TW201940085A - 用於電子汽化器裝置的容器 - Google Patents

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安德魯 Ｌ 布洛希
尼瑞吉 巴德瓦杰
馬修 格林費爾德
彼得 尼森
喬恩 博格倫
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美商洛托實驗室股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一可汽化物質的一匣總成。該匣總成可包括一匣及一基座元件。該匣包括一基底段及一側段，該側段與該基底段在該側段之一第一端耦合。在該側段之一第二端形成一孔且該側段包含設置在該側段中之至少二孔，其中該等至少二孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內部腔室。該基座元件係設置在該匣內。

Description

用於電子汽化器裝置的容器
本申請案主張2018年2月8日申請之美國暫時申請案第62/627,870號的優先權，且該申請案之揭示全部加入作為參考。本申請案係有關於2015年5月12日申請之美國專利申請案第2015/0320116號公報，且該申請案之揭示全部加入作為參考。
本揭示係大致有關於在電子汽化器裝置中使用之系統、裝置、產品、設備及方法，且在一特定實施例中有關於用於可在電子汽化器裝置中使用之物質的容器。
感應加熱包括藉由電磁感應加熱一導電之物體(例如，一金屬物體)。例如，感應加熱可包括依據藉由該物體中流動之渦電流在該物體中產生的熱來加熱該物體。在某些情形中，一感應加熱系統可包括一感應加熱元件及可依據電磁感應加熱之一導電物體。該感應加熱元件可包括一電磁鐵及使一交流電(AC)通過該電磁鐵使得該電磁鐵可產生一電磁場(例如，一電磁感應場)之一電子震盪器。該電磁場可導向該導電物體且該電磁場可穿透該導電物體。依據該電磁場，在該導電物體內可產生多數電流。該等電流可稱為渦電流。該等渦電流可流經該導電物體且可依據焦耳加熱在該導電物體中產生熱。在某些情形中，該導電物體可包括一鐵磁材料(例如，鐵)且可依據磁滯(例如，磁滯損失)在該導電物體中產生熱。
在某些情形中，該導電物體可包括一基座。該基座可為具有吸收電磁能並將該電磁能轉換成熱之一材料。該電磁能可包括在該射頻光譜或微波光譜中之輻射(例如，電磁輻射)。在某些例子中，該基座可設計成以輻射放射熱(例如，紅外熱輻射)。
本發明揭露克服習知技術之某些或全部缺點的供一容器使用之系統、裝置、產品、設備及/或方法，該容器係用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一物質。
以下編號之項目中提出多數實施例或態樣：
項目1：一種電子汽化器裝置包含：一匣，其組配成保持一可汽化物質，該匣包含：一基底段；及與該基底段在該側段之一第一端耦合的一側段，其中在該側段之一第二端形成一孔；其中該側段包含設置在該側段中之一或多數孔，該一或多數孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內部；其中該基底段及該側段界定一流體貯槽；一基座元件，其設置在該匣內；及一感應加熱元件，其與該基座元件感應地耦合且未與該基座元件接觸。
項目2：如項目1之電子汽化器裝置，其中該匣定位成使得該感應加熱元件環繞該匣之至少一部份且環繞該基座元件之至少一部份。
項目3：如項目1或2之電子汽化器裝置，更包含：一電源，其與該感應加熱元件電氣地連接；其中該基座元件係組配成依據藉由該感應加熱元件感應加熱該基座元件來加熱位在該流體貯槽中之該可汽化物質；其中該基座元件係設置在該流體貯槽中且組配成依據該基座元件之一毛細作用由該流體貯槽傳送該可汽化物質；且其中該感應加熱元件由該電源接收一交流電且產生環繞該基座元件之一電磁場，且其中該基座元件依據該電磁場產生熱。
項目4：如項目1至3中任一項目之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之一內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每單位長度的一體積。
項目5：如項目1至4中任一項目之電子汽化器裝置，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，其中該等導線股包含一鐵磁材料。
項目6：如項目1至5中任一項目之電子汽化器裝置，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內。
項目7：如項目1至6中任一項目之電子汽化器裝置，其中當該基座元件設置在該屏蔽元件內時，該屏蔽元件環繞該基座元件之一部份。
項目8：如項目1至7中任一項目之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
項目9：如項目1至8中任一項目之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第三孔，其中該第三孔與該側段之該第二端相鄰且與該第一孔相對，且其中該第三孔比該第二孔小。
項目10：如項目1至9中任一項目之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第四孔，其中該第四孔與該第一孔及該第三孔相鄰，且其中該第四孔比該第一孔及該第三孔大。
項目11：如項目1至10中任一項目之電子汽化器裝置，其中該匣具有一圓柱形。
項目12：如項目1至11中任一項目之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含設置在該側段中之多數狹縫孔，其中該等多數狹縫孔之一開口的一尺寸在與該匣之該基底段相鄰的一位置比與該側段之該第二端相鄰的該等多數狹縫孔之該開口的一尺寸大。
項目13：一種用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一可汽化物質的匣總成包含：一匣，其包含：一基底段；及與該基底段在該側段之一第一端耦合的一側段，其中在該側段之一第二端形成一孔；且其中該側段包含設置在該側段中之至少二孔，其中該等至少二孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內部腔室；及一基座元件，其設置在該匣內。
項目14：如項目13之匣總成，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之該內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每單位長度的一體積。
項目15：如項目13或14之匣總成，其中該等至少二孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
項目16：如項目13至15中任一項目之匣總成，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，且其中該導線係一鐵磁材料。
項目17：如項目13至16中任一項目之匣總成，其中該基座元件包含一導線，該導線具有氧化鋯、二氧化矽或氧化鋁中之至少一者的一塗層。
項目18：如項目13至17中任一項目之匣總成，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內，其中該基座元件包含一第一鐵磁材料且該屏蔽元件包含一第二鐵磁材料，且其中該第一鐵磁材料具有比該第二鐵磁材料大之鐵磁性。
