TW201937636A

TW201937636A - 用於高產量處理腔室的製程套件

Info

Publication number: TW201937636A
Application number: TW108120015A
Authority: TW
Inventors: 卡亞吉特葛許; 梅尤Ｇ古卡霖; 桑傑夫巴魯札; 基恩Ｎ祝; 晟鎭金; 王彥杰
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2014-12-22
Filing date: 2015-12-21
Publication date: 2019-09-16
Also published as: US11512391B2; KR102438139B1; TW202309333A; US10724138B2; TWI730338B; US20160181088A1; TW202205491A; US20200325577A1; KR20160076456A; TWI797613B; CN111218666A; CN105714269B; TWI666716B; CN111218666B; US20180274095A1; US10017855B2; TW201624594A; CN105714269A

Abstract

本文公開了一種用於處理基板材的處理腔室。在一個實施例中，該處理腔室包括：襯層組件，該襯層組件設置在該處理腔室的內部容積內；以及C形通道，該C形通道設置在該腔室的內部容積內，並且包圍該襯層組件。在另一實施例中，本文公開了一種製程套件，該製程套件設置在該處理腔室的該內部容積內。該製程套件包括設置在該內部容積內的襯層組件、C形通道和隔離器。該C形通道和該隔離器包圍該襯層組件。本文還描述了一種用於通過使前驅氣體流入處理腔室中以將矽基材料沉積在基板材上的方法。

Description

用於高產量處理腔室的製程套件

本文所述實施例總體涉及一種用於半導體處理器腔室的製程套件、一種具有製程套件的半導體處理腔室、以及一種用於在其中沉積矽基材料的方法。更具體而言，實施例涉及一種用於化學氣相沉積腔室中的製程套件，該製程套件包括襯層組件、C形通道和隔離器。

在積體電路的製造中，沉積製程（諸如，化學氣相沉積(CVD)或電漿增強型CVD製程）用於將各種材料的膜沉積在半導體基板材上。在CVD製程期間，用於沉積所需材料的化學反應在封閉的製程腔室中發生。當材料被沉積在基板材上時，包括這種材料的殘餘物以及CVD製程的副產物積聚在製程腔室的內壁和其他部件上。隨著在腔室中處理了更多基板材，殘餘物積累起來並且導致顆粒和其他污染物的生成，並且導致所沉積的膜的降級。因此，人們推薦定期清理CVD腔室的內部。

製程套件可設置在腔室中，以便有助於結合來自腔室底部的淨化氣體來將處理容積限制到基板材上方所期望的區域。製程套件通常包括一個或多個襯層。襯層可配置成輔助將電漿限制於處理區域，並有助於防止腔室中的其他部件受到所沉積材料的污染。底部淨化氣體可提供給腔室，以便防止製程氣體沉積在腔室的底部。然而，常規的製程套件會以導致襯層上的過量的磨損和/或材料沉積物的方式來引導淨化氣體。材料在襯層上的堆積增加了處理期間基板材污染的可能性。因此，該製程套件的保養間隔可能過短而導致頻繁的清潔。

因此，需要一種改進的製程套件以及具有此改進的製程套件的CVD腔室。

本文所述實施例總體涉及一種製程套件以及一種具有這種製程套件的處理腔室。該處理腔室包括：腔室體，該腔室體具有內部容積；蓋，該蓋封閉該內部容積；襯層組件，該襯層組件設置在該腔室體的該內部容積內；以及C形通道，該C形通道設置在該腔室體的該內部容積內。該C形通道環繞該襯層組件。該C形通道還包括頂部環形部、底部環形部和中間環形部。該頂部環形部具有頂表面和底表面。該頂表面具有穿過該頂表面而形成的多個開口。該底部環形部具有頂表面和底表面。該底部環形部的頂表面面向該頂部環形部的底表面。該中間環形部連接該頂部環形部和該底部環形部以形成該C形通道。該頂部環形部、該底部環形部和該中間環形部限定泵送區域。該泵送區域將該頂部環形部的底表面與該底部環形部的頂表面分開。泵送區域由該襯層組件密封，使得形成在該頂部環形部的頂表面中的多個開口延伸穿過該頂部環形部。因此，該多個開口將該腔室體的內部容積與該泵送區域流體地連接。

