TW201935148A - 用於裝置相關疊加度量之系統及方法 - Google Patents

用於裝置相關疊加度量之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201935148A
TW201935148A TW107143359A TW107143359A TW201935148A TW 201935148 A TW201935148 A TW 201935148A TW 107143359 A TW107143359 A TW 107143359A TW 107143359 A TW107143359 A TW 107143359A TW 201935148 A TW201935148 A TW 201935148A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
overlay
pattern
feature pattern
additional
Prior art date
Application number
TW107143359A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI781259B (zh
Inventor
法蘭克 雷斯基
厄律齊 普曼
史帝芬 伊爾倫
那達夫 古特曼
Original Assignee
美商克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
Publication of TW201935148A publication Critical patent/TW201935148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI781259B publication Critical patent/TWI781259B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Polyamides (AREA)

Abstract

一種疊加度量系統可量測一樣本上之一疊加目標之一第一層上之一裝置特徵圖案與一參考特徵圖案之間的一第一層圖案放置距離。該系統可進一步繼製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之一第二層之後量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離。該系統可進一步基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加。該系統可進一步藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。

Description

用於裝置相關疊加度量之系統及方法
本發明大體上係關於疊加度量，且更特定言之係關於用於裝置相關疊加度量之疊加度量目標。
半導體製造通常需要在一結構上製造多個層，其中一些或全部層包含圖案化特徵。疊加度量係一樣本之各個層上之結構之相對位置的量測，該等相對位置對一經製造裝置之效能係關鍵的且通常必須被控制在緊密容限內。例如，疊加度量可量測不同樣本層上之特徵之相對位置作為製造工具之逐層對準的一度量。
並非全部裝置特徵佈局皆適於直接疊加量測。此外，疊加量測可損害或以其他方式影響裝置特徵之效能。因此，疊加量測通常在具有經設計用於敏感疊加量測之特徵的專用疊加目標上而非直接在裝置特徵上執行。然而，疊加目標之樣本上相對於裝置特徵之大小、定向、密度及/或位置差異可引入目標處之經量測疊加與裝置特徵之實際疊加之間的一失配。例如，疊加目標之不同層上之特徵通常在空間上分離以避免重疊且有利於埋藏層上之特徵之量測。然而，與空間上分離之特徵相關聯之開放區域可能與微電子製造不相容。此外，裝置特徵通常包含堆疊結構，使得空間上分離特徵之疊加量測可引入量測誤差。
因此，確保疊加目標上之裝置相關疊加量測在疊加度量中仍然是一持續挑戰。
揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之疊加度量系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一控制器，該控制器用於量測一樣本上之一疊加目標之一第一層上的一裝置特徵圖案與一參考特徵圖案之間之一第一層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該控制器繼製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之一第二層之後量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加，其中可藉由一成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。
揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之疊加度量系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一成像系統。在另一闡釋性實施例中，該系統包含通信耦合至該成像系統之一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控制器在製造一樣本上之一疊加目標之一第一層之後量測該第一層上之一裝置特徵圖案與一參考特徵圖案之間的一第一層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該控制器繼製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之一第二層之後量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加，其中可藉由該成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。
揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之疊加度量方法。在一項闡釋性實施例中，該方法包含在一樣本上製造至少包含一裝置特徵圖案及一參考特徵圖案之一疊加目標的一第一層。在另一闡釋性實施例中，該方法包含繼製造該第一層之後，運用一成像系統量測該第一層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第一層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該方法包含在該樣本上製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之該疊加目標的一第二層。在另一闡釋性實施例中，該方法包含繼製造該第二層之後，運用該成像系統量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離。在另一闡釋性實施例中，該方法包含運用一疊加度量工具基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加，其中可藉由該疊加度量工具穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸。在另一闡釋性實施例中，該方法包含藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。在另一闡釋性實施例中，該方法包含將基於該裝置相關疊加之疊加可校正值提供至一微影系統以修改至少一個後續曝光之曝光條件。
應瞭解，前述一般描述及以下[實施方式]兩者皆僅為例示性的及說明性的且不一定限制如所主張之本發明。併入於本說明書中且構成本說明書之一部分的隨附圖式繪示本發明之實施例且與一般描述一起用於說明本發明之原理。
相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)規定主張於2017年12月7日申請之以Frank Laske、Ulrich Pohlmann、Stefan Eyring及Nadav Gutman為發明人之標題為SPECIAL TARGET STRUCTURES TO MEASURE DEVICE OVERLAY USING A HIGH RESOLUTION SYSTEM的美國臨時申請案序號62/595,987之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
現將詳細參考在隨附圖式中繪示之所揭示標的物。已關於特定實施例及其具體特徵特別展示且描述本發明。本文中闡述之實施例被視為闡釋性的而非限制性的。一般技術者應容易明白，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下對形式及細節進行各種改變及修改。
本發明之實施例係關於用於使用具有堆疊裝置級特徵之疊加目標基於層內及層間量測之一組合量測裝置相關疊加之系統及方法。例如，一疊加目標可包含多個層上之堆疊裝置級特徵，使得一裝置相關疊加量測可基於裝置級特徵之相對位置。然而，對堆疊裝置級特徵之相對位置之直接量測可為不切實際的或不合需要的。