項目19：一種用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一可汽化物質的匣總成包含：一匣，其包含：一基底段；及與該基底段在該側段之一第一端耦合的一側段，其中在該側段之一第二端形成一孔；且其中該側段包含設置在該側段中之一或多數孔，其中該一或多數孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內腔室。
項目20：如項目19之匣總成，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之該內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每單位長度的一體積。
項目21：如項目19或20之匣總成，更包含設置在該匣內之一基座元件。
項目22：如項目19至21中任一項目之匣總成，其中該基座元件包含一導線，該導線具有氧化鋯、二氧化矽或氧化鋁中之至少一者的一塗層。
項目23：如項目19至22中任一項目之匣總成，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，且其中該等導線股之各股包含一鐵磁材料。
項目24：如項目19至23中任一項目之匣總成，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內。
項目25：如項目19至24中任一項目之匣總成，其中當該基座元件設置在該屏蔽元件內時，該屏蔽元件環繞該基座元件之一部份。
項目26：如項目19至25中任一項目之匣總成，其中該一或多數孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
項目27：如項目19至26中任一項目之匣總成，其中該一或多數孔包含一第三孔，其中該第三孔與該側段之該第二端相鄰且與該第一孔相對，且其中該第三孔比該第二孔小。
項目28：如項目19至27中任一項目之匣總成，其中該一或多數孔包含一第四孔，其中該第四孔與該第一孔及該第三孔相鄰，且其中該第四孔比該第一孔及該第三孔大。
項目29：如項目19至28中任一項目之匣總成，其中該匣具有一圓柱形。
項目30：如項目19至29中任一項目之匣總成，其中該一或多數孔包含設置在該側段中之多數狹縫孔，其中該等多數狹縫孔之一開口的一尺寸在與該匣之該基底段相鄰的一位置比與該側段之該第二端相鄰的該等多數狹縫孔之該開口的該尺寸大。
本揭示之實施例的這些及其他特徵與特性，及結構之相關元件的操作方法及功能與部件及製造經濟性的組合可藉由參照附圖考慮以下說明及附加申請專利範圍而更了解，且全部附圖形成這說明書之一部分，其中類似符號表示各圖中之對應部件。但是，可清楚地了解的是該等圖只是用於顯示及說明且非意圖界定本揭示之限制。除非上下文另外清楚地表示，否則在說明書及申請專利範圍中使用之單數形「一」及「該」包括複數參考對象。
為了說明，以下該等用語「端」、「上」、「下」、「右」、「左」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「橫向」、「縱向」及其衍生語應如它在圖中定向地與本揭示相關。但是，應了解的是除非另外特別地指出，本揭示可設想各種替代變化及步驟順序。亦應了解的是附圖中所示及在以下說明書中所述之該等特定裝置及製程只是本揭示之示範實施例或態樣。因此，除非另外指明，與在此所述實施例或實施例之態樣有關之特定尺寸及其他物理特性不應被視為限制。
除非本身明白地說明，在此使用之態樣、組件、元件、結構、動作、步驟、功能及/或指令等均不應被解讀為重要的或必要的。此外，在此使用之冠詞「一」意圖包括一或多數物件，且可與「一或多數」及「至少一」互換使用。另外，在此使用之用語「組」意圖包括一或多數物件(例如，相關物件、非相關物件、相關及非相關物件之組合等)且可與「一或多數」及「至少一」互換使用。當意圖表示只有一物件時，使用該用語「一個」或類似語言。再者，在此使用之用語「具有」等應為開放式用語。此外，除非另外明白地聲明，該片語「依據」意圖表示「至少部份地依據」。
在某些非限制實施例中，一感應加熱系統可包括一感應加熱元件及一匣，且一基座元件設置在該匣內。該感應加熱系統可用於加熱位在該匣內之一物體且與該基座元件熱接觸(例如，與該基座元件相鄰或接觸使得一物體可被該基座元件加熱)。例如，一電子汽化器裝置(例如，一香煙、一個人汽化器(PV)、一電子尼古丁輸送系統(ENDS)等)可包括該感應加熱系統及且該感應加熱系統可用於加熱位在該匣內且與該基座元件熱接觸之一可汽化物質(例如，當被加熱時產生一蒸氣或氣溶膠之一有機材料、一電子煙材料等)。在某些非限制實施例中，該匣可具有一開口端，空氣透過該開口端吸入該匣之內部並抽出該匣之內部。
但是，藉由容許空氣吸入及抽出該匣之開口端，可限制空氣流入及流出該匣之內部。例如，在一汽化器裝置中，一感應加熱系統緊緻且如一熱偶、一矽感測器晶片及/或一紅外線溫度計之一裝置的尺寸因為該裝置無法與該基座熱接觸而妨礙使用該裝置來感測該基座之溫度。此外，該裝置無法與該基座熱接觸及耐受該基座之溫度。另外，由於該裝置無法與該基座熱接觸，該裝置無法準確地感測該基座之溫度。
本揭示之實施例可改善進入該匣之內部的空氣流動及/或環繞一電子汽化器裝置之一基座元件的空氣流。相較於未包括如在本揭示中所述之多數孔的一匣，本揭示之實施例可用由該電子汽化器裝置提供之蒸氣的改良氣味形式提供一更佳體驗。此外，藉由加熱一可汽化物質可產生較少熱劣化副產物。這可能是例如因為該可汽化物質暴露於一較窄溫度範圍(例如，該可汽化物質被該基座元件加熱到達且可在未將任何可汽化物質暴露於明顯高於該溫度之多數溫度下達到的一特定溫度)及/或更快地加熱該可汽化物質。
以下請參閱圖1，圖1係一電子汽化器裝置100之分解圖。如圖1所示，電子汽化器裝置100可包括上殼體109a及下殼體109b。如圖1進一步所示，該電子汽化器裝置100可包括多數電子控制組件101、至少一致動按鈕103、匣總成300、電源111及接口件組件117。匣總成300可包括匣302及設置在該匣302內之基座元件304。
在某些非限制實施例中，電子汽化器裝置100可包括內框架119、如一感應線圈之感應加熱元件121及一加熱元件本體123。如圖1所示，加熱元件本體123之尺寸及組態可作成當感應加熱元件121定位在該加熱元件本體123內時固持感應加熱元件121。內框架119之尺寸及組態可作成將感應加熱元件121及加熱元件本體123固持成靠近該等電子控制組件101。依此方式，內框架119可容許感應加熱元件121與電子控制組件101具有一緊緻尺寸且藉由電子控制組件101控制感應加熱元件121。在某些非限制實施例中，加熱元件本體123可作為對藉由感應加熱匣302內之基座元件304所產生之熱的一隔熱體且亦可屏蔽電子組件不受由感應加熱元件121產生之一電磁場影響。在某些非限制實施例中，感應加熱元件121可提供一電磁場，當使用電子汽化器裝置100時，該電磁場具有在50kHz至150kHz之範圍內的一頻率。在一例子中，感應加熱元件121可提供具有100kHz之一頻率的一電磁場。
在某些非限制實施例中，匣302之尺寸及組態可作成嵌入感應加熱元件121內，因此容許電子汽化器裝置100具有緊緻構造。在某些非限制實施例中，感應加熱元件121可由電源111接收一交流電且感應加熱元件121可產生環繞設置在匣302中之基座元件304的一電磁場。匣302可在一端(如，一開口端)包括容許來自該可汽化物質之一蒸氣或一氣溶膠流出該匣302之一孔。在某些非限制實施例中，匣302包括一貯槽。該貯槽可保持一可汽化物質。該感應加熱元件121之尺寸及組態可作成被收容在加熱元件本體123內。在某些非限制實施例中，匣302可完全地設置在感應加熱元件121內或只有匣302之一部份可在感應加熱元件121內。