在另一實施例中，本文公開一種用於處理腔室的製程套件。製程套件包括：襯層組件；C形通道，該C形通道配置成包圍該襯層組件；以及T形襯層，該T形襯層配置成包圍該襯層組件。該C形通道還包括頂部環形部、底部環形部和中間環形部。頂部環形部具有頂表面和底表面。該頂表面具有穿過該頂表面而形成的多個開口。該底部環形部具有頂表面和底表面。該底部環形部的頂表面面向該頂部環形部的底表面。該中間環形部連接該頂部環形部和該底部環形部以形成C形通道。該頂部環形部、該底部環形部該中間環形部限定泵送區域。該泵送區域將該頂部環形部的底表面與該底部環形部的頂表面分開。當襯層組件設置在該C形通道內部時，該泵送區域由該襯層組件界定。該T形襯層還包括頂部環形部和底部環形部。頂部環形部具有頂表面和底表面。底部環形部具有頂表面和底表面。底部環形部的頂表面耦接至頂部環形部的底表面以形成T形圖形。

在另一實施例中，本文公開了一種關於將矽基材料沉積在基板材上的方法。使前驅氣體通過噴淋頭流入處理腔室。該前驅氣體被引導穿過多個豎直開口而進入泵送通道，該多個豎直開口形成為進入包圍基板材的C形通道。前驅氣體從該C形通道泵送出處理腔室。

第1圖示意性地示出具有製程套件102的處理腔室100，該製程套件配置成用於減少其上的顆粒沉積，這有利地減少了缺陷並且增加了保養間隔。處理腔室100包括具有側壁122和底部124的腔室體104以及設置在側壁122上的蓋106。側壁122、底部124和蓋106限定處理腔室100的內部容積108。處理腔室100包括氣體分配組件110以及基座組件120。在一個實施例中，氣體分配組件包括氣體入口107、擋板材109和面板材111。

基座組件120設置在內部容積中，並且一般包括基板材支撐件140。基板材支撐件140可由鋁或陶瓷構成。基板材支撐件140可以是靜電卡盤、陶瓷體、加熱器、真空卡盤、托座(susceptor)或它們的組合。基板材支撐件140具有基板材接收表面142，該基板材接收表面142在處理期間接收並且支撐基板材126。基座組件120通過升降機構134耦接至處理腔室100的底部124，該升降機構134配置成使基座組件120在升高的位置（未示出）與降低的位置136之間移動。在降低的位置136中，升降銷（未示出）延伸穿過基座組件120，以便將基板材126與基座組件120間隔開，從而便於利用設置在處理腔室100的外部的基板材傳送機構（未示出）（例如，機械臂）進行的基板材126的交換。波紋管138設置在基座組件120與腔室底部124之間，以使腔室體104的內部容積108與基座組件120的內部和處理腔室100的外部隔離。

製程套件102環繞基座組件120。製程套件102包括隔離器112、C形通道114和襯層組件118中的至少一或多個。襯層組件118包括缸體（cylinder），該缸體用於限制受激發的製程氣體並且保護處理腔室100的側壁122免受受激發的製程氣體。襯層組件118包括底部襯層128、中間襯層130和頂部襯層132。底部襯層128位於腔室體104的底部124上。中間襯層130位於底部襯層128的頂部。中間襯層130還包括狹槽144，該狹槽144被配置成允許基板材126在被傳送進和傳送出處理腔室100時穿過中間襯層130。頂部襯層132位於中間襯層130的頂部。頂部襯層132、中間襯層130和底部襯層128形成界定了處理腔室100的內部容積108的部分的連續表面。在第5圖中更詳細地討論襯層組件。

C形通道114包括環形體146和泵送區域148。C形通道114設置在腔室體104內，並且環繞襯層組件118和基座組件120兩者。

第3A圖是C形通道114的放大圖。環形體146包括頂部環形部300、底部環形部302和中間環形部304。頂部環形部300和底部環形部302可以是伸長的且基本上平行的。中間環形部304垂直於頂部環形部300和底部環形部302兩者，並且連接頂部環形部300和底部環形部302的徑向地向外的邊緣以形成C形通道114。底部環形部302還包括頂表面306、底表面308、內壁310和外壁312。頂表面306基本上平行於底表面308。外壁312垂直於頂表面306和底表面308，並且還包括外徑314。內壁310基本上平行於外壁312，並且包括內徑316，使得內徑316小於外徑314。

