TW201944525A

TW201944525A - 設備及方法

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Publication number: TW201944525A
Application number: TW108112269A
Authority: TW
Inventors: 戴克豪夫馬卡斯安德納斯范; 克里司遜賈瑞德思諾伯特斯亨佐卡司馬瑞克林; 安卓米克哈洛維奇亞庫寧; 安得列倪祺佩洛; 杜凡柏德傑隆凡
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2018-04-12
Filing date: 2019-04-09
Publication date: 2019-11-16
Also published as: NL2022780A; CN111954852A; WO2019197128A3; WO2019197128A2; TWI825088B; KR20210010849A

Abstract

本發明揭示一種設備，其包含用於夾持一組件之一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構。用於產生自由電荷之該機構經組態以在自該靜電夾具之一第一激勵狀態至該靜電夾具之一第二激勵狀態之一轉變期間與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

Description

設備及方法

本發明係關於一種包含靜電夾具之設備，及一種其操作方法。更特定言之但非獨占式地，該設備可包含微影工具、經組態以在微影圖案化期間夾持諸如圖案化器件之組件之靜電夾具。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。舉例而言，微影設備可將圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)處之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。與使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備相比，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內(例如6.7 nm或13.5 nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

微影設備通常可使用高電壓靜電夾具以便例如在圖案化操作期間夾持圖案化器件。靜電夾具及圖案化器件常常被維持處於低壓富氫環境中。此環境係非導電的。因此，應理解，電荷可積聚於介電表面或未接地表面上。舉例而言，在操作期間，電荷可藉由觸摸部分(例如光罩夾持)或藉由在氣體流動期間之粒子碰撞而累積於介電表面或未接地表面上。

亦應理解，歸因於產生EUV誘發之氫電漿，EUV輻射可致使富氫環境變得導電。在EUV誘發之氫電漿內產生之自由電荷可被吸引至由靜電夾具產生之電場(或由該等電場排斥)。另一方面，在不存在EUV誘發之電漿的情況下或在與任何EUV誘發之電漿相隔一定距離或經良好掩蔽免於任何EUV誘發之電漿影響的區中，電荷可累積於介電表面或未接地表面上，且可在任何電場已被移除之後繼續存在。

除了電荷累積以外，亦可在靜電夾具之部件與其他系統組件之間產生極強靜電場(例如大約~1 kV/cm至100 kV/cm)。詳言之，施加至靜電夾具之電極之高電壓導致附近導體(例如可存在於光罩之表面上之導電塗層)極化。因而，產生強靜電場，尤其是在尖銳特徵(例如導電光罩塗層之邊緣)處。施加至靜電夾具電極之電壓之極性可被頻繁切換，以避免在靜電夾具之絕緣內崩潰。在此類轉變期間，夾具周圍之區中之靜電場可快速改變。

本發明之一目標為預防或減輕與微影設備內之電荷累積及/或微影設備內之靜電場之產生及切換相關聯的一或多個問題。

根據本發明之一第一態樣，提供一種設備，其包含用於夾持一組件之一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構。用於產生自由電荷之該機構經組態以在自該靜電夾具之一第一激勵狀態至該靜電夾具之一第二激勵狀態之一轉變期間與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

藉由在再極化期間在靜電夾具周圍提供自由電荷(例如經由EUV誘發之H₂ 電漿)，將在該夾具及任何經夾持圖案化器件附近提供相對導電介質。因而，隨著夾具再極化，大量自由電荷將有效地掩蔽由該夾具產生之任何外部場，且尤其是由延伸超出經夾持圖案化器件之夾具區(例如引線及接點)產生之任何外部場，藉此降低自夾具之此等區之表面釋放粒子之可能性。

應瞭解，在使用中，當組件由靜電夾具夾持時，該組件將遮擋靜電夾具之部件不受所產生之自由電荷影響。因此，雖然用於產生自由電荷之機構可經組態以與靜電夾具相鄰地產生自由電荷，但此類電荷在使用中通常將被防止到達夾具之由正被夾持組件直接遮擋之區。亦即，在使用中，所產生之自由電荷將提供至夾具之並未促成夾持力之區之掩蔽。實際上應理解，在夾持期間，經夾持組件將由夾具與組件之間所產生之場夾持，且存在於夾具及經夾持組件附近之自由電荷將不干涉此夾持效應。實情為，自由電荷通常將不延伸至夾具與經夾持組件之間的區中(其可例如在某些地點具有約10 µm之最大分離度，且在其他地點直接接觸)。

該靜電夾具可包含經組態以夾持該組件之一夾持區。當一組件被夾持時，可在該夾持區與該組件之間產生一夾持電場。

該靜電夾具可進一步包含一非夾持區。當一組件由該夾持區夾持時，可在該非夾持區周圍產生一次級電場。

舉例而言，在該非夾持區周圍不存在一接地導電介質的情況下，可在該非夾持區與該設備之一部分及/或該經夾持組件之一部分中之一或多者之間產生一次級電場。

該夾具可包含經組態以支撐圖案化器件之第一區及並未經組態以支撐圖案化器件之第二區。該第一區可包含一或多個夾持電極。該第二區可包含一或多個次級電極。該等次級電極中之每一者可對應於該等夾持電極中之一各別夾持電極。該第二區可包含複數個非相連子區。舉例而言，該第二區可包含在該第一區之任一側上延伸之突起部。

該等(夾持及次級)電極中之每一者可用介電材料塗佈。該介電材料可具有約100 µm之厚度。

該第一區可包含夾持區。該第二區可包含非夾持區。當然應瞭解，在一些實施例中，一經夾持組件可具有大體上相似於該第一區之大小的大小。然而，在替代實施例中，一經夾持組件可具有小於該第一區之大小使得當被夾持時，該第一區之一些部分係由該經夾持組件覆蓋，而該第一區之其他部分未由該經夾持組件覆蓋。在此配置中，該第一區之未覆蓋部分可被認為包含非夾持區。

該設備可包含用於與該非夾持區相鄰地產生自由電荷之一機構。用於產生自由電荷之該機構可經組態以在自該靜電夾具之該第一激勵狀態至該靜電夾具之該第二激勵狀態之一轉變期間與該非夾持區相鄰地產生自由電荷。

該靜電夾具包含至少一個電極，其中當一組件由該靜電夾具夾持時，一夾持電壓經施加至該至少一個電極使得在該夾持區與該組件之間產生該夾持電場。

該第一區可包含複數個夾持電極。在該靜電夾具之該第一激勵狀態中，可將一第一夾持電壓施加至該複數個電極中之一第一夾持電極，且可將一第二夾持電壓施加至該複數個夾持電極中之一第二夾持電極。該第一夾持電壓與該第二夾持電壓可具有相反的極性。

該設備可進一步包含一電壓源。該電壓源可經組態以供應該夾持電壓。該夾持電壓可例如為約±1 kV至10 kV之電壓。該夾持電壓可例如為約±2 kV之電壓。

該靜電夾具可進一步包含經組態以提供至該至少一個電極之一電連接之至少一個接點。用於產生自由電荷之該機構可經組態以在自該靜電夾具之該第一激勵狀態至該靜電夾具之該第二激勵狀態之該轉變期間與該至少一個接點相鄰地產生自由電荷。

在該第一激勵狀態中，可將具有一第一極性之一電壓施加至該至少一個電極。在該第二激勵狀態中，可將具有與該第一極性相反之一第二極性之一電壓施加至該至少一個電極。

該電壓源可經組態以供應具有一第一極性之該電壓及/或具有該第二極性之該電壓。

該靜電夾具可包含至少兩個電極。在該第一激勵狀態中，可將具有該第一極性之一電壓施加至該等電極中之一第一電極且可將具有該第二極性之電壓施加至該等電極中之一第二電極。在該第二激勵狀態中，可將具有該第二極性之一電壓施加至該等電極中之該第一電極且可將具有該第一極性之電壓施加至該等電極中之該第二電極。

該靜電夾具可進一步包含至少兩個次級電極。在該第一激勵狀態中，可將具有該第一極性之該電壓施加至該等次級電極中之一第一次級電極且可將具有該第二極性之該電壓施加至該等次級電極中之一第二次級電極。在該第二激勵狀態中，可將具有該第二極性之該電壓施加至該等次級電極中之該第一次級電極且可將具有該第一極性之該電壓施加至該等次級電極中之該第二次級電極。

該等電極中之該第一電極可電連接至該等次級電極中之該第一次級電極。該等電極中之該第二電極可電連接至該等次級電極中之該第二次級電極。

該夾具可經組態成使得在該第一及第二激勵狀態中之每一者中，一組件可由該靜電夾具夾持。

用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之該機構可包含一氣體源，及經組態以電離由該氣體源提供之氣體之一電離輻射源。

該電離輻射源可包含選自由以下各者組成之群組之一源：一EUV源、一VUV源、一軟x射線源及一放射性源。

亦可提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影設備。該微影設備可包含根據本發明之該第一態樣之一設備。該圖案化器件可包含待夾持之該組件。

該微影設備可進一步包含經組態以調節一輻射光束之一照明系統。該靜電夾具可經組態以夾持該圖案化器件。該圖案化器件可能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。該微影設備可進一步包含經建構以固持一基板之一基板台。該微影設備可進一步包含經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上之一投影系統。

該微影設備可經組態以執行複數次成像曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上，且在此期間該經圖案化輻射光束投影至該基板上。該靜電夾具可經組態以在該等成像曝光期間夾持該圖案化器件。在該複數次成像曝光之連續成像曝光之間，該靜電夾具可經組態以自該第一激勵狀態轉變至該第二激勵狀態。

每一成像曝光可包含一晶圓上之複數個晶粒之曝光。該夾具可在一第一晶圓與一第二晶圓之曝光之間的一時段期間再極化。

亦可提供一種包含該微影設備之微影系統。

該微影系統可進一步包含經組態以產生該輻射光束之一輻射源。用於產生自由電荷之該機構可包含選自由以下各者組成之群組之電離輻射之一次級源：一EUV源、一VUV源、一軟x射線源及一放射性源。

該微影系統可進一步包含經組態以產生該輻射光束之一輻射源，其中用於產生自由電荷之該機構包含該輻射源。該輻射源可為一EUV源。

該微影系統可經進一步組態以執行至少一次非成像曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上，且在此期間無輻射投影至該基板上；該非成像曝光係在該複數次成像曝光之連續成像曝光之間予以執行。

在一系列成像曝光期間，該微影設備可經進一步組態以在每一連續成像曝光之間執行一非成像曝光。

可在該非成像曝光期間執行自該靜電夾具之該第一激勵狀態至該靜電夾具之該第二激勵狀態之該轉變。

藉由在非成像曝光期間將輻射光束提供於圖案化器件處，有可能藉助於電漿提供自由電荷源，該電漿將藉由存在於圖案化器件周圍之氣體分子(例如氫)之電離而產生。將既在由輻射光束直接照明之區中又在相鄰區中(例如歸因於擴散，及次級電子)產生電漿。以此方式，單一輻射光束(例如EUV輻射光束)可既用於成像目的，又在靜電夾具之再極化期間提供自由電荷源。

該微影系統可受控制使得入射於圖案化器件上之輻射之量在每一成像曝光期間比在該非成像曝光期間更大。

應理解，可以多種方式控制入射於圖案化器件上之輻射之量。舉例而言，可藉由使由輻射源產生之輻射之強度變化來控制輻射之量。替代地或另外，可藉由使入射於圖案化器件上之輻射光束之空間範圍變化(例如藉由使用遮光片或遮蔽葉片)來控制輻射之量。替代地或另外，可藉由使由輻射源產生之輻射脈衝之數目或頻率變化來控制輻射之量。

舉例而言，提供足夠自由電荷以提供有用的掩蔽所需之輻射劑量(在預定時間段期間)可能小於執行成像曝光所需之輻射劑量。

入射於圖案化器件上之輻射之量可自非成像曝光至該複數次成像曝光中之一者逐漸增加。

在上述實施例中，遮光片或遮蔽葉片或遮蔽葉片配置因此可用以例如藉由部分阻擋輻射光束來控制產生於靜電夾具周圍之自由電荷之量。

值得一提的是，照射於遮光片或遮蔽葉片配置上之輻射光束之部分亦可導致產生自由電荷。因而，用於與靜電夾具相鄰地產生自由電荷之替代方式為將輻射光束提供於不同於圖案化器件之表面處，例如遮光片或遮蔽葉片之表面。如上文所提及，遮光片或遮蔽葉片配置可用以阻擋輻射光束到達圖案化器件或用以控制入射於圖案化器件上之輻射光束之空間延伸。歸因於輻射光束與存在於或提供於遮光片或光罩葉片配置周圍、遮光片或光罩葉片配置處或附近的氣體分子(例如氫)之相互作用，輻射光束或其一部分之施加至該(該等)遮光片或光罩葉片上亦可導致產生自由電荷。將既在由輻射光束直接照明之區中又在相鄰區中(例如歸因於擴散，及次級電子)產生自由電荷。由於遮光片或光罩葉片配置通常比較接近於圖案化器件且因此比較接近於靜電夾具，故藉由輻照遮光片或光罩葉片配置所產生之自由電荷亦可導致與靜電夾具相鄰之自由電荷。藉由輻照遮光片或光罩葉片配置而產生自由電荷因此亦可被認為係用於產生與靜電夾具相鄰之自由電荷之機構。

關於此與靜電夾具相鄰地產生自由電荷之方式，可指出，在遮光片或光罩葉片配置在自由電荷之產生期間完全遮光的狀況下，可避免任何非想要的輻照到達基板之風險。

根據本發明之一第二態樣，提供一種操作一設備之方法，該設備包含一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構。該方法包含：控制該靜電夾具以具有一第一激勵狀態；控制該靜電夾具以具有一第二激勵狀態；及在自該第一激勵狀態至該第二激勵狀態之一轉變期間，控制用於產生自由電荷之該機構以與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

該方法可進一步包含與該靜電夾具相鄰地提供一組件。當該靜電夾具係該第一及/或第二激勵狀態中之一者或兩者時，該組件可由該靜電夾具夾持。

控制用於產生自由電荷之該機構以與該靜電夾具及/或該組件相鄰地產生自由電荷可包含與該靜電夾具及/或該組件相鄰地提供一氣體，及控制一電離輻射源以與該靜電夾具及/或該組件相鄰地提供電離輻射使得該氣體電離。

當然應瞭解，以上結合本發明之該第一態樣之該設備所描述之特徵中的任一者可與本發明之該第二態樣之該方法之特徵組合。

根據本發明之一第三態樣，提供一種微影設備，該微影設備包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該支撐結構包含經組態以夾持該圖案化器件之一靜電夾具；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。該微影設備經組態以執行一成像前曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上且在此期間無輻射投影至該基板上。入射於該圖案化器件上之輻射之量在該成像前曝光期間逐漸增加。該微影設備經組態以執行一成像曝光，其中由該圖案化器件圖案化之該輻射光束投影至該基板上。

EUV功率之逐漸或軟性斜升導致圖案化器件及靜電夾具周圍之區之電導率的逐漸增加。介質電導率之此逐漸增加並不致使靜電場以突然方式崩潰，而是允許電荷根據預先存在之場線朝向各個表面洩漏。此製程允許中和已由於先前夾具極化狀態而變得帶電之任何表面。相似地，可因此中和夾具或圖案化器件之表面上之任何帶電粒子。EUV功率之此逐漸增加可顯著減少發生之靜電放電之改變，且因此可降低粒子(其常常由放電事件產生)之產生速率。

該成像曝光可包含包含一叢發，該叢發包含複數個輻射脈衝。該等脈衝中之每一者可包含一大體上恆定之輻射劑量。應理解，在一成像曝光期間，該輻射光束可為脈衝式的，使得瞬時輻射強度並非始終均一。然而，在該成像曝光期間，脈衝速率可足夠高使得入射於圖案化器件及經圖案化基板上之輻射在包括數十、數百或數千個脈衝之參考座標內大體上均一。此外，脈衝速率足夠高使得由EUV輻射產生之任何電漿將很可能持續的時間長於相鄰脈衝之間的間隙，使得一旦建立，將藉由進行中的脈衝達到及維持平衡電漿密度。

