TW202001266A - 分析半導體結構的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例係關於一種方法，其包含：將半導體結構裝載於一載物台上；提供安置於該半導體結構及該載物台上方之一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；及基於該載物台之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。

Description

分析半導體結構的方法
本發明實施例係有關分析半導體結構的方法。
隨著電子科技之進展，半導體裝置之大小變得愈來愈小同時具有更大之功能性及更大積體電路數量。歸因於半導體裝置之小型化規模，數個半導體組件經組裝於半導體裝置上。此外，在此一小半導體裝置內實施許多製造操作。
在製造半導體裝置之後，在遞送之前執行半導體裝置之檢測。半導體裝置必須經歷故障分析以找到缺陷及原因，以便改良該半導體裝置之製造及可靠性。然而，小型化規模半導體裝置變得更複雜。因而，半導體裝置之故障分析可遇到挑戰。例如，可難以準確判定一故障位置。
因而，不斷需要修改且改良半導體裝置之測試及分析。
本發明的一實施例係關於一種方法，其包括：將半導體結構裝載於一載物台上；提供安置於該半導體結構及該載物台上方之一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；及基於該載物台之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
本發明的一實施例係關於一種方法，其包括：將半導體結構裝載於一載物台上；提供一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該偵測器且記錄該偵測器之一旋轉；及基於該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
本發明的一實施例係關於一種方法，其包括：將半導體結構裝載於一載物台上；提供一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；在識別該半導體結構之該部分之後使該偵測器圍繞該載物台旋轉且記錄該偵測器之一旋轉；及基於該載物台之該旋轉及該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
下列本發明實施例提供用於實施所提供標的之不同構件之許多不同實施例或實例。下文中描述組件及配置之特定實例以簡化本發明實施例。當然，此等僅係實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸的實施例。另外，本發明實施例可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各項實施例及/或組態之間之一關係。
此外，為便於描述，諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述符。
藉由數個操作製造一半導體結構。在製造後，執行該半導體結構之測試及檢測。該半導體結構可經歷故障分析以找出缺陷及缺陷之原因。執行該半導體結構之熱分析以藉由紅外(IR)輻射之偵測定位半導體結構中之電路之異常部分(諸如橋接、不良電連接等)。使用一熱偵測器來識別且定位半導體結構之異常部分。相較於半導體結構之正常部分，該異常部分應發射一更高位準之IR(熱)。然而，異常部分之一精確位置無法藉由該熱偵測器導出。由於該半導體結構可包含彼此疊置之若干晶粒或封裝，且該異常部分可定位於晶粒或封裝之間，故該熱偵測器可無法識別或準確定位該異常部分。
在本發明實施例中，揭示一種分析一半導體結構之方法。該方法包含：提供一半導體結構、一載物台及一偵測器；將該半導體結構裝載於該載物台上；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；相對於該偵測器旋轉該載物台；記錄該載物台之該旋轉；及基於該載物台之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。自該半導體結構之一異常部分發射之IR輻射可藉由該偵測器在不同方向上偵測。因此，可準確定位該異常部分之一位置。
此外，亦揭示一種分析一半導體結構之方法。該方法包含：提供一半導體結構、一載物台及一偵測器；將該半導體結構裝載於該載物台上；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；圍繞該載物台旋轉該偵測器；記錄該偵測器之一旋轉；及基於該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。自該半導體結構之一異常部分發射之IR輻射可藉由該偵測器圍繞該載物台之旋轉而在不同方向上偵測。因此，可準確定位該異常部分之一位置。
