的混合物，催化劑樹脂之含量為50%至95%、較佳地係於10%與30%之間。

較佳地係，如果填充材料由陰離子交換樹脂支撐件上的貴金屬催化劑(尤其是Pd⁰或Pt⁰)所組成，可能與混合床樹脂混合或分層、在圓柱形反應器中產生之H₂O₂(過氧化氫)(通常為1至100ppb(十億分之一))藉由催化反應除去，以產生水(H₂O)和氧氣(O₂)。藉由將一些氫氣(H₂)加入整個設備的供給水流，可藉由催化反應除去溶解之氧(如由上面的H₂O₂產生)以產生水。產生OH自由基之光解反應亦按照以下化學方程產生一些H自由基：H₂O(λ<200nm)=OH*+H*

經過自由基重組，從2個OH自由基產生更穩定的H₂O₂，從2個H自由基產生一些H₂氣體。

所產生之H₂氣體參與貴金屬催化劑(Pd⁰及/或Pt⁰)，以將H₂O₂還原為H₂O+O₂和將O₂還原為H₂O。

由於殘留水平<10ppb的超純水，可在整體發明設備之出口處提供<1ppb的H₂O₂。

除了如上所述之本發明設備以外，本發明亦包括用於提供超純水，尤其是用於半導體製造的超純水之方法。

在此方法中，水流經本發明設備中之圓柱形反應器的內圓柱形殼體及外圓柱形殼體之間所提供的通道狀體積。

最後，本發明包括本發明設備在超純水生產中之應用，尤其是在用於半導體製造的超純水之生產中的應用。通過此種應用，最小化或甚至避免所述超純水與金屬或合金之接觸。較佳地係，此應用在超純水生產的精製步驟中進行。

本發明與許多優點有關聯。

首先，必須提及的是，利用包含至少一個具有所述特徵之圓柱形反應器的本發明設備，可最小化或甚至避免水與金屬或金屬合金之接觸。以本發明，內圓柱形殼體、外圓柱形殼體、和二殼體之間的通道狀體積由不含任何金屬之材料，尤其是石英材料所製成。對於在UV照射之後於所述水的進一步處理步驟中使用之任何材料也是如此。

再者，根據本發明的UV照射更有效。通常，波長為185nm之UV光於約10mm至11mm之後被水所吸收。波長為254nm的紫外光可完全通過水。因而，用於外圓柱形殼體上之UV輻射的反射機構具有二效果。首先，波長為254nm之UV光被反射回至水中，以致藉由再次將H₂O₂(由OH自由基的重組所形成)離解成OH自由基，可增加OH自由基之正濃度。其次，藉由反射UV光，可最小化或避免藉由圓柱形反應器外側的UV輻射所造成之任何損壞。

最後，本發明結合有機雜質(TOC)的去除、H₂O₂之去除、和藉由UV/VUV光解、催化過氧化物處理和混合床離子交換樹脂在一個單獨裝置(代替三個別裝置)中的超純水中之(金屬)離子的去除，而沒有水與金屬，尤其是鋼零件之任何接觸。

從以下和申請專利範圍附屬項結合的附圖及範例之敘述，整個發明的其他優點和特徵將變得清楚。於本發明之一實施例中，可單獨或聯合地實現各個特徵。附圖和範例僅用於說明和更佳理解本發明，且不應理解為以任何方式限制本發明。

1‧‧‧設備

2‧‧‧反應器

3‧‧‧內殼體

4‧‧‧外殼體

5‧‧‧通道

6‧‧‧UV發射裝置

7‧‧‧塗層

8‧‧‧支撐桿

9‧‧‧電纜

10‧‧‧護罩

11‧‧‧容器

12‧‧‧容積

13‧‧‧吸收材料

14‧‧‧螺旋零組件

於圖式中顯示圖1是根據本發明的設備之概要截面視圖；圖2A及2B是根據圖1的發明設備之基本零件的概要截面視圖；圖3是根據圖1的發明設備之另一概要詳細視圖；圖4是根據本發明的具有螺旋零組件之另一設備的概要詳細視圖；及圖5是根據本發明之具有螺旋零組件的設備之概要立體視圖。

