TW201930560A - 液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明所欲解決之課題在於提供一種對於絕緣層、特別是有機絕緣層之垂直配向性優異之液晶顯示元件。
本發明係一種液晶顯示元件，其具有：
第1基板及第2基板，上述第2基板與上述第1基板對向設置；
第1絕緣層及第1電極層，其等設置於上述第1基板上；及
液晶層，其設置於上述第1基板與上述第2基板之間，且含有對液晶分子賦予配向之配向賦予成分；且
上述液晶層係由液晶組成物形成，該液晶組成物含有：具備2個以上與上述第1絕緣層起相互作用之吸附部位之配向賦予化合物。

Description

液晶顯示元件
本發明係關於一種液晶顯示元件。
通常，液晶面板或液晶顯示器等液晶顯示元件藉由電場等外部刺激而使液晶分子之排列狀態變化，且將隨之產生之光學特性之變化用於顯示。此種液晶顯示元件通常為於二片透明基板之間隙填充有液晶分子之狀態之構成，且於與該液晶分子抵接之基板之表面形成用於使液晶分子預先向特定方向排列之配向膜。
但於液晶顯示元件之製造步驟中，有因配向膜表面產生之損傷或灰塵而產生配向缺陷之問題，或有伴隨著基板之尺寸之大型化，難以設計及管理遍及基板整個面且用以獲得長期均勻之配向之配向膜之問題。
因此，近年來，要求開發藉由將包含控制液晶分子之配向之自發配向材料之液晶組成物用於液晶層而無需配向膜之液晶顯示元件。
例如，於專利文獻1中記載有一種包含自發配向材料之液晶組成物，其藉由包含具備辛基之顯示較高直線性之單官能之聯苯單體、及具備硬脂基之顯示較低直線性之二官能之聯苯單體代替與液晶分子之相互作用相對較弱之丙烯酸月桂酯的液晶組成物，而抑制電壓保持率之降低。又，於專利文獻2中揭示有各種包含控制液晶分子之配向之聚合性自配向添加劑的液晶組成物代替配向膜，且記載有若將包含向列LC介質、聚合性自配向添加劑、及視需要之聚合性化合物的液晶組成物填充於無配向層之試驗單元中，則基板表面具有自發之垂直（homeotropic）配向，且該垂直配向一直穩定至透明點，可將形成之VA單元藉由施加電壓而進行可逆切換。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：美國專利公開2017-0123275號公報
專利文獻2：日本特表2015-168826號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，關於如上述專利文獻1所示之包含2種烷基鏈較長且具備聯苯骨架之疏水性單體的組成物，雖認為與填充於一對基板間之液晶層之液晶分子之相互作用強於丙烯酸月桂酯，但由於對於基板之吸附力較低，故而產生因聚合性自配向添加劑本身未固定於基板而無法限制液晶分子之配向方向之問題。
又，於專利文獻2中，因使用具備羥基等吸附基之聚合性自配向添加劑，故而認為對於基板之吸附力高於上述專利文獻1之單體。但若聚合性自配向添加劑對基板之吸附力過高，則產生由於聚合性自配向添加劑未於基板上均勻展開而發生配向不均之問題。
又，於專利文獻1及2中，雖記載有直接對基板相互作用之聚合性自配向添加劑，但由於未考慮到基板表面之凹凸或與基板表面之外覆層之相互作用，故而產生於外覆層上發生配向不均之問題。
因此，本發明所欲解決之課題在於提供一種對於絕緣層、特別是有機絕緣層之垂直配向性優異之液晶顯示元件。
[解決課題之技術手段]
本發明人等潛心研究之結果發現，可藉由以下之液晶顯示元件解決上述課題，從而完成本案發明，該液晶顯示元件具備：第1基板及第2基板，上述第2基板與上述第1基板對向設置；第1絕緣層及第1電極層，其等設置於上述第1基板上；及液晶層，其設置於上述第1基板與上述第2基板之間，且包含：具備2個以上與上述第1絕緣層起相互作用之吸附部位之化合物。
[發明之效果]
本發明之液晶顯示元件顯示較高之相容性及對於液晶分子之優異之垂直配向性。
本發明之液晶顯示元件對於基板顯示優異之展開性（潤濕擴散性）。
本發明之液晶顯示元件無配向不均或能夠降低配向不均。
本發明之第1係一種液晶顯示元件，其特徵在於具有：第1基板及第2基板，上述第2基板與上述第1基板對向設置；第1絕緣層及第1電極層，其等設置於上述第1基板上；以及液晶層，其設置於上述第1基板與上述第2基板之間，且含有對液晶分子賦予配向之配向賦予成分；且上述液晶層係由液晶組成物形成，該液晶組成物含有：具備2個以上與上述第1絕緣層起相互作用之吸附部位之配向賦予化合物。
液晶層中所含之配向賦予成分由於可控制構成液晶層之液晶分子之配向，故而藉由代替以往用於使液晶分子向固定方向排列之配向膜（摩擦配向膜、光配向膜）等或與配向膜併用地使用，能夠提高將未施加電壓之狀態下之液晶分子之配向方向限制於固定方向之效果。又，含有上述配向賦予成分之液晶層由於由包含具備2個以上與例如SiNx或外覆層等絕緣層起相互作用之吸附部位且使液晶分子向固定方向排列之配向賦予化合物的液晶組成物形成，故而該配向賦予成分於多點對絕緣層起相互作用，由此對於基板之固定力提高，因而對於液晶分子之配向限制力變得更大。
以下，基於圖式說明本發明之液晶顯示元件之全貌後，詳細說明各構成元件。圖1~6中對作為本發明之液晶顯示元件之較佳之一例的垂直電場型液晶顯示元件進行說明，但不限定於此。
圖1係示意性地表示垂直電場型液晶顯示元件之構成之圖。又，於圖1中，為了便於說明，分離地記載各構成元件。圖2及圖3係放大該圖1中之形成於基板上之包含薄膜電晶體之電極層3（或亦稱為薄膜電晶體層3）的由II線所包圍之區域之俯視圖。圖3係圖2之包含薄膜電晶體之電極層3之變化例。圖4係沿圖2中之III-III線方向切割圖1所示之液晶顯示元件之剖視圖。圖5係表示圖4之IV區域之薄膜電晶體之一態樣之圖。圖6係表示圖4所記載之液晶顯示元件之剖視圖之變化例的圖，係表示所謂彩色濾光片陣列之構造之圖。
以下，參照圖1~6說明本發明之垂直電場型液晶顯示元件。
本發明之液晶顯示元件10之構成具有：第1基板2，其於一個面上具備第1偏光層1，且於另一個面上包含形成有像素電極及控制各像素所具備之上述像素電極之薄膜電晶體的電極層3；第2基板7，其於一個面上具備第2偏光層8，且於另一個面上具備（透明）電極層3'（或亦稱為共通電極層3'）及彩色濾光片6；及液晶層5（由含有對液晶分子賦予配向之配向賦予化合物之液晶組成物形成），其夾持於上述第1基板2與第2基板7之間。又，關於圖1所記載之液晶顯示元件，液晶層5中之液晶分子係於未施加電壓時，液晶分子之長軸方向相對於上述基板2、7大致垂直地配向，且於施加電壓時，液晶分子之長軸方向相對於上述基板2、7大致平行地配向的形態，該液晶顯示元件響應電壓而可逆地控制液晶分子之長軸方向。又，本發明之配向賦予化合物及上述配向賦予成分具有對上述液晶層中之液晶分子賦予相對於上述第1基板2及/或上述第2基板7大致垂直之方向之配向之作用。即，液晶層中之配向賦予化合物或上述配向賦予成分由於具備吸附部位，故而可穩定地存在於液晶層之界面附近，而且於未施加電壓時，藉由配向賦予化合物或上述配向賦予成分而使液晶分子向相對於第1基板2及/或上述第2基板7大致垂直之方向配向。其結果，可提供一種無需配向層之液晶顯示元件。
再者，可將配向層（未圖示）以與本發明之液晶層5鄰接且直接與構成該液晶層5之液晶組成物相接之方式視需要形成於電極（層）3或共通電極層3'之表面之至少一者。即，上述配向層可設置於液晶層5與電極層3'之間或液晶層5與電極層3之間之一者。
藉由併用配向膜與本發明之配向賦予成分，可提高將未施加電壓之狀態下之液晶分子之配向方向限制於固定方向之效果。
因此，本發明之液晶顯示元件10之較佳之形態之一係依序積層第1偏光層1、第1基板2、包含薄膜電晶體之電極層3、包含配向賦予成分之液晶層5、透明電極（層）3'、彩色濾光片6、第2基板7及第2偏光層8。
又，如下述圖6所示，彩色濾光片6亦可設置於第1基板上之包含薄膜電晶體之電極層3。
又，圖1中之箭頭表示來自安裝於液晶顯示元件之背光源之光之方向。箭頭之指向相當於所謂視覺側。
圖2係表示作為電極層3之一像素之電極所謂像素電極21之形狀之一例之“」”型（逆L字型）的圖，係放大圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域之俯視圖。