圖1係根據本發明實施例之各種實施例之一設備100之一示意圖。在一些實施例中，設備100包含一載物台101、一偵測器102及一半導體結構103。在一些實施例中，設備100經構形以分析半導體結構103。在一些實施例中，設備100經構形以執行半導體結構103之熱分析。
在一些實施例中，載物台101經構形以固持半導體結構103。在一些實施例中，半導體結構103經附接至載物台101。在一些實施例中，載物台101係可旋轉的。在一些實施例中，載物台101可相對於偵測器102旋轉。在一些實施例中，載物台101可圍繞一第一軸101a、實質上與第一軸101a正交之一第二軸101b及實質上與第一軸101a及第二軸101b正交之一第三軸101c旋轉。在一些實施例中，載物台101具有三個旋轉自由度。在一些實施例中，載物台101包含一球接頭，其經構形以使載物台101圍繞第一軸101a、第二軸101b或第三軸101c旋轉。
在一些實施例中，偵測器102經組態以偵測自載物台101上之半導體結構103發射之IR輻射。在一些實施例中，偵測器102係一熱偵測器。在一些實施例中，偵測器102經組態以識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之半導體結構103之一部分或一點。在一些實施例中，偵測器102經組態以識別半導體結構103之一電路之一異常部分。在一些實施例中，相較於半導體結構103之電路之一正常部分，半導體結構103之電路之異常部分發射一更高位準之IR輻射。在一些實施例中，偵測器102係固定的。在一些實施例中，偵測器102可線性移動。在一些實施例中，偵測器102係不可旋轉的。
在一些實施例中，半導體結構103經安置於載物台101上。在一些實施例中，半導體結構103經附接至載物台101，使得載物台101之位移實質上與半導體結構103之位移一致。在一些實施例中，半導體結構103可相對於偵測器102旋轉。在一些實施例中，半導體結構103可圍繞實質上平行於第一軸101a之一第四軸103a、實質上平行於第二軸101b之一第五軸103b、或實質上平行於第三軸101c之一第六軸103c旋轉。
在一些實施例中，半導體結構103係一晶圓、一晶粒或一封裝。在一些實施例中，半導體結構103包含經安置彼此共面或彼此疊置之若干晶粒或封裝。在一些實施例中，半導體結構103包含一電路。在一些實施例中，半導體結構103包含電組件及連接該等電組件之導電線。在一些實施例中，半導體結構103之電路可藉由施加一電壓而操作。
在本發明實施例中，亦揭示一種分析一半導體結構之方法。在一些實施例中，藉由一方法200分析一半導體結構。方法200包含數個操作且描述及繪示不被視為限制該等操作之序列。圖2係分析一半導體結構之方法200之一實施例。方法200包含數個操作(201、202、203、204、205、206及207)。在一些實施例中，方法200藉由在上文描述或在圖1中展示之設備100執行。
在操作201中，將一半導體結構103裝載於一載物台101上，如在圖3中展示。在一些實施例中，半導體結構103經附接至載物台101。在一些實施例中，半導體結構103包含經安置彼此共面或彼此疊置之若干晶粒或封裝。
在一些實施例中，載物台101係可旋轉的。在一些實施例中，載物台101使用一第一軸101a、實質上與第一軸101a正交之一第二軸101b及實質上與第一軸101a及第二軸101b正交之一第三軸101c界定。在一些實施例中，載物台101可圍繞第一軸101a、第二軸101b及第三軸101c之至少一者旋轉。
在一些實施例中，半導體結構103亦使用實質上平行於第一軸101a之一第四軸103a、實質上平行於第二軸101b之一第五軸103b及實質上平行於第三軸101c之一第六軸103c界定。在一些實施例中，半導體結構103可圍繞第四軸103a、第五軸103b及第六軸103c旋轉。在一些實施例中，載物台101及半導體結構103具有類似於上文所描述或圖1中所展示之構形。
在操作202中，提供一偵測器102，如在圖4中展示般。在一些實施例中，偵測器102經安置於載物台101及半導體結構103上方。在一些實施例中，偵測器102經組態以偵測自載物台101上之半導體結構103發射之IR輻射。在一些實施例中，偵測器102係一熱偵測器。在一些實施例中，偵測器102經組態以識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之半導體結構103之一部分或一點。
