TW201935659A - 半導體背面密接膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種雷射標記性及紅外線遮蔽性優異之半導體背面密接膜。
本發明之半導體背面密接膜之500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下。上述半導體背面密接膜較佳為波長500 nm下之全光線吸光度與波長1300 nm下之全光線吸光度之差為2以下。上述半導體背面密接膜較佳為含有於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之紅外線吸收劑。

Description

半導體背面密接膜

本發明係關於半導體背面密接膜。更詳細而言，本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之半導體背面密接膜。

近年來，廣泛應用於基板上藉由覆晶接合安裝有半導體晶片等半導體元件之覆晶型半導體裝置。於覆晶型半導體裝置中，有為了防止半導體元件之損傷等，而使用半導體背面密接膜作為用以於半導體元件之背面形成保護膜之膜之情況(參照專利文獻1、2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-151360號公報
[專利文獻2]國際公開第2014/092200號

[發明所欲解決之問題]

先前之半導體背面密接膜通常調配有著色劑以能夠藉由雷射標記賦予刻印資訊，又，藉此具有遮光性。可是，近年來，矽層之薄層化進展。伴隨此，對於半導體背面密接膜亦要求薄膜化。然而，存在若矽薄層化，則所透過之光之波長自紅外線擴大至可見光之問題。又，關於半導體背面密接膜，於用於雷射標記之具有可見光吸收之著色劑較多之情形時，在近紅外下不具有吸收者亦較多，存在除透過紅外線以外，亦伴隨薄膜化而遮光性降低之問題。若半導體背面密接膜之遮光性較差，則光變得容易透過，因此由於光透過而於半導體之電路面產生雜訊等不良影響，或者藉由使用紅外線顯微鏡等而可見電路面，而變得無法維持秘密性。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種雷射標記性及紅外線遮蔽性優異之半導體背面密接膜。
[解決問題之技術手段]

發明人等為了達成上述目的而進行銳意研究，結果發現，根據於500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下之半導體背面密接膜，而雷射標記性及紅外線遮蔽性優異。本發明係基於該等見解而完成者。

即，本發明提供一種半導體背面密接膜，其於500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下。此種構成之半導體背面密接膜可於半導體裝置之製造過程中使用。

本發明之半導體背面密接膜如上所述，500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下。具有此種構成之本發明之半導體背面密接膜由於在可見光直至紅外線之波長區域全光線透過率較低，故而雷射標記性優異，且可充分地吸收紅外線，而紅外線遮蔽性優異。

本發明之半導體背面密接膜較佳為波長500 nm下之全光線吸光度與波長1300 nm下之全光線吸光度之差為2以下。藉由具有此種構成，本發明之半導體背面密接膜可同等地遮蔽可見光與紅外線，雷射標記性及紅外線之遮蔽性同等優異。

本發明之半導體背面密接膜較佳為含有於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之紅外線吸收劑。藉由具有此種構成，而有波長1300 nm下之全光線透過率變低之傾向。

於本發明之半導體背面密接膜中，上述紅外線吸收劑之含有比例較佳為0.2～30質量%。藉由具有此種構成，而有波長1300 nm下之全光線透過率變低之傾向。

本發明之半導體背面密接膜較佳為含有於350～700 nm之波長區域具有吸光度之極大值之可見光吸收染料。藉由具有此種構成，而有波長500 nm下之全光線透過率變低之傾向。又，於在伴有切割膠帶之狀態下實施雷射標記時於半導體背面密接膜與切割膠帶之間不易產生氣泡，雷射標記後之外觀優異。

於本發明之半導體背面密接膜中，上述可見光吸收染料之含有比例較佳為0.05～10質量%。藉由具有此種構成，而有波長500 nm下之全光線透過率變低之傾向。又，可獲得良好之印字性(視認性良好之印字)。進而，於在伴有切割膠帶之狀態下實施雷射標記時於背面密接膜與切割膠帶之間更不易產生氣泡。

本發明之半導體背面密接膜較佳為含有環氧樹脂及丙烯酸系樹脂。藉由具有此種構成，可兼顧半導體背面密接膜對於工件之接著性與切割時之良好之切斷性，又，藉由熱硬化而使對於工件之接著性變得更為堅固。又，有可成為半導體晶片之腐蝕原因之離子性雜質等之含量變少的傾向。

本發明之半導體背面密接膜較佳為含有填料。藉由具有此種構成，容易調整半導體背面密接膜之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性。又，能夠抑制雷射標記時所照射之光線之漫反射，而紅外線遮蔽性優異，並且藉由雷射標記而更明確地賦予刻印資訊。
[發明之效果]

本發明之半導體背面密接膜係雷射標記性及紅外線遮蔽性優異。因此，藉由使用本發明之半導體背面密接膜，即便於半導體晶圓經薄層化之情形時，亦可清晰地進行雷射標記，再者，可抑制照射到紅外線時對半導體之電路面造成不良影響，或可見電路面。

[半導體背面密接膜]
本發明之半導體背面密接膜(有時僅稱為「背面密接膜」)之500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下。再者，於本說明書中，半導體(工件)之所謂「表面」，係指工件之形成有用以覆晶安裝之凸塊的面，所謂「背面」，係指表面之相反側、即未形成凸塊之面。並且，「背面密接膜」係指密接於半導體之背面使用之膜，包含用以於半導體晶片之背面(所謂內面)形成保護膜之膜(半導體內面保護膜)。又，於本說明書中，所謂「背面密接膜」，係於安裝至半導體裝置後亦密接於工件之背面之膜，不包括下述切割膠帶或隔離膜等會於半導體裝置之製造過程中剝離之層。本發明之背面密接膜可為單層構造，亦可為多層構造。

本發明之背面密接膜之500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下，較佳為18%以下，更佳為16%以下。藉由使上述全光線透過率為20%以下，本發明之背面密接膜由於在可見光直至紅外線之波長區域全光線透過率較低，故而雷射標記性優異，且可充分地吸收紅外線，而紅外線遮蔽性優異。上述全光線透過率可使用公知之分光光度計進行測定。