在本文中應認知，一半導體裝置可形成為一基板上之多個經印刷圖案化材料層。可透過一系列程序步驟(諸如但不限於一或多個材料沈積步驟、一或多個微影步驟或一或多個蝕刻步驟)製造各印刷層。此外，必須在特定容限內製造各印刷層以正確地構造最終裝置。例如，必須良好地特性化且控制各層中之印刷元件之印刷特性，諸如但不限於線寬、側壁角及相對放置。因此，可將度量目標製造於一或多個印刷層上以實現對製造程序之有效率特性化。在此方面，一印刷層上之度量目標之印刷特性之偏差可表示該層上之全部印刷元件(包含形成半導體裝置之一部分之裝置特徵)之印刷特性之偏差。
本文中應認知，各種疊加度量工具可用於量測疊加。例如，光學度量工具(例如，使用電磁輻射用於照明及/或偵測之基於光之度量工具)可提供使用許多技術之高處理量疊加量測，該等技術諸如但不限於判定一影像中之多個層上之空間上分離之特徵的相對位置、直接量測多個層上之圖案放置誤差(PPE)，或其中基於自多個層上之繞射光柵散射及/或繞射之光判定疊加之散射量測。出於本發明之目的，術語「光學度量工具」、「光學度量技術」及類似者指示使用任何波長(諸如但不限於x射線波長、極紫外線(EUV)波長、真空紫外線(VUV)波長、深紫外線(DUV)波長、紫外線(UV)波長、可見光波長或紅外線(IR)波長)之電磁輻射的度量工具及技術。然而，光學度量工具之解析度限制通常需要大於裝置級特徵之特徵大小，此可引入光學度量量測與所關注裝置特徵上之實際疊加之間的一系統性誤差(取決於一照明源之波長)。藉由另一實例，基於粒子之度量工具(諸如但不限於一掃描電子顯微鏡(SEM)度量工具(例如，一臨界尺寸SEM (CD-SEM)或類似者)或一聚焦離子束(FIB)度量工具)可解析裝置級特徵。此外，離子束度量工具可具有基於粒子穿透深度同時量測多個樣本層上之特徵之一有限能力。例如，低能粒子束可用於特性化一頂部層(例如，一當前層)，而相對高能之粒子束可更深地穿透至樣本中以特性化先前製造之層上之特徵。然而，許多基於粒子之度量工具與光學度量工具相比可具有相對較低處理量且可在量測期間潛在地誘發對一或多個層之損害。用於疊加量測之系統及方法大體上描述於以下各者中：標題為「Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements」且於2012年12月11日發佈之美國專利第8,330,281號；標題為「Periodic patterns and technique to control misalignment between two layers」且於2016年10月25日發佈之美國專利第9,476,698號；標題為「Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry」且於2009年6月2日發佈之美國專利第7,541,201號；標題為「APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY」且於2004年9月2日發表之美國專利公開案第2014/0169861號；標題為「Method and system for providing a quality metric for improved process control」且於2013年2月7日發表之美國專利公開案第2013/0035888號；於2015年12月15日發佈之標題為「System and method of SEM overlay metrology」之美國專利第9,214,317號；及標題為「APPARATUS AND METHOD FOR THE MEASUREMENT OF PATTERN PLACEMENT AND SIZE OF PATTERN AND COMPUTER PROGRAM THEREFOR」且於2016年6月27日申請之PCT申請案第PCT/US2016/039531號，全部該等案之全文以引用的方式併入本文中。
本發明之實施例係關於用於使用裝置級特徵及參考特徵之層內量測外加參考特徵之層間疊加量測量測裝置相關疊加之系統及方法。因此，一疊加目標之層可包含適用於層內量測之裝置級特徵以及適用於層內及層間量測兩者之參考特徵。此外，本發明之實施例係關於適於量測任何數目個樣本層(例如，兩個或更多個樣本層)之疊加的疊加目標。
因此，一裝置相關疊加()可為(但不要求)如下表示：
， (1)
其中係參考特徵之一層間疊加量測且係與各所關注層中分離裝置級特徵及參考特徵之層內圖案放置距離之間之一差相關聯的一圖案放置誤差(PPE)。例如，一第一層與第二層之間之一裝置相關疊加量測可基於在製造第一層之後對第一層上之一選定裝置級特徵與一選定參考特徵之間之一距離的一量測、在製造第二層之後對第二層上之一選定裝置級特徵與一選定參考特徵之間之一距離的一量測及第一及第二層上之參考特徵之一遍及目標疊加量測而判定。因此，裝置相關疊加可表達為：
。 (2)
參考特徵可具有任何尺寸且可經設計用於此項技術中已知之任何類型之疊加量測，諸如但不限於光學疊加量測、基於粒子之疊加量測或PPE量測。在此方面，參考特徵可具有不同於裝置級特徵之尺寸以有利於層間疊加量測。例如，適用於光學量測之參考特徵可具有選擇為大於一選定光學度量工具之光學解析度的尺寸。
藉由另一實例，適用於基於粒子之量測之參考特徵可具有選擇為大於各層處之一選定基於粒子之度量工具之一解析度的尺寸。本文中應認知，歸因於粒子-樣本相互作用(諸如但不限於材料中之粒子散射)，一基於粒子之度量系統對於表面層級特徵之解析度可比對於定位於表面下層上之表面下特徵更高。因此，情況可為一基於粒子之度量系統可準確地解析一表面層上之裝置級特徵，但尤其是在表面下特徵堆疊於表面層級特徵下方之情況下無法準確地解析(例如，在選定容限內)一表面下層上之裝置級特徵。在此方面，任何層上之參考特徵之尺寸可選擇為可藉由度量系統在經識別容限內解析。
圖案放置誤差可受多種因素影響。例如，如本文中先前描述，特徵在一微影工具之一曝光場內的放置可受特徵之大小、形狀、密度及/或定向影響。因此，一給定層上之參考特徵與裝置級特徵之間的任何差異可導致圖案放置誤差。藉由另一實例，場內製造誤差可受一曝光步驟期間之一微影工具中之像差(諸如但不限於微影工具中因熱引起之透鏡像差或擾動)影響。
應瞭解，上文表達兩個樣本層之間之疊加的方程式(2)及相關聯描述僅經提供用於闡釋性目的提供且不應被解釋為限制性的。如本文中先前描述，可針對任何數目個樣本層產生裝置相關疊加。例如，方程式(1)及/或(2)之裝置相關疊加可表示一個多層疊加目標之任兩個層之間的疊加。在此方面，可針對任何數目個樣本層產生參考特徵之遍及目標疊加量測()及PPE量測以提供多層裝置相關疊加量測。
本發明之額外實施例係關於具有多個裝置級特徵圖案及一或多個共同參考特徵之度量目標。在此方面，一共同參考疊加量測()可用於判定多個裝置級特徵圖案之各者之裝置相關疊加，此可有利於高處理量疊加量測。
本發明之額外實施例係關於包含重複組之參考特徵之一疊加目標。例如，一疊加目標可包含定位於多個層中之週期性分佈參考特徵。在此方面，可基於重複特徵之多個量測判定參考疊加()。此外，重複特徵可有利於疊加目標上之減少的每單位面積沈積之能量及因此疊加量測期間損害之減小的可能性。
本發明之進一步實施例係關於基於裝置相關疊加量測產生裝置相關疊加可校正值。接著，疊加可校正值可作為回饋及/或前饋資料提供至製造工具(例如，微影工具)。例如，與一當前程序步驟相關聯之在一樣本上量測的疊加量測可用於補償漂移且針對相同或後續批次中之後續樣本上之程序步驟將疊加維持在選定容限內。藉由另一實例，可前饋與一當前程序步驟相關聯之疊加量測以調整後續程序步驟而補償任何經量測疊加誤差。
圖1A係根據本發明之一或多項實施例之適用於裝置相關度量量測的一疊加度量系統100之一概念圖。在一項實施例中，疊加度量系統100包含適於量測層內圖案放置距離以及堆疊疊加目標特徵之層間疊加量測的至少一個疊加度量工具102。
在另一實施例中，疊加度量系統100包含一控制器104。在另一實施例中，控制器104包含經組態以執行維持於一記憶媒體108上之程式指令的一或多個處理器106。在此方面，控制器104之一或多個處理器106可執行在本發明各處描述之各種程序步驟之任一者。例如，控制器104可自疊加度量工具102接收資料且可進一步產生裝置相關疊加資料。藉由另一實例，控制器104可基於來自疊加度量工具102之資料產生裝置相關疊加可校正值。
此外，控制器104可通信地耦合至一或多個外部製造工具，諸如但不限於一微影工具。在此方面，控制器104可作為適於控制外部製造工具之輸入以將疊加維持在選定疊加容限內的一先進程序控制器(APC)操作。
一控制器104之一或多個處理器106可包含此項技術中已知之任何處理元件。在此意義上，一或多個處理器106可包含經組態以執行演算法及/或指令之任何微處理器型裝置。在一項實施例中，一或多個處理器106可包括以下各者：一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器，或經組態以執行如在本發明各處描述之經組態以操作疊加度量系統100之一程式的任何其他電腦系統(例如，網路電腦)。進一步應認知，術語「處理器」可廣泛定義為涵蓋具有執行來自一非暫時性記憶媒體108之程式指令之一或多個處理元件的任何裝置。此外，可藉由一單一控制器104或者多個控制器實行在本發明各處描述之步驟。另外，控制器104可包含容置於一共同外殼中或在多個外殼內之一或多個控制器。以此方式，任何控制器或控制器組合可單獨地封裝為適於整合至疊加度量系統100中之一模組。