圖2中，像素電極21配置於每個顯示像素，形成有狹縫狀開口部。共通電極與像素電極係藉由例如ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）形成之透明電極，電極層3於液晶顯示元件之顯示部中，具備：閘極總線26（GBL1、GBL2...GBLm），其沿著多個顯示像素排列而成之列延伸；源極總線25（SBL1、SBL2...SBLm），其沿著多個顯示像素排列而成之行延伸；及作為像素開關之薄膜電晶體（圖4之IV區域），其位於閘極總線26與源極總線25交叉之位置附近。又，該薄膜電晶體之閘極電極28與對應之閘極總線26電性連接，該薄膜電晶體之源極電極27與對應之源極總線25電性連接。進而，薄膜電晶體之汲極電極24與對應之像素電極電性連接。
關於本發明之液晶顯示元件之包含薄膜電晶體之電極構造之較佳之一態樣，如圖2所示，於形成於第1基板2之表面之包含薄膜電晶體之電極層3中，用於供給掃描訊號之閘極總線26與用於供給顯示訊號之源極總線25相互交叉，且於上述多個閘極總線26與多個源極總線25所包圍之區域中，矩陣狀地形成有像素電極21。於上述閘極總線26與上述源極總線25相互交叉之交叉部附近，包含源極電極27、汲極電極24及閘極電極28之薄膜電晶體作為向像素電極21供給顯示訊號之開關元件與上述像素電極21鄰接地設置。進而，亦可於上述多個閘極總線與多個源極總線所包圍之區域中設置有保存各像素被寫入之電位之儲存電容器。
又，如圖2所示，連接有汲極電極24之薄膜電晶體部分（圖4之IV區域）或未被覆像素電極21（電極層3）之像素之邊緣區域露出絕緣層30。特別是於不使用與液晶層5抵接之配向膜之形態、即將用於使液晶分子向固定方向排列之化合物（配向賦予化合物）添加於液晶層代替所謂自發性配向劑等配向膜之形態中，絕緣層30或具有凹凸之薄膜電晶體直接與液晶層5相接。然而，由於ITO電極與絕緣層30之材質不同，故而於絕緣層30與液晶層5相接之區域或具有凹凸之薄膜電晶體之區域中，與自發性配向劑之密接力明顯降低，因此自發性配向劑本身無法對基板固定化，結果於該區域中由於無法使液晶分子向固定方向（例如，相對於基板垂直之方向）排列而產生配向不均。另一方面，於本發明中，由於使用一分子中具備可與絕緣層30於多點固定化之吸附部位之配向賦予化合物，且以與絕緣層30於多點固定化之狀態形成配向賦予成分，故而認為如下述圖4所示，配向賦予成分4可同樣地被覆具有凹凸之薄膜電晶體或絕緣層30等，如實施例所示，認為可抑制絕緣層30與液晶層5相接之區域或具有凹凸之薄膜電晶體之區域之配向不均。又，具備可於多點固定化之吸附部位之配向賦予化合物或上述配向賦予成分較佳為對液晶分子賦予相對於上述第1基板2或上述第2基板7大致垂直之方向之配向。
電極層3具備閘極驅動器及源極驅動器作為驅動多個顯示像素之驅動手段，上述閘極驅動器及上述源極驅動器配置於液晶顯示部之周圍。又，多個閘極總線與閘極驅動器之輸出端子電性連接，多個源極總線與源極驅動器之輸出端子電性連接。
閘極驅動器對多個閘極總線依序施加導通電壓，向被選擇之電性連接於閘極總線之薄膜電晶體之閘極電極供給導通電壓。向閘極電極供給了導通電壓之薄膜電晶體之源極-汲極電極間導通。源極驅動器供給與多個源極總線各自對應之輸出訊號。向源極總線供給之訊號經由源極-汲極電極間導通之薄膜電晶體施加於對應之像素電極。閘極驅動器及源極驅動器藉由配置於液晶顯示元件之外部之顯示處理部（亦稱為控制電路）而控制動作。
圖2中，閘極總線26與源極總線25所包圍之區域之大致整個面形成“」”型，但像素電極之形狀並不限定於此，亦可為圖3所示之魚骨構造之像素電極。
圖3係表示作為電極層3之一像素之像素電極之形狀之另一例之“魚骨”型的圖，係放大圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域的俯視圖。
此處，於使用微細狹縫電極作為上述像素電極21之情形時，圖3所示之各種所謂魚骨型電極就配向方位之穩定性之方面而言較佳。基於圖3詳細描述該魚骨型電極，該電極由ITO等透明電極構成，設置有去除了該電極材料（ITO）之一部分而成之狹縫部512c。更具體而言，藉由相對於連結長方形單元之各對向邊之中點之形成十字狀脊骨之像素主幹部電極512a以適當之間隔配置像素分枝部電極512b，而於像素分枝部電極512b間形成作為配向限制用構造物之狹縫部512c。於圖3之態樣中，像素分枝部電極512b自像素主幹部電極512a向傾斜45°方向延伸而形成多個狹縫部512c，該等發揮作為抑制傾斜時之方位角方向之混亂之輔助配向控制因子之作用。像素主幹部電極512a之顯示用像素電極之寬度d例如為3~10 μm，較佳為5~9 μm，進而較佳為7 μm左右。例如，藉由將像素分枝部電極512b之電極寬度設為5 μm，將像素分枝部電極512b以8 μm間距進行配置，從而使狹縫部512c之寬度為3 μm。圖3中，像素主幹部電極512a與像素分枝部電極512b具有45度之角度，並且具有將像素中央作為對稱中心以90度為單位而不同之4個方向延伸分枝部電極之構造。又，圖3中，具有薄膜電晶體513。
液晶分子藉由施加電壓而傾斜配向，由於以傾斜配向之方位與該等4個方向一致之方式傾斜配向，故而可使分割成4個之疇形成於一個像素內而擴大顯示之視角。
於如圖3所示之魚骨構造之像素電極之形態中亦同樣地由於狹縫部512c露出絕緣層，故而與圖2所示之電極之構造同樣地於不使用抵接於液晶層且具備使液晶分子向固定方向排列之作用之配向膜之形態、即將用於使液晶分子向固定方向排列之化合物（配向賦予化合物）添加於液晶層代替所謂自發性配向劑等配向膜之形態中，因薄膜電晶體513之凹凸或ITO電極與絕緣層30之材質之不同，而使自發性配向劑對基板之密接力降低，故而於該區域中產生因無法使液晶分子向固定方向排列所導致之配向不均。然而，於本發明中，由於使用一分子中具備可與絕緣層30於多點固定化之吸附部位之配向賦予化合物，且以與絕緣層30於多點固定化之狀態形成配向賦予成分，故而認為可抑制絕緣層與液晶層相接之區域或具有凹凸之薄膜電晶體513之區域之配向不均。又，具備可於多點對絕緣層固定化之吸附部位之配向賦予化合物或上述配向賦予成分較佳為對液晶分子賦予相對於基板大致垂直之方向之配向。
關於垂直配向型之液晶顯示元件之液晶面板部，作為共通電極之電極3'（未圖示）與像素電極21對向且相隔地形成於與TFT對向之基板上。換言之，像素電極21、共通電極22形成於不同基板上。
圖4係沿圖2中之III-III線方向切割圖1所示之液晶顯示元件之剖視圖。即，本發明之液晶顯示元件10係第1偏光層1、第1基板2、包含薄膜電晶體之電極層3（或亦稱為薄膜電晶體層或像素電極）、液晶層5中所含之配向賦予成分4、包含液晶組成物之液晶層5、配向賦予成分4、（透明）電極3'（共通電極）、彩色濾光片6、第2基板7、第2偏光層8依序積層而成之構成。
配向賦予成分4由包含具有2個以上吸附部位之配向賦予化合物之液晶組成物形成。又，認為配向賦予成分4存在於液晶層5、及與該液晶層5抵接之基板表面之電極層3、3'或絕緣層（未圖示）之界面。又，配向賦予成分4被覆第1基板2及第2基板7之最表面。
於本發明中，如圖4所記載，薄膜電晶體可良好地用於反向交錯型之液晶顯示元件，閘極總線或源極總線等較佳為金屬膜，特佳為使用鋁配線之情形。進而，閘極總線及資料總線經由閘極絕緣膜重疊。
於本發明中，薄膜電晶體可良好地用於反向交錯型之液晶顯示元件。反向交錯型之薄膜電晶體之構造之較佳之一態樣例如圖5所示，具有：閘極電極111，其形成於基板102上；閘極絕緣層112，其以覆蓋該閘極電極111且覆蓋上述基板102之大致整個面之方式設置；半導體層113，其以與上述閘極電極111對向之方式形成於上述閘極絕緣層112之表面；汲極電極116，其以覆蓋上述半導體層113之一個側端部且與形成於上述基板102上之上述閘極絕緣層112接觸之方式設置；源極電極117，其以覆蓋上述半導體層113之另一個側端部且與形成於上述基板102表面之上述閘極絕緣層112接觸之方式設置；及絕緣保護層118，其以覆蓋上述汲極電極116及上述源極電極117之方式設置。亦可於閘極電極111之表面出於消除與閘極電極之階差等理由而形成陽極氧化被膜（未圖示）。再者，本說明書中之「基板上」不僅包括與基板直接抵接，亦包括間接抵接即所謂被基板支持之狀態。
上述半導體層113可使用非晶矽、多晶矽等，若使用ZnO、IGZO（ln-Ga-Zn-O）、ITO等透明半導體膜，則可抑制由於光吸收所導致之光載子之弊端，就增大元件之開口率之觀點而言亦較佳。
進而，出於降低肖特基能障之寬度或高度之目的，亦可於半導體層113與汲極電極116或與源極電極117之間設置歐姆接觸層。歐姆接觸層可使用n型非晶矽或n型多晶矽等高濃度地添加有磷等雜質之材料。