在一些實施例中，偵測器102經組態以偵測半導體結構103之一熱點，該熱點處係半導體結構103之一電路之一異常部分。在一些實施例中，偵測器102係固定的。在一些實施例中，偵測器102可線性移動。在一些實施例中，偵測器102係不可旋轉的。在一些實施例中，偵測器102具有類似於上文所描述或圖1中所展示之組態。在一些實施例中，設備100具有類似於上文所描述或圖1中所展示之組態。
在操作203中，施加一電壓至半導體結構103，如在圖5中展示。在一些實施例中，半導體結構103之一電路經連接至該電壓。在一些實施例中，該電壓係一電源。在一些實施例中，半導體結構103之電路在施加電壓時操作。在一些實施例中，該電壓係半導體結構103之電路之一操作電壓。
在操作204中，藉由偵測器102識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之半導體結構103之一部分103d，如在圖6中展示。在一些實施例中，藉由由偵測器102偵測自半導體結構103發射之IR輻射而識別半導體結構103之部分103d。
在一些實施例中，偵測器102可識別處於實質上大於預定臨限值之溫度之半導體結構103之部分103d。在一些實施例中，偵測器102可識別其中發射高於一預定臨限值之一位準之IR輻射之半導體結構103之部分103d。在一些實施例中，半導體結構103之部分103d係半導體結構103之一電路之一異常部分。在一些實施例中，偵測器102藉由自半導體結構103接收IR輻射而識別部分103d。
在一些實施例中，半導體結構103之部分103d處於實質上大於預定臨限值之一溫度。在一些實施例中，相較於半導體結構103之電路之一正常部分，半導體結構103之部分103d發射一更高位準之IR輻射。在一些實施例中，半導體結構103之部分103d之溫度實質上大於半導體結構之電路之正常部分之一溫度。
在一些實施例中，半導體結構103之部分103d經安置於半導體結構103內部。在一些實施例中，半導體結構103之部分103d經安置於半導體結構103之經堆疊晶粒或封裝之間。在一些實施例中，半導體結構103之部分103d藉由半導體結構103之經堆疊晶粒之一者或經堆疊封裝之一者覆蓋。
在一些實施例中，在藉由偵測器102偵測IR輻射之後或在藉由偵測器102識別半導體結構103之部分103d之後記錄自半導體結構103發射之IR輻射之一位準。在一些實施例中，在藉由偵測器102識別半導體結構103之部分103d之後記錄自半導體結構103之部分103d發射之IR輻射之一位準。
在操作205中，使載物台101旋轉，如在圖7中展示般。在一些實施例中，使載物台101圍繞第一軸101a、第二軸101b及第三軸101c之至少一者旋轉。在一些實施例中，載物台101之旋轉包含使載物台101圍繞第一軸101a、第二軸101b及第三軸101c之至少一者旋轉。在一些實施例中，使載物台101相對於偵測器102旋轉。在一些實施例中，載物台101之旋轉係載物台101圍繞第一軸101a之旋轉、載物台101圍繞第二軸101b之旋轉及載物台101圍繞第三軸101c之旋轉之任何組合。
在一些實施例中，半導體結構103在載物台101旋轉時被附接至載物台101，使得載物台101之旋轉實質上與半導體結構103之一旋轉一致。在一些實施例中，半導體結構103圍繞第四軸103a、第五軸103b及第六軸103c之至少一者旋轉。在一些實施例中，半導體結構103相對於偵測器102旋轉。在一些實施例中，在載物台101旋轉之後，藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d。
在一些實施例中，偵測器102在載物台101旋轉時係固定的或線性移動。在一些實施例中，在載物台101旋轉之時或之後，藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d。
在操作206中，記錄載物台101之旋轉。在一些實施例中，載物台101之旋轉之記錄包含記錄載物台101以一第一角度圍繞第一軸101a之一第一旋轉、記錄載物台101以一第二角度圍繞第二軸101b之一第二旋轉及記錄載物台101以一第三角度圍繞第三軸101c之一第三旋轉。在一些實施例中，在藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d之後記錄載物台101之旋轉。在一些實施例中，亦記錄偵測器102之一線性移動。在一些實施例中，在識別半導體結構103之部分103d(操作204)之後旋轉載物台101 (操作205)且記錄載物台101之旋轉。