本發明之背面密接膜之波長500 nm下之全光線吸光度及波長1300 nm下之全光線吸光度分別較佳為0.8以上，更佳為1.0以上。若上述波長500 nm下之全光線吸光度為0.8以上，則可見光之吸收量變多，而雷射標記性更為優異。若上述波長1300 nm下之全光線吸光度為0.8以上，則紅外線之吸收量變多，而紅外線遮蔽性更為優異。上述全光線吸光度可使用公知之分光光度計進行測定。

本發明之背面密接膜較佳為波長500 nm下之全光線吸光度與波長1300 nm下之全光線吸光度的差[｜1300 nm-500 nm｜吸光度差]為2以下，更佳為1.95以下，進而較佳為1.9以下。若上述全光線吸光度之差為2以下，則本發明之背面密接膜可同等地遮蔽可見光與紅外線，而雷射標記性及紅外線之遮蔽性同等優異。上述全光線吸光度可使用公知之分光光度計進行測定。

本發明之背面密接膜及形成背面密接膜之組合物(樹脂組合物)較佳為含有熱塑性樹脂。於背面密接膜具有熱固性之情形時，本發明之背面密接膜及上述樹脂組合物可含有熱固性樹脂及熱塑性樹脂，亦可含有具有可與硬化劑反應而產生鍵結之熱固性官能基之熱塑性樹脂。於本發明之背面密接膜含有具有熱固性官能基之熱塑性樹脂之情形時，上述樹脂組合物無需含有熱固性樹脂(環氧樹脂等)。

本發明之背面密接膜中之熱塑性樹脂例如為承擔黏合劑功能者。作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，就離子性雜質較少且耐熱性較高之觀點而言，較佳為丙烯酸系樹脂。

上述丙烯酸系樹脂係含有源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元的聚合物。上述丙烯酸系樹脂較佳為以質量比例計含有最多源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦相同。

作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。作為具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之烴基中之1個以上之氫原子被取代為烷氧基者，例如可列舉(甲基)丙烯酸之2-甲氧基甲酯、2-甲氧基乙酯、2-甲氧基丁酯等。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

上述丙烯酸系樹脂以凝聚力、耐熱性等之改質為目的，亦可含有源自能夠與可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分的結構單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體等。作為上述含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可列舉：馬來酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。作為上述含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。作為上述含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。作為上述含磷酸基之單體，例如可列舉磷酸2-羥乙基丙烯醯基酯等。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

關於本發明之背面密接膜可含有之丙烯酸系樹脂，就兼顧背面密接膜對於工件之接著性及切割時之良好之切斷性的觀點而言，較佳為適宜地選自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸中之單體之共聚物。

於本發明之背面密接膜一併含有熱固性樹脂與熱塑性樹脂之情形時，作為該熱固性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂等。上述熱固性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。由於存在可成為半導體晶片之腐蝕原因之離子性雜質等之含量較少的傾向，故而作為上述熱固性樹脂，較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為上述環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等多官能環氧樹脂。上述環氧樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。其中，就富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性且耐熱性優異之方面而言，較佳為酚系酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。

作為可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可列舉：可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

於本發明之背面密接膜中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分地進行之觀點而言，酚樹脂係以環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，該酚樹脂中之羥基成為較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量之量含有。

於本發明之背面密接膜含有熱固性樹脂之情形時，上述熱固性樹脂之含有比例就使背面密接膜適當硬化之觀點而言，相對於本發明之背面密接膜之總質量，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

於本發明之背面密接膜含有具有熱固性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂中之丙烯酸系樹脂較佳為含有源自含烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比例計最多之結構單元。作為該含烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：作為形成作為上述本發明之背面密接膜可含有之熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂的含烴基之(甲基)丙烯酸酯所例示之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱固性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。即，作為含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂，尤佳為含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂、含羧基之丙烯酸系樹脂。又，較佳為一併含有含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂與硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉：作為下述黏著劑層形成用放射線硬化性黏著劑可含有之交聯劑所例示者。於含熱固性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱固性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，較佳為使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。

於本發明之背面密接膜含有熱固性樹脂之情形時，較佳為含有熱硬化觸媒(熱硬化促進劑)。若含有熱硬化觸媒，則於背面密接膜之硬化時可使樹脂成分之硬化反應充分地進行，或者提高硬化反應速度。作為上述熱硬化觸媒，例如可列舉：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三鹵硼烷系化合物等。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、甲基三苯基鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基鏻、氯化苄基三苯基鏻等。三苯基膦系化合物亦包括兼有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基硼酸四苯基鏻、四對硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸苄基三苯基鏻、三苯基膦三苯基硼烷等。作為胺系化合物，例如可列舉單乙醇胺三氟硼酸鹽、雙氰胺等。作為三鹵硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷等。上述熱硬化觸媒可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

本發明之背面密接膜亦可含有填料。藉由含有填料，容易調整背面密接膜之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性。又，能夠抑制雷射標記時所照射之光線之漫反射，而紅外線遮蔽性優異，並且藉由雷射標記而更明確地賦予刻印資訊。作為填料，可列舉無機填料、有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化矽、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽等。又，作為無機填料之構成材料，可列舉：鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺。上述填料可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

上述填料亦可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。上述填料之平均粒徑較佳為10 μm以下，更佳為8 μm以下，進而較佳為7 μm以下。上述平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.2 μm以上。若上述平均粒徑為10 μm以下，則能夠抑制雷射標記時所照射之光線之漫反射，而紅外線遮蔽性優異，並且藉由雷射標記而更明確地賦予刻印資訊。又，對於供小片化之背面密接膜，切斷性更為優異。於本說明書中，填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求出。

上述填料之含有比例相對於本發明之背面密接膜之總質量，較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。上述含有比例較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。

本發明之背面密接膜亦可含有著色劑。上述著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可列舉：黑系著色劑、氰系著色劑、洋紅系著色劑、黃色系著色劑等。就在背面密接膜之利用雷射標記之刻印部位與其以外之部位之間確保高對比度，而實現對於該刻印資訊良好之視認性之觀點而言，較佳為黑系著色劑。上述著色劑可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

作為黑系著色劑，例如可列舉：碳黑、奈米碳管、石墨(black lead)、氧化銅、二氧化錳、甲亞胺偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、偶氮系有機黑色染料等。作為碳黑，例如可列舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑等。作為黑系著色劑，亦可列舉：C.I.溶劑黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43、同70；C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51、同71；C.I.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119、同154；C.I.分散黑1、同3、同10、同24；C.I.顏料黑1、同7等。