閘極總線26或源極總線25、共通線較佳為金屬膜，更佳為Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金，特佳為使用Al或其合金之配線之情形。又，絕緣保護層118係具有絕緣功能之層，由氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽膜等形成。
本發明之液晶顯示元件之較佳之態樣之一例較佳為於與形成有包含薄膜電晶體之電極層3之基板同一基板側形成有彩色濾光片6。該形態通常被稱為彩色濾光片陣列（COA）等。以下使用圖6說明具體構造。圖6係沿圖2之III-III線方向切割液晶顯示元件的圖4之剖視圖之變化例。關於該液晶顯示元件之構成，表面形成有配向賦予成分4、薄膜電晶體20（111、113、116、117）、彩色濾光片6及像素電極21之第1基板2、與表面形成有配向賦予成分4及共通電極22之第2基板7以上述配向層彼此相對之方式相隔，於該空間填充有包含液晶組成物之液晶層5。又，於上述第1基板2之表面之一部分形成有薄膜電晶體20或閘極絕緣膜112，進而以被覆該薄膜電晶體20之方式形成有亦為平坦膜之絕緣層30，於該絕緣層30上依序積層彩色濾光片6、像素電極21及配向賦予成分4。因此，與圖5等不同，第2基板7上不存在彩色濾光片6。
又，液晶顯示元件具有位於中央部之矩形狀之顯示區域R1、及沿著顯示區域周緣部配置之框狀之非顯示區域R2，於顯示區域R1中，形成紅色、綠色或藍色之彩色濾光片。更詳細而言，將彩色濾光片之周緣部重疊於訊號線（資料配線或閘極配線等）進行配置。
於彩色濾光片6上設置有由ITO（銦錫氧化物）等透明導電膜所形成之多個像素電極21。各像素電極21經由形成於絕緣層30及各彩色濾光片之通孔（未圖示）連接於對應之薄膜電晶體。更詳細而言，像素電極21經由上述接觸電極連接於薄膜電晶體。亦可於像素電極21內或像素電極21外配置多根柱狀間隔件（未圖示）等。
又，該彩色濾光片6就防止光之洩漏之觀點而言，較佳為於對應於薄膜電晶體及儲存電容器之部分形成黑色矩陣（未圖示）。
於如圖6所示之COA構造之形態中亦同樣地，於使用之電極為魚骨電極之情形時，狹縫部512c係絕緣層30或彩色濾光片6與液晶層5抵接之區域，又，於圖2所示之電極構造之情形時，絕緣層30或彩色濾光片6亦與液晶層5抵接。因此，於不使用具備使液晶分子向固定方向排列之作用之配向膜之形態、即將用於使液晶分子向固定方向排列之化合物（配向賦予化合物）添加於液晶層代替所謂自發性配向劑等配向膜之形態中，因彩色濾光片6或絕緣層30與ITO電極之材質之不同、或彩色濾光片間或絕緣層30之凹凸而使自發性配向劑對基板之密接力降低，故而於該區域中產生因無法使液晶分子向固定方向排列所導致之配向不均。然而，於本發明中，由於使用一分子中具備可與絕緣層30於多點固定化之吸附部位之配向賦予化合物，且以與絕緣層30於多點固定化之狀態形成配向賦予成分，故而認為可抑制絕緣層與液晶層相接之區域或具有凹凸之薄膜電晶體之區域之配向不均。
將本發明之COA構造之其他實施形態示於圖7（a）~圖7（d）。該等4個實施形態表示特別是進行色彩轉換之所謂彩色濾光片76與包含薄膜電晶體之層73形成於同一基板上之形態。圖7（a）所示之形態於玻璃基板71上製作特定之薄膜電晶體配線74（閘極總線或源極總線），其後將彩色濾光片76製作成相當於各像素，進而於其上形成作為像素電極73之ITO72。因此，圖7（a）所示之形態係液晶層75與彩色濾光片76直接抵接之形態。再者，於該像素電極73中，亦形成有用於實現像素電極之ITO72與薄膜電晶體之汲極電極之導通之接觸孔，但於本圖式中省略記載。理想為進而亦於像素間或薄膜電晶體上配置保持液晶層75之厚度之感光性間隔件，但於本圖式中省略記載。再者，於對向基板側設置有用於防止來自像素間之漏光之黑色矩陣（BM）層78。
圖7（b）所示之形態表示於形成於薄膜電晶體配線74上之彩色濾光片76之表面形成作為無機絕緣膜77之SiNx，且防止從彩色濾光片76污染液晶層75的形態。於其他方面與圖7（a）相同。
圖7（c）所示之形態於彩色濾光片76上形成透明之有機絕緣膜77'，且與圖7（b）同樣地具有防止從彩色濾光片76污染液晶層75之效果。於其他方面與圖7（a）相同。
圖7（d）所示之形態表示與形成於薄膜電晶體配線74上之彩色濾光片76一起形成BM層之實施形態。係液晶層75與彩色濾光片76直接抵接之形態。
如該等例或圖3所示，由於像素電極間及魚骨電極之狹縫部未被ITO覆蓋，故而底層之絕緣膜出現於最表面，注入之液晶與ITO面一起直接與該等絕緣膜接觸。因此，本發明之配向賦予化合物由於一分子中具備多個可與絕緣層於多點固定化之吸附部位，且於吸附部位包含聚合性，故而必須藉由以配向賦予化合物與絕緣層於多點固定化之狀態形成層（或領域），從而提高與該等絕緣膜之吸附程度，提高液晶之配向程度。於該形態中，具備可於多點對絕緣層固定化之吸附部位之配向賦予化合物或上述配向賦予成分較佳為對液晶分子賦予相對於基板大致垂直之方向之配向。
本發明之絕緣層形成於第1基板上，亦可視需要於第2基板上形成第2絕緣層。將形成於第1基板上之絕緣層稱為第1絕緣層，將形成於第2基板上之絕緣層稱為第2絕緣層。又，該第1絕緣層與第2絕緣層可相同，亦可不同。
作為本發明之第1絕緣層，較佳為有機絕緣層或無機絕緣層。又，本發明之第2絕緣膜亦相同。再者，於本說明書中，絕緣層係指第1絕緣層與第2絕緣層之總稱，為了方便起見，將形成於第1基板之絕緣層稱為第1絕緣層，將形成於第2基板上之絕緣層稱為第2絕緣層。
作為上述有機絕緣層，較佳為外覆層或彩色濾光片層。本說明書中之外覆層較佳為除了絕緣功能以外具備平坦化功能或下層之保護功能之任一者，於本說明書中將有機材料之層稱為外覆層。作為上述外覆層，只要光學各向異性較小，具備所需之絕緣性及較高之透明性即可，通常可列舉用於液晶顯示元件之彩色濾光片等之外覆層。該外覆層之材料可列舉光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂，具體而言，可設為丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、環氧系樹脂、卡多（Cardo）系樹脂、乙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂、酚醛清漆系樹脂等單層或由多層該等層之組合所得之積層構造。
本發明之外覆層之平均膜厚較佳為0.4 μm~2.5 μm之範圍內。
上述彩色濾光片層較佳為包含使紅色（R）、綠色（G）及藍色（B）之光穿透之3個彩色圖案、及防止漏光且防止鄰接之彩色圖案彼此之混色之黑色矩陣。又，上述3色之彩色圖案週期性排列，作為彩色圖像顯示之單位的1個像素由多個副像素（子像素）構成。較佳之1個像素之形態包含顯示紅色之副像素（R）、顯示藍色之副像素（B）、及顯示綠色之副像素（G）之3個副像素。
形成構成上述彩色濾光片層之像素之彩色濾光片包含至少3原色之色彩。即，於利用加色法進行色彩顯示之情形時，選擇紅（R）、綠（G）、藍（B）之3原色，於利用減色法進行色彩顯示之情形時，選擇青色（C）、洋紅色（M）、黃色（Y）之3原色。通常，可將包含該等3原色之元素設為1個單位作為色彩顯示之圖素。彩色濾光片使用由著色劑著色之樹脂。
作為用於上述彩色濾光片層之著色劑，可良好地使用有機顏料、無機顏料、染料等，進而，亦可添加紫外線吸收劑、分散劑、調平劑等各種添加劑。作為有機顏料，可良好地使用酞青系、偶氮色澱（azo lake）系、縮合偶氮系、喹吖酮（quinacridone）系、蒽醌系、苝系、紫環酮（perinone）系。
作為用於上述彩色濾光片層之樹脂，較佳為使用環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺酯（urethane）系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、明膠等之感光性或非感光性材料，較佳為使著色劑分散或溶解於該等樹脂中進行著色。作為感光性樹脂，有光分解型樹脂、光交聯型樹脂、光聚合型樹脂等類型，特別是可良好地使用具有乙烯不飽和鍵之單體、包含寡聚物或聚合物及藉由紫外線產生自由基之起始劑之感光性組成物、感光性聚醯胺酸組成物等。作為非感光性樹脂，較佳為使用可藉由上述各種聚合物等進行顯影處理者，由於較佳為具有可耐受透明導電膜之成膜步驟或液晶顯示裝置之製造步驟中所施加之熱之耐熱性之樹脂，又，較佳為具有對液晶顯示裝置之製造步驟中所使用之有機溶劑之耐性之樹脂，故而特佳為使用聚醯亞胺系樹脂。