在操作207中，基於載物台101之旋轉導出半導體結構103之部分103d之一位置。在一些實施例中，自載物台101之旋轉之記錄導出半導體結構103之部分103d之位置。例如，使載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c旋轉，接著記錄載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c之旋轉之角度，且接著基於載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c之旋轉之角度之記錄計算部分103d之位置。在一些實施例中，部分103d之位置係半導體結構103之部分103d之一三維位置。由於在載物台101之旋轉之後可藉由偵測器102在不同方向上偵測自半導體結構103之部分103d發射之IR輻射，故可準確定位半導體結構103之部分103d之位置。在一些實施例中，自載物台101之旋轉之記錄及偵測器101之線性移動之記錄導出半導體結構103之部分103d之位置。
在本發明實施例中，揭示一種分析一半導體結構之方法。在一些實施例中，藉由一方法300分析一半導體結構。方法300包含數個操作且描述及繪示不被視為限制該等操作之序列。圖8係分析一半導體結構之方法300之一實施例。方法300包含數個操作(301、302、303、304、305、306及307)。在一些實施例中，方法300藉由在上文描述或在圖1中展示之設備100執行。
在操作301中，將一半導體結構103裝載於一載物台101上，如在圖9中展示。在一些實施例中，操作301實質上與操作201相同。
在操作302中，提供一偵測器102，如在圖10中展示。在一些實施例中，偵測器102具有如上文所描述或圖1中所展示之組態。
在操作303中，施加一電壓至半導體結構103，如在圖11中展示。在一些實施例中，操作303實質上與操作203相同。
在操作304中，藉由偵測器102識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之半導體結構103之一部分103d，如在圖12中展示。在一些實施例中，操作304實質上與操作204相同。
在操作305中，使偵測器102旋轉，如在圖13中展示。在一些實施例中，使偵測器102相對於載物台101及半導體結構103旋轉。在一些實施例中，使偵測器102圍繞載物台101及半導體結構103旋轉。在一些實施例中，使偵測器102以一路徑102a圍繞載物台101及半導體結構103旋轉。在一些實施例中，路徑102a係圓形或橢圓形路徑。
在一些實施例中，在偵測器102旋轉時，載物台101與偵測器102之間的一距離實質上係恆定的。在一些實施例中，偵測器102經安置於載物台101及半導體結構103上方或下方。在一些實施例中，偵測器102經安置於載物台101及半導體結構103之側處。在一些實施例中，載物台101係固定的。在一些實施例中，在偵測器102旋轉之時或之後，藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d。
在操作306中，記錄偵測器102之旋轉。在一些實施例中，偵測器102之旋轉之記錄包含記錄藉由偵測器圍繞載物台101旋轉之一角度。在一些實施例中，該角度實質上小於或等於360°。在一些實施例中，在藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d之後記錄偵測器102之旋轉。
在操作307中，基於偵測器102之旋轉導出半導體結構103之部分103d之一位置。例如，偵測器102圍繞載物台101旋轉，接著記錄偵測器102圍繞載物台101之旋轉之角度，且接著基於偵測器102圍繞載物台101之旋轉之角度之記錄計算部分103d之位置。在一些實施例中，自偵測器102之旋轉之記錄導出半導體結構103之部分103d之位置。在一些實施例中，部分103d之位置係半導體結構103之部分103d之一三維位置。由於在偵測器102之旋轉之後可藉由偵測器102在不同方向上偵測自半導體結構103之部分103d發射之IR輻射，故可準確定位半導體結構103之部分103d之位置。
在本發明實施例中，揭示一種分析一半導體結構之方法。在一些實施例中，藉由一方法400分析一半導體結構。方法400包含數個操作且描述及圖解不被視為操作序列之一限制。圖14係分析一半導體結構之方法400之一實施例。方法400包含數個操作(401、402、403、404、405、406、407、408及409)。在一些實施例中，方法400藉由在上文描述或在圖1中展示之設備100執行。
在操作401中，將一半導體結構103裝載於一載物台101上，如在圖15中展示。在一些實施例中，操作401實質上與操作201及301相同。
在操作402中，提供一偵測器102，如在圖16中展示。在一些實施例中，偵測器102具有在上文描述或在圖1中展示之組態。
在操作403中，施加一電壓至半導體結構103，如在圖17中展示。在一些實施例中，操作403實質上與操作203及303相同。