作為氰系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑藍25、同36、同60、同70、同93、同95；C.I.酸性藍6、同45；C.I.顏料藍1、同2、同3、同15、同15：1、同15：2、同15：3、同15：4、同15：5、同15：6、同16、同17、同17：1、同18、同22、同25、同56、同60、同63、同65、同66；C.I.還原藍4；同60、C.I.顏料綠7等。

作為洋紅系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑紅1、同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同100、同109、同111、同121、同122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、同13、同14、同21、同27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40；C.I.鹼性紫1、同3、同7、同10、同14、同15、同21、同25、同26、同27、28等。又，作為洋紅系著色劑，例如可列舉：C.I.顏料紅1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48：1、同48：2、同48：3、同48：4、同49、同49：1、同50、同51、同52、同52：2、同53：1、同54、同55、同56、同57：1、同58、同60、同60：1、同63、同63：1、同63：2、同64、同64：1、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同89、同90、同92、同101、同104、同105、同106、同108、同112、同114、同122、同123、同139、同144、同146、同147、同149、同150、同151、同163、同166、同168、同170、同171、同172、同175、同176、同177、同178、同179、同184、同185、同187、同190、同193、同202、同206、同207、同209、同219、同222、同224、同238、同245；C.I.顏料紫3、同9、同19、同23、同31、同32、同33、同36、同38、同43、同50；C.I.還原紅1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35等。

作為黃色系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑黃19、同44、同77、同79、同81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162；C.I.顏料橙31、同43；C.I.顏料黃1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同95、同97、同98、同100、同101、同104、同108、同109、同110、同113、同114、同116、同117、同120、同128、同129、同133、同138、同139、同147、同150、同151、同153、同154、同155、同156、同167、同172、同173、同180、同185、同195；C.I.還原黃1、同3、同20等。

作為上述著色劑，其中，較佳為可見光吸收染料。若使用可見光吸收染料作為上述著色劑，則於在伴有切割膠帶之狀態下實施雷射標記時於背面密接膜與切割膠帶之間不易產生氣泡，雷射標記後之外觀優異。上述可見光吸收染料較佳為於350～700 nm之波長區域具有吸光度之極大值之染料。作為上述可見光吸收染料，例如可列舉：蒽醌系染料、芘系染料、苝系染料、喹啉系染料、喹吖啶酮系染料、苯并咪唑酮系染料、偶氮系染料、異吲哚啉酮系染料、異吲哚啉系染料、二㗁系染料、酞菁系染料等。上述可見光吸收染料可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

上述著色劑之含有比例相對於本發明之背面密接膜之總質量，較佳為0.05質量%以上，更佳為0.1質量%以上，進而較佳為0.15質量%以上。上述含有比例較佳為8質量%以下，更佳為6質量%以下，進而較佳為4質量%以下。若上述含有比例為0.05質量%以上，則有本發明之背面密接膜之波長500 nm下之全光線透過率變低之傾向。又，可獲得良好之印字性(視認性良好之印字)。若上述含有比例為8質量%以下，則於在伴有切割膠帶之狀態下實施雷射標記時於背面密接膜與切割膠帶之間更不易產生氣泡。

本發明之背面密接膜較佳為含有於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之紅外線吸收劑。上述紅外線吸收劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為上述紅外線吸收劑，可列舉：於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之顏料(紅外線吸收顏料)或染料(紅外線吸收染料)。作為上述紅外線吸收顏料，例如可列舉：氧化銦錫、氧化銻錫、氧化鋅、鉛白、鋅鋇白、氧化鈦、氧化鉻、氧化鐵、氧化鋁、沈降性硫酸鋇、重晶石粉、鉛丹、氧化鐵紅、黃鉛、鋅黃(鋅黃1種、鋅黃2種)、群青藍、普魯士藍(亞鐵氰化鐵)、鋯灰、鐠黃、鉻鈦黃、鉻綠、孔雀綠、維多利亞綠、鐵藍、釩鋯藍、鉻錫粉、陶試紅、鮭魚粉、鈦黑、鎢化合物、金屬硼化物等。又，可列舉：含有Co、Cr、Cu、Mn、Ru、Fe、Ni、Sn、Ti、Ag、Al等金屬元素之金屬氧化物、金屬氮化物等黑色顏料等。上述紅外線吸收顏料可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為上述紅外線吸收染料，例如可列舉：花青色素、酞菁色素、萘酚菁色素、亞銨色素、銨鎓色素、喹啉鎓色素、吡喃鎓色素、Ni錯合物色素、吡咯并吡咯色素、銅錯合物、四萘嵌三苯(quaterrylene)系色素、偶氮系色素、蒽醌系色素、二亞銨系色素、方酸鎓系色素、卟啉系色素等。上述紅外線吸收染料可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為上述於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之紅外線吸收劑，其中，就本發明之背面密接膜之紅外線遮蔽性提高，平均透過率降低之觀點而言，較佳為紅外線吸收顏料。又，上述紅外線吸收顏料之平均粒徑較佳為10 nm以上，更佳為20 nm以上，進而較佳為40 nm以上。若上述紅外線吸收顏料之平均粒徑為10 nm以上，則可更有效率地吸收紅外線，而本發明之背面密接膜之紅外線遮蔽性更為提高。再者，上述平均粒徑就抑制用以實施雷射標記之可見光之漫反射之觀點而言，較佳為10 μm以下。

上述紅外線吸收劑之含有比例相對於本發明之背面密接膜之總質量，較佳為0.2質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為1質量%以上。上述含有比例較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，進而較佳為15質量%以下，尤佳為10質量%以下。若上述含有比例為0.5質量%以上，則有本發明之背面密接膜之波長1300 nm下之全光線透過率變低之傾向。若上述含有比例為30質量%以下，則可抑制調配量而成為低成本。又，於紅外線吸收顏料之情形時，可抑制膜表面粗糙。

本發明之背面密接膜亦可視需要含有其他成分。作為上述其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合化金屬氫氧化物等金屬氫氧化物、磷腈系化合物、三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：鋁碳酸鎂類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 600」)、矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 700」)等。在與金屬離子之間可形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉三唑系化合物、四唑系化合物、聯吡啶系化合物。該等中，就在與金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性的觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2',3'-羥丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二-第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、2-乙基己基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)丙基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)丙基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)丙基]-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基丙基]丙酸甲酯等。又，對苯二酚化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、五倍子酚等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