作為形成上述彩色濾光片層之方法，例如有將著色糊劑塗佈於基板上並加以乾燥後，進行圖案化之方法等。作為使著色劑分散或溶解而獲得著色糊劑之方法，有使樹脂及著色劑混合於溶劑中後，於三輥混練機、砂磨機、球磨機等分散機中分散之方法等，不特別限定於該方法。
作為塗佈上述著色糊劑之方法，與黑色糊劑之情形同樣地，可良好地使用浸漬法、輥式塗佈法、旋轉塗佈法、模嘴塗佈法、藉由線棒之方法等，其後，使用烘箱或加熱板進行加熱乾燥（半固化）。半固化條件根據使用之樹脂、溶劑、糊劑塗佈量而不同，通常較佳為以60~200℃加熱1~60分鐘。
上述以此方式獲得之著色糊劑被膜於樹脂為非感光性樹脂之情形時，於其上形成光阻劑之被膜後進行曝光、顯影，又，於樹脂為感光性樹脂之情形時，直接進行曝光、顯影，或形成聚乙烯醇等隔氧膜後進行曝光、顯影。視需要去除光阻劑或隔氧膜，並且進行加熱乾燥（正式固化）。正式固化條件根據樹脂而不同，一般於自前驅物獲得聚醯亞胺系樹脂之情形時，通常於200~300℃加熱1~60分鐘。通過以上之製程，於基板上形成經圖案化之彩色濾光片。
作為形成於畫面內或基礎之上之柱材料，較佳為使用環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、明膠、酚醛清漆樹脂與二疊氮萘醌磺酸酯（naphthoquinone diazide sulfonic acid ester）之混合物等感光性或非感光性樹脂材料。於該等樹脂之中，就容易積層之方面而言，特佳為使用丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺系樹脂。感光性樹脂有負型及正型2種類，於本發明中為任何一者均可。但於每個柱之尺寸較小之情形時（100 μm2 以下），就容易形成圖案之方面而言，較佳為正型者。另一方面，就柱形成之生產性之方面而言，較佳為負型者。用負型材料對間隔件進行光微影加工時所使用之光罩之開口區域壓倒性地少於正型。因此，於生產時在光罩產生污垢時，於負型用之光罩之情形時，於開口區域產生污垢之概率變小。出於此種方面，就柱形成之生產性之方面而言，較佳為負型。作為負型材料，尤其是較佳為丙烯酸系材料。
作為上述外覆層，可列舉二新戊四醇六丙烯酸酯與二新戊四醇五丙烯酸酯之混合物（例如「ARONIX（註冊商標）M-403」、東亞合成公司製造）、丙烯酸系樹脂（例如「Optomer SS」、JSR公司製造）等。
作為上述無機絕緣層，只要光學各向異性較小，且具備所需之絕緣性即可，例如可設為氧化矽層、氮氧化矽層、氮化矽層等單層或由多個該等層之組合所得之積層構造。
包含本發明之配向賦予成分之液晶層係由液晶組成物形成，該液晶組成物含有：具備2個以上與絕緣層起相互作用之吸附部位之配向賦予化合物。具體而言，藉由對包含配向賦予化合物及1種以上之液晶化合物之組成物利用UV照射等使配向賦予化合物硬化，從而形成配向賦予成分。又，由於配向賦予化合物具備2個以上與絕緣層起相互作用之吸附部位，故而與絕緣層、電極層等基板表面之構件於多點吸附。認為若將包含上述配向賦予化合物及1種以上之液晶化合物之組成物填充於上述液晶顯示元件之電極間，則上述配向賦予化合物偏集存在於液晶層與絕緣層、電極層等基板表面之界面，藉由於該狀態下使配向賦予化合物利用UV照射等硬化，從而利用配向賦予成分被覆基板表面。因此，本發明之配向賦予成分較佳為形成為層狀。該配向賦予成分可為被覆基板上之整個面之形態，亦可為被覆基板之一部分之形態。又，具備可於多點對絕緣層固定化之吸附部位之配向賦予化合物或上述配向賦予成分較佳為對液晶分子賦予相對於基板大致垂直之方向之配向。關於上述外覆層或彩色濾光片與配向賦予化合物或配向賦予成分之組合，認為兩素材之聚合性基相同，例如與丙烯酸酯系樹脂之外覆層或彩色濾光片之吸附力較高。
以下，說明本發明之配向賦予化合物及液晶化合物。
本發明之具備2個以上之吸附部位之配向賦予化合物較佳為具有液晶原基及2個以上之吸附部位。更具體而言，較佳為如下結構：具有液晶原基及自上述液晶原基延伸之1個以上之側鏈，具有2個以上自上述液晶原基側延伸之1個以上之側鏈之分枝，且於上述側鏈中具有2個以上之吸附部位。更佳為配向賦予化合物具有與液晶分子類似之液晶原基及自上述液晶原基延伸之1個以上之直線狀或分支狀之側鏈，於該側鏈中具有2個以上之吸附部位及視需要誘導液晶分子之配向之彎曲基。
又，本發明之吸附部位係與絕緣層起相互作用之部位，該吸附部位較佳為包含可直接與吸附介質吸附之吸附基及用於聚合之聚合性基。
因此，本發明之具備2個以上之吸附部位之配向賦予化合物之特佳之形態具有液晶原基、吸附基、聚合性基及彎曲基，吸附基與聚合性基之合計數量為每1個分子2個以上。
本發明之液晶原基係指具備剛直之部分之基，例如具備1個以上環式基者，較佳為具有2~4個環式基，環式基亦可視需要經連結基連結。液晶原基較佳為與用於液晶層之液晶化合物類似之骨架。
再者，於本說明書中，「環式基」係指構成之原子鍵結為環狀之原子團，包含碳環、雜環、飽和或不飽和環式結構、單環、2環式結構、多環式結構、芳香族、非芳香族等。又，環式基可包含至少1個雜原子，進而，可經至少1個取代基（鹵素原子、反應性官能基、有機基（烷基、芳基等））取代。於環式基為單環之情形時，液晶原基較佳為包含2個以上之單環。
本說明書所謂「吸附部位之數量」係指與絕緣層起相互作用之部位之數量，具體而言，係指於自與液晶原基鍵結之側鏈中之原子至上述側鏈中之某1個末端原子之間與雜原子鍵結之1個碳原子之合計數量變為2之分子鏈所經過之分枝數、自液晶原基至側鏈中之1個前端之雜原子間之側鏈之分枝數、或自液晶原基至與雜原子鍵結之1個前端之原子間之側鏈之分枝數之任一者中最小之數。
本說明書所謂「聚合性基之數量」係指側鏈中所含之下述式（P-1）~式（P-7）所表示之任一基之數量，該等聚合性基亦顯示吸附性。本說明書所謂「吸附基之數量」係指上述吸附部位之數量減去上述聚合性基之數量所得之數量。又，若簡略描述「吸附部位」，則為聚合性基之數量與吸附基之數量之合計。若簡略描述「吸附基之數量」，則係指與液晶原基鍵結之側鏈中所含之下述通式（T）所表示之基之數量，更詳細而言，係指與液晶原基鍵結之側鏈中所含之選自由下述通式（T-1-1）~（T-7-1）所組成之群中之至少1個所表示之基之數量，更具體而言，係指側鏈之末端之-OH基、側鏈之末端之-NH2 、側鏈之末端之-CN基、側鏈之末端之環碳酸酯基或側鏈中所含之-C(=O)-(CH2 )z -C(=O)-基（z為0~3之整數）之數量之合計。
例如，以下之化合物之吸附部位之數量為4，具有包含下述式（P-1）之2個聚合性基及2個吸附基。再者，於其他吸附部位之定義中，如下述左下之側鏈部之化學式所示，於自與液晶原基鍵結之碳原子至末端原子之1個甲基之氫原子之間，與雜原子鍵結之1個碳原子之合計數量變為2所經過之分子鏈之分枝數為黑色粗線之一（與其他末端原子之一之=CH2 之氫原子成為相同之分枝）。又，由於下述左下之側鏈部有2個，故而配向賦予化合物之吸附部位存在2個以上，進而，如下述右下之側鏈部之化學式所示，於自與液晶原基鍵結之氧原子至某1個末端原子之氫原子之間，與雜原子鍵結之1個碳原子之合計數量變為2所經過之分子鏈之分枝數為黑色粗線及白色框線2個，因此若將該2個吸附部位相加，則合計變為4個。
又，例如於如下之側鏈之情形時，吸附部位為2個。
作為本發明之聚合性基，較佳為選自由以下之式（P-1）至式（P-7）所組成之群中之至少1種。
（式中，R11 、R12 、R13 、R14 及R15 分別獨立地表示甲基、氟原子或氫原子之任一者，mr5 及mr6 分別獨立地表示1或2）
本發明之吸附部位之數量之下限為2以上，較佳為3以上，更佳為4以上。本發明之吸附部位之數量之上限較佳為10以下，更佳為8以下。若吸附部位過多，則液晶組成物中之配向賦予化合物之相容性變差並析出。另一方面，若吸附部位過少，則由於對於基板或絕緣層之固定力降低，故而產生顯示不均。
本發明之吸附基之數量之下限為1以上，較佳為2以上，更佳為3以上。本發明之吸附部位之數量之上限較佳為8以下，更佳為7以下。若吸附基過多，則液晶組成物中之配向賦予化合物之相容性變差並析出。另一方面，若吸附基過少，則由於對於基板或絕緣層之固定力降低，故而產生顯示不均。