該成像前曝光可緊接在該成像曝光之前。

該成像前曝光可包含一叢發，該叢發包含複數個輻射脈衝。

該成像曝光及/或該成像前曝光之每一脈衝可例如具有約100 ns之持續時間，及約20 µs之脈衝節距(亦即約50 kHz之脈衝頻率)。

在成像前曝光期間之脈衝速率可足夠高，使得在成像前曝光之每一脈衝中由入射EUV光子(直接地或間接地)產生之氫電漿持續的時間長於該等脈衝之相鄰脈衝之間的間隙。該叢發可包含複數個小型叢發，每一小型叢發包含複數個(例如高達10個)輻射脈衝。

在該成像前曝光期間之輻射之量的逐漸增加可經組態為遍及複數個該等輻射脈衝提供。

以此方式，隨著入射於圖案化器件上之輻射之量在成像前曝光期間逐漸增加，電漿密度可得以逐漸增加，從而引起圖案化器件周圍之區之電導率的所要逐漸增加。該逐漸增加可經組態為遍及複數個該等小型叢發提供。

在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加可經組態為遍及至少1000個輻射脈衝提供。

在具有約50 kHz之脈衝頻率之系統中，將在約20 ms內遞送1000個輻射脈衝。在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加可經組態為遍及高達約50,000個輻射脈衝(亦即高達約1秒)提供。較佳地，在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加可經組態為遍及高達約10,000個輻射脈衝(亦即高達約0.2秒)提供。

應理解，在增加輻射強度至成像所需之全強度所花費的時間(其若過長，則可降低晶圓產出率)與達成降低放電及/或粒子產生或釋放之可能性之益處之間存在折衷。

在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加可經組態為遍及複數個該等輻射脈衝大體上線性地提供。

輻射強度可針對複數個連續輻射脈衝中之每一者增加一預定量，使得入射於圖案化器件上之輻射強度以一基本線性方式逐漸增加。

在具有一預定持續時間之該成像前曝光之一第一部分期間，該輻射光束可受控制以將輻射之一第一劑量遞送至該圖案化器件，該第一劑量包含在該成像曝光之一第一部分期間遞送至該圖案化器件之輻射之一成像劑量的不到約10%，該成像前曝光之該第一部分具有該預定持續時間。

應理解，該成像前曝光之該第一部分及該成像曝光之該第一部分的實際持續時間並不重要。實情為，該設備受控制使得在該成像前曝光之該第一部分期間在一預定時間段(例如200 µs)期間遞送的輻射之劑量小於在一對應預定時間段(例如200 µs)期間遞送之輻射之劑量。

該第一劑量可包含一非零劑量。該第一劑量可包含在該成像曝光之該第一部分期間遞送至該圖案化器件之輻射之成像劑量的約5%。

該成像前曝光之該第一部分可包含複數個脈衝。因而，該第一劑量可包含由該成像前曝光之該第一部分內之該複數個脈衝遞送的一總劑量。該成像曝光之該第一部分亦可包含複數個脈衝。因而，在該成像曝光之該第一部分期間遞送至該圖案化器件之輻射的該成像劑量可包含由該成像曝光之該第一部分內之該複數個脈衝遞送的一總劑量。

在該成像前曝光之該第一部分之前，由該輻射光束遞送至該圖案化器件之該輻射強度輻射可大體上為零。因此，該成像前曝光之該第一部分可構成自該成像劑量之約0%至該成像劑量之約5%的跳躍。

入射於該圖案化器件上之輻射之該量可自該成像前曝光之該第一部分至該成像曝光逐漸增加。

在具有該預定持續時間之該成像前曝光之一第二部分(該第二部分在該第一部分之後)期間，該輻射光束可受控制以將輻射之一第二劑量遞送至該圖案化器件，該第二劑量大於該第一劑量且小於在該成像曝光之該第一部分期間遞送至該圖案化器件的輻射之該成像劑量。

可在該成像前曝光之該第一部分之一開始與該成像曝光之一開始之間遞送至少1000個輻射脈衝。

以此方式，該輻射劑量可自該成像前曝光之該第一部分至該成像曝光遍及跨越至少1000個輻射脈衝之一時段逐漸增加。

該微影設備可經進一步組態以執行一成像後曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上；且在此期間無輻射投影至該基板上，其中入射於該圖案化器件上之輻射之量在該成像後曝光期間逐漸減小且其中該成像後曝光在一成像曝光之後。

該微影設備可經進一步組態以執行一第一成像曝光及一第二成像曝光。該成像前曝光可緊接在該第二成像曝光之前。在該第一成像曝光與該成像前曝光之間，該微影設備可經進一步組態以執行一非成像曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上且在此期間無輻射投影至該基板上。

在具有該預定持續時間之該非成像曝光之一第一部分期間，該輻射光束可受控制以將輻射之一第三劑量遞送至該圖案化器件，該第三劑量包含輻射之該成像劑量的不到約10%。該設備可經組態以致使該靜電夾具在該非成像曝光期間自一第一激勵狀態轉變至一第二激勵狀態。

亦即，該夾具可在多個成像曝光之間的該非成像曝光期間再極化。

該微影設備可經進一步組態以致使該靜電夾具在該成像前曝光期間自一第一激勵狀態轉變至一第二激勵狀態。

亦即，該夾具可在一成像曝光之前在EUV功率之斜升期間再極化。此允許在夾具再極化期間提供低位準之輻射(且因此提供相對較低電漿密度)，其中僅在成像曝光期間提供全輻射強度。該低位準之輻射可足以減輕與夾具再極化相關聯的負面結果中之一些(例如粒子釋放)，且可減小輻射源上之負荷。更一般而言，在施加至夾具之任何電壓改變期間，亦可有利地應用低位準輻射之施加。作為一實例，當將物件裝載至夾具上或自夾具卸載物件時，可有利地應用低位準輻射之施加。

舉例而言，提供足夠自由電荷以提供有用的掩蔽所需之輻射劑量可能小於執行成像曝光所需之輻射劑量。

亦可提供一種包含本發明之該第三態樣之該微影設備的微影系統。該微影系統可進一步包含經組態以產生該輻射光束之一輻射源。該輻射源可為一EUV源。

根據本發明之一第四態樣，提供一種操作一微影設備之方法。該微影設備包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該支撐結構包含經組態以夾持該圖案化器件之一靜電夾具；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。該方法包含致使該微影設備執行一成像前曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上，且在此期間無輻射投影至該基板上，其中入射於該圖案化器件上之輻射之量在該成像前曝光期間逐漸增加。該方法進一步包含致使該微影設備執行一成像曝光，其中由該圖案化器件圖案化之該輻射光束投影至該基板上。

當然應瞭解，以上結合本發明之該第三態樣之該設備所描述之特徵中的任一者可與本發明之該第四態樣之該方法之特徵組合。

根據本發明之一第五態樣，提供一種設備，其包含：用於夾持一組件之一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構，該設備具有：一第一組態，其中一組件由該靜電夾具夾持；及一第二組態，其中該組件與該靜電夾具間隔開。該設備經組態為在一第一時間點處於該第一組態中且在該第一時間點之後的一第二時間點處於該第二組態中。用於產生自由電荷之該機構經組態以在介於該第一時間點與該第二時間點之間的一第三時間點與該靜電夾具及/或該組件相鄰地產生自由電荷。

在處置操作期間，例如在微影設備中之圖案化器件之移除期間，可在該設備中使用自由電荷，以防止與歸因於電容之改變之電壓放大相關聯的負面影響，該電容改變係與各種電隔離系統組件之間的增加之分離度相關聯。詳言之，隨著自夾具移除經夾持組件，其之間的電容將減小(與分離度成反比)。所產生之自由電荷可用以轉移電荷以減小電壓放大之效應，藉此減小放電之可能性(例如在超過帕申(Paschen)限制的情況下經由氫崩潰)。

用於產生自由電荷之該機構可經組態以與該靜電夾具及/或該組件相鄰地產生自由電荷，以便防止該靜電夾具與該組件之間的一電位差超過一預定臨限值。

應理解，該自由電荷產生之時序及範圍兩者稍微具有靈活性。詳言之，若與靜電夾具與組件之間的增加之分離度相關聯的電容改變導致靜電夾具與組件之間的電位差超過臨限值(例如根據帕申定律之氫之崩潰電壓)，則放電可能發生。然而，亦應理解，最小放電電壓將取決於距離及氣壓兩者。因而，電壓臨限值將在一組態與另一組態之間變化。

該預定臨限值係基於該設備中之一壓力予以判定。該壓力可為氫之壓力。

可選擇該第三時間點以便防止該靜電夾具與該組件之間的一電位差超過該預定臨限值。

可在選定之時間(亦即第三時間點)產生該等自由電荷，以便在該靜電夾具與該組件之間的該電位差超過該臨限值之前提供電荷以減小(或限制)該電位差。

該預定臨限值可約為250 V或更低，例如約130 V。

該設備可經組態為在該第三時間點處於該第二組態中。

詳言之，可在移除夾持電壓之後不久產生自由電荷，且組件開始與夾具分離。以此方式，所產生之自由電荷將容易能夠到達夾具及經夾持組件之表面。

在該第三時間點，夾具之表面與組件之表面之間的最小分離度可大於約10微米。

夾具之表面可為當組件被夾持時與該組件接觸的夾具之表面。應瞭解，夾具可包含具備突起部(其可被稱作瘤節)之大體上平面表面。該等突起部可確保即使在夾持期間，夾具之大體上平面表面與組件之夾持表面之間的分離度亦超過最小值(例如10微米)。然而，在夾持期間，應理解，該等突起部之表面將與經夾持組件接觸，且因此，在夾持期間，夾具之表面與組件之表面之間的最小分離度為零。

在該第三時間點，夾具之表面與組件之表面之間的最小分離度可大於或等於約100微米。

在該第三時間點，夾具之表面與組件之表面之間的最小分離度可小於預定分離度。該預定分離度可約為200微米。

用於產生自由電荷之該機構可經組態以在該設備經組態為處於該第一組態中時與該靜電夾具及/或該組件相鄰地產生自由電荷。

該設備可經組態為在該第三時間點處於該第一組態中。

應瞭解，在使用中，當組件由靜電夾具夾持時，該組件將遮擋靜電夾具之部件不受所產生之自由電荷影響。因此，雖然用於產生自由電荷之機構可經組態以與靜電夾具相鄰地產生自由電荷，但此類電荷在使用中通常將被防止到達夾具之由正被夾持組件直接遮擋之區。然而，隨著組件與夾具分離(亦即在移除夾持電壓之後)，應理解，自由電荷可擴散至夾具及經夾持組件之表面，從而提供對電壓放大效應之補償。因此，當組件被夾持時與夾持器件及/或組件相鄰地產生之自由電荷可提供電壓放大之有效減小。

該靜電夾具可包含至少一個電極。當一組件由該靜電夾具夾持時，可將一夾持電壓施加至該至少一個電極使得在該夾持區與該組件之間產生該夾持電場。

該設備可進一步包含一電壓源。

該設備可進一步包含經組態以自該靜電夾具移除該組件之一組件交換總成。

該組件交換總成可經組態以控制該組件與該靜電夾具之間的分離度。

亦可提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影設備。該微影設備可包含根據本發明之該第五態樣之一設備。該圖案化器件可包含待夾持之該組件。

該微影設備可進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束。該靜電夾具可經組態以夾持該圖案化器件。該圖案化器件可能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。該微影設備可進一步包含：一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。

亦可提供一種包含該微影設備之微影系統。該微影系統可進一步包含經組態以產生該輻射光束之一輻射源。

用於產生自由電荷之該機構可包含選自由以下各者組成之群組之電離輻射之一次級源：一EUV源、一VUV源、一軟x射線源及一放射性源。

用於產生自由電荷之該機構可包含該輻射源。該輻射源可為一EUV源。

根據本發明之一第六態樣，提供一種操作一設備之方法。該設備包含一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構。該方法包含：與該靜電夾具相鄰地提供一組件；控制該靜電夾具以具有一第一組態，其中在一第一時間點該組件由該靜電夾具夾持；控制該靜電夾具以具有一第二組態，其中在該第一時間點之後的一第二時間點，該組件與該靜電夾具間隔開；及控制用於產生自由電荷之該機構以在介於該第一時間點與該第二時間點之間的一第三時間點與該靜電夾具及/或該組件相鄰地產生自由電荷。

當然應瞭解，以上結合本發明之該第五態樣之該設備所描述之特徵中的任一者可與本發明之該第六態樣之該方法之特徵組合。

根據本發明之一第七態樣，提供一種設備，其包含用於夾持一組件之一靜電夾具，及用於鄰近於該靜電夾具產生自由電荷之一機構。該設備具有：一第一組態，其中具有一第一極性之一電壓經施加至至少一個夾具電極且無組件由該靜電夾具夾持；及一第二組態，其中具有與該第一極性相反的一第二極性之一電壓經施加至該至少一個夾具電極。該設備經組態為在一第一時間點處於該第一組態中且在該第一時間點之後的一第二時間點處於該第二組態中。用於產生自由電荷之該機構經組態以在該靜電夾具處於該第一組態中時與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷，且在該靜電夾具處於該第二組態中時並不與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

藉由在該夾具於一第一激勵狀態中經極化時與該靜電夾具相鄰地提供自由電荷，可對截留於該夾具表面上之任何粒子充電。接著，當極化反轉且自由電荷不再存在時，帶電粒子可藉由靜電排斥自夾具表面釋放。靜電夾具之此清潔製程可避免或至少減小與經截留於夾具表面上之粒子相關聯的負面結果。

該設備可為用於清潔靜電夾具之一設備。

可在自該第一組態至該第二組態之一轉變期間與該靜電夾具相鄰地提供一組件。

藉由在該轉變期間與該靜電夾具相鄰地提供一組件，歸因於極性改變而由該夾具釋放之粒子可由該組件捕捉，而不會污染該設備之其他表面。該組件可被稱作犧牲組件或清潔組件。該組件可包含圖案化器件。該組件之大小可大體上等於在微影操作期間意欲由該靜電夾具夾持的組件之大小。

當該夾具處於該第二組態中時，該組件可由該靜電夾具夾持。亦即，該靜電夾具可經組態以在該夾具處於該第二組態中時夾持該組件。

該設備可具有一第三組態，其中無電壓被施加至該至少一個夾具電極且無組件由該靜電夾具夾持。該設備可經組態為在該第二時間點之後的一第三時間點處於該第三組態中。

一旦已藉由應用反向極化(在第二組態期間)來釋放粒子，夾具就可返回至中性組態(亦即其中無電壓被施加至夾具電極)。

用於產生自由電荷之該機構可經組態以在該靜電夾具處於該第三組態中時與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

一旦已藉由應用反向極化(在第二組態期間)來釋放粒子，夾具就可返回至中性組態(亦即其中無電壓被施加至夾具電極)，且夾具表面上之任何殘餘電荷藉由與夾具相鄰地提供自由電荷來移除。

在該第三組態中，無組件可被提供為與該靜電夾具相鄰。亦即，該設備可受控制使得在該第三組態中無組件被提供為與該靜電夾具相鄰。

該設備可進一步包含經組態以支撐與該靜電夾具相鄰之一組件之一組件交換總成。

該組件交換總成可經組態以在該第一時間點與該第二時間點之間提供與該靜電夾具相鄰之該組件。

該組件交換總成可經組態以在該第二時間點與該第三時間點之間自該靜電夾具附近移除該組件。

該靜電夾具可包含經組態以夾持一組件之一夾持區。當一組件被夾持時，可在該夾持區與該組件之間產生一夾持電場。

當將該夾持電壓施加至該至少一個電極時，可產生該夾持電場。該設備可進一步包含一電壓源。

該電離輻射源包含選自由以下各者組成之群組之一源：一EUV源、一VUV源、一軟x射線源及一放射性源。

亦可提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影設備。該微影設備可包含根據本發明之該第七態樣之一設備。該靜電夾具可經組態以在一微影操作期間夾持該圖案化器件。

該微影設備可進一步包含經組態以調節一輻射光束之一照明系統。該靜電夾具可經組態以夾持該圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。該微影設備可進一步包含：一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。

根據本發明之一第八態樣，提供一種操作一設備之方法，該設備包含一靜電夾具，該靜電夾具包含至少一個夾具電極；及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構。該方法包含：控制該靜電夾具以具有一第一組態，其中在一第一時間點，將具有一第一極性之一電壓施加至該至少一個夾具電極且無組件由該靜電夾具夾持；控制該靜電夾具以具有一第二組態，其中在該第一時間點之後的一第二時間點，將具有與該第一極性相反的一第二極性之一電壓施加至該至少一個夾具電極；控制用於產生自由電荷之該機構以在該夾具處於該第一組態中時與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷；及控制用於產生自由電荷之該機構以在該靜電夾具處於該第二組態中時不與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