記憶媒體108可包含此項技術中已知之適於儲存可由相關聯之一或多個處理器106執行之程式指令的任何儲存媒體。例如，記憶媒體108可包含一非暫時性記憶媒體。藉由另一實例，記憶媒體108可包含但不限於一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一磁性或光學記憶體裝置(例如，磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及類似者。進一步應注意，記憶媒體108可與一或多個處理器106容置於一共用控制器外殼中。在一項實施例中，記憶媒體108可相對於一或多個處理器106及控制器104之實體位置遠端定位。例如，控制器104之一或多個處理器106可存取可透過一網路(例如，網際網路、內部網路及類似者)存取的一遠端記憶體(例如，伺服器)。因此，上文描述不應被解釋為對本發明之一限制，而是僅為一繪示。
疊加度量工具102可包含此項技術中已知之適於特性化層內圖案放置距離及/或層間疊加量測的任何類型之度量工具。例如，疊加度量工具102可用一照明束照明一樣本且可進一步收集回應於照明束而自樣本放射之輻射。照明束可包含適於探測一樣本之任何類型之照明束，諸如但不限於一光束(例如，光子)、一電子束或一離子束。此外，自樣本放射之輻射可包含光子、電子、離子、中性粒子或類似者。因此，疊加度量工具102可包含一光學度量工具、一電子束度量工具、一離子束度量工具或類似者。
疊加度量工具102可進一步在一成像模式或一非成像模式中操作。例如，在一成像模式中操作之疊加度量工具102可照明大於系統解析度之樣本之一部分且在一偵測器上捕獲樣本之經照明部分之一或多個影像。經捕獲影像可為此項技術中已知之任何類型之影像，諸如但不限於一亮場影像、一暗場影像、一位相差影像(phase-contrast image)或類似者。此外，經捕獲影像可拼接在一起(例如，藉由控制器104或類似者)以形成樣本之一複合影像。藉由另一實例，疊加度量工具102可同時或循序使用多個偵測器產生樣本之多個影像。例如，疊加度量工具102可從不同角度產生樣本之影像。在另一例項中，疊加度量工具102可使用不同射束能量(例如，粒子束能量、光強度、波長或類似者)產生樣本之影像。藉由另一實例，疊加度量工具102可用一聚焦束跨樣本掃描且在一或多個偵測器上以一或多個量測角捕獲自樣本放射之輻射及/或粒子以產生影像。可藉由修改射束路徑及/或藉由使樣本平移通過聚焦束之一焦體積而用聚焦束跨樣本掃描。例如，粒子束可使用受控電磁場(例如，使用一或多個射束偏轉器或類似者產生)掃描。在另一例項中，光束可使用掃描鏡(例如，振鏡(galvo mirror)、壓電鏡或類似者)掃描。
現參考圖1B及圖1C，描述一疊加度量工具102之各種實施例。例如，疊加度量工具102可包含(但不要求包含)一基於粒子之疊加度量工具102a及/或一光學疊加度量工具102b。
圖1B係根據本發明之一或多項實施例之一基於粒子之疊加度量工具102a之一概念圖。基於粒子之疊加度量工具102a可包含適於解析裝置特徵或裝置級特徵之任何類型之度量工具，諸如但不限於一電子束度量工具(例如，一SEM、一CD-SEM或類似者)或一離子束度量工具(例如，一聚焦離子束(FIB)度量工具)。
在一項實施例中，基於粒子之疊加度量工具102a包含一粒子源110 (例如，一電子束源、一離子束源或類似者)以產生一粒子束112 (例如，一電子束、一粒子束或類似者)。粒子源110可包含此項技術中已知之適於產生一粒子束112之任何粒子源。例如，粒子源110可包含但不限於一電子槍或一離子槍。在另一實施例中，粒子源110經組態以提供具有一可調諧能量之一粒子束。例如，包含一電子源之粒子源110可(但不限於)提供在0.1 kV至30 kV之範圍內之一加速電壓。作為另一實例，包含一離子源之一粒子源110可(但不要求)提供具有在1 keV至50 keV之範圍內之一能量的一離子束。
在另一實施例中，基於粒子之疊加度量工具102a包含一或多個粒子聚焦元件114。例如，一或多個粒子聚焦元件114可包含但不限於形成一複合系統之一單一粒子聚焦元件或一或多個粒子聚焦元件。在另一實施例中，一或多個粒子聚焦元件114包含經組態以將粒子束112引導至定位於一樣本台120上之一樣本118的一粒子物鏡116。此外，一或多個粒子源110可包含此項技術中已知之任何類型之電子透鏡，包含但不限於靜電、磁性、單電位或雙電位透鏡。
在另一實施例中，基於粒子之疊加度量工具102a包含至少一個粒子偵測器122以成像或以其他方式偵測自樣本118放射之粒子。在一項實施例中，粒子偵測器122包含一電子收集器(例如，一個二次電子收集器、一反向散射電子偵測器或類似者)。在另一實施例中，粒子偵測器122包含用於偵測來自樣本表面之電子及/或光子之一光子偵測器(例如，一光偵測器、一x射線偵測器、耦合至光電倍增管(PMT)偵測器之一閃爍元件或類似者)。
應瞭解，如圖1B中描繪之一基於粒子之疊加度量工具102a之描述及上文相關聯描述僅經提供用於闡釋性目的且不應被解釋為限制性的。例如，基於粒子之疊加度量工具102a可包含適於同時訊問一樣本118之一多射束及/或一多柱系統。在又一實施例中，基於粒子之疊加度量工具102a可包含經組態以將一或多個電壓施加至樣本118之一或多個位置的一或多個組件(例如，一或多個電極)。在此方面，基於粒子之疊加度量工具102a可產生電壓對比成像資料。
本文中應認知，粒子束112在樣本118中之穿透深度可取決於粒子能量，使得較高能量射束通常更深地穿透至樣本中。在一項實施例中，基於粒子之疊加度量工具102a利用不同粒子能量基於粒子束112至樣本118中之穿透深度訊問裝置之不同層。例如，基於粒子之疊加度量工具102a可利用一相對低能量之電子束(例如，大約1 keV或更低)且可利用一較高能量射束(例如，大約10 keV或更高)來特性化一先前製造之層。本文中應認知，依據粒子能量而變化之穿透深度可針對不同材料變化，使得針對一特定層之粒子能量之選擇可針對不同材料而變化。
圖1C係根據本發明之一或多項實施例之一光學疊加度量工具102b之一概念圖。光學疊加度量工具102b可包含此項技術中已知之適於產生與一樣本之兩個或更多個層相關聯之疊加資料的任何類型之光學疊加度量工具。
在一項實施例中，光學疊加度量工具102b包含一光學照明源124以產生一光學照明束126。光學照明束126可包含一或多個選定波長之光，包含但不限於紫外(UV)光、可見光或紅外(IR)光。
光學照明源124可為此項技術中已知之適於產生一光學照明束126之任何類型之照明源。
光學照明源124可包含適於提供一光學照明束126之任何類型之照明源。在一項實施例中，光學照明源124係一雷射源。例如，光學照明源124可包含但不限於一或多個窄頻雷射源、一寬頻雷射源、一超連續雷射源、一白光雷射源或類似者。在此方面，光學照明源124可提供具有高同調性(例如，高空間同調性及/或時間同調性)之一光學照明束126。在另一實施例中，光學照明源124包含一雷射維持電漿(LSP)源。例如，光學照明源124可包含但不限於一LSP燈、一LSP燈泡或適於容納一或多個元件之一LSP腔室，其在藉由一雷射源激發為一電漿狀態時可發射寬頻照明。在另一實施例中，光學照明源124包含一燈源。例如，光學照明源124可包含但不限於一弧光燈、一放電燈、一無電極燈或類似者。在此方面，光學照明源124可提供具有低同調性(例如，低空間同調性及/或時間同調性)之一光學照明束126。
在另一實施例中，光學照明源124經由一照明路徑128將光學照明束126引導至一樣本118。照明路徑128可包含適於修改及/或調節光學照明束126之一或多個照明路徑透鏡130或額外光學組件132。例如，一或多個光學組件132可包含但不限於一或多個偏光器、一或多個濾光片、一或多個光束分離器、一或多個漫射體、一或多個均質器、一或多個變跡器或一或多個光束整形器。照明路徑128可進一步包含經組態以將光學照明束126引導至樣本118之一物鏡134。
在另一實施例中，樣本118安置於一樣本台120上。樣本台120可包含適於定位及/或掃描光學疊加度量工具102b內之樣本118之任何裝置。例如，樣本台120可包含線性平移台、旋轉台、翻轉/傾斜台或類似者之任何組合。
在另一實施例中，光學疊加度量工具102b包含經組態以透過一收集路徑138捕獲自樣本118放射之光的一偵測器136。收集路徑138可包含但不限於用於收集來自樣本118之光的一或多個收集路徑透鏡140。例如，一偵測器136可經由一或多個收集路徑透鏡140接收自樣本118反射或散射(例如，經由鏡面反射、漫反射及類似者)之光。藉由另一實例，一偵測器136可接收藉由樣本118產生之光(例如，與光學照明束126之吸收相關聯之發光或類似者)。藉由另一實例，一偵測器136可接收來自樣本118之一或多個繞射階之光(例如，0階繞射、±1階繞射、±2階繞射及類似者)。
偵測器136可包含此項技術中已知之適於量測自樣本118接收之照明的任何類型之偵測器。例如，一偵測器136可包含但不限於一CCD偵測器、一TDI偵測器、一光電倍增管(PMT)、一雪崩光二極體(APD)或類似者。在另一實施例中，一偵測器136可包含適於識別自樣本118放射之光之波長的一光譜偵測器。
收集路徑138可進一步包含用於引導及/或修改自樣本118收集之照明的任何數目個光學元件，包含但不限於一或多個收集路徑透鏡140、一或多個濾光片、一或多個偏光器或一或多個光束擋板。
在一項實施例中，偵測器136定位成近似法向於樣本118之表面。在另一實施例中，光學疊加度量工具102b包含一光束分離器142，光束分離器142經定向使得物鏡134可同時引導光學照明束126至樣本118且收集自樣本118放射之光。此外，照明路徑128及收集路徑138可共用一或多個額外元件(例如，物鏡134、孔隙、濾光片或類似者)。