在操作404中，藉由偵測器102識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之半導體結構103之一部分103d，如在圖18中展示。在一些實施例中，操作404實質上與操作204及304相同。
在操作405中，使載物台101旋轉，如在圖19中展示。在一些實施例中，使載物台101圍繞第一軸101a、第二軸101b或第三軸101c旋轉。在一些實施例中，在載物台101旋轉之時或之後，藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d。在一些實施例中，操作405實質上與操作205相同。
在操作406中，記錄載物台101之旋轉。在一些實施例中，在藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d之後記錄載物台101之旋轉。在一些實施例中，操作406實質上與操作206相同。
在操作407中，使偵測器102圍繞載物台101旋轉，如在圖19中展示。在一些實施例中，使偵測器102以一路徑102a圍繞載物台101及半導體結構103旋轉。在一些實施例中，在偵測器102旋轉之時或之後，藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d。在一些實施例中，操作407實質上與操作305相同。在一些實施例中，同時執行載物台101之旋轉及偵測器102之旋轉。
在操作408中，記錄偵測器102之旋轉。在一些實施例中，在藉由偵測器102偵測半導體結構103之部分103d之後記錄偵測器102之旋轉。在一些實施例中，操作407實質上與操作306相同。
在操作409中，基於載物台101之旋轉及偵測器102之旋轉導出半導體結構103之部分103d之一位置。例如，使載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c旋轉且使偵測器102圍繞載物台101旋轉，接著記錄載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c之旋轉之角度及偵測器102圍繞載物台101之旋轉之角度，且接著基於載物台101圍繞第一軸101a及第三軸101c之旋轉之角度及偵測器102圍繞載物台101之旋轉之角度之記錄計算部分103d之位置。在一些實施例中，自載物台101之旋轉之記錄及偵測器102之旋轉之記錄導出半導體結構103之部分103d之位置。在一些實施例中，部分103d之位置係半導體結構103之部分103d之一三維位置。由於在載物台101之旋轉及偵測器102之旋轉之後可藉由偵測器102在不同方向上偵測自半導體結構103之部分103d發射之IR輻射，故可準確定位半導體結構103之部分103d之位置。
在本發明實施例中，揭示一種分析一半導體結構之方法。該方法包含：提供一半導體結構、一載物台及一偵測器；將該半導體結構裝載於該載物台上；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；旋轉該載物台或旋轉該偵測器；記錄該載物台之該旋轉或該偵測器之該旋轉；及基於該載物台之該旋轉或該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。自該半導體結構之一異常部分發射之IR輻射可藉由該偵測器在不同方向上偵測。因此，可準確定位該異常部分之一位置。
在一些實施例中，一種方法包含：將半導體結構裝載於一載物台上；提供安置於該半導體結構及該載物台上方之一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；及基於該載物台之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
在一些實施例中，該載物台之該旋轉包含使該載物台圍繞該載物台之一第一軸、實質上與該第一軸正交之該載物台之一第二軸及實質上與該第一軸及該第二軸正交之該載物台之一第三軸之至少一者旋轉。在一些實施例中，該載物台之該旋轉之記錄包含記錄該載物台以一第一角度圍繞第一軸之一第一旋轉、記錄該載物台以一第二角度圍繞第二軸之一第二旋轉或記錄該載物台以一第三角度圍繞第三軸之一第三旋轉。在一些實施例中，載物台相對於偵測器旋轉。在一些實施例中，偵測器係固定的。
在一些實施例中，該方法進一步包含藉由該偵測器偵測自該半導體結構發射之紅外(IR)輻射；記錄自半導體結構發射之IR輻射之一位準。在一些實施例中，偵測器可線性移動。在一些實施例中，該方法進一步包含記錄該偵測器之一線性移動。在一些實施例中，該半導體結構在載物台之旋轉時附接至該載物台。在一些實施例中，該載物台之旋轉與該半導體結構之一旋轉一致。在一些實施例中，該半導體結構包含彼此疊置之複數個晶粒或複數個封裝。在一些實施例中，半導體結構之該部分經安置於半導體結構內部。