本發明之聚合性基之數量之下限為1以上，較佳為2以上，更佳為3以上。本發明之聚合性基之數量之上限較佳為8以下，更佳為6以下。若聚合性基過多，則液晶組成物中之配向賦予化合物之相容性變差並析出。另一方面，若聚合性基過少，則由於對於基板或絕緣層之固定力降低，故而產生顯示不均。
本發明之吸附基係與上述聚合性基不同之基，係指與絕緣層起相互作用之基。具體而言，本發明之吸附基係具備與基板、膜、電極等吸附介質進行吸附之作用之基。吸附通常區分為形成化學鍵（共價鍵、離子鍵或金屬鍵）而於吸附介質與吸附物質之間進行吸附之化學吸附、或除了該化學吸附以外之物理吸附，本說明書之吸附可為化學吸附或物理吸附之任一者，較佳為藉由物理吸附與吸附介質進行吸附。因此，本發明之吸附基較佳為可與吸附介質進行物理吸附之基，該吸附基更佳為藉由分子間力與吸附介質結合。作為藉由該分子間力與吸附介質結合之形態，可列舉藉由永久偶極、永久四極、分散力、電荷轉移力或氫鍵等相互作用與吸附介質結合。作為本發明之吸附基之較佳之形態，可列舉能夠藉由氫鍵與吸附介質結合之形態。於該情形時，本發明之吸附基可成為介存有氫鍵之質子之供體或受體，又，亦可為兩者。
本發明之吸附基較佳為具有碳原子與雜原子連結所成之原子團之包含極性元素之基。本說明書所謂極性元素係指碳原子與雜原子直接連結所成之原子團。作為上述雜原子，較佳為選自由N、O、S、P、B及Si所組成之群中之至少1種。
於本發明之具有2個以上吸附部位之化合物中，一分子中吸附基較佳為具有1~8個，更佳為具有1~4個，進而較佳為具有1~3個。
本發明之極性元素之種類具體而言，較佳為包含氧原子之極性元素（以下稱為含氧極性元素）、包含氮原子之極性元素（以下稱為含氮極性元素）、包含磷原子之極性元素（以下稱為含磷極性元素）、包含硼原子之極性元素（以下稱為含硼極性元素）、包含矽原子之極性元素（以下稱為含矽極性元素）或包含硫原子之極性元素（以下稱為含硫極性元素）所表示之部分構造，就吸附能力之觀點而言，更佳為含氮極性元素或含氧極性元素，進而較佳為含氧極性元素。
作為上述含氧極性元素，較佳為選自由羥基（-OH）、羥烷基（alkylol group）（-Rt -OH；Rt 為伸烷基）、烷氧基（-OR；其中，R為烷基）、甲醯基（-CHO）、羧基（-COOH）、醚基（-Rt ORt '-；其中，Rt 、Rt '為伸烷基或伸烯基（alkenylene group））、羰基（-C(=O)-）、羰氧基（-C(=O)-O-）、碳酸酯基（-O-C(=O)-O-）及酯基（-COORt '-，其中Rt '為伸烷基或伸烯基）所組成之群中之至少1種基或該基連結於碳原子而成之基。
作為上述含氮極性元素，較佳為選自由氰基（-CN）、一級胺基（-NH2 ）、二級胺基（-NH-）、三級胺基（-NRR'；其中，R、R'為烷基）、吡啶基、胺甲醯基（-CONH2 ）及脲基（-NHCONH2 ）所組成之群中之至少1種基或該基連結於碳原子而成之基。
作為上述含磷極性元素，較佳為選自由氧膦基（phosphinyl group）（-CX2 -P(=O)H2 ）及磷酸基（-CX2 -OP(=O)(OH)2 ）所組成之群中之至少1種基或該基連結於碳原子而成之基。
作為上述含硼極性元素，較佳為硼酸基（-B(OH)2 ）連結於碳原子而成之基。
作為上述含矽極性元素，較佳為-Si(OH)3 基或-Si(OR)(OR')(OR'')（其中，R、R'、R''為烷基）基連結於碳原子而成之基。
作為上述含硫極性元素，較佳為選自由巰基（-SH）、硫基（-S-）、亞磺醯基（-S(=O)-）、磺醯基（-SO2 -）、磺醯胺基（-SO2 NH2 ）、磺酸基（-SO3 H）及亞磺酸基（-S(=O)OH）所組成之群中之至少1種基或該基連結於碳原子而成之基。
因此，本發明之吸附基較佳為包含選自由環式基具備含氧極性元素之基（以下稱為含氧環式基）、環式基具備氮原子極性元素之基（以下稱為含氮環式基）、環式基具備含磷極性元素之基（以下稱為含磷環式基）、環式基具備含硼極性元素之基（以下稱為含硼環式基）、環式基具備含矽極性元素之基（以下稱為含矽環式基）、環式基具備含硫極性元素之基（以下稱為含硫環式基）、鏈式基具備含氧極性元素之基（以下稱為含氧鏈式基）、鏈式基具備氮原子極性元素之基（以下稱為含氮鏈式基）、鏈式基具備含磷極性元素之基（以下稱為含磷鏈式基）、鏈式基具備含硼極性元素之基（以下稱為含硼鏈式基）、鏈式基具備含矽極性元素之基（以下稱為含矽鏈式基）及鏈式基具備含硫極性元素之基（以下稱為含硫鏈式基）所組成之群中之1種或2種以上之基，就吸附能力之觀點而言，更佳為包含選自由含氧環式基、含硫環式基、含氧鏈式基及含氮鏈式基所組成之群中之1種或2種以上之基。
作為本發明之吸附基，較佳為以下通式（T）所表示之基。
（上述通式（T）中，Xt1 表示碳原子數1~18個之直鏈狀或分支狀之烷基、-NH2 或-Zt2 -O-Rt1 基，該烷基中之氫原子可被取代為氰基或Pal -Spal -，上述Rt1 表示氫原子、碳原子數1~5個之烷基或可與Zt1 鍵結之碳原子數1~8個之直鏈狀或分支狀之伸烷基或可與Zt 1 鍵結之碳原子數2~8個之直鏈狀或分支狀之伸烯基，上述Zt2 表示單鍵、碳原子數1~18個之直鏈狀或分支狀之伸烷基或碳原子數2~18個之直鏈狀或分支狀之伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-COO-、-C(=O)-、-OOC-，
Zt1 表示單鍵、碳原子數1~18個之直鏈狀或分支狀之伸烷基或碳原子數2~18個之直鏈狀或分支狀之伸烯基，該伸烷基之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-COO-、-C(=O)-、-OCO-，又，於Xt1 為-Zt2 -O-Rat 基且Rat 為伸烷基或伸烯基之情形時，可取代Zt1 之氫原子而與Rt1 鍵結，
-Wt2 -Any表示單鍵或二價~四價之有機基，
-Wt1 -表示單鍵或直鏈狀或分支狀之伸烷基，該伸烷基之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-COO-、-C(=O)-、-OCO-，
nt1 表示0以上且4以下之整數，
mt1 表示1以上且3以下之整數，分子內之氫原子可被取代為Pal -Spal -，*表示鍵結鍵，與液晶原基、Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
於上述通式（T）中，Pal -Spal -係包含聚合性基之基，Pal 表示選自由上述式（P-1）至式（P-7）所組成之群中之至少1種，Spal 表示間隔基。間隔基表示碳原子數1~18個之直鏈狀或分支狀之伸烷基或單鍵，該伸烷基之-CH2-可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-COO-、-C(=O)-、-OCO-、-C=C-。
於上述通式（T）中，包含Xt1 不與Zt1 鍵結之形態（鏈式基）、及Xt1 與Zt1 鍵結而形成環之形態（環式基）。
上述通式（T）較佳為選自由以下通式（T-1-1）~（T-7-1）所組成之群中之至少1種，更佳為選自由以下通式（T-1-1）、（T-2-1）、（T-5-1）、（T-6-1）及（T-7-1）所組成之群中之至少1種，更佳為選自由以下通式（T-1-1）、（T-2-1）、（T-5-1）及（T-6-1）所組成之群中之至少1種。
（上述通式（T-1-1）~（T-7-1）中，Xa 及Xb 分別獨立地表示-O-、-S-或CH2 -，
Rt5 表示碳原子數1~8個之直鏈狀或分支狀之烷基、氰化烷基或碳原子數1~8個之直鏈狀或分支狀之烷氧基，該等烷基中之至少2個以上之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-，
Zt3 表示單鍵、碳原子數1~18個之直鏈狀或分支狀之伸烷基或碳原子數2~18個之直鏈狀或分支狀之伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-COO-、-C(=O)-、-OCO-，
-Wt2 -Any表示單鍵或一價~四價之有機基，
-Wt1 -表示單鍵或直鏈狀或分支狀之伸烷基，
nt1表示0以上且4以下之整數，
mt1表示1以上且3以下之整數，分子內之氫原子可被取代為上述聚合性基Pal -Spal -，*表示鍵結鍵，與液晶原基、Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