該方法可進一步包含當該靜電夾具處於該第二組態中時與該靜電夾具相鄰地提供一組件。

當該夾具處於該第二組態中時，該組件可由該靜電夾具夾持。

該方法可進一步包含控制該設備以具有一第三組態，其中在該第二時間點之後的一第三時間點，無電壓被施加至該至少一個夾具電極。

該方法可進一步包含在該第二時間點與該第三時間點之間自該靜電夾具附近移除該組件。

該方法可進一步包含控制用於產生自由電荷之該機構以在該靜電夾具處於該第三組態中時與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。

當然應瞭解，以上結合本發明之該第七態樣之該設備所描述之特徵中的任一者可與本發明之該第八態樣之該方法之特徵組合。

根據本發明之一第九態樣，提供一種操作一設備之方法，該設備包含具有一第一電極之一靜電夾具，該方法包含：a)與該靜電夾具相鄰地提供一組件；b)控制該靜電夾具以便將一第一夾持電壓提供至該第一電極使得該組件由該靜電夾具夾持；c)量測與該組件之一部分相關聯的一電壓；及d)基於該所量測電壓判定對該第一夾持電壓之一調整。

該靜電夾具包含一第一夾持電壓被供應至之一第一電極。該第一夾持電壓在該夾具與該組件之間產生一電場使得該組件可在其背面處被夾持至該夾具之一夾持區。該組件亦包含與該背面相反地配置之一正面。該組件可經由尤其在與該夾具相鄰之該背面處的粒子(亦即電子或離子)之靜電吸引而累積電荷，且因此與系統之其他部件相比處於不同的電壓。藉由量測與組件之一部分(例如組件之背面)相關聯之電壓，有可能判定對第一夾持電壓之調整使得與該組件之該部分相關聯的電壓變為零。應瞭解，可依據待加至第一夾持電壓或自第一夾持電壓減去之額外電壓，或作為第一夾持電壓之百分比改變或以如對於熟習此項技術者而言顯而易見之任何其他合適項來判定該調整。藉由判定及應用對第一夾持電壓之調整，可達成組件相對於周圍系統之虛擬接地。結果，可減小或消除電荷(及帶電粒子)至組件之靜電吸引力。組件可為由靜電夾具夾持之圖案化器件(例如倍縮光罩)。然而，應瞭解，組件可為待由夾具夾持之另一組件。

該方法可進一步包含：b1)在組件由靜電夾具夾持時，將該組件曝光至輻射；b2)控制靜電夾具使得自該靜電夾具釋放該組件；及b3)自該靜電夾具附近移除該組件。

以此方式，可在離線製程中進行電壓量測。在此實施中，組件由靜電夾具夾持且曝光至輻射。在曝光期間，電荷可沈積於組件之背面(亦即，組件之夾持至夾具之側面)上。當移除夾持電壓以便釋放組件時，經累積電荷保持於該組件之表面上。可自夾具附近移除組件以接著量測相關聯電壓。可接著基於經量測電壓判定對第一夾持電壓之任何調整。

該方法可進一步包含：e)根據經判定調整來調整第一夾持電壓；及f)重複步驟a)至c)以便驗證該調整。

一旦已判定對第一夾持電壓之調整，就可重複步驟a)至c)以便驗證該調整成功地將與組件相關聯之電壓減小為零伏特。若仍發現存在與組件之部分相關聯之電壓，則可執行進一步調整及驗證步驟。結果，可減輕在先前經夾持組件之卸載期間與電壓放大相關聯的問題，此係由於在曝光之後，無淨電荷將保持於虛擬接地之組件上。

該方法可進一步包含：在重複步驟a)至c)之後，基於經量測電壓判定對第一夾持電壓之進一步調整。可重複量測及調整製程複數次。可重複量測及調整製程直至與組件之一部分相關聯之電壓滿足預定準則(例如其在零伏特之預定容差內)。

可使用另一組件來執行步驟a)至c)之重複。詳言之，在一些實施中，可使用與用於初始量測相同之組件來執行驗證步驟。然而，在其他實施中，可需要使用未用於初始量測之另一組件。

該方法可進一步包含：在判定對第一夾持電壓之調整之後，根據該經判定調整來調整第一夾持電壓；及量測與組件之該部分相關聯之電壓。

作為對離線量測製程之替代方案，可在線執行量測，亦即在組件被夾持時。在方法之此實施中，在量測步驟之後立即判定調整，而不釋放組件及自夾具移除組件。可需要在組件保持被夾持於適當位置時執行調整及後續量測步驟。以此方式，可減少處理時間，此係由於不需要自夾具移除組件以便量測相關聯電壓。另外，可週期性地重複該方法。替代地或另外，該方法可經實施為連續回饋迴路，其中監視與組件相關聯之電壓且結果自動調整夾持電壓。

該靜電夾具可進一步包含一第二電極，且該方法可進一步包含：基於經量測電壓判定對待供應至該第二電極之第二夾持電壓之調整。

該第一夾持電壓與該第二夾持電壓可具有不同值。詳言之，該第一夾持電壓與該第二夾持電壓可具有不同極性。舉例而言，第一夾持電壓可大致為+1 kV至10 kV，且第二夾持電壓可大致為-1 kV至10 kV。詳言之，第一夾持電壓可大致為+2 kV且第二夾持電壓可約為-2 kV。當然，應瞭解，亦可存在第一夾持電壓與第二夾持電壓之絕對值之差。此外，應瞭解，對第一及/或第二夾持電壓之經判定調整可為對第一夾持電壓之調整，或對第二夾持電壓準之調整，或對第一及第二夾持電壓兩者之調整。另外，該經判定調整可例如為第一與第二夾持電壓之間的差之調整，或對第一及第二夾持電壓之平均值之調整。

根據本發明之一第十態樣，提供一種用於使一組件虛擬接地之系統，該系統包含：一設備，其包含經組態以夾持該組件之一靜電夾具，該靜電包含經組態以接收一第一夾持電壓之一第一電極；一電壓監視器，其經組態以量測與該組件之一部分相關聯之一電壓；及一演算單元，其經組態以基於該經量測電壓判定對該第一夾持電壓之一調整。

該系統可進一步包含經組態以支撐該組件之一支撐總成，其中該支撐總成包含該電壓監視器。舉例而言，該支撐總成可為經組態以將該組件朝向或遠離該夾具附近輸送之一交換總成。

該靜電夾具可包含經組態以接收一第二夾持電壓之一第二電極，且該演算單元亦可經組態以基於該經量測電壓判定對該第二夾持電壓之一調整。

該第一夾持電壓與該第二夾持電壓可具有不同值。

該電壓監視器可為一靜電伏特計。

當然，應瞭解，以上結合本發明之第九態樣之方法所描述之特徵中的任一者可與本發明之第十態樣之系統之特徵組合。

另外，應瞭解，以上結合本發明之第一至第十態樣中之任一者所描述的特徵中之任一者可與在上文所描述態樣之不同態樣之內容背景中所描述的特徵組合。

圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。

在由此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。作為此相互作用之結果，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4或8之縮減因數。儘管投影系統PS被說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。

輻射源SO可為雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP)源、放電產生電漿(discharge produced plasma，DPP)源、自由電子雷射(free electron laser，FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。

圖2a更詳細地展示支撐結構MT之截面。該截面係在x平面中，在所展示定向中在z方向上豎直地延伸且在y方向上水平地延伸。支撐結構MT包含經組態以在微影操作期間夾持圖案化器件MA之靜電夾具100。夾具100包含夾具本體102，及安置於夾具本體102內之夾具電極104A至104D。電極104A至104D藉由介電塗層與夾具100之大體上平面夾持表面分離。瘤節106自夾具本體102之夾持表面突起，且用以將經夾持圖案化器件MA與夾具本體102分離。瘤節106可例如具有約10 µm之高度，且可集體地覆蓋夾具100之表面的約1%。應瞭解，為簡單起見省略了夾具100之許多特徵(例如配線、額外電極)。

圖案化器件MA包含基板120，該基板通常可由具有超低熱膨脹係數之材料(例如由Corning製造之ULE®，或由Schott AG製造之Zerodur®)形成。基板120係大體上平面的，且具有彼此相對之第一平面表面122及第二平面表面124。在使用中(例如如圖1中所展示)，第一表面122經組態以反射輻射光束B，且致使圖案被賦予至光束B。詳言之，第一表面122之區可經圖案化以便致使輻射光束B變得圖案化。第一表面之圖案化區具備導電塗層126。

為了使靜電夾具100能夠夾持圖案化器件MA，第二表面124具備通常覆蓋大多數第二表面124之導電塗層128。

應理解，靜電夾具100可使用大約幾kV之電壓以便夾持圖案化器件MA。舉例而言，夾具100可為雙極靜電夾具，其中電極104A至104D之第一子集102A、102C連接至約+1…10 kV (例如+2 kV)之電壓供應件(圖中未繪示)，且電極104A至104D之第二子集102B、102D連接至約-1…10 kV (例如-2 kV)之電壓供應件。因而，可在夾具100與圖案化器件MA之間建立高電場，從而致使圖案化器件MA被吸引至夾具100。詳言之，在與電極104A至104D相鄰的導電塗層128之區中誘發電荷，其具有與所施加電壓相反之正負號，且在橫越夾具100及圖案化器件MA之各個位置處之相反電荷之間建立吸引力。經組態以支撐圖案化器件MA之夾具100之區可被稱作支撐區。此外，當該夾具經操作以夾持圖案化器件MA時，經組態以產生夾持力之夾具之區可被稱作夾持區。

遮蔽葉片140、142與圖案化器件MA相鄰地提供。遮蔽葉片140、142經組態以在曝光序列期間選擇性地遮蔽圖案化器件MA以免於輻射光束B影響。詳言之，遮蔽葉片140、142可在y方向上(亦即，在圖2a中左右)移動以便在曝光期間使輻射光束B橫越圖案化器件MA之表面進行掃描。此外，遮蔽葉片140、142可在y方向上朝向及遠離彼此移動以向圖案化器件MA提供不同程度之遮蔽。舉例而言，遮蔽葉片140、142可封閉以遮擋整個圖案化器件MA，或部分封閉以允許輻射穿過窄隙縫。

一般而言，應理解，遮蔽葉片140、142可用以調變入射於圖案化器件MA上之輻射之總劑量。該等葉片140、142可例如在z方向上與圖案化器件間隔開約5 mm至10 mm (例如10 mm)。

圖2b以平面圖展示夾具100 (與圖2a中所展示之橫截面相比)。該平面圖係在z平面中，在所展示定向中在x方向上豎直地延伸且在y方向上水平地延伸。圖2a之橫截面係沿著圖2b中所展示之線A-A'截取。

電極104A至104D各自具有矩形形狀，且經配置使得大體平行於彼此。在此配置中，所說明之四個電極各自跨越經夾持圖案化器件MA在x方向上之寬度，且各自覆蓋圖案化器件MA在y方向上之長度的約四分之一。在圖2b中，圖案化器件MA之位置係由虛線指示。遮蔽葉片140、142以具有點線之輪廓展示。

靜電夾具100進一步可包含區108及110，該等區在圖2b中所展示之定向中自靜電夾具100之上部側及下部側突起(但在圖2a中所展示之截面圖中並不可見)。該等突起部108、110大體上在靜電夾具100之平面中且因此並不在如圖2a中所展示之靜電夾具本體102之上方或下方進一步突起。該等突起部108、110可被稱作夾具「耳狀物」。

突起部108包括次級電極114A及114B。突起部110包含次級電極114C及114D。電極104A至104D中之每一者具有一對應的次級電極114A至114D。電極104A至104D及對應的次級電極114A至114D中之每一者電連接在一起。亦即，電極104A電連接至114A，等等(但未繪示此等連接)。然而，如圖2b中可見，突起部108、110延伸超出經夾持圖案化器件MA之周邊，且因此並不貢獻於靜電夾具100與圖案化器件MA之間的夾持力。突起部108、110因此可被稱作夾具之非夾持區。

次級電極114A至114D提供用以將電壓供應件連接至初級電極104A至104D之方便的方式。應理解，為了改良成像效能，維持夾具100之扁平度係合乎需要的。然而，在一些情況下，提供至夾具電極104A至104D之外部電連接可導致夾具扁平度之失真。因而，藉由提供夾具本體(如上文所描述)內之電極之間的內部連接，可對次級電極114A至114D進行外部連接(圖中未繪示)，而不干涉夾具100之支撐圖案化器件MA之決定性區。此可改良在成像操作期間之圖案化器件MA之總體扁平度。外部連接可包含連接至由次級電極114A至114D提供之接點的引線(圖中未繪示)。該等引線可連接至經組態以根據需要供應夾持電壓之電壓源(圖中未繪示)。

圖2c展示夾具100在y平面中在橫截面中的側向圖。此所說明圖在x方向上豎直地延伸且在z方向上水平地延伸。該橫截面係沿著圖2b中所展示之線B-B'截取。因此，僅可看到電極104B以及次級電極114B及114C。可看到突起部108、110相比於圖案化器件MA在x方向上進一步延伸。

額外遮蔽葉片144、146與圖案化器件MA相鄰地提供。遮蔽葉片144、146經組態以在曝光序列期間選擇性地遮蔽圖案化器件MA以免於輻射光束B影響。詳言之，遮蔽葉片144、146可在x方向上移動以便控制輻射光束B之寬度。舉例而言，此控制可用以調適微影設備以實現不同大小之晶粒曝光，且與葉片140、142一起調變入射於圖案化器件MA上之輻射之總劑量。該等葉片144、146可例如在z方向上與圖案化器件間隔開約5 mm至10 mm (例如6 mm)。

應理解，在正常使用中，電極104A至104D係由上覆圖案化器件MA掩蔽。然而，次級電極114A至114D並未以相同方式被掩蔽。此係歸因於圖案化器件MA並不在次級電極114A至114D上方延伸(如在圖2b及圖2c中最佳地所見)。當然，應理解，次級電極114A至114D以與初級電極104A至104D相同之方式與夾具表面絕緣。

在使用期間，規則地切換施加至電極104A至104D之電壓之極性。舉例而言，可在每個晶圓曝光之間(例如在約100個個別晶粒曝光之後)發生切換，或在較長時間間隔時(例如在每10個或50個晶圓曝光之後)發生切換。此切換降低了電極周圍及之間的絕緣將在延長使用期間崩潰之可能性。施加至電極之電壓之極性的此切換可被稱作再極化。極化狀態中之每一者可被稱作夾具之激勵狀態。舉例而言，在第一激勵狀態中，可向電極104A施加正電壓，且在第二激勵狀態中，可向電極104A施加負電壓。替代地，夾具之激勵狀態通常可被稱作夾具之組態。夾具組態可包括激勵狀態，且視情況包括另外組態細節(例如組件是否由器件夾持)。

未由圖案化器件MA對次級電極114A至114D進行掩蔽之結果為：可在次級夾具電極之相鄰且相反極化之電極之間(例如，電極114A至114B之間)或在次級電極與其他附近組件之間建立外部電場。舉例而言，可在次級電極114A至114D與圖案化器件MA之任一側上之導電塗層126、128之間或在次級電極114A至114D與遮蔽葉片140、142、144、146之間建立電場。此場線在圖2b及圖2c中示意性地展示。

當然，應理解，在夾具100之正常操作期間，將在夾具100之表面與圖案化器件MA之表面之間建立電場。此外，歸因於各個帶電表面(包括微影設備內之其他組件，諸如(例如)遮蔽葉片140、142、144、146)之間的緊密分離，可發生靜電放電。亦即，可在任何帶電表面之間發生靜電放電，而具有放電隨著電場強度增大而增大的可能性。靜電放電可自表面產生粒子，且亦可釋放先前附接至微影設備內之表面之粒子。應理解，此粒子釋放在微影設備中係非所要的，此係由於粒子可降落於該設備之決定性區上，從而有可能導致經處理基板中之圖案化缺陷。

此外，已在運用Cr塗佈之測試圖案化器件執行之測試中觀測到已知與靜電放電損壞相關聯的利希滕貝格(Lichtenberg)圖案。相似地，亦在此等測試中已觀測到具有指示經由高能製程(例如已熔融且再凝固之奈米球)產生之形態的Cr粒子。因此，應理解，靜電放電可產生非想要的粒子。

當然，應理解，減小夾具電壓可導致靜電場減小，且因此導致由於靜電放電而在圖案化器件上存在之缺陷的減小。已在圖案化器件具有含Mo之正面塗層之系統中觀測到此減小。亦即，夾具電壓之減小已被證實為顯著地減小倍縮光罩上之Mo粒子產生之缺陷之數目。然而，夾具電壓之此減小在此可導致夾持力減小之一些情況下可並非實用的。

在一些情況下，有可能改良夾具電極周圍之屏蔽，以便減小在倍縮光罩上觀測到之缺陷之數目。此屏蔽可顯著地減少Mo及Cr缺陷。然而應瞭解，在正常使用中並不屏蔽圖2b、圖2c中所展示之突起部108及110。

靜電放電對於表膜而言亦可為有問題的。超薄表膜薄膜可用以防止粒子在微影設備之各個區之間移動。然而，應理解，超薄表膜薄膜(其可例如含有厚度為大約幾奈米之金屬層)在任何顯著電流流動通過金屬層的情況下可能過度加熱及斷裂。當然應理解，靜電放電可導致顯著電流流動通過此薄膜。因而，靜電放電亦對表膜帶來風險。

另外，如上文所提及，靜電夾具規則地再極化。每一再極化將導致任何未屏蔽之電極周圍的電場之正負號改變。若帶電粒子在第一極化狀態(例如，施加負電壓)期間被吸引至彼電極，則一旦極化狀態已改變，其可被排斥。此外，夾具表面上之粒子在夾具處於第一極化狀態時(例如在將負電壓施加至電極時)可變得帶電。然而，一旦極化狀態已改變，則此類帶電粒子可被排斥。亦即，強靜電力可克服吸引力且致使釋放任何經截留粒子，此有可能導致更多粒子入射於圖案化器件或其他系統組件上。

更詳細地說，由靜電夾具產生之高電場強烈地吸引任何自由電荷。自由電荷意謂並不結合至實體基板而是根據電場線自由移動的電荷(正電荷-例如離子，或負電荷-例如電子)。此外，在EUV曝光期間產生充足的自由電荷。舉例而言，可由光發射產生電子且亦自EUV誘發之電漿產生電子，該EUV誘發之電漿通常在存在氫氣(其常常存在於微影工具中)的情況下產生。亦可在EUV電漿內產生正離子。因此，在微影曝光期間，未屏蔽之夾具耳狀物108、110很可能吸引自由電荷，從而導致任何自由空間電場崩潰(亦即由自由電荷補償)，且意謂電場被限制至夾具之內部部件(亦即夾具電極與現在帶電之夾具表面之間)。夾具表面處之所得高電荷密度將很可能將電荷轉移至任何經截留粒子，其中該等粒子接著被靜電場更強地吸引。

接著，當夾具極性反轉(其中不再存在EUV電漿)時，經截留帶電粒子現在將具有與電極相等正負號之電荷，此將產生遠離表面之強排斥電力。

舉例而言，可估計次級電極中之每一者(亦即電極114A至114D中之每一者)將具有大約10 pF至約500 pF (例如約100 pF)之電容。可基於每一電極之(已知)面積、夾具介電質之(已知)電容率及(已知)介電層厚度來演算電極電容。

假定使用為2 kV之夾持電壓，則每一耳狀物上之電荷為200 nC (Q=CV)，其對應於約720 µC/m² 之表面電荷密度。此電荷密度將產生約4.10⁷ V/m之場強度E (根據，且假定場在兩個方向上輻射，從而導致場強度除以因數二)。

現在將更詳細地論述電漿產生製程。應理解，光束B內之EUV光子將電離氫分子，從而產生H₂ ⁺ 離子及自由電子。在使用13.5 nm EUV輻射之實例中，每一光子可具有約92 eV之能量，其中分子氫之電離能量約為15 eV。因此，所產生之自由電子可具有足夠能量(例如＞75 eV)及範圍以相對遠離初始電離事件產生次級電漿。另外，以此方式釋放之電子(亦即具有約75 eV之能量)可電離另外一個、兩個或甚至三個氫分子。因此，即使在EUV光子入射的情況下僅產生初級電漿(其通常不包括夾具耳狀物108、110)，亦可在夾具耳狀物108、110附近產生次級電漿。如上文所描述，遮蔽葉片140至146與圖案化器件MA間隔開約5 mm至10 mm。因此，到達夾具耳狀物108、110之任何電漿應擴散通過形成於葉片140至146與圖案化器件MA之間的隙縫，或在原位產生為次級電漿。

圖3展示在EUV曝光期間在圖案化器件附近的經模型化電漿密度。水平軸展示距圖案化器件MA之中心之距離R (以cm為單位)，而豎直軸展示距夾具表面之距離z (以cm為單位)。此模型假定EUV源具有40 W之輸出功率及5 Pa之氫壓。在經模型化環境中，圖案化器件MA被展示為阻擋輻射路徑，其中遮蔽葉片140、142敞開約10 mm以使EUV輻射能夠到達圖案化器件MA之中心部分。

可看到，鄰近於圖案化器件MA之中心區，電漿密度達到約10⁸ 個離子/立方公分。然而，此密度在遮蔽葉片下方(其中EUV光子未直接到達)在距圖案化器件MA之中心約1.5 cm處減小至約10⁷ 個離子/立方公分，且距圖案化器件MA之中心約4 cm處減小至約10⁶ 個離子/立方公分。

在上述演算之後且在假定約100 nm之粒子直徑在密度為10⁶ 個離子/立方公分至10⁷ 個離子/立方公分之電漿環境中已接收約10至100個電荷的情況下，在夾具再極化之後帶電表面粒子上之所得排斥靜電力(在不存在電漿的情況下)將約為10^- ⁸ N至10^- ⁷ N。吸引力範德瓦耳斯(Van de Waal)及其他黏著力可被預期約為10^- ⁹ N至10^- ⁸ N。

因而，根據上文所闡明之假定及近似演算，夾具表面上之經截留粒子因此可經歷強排斥力，其通常將能夠克服較弱黏著力。以此方式釋放之任何粒子將沿著電場線加速，且可降落於遮蔽葉片140至146、圖案化器件MA或其他系統組件上。

另外，歸因於氫電漿產生而在EUV曝光開始之後不久之自由電荷密度的顯著及突然增大(如圖3中所說明)及環繞夾具100及經夾持圖案化器件MA之介質之電導率的對應增大可導致高暫態電流在系統組件之間流動。

應理解，在夾持期間，可在夾具介電質內及在夾具表面與經夾持圖案化器件或其他系統組件(該等其他系統組件可遠離夾具表面幾公分)之間建立電場。然而，歸因於氫電漿產生而在環繞夾具之區中之電導率的突然增大可導致延伸超出夾具表面(例如在夾具與圖案化器件或其他系統組件之間)的任何所建立電場崩潰，此係由於導電電漿將無法支援電場。此可導致夾具介電質內之電場強度快速增大，且可能超過場發射之臨限值。此外，一旦發生場發射，高電流就可引起夾具電極加熱。此加熱可致使場發射之臨限值減小，從而引起電流增大。此繼而可引起電極進一步加熱，且場發射之臨限值仍進一步減小。因此，以此方式，在EUV曝光開始之後不久之自由電荷密度的突然增大可導致高暫態電流在系統組件之間流動。

在一些情況下，此類突然電導率改變可在存在此類高場的情況下優先造成自經夾持圖案化器件MA之尖銳特徵之場發射。舉例而言，應理解，塗層128可具有曲率半徑約為例如100 nm之尖銳邊緣。相似地，可自夾具之表面發生場發射。

另外，應理解，橫越夾具電極之平面表面在厚度上大體上均一的介電塗層之厚度可在電極之邊緣處減小。因此，電極邊緣處之電場強度可增大，從而增加在此區域中進行場發射之風險。

特定組件或特徵易受場發射影響之程度可取決於材料及/或表面之性質。此外，靜電放電對表面造成損壞之程度亦將取決於材料屬性。舉例而言，可用作圖案化器件之塗層的相對不良導電塗層(例如硬化金屬，諸如CrN、TaN)可容易由於靜電放電而損壞。

現在參看圖4，現在更詳細地描述圖1及圖2a至圖2c中所說明之微影設備之操作模式。圖4a說明在圖案化器件處所接收之EUV劑量。詳言之，以豎直軸示意性地展示EUV劑量之量值，且以水平軸展示時間。

如上文所提及，規則地反轉施加至靜電夾具100之電極104A至104D之電壓以便保留電絕緣之完整性。施加至彼等電極中之一者之電壓在圖4b中示意性地展示，該圖以豎直軸展示電壓且以水平軸展示時間。詳言之，電壓自時間t₀ 時之0升高至時間t₁ 時之夾持電壓+V_C 。電壓接著維持處於+V_C 歷時曝光循環直至時間t₂ ，在時間t₂ 之後，電壓在時間t₃ 時斜降至0，且接著在時間t₄ 時斜降至-V_C 。在此時間t₄ 之後，電壓在另一曝光循環期間維持處於-V_C 。在時間t₅ 時，電壓接著在時間t₆ 時增大至0。此後，夾具電極之此正及負激勵循環繼續，其中穩定的激勵時段提供於每一再極化事件之間。

在夾持之穩定時段期間執行微影曝光。然而，應理解，可在所說明電極之正或負極化期間發生曝光。此外，應理解，不同電極將遵循不同激勵循環。舉例而言，對於針對電極104A所說明之每一正至負轉變，電極104B可遵循反向轉變。此外，其他電極可在不同時間再極化(以便確保始終存在施加至圖案化器件MA之一些夾持力)。

再次參看圖4a，在時段T_A 、T_B 、T_C 及T_D 期間，EUV光束主要用於成像。應注意，時間段T_A 、T_B 、T_C 及T_D 中之每一者對應於期間夾具極化不改變的一時段。然而，緊接在時段T_A 之前，存在期間EUV能量入射於圖案化器件MA上之時段T_A '。相似地，緊接在時間段T_A 之後，存在期間EUV能量入射於圖案化器件MA上之短時段T_A ''。時間段T_A 可被稱作曝光叢發。時間段T_A '及T_A ''可分別被稱作曝光前叢發及曝光後叢發。曝光叢發T_A 至T_D 對應於正用於成像(亦即曝光基板)或度量衡(例如對準、鏡面設定等)之EUV光束。因此，到達圖案化器件MA (且被提供至晶圓載物台)之輻射之強度在此時段期間係決定性的。然而，在曝光前叢發T_A '及曝光後叢發T_A ''等期間，EUV功率仍在圖案化器件處被接收，但不用於成像。因此，到達圖案化器件MA (且被提供至晶圓載物台)之輻射之強度較不具有決定性，且可經受變化。

應注意，在圖4中所展示之實例中，亦在穩定夾持時段內含有曝光前叢發T_A '及曝光後叢發T_A ''兩者(亦即，時段T_A '、T_A 及T_A ''皆處於t₁ 與t₂ 之間)，在此期間夾具極化不改變。亦即，在夾具再極化事件之間含有整個EUV脈衝。

此外，應理解，所說明之照明及極化序列係示意性的，且不包括全部事件。舉例而言，甚至在表觀連續EUV功率之時段期間，亦可存在施加至EUV源之脈衝，且例如在不同晶粒之成像之間或在晶圓調換期間可存在可選中斷。

更詳細地說，叢發T_A '、T_A 及T_A ''中之每一者可包括許多單獨的EUV脈衝，且亦可包括不提供脈衝之時段。舉例而言，曝光叢發T_A 可對應於全晶圓曝光(例如包含約100個晶粒曝光)，在此期間可存在總計約10⁶ 個脈衝(例如每晶粒曝光10⁴ 個脈衝)。在每一晶粒曝光之間，可存在期間並不存在EUV光束之晶圓定位時段。此時段可持續約30 ms至40 ms。另外，在成像開始之前，可執行各種度量衡動作，在此期間光束B入射於圖案化器件MA上且經提供至基板台WT，但並不入射於基板自身上(基板台WT可移動使得基板W並不處於光束路徑中)。

在曝光前叢發T_A '及曝光後叢發T_A ''期間，可監視及控制源SO內之暫態效應(例如以確保在曝光叢發T_A 期間由晶圓經歷之輻射強度儘可能地均一)。另外，曝光前叢發T_A '及曝光後叢發T_A ''可用以執行校準、對準或度量衡操作，而非晶圓曝光。然而，不論其使用及對基板之影響如何，叢發T_A '、T_A 及T_A ''各自涉及入射於圖案化器件MA上之EUV輻射。

應理解，隨著EUV功率在時間t₁ 之後不久快速增大(亦即一旦圖案化器件已被適當夾持)以開始曝光前叢發T_A '，靜電夾具周圍環境之電導率將自非導電環境(包含低密度氫)快速改變至高電導率環境(包含EUV誘發之氫電漿)。如上文所提及，此快速電導率改變可導致靜電放電。此外，在夾具再極化事件期間，截留於夾具突起部108、110上之粒子(其在叢發T_A '、T_A 及T_A ''期間在電漿環境中可能已變得帶電)可由於電場之突然改變而自夾具表面噴射。

圖5說明根據本發明之一實施例之經修改照明序列。圖5b說明大體上對應於以上參看圖4b所描述之靜電夾具之極化序列的靜電夾具之極化序列。然而，圖5a展示與以上參看圖4a所描述之照明序列相比經修改的照明序列。

詳言之，在曝光前時段T_A '期間，EUV功率逐漸斜升，而非EUV功率突然自關斷狀態切換至接通狀態。亦即，入射於圖案化器件MA上之EUV功率在夾具已經極化(或再極化)時逐漸增加。相似地，在曝光後時段T_A ''期間，EUV功率可逐漸斜降，而非EUV功率突然自接通狀態切換至關斷狀態。應注意，在曝光前時段T_A '及曝光後時段T_A ''期間，EUV功率經施加至圖案化器件但並不用於成像。在本發明之涵義內，此可被稱作圖案化器件之非成像曝光。此非成像曝光因此係指在此期間EUV輻射光束入射於圖案化器件上且在此期間無輻射投影至基板上之曝光；該非成像曝光可例如在該複數次成像曝光之連續成像曝光之間予以執行。

在本發明之實施例中，在夾具之極化或再極化期間應用此非成像曝光。

例如在非成像曝光期間施加之EUV功率之軟性斜升導致圖案化器件MA及靜電夾具100周圍之區之電導率的逐漸增加。介質電導率之此逐漸增加並不致使靜電場以突然方式崩潰，而是允許電荷根據預先存在之場線朝向各個表面洩漏。此製程允許補償已由於先前夾具極化狀態而變得帶電之任何表面。相似地，可將要補償夾具或圖案化器件之表面上之任何帶電粒子。

軟性斜坡可被預期遍及多個EUV脈衝延伸。舉例而言，軟性斜升可花費不到一千個脈衝，或不到約20毫秒。較佳地，軟性斜升可花費不到10,000個脈衝，或不到約200毫秒。一般而言，與晶圓之曝光時間相比，斜坡時段將較小。晶圓曝光可例如持續約30秒。與約30秒之晶圓曝光相比，不到約1秒(或約50,000個脈衝)之斜坡時段可被認為係軟性斜坡，或逐漸增加。

諸如以上所描述之軟性斜升的軟性斜升可在以下情形中之一或多者中有益：
a. 在EUV設備之第一次起動之後；
b. 在裝載新圖案化器件MA之後；及
c. 在靜電夾具電極之極性反轉(再極化)之後。

可以若干不同方式執行此軟性斜升。舉例而言，可藉由逐漸斜升源之脈衝能量來進行斜升。替代地或另外，軟性斜升可藉由緩慢地增加一起貢獻於遞送至晶圓之總輻射能量(或劑量)的複數個小型叢發中之每一者中的脈衝數目來實施。每一小型叢發可例如包含約10個脈衝，其各自具有約100 ns之持續時間且在約50 kHz之頻率下經遞送。在使用LPP輻射源之狀況下，可藉由控制所應用雷射之操作來控制所產生之EUV脈衝之數目。在此LPP輻射源中，藉由運用一或多個雷射光束輻照諸如錫(Sn)目標之燃料目標來產生EUV脈衝。可例如藉由控制輻照之燃料目標之數目來控制所產生之EUV輻射之量。可例如控制如所應用之脈衝式雷射光束僅輻照兩個燃料目標中之一者或三個燃料目標中之一者，因此將EUV輻射之量減少至50%或33%。替代地或另外，可藉由插入及緩慢收縮遮蔽葉片140、142、144、146中之一或多者來實施軟性斜升。當然，亦可實施替代機構以用於EUV能量之此軟性斜升。

軟性斜坡可例如以小跳躍(例如至全成像功率之約5%至10%)開始，之後在成像曝光開始時自此位準逐漸增加至100%成像功率。替代地，輻射功率可自0%線性增大至100%。在輻射功率之逐漸增加期間，可存在若干小的步階，其導致大體上線性之總體增大。舉例而言，功率可在步階中增大，例如10%中之5%。此增大仍將導致夾具及圖案化器件周圍之介質之電導率的逐漸改變。

一般而言，應理解，提供電導率之逐漸改變會降低與電導率之突然增大相關聯的放電風險。

在一些狀況下，EUV能量可以與圖4a中所說明相似(亦即對稱)之方式斜降。然而，在其他實施例中，EUV能量可突然停止，如在目前先進技術中係慣例的。

如圖5中所說明，可在EUV斜升或斜降期間發生夾具電極再極化。替代地，可在EUV關斷時段期間發生夾具電極再極化。亦可指出，EUV可在電壓降低期間接通，亦即經施加電壓降低為零，如例如在物件卸載之前進行。如圖5b中所展示之時段t₁₁ 至t₁₂ 可表示此電壓降低。如所提及，在該時段期間施加至少低位準之輻射亦可為有利的。

圖6展示其中相對於作為慣例之EUV功率激勵而修改EUV功率激勵的另一實施例。圖6b說明夾具極化序列，其相似於以上參看圖4b所描述之夾具極化序列。然而，在圖6a中，可看到，在EUV曝光脈衝T中之每一者之間，存在圖案化器件MA之恆定EUV照明。亦即，甚至在靜電夾具經再極化之時段期間，亦將EUV輻射提供至圖案化器件MA。此要求在多個曝光脈衝之間的時段期間，維持由源SO輸出之EUV能量，且控制遮蔽葉片140至146以便允許EUV輻射中之至少一些到達圖案化器件MA。如上文所提及，在本發明之涵義內，將EUV功率施加至圖案化器件而不將該功率用於成像被稱作非成像曝光。此非成像曝光可導致產生EUV誘發之電漿。

藉由在再極化期間(亦即在自夾具之第一激勵狀態至第二激勵狀態之轉變期間)將EUV照明提供至圖案化器件MA，應理解，相對導電介質(亦即EUV誘發之氫電漿)將始終被提供於經夾持圖案化器件MA及靜電夾具100附近。因而，在夾具100再極化時，由EUV誘發之氫電漿(如圖3中所展示，其將存在於夾具突起部108、110周圍)提供之自由空間電荷將允許電荷快速地再分佈。大量自由電荷將有效地掩蔽由次級電極114A至114D產生之場，且降低由表面釋放粒子之可能性。自由電荷亦將用以減少危險高強度場。此將導致經由EUV誘發之電漿減少介電質表面與圖案化器件塗層之邊緣之場集中特徵之間的高暫態電流。亦即，藉由始終提供導電介質，可降低或完全消除高暫態電流及在每一曝光脈衝開始時與EUV能量之突然開始相關聯的放電風險。亦可指出，EUV可在電壓降低期間接通，亦即經施加電壓降低為零，如例如在物件卸載之前進行。如圖6b中所展示之時段t₁₁ 至t₁₂ 可表示此電壓降低。如所提及，在該時段期間施加至少低位準之輻射亦可為有利的。
如圖7中所展示，在又一操作模式中，在再極化(圖7b)期間調變EUV功率(圖7a)使得在每一曝光叢發T脈衝之前，存在逐漸斜升RU，在每一曝光脈衝之後，存在逐漸斜降RD，且在每一EUV叢發T之間，存在施加至倍縮光罩之低EUV功率L。亦即，EUV功率在再極化期間逐漸減小且經維持處於低位準，而非在多個曝光脈衝之間完全移除EUV功率。與以上關於圖6所描述之配置相比，此配置減小了EUV源上之負載，且亦提供如下優點：靜電夾具周圍之介質始終維持處於導電狀態，以便最小化在突然EUV接通期間可觀測到的高暫態電流之效應，且允許在每一再極化事件期間發生電荷補償。亦可指出，EUV可在電壓降低期間接通，亦即經施加電壓降低為零，如例如在物件卸載之前進行。如圖7b中所展示之時段t₁₁ 至t₁₂ 可表示此電壓降低。如所提及，在該時段期間施加至少低位準之輻射亦可為有利的。

應理解，在以上參看圖5、圖6及圖7所描述之配置中之每一者中，可藉由減少由靜電放電事件引起的缺陷及帶電粒子之發射而不改變硬體中之任一者，來改良微影設備之效能。詳言之，以新穎方式使用EUV照明系統之現有特徵，以便減小在再極化事件期間及之後所看到的高自由空間場。

在上文所描述實施例中之每一者中，應理解，需要產生EUV誘發之電漿，其在圖案化器件MA附近且尤其在夾具突起部108、110附近提供自由電荷源。然而，亦應理解，為了有效地掩蔽電極114A至114D周圍之場，將需要足夠的自由電荷密度。當然，在任何特定部位處所產生之電荷之密度將取決於任何系統之特定特性，包括EUV強度、氣體密度及系統幾何形狀。此外，所需之自由電荷之量亦將取決於管理參數(例如場強度、電極幾何形狀)。

在考慮預期將在與夾具次級電極114A至114D相鄰之介電質表面處累積的電荷之數量的情況下(如上文更詳細地論述)，應理解，必須以至少最小速率供應電荷以便恰當地防止在再極化事件期間建立外部場。

舉例而言，夾具再極化可被預期在約200 ms內或約10⁴ 個EUV脈衝中發生。此外，夾具再極化轉換速率可例如約為16 kV/s。在此速率下，夾具電壓將針對每一EUV脈衝以為或約為0.3 V之速率改變。另外，如上文所論述，掩蔽夾持電壓為2 kV的夾具耳狀物所需之電荷之數目可為大約10¹² (200 nC ≈ 1.25×10¹² 個電荷)。

在假定初級電漿離子及次級遠端電漿離子(由在電離期間移除之電子引起)兩者貢獻於存在於夾具耳狀物(如圖3中所展示)處之電荷且遮蔽葉片140至146全開(從而允許全圖案化器件待曝光至輻射光束B)的情況下，咸信10⁴ 個EUV脈衝將提供足夠的自由電荷以大體上防止在再極化事件期間建立外部場。在此情形下在假定存在40 W源功率的情況下，可預期在夾具耳狀物處約為10⁷ /cm³ 之離子密度。

然而，若自由電荷之通量減小，則可需要較大數目個EUV脈衝以提供足夠的再平衡電荷。舉例而言，若初級電漿不能夠擴散至夾具耳狀物部位，從而導致僅次級電漿貢獻於夾具耳狀物部位處之自由電荷，則可預期在夾具耳狀物處約為10⁶ /cm³ 之離子密度。此離子密度可能未提供足夠的自由電荷來完全補償再極化場。

若判定為此狀況，則有可能減小再極化發生之速率。舉例而言，若再極化速率減小為原先的五分之一(至3.2 kV/s)，則夾具再極化將持續約5×10⁴ 個EUV脈衝，從而提供自由電荷之顯著增大供應以補償改變場。當然應理解，此調整可能造成生產率降低。然而，夾具切換速度減小為原先的五分之一(如上文所論述)將被預期造成總體生產率減小＜0.5%。

當然，熟習此項技術者應理解，所需之自由電荷之數量將取決於夾持電壓及幾何形狀，且所產生之可提供掩蔽效應的自由電荷之比例亦將取決於許多因素(其中一些在上文加以論述)。然而，熟習此項技術者將能夠根據需要修改各種參數(例如EUV強度、EUV脈衝持續時間、EUV脈衝數目、H₂ 氣壓、夾具電壓、切換速率、遮蔽葉片位置等)以確保恰當地掩蔽夾具耳狀物。舉例而言，可執行經驗研究以建立在特定配置中所需及/或提供之自由電荷之位準。替代地，可進行電荷密度模型化以便判定在夾具耳狀物部位處將經歷何位準之電荷密度。

在參看圖6至圖8所描述之實施例中，EUV誘發之電漿係由圖案化器件之所謂的非成像曝光產生，亦即，在此期間輻射光束入射於圖案化器件上且在此期間無輻射投影至基板上之曝光；該非成像曝光係在該複數次成像曝光之連續成像曝光之間予以執行。

在一替代實施例中，可藉由使EUV功率照射於圖案化器件附近之表面上而將EUV功率應用為自由電荷源。因而，用於與靜電夾具相鄰地產生自由電荷之替代方式為將輻射光束提供於不同於圖案化器件之表面處，例如遮光片或遮蔽葉片之表面。如上文所提及，遮光片或遮蔽葉片配置可用以阻擋輻射光束到達圖案化器件或用以控制入射於圖案化器件上之輻射光束之空間延伸。歸因於輻射光束與存在於或提供於遮光片或光罩葉片配置周圍、遮光片或光罩葉片配置處或附近的氣體分子(例如氫)之相互作用，輻射光束或其一部分之施加至該(該等)遮光片或光罩葉片上亦可導致產生自由電荷。將既在由輻射光束直接照明之區中又在相鄰區中(例如歸因於擴散，及次級電子)產生自由電荷。由於遮光片或光罩葉片配置通常比較接近於圖案化器件且因此比較接近於靜電夾具，故藉由輻照遮光片或光罩葉片配置所產生之自由電荷亦可導致與靜電夾具相鄰之自由電荷。藉由輻照遮光片或光罩葉片配置而產生自由電荷因此亦可被認為係用於產生與靜電夾具相鄰之自由電荷之機構。

在一些實施例中，可提供次級電離源，藉此允許由除EUV源SO之外之構件在靜電夾具附近產生電漿。此配置可降低EUV源SO之總體輸出負載。應理解，上文所描述之實施例可藉由要求與成像所需之EUV輸出相比額外的EUV輸出而對EUV源SO提出額外要求。另外，在一些實施例中，EUV源沒有可能連續產生功率(如圖6a中所說明)。相似地，EUV源沒有可能及/或不期望提供在標稱輸出功率之範圍0%至100%內的任意EUV脈衝能量，同時亦確保清潔的收集器操作及脈衝能量穩定性。

因而，在一些實施例中，可較佳提供用於相較於初級EUV源產生增加之氣體電導率的區之替代機構。

舉例而言，源可與靜電夾具100及經夾持圖案化器件MA接近地提供。該源可較佳被置放於夾具突起部108、110附近。可使用複數個源。舉例而言，源可為能夠在清潔環境中在低於1巴之壓力下操作的軟x射線源或VUV光源。源可包含具有約0.1 W至1 W之功率的低功率電離器。一個此類合適器件可為如由Hamamatsu Photonics K.K.(日本，Shizuoka，Hamamatsu市)製造之VUV電離器L12542。在一些實施例中，源可包含放射性源或電子束源。

如圖8a至圖8c(其中子圖及所說明部件大體上對應於圖2a至圖2c中所展示之子圖及部件)中所展示，源S與靜電夾具100及圖案化器件MA相鄰地提供。在一實施例中，可例如在靜電夾具100之再極化期間激勵源S，藉此確保夾具100及圖案化器件MA附近之氫氣經電離以產生氫電漿。如上文所論述，在再極化期間提供自由電荷有效地掩蔽了由靜電夾具100 (尤其在次級電極114A至114D周圍)產生之場。

舉例而言，如圖8a至圖8c (其展示源S發射VUV輻射之時間)所說明，由於發射之VUV輻射而產生電漿P。電漿P使得貫穿夾具及圖案化器件環境提供自由電荷雲。因而，當可存在建立於電極104A至104D中之每一者與經夾持圖案化器件MA之相鄰區之間的電場時，未經掩蔽電極114A至114D自電漿吸引電荷雲，藉此形成掩蔽電荷QA、QB、QC及QD。掩蔽電荷QA至QD中之每一者具有與對應的次級電極114A至114D之正負號相反的正負號。因此，在靜電夾具100周圍並未建立顯著及非想要的電場，從而降低了圖2b及圖2c中所說明之場F1、F2及F3之效應。

因此可使用源S來代替由源SO產生之EUV輻射，以提供自由空間電荷來掩蔽非想要的電場，從而有效地使自由空間場崩潰(藉由提供可補償任何自由空間場之移動電荷)。此掩蔽導致由夾具100產生之電場大體上被約束至環繞靜電夾具電極114A至114D之絕緣體之內部。

應瞭解，次級電離源S可特別提供於夾具100之突起部108、110附近，以便向最需要其之區提供局域化自由電荷。因而，應理解，次級源S可用以提供對以上參看圖6及圖7所描述之照明方案的替代方案，在該等照明方案中，由源SO產生之EUV能量在再極化期間經提供至圖案化器件。

一般而言，EUV源SO及源S (其可例如包含軟x射線源或VUV電離器)可各自被認為係電離輻射源之實例。另外，與氫(或其他)氣體源結合之此類源可被認為係用於產生自由電荷之機構。亦即，含有正離子及自由電子兩者之氫電漿可被認為係自由電荷雲。另外，此類自由電荷包含正自由電荷及負自由電荷兩者。此允許自由電荷補償及掩蔽兩個極性之場。應理解，在每一夾具極化狀態中之不同電極處，及在不同極化狀態期間之電極中之每一者處經歷兩個極性之場。

此外，如上文簡要描述，可在自夾具100移除圖案化器件MA後即在夾具100與圖案化器件MA之間建立顯著電壓。現在參看圖9更詳細地描述圖案化器件MA移除製程。

圖9a展示其中圖案化器件MA夾持至其之夾具100。該經夾持圖案化器件MA被展示為與交換總成150間隔開。該交換總成包含支撐支撐結構154之交換器件152。支撐結構154包含自支撐結構154之表面朝向圖案化器件MA延伸的小數目個突起部156。突起部156可具有例如約200 μm之高度。交換總成150經組態以使圖案化器件MA朝向及遠離夾具100移動，例如以使能夠用替代圖案化器件交換圖案化器件MA或能夠清潔圖案化器件MA。交換器件152可包含相對於微影設備之其餘部分移動以便將圖案化器件MA至及自裝載鎖(圖中未繪示)移動的機器人臂。支撐結構154及尤其突起部156在輸送期間支撐圖案化器件MA。自圖9a可見，突起部156與圖案化器件MA之總面積相比具有小面積。因而，當圖案化器件MA由支撐結構154支撐時，僅存在小接觸面積。在圖9a所展示之組態中，在靜電夾具100與圖案化器件MA之間存在小間隙g。舉例而言，此間隙g可約為10 μm (其對應於提供於靜電件100之表面上之瘤節106的高度)。

圖案化器件MA之表面被展示為以間隙b與支撐結構154之表面間隔開。在圖9a所展示之組態中，間隙b超過200 μm (突起部156之高度)。因而，當圖案化器件MA與突起部156之頂部表面間隔開時，在圖案化器件MA之平面表面與支撐結構154之平面表面之間必須存在至少200 μm之間隙。

相反地，在圖9b (其包括與圖9a中所展示相同的組件)中所展示之組態中，圖案化器件MA被展示為位於突起部156之頂部上。因此，間隙b為200 μm，且間隙g (亦即，靜電夾具100與圖案化器件MA之間的間隙)大於10 μm，此意謂在瘤節106 (或實際上夾具100之任何部件)與圖案化器件MA之間不存在實體接觸。

圖10展示說明經由移除圖案化器件MA而使間隙b及g之改變的時間序列。在時間t20時，間隙g最初為10 μm (其對應於瘤節106之高度，此意謂在瘤節106之頂部與圖案化器件MA之表面之間存在接觸)。時間t20時之間隙b遠超過約900 μm，且因此在交換總成150之任何部分與圖案化器件MA之間不存在接觸。

在時間t21時，交換總成150接近圖案化器件MA，如由距離b之減小可看出。此移動在時間t22時停止，此時交換總成150經組態以懸停於圖案化器件MA下方，從而維持約900 μm之間隙b (亦即，突起部156之200 μm高度加700 μm之間隙)。接著在時間t23時，靜電夾具100及經夾持圖案化器件MA朝向交換器件150逐漸降低。此移動緩慢繼續直至約t24，此時距離b已減小至約200 μm。亦即，靜電夾具100及經夾持圖案化器件MA降低直至圖案化器件MA之下表面(如圖8a及圖8b中所展示)與突起部156之上表面接觸。此組態保持直至約時間t25。在此時間段期間，供應至夾具電極104A至104D、114A至114D之電壓被移除，使得靜電夾具100不再夾持圖案化器件MA。

在時間t25時，靜電夾具向上移動以移動遠離圖案化器件MA(其現在完全由交換總成150之突起部156支撐)，從而導致間隙g增大。此移動繼續直至約時間t26，此時間隙g已增大至約700 μm。此時，交換總成150支撐圖案化器件MA且懸停於靜電夾具100下方。在時間t27時，致使交換總成150使所支撐圖案化器件MA遠離靜電夾具100移動，使得間隙g自700 μm增大至更大距離。此移動繼續直至時間t28 (之後交換總成150可移動至圖案化器件交換區域，諸如裝載鎖)。

應理解，電容存在於上文所描述之系統組件中之若干系統組件之間。如圖11中所展示，系統可經模型化為串聯配置之多個電容。詳言之，交換設備150與圖案化器件MA之下表面(在圖9a、圖9b中所展示之定向中)之間的電容可被認為係可變電容C_b ，其依據間隙b而變化。電容C_b 可被演算如下：
，
其中： ε₀ 為自由空間之電容率；
A為圖案化器件MA之面積；及
b為具有b之表面之間的分離度。

圖案化器件MA自身之電容可被認為係固定電容C_r ，其可被演算如下：
，
其中： ε_rr 為基板120之相對電容率；及
r為圖案化器件MA之前表面與後表面之間的分離度。

圖案化器件MA之頂側與靜電夾具100之間的間隙可被認為係可變電容C_g ，其可被演算如下：
，
其中b為圖案化器件MA之後表面與夾具100之後表面之間的分離度。

最後，夾具電容C_d 提供於夾具100之電極(其平均起來具有為0 V之電壓)與靜電夾具之表面之間。此電容C_d 係固定的，且可被演算如下：
，
其中： ε_rd 為夾具介電質之相對電容率；及
d為夾具電極104A至104D與夾具表面之間的分離度。

當然，應理解，上述表達式表示實際電容之簡化，且忽略了各種寄生及額外組件。另外，假定低壓氫氣環境之電容率相似於自由空間之電容率()。相似地，假定每一電容之面積等於A，而忽略了瘤節106及突起部156之效應。然而，所描述模型用以說明電容及電荷分佈之一般趨勢。熟習此項技術者應理解，可在需要時執行更準確模型化。

如圖11中所說明，電容C_d 、C_g 、C_r 及C_b 串聯地配置。此外，電容C_d 及C_r 係固定的，而電容C_g 及C_b 係可變的。因此，應理解，在無電荷能夠進入或離開系統的封閉系統中且針對給定初始充電狀態，夾具100與圖案化器件MA之間的分離度g及圖案化器件MA與交換設備150之間的分離度b的任何變化將會導致可變電容C_g 及C_b 改變。此外，此電容改變亦將導致橫越各個電容之電壓根據分離度之改變可能顯著地改變。

詳言之，針對每一電容必須始終維持關係Q = CV (假定無電荷被注入)。因此，若電容C發生改變且彼電容中所含有之電荷Q之量維持相同，則電壓V必須與改變之電容C成反比地改變。此可導致顯著電壓放大。

當然，應瞭解，在一些情況下電荷可經注入至多個電容器之間的各個節點中。詳言之，注入夾具表面處之電荷可經模型化為電荷Q_s 。注入至圖案化器件之背面中之電荷可經模型化為電荷Q_b 。注入至圖案化器件之正面中之電荷可經模型化為電荷Q_f 。電荷源Q_s 、Q_b 及Q_f 展示於圖11中。

圖12a至圖12c展示在卸載序列期間之夾具環境之模型之各個參數的改變。詳言之，圖12a展示在自夾具100移除圖案化器件MA時在與以上參看圖10所描述之移動相似的一系列移動期間之分離度b及g的改變。x軸展示以秒為單位之時間，而y軸展示以公尺為單位之(在對數尺度上)距離。首先，距離b在時間3s時自約100 mm減小至約1 mm，之後距離b在約時間6s時進一步減小至約200 µm (亦即突起部156與圖案化器件MA之間的接觸)。接著，距離g在時間8s時自約10 µm增大至時間9s時之約700 µm，之後再次自約時間11s增大。

如上文參看圖11所描述，與各種系統組件相關聯之電容亦根據分離度b及g改變。與此等各種移動相關聯之改變之電容展示於圖12b中，其中x軸展示以秒為單位之時間且y軸展示(再次在對數尺度上)電容器中之每一者之電容C_d 、C_g 、C_r 及C_b 。如所預期，可看到電容C_d 及C_r 橫越時間段並不改變。然而，可看到，電容C_b 在時間2秒與時間6秒之間增大了大致三個數量級(其對應於交換總成150朝向圖案化器件MA之移動)。相反地，自時間8秒至時間12秒，電容C_g (其對應於圖案化器件MA與靜電夾具100之間的電容)在兩個階段減小了大致4個數量級。詳言之，電容C_g 首先在時間9s時自約20nF減小至約300pf，且接著在時間12s時再次減小至約20pF。

圖12c展示在上文所論述之移除序列期間在圖11中所展示之等效電路內之各個點處的電壓。詳言之，夾具介電質表面處之電壓V_d (其亦等於橫越電容器C_d 之電壓)被展示為在該序列期間僅最小地改變。

圖案化器件MA之正面處之電壓V_FS 可被理解為電壓V_d 、V_g 及V_r (其分別為橫越電容器C_d 、C_g 及C_r 之電壓)之和。電壓V_FS 亦等於橫越電容器C_b 之電壓V_b 。可看到V_FS 在時間11秒時自相對較小量升高至約500伏特。此對應於圖案化器件MA與靜電夾具100之間的間隙g顯著升高之時間。

然而，到目前為止，電壓之最顯著改變發生於圖案化器件MA之背面處，其係由電壓V_d 及V_g 之和(亦即橫越電容器C_d 及C_g 之電壓之和)表示。可看到此電壓在圖案化器件MA與靜電夾具100之間的初始小分離度(亦即在約8秒時達約700 μm之分離度)期間增大至高於1000伏特。然而，接著在約時間11秒時電壓更顯著升高至約高於4300伏特，其對應於自圖案化器件MA至靜電夾具100之距離g的顯著增大。

應注意，經模型化電壓改變係基於一些電荷將自靜電夾具100注入至圖案化器件MA之背面之假定。此經模型化電荷注入在圖13中加以說明，該圖13大體上相似於以上參看圖11所描述之等效電路，且包括單一電荷源Q，該單一電荷源經模型化以在約時間約1秒時注入大致500nC電荷。此電荷注入亦可在圖11c之插圖中看到，該圖展示在擴展之豎直尺度上在時間1s與8s之間的電壓。詳言之，可看到，在時間1s時，注入500 nC電荷造成電壓V_BS 、V_FS 突然增大至約80 V。

實際上，可在夾持期間將電荷累積於圖案化器件MA之背面處，而非在時間1s時精確地注入電荷。又，當圖案化器件被夾持時，可自夾具表面上之尖銳特徵(例如經截留粒子)發生場發射。此可導致圖案化器件變得帶電(常常帶負電)。

假定不將另外電荷引入至系統，圖11及圖13中所說明之等效電路模型可用以回應於以上所描述之電容之改變而模型化電壓之演進。圖12c中所展示之所得高電壓應被理解為顯著增加了歸因於在靜電夾具100及圖案化器件MA附近之氫氣之崩潰(例如歸因於圖案化器件MA表面處之電壓超過氫之最低帕申限制，其約為250 V)而造成的放電風險。

因此，與微影設備內之靜電放電相關聯的進一步挑戰係在夾持之後之圖案化器件之卸載期間。如上文所描述，電荷可變得被截留於夾具100之介電質表面處。此外，殘餘電荷一旦其已被釋放就可保持於經夾持圖案化器件MA上。隨著鬆開之圖案化器件MA移動遠離夾具表面，夾具表面與圖案化器件表面之間的增加之分離度可導致電容減小及電壓放大。亦即，在給出封閉系統中之電荷與電壓之間的比例關係(亦即Q = C.V)的情況下，當電容改變(與平行板之間的分離度成反比)時，電容之任何減小將導致電壓之成比例增大。因此，在圖案化器件MA與夾具100分離時，圖案化器件之電壓有可能將足夠升高以致使發生氫氣之電崩潰。此放電可導致粒子產生，粒子產生可導致後續缺陷。

然而，已認識到，可藉由在卸載製程期間引入自由電荷而在一定程度上減輕變化電容之效應。舉例而言，單獨的電離源S或實際上EUV源SO可用以產生氫電漿，氫電漿提供自由電荷(如上文詳細所描述)且允許在移除製程期間放寬橫越各種介電質組件(及間隙)所建立之場。

提供自由電荷可導致建立於各種系統組件之間的電壓之顯著減小。亦即，由圖12c中所說明之高電壓產生的所建立之電場可藉由引入額外自由電荷來補償。此類電荷可被認為待由如圖11中所說明之電荷源Q_s 、Q_b 及Q_f 提供至圖案化器件及夾具之表面。此等電荷源實際上由氫電漿提供，該氫電漿將足夠電荷提供至夾具100及圖案化器件MA等效電路內之節點中的每一者，以便確保其經維持處於中性狀態。亦即，電漿內之自由電荷在任何電場開始經建立時由該等電場驅動，且致使彼等場崩潰。

以此方式，可減輕或完全避免與在自靜電夾具10移除後橫越圖案化器件MA建立顯著電壓相關聯的潛在問題。如上文所提及，應理解，此效應並非二元的，且若提供不足電荷，則仍可建立一些(減小之強度)場。然而，應理解，甚至電壓放大之減小(而非完全避免)可為有益的，尤其是在電壓因此始終維持低於(約250V)之氫之最低帕申限制的情況下。

此外，可在夾具100與圖案化器件MA之分離期間的各個時間提供自由電荷。實際上，應理解，當圖案化器件MA被夾持時，自由電荷可難以在相鄰表面之間穿透。因此，可存在供最佳地提供自由電荷之有效最小分離度。此分離度將取決於所需穿透深度(亦即，自由電荷應在夾具與圖案化器件之分離表面之間穿透以提供有效電荷中和的距離)。

最小分離度亦可為電壓之函數(該電壓在分離度增大期間增大，如上文所描述)。舉例而言，在分離表面之間的電壓小(例如為零)的情況下，電荷歸因於隨機擴散及表面複合而將不穿透至小間隙中。然而，在分離表面之間存在顯著電壓的情況下，亦將在夾具100及圖案化器件MA周圍之(中性)環境與夾具100及圖案化器件MA之具有增大之電壓的表面之間產生場。任何此類場可用以致使具有適當正負號之自由電荷被吸入至分離表面之間的體積中。此場之效應通常將更強於自由電荷之隨機擴散，從而導致與不存在場之情形相比，電荷更深地穿透至體積中。對於大約1 mm之穿透深度，允許電荷穿透至夾具區域之最小間隙可例如為大約100微米。

應理解，在圖案化器件MA之實體邊緣(或圖案化器件之削邊)與導電塗層128之開始部分之間可存在某一距離。此距離可約為1 mm。因而，小於1 mm之電漿穿透深度將僅將自由電荷提供至圖案化器件MA之非導電表面，而不提供至導電塗層128。導電塗層128可充當在放電期間可局部地且在極短時間內被釋放的電荷之儲集器。因而，在分離期間將自由電荷提供至導電塗層128以便中和任何電荷不平衡性係有益的。

亦應理解，在分離組件之間的電壓差超過危險位準(例如250 V)之前提供自由電荷可為有益的。因此，可存在供最佳地提供自由電荷之有效最大分離度。應提供電荷之最大分離距離將取決於多個因素而變化。

舉例而言，夾具100與圖案化器件MA之平行表面之間的初始分離度為一個此類因素。此初始分離度可為大約10微米(其對應於瘤節106之高度，此意謂在瘤節106之頂部與圖案化器件MA之表面之間存在直接接觸)。應理解，電容將與夾具100及圖案化器件MA之平行表面的分離度(而非瘤節與圖案化器件MA之間的分離度，其最初為零)成反比地改變。因此，對應於危險的電壓位準之分離度將取決於初始分離位準。亦即，當瘤節接觸圖案化器件時之夾具100與圖案化器件MA之平行表面之間的分離度(例如10微米「分離度」)與當圖案化器件已移動遠離夾具時之夾具100與圖案化器件MA之平行表面之間的分離度之比率將大體上等於彼兩個組態中之電容之比率之倒數。

另外，對應於危險的電壓位準之分離度亦將取決於夾具之部件與經夾持圖案化器件之間的電壓不平衡性。舉例而言，應理解，夾持通常由相反電壓經施加至之多個電極來達成。此等電壓有效地相互平衡，從而導致圖案化器件經維持處於為零之標稱總體電壓(即使在將為±1 kV至10 kV之夾持電壓施加至每一夾具電極時)。然而，亦應理解，可在每電極之確切夾持電壓之間或在每電極之電容方面發生變化。此等因素中之任一者可導致與圖案化器件整體上之電壓中性之偏差。替代地或另外，可例如存在藉由來自存在於夾具之瘤節之間的帶電粒子之微放電進行之電荷轉移。另外，各種替代的電荷轉移機構可導致一旦已自夾具100移除夾持電壓，淨電荷及相關聯電壓就保持於圖案化器件上。

在一實施例中，若假定任何電壓不平衡性小於約~10 V (或2 kV夾持電壓之~0.5%)且應防止組件之間的電壓超過200 V(以最小化放電風險)，則可准許不到20倍之電壓放大。此將要求在分離度(平行表面之間，而非瘤節尖端之間)已增加20倍之前提供補償自由電荷。在其中在夾持期間之標稱分離度為10 µm之此類實例中，約200 µm之分離度可被認為待最佳地提供自由電荷之有效最大分離度。

當然，應理解，提供自由電荷之有效最大及最小分離度將取決於許多特性，且將在不同設備組態及操作條件之間變化。更一般而言，應理解，可在選定之時間產生自由電荷，以便在靜電夾具與先前夾持(及隨後釋放)之組件之間的電位差超過臨限值之前提供電荷以減小(或限制)該電位差。在一實施例中，在分離度已開始增大之前提供自由電荷，直至已經過最小分離度之後的點。在一替代實施例中，在分離度已超過最大分離度之前提供自由電荷，直至已經過最大分離度之後的點。在一替代實施例中，在分離已達到最小分離度之前提供自由電荷，直至已經過最大分離度之後的點。

除了將與氫電漿相關聯的自由電荷用作以上所描述之電荷源以外，在一替代實施例中，自由電荷亦可用以實現靜電夾具100之清潔。

應理解，粒子可變得沈積於靜電夾具100之表面上，例如沈積於瘤節106之間。此類粒子可對夾具效能有害。舉例而言，此類粒子可促使靜電夾具100之絕緣體與經夾持圖案化器件MA之表面之間的電荷轉移。此電荷轉移可產生靜電夾具100之額外黏著，即使已自電極移除夾持電壓時亦如此。舉例而言，粒子可變得沈積至絕緣體上，從而導致電荷保持於夾具表面處。此經截留電荷可導致在經夾持圖案化器件MA之極化塗層中誘發對應的鏡面電荷。

應理解，經截留於靜電夾具100之表面上之任何粒子可導致來自此類粒子之尖端(其可具有尖銳特徵)之場發射，從而導致朝向圖案化器件MA之正極化塗層128發射電子串流(假定負偏壓電壓經供應至與該等粒子相鄰之電極)。替代地，可藉由氫之正離子或負離子(或實際上供應於圖案化器件與靜電夾具100之間的間隙中之任何其他氣體)來轉移電荷。應瞭解，可在可具有超過100 MV/m之強度之場中發生穿隧電離。以此方式產生之離子可接著被吸引至圖案化器件MA之極化塗層128。

亦應注意，存在於圖案化器件MA之導電塗層128之表面處的任何粒子將很可能轉移至靜電夾具100之絕緣表面。詳言之，粒子應被理解為在存在交變電場的情況下與黏附至導電表面相比更強地黏附至絕緣表面。

圖14更詳細地展示粒子與靜電夾具100及圖案化器件MA之帶電表面之間的一些相互作用。詳言之，圖14展示靜電夾具100之一部分及圖案化器件MA之一部分的截面。在夾具/圖案化器件界面之不同部分處更詳細地說明了若干不同粒子相關之事件。在所說明之實施例中，電極104A係負偏壓的，而電極104B係正偏壓的。場線係由實線箭頭F指示。

在第一區X中，粒子X1最初與圖案化器件MA之表面相關聯。粒子X1係由在電極104A與圖案化器件MA之表面208之間產生之靜電場推動，以朝向靜電夾具100之本體移動。應理解，粒子X1最初帶正電荷且因此朝向負偏壓電極104A被吸引。

相似地，另一粒子Y1 (此時帶負電荷)在區Y處加以說明。該粒子Y1最初與圖案化器件MA之表面128相關聯，且最初帶負電荷。在電極104B處之正電壓之影響下，粒子Y1朝向靜電夾具100之絕緣表面被推動。

在區W處，可看到來自粒子W1上之尖銳特徵之場發射造成電子待發射至圖案化器件MA之導電表面128。此製程可導致正電荷W2之區保持在夾具表面處，且亦可導致在帶電粒子與電極之間產生吸引力。

在區V處，粒子V1位於靜電夾具100之絕緣表面上。穿隧電離可發生於粒子V1處，從而導致產生負離子。詳言之，電子可在由電極104A之極化產生之場下自夾具表面穿隧通過粒子之電位障壁。此製程可導致產生負離子，且正電荷V2保持在夾具表面處。

在另一區Z中，與夾具100表面相關聯之粒子Z1可經受穿隧電離(例如藉由電子自粒子穿隧至夾具表面)，從而導致產生正離子，且負電荷Z2保持在夾具表面處。在電極104B與圖案化器件MA之間建立的場之影響下，任何此類正離子皆將被吸引至圖案化器件MA。因此，正離子(及相關聯電荷)可被轉移至圖案化器件。

應理解，以上參看圖14所描述之各種情境說明可在圖案化器件MA與靜電夾具100之間的界面處發生之若干不同情形，但並非詳盡的。然而，可藉由使用自由電荷源而在一定程度上減輕此等情境中之每一者(及未被說明之其他情境)。舉例而言，電離源(例如VUV源S或EUV源SO)可用作移動電荷源以補償與以上所描述之各種情境相關聯的累積電荷中之一些。此外，電荷補償亦可用以清潔來自靜電夾具之經截留粒子。

現在將參看圖15a至圖15e描述藉以可清潔靜電夾具之製程。在圖15a中，再次展示靜電夾具100之一部分。在此實例中，僅展示兩個電極104A、104B。然而，應理解，該靜電夾具100可對應於以上參看圖3所描述之靜電夾具。在圖15a中所展示之初始狀態中，靜電夾具100無偏壓。粒子P1及P2被截留於夾具100之表面上。粒子P1與電極104A相鄰，而粒子P2與電極104B相鄰。電離源S與夾具100相鄰地提供，且最初去激勵使得不發射VUV，且不產生氫電漿。

現在參看圖15b，其展示靜電夾具100之清潔製程中之第一步驟：激勵源S，以便產生電漿P。電漿P橫越靜電夾具100之表面延伸，且隨著距源之距離增加而具有減小之強度。同時，激勵電極104A及104B使得電極104A係負偏壓的，且電極104B係正偏壓的。

電漿P之自由電荷與施加至夾具100之偏壓結合導致電荷被吸引至夾具100之與電極104A、104B中之每一者相鄰的表面。正電荷Q1與電極104A相鄰地形成，而負電荷Q2與電極104B相鄰地形成。經截留粒子P1、P2將由被吸引至夾具表面之電荷Q1、Q2充電。

在以上參看圖15b所描述之製程期間施加至電極104A、104B之電壓可低於典型夾持電壓。舉例而言，夾持電壓可為大約1 kV至5 kV，而在清潔操作期間供應至電極之電壓可例如介於約0.1 kV至2 kV之間。

圖15c說明靜電夾具100之清潔製程的另一階段。清潔倍縮光罩160與靜電夾具100相鄰地提供。該清潔倍縮光罩160包含本體162，該本體塗佈有導電層164，且最後塗佈有絕緣層166。絕緣層可由絕緣材料，諸如(例如) Kapton形成。為了將清潔倍縮光罩160夾持至靜電夾具100，可將零電壓施加至電極104A及104B。為了釋放粒子P1、P2，可將電壓暫時施加至電極104A、104B，如圖15c中所展示。然而應注意，在圖15c中所展示之組態中供應之偏壓電壓相對於圖15b中所展示之偏壓電壓反轉。亦即，將正電壓供應至電極104A，而將負電壓供應至電極104B。源S不再被激勵。

一旦已建立此等新電場，先前存在於夾具100之表面處之任何電荷就將受到施加至電極104A、104B之經反轉偏壓電壓排斥。此將導致粒子P1、P2自夾具表面排斥，且沈積於清潔倍縮光罩160之表面上。亦即，在圖15b處之充電製程期間累積於粒子P1、P2上的電荷用以使得粒子在圖15c中所展示之步驟中移動。電荷Q1、Q2亦將受到施加至電極104A、104B之電壓排斥。然而，在不存在經由其移動之導電介質的情況下，電荷Q1、Q2可保持於夾具100之表面上。

現在參看圖15d，自靜電夾具100移除清潔倍縮光罩160以及沈積於清潔倍縮光罩160之表面上之粒子P1及P2。為了移除(亦即鬆開)清潔倍縮光罩160，可施加如圖15b中所展示之電壓，亦即，激勵電極104A及104B使得電極104A為負偏壓的，且電極104B為正偏壓的。隨後，如圖15d中所展示，移除施加至電極104A、104B之電壓。應注意，經截留表面電荷Q1、Q2仍可保持於靜電夾具100之表面處。

現在轉而參看圖15e，在清潔製程之最終階段中，可藉由再次由源S產生電離場以便提供電漿P來移除存在於夾具100之表面上之任何殘餘電荷。當在不存在施加至電極104A、104B之任何偏壓的情況下提供電漿P時，靜電夾具100之表面上之殘餘電荷Q1、Q2可由該電漿之自由空間電荷中和。亦即，夾具100之絕緣體上之任何殘餘電荷可被移除。

以上所描述之清潔製程亦可藉由亦用於微影曝光之EUV源SO來執行。然而，在以上參看圖14a至圖14e所描述之製程中使用單獨的電離源S而非初級EUV源SO可特別有益，此係由於此允許產生移動電荷(例如氫電漿)以自EUV源SO之操作解耦。另外，使用單獨的源S允許在不可得到EUV之區中或在與EUV源隔離之體積中產生補償移動電荷。此允許在與對於EUV源SO (其可例如在約1 Pa至10 Pa之壓力下操作)典型的壓力相比更低之壓力下(例如，在介於約0.0001 Pa至1 Pa之間的壓力下)下執行電荷補償。因而，次級電離源之使用本質上可更清潔(基於存在可用之較高真空位準)。此外，次級電離源之功率可易於經調諧及最佳化以用於清潔效能。

亦應理解，將靜電夾具之清潔自EUV源SO之操作解耦允許在微影設備之較小體積中，而非在投影系統中進行清潔製程。在並不需要抽空源SO、照明系統IL及投影系統PS之整個體積，且僅夾具經清潔之區需要維持處於真空之較低位準的條件下，此操作促成在較低真空環境中工作之能力。

以上所描述之清潔製程包括若干步驟。然而應瞭解，此等步驟並非皆為必需的。舉例而言，可省略清潔倍縮光罩。可藉由在不存在倍縮光罩時倒轉夾具電極之極性來排斥任何經截留電荷。此製程可導致粒子被拋出至夾具周圍之環境中。因而，可較佳在除操作性微影設備之外的環境中進行此製程。可在專業化清潔工具內進行此清潔。

此外，以上所描述之清潔倍縮光罩被描述為包含由面向夾具之薄介電層覆蓋之金屬表面層。然而，金屬層及介電層兩者係可選的。然而應理解，面向夾具之介電層之使用可向入射於清潔倍縮光罩上之任何粒子提供最大粒子黏著力。詳言之，此類帶電粒子將由庫侖吸引力被吸引至介電質表面，且將維持其電荷(歸因於該介電質表面)，從而導致在介電層下方之金屬表面中誘發鏡面電荷。

在前述描述中，描述了各種實施例，其中EUV誘發之電漿，或由次級電離源產生之電漿可用以減小微影設備(或相關聯工具)中之高自由空間場可導致問題之範圍。此類自由空間場在EUV功率之斜升期間及在靜電夾具之再極化期間可變得有問題。然而，藉由使用在適當時間產生之自由電荷，如上文所描述，可減輕或避免與此等事件相關聯的負面影響。

此外，提供至靜電夾具及圖案化器件之EUV功率之逐漸增加可用以允許任何自由空間場逐漸崩潰，而非提供電荷載流子之突然流入，其可導致高暫態電流及相關聯問題(例如放電、粒子產生)。此效應(亦即，夾具處之EUV功率之逐漸增加)可藉由用以阻擋EUV照射於圖案化器件MA上之遮蔽葉片之逐漸移動引起。此控制可用以調變在夾具之極化期間或在夾具之再極化期間的自由電荷(亦即離子或電子)至夾具之供應。再次，此允許以平滑控制方式移除或減小自由空間場，而非突然改變。

另外，可在圖案化器件處置工序(例如，圖案化器件移除)期間使用EUV誘發之電漿或由次級電離器產生之電漿，以防止與電壓放大相關聯的負面影響，該電壓放大係歸因於與各種隔離系統組件之間的增加之分離度相關聯的電容之改變。

此外，自由空間電荷之使用已被論證為提供一種機構，藉由該機構可清潔靜電夾具以便自夾具之表面移除經截留粒子。可與經專門設計之犧牲清潔倍縮光罩結合來執行此製程。

應理解，以上所描述之實施例包括多個顯著優點。此外，在一些實施例中，可在無需修改現有微影系統之結構的情況下達成以上所描述之優點。亦即，在一些實施例中，可以新方式使用現有EUV源，以與通常狀況相比在曝光循環內之不同的時間提供能量。此配置可實施於現有設備中，而無需顯著硬體修改，其中僅具有控制工序之改變。此外，可實施對以上所描述之操作協定之修改之性質，而不顯著影響現有設備之產出率。因而，可在現有曝光循環之間進行操作工序之改變，而對循環長度無顯著影響。

另外，上文所描述之用於清潔靜電夾具之清潔機構可避免或至少減小與經截留於夾具表面上之粒子相關聯的負面結果。亦即，當在經夾持表面之間存在粒子時，經截留粒子(其亦可導致存在經截留電荷)可導致不可預測或漂移的夾持力。

另外，上文所描述之夾具清潔序列可用以在夾具並未用於主動式微影設備內時清潔該夾具。亦即，外部或次級電漿源之使用可確保可有效地清潔夾具，而不干涉微影設備之正常操作。另外，在不依賴於正用以輔助清潔製程之EUV源的條件下，其亦允許在微影設備出於其他目的(例如常規維護)而離線時執行夾具清潔。

如上文所論述，靜電夾具包含電極，該電極被供應有夾持電壓以便產生電場，該電場允許夾持圖案化器件(亦即倍縮光罩)。靜電夾具可包含一對電極：一個正電極及一個負電極。供應至電極之夾持電壓可約為±1 kV至10 kV，例如±2 kV。正電極與負電極之配對意謂圖案化器件之表面處之電壓大致為零，亦即，該等表面保持處於大致處於正電極電壓與負電極電壓中間的電壓。然而，與各種因素相關聯之容差可意謂圖案化器件表面處之電壓與系統之其餘部分相比實際上並不處於零伏特。取而代之，可存在電壓不平衡性，其可導致圖案化器件上之電荷積聚。應瞭解，更一般而言，圖案化器件可被稱作組件。

電極塗佈有具有大致100 µm之厚度的具有超低熱膨脹係數(例如由Corning製造之ULE®)之材料。如上文所描述，夾具可包含具備突起部(其可被稱作瘤節)之大體上平面表面。該等突起部可確保即使在夾持期間，夾具之大體上平面表面與圖案化器件之夾持表面之間的分離度亦超過最小值(例如10微米)。然而，在夾持期間，應理解，該等突起部之表面將與經夾持圖案化器件接觸，且因此，在夾持期間，夾具之表面與圖案化器件之表面之間的最小分離度為零。夾具之大體上平面表面與圖案化器件之經夾持表面之間的間距判定電極至圖案化器件之電容耦合。由於高電壓放大器至電極之輸出之容差或個別電極電容之容差(例如，由於塗佈材料(例如ULE)在微米範圍內之變化之厚度)，圖案化器件之表面電位可偏離零直至約10 V。作為一實例，在至第一夾持電極之為2 kV之高電壓放大器輸出之0.1%容差內的偏差可導致高達4 V存在於圖案化器件之表面上。相似地，電極上之塗佈材料之厚度(100 µm)之±1 µm的偏差(亦即1%)可導致更顯著不平衡性。

與處於非零電壓之圖案化器件相關聯的一個問題為：帶電粒子可被吸引至圖案化器件表面，此可導致成像缺陷。另外，在EUV曝光期間處於非零電壓之圖案化器件可導致電荷累積於圖案化器件之背面處。舉例而言，在EUV接通時段期間，可藉由EUV輻射與存在於掃描器中之氣體之相互作用產生電漿(例如氫電漿)。電漿包含自由電荷(離子)，該等自由電荷由於由夾具產生之電場而可轉移至圖案化器件之表面，尤其是背面。亦即，若圖案化器件之表面在EUV曝光期間處於非零電壓，則在系統之接地部件與該非零圖案化器件之間建立之電位場將致使產生於電漿內之自由電荷流向(或遠離)該圖案化器件，從而導致其變得帶電(帶正電或帶負電)。隨後，當移除夾持電壓時(且當電漿不再存在時)，累積於圖案化器件之表面上之殘餘電荷可繼續存在，從而導致圖案化器件與系統之其他部件(諸如(例如)系統之連接至地面之部件)之間的電位差。

如上文所論述，與處於非零電壓之圖案化器件相關聯的另一問題為：在圖案化器件之卸載期間，保持於圖案化器件表面上之任何電荷會在其中誘發電壓，該電壓隨著圖案化器件移動遠離夾具而顯著放大(且電容因此減小)。此可導致圖案化器件之背面(亦即，面向夾具之側面)與系統之附近接地部件之間的放電。此外，存在於圖案化器件之前表面上之粒子可以高速度自該表面噴射且造成系統內之損壞。因此，需要提供用於減輕上文所闡明之問題中之一或多者之方法。

為了解決粒子至圖案化器件(倍縮光罩)之靜電吸引及/或在卸載期間之電壓放大及放電的挑戰，提議使圖案化器件接地(亦即通地)使得與圖案化器件相關聯之淨電壓為零伏特。詳言之，可較佳提供圖案化器件之「虛擬接地」。換言之，可需要藉由調整靜電夾具中之電極之個別電壓而平衡橫越圖案化器件所誘發之電壓以產生總共零伏特，而非向圖案化器件提供實體接地連接。以此方式，不需要額外硬體且不存在實體接地連接丟失之風險。

在用於提供虛擬接地之第一方法中，如圖16中所說明，在步驟200處，例如使用參看圖9a及圖9b所描述之交換總成與靜電夾具相鄰地提供圖案化器件。接著在步驟202處控制靜電夾具，使得圖案化器件夾持至靜電夾具。詳言之，可將第一夾持電壓供應至夾具之第一電極，藉此誘發用以將圖案化器件夾持至夾具之電場。

在步驟204處，使圖案化器件經受EUV輻射之曝光，且接著在步驟206處自靜電夾具附近釋放及移除圖案化器件。如上文所描述，在夾持及曝光期間，電荷可累積於圖案化器件之背面處。亦如尤其參看10至圖13所描述，隨著圖案化器件移動遠離夾具，與圖案化器件之表面(例如圖案化器件之背面)相關聯的電壓可顯著增加。在步驟208處量測此電壓。應瞭解，可替代地量測與圖案化器件之一不同部分相關聯之電壓。舉例而言，可量測與圖案化器件之正面相關聯之電壓。如上文尤其參看圖12c所論述，正面電壓可小於背面電壓。舉例而言，由於圖案化器件之內部電容，正面電壓可比背面電壓小約五倍。

基於經量測電壓，在步驟210處判定對第一夾持電壓之調整。應理解，可使用任何經量測之偏移電壓以演算調整電壓。在經判定調整為非零之情況下，在步驟212中，可根據該經判定調整來調整第一夾持電壓。舉例而言，可調整連接至第一電極之高電壓放大器之輸出。應瞭解，可依據待加至電極電壓或自電極電壓減去之電壓，或當前電壓之百分比改變，或高電壓功率放大器之增益之改變，或如對於熟習此項技術者而言顯而易見之任何其他合適項來判定該調整。以此方式，有可能確保圖案化器件中誘發之電壓在零伏特下平衡。

應瞭解，靜電夾具可包含多於一個電極，詳言之，夾具可包含兩個至n 個電極。在此狀況下，步驟210亦包含判定對第二至第n 夾持電壓之調整，且步驟212可包含根據經判定調整來調整第二至第n 夾持電壓中之任一者或全部。舉例而言，若判定在夾持期間使倍縮光罩表面保持處於+4 V之電壓，則可自正及負夾持電極中之每一者之夾持電壓減去4 V。替代地，可僅對經組態以引起倍縮光罩表面處之電壓的具有某量值及方向之正(或負)夾持電極進行調整，該倍縮光罩表面如上文所提及處於該等夾持電極之電位之間大體上中間的電壓，以接近零伏特。

為了驗證已進行正確調整，可重複該方法。應瞭解，可在驗證方法期間使用同一圖案化器件。替代地，可使用另一圖案化器件。可重複此驗證製程直至判定令人滿意的後果(例如，直至在夾持期間在圖案化器件中誘發之電壓大體上為零，或低於預定臨限值)。

在一些實施中，在圖案化器件由夾具夾持時進行電壓之量測。圖17中示意性地展示此實施之實例流程圖。可使用圖18中所展示之系統來進行該方法。

圖18中所說明之系統基本上對應於圖9a中所展示之系統且在上文加以詳細論述。詳言之，圖18之系統包含圖案化器件MA夾持至之夾具100。在此特定組態中，夾具100包含四個電極104A、104B、104C及104D。經夾持圖案化器件MA被展示為與交換總成150間隔開。圖案化器件MA包含面朝交換總成150之正面126及與夾具100相鄰之背面128。該交換總成包含支撐支撐結構154之交換器件152。交換總成150經組態以使圖案化器件MA朝向及遠離夾具100移動，例如以使能夠用替代圖案化器件交換圖案化器件MA或能夠清潔圖案化器件MA。

返回參看圖17，在步驟300處，與夾具相鄰地提供圖案化器件。再次，此可使用交換總成150來達成。在後續步驟302處，控制夾具以夾持圖案化器件。詳言之，可將第一夾持電壓供應至夾具之第一電極，藉此誘發用以將圖案化器件夾持至夾具之電場。系統包含電壓監視器180，其經組態以量測與圖案化器件之一部分相關聯之電壓。在此方法之一些實施中，與圖案化器件之一部分相關聯之經量測電壓為正面電壓。在一些實施中，電壓監視器180可為與圖案化器件之正面接觸的交換總成150之一部分，如圖18中所說明。然而，電壓監視器180可位於系統內之任何合適的部位處。在一些實施中，電壓監視器180可為靜電伏特計。靜電伏特計可經配置以在不與圖案化器件之正面接觸的情況下量測與圖案化器件之正面相關聯之電壓，藉此避免電荷在量測期間轉移至圖案化器件(或自圖案化器件轉移)。相似量測配置(亦即使用靜電伏特計)可用以在以上所描述之離線方法期間量測圖案化器件之正面或背面之電壓。當然應瞭解，圖18中所展示內容僅僅為示意性說明。詳言之，應理解，自電壓監視器180至圖案化器件之正面之所描繪連接用以說明圖案化器件之正面之電壓正被量測，但未必暗示自電壓監視器180至圖案化器件之實體連接。如上文所論述，電壓監視器180可為經配置以量測與圖案化器件之正面相關聯之電壓，而不與其實體接觸的靜電伏特計。

與以上所描述之離線方法形成對比，在此實施中，在步驟304期間，在圖案化器件由夾具夾持時，發生電壓量測。基於經量測電壓，在步驟306處判定對第一夾持電壓之調整。若經判定調整為非零，則在步驟308處調整第一夾持電壓。在調整步驟308之後，該方法返回至量測與圖案化器件之部分相關聯的電壓之步驟。量測電壓且判定調整。以此方式，可驗證是否已對第一夾持電壓進行合適調整。應瞭解，若經判定調整為零，則方法可在步驟306之後結束。替代地，可在適當時間間隔下採取進一步電壓量測以確保虛擬接地保持正確。舉例而言，可在EUV曝光之間藉由與圖案化器件相鄰地提供交換總成，而不自夾具移除圖案化器件來週期性地執行進一步量測。

應瞭解，在靜電夾具具有多於一個電極(例如兩個至n 個電極)，每一電極具有其自有夾持電壓的情況下，步驟306亦可包含基於經量測電壓判定對第二…第n 夾持電壓之調整。同樣地，步驟308可包含根據該經判定調整來調整對第二…第n 夾持電壓中之任一者或全部。

應進一步瞭解，步驟300、302、304及306分別對應於圖16中所說明之方法之步驟200、202、208及210。由於即時地執行圖17中所說明之方法，故不需要使圖案化器件經受EUV曝光以便將電荷「固定」於圖案化器件上之適當位置以供量測，此與在圖16中所說明之離線方法中不同。然而，當然應瞭解，圖17之方法可包括作為可選步驟之EUV曝光。在此狀況下，若電壓監視器180形成交換總成150之部分，則交換總成150將必須包含孔隙以便允許EUV輻射到達經夾持圖案化器件。替代地，若電壓監視器180形成另一系統組件之部分，則交換總成可經移動遠離圖案化器件使得EUV輻射可在不受到交換總成阻礙的情況下到達圖案化器件。應進一步瞭解，可使用由除EUV曝光之外的替代構件產生之自由電荷以將電荷提供至經夾持圖案化器件(例如次級電離源)。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何設備的部件。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。實際上，本發明之實施例可形成使用靜電夾具的任何設備之部件。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光、聲或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅係出於方便起見，且此等動作事實上起因於計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等且在執行此操作時可使致動器或其他器件與實體世界互動之其他器件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

10‧‧‧琢面化場鏡面器件

11‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

13‧‧‧鏡面

14‧‧‧鏡面

100‧‧‧靜電夾具

102‧‧‧夾具本體

104A‧‧‧夾具電極/初級電極/負偏壓電極

104B‧‧‧夾具電極/初級電極

104C‧‧‧夾具電極/初級電極

104D‧‧‧夾具電極/初級電極

106‧‧‧瘤節

108‧‧‧區/夾具突起部/夾具耳狀物

110‧‧‧區/夾具突起部/夾具耳狀物

114A‧‧‧次級電極/靜電夾具電極

114B‧‧‧次級電極/靜電夾具電極

114C‧‧‧次級電極/靜電夾具電極

114D‧‧‧次級電極/靜電夾具電極

120‧‧‧基板

122‧‧‧第一平面表面

124‧‧‧第二平面表面

126‧‧‧導電塗層

128‧‧‧導電塗層/正極化塗層/導電表面

140‧‧‧遮蔽葉片

142‧‧‧遮蔽葉片

144‧‧‧遮蔽葉片

146‧‧‧遮蔽葉片

150‧‧‧交換總成

152‧‧‧交換器件

154‧‧‧支撐結構

156‧‧‧突起部

160‧‧‧清潔倍縮光罩

162‧‧‧本體

164‧‧‧導電層

166‧‧‧絕緣層

180‧‧‧電壓監視器

200‧‧‧步驟

202‧‧‧步驟

204‧‧‧步驟

206‧‧‧步驟

208‧‧‧步驟

210‧‧‧步驟

212‧‧‧步驟

300‧‧‧步驟

302‧‧‧步驟

304‧‧‧步驟

306‧‧‧步驟

308‧‧‧步驟

A-A'‧‧‧線

b‧‧‧間隙/分離度

B‧‧‧EUV輻射光束

B'‧‧‧經圖案化EUV輻射光束

B-B'‧‧‧線

C_b‧‧‧可變電容/電容器

C_d‧‧‧夾具電容/電容器/電容器

C_g‧‧‧可變電容/電容器

C_r‧‧‧固定電容/電容器

F‧‧‧場線

g‧‧‧間隙/分離度/距離

IL‧‧‧照明系統

LA‧‧‧微影設備

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P‧‧‧電漿

P1‧‧‧粒子

P2‧‧‧粒子

Q1‧‧‧正電荷

Q2‧‧‧負電荷

QA‧‧‧掩蔽電荷

QB‧‧‧掩蔽電荷

QC‧‧‧掩蔽電荷

QD‧‧‧掩蔽電荷

Q_b‧‧‧電荷/電荷源

Q_f‧‧‧電荷/電荷源

Q_s‧‧‧電荷/電荷源

S‧‧‧次級源/次級電離源/VUV源

SO‧‧‧輻射源/EUV源

T_A‧‧‧時段/曝光叢發

T_A'‧‧‧曝光前時段/曝光前叢發

T_A''‧‧‧曝光後時段/曝光後叢發

T_B‧‧‧時段/曝光叢發

T_C‧‧‧時段/曝光叢發

T_D‧‧‧時段/曝光叢發

t₀‧‧‧時間

t₁‧‧‧時間

t₂‧‧‧時間

t₃‧‧‧時間

t₄‧‧‧時間

t₅‧‧‧時間

t₆‧‧‧時間

t₁₁‧‧‧時間

t₁₂‧‧‧時間

t₂₀‧‧‧時間

t₂₁‧‧‧時間

t₂₂‧‧‧時間

t₂₃‧‧‧時間

t₂₄‧‧‧時間

t₂₅‧‧‧時間

t₂₆‧‧‧時間

t₂₇‧‧‧時間

t₂₈‧‧‧時間

V‧‧‧區

V1‧‧‧粒子

V_b‧‧‧電壓

V_d‧‧‧電壓

V_g‧‧‧電壓

V_r‧‧‧電壓

+V_C‧‧‧夾持電壓

-V_C‧‧‧電壓

W‧‧‧基板/區

WT‧‧‧基板台

W1‧‧‧粒子

W2‧‧‧正電荷

X‧‧‧第一區

X1‧‧‧粒子

Y‧‧‧區

Y1‧‧‧粒子

Z‧‧‧區

Z1‧‧‧粒子

Z2‧‧‧負電荷

現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：

- 圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統；

- 圖2a至圖2c分別以橫截面圖、平面圖及截面圖描繪在圖1中所展示之微影設備內使用的靜電夾具；

- 圖3描繪在曝光至EUV輻射期間之圖2之靜電夾具周圍的電漿密度之模擬；

- 圖4a及圖4b分別描繪先前技術微影設備之曝光序列及夾具極化序列；

- 圖5a及圖5b分別描繪根據本發明之一實施例的微影設備之曝光序列及夾具極化序列；

圖6a及圖6b分別描繪根據本發明之一實施例的微影設備之替代曝光序列及夾具極化序列；

圖7a及圖7b分別描繪根據本發明之一實施例的微影設備之另一替代曝光序列及夾具極化序列；

圖8a至圖8c分別以橫截面圖、平面圖及截面圖描繪在根據本發明之替代實施例之微影設備內使用的靜電夾具；

圖9a及圖9b描繪在圖案化器件卸載製程期間在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具及圖案化器件；

圖10描繪在圖案化器件卸載製程期間在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具及圖案化器件之移動序列；

圖11描繪在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具及圖案化器件之等效電路模型；

圖12a至圖12c描繪在圖10之移動序列期間之圖9之等效電路的模擬特性；

圖13描繪在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具及圖案化器件之等效電路模型；

圖14描繪在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具及圖案化器件；圖15a至圖15e描繪用於在根據本發明之實施例之微影設備內使用的靜電夾具之清潔製程；

圖16描繪根據一實施例的用於提供圖案化器件之虛擬接地之方法的流程圖；

圖17描繪根據另一實施例的用於提供圖案化器件之虛擬接地之替代方法的流程圖；及

圖18描繪具有包含根據本發明之實施例之電壓監視器之支撐總成的靜電夾具及圖案化器件。

Claims

一種設備，其包含用於夾持一組件之一靜電夾具，及用於與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷之一機構：其中用於產生自由電荷之該機構經組態以在自該靜電夾具之一第一激勵狀態至該靜電夾具之一第二激勵狀態之一轉變期間與該靜電夾具相鄰地產生自由電荷。
如請求項1之設備，其中：該靜電夾具包含經組態以夾持該組件之一夾持區；且當一組件被夾持時，在該夾持區與該組件之間產生一夾持電場。
如請求項2之設備，其中：該靜電夾具進一步包含一非夾持區；且當一組件由該夾持區夾持時，在該非夾持區周圍產生一次級電場。
如請求項2或3之設備，其中該靜電夾具包含至少一個電極，其中當一組件由該靜電夾具夾持時，一夾持電壓經施加至該至少一個電極使得在該夾持區與該組件之間產生該夾持電場。
如請求項4之設備，其中該靜電夾具進一步包含經組態以提供至該至少一個電極之一電連接之至少一個接點，其中用於產生自由電荷之該機構經組態以在自該靜電夾具之該第一激勵狀態至該靜電夾具之該第二激勵狀態之該轉變期間與該至少一個接點相鄰地產生自由電荷。
如請求項4之設備，其中在該第一激勵狀態中，具有一第一極性之一電壓經施加至該至少一個電極，且在該第二激勵狀態中，具有與該第一極性相反的一第二極性之一電壓經施加至該至少一個電極。
如請求項1至3中任一項之設備，其中該夾具經組態以使得在該第一激勵狀態及該第二激勵狀態中之每一者中，一組件可由該靜電夾具夾持。
一種微影設備，其經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上，其中該微影設備包含如請求項1至7中任一項之設備，且其中該圖案化器件包含待夾持之該組件。
如請求項8之微影設備，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；其中該靜電夾具經組態以夾持該圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；其中該微影設備經組態以執行複數次成像曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上，且在此期間該經圖案化輻射光束投影至該基板上，該靜電夾具經組態以在該等成像曝光期間夾持該圖案化器件；且在該複數次成像曝光之連續成像曝光之間，該靜電夾具經組態以自該第一激勵狀態轉變至該第二激勵狀態。
一種微影設備，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該支撐結構包含經組態以夾持該圖案化器件之一靜電夾具；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；其中：該微影設備經組態以執行一成像前曝光，在此期間該輻射光束入射於該圖案化器件上，且在此期間無輻射投影至該基板上，其中入射於該圖案化器件上之輻射之量在該成像前曝光期間逐漸增加；且該微影設備經組態以執行一成像曝光，其中由該圖案化器件圖案化之該輻射光束投影至該基板上。
如請求項10之微影設備，其中該成像前曝光包含一叢發，該叢發包含複數個輻射脈衝。
如請求項11之微影設備，其中在該成像前曝光期間之輻射之該量的該逐漸增加經組態為遍及複數個該等輻射脈衝提供。
如請求項12之微影設備，其中在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加經組態為遍及至少1000個輻射脈衝提供。
如請求項11至13中任一項之微影設備，其中在該成像前曝光期間之輻射之該逐漸增加經組態為遍及複數個該等輻射脈衝大體上線性地提供。
如請求項10至13中任一項之微影設備，其中在具有一預定持續時間之該成像前曝光之一第一部分期間，該輻射光束受控制以將輻射之一第一劑量遞送至該圖案化器件，該第一劑量包含在該成像曝光之一第一部分期間遞送至該圖案化器件之輻射之一成像劑量的不到約10%，該成像前曝光之該第一部分具有該預定持續時間。