在一些實施例中，一種方法包含：將該半導體結構裝載於一載物台上；提供一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該偵測器且記錄該偵測器之一旋轉；及基於該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
在一些實施例中，該偵測器圍繞該載物台旋轉。在一些實施例中，該載物台係固定的。在一些實施例中，在該偵測器旋轉時，該載物台與該偵測器之間的一距離實質上係恆定的。在一些實施例中，該偵測器之旋轉之記錄包含記錄藉由該偵測器圍繞該載物台旋轉之一角度。
在一些實施例中，一種方法包含：將半導體結構裝載於一載物台上；提供一偵測器；施加一電壓至該半導體結構；藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分；在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；在識別該半導體結構之該部分之後使該偵測器圍繞載物台旋轉且記錄該偵測器之一旋轉；及基於該載物台之該旋轉及該偵測器之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
在一些實施例中，該半導體結構在載物台之旋轉及偵測器之旋轉時附接至載物台。在一些實施例中，同時執行該載物台之該旋轉及該偵測器之該旋轉。
前文概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳理解本發明實施例之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本發明實施例作為設計或修改其他製程及結構之一基礎以實行相同目的及/或達成本文中介紹之實施例之相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效架構不脫離本發明實施例之精神及範疇，且其等可在不脫離本發明實施例之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、替代及更改。
100‧‧‧設備 101‧‧‧載物台 101a‧‧‧第一軸 101b‧‧‧第二軸 101c‧‧‧第三軸 102‧‧‧偵測器 102a‧‧‧路徑 103‧‧‧半導體結構 103a‧‧‧第四軸 103b‧‧‧第五軸 103c‧‧‧第六軸 103d‧‧‧部分 200‧‧‧方法 201‧‧‧操作 202‧‧‧操作 203‧‧‧操作 204‧‧‧操作 205‧‧‧操作 206‧‧‧操作 207‧‧‧操作 300‧‧‧方法 301‧‧‧操作 302‧‧‧操作 303‧‧‧操作 304‧‧‧操作 305‧‧‧操作 306‧‧‧操作 307‧‧‧操作 400‧‧‧方法 401‧‧‧操作 402‧‧‧操作 403‧‧‧操作 404‧‧‧操作 405‧‧‧操作 406‧‧‧操作 407‧‧‧操作 408‧‧‧操作 409‧‧‧操作
當結合附圖閱讀時，自下列實施方式最佳地理解本發明實施例之態樣。應注意，根據行業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。實際上，為清晰論述，各種構件之尺寸可任意增大或減小。
圖1係根據本發明實施例之一些實施例之用於分析一半導體結構之一設備之一示意性等角視圖。
圖2係根據本發明實施例之一些實施例之分析一半導體結構之一方法之一流程圖。
圖3至圖7係根據本發明實施例之一些實施例之藉由圖2之一方法分析一半導體結構之示意性等角視圖。
圖8係根據本發明實施例之一些實施例之分析一半導體結構之一方法之一流程圖。
圖9至圖13係根據本發明實施例之一些實施例之藉由圖8之一方法分析一半導體結構之示意性等角視圖。
圖14係根據本發明實施例之一些實施例之分析一半導體結構之一方法之一流程圖。
圖15至圖19係根據本發明實施例之一些實施例之藉由圖14之一方法分析一半導體結構之示意性等角視圖。
100‧‧‧設備
101‧‧‧載物台
101a‧‧‧第一軸
101b‧‧‧第二軸
101c‧‧‧第三軸
102‧‧‧偵測器
103‧‧‧半導體結構
103a‧‧‧第四軸
103b‧‧‧第五軸
103c‧‧‧第六軸

Claims (1)

  1. 一種方法，其包括： 將半導體結構裝載於一載物台上； 提供安置於該半導體結構及該載物台上方之一偵測器； 施加一電壓至該半導體結構； 藉由該偵測器識別處於實質上大於一預定臨限值之一溫度之該半導體結構之一部分； 在識別該半導體結構之該部分之後旋轉該載物台且記錄該載物台之一旋轉；及 基於該載物台之該旋轉導出該半導體結構之該部分之一位置。
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