於上述通式（T-1-1）~（T-4-1）中，較佳為Xa 或Xb 之任一者為-O-，更佳為Xa 及Xb 為-O-。
作為上述通式（T-1-1）~（T-4-1）之具體例，可列舉以下之基。
（上述式中，Rc 由氫原子、碳原子數1~7個之烷基或聚合性基Pal -Spal -表示，分子內之氫原子可被取代為上述Pal -Spal -，*表示鍵結鍵，與液晶原基、Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
上述通式（T-5-1）較佳為表示通式（T-5-2）。
（上述通式（T-5-2）中，Wt1 表示與上述通式（T-5）中之Wt1 相同之含義，Rt51 及Rt52 分別獨立地表示碳原子數1~8個之直鏈狀或分支狀之烷基或氰化烷基，該等烷基中之至少2個以上之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、或-NH-取代，Rc 由氫原子、碳原子數1~7個之烷基或聚合性基Pal -Spal -表示，nt1 、nt2 及nt3 分別獨立地表示0或1，分子內之氫原子可被取代為Pal -Spal -）
作為上述通式（T-5-1）之具體例，可列舉以下之基。
（上述式中，Rc 由氫原子、碳原子數1~7個之烷基或聚合性基Pal -Spal -表示，分子內之氫原子可被取代為上述聚合性基Pal -Spal -）（*表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
作為上述通式（T-6-1）之具體例，可列舉以下之例。
（上述式中，Rc 由氫原子、碳原子數1~7個之烷基或聚合性基Pal -Spal -表示，分子內之氫原子可被取代為上述Pal -Spal -，*表示鍵結鍵，與液晶原基、Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
作為上述通式（T-7-1）之具體例，可列舉以下之例。
（上述式中，Rc 由氫原子、碳原子數1~7個之烷基或聚合性基Pal -Spal -表示，分子內之氫原子可被取代為上述Pal -Spal -）（*表示鍵結鍵，與液晶原基、Pal -Spal -、彎曲基或間隔基鍵結）
於本發明之配向賦予化合物中，較佳為將吸附基中所含之極性元素或聚合性基中所含之極性部分定域化之形態。吸附基係用於使液晶組成物垂直配向重要之結構，藉由使吸附基與聚合性基鄰接而獲得更加良好之配向性，又，顯示對液晶組成物之良好之溶解性。具體而言，較佳為於液晶原基之同一環上具有聚合性基及吸附基之形態。於該情形時，包含1個以上之聚合性基及1個以上之吸附基直接或經由間隔基分別鍵結於同一環上之形態、及1個以上之聚合性基之至少一者或1個以上之吸附基之至少一個者中一方鍵結於另一方而於同一環上具有聚合性基及吸附基之形態。
又，於本發明之配向賦予化合物中，Pal -Spal -之1個以上之氫原子可被取代為吸附基。作為該情形之較佳之形態，可列舉Pal 或視需要連結於該聚合性基之Spal 之1個以上之氫原子被取代為吸附基之形態，作為更佳之形態，可列舉Pal -Spal -中之1個以上之氫原子被取代為上述通式（T）所表示之吸附基之形態。
例如，作為吸附基與聚合性基連結之較佳之形態，可列舉以下之式（T-1-1.1）、（T-6-1.1）或（T-5-1.1）。
（上述式中，Rt11a 、Rt16a 及Rt151a 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~3之烷基，Rt151b 及Rt151c 分別獨立地表示碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之氰化烷基，
Xa 及Xb 表示-O-、-S-或-CH2 -，
Lt151a 及Lt151b 分別獨立地表示亞甲基、伸乙基、伸丙基、亞乙烯基、伸乙烯基、異伸丙烯基或亞乙基，
nt11c 、nt151c 、nt16c 、nt151d 、nt151e 、nt151f 及nt151g 分別獨立地表示0或1，nt11a 、nt11b 、nt16a 、nt16b 、nt151a 及nt151b 分別獨立地表示1~11之整數，*表示對液晶原基之鍵結鍵）
於上述式（T-1-1.1）中，較佳為Xa 或Xb 之任一者為-O-，更佳為Xa 及Xb 為-O-。
於上述式（T-5-1.1）中，Lt151a 及Lt151b 分別獨立地較佳為亞甲基、伸乙基、亞乙烯基、伸乙烯基、異伸丙烯基或亞乙基。
於上述式（T-1-1.1）、（T-6-1.1）及（T-5-1.1）中，
nt11a 、nt11b 、nt16a 、nt16b 、nt151a 及nt151b 分別獨立地較佳為1~8之整數，更佳為1~5之整數。
「彎曲基」
本發明之彎曲基具有誘導液晶分子之配向之功能，較佳為表示直鏈狀或分支狀之碳原子數1~20之伸烷基，更佳為表示直鏈狀之碳原子數1~20之伸烷基，更佳為表示直鏈狀之碳原子數2~15之伸烷基。又，該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-。
就配向賦予化合物對液晶層具備所謂兩親媒性之觀點而言，上述彎曲基較佳為鍵結於液晶原基。
於本發明之配向賦予化合物中，上述彎曲基較佳為具有1~6個，更佳為具有1~4個，進而較佳為具有1~3個。
於上述配向賦予化合物中，不易與液晶層溶合之吸附基或聚合性基等極性部、及容易與液晶層溶合之液晶原基或彎曲基等非極性部較佳為於分子內偏集存在，即較佳為所謂對液晶層顯示兩親媒性。因此，本發明之配向賦予化合物較佳為於液晶原基之一個端部具有使液晶分子配向之彎曲基，於液晶原基之另一個端部具有聚合性基及吸附基之結構。由於液晶層與基板之界面附近界面自由能變高，故而認為藉由使一分子內具有對液晶層有親和性之非極性部、及對液晶層親和性較低之極性部之物質排列於界面上而使界面自由能降低。
本發明之液晶組成物中之配向賦予化合物之含量之下限較佳為0.02質量%，較佳為0.03質量%，較佳為0.04質量%，較佳為0.05質量%，較佳為0.06質量%，較佳為0.07質量%，較佳為0.08質量%，較佳為0.09質量%，較佳為0.1質量%，較佳為0.12質量%，較佳為0.15質量%，較佳為0.17質量%，較佳為0.2質量%，較佳為0.22質量%，較佳為0.25質量%，較佳為0.27質量%，較佳為0.3質量%，較佳為0.32質量%，較佳為0.35質量%，較佳為0.37質量%，較佳為0.4質量%，較佳為0.42質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.55質量%。本發明之液晶組成物中之通式（I）所表示之聚合性化合物之含量之上限較佳為2.5質量%，較佳為2.3質量%，較佳為2.1質量%，較佳為2質量%，較佳為1.8質量%，較佳為1.6質量%，較佳為1.5質量%，較佳為1質量%，較佳為0.95質量%，較佳為0.9質量%，較佳為0.85質量%，較佳為0.8質量%，較佳為0.75質量%，較佳為0.7質量%，較佳為0.65質量%，較佳為0.6質量%，較佳為0.55質量%，較佳為0.5質量%，較佳為0.45質量%，較佳為0.4質量%。
本發明之配向賦予化合物之特佳之具體例係以下通式（al-1-1）所表示之化合物。
（上述通式（al-1-1）中，Ral3 表示碳原子數1~12之直鏈狀之烷基，於該烷基中，1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-或-CH=CH-，
Lal5 、Lal6 、Lal7 及Lal8 分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~12個之烷基、鹵素原子或上述Pal -Spal -，於該烷基中，1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-或-CH=CH-，
環Aal3 表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，
Rala 或Ralb 分別獨立地表示氫原子或上述Pal -Spal -，Rala 或Ralb 之至少一者表示上述Pal -Spal -，
Zal3 表示單鍵、-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-或O-CH2 -，