頂部環形部300包括頂表面318、底表面320、內壁322和外壁324。頂表面318基本上平行於底表面320。頂部環形部300的底表面320面向底部環形部302的頂表面306。多個開口330延伸穿過頂部環形部300，從而將頂表面318和底表面320連接起來。開口330可以是允許氣體流經或流過頂部環形部300的孔、狹槽和其他類型的特徵。在一個實施例中，開口330可圍繞頂表面318按等間距圖案390來佈置，以便提供跨基板材的均勻氣流。在另一實施例中，如第3B圖所示，開口330可定位成圍繞頂表面318呈現不對稱的圖案392。不對稱的圖案392可呈多個開口330圍繞頂部環形部300不對稱的分佈形式，或呈開口330開放區域圍繞頂部環形部300不對稱的分佈形式。在一個實施例中，第3B圖中的開口330可在靠近泵送通道的位置處較稀疏，並且在與泵送通道相對的位置處較密集。

參考回第3A圖，外壁324垂直於頂表面318和底表面320，並且還包括外徑328。頂部環形部300的外徑328基本上等於底部環形部302的外徑314。內壁322基本上平行於外壁324，並且包括內徑326。頂部環形部300的內徑326基本上等於底部環形部302的內徑316。

中間環形部304包括頂部邊緣332、底部邊緣334、內壁336和外壁338。中間環形部304的頂部邊緣332基本上平行於底部邊緣334，並且耦接至頂部環形部300的底表面320。中間環形部304的底部邊緣334耦接至底部環形部302的頂表面306。中間環形部304的外壁338垂直於中間環形部304的頂部邊緣332和底部邊緣334。中間環形部304的外壁338與頂部環形部300的外壁324和底部環形部302的外壁312是一體的（integral）。外壁338具有外徑342，其中外徑342基本上等於頂部環形部300的外徑328和底部環形部302的外徑314。內壁336基本上平行於外壁338，並還包括內徑340。中間環形部304的內徑340小於頂部環形部300的內徑326和底部環形部302的內徑316。

頂部環形部300的底表面320、中間環形部304的內壁336和底部環形部302的頂表面306限定泵送區域148。頂部環形部300的頂表面318中的多個開口330提供處理腔室100的內部容積108與泵送區域148之間的流體連通。在處理期間，當基座組件處於升高的位置時，C形通道114位於基座組件（如第2圖所示）下方。泵送區域148配置成接收製程氣體，該製程氣體通過多個開口330而離開處理腔室100的內部容積108，該多個開口330是穿過頂部環形部300的頂表面318而形成。泵送區域148通過頂部襯層132的外緣與腔室體104的內部容積108分開（如第1圖所示），該頂部襯層132的外緣鄰接內壁310、322、336。製程氣體通過排氣口（未示出）離開泵送區域148，穿過底部環形部302的底表面308限定該排氣口。隨後，製程氣體通過泵送埠116離開腔室體104。

參考回第1圖，隔離器112設置在處理腔室100的內部容積108中。隔離器112環繞基座組件120以及襯層組件118。隔離器112在襯層組件118的上方延伸，並輔助引導製程氣體跨過基板材126並進入在C形通道114的環形體146中限定的泵送區域148。在一個實施例中（諸如，第1圖所示的實施例）隔離器112具有T形主體。

第4圖示出隔離器112的放大圖。隔離器112包括頂部環形體400和底部環形體402。頂部環形體400包括頂表面404、底表面406、內壁408和外壁410。頂表面404基本上平行於底表面406。內壁408垂直於頂表面404和底表面406，並且還包括內徑412。外壁410基本上平行於內壁408，並且包括外徑414，其中，外徑414大於內徑412。

底部環形體402包括頂表面416、底表面418、內壁420和外壁422。底部環形體402的頂表面416耦接至頂部環形體400的底表面406，使得兩個主體400、402形成T形形狀。底部環形體402的頂表面416基本上平行於底表面418。內壁420基本上垂直於頂表面416和底表面418兩者，並還包括內徑424。內徑424大於頂部環形體400的內壁408的內徑412。外壁422基本上平行於內壁420，並還包括外徑426。外徑426大於底部環形體402的內徑424，並且小於頂部環形體400的外徑414。