光學疊加度量工具102b可基於此項技術中已知之任何技術量測疊加，該等技術諸如但不限於基於成像之技術或基於散射量測之技術。此外，光學疊加度量工具102b可藉由使光學照明束126傳播穿過一表面層以與一或多個先前製造層上之特徵相互作用而基於樣本118之任何層上的特徵量測疊加。
在另一實施例中，疊加度量工具102包含適用於一樣本層上之各種特徵之圖案放置距離(或圖案放置誤差)之量測的一邊緣放置度量工具。例如，可嚴格監測樣本台120之位置以在一大視場內提供準確定位結果。此外，本文中應認知，基於監測樣本台120之實際位置之定位準確度(與僅基於對樣本台120自身之控制的定位準確度相反)可僅受監測準確度限制。在一個例項中(但未展示)，使用一干涉儀監測樣本台120沿一或多個方向之位置，此可提供(但不要求提供)奈米或亞奈米準確度。此外，包含一邊緣放置度量工具之疊加度量工具102可基於任何類型之成像技術，諸如但不限於光學或粒子束成像。使用邊緣放置度量對結構之位置及尺寸的量測大體上描述於以下各者中：於2018年1月4日發表之標題為「APPARATUS AND METHOD FOR THE MEASUREMENT OF PATTERN PLACEMENT AND SIZE OF PATTERN AND COMPUTER PROGRAM THEREFOR」之國際公開案第WO 2018/004511號；及於2017年7月11日發佈之標題為「METHOD FOR CORRECTING POSITION MEASUREMENTS FOR OPTICAL ERRORS AND METHOD FOR DETERMINING MASK WRITER ERRORS」之美國專利第9,704,238號，該等案兩者之全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，疊加度量系統100包含多個疊加度量工具102。例如，疊加度量系統100可包含適於量測裝置級特徵之層內圖案放置距離的一第一疊加度量工具102及適於量測層間疊加之一第二疊加度量系統100。此外，多個疊加度量工具102可具有不同操作原理。例如，適於量測裝置級特徵之層內圖案放置距離的一疊加度量工具102可包含具有足以解析裝置級特徵之解析度的一基於粒子之度量工具。藉由另一實例，適於量測層間疊加之一疊加度量工具102可包含一基於粒子之度量工具或一光學度量工具。
圖2A包含根據本發明之一或多項實施例之一裝置相關疊加目標200之一俯視圖202。圖2B包含根據本發明之一或多項實施例之一裝置相關疊加目標200之一剖面圖204。在一項實施例中，裝置相關疊加目標200包含樣本118之多個層上之特徵。例如，如在剖面圖204中繪示，裝置相關疊加目標200可包含一第一層206及在第一層206之頂部上且繼第一層206之後製造的一第二層208上之特徵。
在另一實施例中，裝置相關疊加目標200包含各所關注層上之裝置級特徵及參考特徵兩者。例如，裝置相關疊加目標200可包含第一層裝置級特徵圖案210a及一第二層裝置級特徵圖案210b。類似地，裝置相關疊加目標200可包含一第一層參考特徵圖案212a及一第二層參考特徵圖案212b。
在另一實施例中，裝置相關疊加目標200包含堆疊(例如，重疊)圖案。例如，如在剖面圖204中繪示，第二層裝置級特徵圖案210b可堆疊於第一層裝置級特徵圖案210a上，使得一裝置相關疊加214可對應於第二層裝置級特徵圖案210b相對於第一層裝置級特徵圖案210a之一相對位移。藉由另一實例，第二層參考特徵圖案212b可堆疊於第一層參考特徵圖案212a上，使得一參考疊加216可對應於第二層參考特徵圖案212b相對於第一層參考特徵圖案212a之一相對位移。
在一項實施例中，第一層206及第二層208包含相同特徵圖案。例如，第一層裝置級特徵圖案210a可跨裝置相關疊加目標200與第二層裝置級特徵圖案210b實質上相同。類似地，第一層參考特徵圖案212a可跨裝置相關疊加目標200與第二層參考特徵圖案212b實質上相同。在另一實施例中，第一層206及第二層208包含不同特徵圖案。例如，第二層208上之特徵可按不同於第一層206上之特徵之一週期製造。在一個例項中，如藉由俯視圖202繪示，第二層208中之特徵(例如，第二層裝置級特徵圖案210b及第二層參考特徵圖案212b)可按兩倍於第一層206上之特徵(例如，第一層裝置級特徵圖案210a及第一層參考特徵圖案212a)之週期製造。在此方面，第一層上之特徵可在俯視圖202中交替可見或被覆蓋。藉由另一實例，第一層裝置級特徵圖案210a及第二層裝置級特徵圖案210b可經製造具有不同特性，諸如但不限於特徵尺寸(例如，臨界尺寸、長度、寬度及/或高度)、側壁角或定向。
在另一實施例中，在距參考特徵之一標稱選定距離(例如，圖案放置距離)處製造裝置級特徵。然而，如本文中先前描述，場內誤差可導致裝置級特徵與參考特徵之相對放置之變動。例如，如在剖面圖204中繪示，與第一層裝置級特徵圖案210a與第一層參考特徵圖案212a之選定部分之間之一分離相關聯的一第一層圖案放置距離218可不同於與第二層裝置級特徵圖案210b與第二層參考特徵圖案212b之選定部分之間之一分離相關聯的一第二層圖案放置距離220。
因此，如在方程式1中描述，裝置相關疊加214 ()可依據參考疊加216 ()及與第一層圖案放置距離218與第二層圖案放置距離220之間之一差相關聯的特性化。
可使用此項技術中已知之任何技術來判定圖案放置距離(例如，第一層圖案放置距離218及第二層圖案放置距離220)。例如，可藉由分析(例如，用控制器104)由具有足以解析裝置級特徵之一解析度的一基於粒子之度量工具(例如，基於粒子之疊加度量工具102a)產生之裝置相關疊加目標200之至少一部分的一影像而判定圖案放置距離。
此外，參考疊加216 ()可使用此項技術中已知之任何技術判定。例如，可藉由分析(例如，用控制器104)由具有足以解析參考特徵之一解析度的一基於粒子之度量工具(例如，基於粒子之疊加度量工具102a)產生之裝置相關疊加目標200之至少一部分的一影像而判定參考疊加216。藉由另一實例，可使用一光學度量工具(例如，光學疊加度量工具102b)判定參考疊加216。例如，控制器104可分析多個所關注層上之參考特徵之一光學影像。在另一例項中，控制器104可使用對與一光學照明束126與第一層參考特徵圖案212a及第二層參考特徵圖案212b兩者之相互作用相關聯之一繞射圖案的一基於模型之分析來判定參考疊加216。
在另一實施例中，一參考特徵圖案(例如，第一層參考特徵圖案212a及第二層參考特徵圖案212b)可沿一掃描方向週期性地分佈。重複參考特徵可沿掃描方向提供參考疊加216之多個量測點，此與一單一量測相比可減少隨機量測雜訊且因此增加量測準確度。相反地，重複參考特徵可減少在一疊加量測期間產生一選定精度之一疊加量測所需之樣本上之一劑量(例如，與一粒子束112、一光學照明束126或類似者相關聯)。此外，減少一疊加量測所需之劑量可減輕充電效應以及光阻劑收縮效應，此可進一步增加量測精度。
圖2C係根據本發明之一或多項實施例之適用於掃描量測之一疊加目標(例如，裝置相關疊加目標200或類似者)的週期性分佈參考特徵之一俯視圖222。在一項實施例中，週期性分佈之第一層特徵224沿一掃描方向226定位於一樣本(例如，樣本118)之一第一層上。在另一實施例中，週期性分佈之第二層特徵228沿掃描方向226定位於樣本之一第二層上。此外，如在圖2C中繪示，第二層特徵228可堆疊在第一層特徵224上使得一成像射束(例如，一粒子束112、一光學照明束126或類似者)之一掃描帶230可同時成像第一層特徵224及第二層特徵228兩者。
參考特徵可具有選擇為大於一選定疊加度量工具(例如，基於粒子之疊加度量工具102a、光學疊加度量工具102b或類似者)之一解析度的尺寸，使得該等特徵可藉由疊加度量工具解析。例如，第一層特徵224沿掃描方向226之一長度232、第二層特徵228沿掃描方向226之一長度234及/或沿掃描方向226之節距236可經選擇使得選定疊加度量工具可解析第一層特徵224及第二層特徵228。
可進一步分段任何層上之參考特徵。例如，疊加目標之全部層上之參考特徵可按一可解析節距236週期性地分佈，且目標之任何層上之參考特徵可按一裝置級節距238進一步分段以提供與層之設計規則的程序相容性且最小化層上之參考特徵與裝置特徵之間的系統性放置誤差。如本文中先前描述，一基於粒子之疊加度量工具102a對於表面下特徵(例如，第一層特徵224)之解析度可相對於表面層級特徵(例如，第二層特徵228)更低，使得疊加度量工具可能無法解析按裝置級節距238分離之片段。然而，只要節距236、第一層特徵224之長度232及第二層特徵228之長度234可解析，便可量測參考疊加216。
裝置相關疊加目標200可進一步經組態以有利於在多個方向上進行疊加量測。例如，剖面圖204繪示沿X方向之疊加之判定。在一項實施例中，如藉由俯視圖202繪示，裝置相關疊加目標200包含適用於沿X方向之疊加量測之沿X方向定向的一第一組特徵240及適用於沿Y方向之疊加量測之沿Y方向定向的一第二組特徵242。
一裝置相關疊加目標可額外地包含多組不同裝置級特徵圖案及/或多組不同參考特徵圖案。出於本發明之目的，將此一疊加目標稱為一複合疊加目標。本文中應認知，一經製造層可包含具有變化尺寸、密度及/或定向之裝置特徵(例如，其等形成一半導體裝置之部分)。因此，裝置特徵之變化尺寸、密度及/或定向可導致變化的圖案放置誤差及因此變化的裝置上疊加。在一項實施例中，一複合裝置相關疊加目標可包含不同裝置級特徵圖案以對應於一給定層上之不同裝置結構。在此方面，可針對各類型之裝置級特徵圖案量測裝置相關疊加以有利於對多個裝置結構之穩健的且準確的疊加量測。