Ral4 表示上述通式（T）所表示之吸附基，
pal3 及pal4 分別獨立地表示0或1）
於上述通式（al-1-1）中，較佳為Lal7 及Lal8 之一者表示碳原子數1~5個之烷基。
於上述通式（al-1-1）中，Rala 及Ralb 較佳為表示Pal -Spal -。
於上述通式（al-1-1）中，Ral4 較佳為上述通式（T-1-1）~（T-7-1）或式（T-1-1.1）、（T-6-1.1）或（T-5-1.1）。
本發明之液晶組成物包含非聚合性液晶化合物，該非聚合性液晶化合物較佳為含有1種或2種以上介電大致中性之化合物（∆ε之值為-2~2）之通式（L）所表示之化合物作為第1成分。
上述通式（L）所表示之化合物如下：
（式中，RL1 及RL2 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可分別獨立地藉由-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
nL1 表示0、1、2或3，
AL1 、AL2 及AL3 分別獨立地表示選自由
（a）1,4-伸環己基（存在於該基中之1個-CH2 -或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-）
（b）1,4-伸苯基（存在於該基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）及
（c）萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基或十氫化萘-2,6-二基（存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）
所組成之群中之基，上述基（a）、基（b）及基（c）可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，
ZL1 及ZL2 分別獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-OCF2 -、-CF2 O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，
於nL1 為2或3而存在多個AL2 之情形時，該等可相同，亦可不同，於nL1 為2或3而存在多個ZL2 之情形時，該等可相同，亦可不同）
上述通式（L）所表示之化合物較佳為以下式（L-1）~（L-13）所表示之化合物。
（式中，RL1 及RL2 分別獨立地表示與通式（L）相同之含義，AL1 及AL7 分別獨立地表示與通式（L）相同之含義，AL 1 及AL2 上之氫原子可分別獨立地被氟原子取代，ZL1 表示與通式（L）中之ZL2 相同之含義，XL1 及XL2 分別獨立地表示氟原子或氫原子）
本發明之液晶組成物包含非聚合性液晶化合物，該非聚合性液晶化合物較佳為含有1種或2種以上介電為正之化合物（∆ε大於2）之通式（J）所表示之化合物及/或介電為負之化合物（∆ε之符號為負，其絕對值大於2）之通式（N-1）~（N~3）所表示之化合物作為第2成分。
上述介電為正之化合物（∆ε大於2）之通式（J）所表示之化合物如下。
（式中，RJ1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，
nJ1 表示0、1、2、3或4，
AJ1 、AJ2 及AJ3 分別獨立地表示選自由
（a）1,4-伸環己基（存在於該基中之1個-CH2 -或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-）
（b）1,4-伸苯基（存在於該基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）及
（c）萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基或十氫化萘-2,6-二基（存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）
所組成之群中之基，上述基（a）、基（b）及基（c）可分別獨立地經氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代，
ZJ1 及ZJ2 分別獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，
於nJ1 為2、3或4而存在多個AJ2 之情形時，該等可相同，亦可不同，於nJ1 為2、3或4而存在多個ZJ1 之情形時，該等可相同，亦可不同，
XJ 1 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基）
選自由上述介電為負之化合物（∆ε之符號為負，其絕對值大於2）之通式（N-1）~（N-3）所表示之化合物所組成之群中之1種或2種以上如下。
（上述式中，RN11 、RN12 、RN21 、RN22 、RN31 及RN32 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2 -可分別獨立地藉由-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
AN11 、AN12 、AN21 、AN22 、AN31 及AN32 分別獨立地表示選自由
（a）1,4-伸環己基（存在於該基中之1個-CH2 -或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-）
（b）1,4-伸苯基（存在於該基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）
（c）萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基或十氫化萘-2,6-二基（存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）及
（d）1,4-伸環己烯基
所組成之群中之基，上述基（a）、基（b）、基（c）及基（d）可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，
ZN11 、ZN12 、ZN21 、ZN22 、ZN31 及ZN32 分別獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-OCF2 -、-CF2 O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，
XN21 表示氫原子或氟原子，
TN31 表示-CH2 -或氧原子，
nN11 、nN12 、nN21 、nN22 、nN31 及nN32 分別獨立地表示0~3之整數，於nN11 +nN12 、nN21 +nN22 及nN31 +nN32 分別獨立地為1、2或3而存在多個AN11 ~AN32 、ZN11 ~ZN32 之情形時，該等可相同，亦可不同）
本發明之液晶組成物含有包含吸附部位之化合物，可進而視需要進而含有聚合性化合物。作為該聚合性化合物，表示通式（II）：
（式中，R201 、R202 、R203 、R204 、R205 、R206 、R207 、R208 、R209 及R210 分別獨立地表示P21 -S21 -、可經氟原子取代之碳原子數1至18之烷基、可經氟原子取代之碳原子數1至18之烷氧基、氟原子或氫原子之任一者，P21 表示上述聚合性基之式（P-1）至式（P-7）之任一者，
S21 表示單鍵或碳數1~15之伸烷基，該伸烷基中之1個或2個以上之-CH2 -可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-OCO-或-COO-，
n21 表示0、1或2，
A21 表示選自由
（a）1,4-伸環己基（存在於該基中之1個-CH2 -或不鄰接之2個以上之-CH2 -可被取代為-O-）
（b）1,4-伸苯基（存在於該基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）及