根據圖1的設備1係包含一管狀形之細長圓柱形反應器2。圓柱形反應器2具有內殼體3、外殼體4和內殼體3與外殼體4之間的通道5(通道狀體積)。換句話說，圓柱形殼體3同心地配置在圓柱形外殼體4中。

亦如在圖1中所顯示，內圓柱形殼體3容置UV發射裝置6，例如汞低壓UV燈。

在外圓柱形殼體4之外表面上，有作為UV輻射用的反射機構之塗層7。這於圖1中沒有詳細顯示，但對應塗層在圖2A和2B中明確顯示。

於本發明設備1中所處理的水從設備1之底部流經頂部的通道5。這由圖1最底部的左箭頭所說明。

圖1進一步顯示- 支撐桿8，其增加內殼體3和外殼體4之間的圓柱形反應器2之機械穩定性；- 用於UV發射裝置6的電源之電纜9；- 包圍外殼體4的細長圓柱形屏蔽件10；- 圓柱形容器11容置圓柱形反應器2，並界定屏蔽件10與容器11之間的容積12；和- 吸收材料13、例如固定在支撐件上之離子交換樹脂及/或催化劑，用於進一步處理流經反應器的水之步驟。

根據本發明的較佳實施例，在圖1之設備1中，內殼體3由合成超純結晶石英所製成，外殼體4由結晶標準石英所製成。殼體4的外表面上之UV反射塗層7亦由非晶質矽石所製成。

圖2A包括來自設備1的頂部之較大視圖(見圖1)，且圖2B包括設備1的底部之較大視圖(見圖1)。

而且，根據圖2A，圓柱形反應器2包含內圓柱形殼體3(容置UV發射裝置6)、外圓柱形殼體4(在其外表面處包含UV反射塗層7)、以及內殼體3和外殼體4之間的通道5。

再者，圖2A顯示用於UV發射裝置6之電源電纜9。亦繪示有圓柱形屏蔽件10和容器11，在它們之間界定容積12。

藉由圖2A中的箭頭，亦顯示於設備1中所處理之水在通道5中從底部流至頂部，且接著重定向以從頂部經過體積12流至底部。

而且，於圖2B中，設備1的相同零組件如圖2A中所說明。因此，圓柱形反應器2包含內圓柱形殼體3、外圓柱形殼體4、和內殼體3與外殼體4之間的通道5(通道狀體積)。UV發射裝置/燈6配置於內殼體3內。在外殼體4之外表面提供塗層7作為UV反射機構。再者，於圖2B中顯示內殼體3及外殼體4間之支撐桿8。

外殼體4由圓柱體10所屏蔽。容器11容置圓柱形反應器2，容積12在圓柱形屏蔽件10和容器11之間。

在設備1中待進一步純化的水從底部流入設備(參見“入口”)，且接著流經通道5至設備1之頂部(參見圖2A中的圖示)。重定向之水流引導經過容積12供進一步處理，並在其底部離開設備1(參見圖2B中的“出口”)。

圖3顯示設備1、亦即設備1中之圓柱形反應器2的底部之二其他詳細視圖(參見圖1)。

於這種情況下，在左側上，圖3以剖視圖說明內圓柱形殼體3和外圓柱形殼體4，在內殼體3和外殼體4之間具有支撐桿8。再者，內殼體3及外殼體4界定於它們之間的通道狀體積/通道5。待處理之水將從底部流入圓柱形反應器2，且接著進入通道5直至圓柱形反應器2的頂部(在圖3中未示出)。

圖3右側上之細節圖是圖3的左側圖示在支撐桿8之位置處的剖視圖。除了內殼體3、外殼體4、和通道5以外，此剖視圖亦顯示在120°之徑向距離有三支撐桿8。

於圖3的右圖示中未顯示UV反射塗層7，其在圖3之左圖示中說明於外殼體4的外表面處。

圖4顯示本發明設備中之另一圓柱形反應器2的詳細視圖，其與圖1至3所示的圓柱形反應器2的不同之處在於存在用於產生呈螺旋分量形式的紊流之靜態機構。

在這種情況下，圖4於其左圖示中顯示圓柱形反應器2、內部圓柱形殼體3、外部圓柱形殼體4、和在這些二殼體3、4之間的通道5。再者，此圖亦繪示有外殼體4之外表面上的UV反射塗層7。

根據圖4之左圖示，於圓柱形反應器2的此實施例中，螺旋零組件14設在通道5內。這個/這些螺旋零組件14較佳地係於許多連續螺旋片段中從圓柱形反應器之底部向上捲繞直至圓柱形反應器的頂部。

如稍早所說明，螺旋零組件14具有靜態混合器和紊流促進器之功能，以在其與必須氧化的有機分子相互作用中獲得藉由UV光所產生之OH自由基的更佳均勻性。

於圖4之另一圖示中，在其右側上，顯示零組件14的轉折點之位置處的剖視圖(圖1中之左圖示)。此剖視圖顯示在通道5內的內殼體3、外殼體4、和螺旋零組件14。

為了甚至更佳理解包括螺旋零組件之設備和圓柱形反應器，圖5以立體圖顯示此一圓柱形反應器2。此立體圖說明內圓柱形殼體3、外圓柱形殼體4、及於這些二殼體3、4之間的通道5。再者，圖5說明以分段形式在通道5中捲繞之螺旋零組件14。

範例

設有參考標記1的如圖1所示之設備/裝置具有1700mm的高度/長度和300mm之橫截面積的直徑。此設備包含長度為1500mm之圓柱形反應器(圖1中的參考標記2)。圓柱形反應器之內圓柱形殼體(圖1中的參考標記3)容置具有300W電功率之低壓汞燈。圓柱形反應器中的通道狀體積之寬度(圖1中的參考標記5)為11毫米。

再者，範例中所使用之設備包含催化劑樹脂及離子交換樹脂(在圖1中用參考標記12表示的體積中)，用於在UV處理步驟之後進一步處理水。於所述範例中，設備含有25公升的催化劑樹脂(具有1g/L Pd⁰之強鹼陰離子交換樹脂)和50公升的混合床離子交換樹脂(UPW等級)。

利用所述設備，進一步處理二給水樣本(經過預處理和製造區段預處理)以提供超純水。這些(預處理的)超純水樣本包括作為待氧化之有機分子的乙醇。

1.第一給水樣本包含9.3ppb TOC，並在容量為1m³/h之設備中以22℃之溫度進行處理。

於本發明的圓柱形反應器中用UV-輻射處理之後，超純水含有6ppb TOC和41ppm H₂O₂。在藉由催化劑樹脂和混合床離子交換樹脂進一步處理之後、亦即於最後的精製步驟之後，超純水具有0.9ppb TOC和3ppb H₂O₂。

2.第二給水樣本包含30.3ppb TOC，並在容量為2m³/h之設備中以22℃之溫度進行處理。

於本發明的圓柱形反應器中用UV-輻射處理之後，超純水含有23.1ppb TOC和62.8ppm H₂O₂。在藉由催化劑樹脂和混合床離子交換樹脂進一步處理之後、亦即於最後的精製步驟之後，超純水具有2.9ppb TOC和3.6ppb H₂O₂。

1‧‧‧設備

2‧‧‧反應器

3‧‧‧內殼體

4‧‧‧外殼體

5‧‧‧通道

6‧‧‧UV發射裝置

8‧‧‧支撐桿

9‧‧‧電纜

10‧‧‧護罩

11‧‧‧容器

12‧‧‧容積

13‧‧‧吸收材料

Claims (16)

1. 一種用於提供超純水的設備(1)，尤其是使用於半導體製造中之超純水，該設備包含有至少一圓柱形反應器(2)，該反應器(2)設有一內圓柱形殼體(3)、一外圓柱形殼體(4)、及在該內圓柱形殼體(3)與該外圓柱形殼體(4)之間的一通道狀體積(5)，其中：該內圓柱形殼體容置至少一UV發射裝置(6)；該外圓柱形殼體包含用於反射UV輻射之至少一機構(7)；及該通道狀體積(5)提供用於使水流經該反應器(2)。
2. 如請求項第1項之設備，其中該內圓柱形殼體(3)係由合成結晶SiO ₂所製成，該合成結晶SiO ₂較佳地係具有最大UV透射率。
3. 如請求項第1或2項之設備，其中該UV發射裝置(6)具有一發射光譜，其波長

   

   380nm、較佳地係具有

   

   200nm之發射峰值，尤其是具有185nm及254nm的發射峰值。
4. 如請求項第1至3項中任一項之設備，其中該外圓柱形殼體(4)係由SiO ₂所製成，該SiO ₂較佳地係具有UV透射率低於合成結晶SiO ₂的UV透射率。
5. 如請求項第1至4項中任一項之設備，其中該用於反射UV輻射的機構是至少一塗層(7)，該塗層(7)較佳地係由非晶質SiO ₂所製成。
6. 如請求項第1至5項中任一項之設備，其中該用於反射UV輻射的機構係設在該外圓柱形殼體(4)之外表面。
7. 如請求項第1至6項中任一項之設備，其中該通道狀體積(5)具有一寬度，其在0.1毫米及100毫米之間、較佳地係在2毫米及50毫米之間，尤其是在2毫米及15毫米之間。
8. 如請求項第1至7項中任一項之設備，其中該通道狀體積係由串聯配置的至少二腔室狀區段所組成。
9. 如請求項第1至8項中任一項之設備，其中該通道狀體積(5)包含用於在該體積中產生流水之紊流的機構(14)，其中該機構較佳地係螺旋零組件，尤其是由SiO ₂所製成之螺旋零組件。
10. 如請求項第1至9項中任一項之設備，其中該圓柱形反應器(2)更包含包圍該外圓柱形殼體(4)的一圓柱形屏蔽件(10)，其中該屏蔽件較佳地係由塑膠所製成或具有由塑膠所製成之表面。
11. 如請求項第1至10項中任一項之設備，其中該圓柱形反應器(11)包含在一容器(11)中，尤其是一圓柱形容器(11)中，其中該容器尤其是由塑膠所製成或具有由塑膠所製成的表面。
12. 如請求項第11項之設備，其中該容器(2)與該外圓柱形殼體(4)之間的容積(12)之至少一部分、或該容器(11)與包圍該外圓柱形殼體(4)的該屏蔽件(10)之間的容積之至少一部分係用以提供至少一進一步的處理步驟，使水流經該反應器。
13. 如請求項第12項之設備，其中該容積(12)至少局部地填充有至少一吸收材料(13)、較佳地係至少一離子交換樹脂。
14. 如請求項第12或13項之設備，其中該容積(12)至少局部地填充有至少一催化劑(13)，其中該催化劑較佳地係固定在一支撐件上。
15. 一種用於提供超純水的方法，尤其是使用於半導體製造中之超純水，其中水係流經如請求項第1至14項之至少一項之設備(1)中之一圓柱形反應器(2)的一內圓柱形殼體(3)及一外圓柱形殼體(4)之間所提供的一通道狀體積(5)。
16. 一種如請求項第1至14項中任一項之設備在超純水生產的應用，尤其是使用於半導體製造中的超純水生產，其係最小化或避免該超純水與金屬或合金的接觸。

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