類似地，一複合裝置相關疊加目標可包含多組參考特徵圖案。在此方面，可基於裝置級特徵圖案及參考特徵圖案之任何選定組合量測疊加。
圖3係根據本發明之一或多項實施例之一複合裝置相關疊加目標300之一概念圖。在一項實施例中，複合裝置相關疊加目標300包含多個裝置級圖案302a至302g。在另一實施例中，複合裝置相關疊加目標300包含多個參考圖案304a、304b。多個裝置級圖案302a至302g以及多個參考圖案304a、304b可以任何空間上分離之定向分佈。例如，如在圖3中繪示，複合裝置相關疊加目標300可被劃分成一網格使得其中網格之各片段包含一裝置級圖案及/或一參考圖案。
在一項實施例中，可產生任何裝置級圖案302a至302g與任何參考圖案304a、304b之間之一裝置相關疊加量測。在此方面，一選定裝置級圖案302a至302g及一選定參考圖案304a、304b可被組合視為一裝置相關疊加目標(例如，類似於圖3中繪示之裝置相關疊加目標200但不限於圖3中繪示之特定設計)。因此，可基於方程式1及圖3之裝置相關疊加目標200之闡釋性描述產生一裝置相關疊加量測。
此外，裝置級圖案302a至302g及參考圖案304a、304b可包含沿任何方向定向之特徵。例如，各裝置級圖案302a至302g或參考圖案304a、304b可包含適用於沿多個方向之疊加之判定之沿多個方向分佈的特徵。藉由另一實例，裝置級圖案302a至302g或參考圖案304a、304b可包含沿一單一方向分佈之特徵。
本文中應認知，一複合裝置相關疊加目標(例如，複合裝置相關疊加目標300)可有利於有效率地量測多個裝置級圖案之裝置相關疊加值。例如，與參考圖案304a、304b之任一者相關聯之一單一參考疊加量測(例如，)可應用於判定多個裝置圖案之多個裝置相關疊加。
此外，用裝置級圖案及參考圖案之不同組合量測之裝置相關疊加可有利於判定系統性製造誤差，諸如但不限於微影系統之像差。
應瞭解，圖3中繪示之複合裝置相關疊加目標300僅經提供用於闡釋性目的且不應被解釋為限制性的。例如，一複合裝置相關疊加目標300可具有適於包含多個裝置級特徵圖案及/或參考特徵圖案之任何形狀，諸如但不限於一矩形或一圓形。
圖4係繪示根據本發明之一或多項實施例之在用於量測裝置相關疊加之一方法400中執行的步驟之一流程圖。申請人提及，本文中先前在疊加度量系統100之內容背景中描述之實施例及實現技術應被解釋為擴展至方法400。然而，進一步應注意，方法400不限於疊加度量系統100之架構。
在一項實施例中，方法400包含在一樣本上製造至少包含一裝置級特徵圖案及一參考特徵圖案之一疊加目標的一第一層之一步驟402。例如，一疊加目標可包含具有類似於形成第一層上之一半導體裝置之一部分的裝置特徵之一或多個特性(例如，大小、形狀、密度、定向或類似者)的裝置級特徵。在此方面，裝置級特徵可以類似於裝置特徵之特性印刷。疊加目標可額外地包含具有適於提供與後續層中之對應特徵的層間疊加量測之選定特性(例如，大小、形狀、密度、定向或類似者)的參考特徵。此外，參考特徵之特性可不同於(但不要求不同於)裝置級特徵之特性。
在另一實施例中，方法400包含繼製造第一層之後運用一成像系統量測第一層上之裝置級特徵圖案與參考特徵圖案之間的一第一層圖案放置距離之一步驟404。可使用此項技術中已知之任何技術來量測第一層圖案放置距離。例如，步驟404可包含產生第一層上之裝置級特徵及參考特徵之一或多個影像且基於該一或多個影像判定第一層圖案放置距離。
在一項實施例中，在步驟404中使用之成像系統係適於解析裝置級特徵之一基於粒子之成像系統(例如，基於粒子之疊加度量工具102a或類似者)。
在另一實施例中，方法400包含在樣本上製造至少包含裝置特徵圖案及參考特徵圖案之疊加目標的一第二層之一步驟406。例如，可將裝置級特徵圖案及參考特徵圖案複製於第二層上。在一項實施例中，第一層及第二層上之裝置級特徵堆疊(例如，重疊)。在此方面，一裝置相關疊加可與第二層上之裝置級特徵相對於第一層之一相對位移相關聯。類似地，第一層及第二層上之參考特徵圖案可堆疊，使得一參考疊加可與第二層上之參考特徵相對於第一層之一相對位移相關聯。
在另一實施例中，方法400包含繼製造第二層之後運用成像系統量測第二層上之裝置級特徵圖案與參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離之一步驟408。例如，步驟408可實質上類似於在第二層上重複步驟404。在一項實施例中，可使用相同成像系統量測第一層圖案放置距離及第二層圖案放置距離以提供一致量測。
在另一實施例中，方法400包含運用一疊加度量系統基於第一層上之參考特徵圖案與第二層上之參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加之一步驟410。
可使用此項技術中已知之任何疊加技術來量測參考疊加。例如，可使用一基於粒子之疊加工具(例如，基於粒子之疊加度量工具102a或類似者)來量測參考疊加。在此方面，基於粒子之疊加度量工具可利用不同粒子能量來基於一粒子束至樣本中之穿透深度訊問裝置之不同層。例如，基於粒子之疊加度量工具可利用一相對低能量之電子束(例如，大約1 keV或更低)且可利用一較高能量束(例如，大約10 keV或更高)來特性化一先前製造之層。此外，依據粒子能量而變化之穿透深度可針對不同材料變化，使得針對一特定層之粒子能量之選擇可針對不同材料而變化。
藉由另一實例，可使用光學度量技術(諸如但不限於光學成像度量或散射量測疊加度量)來量測參考疊加。在此方面，第一層及第二層上之參考特徵可經製造具有大於選定光學疊加度量工具之光學解析度的尺寸。如本文中先前描述，光學度量技術可利用電磁輻射之任何波長，諸如但不限於x射線波長、極紫外線(EUV)波長、真空紫外線(VUV)波長、深紫外線(DUV)波長、紫外線(UV)波長、可見光波長或紅外線(IR)波長。
在另一實施例中，第一層及第二層上之參考特徵沿一掃描方向週期性地分佈。在此方面，參考疊加可沿掃描方向量測且可提供參考疊加之多個量測點，此可減少隨機量測雜訊。因此，產生參考疊加量測所需之劑量可相對於非重複結構減少，此可減輕與量測自身相關聯之誤差，諸如但不限於充電效應及光阻層收縮。
在另一實施例中，方法400包含藉由用第一層圖案放置距離與第二層圖案放置距離之間之一差調整參考疊加而判定裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加的一步驟412。例如，如本文中先前關於方程式1描述，一裝置相關疊加()可依據與步驟410相關聯之參考疊加()及與步驟404之第一層圖案放置距離與步驟408之第二層圖案放置距離之間之一差相關聯的特性化。
在另一實施例中，方法400包含將基於裝置相關疊加之疊加可校正值提供至一微影系統以修改至少一個後續曝光之曝光條件的一步驟414。
例如，步驟414可包含基於裝置相關疊加產生用於製造工具(諸如但不限於微影工具)之控制參數(或對控制參數之校正)。可藉由一控制系統(諸如但不限於疊加度量系統100之控制器104)產生控制參數。可提供疊加可校正值作為一回饋及/或一前饋控制迴路之部分。在一項實施例中，與一當前程序步驟相關聯之在一樣本上量測的裝置相關疊加量測用於補償一或多個製造程序之漂移且因此可跨對相同或不同批次中之後續樣本的多個曝光將疊加維持在選定容限內。在另一實施例中，可前饋與一當前程序步驟相關聯之裝置相關疊加量測以調整後續程序步驟呃補償任何經量測疊加誤差。例如，可調整對後續層上之圖案的曝光以匹配後續層之經量測疊加。
本文中描述之標的物有時繪示含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等所描繪架構僅為例示性的，且事實上可實施達成相同功能性之許多其他架構。在一概念意義上，達成相同功能性之任何組件配置經有效「相關聯」使得達成所要功能性。因此，在本文中經組合以達成一特定功能性之任兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要功能性，而與架構或中間組件無關。同樣地，如此相關聯之任兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任兩個組件亦可被視為可彼此「耦合」以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體互動及/或實體互動之組件、及/或可無線互動及/或無線互動之組件，及/或可邏輯互動及/或邏輯互動之組件。
據信，藉由前文描述將理解本發明及本發明之許多伴隨優點，且將明白，可在不脫離所揭示標的物或不犧牲全部其材料優點之情況下對組件之形式、構造及配置進行各種改變。所描述之形式僅為說明性的，且以下發明申請專利範圍意欲涵蓋且包含此等改變。此外，應瞭解，本發明係由隨附發明申請專利範圍定義。
100‧‧‧疊加度量系統
102‧‧‧疊加度量工具
102a‧‧‧基於粒子之疊加度量工具
102b‧‧‧光學疊加度量工具
104‧‧‧控制器
106‧‧‧處理器
108‧‧‧記憶媒體
110‧‧‧粒子源
112‧‧‧粒子束
114‧‧‧粒子聚焦元件
116‧‧‧粒子物鏡
118‧‧‧樣本
120‧‧‧樣本台
122‧‧‧粒子偵測器
124‧‧‧光學照明源
126‧‧‧光學照明束
128‧‧‧照明路徑
130‧‧‧照明路徑透鏡
132‧‧‧光學組件
136‧‧‧偵測器
138‧‧‧收集路徑
140‧‧‧收集路徑透鏡
200‧‧‧裝置相關疊加目標