於本發明之背面密接膜為多層構造之情形時，亦可具有積層構造，該積層構造包含：具有對於工件背面之貼合面之接著劑層；及能夠藉由雷射標記賦予刻印資訊之雷射標記層。接著劑層亦可具有熱固性以能夠於貼合至工件背面後，藉由熱硬化接著於工件背面來進行保護。再者，於接著劑層為不具有熱固性之非熱固性之情形時，接著劑層能夠藉由利用感壓等之於界面之密接性(潤濕性)或化學結合而接著於工件背面來進行保護。雷射標記層供於半導體裝置之製造過程中對其表面實施雷射標記。並且，具有此種積層構造之背面密接膜可採用如下積層構造：藉由120℃下2小時之加熱處理而上述接著劑層熱硬化，另一方面上述雷射標記層實質上未熱硬化。再者，於本發明之背面密接膜中，實質上未因120℃下2小時加熱處理而熱硬化之層包括已固化之熱硬化型層。上述接著劑層及上述雷射標記層可分別具有單層構造，亦可具有多層構造。

上述雷射標記層較佳為熱固性成分經熱硬化之熱硬化型層(熱硬化過之層)。雷射標記層係藉由使由形成雷射標記層之樹脂組合物形成之熱固性樹脂組合物層硬化而形成。

於本發明之背面密接膜為具有接著劑層與雷射標記層之多層構造之情形時，雷射標記層之厚度相對於接著劑層之厚度之比較佳為1以上，更佳為1.5以上，進而較佳為2以上。上述比例如為10以下。

本發明之背面密接膜之厚度例如為2～200 μm，較佳為4～160 μm，更佳為6～100 μm，進而較佳為10～80 μm。若上述厚度為2 μm以上，則可更堅固地保護工件背面。若上述厚度為200 μm以下，則可使背面密接後之工件變得更薄型。

將本發明之背面密接膜為多層構造之情形時之一實施形態示於圖1。如圖1所示，本發明之背面密接膜10係配置於隔離膜30上。本發明之背面密接膜10具有包含接著劑層11與雷射標記層12之多層構造，雷射標記層12可剝離地密接於隔離膜30。再者，於圖1中，接著劑層11與雷射標記層12亦可為相反之位置關係(即，接著劑層11可剝離地密接於隔離膜30之態樣)。於接著劑層11與雷射標記層12為圖1所示之位置關係之情形時，可將本發明之背面密接膜10貼合於工件背面，進行熱硬化來使用。另一方面，於接著劑層11與雷射標記層12之位置關係為與圖1所示者相反之情形時，可較佳地用以製作下述之切割膠帶一體型背面密接膜。

將本發明之背面密接膜為單層構造之情形時之一實施形態示於圖2。如圖2所示，本發明之背面密接膜10係配置於隔離膜30上。可將本發明之背面密接膜10貼合於工件背面，使之熱硬化來使用。

[切割膠帶一體型半導體背面密接膜]
本發明之背面密接膜可以具備具有含有基材與黏著劑層之積層構造之切割膠帶、及可剝離地密接於上述切割膠帶中之上述黏著劑層之本發明之背面密接膜的形態、即作為切割膠帶一體型半導體背面密接膜(有時稱為「切割膠帶一體型背面密接膜」)來使用。再者，有時將上述切割膠帶一體型背面密接膜稱為「本發明之切割膠帶一體型背面密接膜」。於使用本發明之背面密接膜作為切割膠帶一體型背面密接膜之情形時，可於貼附於基板時使皺褶更加不易產生。

對於本發明之切割膠帶一體型背面密接膜之一實施形態，使用圖3進行說明。圖3所示之切割膠帶一體型背面密接膜1係使用圖1所示之本發明之背面密接膜10者，且配置於隔離膜30上。切割膠帶一體型背面密接膜1係可於用以獲得伴有半導體晶片背面密接膜形成用之相當於晶片尺寸之膜的半導體晶片之過程中使用者，具有包含本發明之背面密接膜10與切割膠帶20之積層構造。

(基材)
切割膠帶中之基材係於切割膠帶或切割膠帶一體型背面密接膜中作為支持體發揮功能之要素。作為基材，例如可列舉：塑膠基材(尤其是塑膠膜)。上述基材可為單層，亦可為同種或異種之基材之積層體。

作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；矽酮樹脂等。就於基材中確保良好之熱收縮性，於用以擴大切割後之半導體晶片彼此之分離距離的擴展步驟中容易利用切割膠帶或基材之局部熱收縮來維持晶片分離距離的觀點而言，基材較佳為含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚氯乙烯作為主成分。再者，所謂基材之主成分，設為於構成成分中占最大質量比例之成分。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層如下述般為放射線硬化型黏著劑層之情形時，基材較佳為具有放射線透過性。

於基材為塑膠膜之情形時，上述塑膠膜可無配向，亦可於至少一方向(單軸方向、雙軸方向等)上配向。於在至少一方向上配向之情形時，塑膠膜能夠於該至少一方向上實現熱收縮。為了使基材及切割膠帶具有各向同性之熱收縮性，基材較佳為雙軸配向膜。再者，上述於至少一方向上配向之塑膠膜可藉由將無延伸之塑膠膜於該至少一方向上進行延伸(單軸延伸、雙軸延伸等)而獲得。基材及切割膠帶較佳為於在加熱溫度100℃及加熱時間處理60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率為1～30%，更佳為2～25%，進而較佳為3～20%，尤佳為5～20%。上述熱收縮率較佳為MD方向及TD方向之至少一方向之熱收縮率。

基材之黏著劑層側表面以提高與黏著劑層之密接性、保持性等為目的，例如亦可實施電暈放電處理、電漿處理、砂消光加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；利用被覆劑(底塗劑)之易接著處理等表面處理。又，為了賦予抗靜電能力，亦可將含有金屬、合金、該等之氧化物等之導電性蒸鍍層設置於基材表面。用以提高密接性之表面處理較佳為對於基材中之黏著劑層側之表面整體實施。

關於基材之厚度，就確保用以切割膠帶及切割膠帶一體型背面密接膜中之作為支持體之基材發揮功能之強度的觀點而言，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為55 μm以上，尤佳為60 μm以上。又，就於切割膠帶及切割膠帶一體型背面密接膜中實現適度之可撓性之觀點而言，基材之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，進而較佳為150 μm以下。

(黏著劑層)
切割膠帶中之黏著劑層可為於切割膠帶一體型背面密接膜之使用過程中能夠藉由來自外部之作用刻意地降低黏著力之黏著劑層(黏著力能夠降低型黏著劑層)，亦可為於切割膠帶一體型背面密接膜之使用過程中黏著力基本上或完全不會因來自外部之作用而降低之黏著劑層(黏著力非降低型黏著劑層)，可視使用切割膠帶一體型背面密接膜進行單片化之工件之單片化方法或條件等而適當地選擇。黏著劑層可具有單層構造，亦可具有多層構造。

於黏著劑層為黏著力能夠降低型黏著劑層之情形時，於切割膠帶一體型背面密接膜之製造過程或使用過程中，可將黏著劑層顯示出相對較高之黏著力之狀態及顯示出相對較低之黏著力之狀態分開使用。例如於切割膠帶一體型背面密接膜之製造過程中於切割膠帶之黏著劑層貼合背面密接膜時，或將切割膠帶一體型背面密接膜用於切割步驟時，可利用黏著劑層顯示出相對較高之黏著力之狀態來抑制、防止背面密接膜自黏著劑層隆起，另一方面，於其後用以自切割膠帶一體型背面密接膜之切割膠帶拾取半導體晶片之拾取步驟中，可藉由降低黏著劑層之黏著力而容易地進行拾取。

作為形成此種黏著力能夠降低型黏著劑層之黏著劑，例如可列舉：放射線硬化性黏著劑、加熱發泡型黏著劑等。作為形成黏著力能夠降低型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。

作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射進行硬化型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射進行硬化型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。

作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可列舉：含有丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性單體成分或低聚物成分之添加型放射線硬化性黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物係含有源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比例計含有最多源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：作為上述背面密接膜含有之丙烯酸系樹脂之結構單元所例示的可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，較佳為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯。為了使由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯帶來之黏著性等基本特性於黏著劑層中適當顯現，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯的比例較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。

上述丙烯酸系聚合物以凝聚力、耐熱性等之改質為目的，亦可含有源自能夠與上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，可列舉：作為上述背面密接膜含有之丙烯酸系樹脂之結構單元所例示之其他單體。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了使由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯帶來之黏著性等基本特性於黏著劑層中適當顯現，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述其他單體成分之合計比例較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。

上述丙烯酸系聚合物為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可含有源自能夠與形成丙烯酸系聚合物之單體成分共聚之多官能性單體之結構單元。作為上述多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(例如，聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、(甲基)丙烯酸聚酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等於分子內具有(甲基)丙烯醯基與其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了使由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯帶來之黏著性等基本特性於黏著劑層中適當顯現，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述多官能性單體之比例較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

丙烯酸系聚合物係藉由使含有丙烯酸系單體之一種以上之單體成分進行聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。

丙烯酸系聚合物可使用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。丙烯酸系聚合物之質量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。若質量平均分子量為10萬以上，則有黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，可更為抑制對於背面密接膜或半導體晶圓等之污染。

黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑亦可含有交聯劑。例如於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯，而更為減少黏著劑層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之質量平均分子量。作為上述交聯劑，例如可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，其使用量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份左右以下，更佳為0.1～5質量份。

作為上述放射線聚合性之單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成黏著劑層之放射線硬化性黏著劑中之上述放射線聚合性之單體成分及低聚物成分之含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，例如亦可使用日本專利特開昭60-196956號公報所揭示者。

作為上述放射線硬化性黏著劑，亦可列舉：含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物之內在型放射線硬化性黏著劑。若使用此種內在型放射線硬化性黏著劑，則有可抑制由在所形成之黏著劑層內之低分子量成分之移動引起的黏著特性之非刻意經時變化之傾向。

作為上述內在型之放射線硬化性黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物。作為向丙烯酸系聚合物導入放射線聚合性之碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使含有具有第1官能基之單體成分之原料單體進行聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物與維持有碳-碳雙鍵之放射線聚合性之丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。

作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就追蹤反應之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。其中，就製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難易度較高，另一方面具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性的觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基，上述第2官能基為異氰酸基之組合。作為具有異氰酸基及放射性聚合性之碳-碳雙鍵之化合物、即含有放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉：上述含有羥基之單體、或含有源自2-羥乙基乙烯醚、4-羥基丁酯乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。

上述放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、醯基膦酸鹽等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、2,4-二異丙基9-氧硫等。放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。

上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微小球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硫酸銨、硼氫化鈉、疊氮類等。作為上述有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴；偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯基磺醯半卡肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等胺脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微小球，例如可列舉：於殼內封入有藉由加熱而容易氣化並膨脹之物質之構成之微小球。作為上述藉由加熱而容易氣化並膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、戊烷等。藉由凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱而容易氣化並膨脹之物質封入至殼形成物質內，藉此可製作熱膨脹性微小球。作為上述殼形成物質，可使用顯示出熱熔融性之物質、或藉由封入物質之熱膨脹作用而可破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯・丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。

作為上述黏著力非降低型黏著劑層，例如可列舉感壓型黏著劑層。再者，於感壓型黏著劑層中包括關於黏著力能夠降低型黏著劑層，儘管預先藉由放射線照射使由上述放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層硬化，而仍具有一定黏著力之形態之黏著劑層。作為形成黏著力非降低型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。又，可黏著劑層之整體為黏著力非降低型黏著劑層，亦可一部分為黏著力非降低型黏著劑層。例如於黏著劑層具有單層構造之情形時，可黏著劑層之整體為黏著力非降低型黏著劑層，亦可黏著劑層中之特定部位(例如，切割框之貼合對象區域，且處於中央區域之外側之區域)為黏著力非降低型黏著劑層，其他部位(例如，半導體晶圓之分割體或半導體晶圓之貼合對象區域即中央區域)為黏著力能夠降低型黏著劑層。又，於黏著劑層具有積層構造之情形時，可積層構造中之全部黏著劑層為黏著力非降低型黏著劑層，亦可積層構造中之一部分黏著劑層為黏著力非降低型黏著劑層。