在某些非限制實施例中，匣302可為用於電子汽化器裝置100之一可替換及/或可丟棄容器。例如，匣302可收容一預定量之一可汽化物質且當該可汽化物質用盡或接近用盡時，電子汽化器裝置100之一使用者可由電子汽化器裝置100移除匣302且安裝另一匣302。在某些非限制實施例中，該可汽化物質可為當被加熱至一預定溫度時產生供人吸入之一蒸氣的任何組成物、材料或物質。在某些非限制實施例中，匣302可包括一識別碼，該識別碼包括關於匣302之內容物的內容物資訊。例如，該識別碼可加入匣302，例如作為可提供關於匣302內之一可汽化物質及/或基座元件304之一信號的條碼或其他機構。在某些非限制實施例中，該處理器可與感應加熱元件121耦合及/或被規劃成讀取匣302之內容物資訊使得它被用於依據匣302之內容物資訊設定參數及使感應加熱元件121將一加熱分布施加於該可汽化物質。在某些非限制實施例中，匣302可為用於電子汽化器裝置100之一可替換及/或可丟棄容器。例如，匣302可收容一預定量之一可汽化物質，且當該可汽化物質用盡或接近用盡時，一使用者可替換匣302(例如，用另一匣替換)。
在某些非限制實施例中，電子汽化器裝置100可包括匣302中剩餘之可汽化物質量的指示器。例如，該指示器可設置在電子汽化器裝置100之匣302上、在上殼體109a上及/或在下殼體109b上。在某些非限制實施例中，該指示器可包括設置在電子汽化器裝置100上且可被一使用者看到之一數位或類比輸出螢幕。在某些非限制實施例中，電子汽化器裝置100可具有一第二指示器，該第二指示器顯示匣302何時接近用完且作為該可汽化物質之一低容量指示器。
在某些非限制實施例中，匣302可組配成用一可汽化物質再填充。另外地或替代地，匣302可組配成當設置在電子汽化器裝置100內時可例如透過殼體109a及/或下殼體109b中之一開口或孔再填充。在某些非限制實施例中，感應加熱元件121及匣302可形成為一可替換總成之一部分使得匣總成300(例如，匣302、設置在匣302內之基座元件304)、感應加熱元件121及加熱元件本體123可形成該可替換總成且可由電子汽化器裝置100移除並作為一單一組件來更換。在一例子中，該可替換總成可包括用於連接感應加熱元件121及電子控制組件101之多數電氣連接。
在某些非限制實施例中，匣302之替換可藉由移除上殼體109a及下殼體109b且依需要分離任何另外之組件來達成。在某些非限制實施例中，匣302之替換可在未移除上殼體109a及下殼體109b之情形下達成。例如，電子汽化器裝置100可容許一使用者在未移除任何組件之情形下移除空的匣302(例如一可汽化物質已耗盡之一匣)及用感應加熱元件121內包括一定量可汽化物質之另一匣302來替換匣302。在某些非限制實施例中，汽化器裝置100可包括容許移除匣302及容許更換匣302之一通道或腔室。在某些非限制實施例中，電子汽化器裝置100可包括一腔室或通道，該腔室或通道可操作(例如，折疊及/或扭轉等)而開啟以接受一新匣302且接著可操作而關閉並將匣302放在適當位置(例如，以便可加熱匣302內之可汽化物質)。在某些非限制實施例中，上殼體109a及下殼體109b可具有形成在其中之一腔室或通道，且上殼體109a及下殼體109b可組配成將匣302收納在該腔室或通道內。
在某些非限制實施例中，可由電源111提供電力至感應加熱元件121及/或電子控制組件101。在某些非限制實施例中，電源111可作成適合一應用(例如，放在電子汽化器裝置100內)之尺寸。在某些非限制實施例中，電源111可包括一交流電(AC)電源(例如，一發電機、一交流發電機等)及/或一直流(DC)電源(例如，一電池、一電容、一燃料電池等)。在某些非限制實施例中，電源111可為包括將儲存之化學能轉換成電能之一或多數電化學電池的一任何形式之裝置。例如，電源111可為一電池。該電池可為一次電池、二次電池及/或一可充電電池等。另外地或替代地，該電池可包括一鹼性電池、一手錶電池及/或一鋰電池等。
在某些非限制實施例中，感應加熱元件121可與該匣302內之基座元件304感應地耦合。例如，感應加熱元件121可與設置在匣302內之基座元件304感應地耦合且未與基座元件304接觸。基座元件304可透過藉由基座元件304中流動之渦電流在基座元件304中產生的熱藉由電磁加熱。在某些非限制實施例中，基座元件304可組配成加熱與基座元件304之材料相鄰及/或接觸的多數物質。例如，可依據基座元件304藉由感應加熱元件121之感應加熱來加熱一可汽化物質。在某些非限制實施例中，基座元件304可組配成依據基座元件304之一毛細作用由匣302之一貯槽傳送一可汽化物質。
在某些非限制實施例中，電子汽化器裝置100之電子控制組件101可包括一電路，該電路包括一電流產生裝置、一處理器及至少一感測器。另外地或替代地，供應至感應加熱元件121之電力可藉由該處理器控制，且該處理器可用低至數毫秒之一時間尺度精確地監視及/或控制供應至感應加熱元件121之電力。在某些非限制實施例中，該處理器可組配成由該感測器接收資訊及/或可調整藉由感應加熱元件121施加至基座元件304之一加熱分布。在某些非限制實施例中，該感測器可偵測及/或計算資訊，例如來自或進入電子汽化器裝置100之空氣流、在電子汽化器裝置100內之多數位置或離開電子汽化器裝置100之蒸氣的壓力、及/或如感應加熱元件之溫度的接近電子汽化器裝置100之組件的組件或位置的溫度等。在某些非限制實施例中，該等特徵可容許該電路感測到電子汽化器裝置100之一使用者開始吸入及/或可增加一電力值以平衡進入空氣冷卻基座元件304(例如，低於基座元件304之理想溫度及/或操作溫度範圍等)的傾向。在某些非限制實施例中，當未進行一主動吸入時，該電路可減少電力，因此可增加電源111之壽命。
在某些非限制實施例中，該處理器可使用該資訊來計算及/或實施一溫度分布(例如，最佳溫度分布等)。另外地或替代地，該處理器可組配成依據該可汽化物質調整藉由感應加熱元件121施加至基座元件304之一加熱分布。例如，該處理器可依據一可汽化物質(例如，位在匣302中之一可汽化物質)實施一預定加熱分布。在某些非限制實施例中，該處理器可容許使用者修改設定值及/或用於提供該熱之全部演算法以獲得一改良體驗(例如，較佳體驗及/或最佳體驗等)。在某些非限制實施例中，全部電子控制組件101之設計及/或組態可具有充分能量效率以容許電子汽化器裝置100可用手握持且可用電池操作。另外地或替代地，該等電子組件可包括一印刷電路板且，在某些非限制實施例中，該處理器可包括一微處理器及/或一微控制器等。
以下請參閱圖2，圖2係一裝置200之組件例的圖。裝置200可對應於電子控制組件101。在某些非限制實施例中，電子控制組件101可包括至少一裝置200及/或裝置200之至少一組件。如圖2所示，裝置200可包括匯流排202、處理器204、記憶體206、儲存組件208、輸入組件210、輸出組件212及通訊介面214。
匯流排202可包括允許裝置200之組件間之通訊的一組件。在某些非限制實施例中，處理器204可用硬體、軟體或一硬體及軟體之組合。例如，處理器204可包括一處理器(例如，一中央處理單元(CPU)、一圖形處理單元(GPU)、一加速處理單元(APU)等)、一微處理器、一數位信號處理器(DSP)及/或可規劃以實行一功能之任何處理組件(例如，一現場可規劃閘陣列(FPGA)、一特殊應用積體電路(ASIC)等)。記憶體206可包括儲存供處理器204使用之資訊及/或指令的隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)及/或另一種動態或靜態儲存裝置(例如，快閃記憶體、磁記憶體、光學記憶體等)。
儲存組件208可儲存有關裝置200之操作及使用的資訊及/或軟體。例如，儲存組件208可包括一硬碟(例如，一磁碟、一光碟、一光磁碟、一固態硬碟等)、一光碟(CD)、一數位化多功能光碟(DVD)、一軟碟、一盒式磁盤、一磁帶及/或另一種電腦可讀取媒體，以及一對應驅動器。
輸入組件210可包括允許裝置200例如透過使用者輸入(例如一觸控螢幕顯示器、一鍵盤、一小鍵盤、一滑鼠、一按鈕、一開關、一麥克風等)來接收資訊。另外地或替代地，輸入組件210可包括用於感測資訊之一感測器(例如，一溫度感測器、一加速計、一陀螺儀、一致動器等)。輸出組件212可包括提供來自裝置200之輸出資訊的一組件(例如，一顯示器、一揚聲器、一或多數發光二極體(LED)等)。
通訊介面214可包括使裝置200可例如透過一有線連接、一無線連接或一有線與無線連接之組合與其他裝置通訊的一似收發器組件(例如，一收發器、一分開接收器及發送器等)。通訊介面214可允許裝置200由另一裝置接收資訊及/或提供資訊至另一裝置。例如，通訊介面214可包括一乙太網路介面、一光介面、一同軸介面、一紅外線介面、一射頻(RF)介面、一通用串列匯流排(USB)、一WiFi®介面及/或一胞狀網路介面等。
裝置200可實行在此所述之一或多數程序。裝置200可依據執行軟體指令之處理器204來實行這些程序，而該等軟體指令係藉由如記憶體206及/或儲存組件208之一電腦可讀取媒體來儲存。一電腦可讀取媒體(例如，一非暫時性電腦可讀取媒體)在此定義為一非暫時性記憶體裝置。一記憶體裝置包括設置在一單一實體儲存裝置內之記憶體空間或分散在多數實體儲存裝置內之記憶體空間。
軟體指令可由另一電腦可讀取媒體或由另一裝置透過通訊介面214讀入記憶體206及/或儲存組件208。當執行時，儲存在記憶體206及/或儲存組件208中之軟體指令可使處理器204實行在此所述之一或多數程序。另外地或替代地，可使用固線式電路來取代或與多數軟體指令組合以實行在此所述之一或多數程序。因此，在此所述之實施例不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。
圖2所示之數目及配置係作為一例子提出。在某些非限制實施例中，相較於圖2所示之組件，裝置200可包括另外之組件，較少組件、不同組件、或不同配置之組件。另外地或替代地，裝置200之一組組件(例如一或多數組件)可如由裝置200之另一組組件實行地實行所述之一或多數功能。
以下請參閱圖3，圖3係一匣總成300之圖。如圖3所示，匣總成300可包括匣302及基座元件304。在某些非限制實施例中，匣302可包括基底段306及一或多數側段308。例如，如圖3所示，匣302可具有一圓柱形(例如，對應於一正圓柱體之一形狀)且匣302可包括側段308。在另一例子中，匣302可具有一長方柱形且匣302可包括多數側段308。在某些非限制實施例中，匣302具有尺寸作成適合一應用之一形狀。例如，匣302可具有容許匣302嵌入感應加熱元件121內之一形狀。在某些非限制實施例中，匣302可具有在20 mm至40 mm之範圍內的一長度。在一例子中，匣302可具有32 mm之一長度。在某些非限制實施例中，匣302可具有在8 mm至20 mm之範圍內的一外徑(例如，在一或多數側段308間之一距離)。例如，匣302可具有等於10 mm之一外徑。在某些非限制實施例中，匣302之側段308可具有在.5 mm至2 mm之範圍內的一寬度。例如，匣302之側段308可具有1 mm之一寬度。在某些非限制實施例中，匣302之一內徑可在5 mm至15 mm之範圍內。例如，匣302之內徑可為8 mm。在某些非限制實施例中，匣302可由如玻璃、玻璃纖維、塑膠及/或陶瓷等之一適當材料(例如，一絕緣材料)製成。在某些非限制實施例中，匣302可由如玻璃之一透明材料製成，使得一使用者可看到匣302之內腔室的內容物。
如圖3進一步所示，側段308可與基底段306在側段308之第一端310耦合，其中在側段308之第二端312形成孔314。側段308可包括一或多數孔。如圖3所示，側段308可包括設置在側段308中之孔316a至d，其中孔316a至d係組配成當空氣流出形成在第二端312之孔314時，容許空氣流入匣302之內腔室318。在某些非限制實施例中，孔316a至d係組配成容許一體積之空氣進入匣302之內腔室318，其中該空氣之體積可取決於匣302之每單位長度的一體積。例如，該空氣之體積可與依據匣302之一特定單位長度計算之匣302的一體積成正比。在某些非限制實施例中，孔316a至d可具有適用於一應用之一形狀。例如，孔316a至d可具有一圓形及/或一橢圓形等。在某些非限制實施例中，一孔(例如，孔316a至d中之一或多數孔)可具有在.5 mm至2 mm之範圍內的一直徑。例如，該孔可具有等於1 mm之一直徑。在某些非限制實施例中，側段308中之一第一孔可比側段308中之一第二孔大或小(例如，比通過該孔之空氣流量大或小)。例如，側段308中之第一孔可具有比側段308中之第二孔的一直徑大或小的一直徑。
如圖3進一步所示，基座元件304可設置在匣302內且基座元件304可包括基座元件304及屏蔽元件322。在某些非限制實施例中，基座元件304可與上述基座相同或相似。在某些非限制實施例中，在基座元件304中使用之材料可包括一鐵磁材料及/或一金屬導體。另外地或替代地，基座元件304可包括當基座元件304暴露於一電磁場時產生加熱渦電流及/或磁滯之材料。例如，可使用在電磁場之範圍內具有非常大磁滯之鐵磁材料及/或金屬導體材料來構成基座元件304。在某些非限制實施例中，基座元件304可包括一材料使得加熱係藉由渦電流及亦藉由該磁域壁之移動來達成。在某些非限制實施例中，基座元件304可由一材料製成，該材料可吸收電磁能，依據被吸收之電磁能產生熱及/或提供熱(例如，透過傳導提供熱、透過輻射提供熱等)至與基座元件304熱接觸之一物體(例如，一物質、一裝置、一組件等)。例如，基座元件304可包括一導電之材料。在某些非限制實施例中，基座元件304可包括藉由渦電流發熱之一金屬導體。在某些非限制實施例中，基座元件304可由鐵、鋼(例如，不鏽鋼、非磁性不鏽鋼、磁性不鏽鋼等)、一陶瓷磁鐵(例如，鐵氧體)、一FeCrAl合金(例如，Kanthal®)、一半導體及/或其組合製成。在一例子中，基座元件304可由304V不鏽鋼合金及/或430不鏽鋼合金製成。
在某些非限制實施例中，基座元件304可包括捲繞(或扭絞)在一起之多數導線股。例如，基座元件304可包括以一螺旋形式捲繞在一起的二、三、四或四以上之導線股。在某些非限制實施例中，基座元件304可包括：一第一導線段，其包括以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股；及一第二導線段，其包括以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股。該第一導線段及該第二導線段可以一螺旋形式捲繞在一起。
在某些非限制實施例中，一或多數導線股可包括一鐵磁材料或一非鐵磁材料。例如，一導線股可包括鋼(例如，不鏽鋼)或鋁。在某些非限制實施例中，一導線股之一直徑可在.25 mm至1.5 mm之範圍內(例如，#30美國線規(AWG)至%15 AWG)。例如，一導線股之一直徑可為1 mm。在某些非限制實施例中，一或多數導線股可包括一塗層。例如，一或多數導線股可包括如氧化鋯、二氧化矽及/或氧化鋁等的一陶瓷材料及/或一玻璃材料之一塗層。在某些非限制實施例中，該塗層之一厚度可在.1 mm至.3 mm之範圍內。例如，該塗層之厚度可為.15 mm至.25 mm。
在某些非限制實施例中，基座元件304可具有一長度使得基座元件304完全地嵌入匣302內(例如，基座元件304沒有伸出匣302之部份)。在某些非限制實施例中，基座元件304可具有在10 mm至35 mm之範圍內的一長度。在一例子中，該基座元件可具有32 mm之一長度。
在某些非限制實施例中，基座元件304可包括捲繞在一起之多數導線股且該基座元件304可具有依據該等多數導線股中之一導線股的直徑的一節距。如在此所述，節距表示用對應於構成基座元件304之一整圈(例如，360度)導線的一導線(例如，一導線股、多數導線股等)之一直徑來換算的基座元件304之一長度。例如，基座元件304可包括各具有相同直徑且捲繞在一起之多數導線股，並且該基座元件304可具有在25導線直徑至1導線直徑之範圍內的一節距。因為用於該節距之公式係一整圈導線之一長度除以該導線之一直徑，所以該節距之一值為導線直徑之一數目。在一例子中，基座元件304可在50 kHz至150 kHz(例如，100 kHz)之範圍內的一頻率下操作，且基座元件304可包括以一螺旋形式捲繞在一起且具有一9.4導線直徑之節距的FeCrAl合金之二#26 AWG導線股。該等二導線股可用由304V不鏽鋼合金製成之十六條#48 AWG導線股以螺旋形式捲繞在一起。在另一例子中，基座元件304可在50 kHz至150 kHz(例如，100 kHz)之範圍內的一頻率下操作，且基座元件304可包括以一螺旋形式捲繞在一起且具有一11.9導線直徑之節距的FeCrAl合金之四#28 AWG導線股。該等四導線股可用由430不鏽鋼合金製成之十六條#48 AWG導線股以螺旋形式捲繞在一起。
在某些非限制實施例中，基座元件304可具有包括一絞合線、一絞合繩材料、一網、一網管、數個同心網管、一布料、一片材、一多孔固體(例如，一發泡體)、一卷金屬網、金屬纖維或具有適當尺寸及組態之任何其他幾何形狀的一組態。在某些非限制實施例中，基座元件304可包括多數翼片、突起或組配成可保持一固體及/或一半固體材料與基座元件304熱接觸之其他零件。
在某些非限制實施例中，基座元件304可由一多數材料之組合構成以獲得一適當效果。例如，基座元件304可為可用於感應加熱的多數導線之一交織布(或間歇地混合之組合)。另外地或替代地，基座元件304之材料可與一繩或發泡體，或適當配置之多數薄片材組合。在某些非限制實施例中，該基座元件可包括多數捲起交錯箔材料。另外地或替代地，基座元件304可被未與該網接觸之感應加熱元件121環繞。在某些非限制實施例中，因為該基座元件可由一網形成，該網芯可由藉由感應有效地加熱之一材料(例如，一FeCrAl合金)製成。在某些非限制實施例中，該網芯可使用一Kanthal網形成。另外地或替代地，基座元件304及/或屏蔽元件322可由匣302移除使得基座元件304及/或屏蔽元件322可與匣302分離而被清潔、再使用及/或更換。
如圖3進一步所示，屏蔽元件322可包括下凸緣段324及本體段326。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可設置在匣302內且基座元件304可設置在屏蔽元件322內。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可具有一管形。例如，屏蔽元件322之本體段326可具有一管形以容許基座元件設置在屏蔽元件322之內部。在某些非限制實施例中，當基座元件304設置在屏蔽元件322內時，屏蔽元件322環繞基座元件之一部份。依此方式，當使用電子汽化器裝置100時，屏蔽元件322可屏蔽基座元件304不受由感應加熱元件121產生之電磁輻射影響。此外，屏蔽元件322可減少被基座元件304吸收之電磁輻射量以防止與屏蔽元件322相鄰或接觸之一可汽化物質的劣化。
在某些非限制實施例中，下凸緣段324之尺寸及組態可作成接觸匣302之基底段306且容許屏蔽元件322在匣302內直立。例如，下凸緣段324可接觸基底段306且定位在匣302之一貯槽內。在某些非限制實施例中，下凸緣段324之尺寸及組態可作成控制在一可汽化物質量被基座元件304汽化後由匣302之一貯槽移入屏蔽元件322之內部的一可汽化物質量。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322之尺寸及組態可作成保持一預定量之可汽化物質與基座元件304相鄰或接觸。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可具有在2 mm至5 mm之範圍內的一直徑。例如，屏蔽元件322可具有等於3 mm之一直徑。在某些非限制實施例中，下凸緣段324可具有在3 mm至7 mm之範圍內的一外徑。例如，下凸緣段324可具有等於5 mm之一外徑。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可包括一上凸緣段(如以下所述)。
在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可由不與一電磁場反應之一材料製成。例如，屏蔽元件322可由玻璃、玻璃纖維及/或塑膠等製成。在某些非限制實施例中，屏蔽元件322可由如鋼(例如，不鏽鋼)及/或鋁等之一金屬導體製成。在某些非限制實施例中，基座元件304可包括一第一鐵磁材料且屏蔽元件322可包括一第二鐵磁材料，且該第一鐵磁材料具有比該第二鐵磁材料大之鐵磁性(例如，對一磁場或一電磁場之較強地回應)。
在某些非限制實施例中，匣302可包括內腔室318內之一貯槽以便保持一可汽化物質。例如，基底段306及側段308可界定一流體貯槽。在某些非限制實施例中，基座元件304可組配成設置在該貯槽內且基座元件304可接觸該貯槽之可汽化物質。在某些非限制實施例中，基座元件304係組配成加熱與基座元件304相鄰或接觸之一可汽化物質。例如，可依據藉由感應加熱元件121感應加熱基座元件304來加熱一可汽化物質。依據多數實施例，基座元件304亦可組配成依據基座元件304之一毛細作用由匣302之一貯槽傳送一可汽化物質。在該可汽化物質包括一黏性物質(例如，一液體)之實施例中，當依據藉由基座元件304加熱來汽化一定量之黏性物質時，另一量之黏性物質可依據基座元件304之一毛細作用沿基座元件304向上移動。
在某些非限制實施例中，基座元件304可設置在匣302內，且可在沒有與一電源(例如，電源111)電氣連接之情形下透過感應加熱基座元件304。另外地或替代地，匣302可具有一內表面，且基座元件304可定位成與匣302之該內表面相鄰或接觸。另外地或替代地，匣302之一部份可作為基座元件304與該感應加熱元件121間之一隔離構件。例如，該隔離構件可使該感應加熱元件121與匣302中之可汽化物質(例如，一液體)的接觸脫離(例如，分離)。
以下請參閱圖4a與4b，圖4a與4b係匣302之圖且提供關於匣302之側段308中的孔的細節。圖4a係匣302之一前視圖且圖4b係匣302之一俯視圖。如圖4a與4b所示，孔316a與316b與側段308之第二端312相鄰且孔316d與316c與孔316a與316b相鄰。請注意因為孔316c設置成與孔316d相對(例如，在後方)，所以在圖4a中看不到316c。如圖4a進一步所示，孔316a與316b可由孔316d與316c垂直地偏移一距離d。在某些非限制實施例中，距離d可具有在2 mm至8 mm之範圍內的一值。例如，距離d可具有等於3 mm之一值。在某些非限制實施例中，孔316a與316b之各孔可由孔316d(例如，或孔316c)垂直地偏移一相同之距離或一不同之距離。例如，孔316a可由孔316d垂直地偏移一第一距離且孔316b可由孔316d垂直地偏移一第二距離，其中該第一距離與該第二距離相同或不同。
如圖4a進一步所示，孔316d與316c可由匣302之第一端310垂直地偏移距離d’。在某些非限制實施例中，距離d’可具有在15 mm至25 mm之範圍內的一值。例如，距離d’可具有等於20 mm之一值。在某些非限制實施例中，孔316d與316c之各孔可由第一端310垂直地偏移一相同之距離或一不同之距離。如圖4a進一步所示，孔316b與316a可由匣302之第二端312垂直地偏移距離d”。在某些非限制實施例中，距離d”可具有在8 mm至15 mm之範圍內的一值。例如，距離d”可具有等於12 mm之一值。在某些非限制實施例中，孔316b與316a之各孔可由第一端310垂直地偏移一相同之距離或一不同之距離。
如圖4b進一步所示，孔316a、316b、316c與316d可由一相鄰孔水平地偏移。例如，如圖4b所示，孔316d可由孔316a水平地偏移。在該例子中，一角度q形成在由匣302之中心軸420(例如，一縱中心軸)至孔316d的一第一線與由中心軸420至孔316a的一第二線之間。該角度q可為表示依據匣302之一圓周，在孔316d與孔316a間之一水平偏移量。如圖4b所示，孔316a、316b、316c與316d之各孔可由一相鄰孔水平地偏移90度(例如，各q、q’、q”與q”可等於90度)。在某些非限制實施例中，孔316a、316b、316c與316d之各孔可由一相鄰孔水平地偏離一不同角度(例如，各q、q’、q”與q”可等於一不同角度)。
以下請參閱圖5，圖5係匣總成500之圖。在某些非限制實施例中，匣總成500可與匣總成300相同或相似。匣總成500與匣總成300間之可能差異說明如下。如圖5所示，匣總成500可包括匣302、基座元件304及屏蔽元件522。在某些非限制實施例中，屏蔽元件522可與屏蔽元件322相同或相似。如圖5所示，屏蔽元件522可包括下凸緣段524、本體段526及上凸緣段528。在某些非限制實施例中，下凸緣段524可與下凸緣段324相同或相似。在某些非限制實施例中，本體段526可與本體段326相同或相似。
在某些非限制實施例中，上凸緣段528可具有與下凸緣段524之一直徑相同的一直徑。在某些非限制實施例中，上凸緣段528可具有比下凸緣段524之一直徑大的一直徑。在某些非限制實施例中，上凸緣段528之尺寸及組態可作成將位在一匣302中之一可汽化物質收容在上凸緣段528與匣302之基底段306之間。例如，上凸緣段528之尺寸及組態可作成當屏蔽元件522設置在匣302中時，防止位在匣302之一貯槽中的一可汽化物質移動(例如，流動，掉落等)通過上凸緣段528。
以下請參閱圖6，圖6係匣總成600之圖。在某些非限制實施例中，匣總成600可與匣總成300相同或相似。匣總成600與匣總成300間之可能差異說明如下。如圖6所示，匣總成600可包括匣602及基座元件304。在某些非限制實施例中，匣602可與匣302相同或相似。匣602可包括匣602內(例如，匣602之一貯槽內)之一可汽化物質628。如圖6進一步所示，匣602可包括側段608中之孔616a、616b、616c與616d。孔616a、616b、616c與616d可具有一橢圓形。此外，如圖6進一步所示，孔616c與616d可為相同尺寸且孔616a與616b可為相同尺寸，而孔616c與616d之尺寸比孔616a與616b大。
以下請參閱圖7，圖7係匣總成700之圖。在某些非限制實施例中，匣總成700可與匣總成300相同或相似。匣總成700與匣總成300間之可能差異說明如下。如圖7所示，匣總成700可包括匣702及基座元件304。在某些非限制實施例中，匣702可與匣302相同或相似。匣702可包括側段708中之一組孔，即孔716a、716b、716c、716d與716e。如圖7所示，孔716a、716b、716c、716d與716e可具有一圓形且可垂直地偏移而未水平地偏移。此外，如圖7進一步所示，該組孔之尺寸由與基底段710相鄰的孔716e減少至與匣702之第一端712相鄰的孔716a。在某些非限制實施例中，(例如，與孔716a、716b、716c、716d與716e相同或相似之)另一組孔可設置在側段708中且與包括孔716a、716b、716c、716d與716e之該組孔水平地偏移。
以下請參閱圖8，圖8係匣總成800之圖。在某些非限制實施例中，匣總成800可與匣總成300相同或相似。匣總成800與匣總成300間之可能差異說明如下。如圖8所示，匣總成800可包括匣802及任選之可汽化物質828。在某些非限制實施例中，匣802可與匣302相同或相似。如圖8進一步所示，匣802可包括設置在匣802之側段808中的狹縫孔816a與816b。在某些非限制實施例中，各狹縫孔816a與816b之一開口尺寸在與匣802之基底段810相鄰的一位置可比與側段308之第二端812相鄰的狹縫孔816a與816b之開口尺寸大。例如，各狹縫孔816a與816b之開口的寬度可由在與基底段810相鄰之一位置的1.5 mm漸縮至與側段308之第二端812相鄰的.1 mm。如圖8進一步所示，各狹縫孔816a與816b可具有一長度l。在某些非限制實施例中，l可具有在10 mm與30 mm間之一值。例如，l可具有等於28 mm之一值。
以下請參閱圖9，圖9係匣總成900之圖。在某些非限制實施例中，匣總成900可與匣總成300相同或相似。匣總成900與匣總成300間之可能差異說明如下。如圖9所示，匣總成900可包括匣902、基座元件904及任選之過濾元件930。在某些非限制實施例中，匣902可與匣302相同或相似。如圖9進一步所示，匣902可包括側段908及基底段906。在某些非限制實施例中，側段908可包括第一端910及第二端912，其中第二端912形成一開口914。在某些非限制實施例中，基座元件904可設置在匣902內且可汽化物質928可與基座元件904相鄰及/或接觸。在某些非限制實施例中，基座元件904可與基座元件304相同或相似。在某些非限制實施例中，可汽化物質928可包括一非黏性材料，例如草本材料(如煙草)。
在某些非限制實施例中，匣902可由如紙、一聚合物及/或草本薄片之一材料形成。在某些非限制實施例中，匣之基底段906可依據在側段908之第一端910將匣902之材料壓接或扭絞在一起而形成。如圖9進一步所示，匣902可包括多數排孔916a、916b、916c與916d。該等多數排孔916a、916b、916c與916d係組配成當空氣流出第二端912時，容許空氣流入可收容可汽化物質928之一內部。在該例子中，可汽化物質928可組配成容許空氣流過匣902內部之可汽化物質928。在某些非限制實施例中，過濾元件930可放在第二端912上且過濾元件930可過濾流出第二端912之空氣。在某些非限制實施例中，當由與基底段906相鄰之該排孔916d向與第二端912相鄰之該排孔916a看時，該等多數排孔916a、916b、916c與916d中之孔尺寸減少。
以下請參閱圖10a，圖10a係基座元件1000之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1000相同或相似，且反之亦然。如圖10a所示，基座元件1000可包括第一導線段1040及第二導線段1042。第一導線段1040可包括第一導線股1044及第二導線股1046。第二導線段1042可包括第三導線股1048及第四導線股1050。如圖10a進一步所示，依據第一導線段1040如何相對第二導線段1042捲繞，基座元件1000可具有一節距p。在圖10a所示之例子中，依據第一導線段1040之直徑，p可等於大約22導線直徑。在某些非限制實施例中，第一導線段1040之直徑可等於第二導線段1042之直徑。在某些非限制實施例中，第一導線段1040之直徑可不等於第二導線段1042之直徑。
如圖10a進一步所示，依據第一導線股1044如何相對第二導線股1046捲繞，第一導線段1040可具有一節距p’。在圖10a所示之例子中，依據第一導線股1044之直徑，p’可等於大約11導線直徑。在這例子中，第一導線股1044之直徑可等於第二導線股1046之直徑。在某些非限制實施例中，第一導線股1044之直徑可不等於第二導線股1046之直徑。在某些非限制實施例中，第一導線股1044、第二導線股1046、第三導線股1048及第四導線股1050中之一或多數導線股可由相同材料製成。在某些非限制實施例中，第一導線股1044、第二導線股1046、第三導線股1048及第四導線股1050中之一或多數導線股可由不同材料製成。