202‧‧‧裝置相關疊加目標之俯視圖
204‧‧‧裝置相關疊加目標之剖面圖
206‧‧‧第一層
208‧‧‧第二層
210a‧‧‧第一層裝置級特徵圖案
210b‧‧‧第二層裝置級特徵圖案
212a‧‧‧第一層參考特徵圖案
212b‧‧‧第二層參考特徵圖案
214‧‧‧裝置相關疊加
216‧‧‧參考疊加
218‧‧‧第一層圖案放置距離
220‧‧‧第二層圖案放置距離
222‧‧‧參考特徵之俯視圖
224‧‧‧第一層特徵
226‧‧‧掃描方向
228‧‧‧第二層特徵
230‧‧‧掃描帶
232‧‧‧長度
234‧‧‧長度
236‧‧‧節距
238‧‧‧裝置級節距
240‧‧‧第一組特徵
242‧‧‧第二組特徵
300‧‧‧複合裝置相關疊加目標
302a-302g‧‧‧裝置級圖案
304a-304b‧‧‧參考圖案
400‧‧‧方法
402‧‧‧步驟
404‧‧‧步驟
406‧‧‧步驟
408‧‧‧步驟
410‧‧‧步驟
412‧‧‧步驟
414‧‧‧步驟
熟習此項技術者藉由參考附圖可更好地理解本發明之許多優點，在附圖中：
圖1A係根據本發明之一或多項實施例之適用於裝置相關度量量測之一疊加度量系統之一概念圖。
圖1B係根據本發明之一或多項實施例之一基於粒子之疊加度量工具之一概念圖。
圖1C係根據本發明之一或多項實施例之一光學疊加度量工具之一概念圖。
圖2A包含根據本發明之一或多項實施例之一裝置相關疊加目標之一俯視圖。
圖2B包含根據本發明之一或多項實施例之一裝置相關疊加目標之一剖面圖。
圖2C係根據本發明之一或多項實施例之適用於掃描量測之一疊加目標的週期性分佈參考特徵之一俯視圖。
圖3係根據本發明之一或多項實施例之一複合裝置相關疊加目標之一概念圖。
圖4係繪示根據本發明之一或多項實施例之在用於量測裝置相關疊加之一方法中執行的步驟之一流程圖。

Claims (36)

  1. 一種疊加度量系統，其包括： 一控制器，其包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 量測一樣本上之一疊加目標之一第一層上的一裝置特徵圖案與一參考特徵圖案之間之一第一層圖案放置距離； 繼製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之一第二層之後量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離； 基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案之相對位置量測一參考疊加，其中可藉由一成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸；及 藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。
  2. 如請求項1之疊加度量系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 將基於該裝置相關疊加之疊加可校正值提供至一微影系統以修改至少一個後續曝光之曝光條件。
  3. 如請求項1之疊加度量系統，其中該裝置級特徵圖案係一第一裝置級特徵圖案，其中該疊加目標包含製造於該第一層及該第二層上之一或多個額外裝置級特徵圖案，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 在製造該第二層之前，量測該第一層上之該一或多個額外裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一或多個額外第一層圖案放置距離； 繼製造該第二層之後，量測該第二層上之該一或多個額外裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一或多個第二層圖案放置距離；及 藉由用該一或多個額外第一層圖案放置距離與該各自一或多個額外第二層圖案放置距離之間之差調整該參考疊加而判定該一或多個額外裝置級特徵圖案之裝置相關疊加。
  4. 如請求項3之疊加度量系統，其中該第一裝置級特徵圖案及該一或多個額外組之裝置級特徵在該疊加目標上在空間上分離。
  5. 如請求項3之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該裝置特徵圖案重疊。
  6. 如請求項5之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該等參考特徵重疊。
  7. 如請求項3之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該裝置特徵圖案在該疊加目標上在空間上分離。
  8. 如請求項7之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該等參考特徵重疊。
  9. 如請求項1之疊加度量系統，其中該參考特徵圖案係一第一參考特徵圖案，其中該疊加目標包含製造於該第一層及該第二層上之一或多個額外參考特徵圖案，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 在製造該第二層之前，量測該第一層上之該裝置特徵圖案與該一或多個額外參考特徵圖案之間的一或多個額外第一層圖案放置距離； 繼製造該第二層之後，基於該第一層及該第二層上之該一或多個額外參考特徵圖案的相對位置量測一或多個額外參考疊加，其中可藉由該成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該一或多個額外參考特徵圖案之尺寸； 繼製造該第二層之後，量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該一或多個額外參考特徵圖案之間的一或多個第二層圖案放置距離；及 藉由用該一或多個額外第一層圖案放置距離與該各自一或多個額外第二層圖案放置距離之間的差調整該一或多個額外參考疊加而判定一或多個額外裝置相關疊加。
  10. 如請求項9之疊加度量系統，其中該第一參考特徵圖案及該一或多個額外組之參考特徵在該疊加目標上在空間上分離。
  11. 如請求項1之疊加度量系統，其中該參考特徵圖案包含在該第一層及該第二層上沿一掃描方向週期性分佈之兩組或更多組特徵，其中基於該參考特徵圖案之相對位置量測該參考疊加包括： 產生該兩組或更多組特徵之一或多個掃描影像；及 基於該一或多個掃描影像中之該兩組或更多組特徵組判定該參考疊加。
  12. 如請求項11之疊加度量系統，其中在穿過該第二層成像時，該第一層上之該參考特徵圖案之至少一些特徵按小於該成像系統之一解析度之一節距分段。
  13. 如請求項11之疊加度量系統，其中該一或多個掃描影像包括： 以不同成像角度、不同射束能量或不同波長之至少一者產生之一或多個掃描影像。
  14. 如請求項1之疊加度量系統，其中該成像系統包括： 一基於粒子之成像系統。
  15. 如請求項14之疊加度量系統，其中該基於粒子之成像系統包括： 一電子束成像系統。
  16. 如請求項14之疊加度量系統，其中該基於粒子之成像系統包括： 一離子束成像系統。
  17. 如請求項1之疊加度量系統，其中該成像系統包括： 一光學成像系統。
  18. 如請求項1之疊加度量系統，其中該成像系統包括： 兩個或更多個成像系統。
  19. 一種疊加度量系統，其包括： 一成像系統；及 一控制器，其通信耦合至該成像系統，該控制器包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 在製造該第一層之後，量測一樣本上之一疊加目標之一第一層上的一裝置特徵圖案與一參考特徵圖案之間之一第一層圖案放置距離； 繼製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之一第二層之後，量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離； 基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案之相對位置量測一參考疊加，其中可藉由該成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸；及 藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加。
  20. 如請求項19之疊加度量系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 將基於該裝置相關疊加之疊加可校正值提供至一微影系統以修改至少一個後續曝光之曝光條件。
  21. 如請求項19之疊加度量系統，其中該裝置級特徵圖案係一第一裝置級特徵圖案，其中該疊加目標包含製造於該第一層及該第二層上之一或多個額外裝置級特徵圖案，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 在製造該第二層之前，量測該第一層上之該一或多個額外裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一或多個額外第一層圖案放置距離； 繼製造該第二層之後，量測該第二層上之該一或多個額外裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一或多個第二層圖案放置距離；及 藉由用該一或多個額外第一層圖案放置距離與該各自一或多個額外第二層圖案放置距離之間之差調整該參考疊加而判定該一或多個額外裝置級特徵圖案之裝置相關疊加。