預先藉由放射線照射使由放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層(放射線未照射放射線硬化型黏著劑層)硬化之形態之黏著劑層(放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層)即便由於放射線照射而降低了黏著力，亦顯示出源自所含有之聚合物成分之黏著性，而能夠於切割步驟等中發揮切割膠帶之黏著劑層所需之最低限黏著力。於使用放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於黏著劑層之面擴展方向上，可黏著劑層之整體為放射線照射済放射線硬化型黏著劑層，亦可黏著劑層之一部分為放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層且其他部分為放射線未照射之放射線硬化型黏著劑層。再者，於本說明書中，所謂「放射線硬化型黏著劑層」，係指由放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層，包括具有放射線硬化性之放射線未照射放射線硬化型黏著劑層及該黏著劑層藉由放射線照射而硬化後之放射線硬化過之放射線硬化型黏著劑層兩者。

作為上述形成感壓型黏著劑層之黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型黏著劑，可較佳地使用將丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為感壓型黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為含有源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比例計最多之結構單元之聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，例如可採用作為上述添加型放射線硬化性黏著劑可含有之丙烯酸系聚合物所說明之丙烯酸系聚合物。

黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑除上述各成分以外，亦可調配交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之黏著劑層所使用之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉藉由放射線照射著色之化合物。於含有藉由放射線照射著色之化合物之情形時，可僅將放射線照射到之部分著色。上述藉由放射線照射著色之化合物雖於放射線照射前為無色或淡色，但係藉由放射線照射而成為有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。上述藉由放射線照射著色之化合物之使用量並無特別限定，可適當進行選擇。

黏著劑層之厚度並無特別限定，就於黏著劑層為由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層之情形時取得該黏著劑層之放射線硬化前後之對於背面密接膜之接著力的平衡性之觀點而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～30 μm，進而較佳為3～25 μm。

本發明之背面密接膜及本發明之切割膠帶一體型背面密接膜亦可於背面密接膜表面具有隔離膜。具體而言，亦可每個本發明之背面密接膜、或者每個切割膠帶一體型背面密接膜為具有隔離膜之片狀形態，亦可隔離膜為長條狀且於其上配置複數個背面密接膜或複數個切割膠帶一體型背面密接膜，並將該隔離膜進行捲繞而成為捲筒形態。隔離膜係用以被覆本發明之背面密接膜以進行保護之要素，且於使用本發明之背面密接膜或本發明之切割膠帶一體型背面密接膜時自該片剝離。作為隔離膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、經氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑表面塗佈之塑膠膜或紙類等。

隔離膜之厚度例如為10～200 μm，較佳為15～150 μm，更佳為20～100 μm。若上述厚度為10 μm以上，則於隔離膜之加工時不易因切口而斷裂。若上述厚度為200 μm以下，則於向基板及框貼合時，更容易自隔離膜剝離切割膠帶一體型背面密接膜。

[背面密接膜之製造方法]
作為本發明之背面密接膜之一實施形態之背面密接膜10例如以下述方式製造。

關於圖1所示之背面密接膜10，首先，分別製作接著劑層11與雷射標記層12。接著劑層11可藉由將接著劑層11形成用樹脂組合物(接著劑組合物)塗佈於隔離膜上而形成樹脂組合物層後，利用加熱進行脫溶劑或硬化，使該樹脂組合物層固化而製作。於接著劑層11之製作中，加熱溫度例如為90～150℃，加熱時間例如為1～2分鐘。作為樹脂組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。另一方面，雷射標記層12可藉由將雷射標記層12形成用樹脂組合物塗佈於隔離膜上而形成樹脂組合物層後，利用加熱進行脫溶劑或硬化，使該樹脂組合物層固化而製作。於雷射標記層12之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。可分別以伴有隔離膜之形態製作接著劑層11及雷射標記層12。然後，將該等接著劑層11及雷射標記層12之露出面彼此貼合，繼而以成為目標之平面投影形狀及平面投影面積之方式進行沖切加工，製作具有接著劑層11與雷射標記層12之積層構造之背面密接膜10。

[切割膠帶一體型背面密接膜之製造方法]
作為本發明之切割膠帶一體型背面密接膜之一實施形態之切割膠帶一體型背面密接膜1例如以下述方式製造。

關於圖3所示之切割膠帶一體型背面密接膜1之切割膠帶20，可藉由於準備好之基材21上設置黏著劑層22而進行製作。例如樹脂製之基材21可藉由公知或慣用之製膜方法進行製膜。作為上述製膜方法，例如可列舉：壓延製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。對於基材21，視需要實施表面處理。於黏著劑層22之形成中，例如製備黏著劑層形成用之黏著劑組合物後，首先，將該組合物塗佈於基材21上或隔離膜上而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。繼而，於該黏著劑組合物層中，藉由加熱，視需要進行脫溶劑，又，視需要使交聯反應產生。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於隔離膜上形成有黏著劑層22之情形時，將該伴有隔離膜之黏著劑層22貼合於基材21，繼而以成為目標之平面投影形狀(例如，成為與背面密接膜10相似形狀之形狀)及平面投影面積之方式進行沖切加工，其後將隔離膜剝離。藉此，製作具有基材21與黏著劑層22之積層構造之切割膠帶20。

繼而，於切割膠帶20之黏著劑層22側貼合上述中所獲得之背面密接膜10之雷射標記層12側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。於黏著劑層22為上述放射線硬化性黏著劑層之情形時，可於該貼合之前對於黏著劑層22照射紫外線等放射線，亦可於該貼合之後自基材21之側對於黏著劑層22照射紫外線等放射線。或者，於切割膠帶一體型背面密接膜1之製造過程中，亦可不進行此種放射線照射(於該情形時，能夠於切割膠帶一體型背面密接膜1之使用過程中使黏著劑層22放射線硬化)。於黏著劑層22為紫外線硬化型之情形時，用以使黏著劑層22硬化之紫外線照射量例如為50～500 mJ/cm² 。於切割膠帶一體型背面密接膜1中進行作為黏著劑層22之黏著力降低處置之照射的區域(照射區域R)例如如圖3所示，係將黏著劑層22中之背面密接膜10貼合區域內之其周緣部除外的區域。