頂部環形體400的底表面406與底部環形體402的內壁420是一體的。能以引導製程氣體進入C形通道（未示出）以進行排放的方式來彎曲這一體的表面。頂部環形體400的底表面406與底部環形體402的外壁422也是一體的。這一體的表面配置成接觸蓋組件（如第1圖所示）的外周緣。

第2圖示出處理腔室100的截面圖，其中基座組件120處於升高的位置200。在升高的位置200中，設置在其中的製程套件102有助於將處理容積限制在基座組件120上方。因此，製程套件102輔助了保持腔室的底部清潔。結果，製程套件102輔助了減少總清潔時間。

控制器202耦接至處理腔室100，並且經由通信線纜204與運動機構通信以升高或降低基座組件120。可操作控制器202以控制在處理腔室100內對基板材126的處理。控制器202包括可程式設計中央處理單(CPU) 206（其可與記憶體208和大型存放區設備一起操作）輸入控制單元和顯示單元（未示出），諸如，電源、時鐘、快取記憶體、輸入/輸出（I/O）電路等，這些器件耦接至處理腔室100的各種部件以促進對處理基板材126的製程的控制。控制器202還可包括硬體，該硬體用於通過處理腔室100中的感測器（未示出）來監控對基板材126的處理。

為了促進對處理腔室100以及對於對基板材126進行處理的控制，CPU 206可以是用於控制基板材製程的任何形式的通用電腦處理器中的一種。記憶體208耦接至CPU 206，並且記憶體208是非暫態的，並且可以是現成的記憶體中的一或多種，諸如，隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的數位存放裝置（無論是本地的還是遠端的）。支援電路212耦接至CPU 206，以便以常規方式來支援CPU 206。用於處理基板材126的製程一般是存儲在記憶體208中。用於處理基板材126的製程還可由第二CPU（未示出）存儲和/或執行，該第二CPU是位於由CPU 206所控制的硬體的遠端處。

記憶體208是電腦可讀存儲介質形式的，該電腦可讀存儲介質包含指令，當由CPU 206執行這些指令時，將促進在處理腔室100中處理基板材126的操作。記憶體208中的指令是一種程式產品的形式，諸如，實施處理基板材126的操作的程式。程式碼可符合許多不同的程式設計語言中的任何一種。在一個示例中，本公開可實現為存儲在用於與電腦系統一起使用的電腦可讀存儲介質中的程式產品。程式產品的程式定義出實施例的功能。說明性的電腦可讀存儲介質包括但不限於：(i)不可寫入的存儲介質（例如，電腦內的唯讀記憶體設備，諸如，可由CD-ROM驅動器讀取的CD-ROM、快閃記憶體記憶體、ROM晶圓或任何類型的固態非易失性半導體記憶體)，在該不可寫入的存儲介質上，資訊被永久地存儲；以及(ii)寫入式存儲介質（例如，在軟碟機內的軟碟、或硬碟、或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體），在該寫入式存儲介質上，可更改的資訊被存儲。此類電腦可讀存儲介質在載有引導本文所述的方法的功能的電腦可讀指令時是本公開的實施例。

在升高的位置200中，升降機構134使基板材支撐件140在處理腔室100的內部容積108內升高至高度h。該高度可以是例如使得頂部襯層132與基板材支撐件140之間存在約2 mm的徑向間隙，並且在隔離器112與基板材支撐件140之間存在約5 mm間隙。將基板材（未示出）定位在基板材支撐件140上且在一垂直高度處，會使得狹縫沿該基板材的側邊而排列。基板材的底部位於頂部襯層的頂表面下方以防止在基座組件120下方的任何製程氣體的流動。在處理期間，控制器202與處理腔室100通信以使製程氣體從製程氣源203流入處理腔室100的內部容積108中，用以在基板材126上沉積材料。所沉積的材料可以是電介質材料，諸如，矽基電介質材料。氣體分配組件110將製程氣體提供給內部容積108。製程氣體可以是例如TEOS。為了輔助保持處理腔室100的下部區域清潔，可使淨化氣體從基座組件120下方流過處理腔室100的內部容積108。通過處理腔室100的底部124由單獨的氣體管線210來引入淨化氣體。淨化氣體有助於使處理腔室100的側壁122以及處理腔室100在基座組件120下方的區域上的不想要的沉積最小化。淨化氣體可以是惰性氣體，諸如，氮或氬。

在處理之後，將製程氣體和淨化氣體兩者從處理腔室100的內部容積108中排出。隔離器112引導製程氣體和淨化氣體向下，並朝向C形通道114的上表面中的多個開口330（在第3A圖和第3B圖中示出）。一旦製程氣體和淨化氣體進入了泵送區域148，則使這些氣體通過排氣口（未示出）流出泵送區域148，在底部環形部302的底表面308限定該排氣口。隨後，這些氣體通過泵送埠116離開腔室體104。

第5圖示出處理腔室100中的製程套件500的一個實施例的放大截面圖。製程套件500包括隔離器502、C形通道114和襯層組件506，襯層組件506具有頂部襯層508、中間襯層（未示出）和底部襯層（未示出）。頂部襯層508可以是缸體，用於限制製程氣體並且保護側壁122免受製程氣體。頂部襯層508還包括外壁512和頂表面514。外壁512和頂表面514以半徑516相交。該半徑控制頂部襯層的曲率或邊緣倒圓角。例如，外壁512與頂表面514的相交可以具有25 mm的半徑。其中隔離器502接觸頂部襯層508的幾何配置基本上防止沉積材料在製程套件500上的積聚。頂部襯層（如第1圖和第2圖所示）的邊緣被修整成具有更陡的斜度以防止其後方的氣流再循環。另外，隔離器502的內壁518可成形為避免氣體積聚在頂部襯層508上。例如，隔離器502的內壁518可以包括35 mm倒角以輔助防止隔離器502後方的氣流再循環。

在處理期間，底部淨化用於防止基座組件下方的腔室區域免受製程氣體的污染。底部淨化有助於顯著地減少清潔處理腔室100所需的時間。隔離器502和頂部襯層508的配置將淨化氣體引導至隔離器502與頂部襯層508之間區域，這顯著地減少了頂部襯層上的再循環，並且顯著地防止粉末殘留。

第6圖示出處理腔室100的另一實施例。處理腔室100包括製程套件600，該製程套件600配置成減少其上的顆粒沉積，這有利地減少缺陷並且增大保養間隔。

製程套件602環繞基座組件120。製程套件602包括隔離器604、C形通道114和襯層組件118中的至少一個或多個。在一個實施例（諸如，第6圖所示的實施例）中，隔離器604具有L形。L形襯層設置在處理腔室100的內部容積108中。隔離器604環繞基座組件120和襯層組件118。隔離器604在襯層組件118的上方延伸。隔離器604輔助跨基板材126來引導製程氣體並將該製程氣體引入泵送區域148中，該泵送區域148被限定在C形通道114的環形體146中。

第7圖示出隔離器604的一個實施例的放大圖。隔離器604包括頂部環形體700和底部環形體702。頂部環形體700耦接至底部環形體702以形成L形形狀。隔離器604還包括內表面704。內表面704由頂部環形體700和底部環形體702形成。內表面704配置成在處理期間接收電漿堆積。內表面704與基座組件間隔開，使得電漿堆積與基板材表面相隔得更遠。內表面704與基板材之間的增加的距離減小了電漿堆積將落在基板材的表面上的可能性。

儘管上述內容是針對具體實施例，但也可設計其他和進一步的實施例而不背離本發明的基本範疇，並且本發明的範疇由所附申請專利範圍來確定。

100‧‧‧處理腔室

102‧‧‧製程套件

104‧‧‧腔室體

106‧‧‧蓋

107‧‧‧氣體入口

108‧‧‧內部容積

109‧‧‧擋板材

110‧‧‧氣體分配組件

111‧‧‧面板材

112‧‧‧隔離器

114‧‧‧C形通道

116‧‧‧泵送埠

118‧‧‧襯層組件

120‧‧‧基座組件

122‧‧‧側壁

124‧‧‧底部

126‧‧‧基板材

128‧‧‧底部襯層

130‧‧‧中間襯層

132‧‧‧頂部襯層

134‧‧‧升降機構

136‧‧‧降低的位置

138‧‧‧波紋管

140‧‧‧基板材支撐件

142‧‧‧基板材接收表面

144‧‧‧狹槽

146‧‧‧環形體

148‧‧‧泵送區域

200‧‧‧升高的位置

202‧‧‧控制器

203‧‧‧製程氣源

204‧‧‧通信線纜

206‧‧‧CPU

208‧‧‧記憶體

210‧‧‧氣體管線

212‧‧‧支援電路

300‧‧‧頂部環形部

302‧‧‧底部環形部

304‧‧‧中間環形部

306‧‧‧頂表面

308‧‧‧底表面

310‧‧‧內壁

312‧‧‧外壁

314‧‧‧外徑

316‧‧‧內徑

318‧‧‧頂表面

320‧‧‧底表面

322‧‧‧內壁

324‧‧‧外壁

326‧‧‧內徑

328‧‧‧外徑

330‧‧‧開口

332‧‧‧頂部邊緣

334‧‧‧底部邊緣

336‧‧‧內壁

338‧‧‧外壁

340‧‧‧內徑

342‧‧‧外徑

390‧‧‧間距圖案

392‧‧‧不對稱的圖案

400‧‧‧頂部環形體

402‧‧‧頂部環形體

404‧‧‧頂表面

406‧‧‧底表面

408‧‧‧內壁

410‧‧‧外壁

412‧‧‧內徑

414‧‧‧外徑

416‧‧‧頂表面

418‧‧‧底表面

420‧‧‧內壁

422‧‧‧外壁

424‧‧‧內徑

426‧‧‧外徑

500‧‧‧製程套件

502‧‧‧隔離器

506‧‧‧襯層組件

508‧‧‧頂部襯層

512‧‧‧外壁

514‧‧‧頂表面

516‧‧‧半徑

518‧‧‧內壁

600‧‧‧製程套件

602‧‧‧製程套件

604‧‧‧隔離器

700‧‧‧頂部環形體

702‧‧‧底部環形體

704‧‧‧內表面

因此，為了能夠詳細地理解本公開的上述特徵的方式，對上文簡要概述的本公開的更具體的描述可以參照各實施例來進行，一些實施例在附圖中示出。然而，應當注意的是，附圖僅示出本公開的典型實施例，而因此不應被視為用於限制本公開的範圍，因為本公開可以允許其他等效的實施例。

第1圖示意性地示出根據一個實施例的具有製程套件的處理腔室。

第2圖示意性地示出具有處於延伸位置的基板材支撐件的第1圖的製程套件的截面圖。

第3A圖是根據一個實施例的製程套件的C形通道的放大圖。

第3B圖是根據一個實施例的製程套件的C形通道的俯視圖。

第4圖是根據一個實施例的製程套件的隔離器的放大圖。

第5圖是根據一個實施例的處理腔室中的製程套件的一個實施例的放大圖。

第6圖示意性地示出根據一個實施例的具有製程套件的處理腔室的截面圖。

第7圖是根據一個實施例的製程套件的隔離器的放大圖。

為了清楚起見，在適用的情況下，已使用完全相同的參考元件符號來指定各圖間所共有的完全相同的元件。另外，一個實施例中的元件可有利地適配用於本文所描述的其他實施例中。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims

一種將一矽基材料沉積在一基板材上的方法，該方法包括以下步驟：使一前驅氣體流入一處理腔室中；引導該前驅氣體穿過形成在一C形通道中的多個豎直開口而進入一泵送通道；以及將該前驅氣體從該C形通道泵送出該處理腔室。
如請求項1所述之方法，其中該處理腔室進一步包括：一腔室體，該腔室體具有一內部容積；一蓋，該蓋封閉該內部容積；及一襯層組件，該襯層組件設置在該腔室體的該內部容積內，其中該C形通道環繞該襯層組件，該C形通道進一步包括：一頂部環形部，該頂部環形部具有該多個開口穿過其而形成；一底部環形部，該底部環形部面向該頂部環形部；以及一中間環形部，該中間環形部連接該頂部環形部和該底部環形部以形成一C形主體，該頂部環形部、該底部環形部該中間環形部限定一泵送區域，該泵送區域通過穿過該頂部環形部而形成的該多個孔流體地耦接至該內部容積。
如請求項1所述之方法，其中該方法進一步包括以下步驟：升高設置在該處理腔室的一內部容積中的一基座組件，其中該基座組件經配置以將該處理腔室的一處理容積限定至該基座組件上方的一區域。
如請求項3所述之方法，其中該基座組件經升高使得在設置在該處理腔室中的一頂部襯層與該基板材支撐件之間形成約2 mm的一徑向間隙。
如請求項3所述之方法，其中該基座組件經升高使得在設置在該處理腔室中的一隔離器與該基板材支撐件之間形成約5 mm的一間隙。
如請求項3所述之方法，其中該方法進一步包括以下步驟：使一淨化氣體在該基座組件的下方流過該處理腔室的該內部容積。
如請求項6所述之方法，其中該淨化氣體是一惰性氣體。
一種將一矽基材料沉積在一基板材上的方法，該方法包括以下步驟：使一前驅氣體流入一處理腔室中；引導該前驅氣體穿過形成在一C形環形體中的多個豎直開口而進入一泵送通道；以及將該前驅氣體從該C形環形體泵送出該處理腔室。
如請求項8所述之方法，其中該處理腔室進一步包括：一腔室體，該腔室體具有一內部容積；一蓋，該蓋封閉該內部容積；一襯層組件，該襯層組件經尺寸設置成包圍一製程腔室的一內部容積，其中該C形環形體包圍該襯層組件且該C形環形體的一頂部具有多個開口穿過其而形成；及一排氣口，該排氣口穿過該C形環形體的一底部形成，其中經設置在鄰接該排氣口之第一區域中的該多個開口之第一部分具有一第一密度，而經設置在相對於該第一區域的第二區域中的該多個開口之第二部分具有大於該第一密度的一第二密度。
如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：升高設置在該處理腔室的一內部容積中的一基座組件，其中該基座組件經配置以將該處理腔室的一處理容積限定至該基座組件上方的一區域。
如請求項10所述之方法，其中該基座組件經升高使得在設置在該處理腔室中的一頂部襯層與該基板材支撐件之間形成約2 mm的一徑向間隙。
如請求項10所述之方法，其中該基座組件經升高使得在設置在該處理腔室中的一隔離器與該基板材支撐件之間形成約5 mm的一間隙。
如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟：使一淨化氣體在該基座組件的下方流過該處理腔室的該內部容積。
如請求項13所述之方法，其中該淨化氣體是一惰性氣體。
一種在一製程腔室的一內部容積中使用的製程套件，該製程套件包括：一襯層組件，該襯層組件經尺寸設置成包圍一製程腔室的一內部容積；一C形環形體，該C形環形體經尺寸設置成包圍該襯層組件，其中該C形環形體的一頂部具有多個開口穿過其而形成；一排氣口，該排氣口穿過該C形環形體的一底部形成，其中經設置在鄰接該排氣口之第一區域中的該多個開口之第一部分具有一第一密度，而經設置在相對於該第一區域的第二區域中的該多個開口之第二部分具有大於該第一密度的一第二密度；及一隔離器，該隔離器包圍該襯層組件。
如請求項15所述之製程套件，其中該襯層元件進一步包括：一底部襯層，該底部襯層設置在該製程腔室的一底部上；一中間襯層，該中間襯層設置在該底部襯層的頂部並耦接至該底部襯層；以及一頂部襯層，該頂部襯層設置在該中間襯層的頂部並耦接至該中間襯層，該底部襯層、該中間襯層和該頂部襯層形成一連續的表面，該連續的表面具有一外徑，該外徑小於該C形通道的一內徑。
如請求項16所述之製程套件，其中該頂部襯層進一步包括：一外壁；及一頂表面，該頂表面基本上垂直於該外壁，該頂表面與該外壁以一半徑相交。
如請求項17所述之製程套件，其中該半徑為25 mm。
如請求項15所述之製程套件，其中該隔離器為L形。
如請求項15所述之製程套件，其中該隔離器為T形。