  22. 如請求項21之疊加度量系統，其中該第一裝置級特徵圖案及該一或多個額外組之裝置級特徵在該疊加目標上在空間上分離。
  23. 如請求項21之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該裝置特徵圖案重疊。
  24. 如請求項23之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該等參考特徵重疊。
  25. 如請求項21之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該裝置特徵圖案在該疊加目標上在空間上分離。
  26. 如請求項25之疊加度量系統，其中該第一層及該第二層上之該等參考特徵重疊。
  27. 如請求項19之疊加度量系統，其中該參考特徵圖案係一第一參考特徵圖案，其中該疊加目標包含製造於該第一層及該第二層上之一或多個額外參考特徵圖案，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令而引起該一或多個處理器： 在製造該第二層之前，量測該第一層上之該裝置特徵圖案與該一或多個額外參考特徵圖案之間的一或多個額外第一層圖案放置距離； 繼製造該第二層之後，基於該第一層及該第二層上之該一或多個額外參考特徵圖案的相對位置量測一或多個額外參考疊加，其中可藉由該成像系統穿過該第二層解析該第一層上之該一或多個額外參考特徵圖案之尺寸； 繼製造該第二層之後，量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該一或多個額外參考特徵圖案之間的一或多個第二層圖案放置距離；及 藉由用該一或多個額外第一層圖案放置距離與該各自一或多個額外第二層圖案放置距離之間之差調整該一或多個額外參考疊加而判定一或多個額外裝置相關疊加。
  28. 如請求項27之疊加度量系統，其中該第一參考特徵圖案及該一或多個額外組之參考特徵在該疊加目標上在空間上分離。
  29. 如請求項19之疊加度量系統，其中該參考特徵圖案包含在該第一層及該第二層上沿一掃描方向週期性分佈之兩組或更多組特徵，其中基於該參考特徵圖案之相對位置量測該參考疊加包括： 產生該兩組或更多組特徵之一或多個掃描影像；及 基於該一或多個掃描影像中之該兩組或更多組特徵判定該參考疊加。
  30. 如請求項29之疊加度量系統，其中在穿過該第二層成像時，該第一層上之該參考特徵圖案之至少一些特徵按小於該成像系統之一解析度之一節距分段。
  31. 如請求項30之疊加度量系統，其中該一或多個掃描影像包括： 以不同成像角度、不同射束能量或不同波長之至少一者產生之一或多個掃描影像。
  32. 如請求項19之疊加度量系統，其中該成像系統包括： 一基於粒子之成像系統。
  33. 如請求項32之疊加度量系統，其中該基於粒子之成像系統包括： 一電子束成像系統。
  34. 如請求項32之疊加度量系統，其中該基於粒子之成像系統包括： 一離子束成像系統。
  35. 如請求項19之疊加度量系統，其中該成像系統包括： 一光學成像系統。
  36. 一種疊加度量方法，其包括： 在一樣本上製造至少包含一裝置特徵圖案及一參考特徵圖案之一疊加目標的一第一層； 運用一成像系統繼製造該第一層之後量測該第一層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第一層圖案放置距離； 在該樣本上製造至少包含該裝置特徵圖案及該參考特徵圖案之該疊加目標之一第二層； 運用該成像系統繼製造該第二層之後量測該第二層上之該裝置特徵圖案與該參考特徵圖案之間的一第二層圖案放置距離； 運用一疊加度量工具基於該第一層及該第二層上之該參考特徵圖案的相對位置量測一參考疊加，其中可藉由該疊加度量工具穿過該第二層解析該第一層上之該參考特徵圖案之尺寸； 藉由用該第一層圖案放置距離與該第二層圖案放置距離之間之一差調整該參考疊加而判定該裝置級特徵圖案之一裝置相關疊加；及 將基於該裝置相關疊加之疊加可校正值提供至一微影系統以修改至少一個後續曝光之曝光條件。
TW107143359A 2017-12-07 2018-12-04 用於裝置相關疊加度量之系統及方法 TWI781259B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762595987P 2017-12-07 2017-12-07
US62/595,987 2017-12-07
US16/009,939 2018-06-15
US16/009,939 US10474040B2 (en) 2017-12-07 2018-06-15 Systems and methods for device-correlated overlay metrology

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201935148A true TW201935148A (zh) 2019-09-01
TWI781259B TWI781259B (zh) 2022-10-21

Family

ID=66696697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107143359A TWI781259B (zh) 2017-12-07 2018-12-04 用於裝置相關疊加度量之系統及方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10474040B2 (zh)
EP (1) EP3721294A4 (zh)
JP (1) JP7118152B2 (zh)
KR (1) KR102435141B1 (zh)
CN (1) CN111433676B (zh)
SG (1) SG11202002413UA (zh)
TW (1) TWI781259B (zh)
WO (1) WO2019113262A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809929B (zh) * 2022-04-08 2023-07-21 南亞科技股份有限公司 具有疊對標記的半導體元件結構

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11914290B2 (en) * 2019-07-24 2024-02-27 Kla Corporation Overlay measurement targets design
US11221561B2 (en) * 2020-01-14 2022-01-11 Kla Corporation System and method for wafer-by-wafer overlay feedforward and lot-to-lot feedback control
CN111458984A (zh) * 2020-03-13 2020-07-28 华中科技大学 一种套刻标记及测量配置的分步优化方法
KR102630496B1 (ko) * 2020-04-15 2024-01-29 케이엘에이 코포레이션 반도체 디바이스의 오정합을 측정하는 데 유용한 디바이스 스케일 피쳐를 갖는 오정합 타겟
US11460783B2 (en) * 2021-01-07 2022-10-04 Kla Corporation System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target
US11720031B2 (en) 2021-06-28 2023-08-08 Kla Corporation Overlay design for electron beam and scatterometry overlay measurements
US11862524B2 (en) 2021-06-28 2024-01-02 Kla Corporation Overlay mark design for electron beam overlay
US11703767B2 (en) 2021-06-28 2023-07-18 Kla Corporation Overlay mark design for electron beam overlay
US12085385B2 (en) 2021-10-06 2024-09-10 Kla Corporation Design-assisted large field of view metrology
EP4202552B1 (en) * 2021-12-24 2024-04-17 Imec VZW Method and structure for determining an overlay error

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW588414B (en) 2000-06-08 2004-05-21 Toshiba Corp Alignment method, overlap inspecting method and mask
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