以上述方式，例如可製作圖1所示之本發明之背面密接膜10及圖3所示之切割膠帶一體型背面密接膜1。

[半導體裝置之製造方法]
可使用本發明之切割膠帶一體型背面密接膜而製造半導體裝置。具體而言，可藉由如下製造方法來製造半導體裝置，該製造方法包括：於本發明之切割膠帶一體型背面密接膜中之背面密接膜側(尤其是接著劑層側)貼附工件背面之步驟(貼附步驟)；及藉由對至少包含工件之對象進行切削而獲得單片化之半導體晶片之步驟(切割步驟)。再者，圖4～7係表示使用圖3所示之切割膠帶一體型背面密接膜1之半導體裝置之製造方法中的步驟。

(貼附步驟)
作為於上述貼附步驟中貼附於本發明之切割膠帶一體型背面密接膜中之背面密接膜側(尤其是接著劑層側)之工件，可列舉：半導體晶圓、或藉由樹脂將複數個半導體晶片各自之背面及/或側面密封而成之密封體等。並且，例如如圖4(a)所示，將晶圓加工用膠帶T1所保持之半導體晶圓40貼合於切割膠帶一體型背面密接膜1之本發明之背面密接膜10(尤其是接著劑層11)。於半導體晶圓40之表面具備用以覆晶安裝之凸塊(省略圖示)。其後，如圖4(b)所示，自半導體晶圓40剝離晶圓加工用膠帶T1。

(熱硬化步驟)
於本發明之背面密接膜或該膜中之接著劑層具有熱固性之情形時，較佳為於上述貼附步驟之後，具有使背面密接膜熱硬化之步驟(熱硬化步驟)。例如於上述熱硬化步驟中，進行用以使接著劑層11熱硬化之加熱處理。加熱溫度較佳為80～200℃，更佳為100～150℃。加熱時間較佳為0.5～5小時，更佳為1～3小時。加熱處理具體而言，例如以120℃進行2小時。於熱硬化步驟中，藉由接著劑層11之熱硬化，而切割膠帶一體型背面密接膜1之本發明之背面密接膜10與半導體晶圓40之密接力提高，從而切割膠帶一體型背面密接膜1及本發明之背面密接膜10之對於半導體晶圓固定保持力提高。又，於本發明之背面密接膜不具有熱固性之情形時，例如可於50～100℃之範圍內進行數小時烘乾處理，藉此，背面密接膜界面之潤濕性提高，而對於半導體晶圓固定保持力提高。

(雷射標記步驟)
上述半導體裝置之製造方法較佳為具有如下步驟(雷射標記步驟)：對於背面密接膜，自切割膠帶之基材側照射雷射而進行雷射標記。於進行上述熱硬化步驟之情形時，雷射標記步驟較佳為於上述熱硬化步驟之後進行。具體而言，於雷射標記步驟中，例如對於雷射標記層12，自切割膠帶20之基材21之側照射雷射而進行雷射標記。藉由該雷射標記步驟，可每個半導體晶片刻印字元資訊或圖形資訊等各種資訊。於雷射標記步驟中，於一雷射標記製程中，可對於複數個半導體晶片，一次性地高效率地進行雷射標記。作為雷射標記步驟中所使用之雷射，例如可列舉氣體雷射、固體雷射。作為氣體雷射，例如可列舉二氧化碳氣體雷射(CO₂ 雷射)、準分子雷射。作為固體雷射，例如可列舉Nd：YAG雷射。

(切割步驟)
於上述切割步驟中，例如如圖5所示般，於切割膠帶一體型背面密接膜1中之黏著劑層22上貼附用以壓住固定切割膠帶之框(切割框)51，使之保持於切割裝置之保持具52上後，藉由上述切割裝置所具備之切割刀片進行切削加工。於圖5中，模式性地以粗實線表示切削部位。於切割步驟中，將半導體晶圓單片化成半導體晶片41，與此同時，將切割膠帶一體型背面密接膜1之本發明之背面密接膜10切割成小片之膜10'。藉此，獲得伴有膜10'之半導體晶片41、即附帶膜10'之半導體晶片41。

(放射線照射步驟)
上述半導體裝置之製造方法亦可具有自基材側對於黏著劑層照射放射線之步驟(放射線照射步驟)。於切割膠帶之黏著劑層為藉由放射線硬化性黏著劑所形成之層之情形時，亦可於上述切割步驟之後，自基材之側對於黏著劑層照射紫外線等放射線以代替於切割膠帶一體型背面密接膜之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ/cm² 。於切割膠帶一體型背面密接膜中進行作為黏著劑層之黏著力降低處置之照射之區域(圖3所示之照射區域R)例如為將黏著劑層中之背面密接膜貼合區域內之其周緣部除外的區域。

(拾取步驟)
上述半導體裝置之製造方法較佳為具有拾取附帶膜之半導體晶片之步驟(拾取步驟)。上述拾取步驟例如亦可視需要，於經過使用水等洗淨液對伴有附帶膜10'之半導體晶片41之切割膠帶20中之半導體晶片41側進行洗淨之清潔步驟；或者用以擴大附帶膜10'之半導體晶片41間之分離距離之擴開步驟後進行。例如如圖6所示，自切割膠帶20拾取附帶膜10'之半導體晶片41。例如於將附帶切割框51之切割膠帶20保持於裝置之保持具52上之狀態下，對於拾取對象之附帶膜10'之半導體晶片41，於切割膠帶20之圖中下側使拾取機構之頂銷構件53上升，隔著切割膠帶20頂起後，藉由吸附治具54進行吸附保持。於拾取步驟中，頂銷構件53之頂起速度例如為1～100 mm/秒，頂銷構件53之頂起量例如為50～3000 μm。

(覆晶安裝步驟)
上述半導體裝置之製造方法較佳為於經過拾取步驟後，具有將附帶膜之半導體晶片41進行覆晶安裝之步驟(覆晶步驟)。例如如圖6所示，將附帶膜10'之半導體晶片41覆晶安裝於安裝基板61。作為安裝基板61，例如可列舉：引線框、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板。藉由覆晶安裝，半導體晶片41係經由凸塊62電性連接於安裝基板61。具體而言，半導體晶片41於其電路形成面側所具有之基板(電極墊)(省略圖示)與安裝基板61所具有之端子部(省略圖示)經由凸塊62而電性連接。凸塊62例如為焊料凸塊。又，於晶片41與安裝基板61之間介存有熱固性之底部填充劑63。

以上述方式，可使用本發明之切割膠帶一體型背面密接膜來製造半導體裝置。
[實施例]

於以下列舉實施例，更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例任何限定。

實施例1
將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisanresin SG-P3」，長瀨化成股份有限公司製造)90質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學股份有限公司製造)40質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)60質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)100質量份、二氧化矽填料(商品名「SO-25R」，平均粒徑：0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)220質量份、可見光吸收黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)5質量份、紅外線吸收顏料(重金屬氧化物系著色劑，極大吸收波長：1600 nm，平均粒徑：20 nm)30質量份、及熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ」，四國化成工業股份有限公司製造)10質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，而獲得固形物成分濃度36質量%之樹脂組合物。繼而，於具有實施過矽酮脫模處理之面之PET隔離膜(厚度50 μm)之矽酮脫模處理面上使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。繼而，對於該組合物層，以130℃進行2分鐘加熱而進行脫溶劑，而於PET隔離膜上製作厚度25 μm之半導體背面密接膜(熱固性之半導體背面密接膜)。

實施例2
將可見光吸收黑系染料之調配量如表1所示般進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作背面密接膜。

實施例3
(雷射標記層之製作)
將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisanresin SG-P3」，長瀨化成股份有限公司製造)90質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學股份有限公司製造)40質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)60質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)100質量份、二氧化矽填料(商品名「SO-25R」，平均粒徑：0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)220質量份、可見光吸收黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)5質量份、及熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ」，四國化成工業股份有限公司製造)10質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，而獲得固形物成分濃度36質量%之樹脂組合物。繼而，於具有實施過矽酮脫模處理之面之PET隔離膜(厚度50 μm)之矽酮脫模處理面上使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。繼而，對於該組合物層，以130℃進行2分鐘加熱而進行脫溶劑，而於PET隔離膜上製作厚度12.5 μm之雷射標記層(熱硬化過之層)。

(接著劑層之製作)
將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisanresin SG-P3」，長瀨化成股份有限公司製造)90質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學股份有限公司製造)40質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)60質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)100質量份、二氧化矽填料(商品名「SO-25R」，平均粒徑：0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)220質量份、及紅外線吸收顏料(重金屬氧化物系著色劑，極大吸收波長：1600 nm，平均粒徑：20 nm)30質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。繼而，於具有實施過矽酮脫模處理之面之PET隔離膜(厚度50 μm)之矽酮脫模處理面上使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。繼而，對於該組合物層，以130℃進行2分鐘加熱而進行脫溶劑，而於PET隔離膜上製作厚度12.5 μm之接著劑層。

使用貼合機，將以上述方式製作之PET隔離膜上之雷射標記層與PET隔離膜上之接著劑層貼合。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下，將雷射標記層及接著劑層之露出面彼此貼合。以上述方式製作背面密接膜。

比較例1
不使用紅外線吸收顏料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作背面密接膜。

比較例2
不使用可見光吸收黑系染料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作背面密接膜。

＜評價＞
關於實施例及比較例中所獲得之背面密接膜，進行以下之評價。將結果示於表1。

(1)全光線透過率、全光線吸光度
對於實施例及比較例中所獲得之背面密接膜，使用紫外可見近紅外分光光度計(商品名「V-670」，日本分光股份有限公司製造)之積分球單元，測定包含500 nm及1300 nm之波長區域中之透過率(吸光度)光譜，算出全光線透過率及全光線吸光度。於表1中表示波長1300 nm下之全光線透過率、波長1300 nm下之全光線吸光度與波長500 nm下之全光線吸光度之差、500～1300 nm之波長區域中之最大透過率與其波長。

(2)遮光性
對於實施例及比較例中所獲得之背面密接膜，使用紫外可見近紅外分光光度計(商品名「V-670」，日本分光股份有限公司製造)之積分球單元，測定透過率光譜。然後，關於遮光性，將波長1300 nm下之全光線透過率未達20%之情形評價為○，將為20%以上之情形評價為×。

(3)雷射標記性
將實施例及比較例中所獲得之背面密接膜貼合於切割膠帶而製作切割膠帶一體型背面密接膜，隔著切割膠帶，利用波長532 nm之綠光雷射印字至背面密接膜。然後，將滿足如下兩個標準之情形評價為○，將不滿足至少一個標準之情形評價為×，該兩個標準為：於使用顯微鏡之暗視野觀察中可容易地視認所印字之字元(對比度清晰)；及未產生氣泡。

◎[表1]

1‧‧‧切割膠帶一體型背面密接膜

10‧‧‧本發明之背面密接膜

10'‧‧‧小片之膜

11‧‧‧接著劑層

12‧‧‧雷射標記層

20‧‧‧切割膠帶

21‧‧‧基材

22‧‧‧黏著劑層

30‧‧‧隔離膜

40‧‧‧半導體晶圓

41‧‧‧半導體晶片

51‧‧‧切割框

52‧‧‧保持具

53‧‧‧頂銷構件

54‧‧‧吸附治具

61‧‧‧安裝基板

62‧‧‧凸塊

63‧‧‧底部填充劑

R‧‧‧照射區域

T1‧‧‧晶圓加工用膠帶

圖1係表示本發明之半導體背面密接膜之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖2係表示本發明之半導體背面密接膜之另一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖3係表示本發明之切割膠帶一體型半導體背面密接膜之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖4(a)、(b)係表示貼附步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖5係表示切割步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖6係表示拾取步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

圖7係表示覆晶安裝步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

Claims (8)

1. 一種半導體背面密接膜，其於500～1300 nm之波長區域中之全光線透過率為20%以下。
2. 如請求項1之半導體背面密接膜，其於波長500 nm下之全光線吸光度與波長1300 nm下之全光線吸光度之差為2以下。
3. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其含有於500～2000 nm之波長區域中在850 nm以上具有極大吸收波長之紅外線吸收劑。
4. 如請求項3之半導體背面密接膜，其中上述紅外線吸收劑之含有比例為0.2～30質量%。
5. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其含有於350～700 nm之波長區域中具有吸光度之極大值之可見光吸收染料。
6. 如請求項5之半導體背面密接膜，其中上述可見光吸收染料之含有比例為0.05～10質量%。
7. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其含有環氧樹脂及丙烯酸系樹脂。
8. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其含有填料。