以下請參閱圖10b，圖10b係基座元件1000之另一圖。如圖10b所示，依據第一導線段1040如何相對第二導線段1042捲繞，基座元件1000之節距p可相較於圖10a減少。在圖10b所示之例子中，依據第一導線段1040之直徑，p可等於大約11導線直徑。如圖10b進一步所示，依據第一導線股1044如何相對第二導線股1046捲繞，第一導線段1040之節距p’可相較於圖10a減少。在圖10b所示之例子中，依據第一導線股1044之直徑，p’可等於大約5導線直徑。
以下請參閱圖10c，圖10c係基座元件1000之另一圖。如圖10c所示，依據第一導線段1040如何相對第二導線段1042捲繞，基座元件1000之節距p可相較於圖10a與10b減少。在圖10b所示之例子中，依據第一導線段1040之直徑，p可等於大約5導線直徑。如圖10c進一步所示，依據第一導線股1044如何相對第二導線股1046捲繞，第一導線段1040之節距p’可相較於圖10a與10b減少。在圖10c所示之例子中，依據第一導線股1044之直徑，p’可等於大約2導線直徑。
以下請參閱圖11，圖11係基座元件1100之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1100相同或相似，且反之亦然。如圖11所示，基座元件1100可包括如圖10c所示之基座元件1000(例如，具有等於大約5導線直徑之一節距的基座元件1000)及導線股1060。如圖11進一步所示，依據導線股1060如何相對基座元件1000捲繞，導線股1060可具有一節距p。在圖11所示之例子中，依據導線股1060之直徑，p可等於大約12導線直徑。在某些非限制實施例中，導線股1060可由與基座元件1000之該等導線股(例如，第一導線股1044、第二導線股1046、第三導線股1048及第四導線股1050)中之一或多數導線股相同的材料製成。在某些非限制實施例中，導線股1060可由與基座元件1000之該等導線股中之一或多數導線股不同的材料製成。
以下請參閱圖12，圖12係基座元件1200之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1200相同或相似，且反之亦然。如圖12所示，基座元件1200可包括如圖10c所示之基座元件1000的第一導線段1040(例如，具有等於大約2導線直徑之一節距的第一導線段1040)及導線股1060。如圖12所示，依據導線股1060之直徑，導線股1060可具有等於大約12導線直徑之一節距。此外，第一導線段1040可具有一環形且導線股1060可捲繞在第一導線段1040之環的一部份上。
以下請參閱圖13，圖13係基座元件1300之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1300相同或相似，且反之亦然。如圖13所示，基座元件1300可具有一U形。在某些非限制實施例中，基座元件1300之尺寸及組態係作成使得當基座元件1300放在一匣(例如，匣302)內時依據基座元件1300之U形，基座元件1300接觸該匣之一內腔室的一內表面。
以下請參閱圖14，圖14係基座元件1400之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1400相同或相似，且反之亦然。如圖14所示，基座元件1400可具有U形部份1402及設置在該U形部份1402內之V形部份1404。在某些非限制實施例中，基座元件1400之尺寸及組態係作成使得當基座元件1400放在一匣(例如，匣302)內時，基座元件1400之U形部份1402接觸該匣之一內腔室的一內表面。另外地或替代地，基座元件1400之尺寸及組態係作成使得基座元件1400之V形部份1404保持與位在該匣內之一可汽化物質接觸。
以下請參閱圖15，圖15係基座元件1500之圖。在某些非限制實施例中，基座元件304可與基座元件1500相同或相似，且反之亦然。如圖15所示，基座元件1500可具有在中心點1506連接在一起之第一U形部份1502及第二U形部份1504。此外，基座元件1500可包括居中地設置在第一U形部份1502與第二U形部份1504間之中心部份1508。如圖15進一步所示，中心部份1508可延伸遠離中心點1506。在某些非限制實施例中，基座元件1500之尺寸及組態可作成使得當基座元件1500放在一匣(例如，匣302)內時，基座元件1500之第一U形部份1502及第二U形部份1504接觸該匣之一內腔室的一內表面。另外地或替代地，基座元件1500之尺寸及組態係作成使得基座元件1500之中心部份1508保持與位在該匣內之一可汽化物質接觸。
雖然為了說明已依據目前被視為最實際且較佳之實施例詳細地說明了本揭示，但應了解的是該細節只是為了達成該目的且本揭示不限於揭露之實施例，而是相反地意圖涵蓋在附加申請專利範圍之精神與範疇內之多數修改例及等效配置。例如，應了解的是本揭示可預想到，在可能之範圍內，任一實施例之一或多數特徵可與任一其他實施例之一或多數特徵組合。
100‧‧‧電子汽化器裝置
101‧‧‧電子控制組件
103‧‧‧致動按鈕
109a‧‧‧上殼體
109b‧‧‧下殼體
111‧‧‧電源
117‧‧‧接口件組件
119‧‧‧內框架
121‧‧‧感應加熱元件
123‧‧‧加熱元件本體
200‧‧‧裝置
202‧‧‧匯流排
204‧‧‧處理器
206‧‧‧記憶體
208‧‧‧儲存組件
210‧‧‧輸入組件
212‧‧‧輸出組件
214‧‧‧通訊介面
300,500,600,700,800,900‧‧‧匣總成
302,602,702,802,902‧‧‧匣
304,904,1000,1100,1200,1300,1400,1500‧‧‧基座元件
306,710,810,906‧‧‧基底段
308,608,708,808,908‧‧‧側段
310,712,910‧‧‧第一端
312,812,912‧‧‧第二端
314,316a-d,616a-d,716a-e,916a-d‧‧‧孔
318‧‧‧內腔室
322,522‧‧‧屏蔽元件
324,524‧‧‧下凸緣段
326,526‧‧‧本體段
420‧‧‧中心軸
528‧‧‧上凸緣段
628,828,928‧‧‧可汽化物質
816a,816b‧‧‧狹縫孔
914‧‧‧開口
930‧‧‧過濾元件
1040‧‧‧第一導線段
1042‧‧‧第二導線段
1044‧‧‧第一導線股
1046‧‧‧第二導線股
1048‧‧‧第三導線股
1050‧‧‧第四導線股
1060‧‧‧導線股
1402‧‧‧U形部份
1404‧‧‧V形部份
1502‧‧‧第一U形部份
1504‧‧‧第二U形部份
1506‧‧‧中心點
1508‧‧‧中心部份
d,d’,d”‧‧‧距離
l‧‧‧長度
p,p’‧‧‧節距
q,q’,q”,q’’’‧‧‧角度
以下參照添附示意圖中顯示之示範實施例更詳細地說明本揭示之其他優點及細節，其中：
圖1係依據本揭示之一電子汽化器裝置之一非限制實施例的圖；
圖2依據本揭示之一電子汽化器裝置之多數組件的一非限制實施例的圖；
圖3係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖4a與4b係依據本揭示之一匣之一非限制實施例的圖；
圖5係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖6係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖7係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖8係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖9係依據本揭示之一匣總成之一非限制實施例的圖；
圖10a至10c係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖；
圖11係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖；
圖12係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖；
圖13係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖；
圖14係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖；及
圖15係依據本揭示之一基座元件之一非限制實施例的圖。

Claims (30)

  1. 一種電子汽化器裝置，其包含： 一匣，其組配成保持一可汽化物質，該匣包含： 一基底段；及 一側段，其與該基底段在該側段之一第一端耦合，其中在該側段之一第二端形成一孔； 其中該側段包含設置在該側段中之一或多數孔，該一或多數孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內部； 其中該基底段及該側段界定一流體貯槽； 一基座元件，其設置在該匣內；及 一感應加熱元件，其與該基座元件感應地耦合且未與該基座元件接觸。
  2. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該匣係定位成使得該感應加熱元件環繞該匣之至少一部份且環繞該基座元件之至少一部份。
  3. 如請求項2之電子汽化器裝置，更包含： 一電源，其與該感應加熱元件電氣地連接； 其中該基座元件係組配成依據藉由該感應加熱元件感應加熱該基座元件來加熱位在該流體貯槽中之該可汽化物質； 其中該基座元件係設置在該流體貯槽中且組配成依據該基座元件之一毛細作用由該流體貯槽傳送該可汽化物質；且 其中該感應加熱元件由該電源接收一交流電且產生環繞該基座元件之一電磁場，且其中該基座元件依據該電磁場產生熱。
  4. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之一內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每一單位長度的體積。
  5. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，其中該等導線股包含一鐵磁材料。
  6. 如請求項1之電子汽化器裝置，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內。
  7. 如請求項6之電子汽化器裝置，其中當該基座元件設置在該屏蔽元件內時，該屏蔽元件環繞該基座元件之一部份。
  8. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
  9. 如請求項8之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第三孔，其中該第三孔與該側段之該第二端相鄰且與該第一孔相對，且其中該第三孔比該第二孔小。
  10. 如請求項9之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含一第四孔，其中該第四孔與該第一孔及該第三孔相鄰，且其中該第四孔比該第一孔及該第三孔大。
  11. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該匣具有一圓柱形。
  12. 如請求項1之電子汽化器裝置，其中該一或多數孔包含設置在該側段中之多數狹縫孔，其中該等多數狹縫孔之一開口的一尺寸在與該匣之該基底段相鄰的一位置係比與該側段之該第二端相鄰的該等多數狹縫孔之該開口的一尺寸還大。
  13. 一種匣總成，用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一可汽化物質，其包含： 一匣，其包含： 一基底段；及 一側段，其與該基底段在該側段之一第一端耦合，其中在該側段之一第二端形成一孔；且 其中該側段包含設置在該側段中之至少二孔，其中該等至少二孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內部腔室；及 一基底元件，其設置在該匣內。
  14. 如請求項13之匣總成，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之該內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每一單位長度的體積。
  15. 如請求項14之匣總成，其中該等至少二孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
  16. 如請求項15之匣總成，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，且其中該導線係一鐵磁材料。
  17. 如請求項13之匣總成，其中該基座元件包含一導線，該導線具有氧化鋯、二氧化矽或氧化鋁中之至少一者的一塗層。
  18. 如請求項13之匣總成，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內，其中該基座元件包含一第一鐵磁材料且該屏蔽元件包含一第二鐵磁材料，且其中該第一鐵磁材料具有比該第二鐵磁材料大之鐵磁性。
  19. 一種匣總成，用於收容可在一電子汽化器裝置中使用之一可汽化物質，其包含： 一匣，其包含： 一基底段；及 一側段，其與該基底段在該側段之一第一端耦合，其中在該側段之一第二端形成一孔；且 其中該側段包含設置在該側段中之一或多數孔，其中該一或多數孔係組配成當空氣流出形成在該第二端之該孔時，容許空氣流入該匣之一內腔室。
  20. 如請求項19之匣總成，其中該一或多數孔係組配成容許一體積之空氣進入該匣之該內腔室，且其中該空氣之體積取決於該匣之每一單位長度的體積。
  21. 如請求項19之匣總成，更包含設置在該匣內之一基座元件。
  22. 如請求項21之匣總成，其中該基座元件包含一導線，該導線具有氧化鋯、二氧化矽或氧化鋁中之至少一者的一塗層。
  23. 如請求項21之匣總成，其中該基座元件包含以一螺旋形式捲繞在一起之多數導線股，且其中該等導線股之各股包含一鐵磁材料。
  24. 如請求項21之匣總成，更包含一屏蔽元件，其中該屏蔽元件設置在該匣內，且其中該基座元件設置在該屏蔽元件內。
  25. 如請求項24之匣總成，其中當該基座元件設置在該屏蔽元件內時，該屏蔽元件環繞該基座元件之一部份。
  26. 如請求項19之匣總成，其中該一或多數孔包含一第一孔及一第二孔，其中該第一孔與該側段之該第二端相鄰且該第二孔與該第一孔相鄰，其中該第二孔由該第一孔垂直地偏移且水平地偏移，且其中該第一孔比該第二孔小。
  27. 如請求項26之匣總成，其中該一或多數孔包含一第三孔，其中該第三孔與該側段之該第二端相鄰且與該第一孔相對，且其中該第三孔比該第二孔小。
  28. 如請求項27之匣總成，其中該一或多數孔包含一第四孔，其中該第四孔與該第一孔及該第三孔相鄰，且其中該第四孔比該第一孔及該第三孔大。
  29. 如請求項19之匣總成，其中該匣具有一圓柱形。
  30. 如請求項19之匣總成，其中該一或多數孔包含設置在該側段中之多數狹縫孔，其中該等多數狹縫孔之一開口的一尺寸在與該匣之該基底段相鄰的一位置係比與該側段之該第二端相鄰的該等多數狹縫孔之該開口的該尺寸還大。
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