WO2002019415A1 (en) 2000-08-30 2002-03-07 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US6432591B1 (en) * 2000-08-30 2002-08-13 Micron Technology, Inc. Overlay target design method with pitch determination to minimize impact of lens aberrations
US6486954B1 (en) 2000-09-01 2002-11-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay alignment measurement mark
US20030002043A1 (en) 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US6949462B1 (en) * 2002-04-04 2005-09-27 Nanometrics Incorporated Measuring an alignment target with multiple polarization states
DE60314484T2 (de) * 2002-11-01 2008-02-21 Asml Netherlands B.V. Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
TW200509355A (en) * 2003-04-08 2005-03-01 Aoti Operating Co Inc Overlay metrology mark
DE10345466A1 (de) 2003-09-30 2005-04-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erfassung von Plazierungsfehlern von Schaltungsmustern bei der Übertragung mittels einer Maske in Schichten eines Substrats eines Halbleiterwafers
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
DE102005046973B4 (de) 2005-09-30 2014-01-30 Globalfoundries Inc. Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers
WO2007040855A1 (en) 2005-09-30 2007-04-12 Advanced Micro Devices, Inc. Structure and method for simultaneously determining an overlay accuracy and pattern placement error
US8181327B2 (en) 2008-02-08 2012-05-22 Zephyros, Inc Mechanical method for improving bond joint strength
US8214317B2 (en) 2009-08-17 2012-07-03 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Failure detection system risk reduction assessment
US9052709B2 (en) 2010-07-30 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables
EP2694983B1 (en) 2011-04-06 2020-06-03 KLA-Tencor Corporation Method and system for providing a quality metric for improved process control
US9097978B2 (en) 2012-02-03 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus to characterize photolithography lens quality
US9188876B2 (en) * 2012-02-07 2015-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of determining overlay error and control system for dynamic control of reticle position
US8860941B2 (en) * 2012-04-27 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool induced shift reduction determination for overlay metrology
US9201312B2 (en) 2013-04-16 2015-12-01 Kla-Tencor Corporation Method for correcting position measurements for optical errors and method for determining mask writer errors
US9214317B2 (en) 2013-06-04 2015-12-15 Kla-Tencor Corporation System and method of SEM overlay metrology
TWI544288B (zh) * 2014-04-14 2016-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 疊對度量方法
WO2016124393A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
CN106325001B (zh) * 2015-07-10 2019-01-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 套刻精度补偿方法及装置
EP3171396A1 (en) * 2015-11-18 2017-05-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby
US10185800B2 (en) 2016-06-27 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for the measurement of pattern placement and size of pattern and computer program therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809929B (zh) * 2022-04-08 2023-07-21 南亞科技股份有限公司 具有疊對標記的半導體元件結構

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019113262A1 (en) 2019-06-13
CN111433676A (zh) 2020-07-17
EP3721294A4 (en) 2021-09-01
CN111433676B (zh) 2022-08-05
SG11202002413UA (en) 2020-06-29
JP7118152B2 (ja) 2022-08-15
US10474040B2 (en) 2019-11-12
TWI781259B (zh) 2022-10-21
EP3721294A1 (en) 2020-10-14
KR20200086748A (ko) 2020-07-17
JP2021505959A (ja) 2021-02-18
US20190179231A1 (en) 2019-06-13
KR102435141B1 (ko) 2022-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI781259B (zh) 用於裝置相關疊加度量之系統及方法
CN111801625B (zh) 叠加及边缘放置错误的计量及控制
US11809090B2 (en) Composite overlay metrology target
KR102362670B1 (ko) 계측 타깃 정보 내용 향상
US11209737B1 (en) Performance optimized scanning sequence for eBeam metrology and inspection
US20240035812A1 (en) Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration
KR102719209B1 (ko) 복합 오버레이 계측 타겟

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent