TW201942705A - 電感用芯、電子筆用芯體部、電子筆及輸入裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之電感用芯包含由磁性體構成且含有氣孔之筒狀之磁性體本體10，磁性體本體10具有：傾斜部11，其具有自磁性體本體10之一端10a朝向另一端10b外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面11a；及直體部12，其位於與傾斜部11同軸上，具有自另一端10b朝向一端10a延伸且形成圓筒體之周面之外周面12a，且與傾斜部11連接；傾斜部11中之氣孔之重心間距離之平均值與傾斜部11中之氣孔之平均直徑之差小於直體部12中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12中之氣孔之平均直徑之差。
Description
本發明係關於一種電感用芯、電子筆用芯體部、電子筆及輸入裝置。
於檢測配設有位置檢測感測器之平板電腦及顯示器等中之位置，而將位置資訊輸入至PC(Personal Computer，個人電腦)及智慧型手機等之輸入裝置中，為了指示位置檢測感測器上之位置，而使用電子筆。
可藉由使位置檢測感測器與電子筆之間利用電磁感應耦合方式、或靜電感應耦合方式等耦合方式進行位置檢測信號之授受，而利用位置檢測裝置進行檢測(例如，專利文獻1)。
此種輸入裝置中所使用之電子筆具有於電子筆之芯體之周圍配設鐵氧體等磁性體而構成之電感用芯。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/183526號公報
[解決問題之技術手段]
本發明之電感用芯包含由磁性體構成且含有氣孔之筒狀之磁性體本體，上述磁性體本體具有：傾斜部，其具有自上述磁性體本體之一端朝向另一端外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面；及直體部，其位於與上述傾斜部同軸上，具有自上述另一端朝向上述一端延伸且形成圓筒體之周面之外周面，且與上述傾斜部連接；上述傾斜部中之氣孔之重心間距離之平均值與上述傾斜部中之氣孔之平均直徑之差小於上述直體部中之氣孔之重心間距離之平均值與上述直體部中之氣孔之平均直徑之差。
本發明之電子筆用芯體部包含：上述電感用芯；及芯體，其插通於上述電感用芯，且以前端部自上述電感用芯之一端突出之方式配設。
本發明之電子筆包含：殼體，其具有開口；及上述電子筆用芯體部；上述電子筆用芯體部收納於上述殼體，且以上述電子筆用芯體部之上述前端部自上述殼體之開口突出之方式、或能夠突出地配設。
本發明之輸入裝置包含上述電子筆、及具備檢測上述電子筆所接近之位置之感測器之位置檢測裝置。
以下，參照圖式，對本發明之電感用芯詳細地進行說明。
圖1係表示第1實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。又，圖2係表示第1實施形態之電感用芯之一例之局部剖視圖。電感用芯1包含由鐵氧體燒結體等磁性體構成之磁性體本體10。
圖1係表示第1實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。又，圖2係表示第1實施形態之電感用芯之一例之局部剖視圖。電感用芯1包含由鐵氧體燒結體等磁性體構成之磁性體本體10。
電感用芯1包含由磁性體構成之筒狀之磁性體本體10，且具有自一端10a朝另一端10b貫通之圓柱狀之筒孔10c。作為構成磁性體本體10之磁性體，例如使用將粉狀或粒狀之鐵氧體等燒結而成者，因此磁性體本體10內部存在多個氣孔。磁性體本體10包含：傾斜部11，其具有自一端10a朝向另一端10b外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面11a；及直體部12，其於與傾斜部11同軸上，具有自另一端10b朝向一端10a延伸之圓筒體之外周面12a，且與傾斜部11連接。
磁性體本體10之一端10a至另一端10b為止之長度例如為5 mm～15 mm左右，筒孔10c之直徑為0.5 mm～2.0 mm左右。直體部12之長度為3 mm～12 mm左右，直體部12之外徑為2.0 mm～3.0 mm左右。傾斜部11之長度為0.5 mm～2.0 mm左右，傾斜部11之一端10a側之外徑為1 mm～2 mm左右，傾斜部11之與一端10a相反之側之外徑係與直體部12之外徑大致相同。如此，傾斜部11係朝向一端10a而前端變細之形狀。
於磁性體本體10之沿著中心軸之剖面中，傾斜部11之外徑自一端10a朝向另一端10b變大。即，傾斜部11係朝向一端10a而前端變細之形狀。傾斜面11a亦可於剖視圖中包含為直線狀之部分之傾斜面11a1及帶圓弧之傾斜面11a2。此時，傾斜面11a1亦可形成圓錐台之周面。又，一端10a附近之傾斜面11a為凸狀之曲面。亦即，傾斜部11之傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b亦可藉由為傾斜面11a之一部分且為凸狀之曲面之傾斜面11a2而連接。
如此，傾斜面11a1與端面11b係藉由為凸狀之曲面之傾斜面11a2連接，因此於例如傾斜部11之端面11b接觸於電子筆之殼體之情形時等，能夠降低破損之可能性。又，於將電子筆放倒而使其接觸於平板電腦等之表面時，存在除了芯體以外，包含磁性體本體10之一端10a在內之前端接觸於平板電腦等之可能性，但由於傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b藉由為凸狀之曲面之傾斜面11a2連接，故而無角部，因此能夠藉由電感用芯1而降低平板電腦等之表面損傷之可能性。
於磁性體本體10之筒孔10c之內周面10e中，傾斜部11側之開口10d附近之內周面10e亦可帶圓弧。內周面10e亦可包含內周面10e1、及連接內周面10e1與傾斜部11之端面11b且為凸狀之曲面之內周面10e2。於筒孔10c之內周面10e1與傾斜部11之端面11b藉由為凸狀之曲面之內周面10e2連接之情形時，當芯體被壓抵於平板電腦等之表面時等，能夠抑制應力之集中，而降低磁性體本體10損傷之可能性，因此能夠實現可靠性較高之電感用芯1。
又，於磁性體本體10之沿著中心軸之剖面中，於將連接傾斜部11之傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b的傾斜面11a2之曲率半徑設為R1，將連接筒孔10c之內周面10e1與傾斜部11之端面11b的內周面10e2之曲率半徑設為R2時，傾斜面11a2之曲率半徑R1亦可大於內周面10e2之曲率半徑R2。傾斜面11a2之曲率半徑R1例如為0.1 mm～0.2 mm，內周面10e2之曲率半徑R2例如為0.02 mm～0.08 mm。
圖3係表示第2實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。與第1實施形態之電感用芯1相比，直體部12與傾斜部11經由凸緣部13而連接之方面不同。磁性體本體10包含：傾斜部11，其具有自一端10a朝向另一端10b外徑變大形成且圓錐台之周面之傾斜面11a；直體部12，其於與傾斜部11同軸上，形成自另一端10b朝向一端10a延伸之圓筒體之外周面12a；及凸緣部13，其位於傾斜部11與直體部12之間，且連接傾斜部11與直體部12。傾斜部11、凸緣部13及直體部12依序自一端10a朝向另一端10b配置，凸緣部13之外周面13a具有大於傾斜部11之傾斜面11a及直體部12之外周面12a之各外徑的外徑。
例如，於除凸緣部13以外之直體部12之外徑為2.1 mm～2.5 mm之情形時，凸緣部13之外周面13a之外徑之最大值為2.12 mm～2.72 mm，自直體部12之外周面12a最大突出0.02 mm～0.22 mm。藉由凸緣部13而直體部12變得不易變形，因此即便對傾斜部11施加力而傾斜部11變形，亦能夠減少直體部12之變形。
此種第1實施形態及第2實施形態中所示之電感用芯1係將下述芯體插通於筒孔10c而使用。芯體係以芯體之前端部變為磁性體本體10之一端10a側之方式插通。由於傾斜部11為尖細之形狀，故而可使磁性體本體10之一端10a更接近藉由電磁感應方式等檢測位置之平板電腦等位置檢測裝置。如此，藉由將磁性體本體10之傾斜部11設為尖細之形狀，而位置檢測裝置之位置檢測精度提高。又，由於磁性體本體10之前端部尖細，故而構成為於芯體因施加於芯體之前端部之力而欲位移時，傾斜部11容易位移。
又，由於形成上述第1實施形態及第2實施形態之電感用芯1之磁性體本體10為燒結體，故而內部包含多個氣孔。於根據重心間距離評估該等氣孔之分佈時，藉由設為傾斜部11中之氣孔之重心間距離之平均值與傾斜部11中之氣孔之平均直徑之差小於直體部12中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12中之氣孔之平均直徑之差之構成，而磁性體本體10之傾斜部11容易根據芯體之變形而變形，且磁性體本體10之直體部12不易變形。
電感用芯1係將芯體插通於磁性體本體10而使用，但於使用時芯體被壓抵於平板電腦等而對前端部施加力。於此種情形時，傾斜部11較直體部12更容易相對於外力而變形，因此電感用芯之傾斜部11容易因應插通於電感用芯之芯體之變形而變形，電感用芯不易損傷，因此能夠實現可靠性較高之電感用芯。
進而，亦可設為直體部12之另一端之附近12c中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12中之氣孔之平均直徑之差大於直體部12之中央部12b中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12中之氣孔之平均直徑之差之構成。若設為此種構成，則直體部12之另一端10b之附近12c處之密度變高，故而磁導率變高，感度提高。又，於線圈捲繞於直體部12之另一端10b之附近12c之外周上之情形時，由於氣孔之每單位面積之個數較少，故而能夠減少脫粒。
氣孔之重心間距離之測定例如如圖4～圖6中所示之顯微鏡照片般，以藉由對直體部12及傾斜部11之沿著軸向之切斷面利用金剛石研磨粒進行研磨所獲得之鏡面作為測定之對象。圖4係傾斜部之剖面之顯微鏡照片，圖5係直體部之中央部附近之剖面之顯微鏡照片，圖6係直體部之另一端之附近之剖面之顯微鏡照片。於圖4～圖6中，由曲線包圍之區域及點狀之部分為氣孔。如此，隨著自傾斜部11朝向直體部12之另一端10b而氣孔之比率變小。
自傾斜部11、直體部12之中央部12b及直體部12之另一端之附近12c分別選擇可自該切斷面平均地觀察氣孔之大小或分佈之部分，且以面積成為3.4×105
μm2
(例如，橫向之長度為680 μm，縱向之長度為500 μm)之範圍之圖像作為觀察之對象，藉由圖像解析軟體「A-IMAGE-KUN」(註冊商標，Asahi Kasei Engineering(股)製造，以下簡單地記載為圖像解析軟體)測定重心間距離。又，氣孔之圓相當徑之測定係以上述圖像作為觀察之對象，藉由圖像解析軟體之粒子解析進行測定。氣孔之重心間距離及圓相當徑可將圖像之氣孔部分視為粒子而進行測定。將圖像解析軟體之設定條件之明度設為暗，將二值化之方法設為手動，將閾值設為60～80，將小圖形去除面積設為0.1 μm2
及設為具有雜訊去除濾波器，於此種解析條件下使用圖像解析軟體進行解析。藉由該解析，求出氣孔之重心間距離及圓相當徑，並分別算出平均值，而求出重心間距離之平均值、圓相當徑之平均直徑。
再者，於上述測定時，將閾值設為60～80，但只要根據作為觀察範圍之圖像之亮度，調整閾值即可，且只要於將粒子之明度設為暗，將二值化之方法設為手動，將小圖形去除面積設為0.1 μm2
及設為具有雜訊去除濾波器之後，以使圖像中出現之標記與氣孔之形狀一致之方式調整閾值即可。
圖7係對電感用芯之傾斜部之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片，圖8係對電感用芯之直體部之中央部附近之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片，圖9係對電感用芯之直體部之另一端之附近之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片。於圖7～圖9中，氣孔係以圖中之黑色部分之區域表示。該等照片中所示之直線係連結相鄰之氣孔之重心點之直線。所謂氣孔之重心點係需要解析之剖面中之各氣孔之區域之重心之位置。可知與傾斜部11(圖7)相比，直體部12(圖8、圖9)之連結氣孔間之直線更長。又，可知於直體部12中，與中央部12b相比，另一端之附近12c之連結氣孔間之直線更長，與磁性體本體10之一端10a側相比，磁性體本體10之另一端10b側之重心間距離更長。
[表1]
若參照表1，則傾斜部11中之氣孔之重心間距離之平均值與傾斜部11中之氣孔之平均直徑之差為36.91 μm，直體部12之中央部12b中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12之中央部中之氣孔之平均直徑之差為48.28 μm，直體部12之另一端之附近12c中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12之另一端之附近中之氣孔之平均直徑之差為71.47 μm。根據該情況，可謂傾斜部11中之氣孔之重心間距離之平均值與傾斜部11中之氣孔之平均直徑之差小於直體部12中之氣孔之重心間距離之平均值與直體部12中之氣孔之平均直徑之差。因此，可謂傾斜部11與直體部12相比柔軟性較高，直體部12與傾斜部11相比剛性較高。
又，磁性體本體10之氣孔之平均直徑亦可為5 μm以下。若氣孔之平均直徑為該範圍，則氣孔變小，其周圍不易成為破壞之起點，因此可提供一種機械強度及破壞韌性較高之電感用芯1。
又，藉由阿基米德法對磁性體本體10之表觀氣孔率進行了測定，結果為0.25%。表觀氣孔率亦可為1.5%以下，藉由將表觀氣孔率設為該範圍，而磁性體本體10變得更緻密，故而能夠獲得機械強度及破壞韌性較高之電感用芯1。上述表觀氣孔率係以JIS C 2141：1992所定義之值。
又，磁性體本體10係由以包含Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物之鐵氧體為主成分之陶瓷構成，以下述式(1)表示之上述陶瓷之平均結晶粒徑之變異係數CV亦可為0.08以上0.3以下。
CV＝σ/x (1)
其中，
x為上述陶瓷之平均結晶粒徑之平均值，
σ為上述陶瓷之平均結晶粒徑之標準偏差。
CV＝σ/x (1)
其中，
x為上述陶瓷之平均結晶粒徑之平均值，
σ為上述陶瓷之平均結晶粒徑之標準偏差。
若變異係數CV為0.08以上，則晶粒之粒徑適當地不均，而於較大之晶粒彼此之間配置較小之晶粒，因此能夠提高破壞韌性。若變異係數CV為0.3以下，則粒徑大於標準偏差之晶粒之比率增加，因此磁導率變高。只要變異係數CV為0.08以上0.3以下，則能夠兼具較高之破壞韌性及較高之磁導率。
尤其是，變異係數CV宜為0.1以上0.2以下。
此處，平均結晶粒徑可以如下方式求出。
首先，對電感用芯1之斷裂面使用平均粒徑D50
為3 μm之金剛石研磨粒於銅盤中進行研磨，然後，使用平均粒徑D50
為0.5 μm之金剛石研磨粒於錫盤中進行研磨。對於藉由該等研磨所獲得之研磨面，將溫度設為950℃並進行蝕刻直至變為能夠識別晶粒與晶界層為止而獲得觀察面。
可藉由如下方法求出平均結晶粒徑，即，於利用掃描式電子顯微鏡將觀察面放大至5000倍所得之155 μm×115 μm之範圍內，以任意點為中心呈放射狀地引出6條相同長度、例如100 μm之直線，用該6條直線之長度除以存在於各條直線上之結晶之個數。
圖13係表示電感用芯之觀察面之一例及直線之引出方法之照片。圖13所示之直線A～直線F分別為長度100 μm之直線，只要使用該等直線求出平均結晶粒徑即可。平均結晶粒徑之平均值、標準偏差及變異係數CV只要對於此種觀察面選擇7個畫面，並以42個平均結晶粒徑為對象而分別算出即可。
又，平均結晶粒徑之峰度(kurtosis)Ku亦可為0以上。
若平均結晶粒徑之峰度Ku為該範圍，則晶粒之粒徑之不均得以抑制，因此氣孔之凝集減少，而能夠減少自氣孔之輪廓或內部產生之脫粒。尤其是，平均結晶粒徑之峰度宜為1以上。
此處，所謂峰度Ku係表示分佈之峰及麓與常態分佈存在何種程度之差異之指標(統計量)，於峰度Ku＞0之情形時為具有尖銳之峰之分佈，於峰度Ku＝0之情形時為常態分佈，於峰度Ku＜0之情形時，分佈成為具有帶圓弧之峰之分佈。
平均結晶粒徑之峰度Ku只要使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)中所具備之函數Kurt求出即可。
又，平均結晶粒徑之偏斜度Sk亦可為0以上。
若平均結晶粒徑之偏斜度Sk為該範圍，則晶粒之粒徑之分佈朝粒徑較小之方向移動，因此氣孔之凝集減少，而能夠進一步減少自氣孔之輪廓或內部產生之脫粒。
此處，所謂偏斜度Sk係表示分佈與常態分佈相比以何種程度偏斜、即分佈之左右對稱性之指標(統計量)，於偏斜度Sk＞0之情形時分佈之麓朝向右側，於偏斜度Sk＝0之情形時分佈為左右對稱，於偏斜度Sk＜0之情形時分佈之麓朝向左側。
平均結晶粒徑之偏斜度Sk只要使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)中所具備之函數SKEW求出即可。
至少傾斜部11包含Mo，Mo亦可相較於晶粒內更多地包含於晶界層中。
若Mo相較於晶粒內更多地包含於晶界層中，則以鐵氧體為主成分之晶粒彼此之耦合力被抑制，因此能夠容易地獲得曲率半徑R1較大之傾斜面11a2。
晶粒內及晶界層中之Mo之含量只要使用穿透式電子顯微鏡及該穿透式電子顯微鏡所附帶之能量分散型X射線分光器(EDS)而進行元素分析即可。
電感用芯1中所使用之磁性體本體10可以如下方式製造。首先，作為起始原料，準備Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物或藉由燒成而生成氧化物之碳酸鹽、硝酸鹽等金屬鹽。此時，作為平均粒徑，例如於Fe為氧化鐵(Fe2
O3
)、Zn為氧化鋅(ZnO)、Ni為氧化鎳(NiO)及Cu為氧化銅(CuO)時，分別為0.5 μm以上5 μm以下。
繼而，當製作由包含Fe2
O3
-ZnO-NiO之煅燒粉體構成之第1原料、及由包含Fe2
O3
-CuO之煅燒粉體構成之第2原料時，稱量所需之量之氧化鐵、氧化鋅及氧化鎳用作第1原料。又，稱量所需之量之氧化鐵及氧化銅用作第2原料。此處，關於第1原料及第2原料之製作中之氧化鐵之添加量，將第2原料之製作中之氧化鐵之添加量設為例如與氧化銅等莫耳%，並將剩餘量用於第1原料之製作。
然後，將為了用作第1原料及第2原料所稱量之粉末分別藉由不同之球磨機或振磨機等進行粉碎混合之後，於第1原料之製作時在還原氣氛中以750℃煅燒2小時以上，於第2原料之製作時在還原氣氛中以650℃煅燒2小時以上，藉此分別獲得煅燒體。
其次，藉由將成為第1原料及第2原料之煅燒體分別放入至不同之球磨機或振磨機等中進行粉碎，而獲得由煅燒粉體構成之第1原料及第2原料。此時，尤其是，成為第2原料之煅燒體係以平均粒徑D50成為0.7 μm以下之方式進行粉碎。然後，於稱量所需之量之該第1原料及第2原料並進行混合之後，於大氣中於600℃以上700℃以下且升溫速度100℃/h以下之條件下進行再煅燒，藉此獲得合成為包含Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物之鐵氧體之煅燒體。
其次，將藉由再煅燒所獲得之煅燒體放入至球磨機或振磨機等中進行粉碎，並添加特定量之黏合劑等而製成漿料，使用噴霧乾燥器將該漿料以噴霧形式噴出而進行造粒，藉此獲得球狀顆粒。
此處，至少傾斜部11包含Mo，且Mo於獲得相較於晶粒內更多地包含於晶界層中之電感用芯1之情形時，只要相對於藉由再煅燒所獲得之煅燒體100質量份，添加例如0.01質量份以上0.03質量份以下之氧化鉬(MoO3
)之粉末而製成漿料，並將該漿料以噴霧形式噴出而進行造粒，藉此獲得球狀顆粒即可。
然後，使用所獲得之球狀顆粒進行壓製成形而獲得特定形狀之成形體。於該壓製成形時，藉由以與傾斜部11側相比，對直體部12側施加更大之壓力之方式進行調整，能夠實現如自磁性體本體10之一端10a朝向另一端10b而氣孔之分佈密度逐漸降低般之構成。其後，將成形體於脫脂爐中於400～800℃之範圍內實施脫脂處理而製成脫脂體之後，將其於燒成爐中以1000～1200℃之最高溫度保持2～5小時而進行燒成，藉此可形成磁性體本體10，獲得本實施形態之電感用芯1。
圖10係表示本實施形態之電子筆用芯體部之一例之俯視圖。電子筆用芯體部2包含：電感用芯1；線圈21，其捲繞於電感用芯1之磁性體本體10；及芯體22，其插通於磁性體本體10之筒孔10c。此種電子筆用芯體部2可內置於電磁感應方式之平板電腦等輸入裝置之電子筆。
芯體22可使用不易被磁化之SUS304或SUS316等金屬棒、除SUS以外之金屬材料或陶瓷及樹脂等。又，芯體22亦可為例如圓珠筆之芯等可實際地書寫者。芯體22係插通於磁性體本體10之筒孔10c而固定。芯體22之前端部22a係於如自磁性體本體10之一端10a側之開口10d突出1～2 mm左右般之位置固定於磁性體本體10。磁性體本體10係朝向芯體22之前端部22a而前端變細之形狀。又，芯體22之後端部22b自磁性體本體10之另一端之開口10f突出。
於磁性體本體10之直體部12之接近另一端10b之區域之外周面12a上，配設有捲繞漆包線(enamel wire)等所形成之線圈21。線圈21係以8 mm～12 mm左右之寬度捲繞於磁性體本體10之直體部12之中接近另一端10b側之部位而固定。線圈21之端子21a、21b連接於電路基板(未圖示)。
於使電子筆用芯體部2接觸於平板電腦等位置檢測裝置表面時，自芯體22對磁性體本體10施加力。此時，以傾斜部11容易變形，且直體部12之剛性變大之方式形成，磁性體本體10不易因使用時之芯體22之變形及位移而破損，因此能夠實現可靠性較高之電子筆用芯體部2。
圖11係表示本實施形態之電子筆之俯視圖。將電子筆3之殼體31之一部分卸除而表示。將上述電子筆用芯體部2收納於殼體31中而構成電子筆3。電子筆3係將電子筆用芯體部2及電路基板(未圖示)收納於筒狀之殼體31之空腔部31a內而構成。此種電子筆3例如於電磁感應方式之平板電腦等輸入裝置中，可用作輸入位置之構件。於殼體31之前端部31b設置有能夠供芯體22之前端部22a突出之開口31c，且構成為能夠藉由按動機構使前端部22a自開口31c突出或收納至殼體31內。
例如，於殼體31之後端部31d設置有開口31e，按動棒32自開口31e突出。使用者可藉由將按動棒32按下，而使芯體22之前端部22a自殼體31進出。雖然於本實施形態中為芯體22之前端部22a自開口31c進出之構成，但亦可以芯體22之前端部22a自開口31c突出之狀態固定，於此種情形時無需按動機構。
由於殼體31之前端部31b尖細，故而存在磁性體本體10之外周與殼體31之內表面接觸之情形，但於此種情形時，以傾斜部11容易變形，且直體部12之剛性變大之方式形成，而能夠減小磁性體本體10因使用時之芯體22之變形及位移而損傷之可能性，因此能夠實現可靠性較高之電子筆3。
圖12係表示本實施形態之輸入裝置之立體圖。輸入裝置4包含電子筆3、及作為具備檢測位置之感測器之位置檢測裝置之平板電腦41。輸入裝置4能夠檢測芯體22之前端部22a接觸於平板電腦41之位置。作為位置檢測裝置，除平板電腦41以外，亦可為具備觸控面板顯示器之移動終端等。作為輸入裝置4中之位置檢測方法，可使用電磁感應方式。即便為如於電子筆3中磁性體本體10之一端10a接近平板電腦41般之構成，亦以傾斜部11容易變形，且直體部12之剛性變大之方式形成，因此能夠實現可靠性較高之輸入裝置4。
本發明可不脫離其精神或主要特徵而以其他各種形態實施。因此，上述實施形態之所有方面僅為例示，本發明之範圍係申請專利範圍中所示者，不受說明書正文任何限制。進而，從屬於申請專利範圍之全部變化或變更係本發明之範圍內者。例如，根據本發明之實施形態之組合所產生之發明亦為本發明之範圍內者。
1‧‧‧電感用芯
2‧‧‧電子筆用芯體部
3‧‧‧電子筆
4‧‧‧輸入裝置
10‧‧‧磁性體本體
10a‧‧‧一端
10b‧‧‧另一端
10c‧‧‧筒孔
10d‧‧‧開口
10e‧‧‧內周面
10e1‧‧‧內周面
10e2‧‧‧內周面
10f‧‧‧開口
11‧‧‧傾斜部
11a‧‧‧傾斜面
11a1‧‧‧傾斜面
11a2‧‧‧傾斜面
11b‧‧‧端面
12‧‧‧直體部
12a‧‧‧外周面
12b‧‧‧中央部
12c‧‧‧另一端之附近
13‧‧‧凸緣部
13a‧‧‧外周面
21‧‧‧線圈
21a、21b‧‧‧端子
22‧‧‧芯體
22a‧‧‧前端部
22b‧‧‧後端部
31‧‧‧殼體
31a‧‧‧空腔部
31b‧‧‧前端部
31c‧‧‧開口
31e‧‧‧開口
32‧‧‧按動棒
41‧‧‧平板電腦
A～F‧‧‧直線
R1‧‧‧曲率半徑
R2‧‧‧曲率半徑
本發明之目的、特色、及優點當可根據下述詳細之說明及圖式而變得更明確。
圖1係表示第1實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。
圖2係表示第1實施形態之電感用芯之一例之局部剖視圖。
圖3係表示第2實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。
圖4係表示電感用芯之傾斜部之剖面之顯微鏡照片。
圖5係表示電感用芯之直體部之中央部附近之剖面的顯微鏡照片。
圖6係表示電感用芯之另一端之附近之剖面的顯微鏡照片。
圖7係對電感用芯之傾斜部之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片。
圖8係對電感用芯之直體部之中央部附近之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片。
圖9係對電感用芯之直體部之另一端之附近之剖面之氣孔之重心間距離進行解析所得之照片。
圖10係表示本實施形態之電子筆用芯體部之一例之俯視圖。
圖11係表示本實施形態之電子筆之一例之俯視圖。
圖12係表示本實施形態之輸入裝置之一例之立體圖。
圖13係表示電感用芯之觀察面之一例及直線之引出方法之照片。
Claims (11)
- 一種電感用芯，其包含由磁性體構成且含有氣孔之筒狀之磁性體本體， 上述磁性體本體具有： 傾斜部，其具有自上述磁性體本體之一端朝向另一端外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面；及 直體部，其位於與上述傾斜部同軸上，具有自上述另一端朝向上述一端延伸且形成圓筒體之周面之外周面，且與上述傾斜部連接； 上述傾斜部中之氣孔之重心間距離之平均值與上述傾斜部中之氣孔之平均直徑之差小於上述直體部中之氣孔之重心間距離之平均值與上述直體部中之氣孔之平均直徑之差。
- 如請求項1之電感用芯，其中上述直體部之上述另一端之附近中之氣孔之重心間距離之平均值與上述直體部中之氣孔之平均直徑之差大於上述直體部之中央部中之氣孔之重心間距離之平均值與上述直體部中之氣孔之平均直徑之差。
- 如請求項1或2之電感用芯，其中上述磁性體本體之氣孔之平均直徑為5 μm以下。
- 如請求項1至3中任一項之電感用芯，其中上述磁性體本體之表觀氣孔率為1.5%以下。
- 如請求項1至4中任一項之電感用芯，其中上述磁性體本體由以包含Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物之鐵氧體為主成分之陶瓷構成，且以下述式(1)表示之上述陶瓷之平均結晶粒徑之變異係數CV為0.08以上0.3以下(較佳之範圍：變異係數σ/x為0.2以下) ： CV＝σ/x (1) 其中， x為上述陶瓷之平均結晶粒徑之平均值， σ為上述陶瓷之平均結晶粒徑之標準偏差。
- 如請求項5之電感用芯，其中上述平均結晶粒徑之峰度為0以上。
- 如請求項5或6之電感用芯，其中上述平均結晶粒徑之偏斜度為0以上。
- 如請求項5至7中任一項之電感用芯，其中至少上述傾斜部包含Mo，且Mo相較於晶粒內更多地包含於晶界層中。
- 一種電子筆用芯體部，其包含如請求項1至8中任一項之電感用芯；及 芯體，其插通於上述電感用芯，且以前端部自上述電感用芯之一端突出之方式配設。
- 一種電子筆，其包含： 殼體，其具有開口；及 如請求項9之電子筆用芯體部； 上述電子筆用芯體部收納於上述殼體， 以上述電子筆用芯體部之上述前端部自上述殼體之開口突出之方式、或能夠突出地配設。
- 一種輸入裝置，其包含： 如請求項10之電子筆；及 位置檢測裝置，其具備檢測上述電子筆所接近之位置之感測器。
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