（c）萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基或十氫化萘-2,6-二基（存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基中之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=）
所組成之群中之基，上述基（a）、基（b）及基（c）可分別獨立地經碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之烷氧基、鹵素、氰基、硝基或P21 -S21 -取代，
上述通式（II）之1分子內具有至少1個以上之P21 -S21 -，
L21 表示單鍵、-OCH2 -、-CH2 O-、-C2 H4 -、-OC2 H4 O-、-COO-、-OCO-、-CH=CRa -COO-、-CH=CRa -OCO-、-COO-CRa =CH-、-OCO-CRa =CH-、-(CH2 )z -COO-、-(CH2 )z -OCO-、-OCO-(CH2 )z -、-COO-(CH2 )z -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -或-C≡C-（式中，Ra 分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~3之烷基，上述式中，z分別獨立地表示1~4之整數）。
於本發明之液晶顯示元件中，由含有配向賦予化合物之液晶組成物形成包含配向賦予成分之液晶層之方法較佳為使必須成分之配向賦予化合物與視需要所包含之聚合性化合物聚合，作為使該必須成分之配向賦予化合物與視需要所包含之聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶之良好之配向性能，較佳為適度之聚合速度，因此較佳為藉由將紫外線或電子束等活性能量線單獨使用或併用或按順序照射而進行聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於以使液晶組成物夾持於2塊基板間之狀態進行聚合之情形時，至少照射面側之基板必須對活性能量線賦予適當之透明性。又，可使用以下手段：光照射時使用遮罩僅使特定之部分聚合後，藉由改變電場或磁場或溫度等條件而使未聚合部分之配向狀態改變，進而照射活性能量線使之聚合。特別是進行紫外線曝光時，較佳為一面對液晶組成物施加交流電場，一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10 Hz至10 kHz之交流，更佳為頻率60 Hz至10 kHz，電壓係取決於液晶顯示元件所需之預傾角進行選擇。即，可藉由施加之電壓控制液晶顯示元件之預傾角。於PSVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度至89.9度。
使本發明之液晶組成物中所含之配向賦予化合物或聚合性化合物聚合時所使用之紫外線或電子束等活性能量線之照射時之溫度無特別制限。例如，於對具備具有配向膜之基板之液晶顯示元件應用本發明之液晶組成物之情形時，較佳為上述液晶組成物之液晶狀態為保持之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度即典型而言於15~35℃進行聚合。
另一方面，例如，於對具備不具有配向膜之基板之液晶顯示元件應用本發明之液晶組成物之情形時，可為大於上述具備具有配向膜之基板之液晶顯示元件所應用之照射時之溫度範圍的溫度範圍。
作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳為照射不為液晶組成物之吸收波長域之波長區域之紫外線，較佳為視需要遮蔽紫外線使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1 mW/cm2 ~100 W/cm2 ，進而較佳為2 mW/cm2 ~50 W/cm2 。照射之紫外線之能量可適當調整，較佳為10 mJ/cm2 至500 J/cm2 ，進而較佳為100 mJ/cm2 至200 J/cm2 。照射紫外線時，可改變強度。照射紫外線之時間根據照射之紫外線強度而適當選擇，較佳為10秒至3600秒，進而較佳為10秒至600秒。
實施例
以下列舉實施例，進而詳述本發明，但本發明並不限定於該等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中之「%」意指「質量%」。於實施例中，關於化合物之記載，使用以下之縮寫。
圖8係表示一分子中所含之吸附基及聚合性基之合計數量即吸附部位之數量與配向度之關係之曲線圖。又，圖8中之配向度係如下實驗結果：將特定量之包含配向賦予化合物之液晶組成物B~E滴加於ITO電極基板上，於真空下與最表面經有機絕緣膜（Optomer SS（丙烯酸樹脂）JSR公司製造）塗佈之對向基板貼合，並密封硬化（僅對密封部照射UV且以120度退火1小時）後，於正交偏光條件下於偏光板中夾持液晶單元，確認自液晶部分之光之穿透程度（亮度不均），對結果按以下之3個等級之基準對液晶配向進行優劣判定。
不充分：單元面內之大致整個面未變黑。
稍有不足：僅滴加有液晶之附近變黑。
相當好：單元面內之大致整個面顯示為黑色。
若具體表示上述3個等級之基準，則圖8中配向度「相當良好」相當於圖9C或圖9D，未確認到自液晶單元之整個面之光之穿透。圖8中之配向度「稍有不足」相當於圖9B，確認到自液晶單元之緣部之少許光之穿透。圖8中之配向度「不充分」相當於圖9A，由於液晶未成為垂直配向而成為接近水平配向之形態，故而產生漏光。
準備一分子中所含之吸附基及聚合性基之合計數量為1至4個之化合物（b）~化合物（e），於對各者混合相同之液晶組成物之情形時，根據圖8，若一分子中所含之吸附基及聚合性基之合計數量為1個，則配向度不充分，但若一分子中所含之吸附基及聚合性基之合計數量為3以上，則獲得顯示不均較少而配向度良好之結果。將該結果示於圖9。
圖9係表示填充有包含配向賦予化合物之液晶組成物B~E之液晶單元之配向度的照片。如圖9A~圖9D所示，若為使用吸附部位為1個之化合物（b）之液晶顯示元件，則確認到產生漏光，液晶分子未垂直配向。另一方面，若為使用吸附部位為3個以上之化合物（c）、（d）之液晶顯示元件，則未確認到自液晶單元之整個面之光之穿透。又，於吸附部位為4個之情形時，為雖有若干光之穿透但作為整體光之穿透率較低之結果。
根據上述結果可知，若吸附部位之數量為1個，則誘導液晶配向之配向賦予化合物對基板界面之吸附程度較弱，無法獲得充分之垂直配向性。但認為藉由吸附部位之數量增加為2、3、4個，誘導液晶配向之配向賦予化合物對基板界面之吸附程度變強，從而獲得充分之垂直配向性。
再者，包含配向賦予化合物之液晶組成物B~E之製作方法如下。
製備混合顯示負之介電常數各向異性之化合物與顯示中性之介電常數各向異性之化合物所得之基準液晶組成物A。於20℃之各物性值為介電常數各向異性（∆ε）：-3.0、折射率各向異性（∆n）：0.112、向列相上限溫度（Tni）：77℃、旋轉黏度（γ1）：110 mPa/s。
其次，相對於基準液晶組成物A100質量份，添加以下式（a）所表示之聚合性化合物0.3質量份後，製備分別添加有1.0質量份作為一分子中所含之吸附部位之數量（吸附基及聚合性基之合計數量）為1~4之化合物之以下化合物（b）、化合物（c）、化合物（d）及化合物（e）的液晶組成物B~液晶組成物E，測定各組成物之物性值。將化合物（b）、化合物（c）、化合物（d）及化合物（e）之各個化學結構、吸附部位（吸附基及聚合性基之合計）及其數量示於下。
又，對上述製作之填充有包含配向賦予化合物之液晶組成物B~E之液晶單元之各個以於頻率100 Hz施加10 V電壓之狀態使用高壓水銀燈，經由截止325 nm以下之紫外線之濾光器照射紫外線。此時，以於中心波長365 nm之條件下所測定之照度成為100 mW/cm2 之方式進行調整，照射累計光量30 J/cm2 之紫外線。藉此，藉由使配向賦予化合物及聚合性化合物硬化而製作液晶層中形成有配向賦予成分之液晶顯示元件。其結果確認，該液晶顯示元件之配向度於硬化前後無變化。
1‧‧‧第1偏光層
2‧‧‧第1基板
3‧‧‧電極層
3'‧‧‧電極層
4‧‧‧配向賦予成分
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧彩色濾光片
7‧‧‧第2基板
8‧‧‧第2偏光層
10‧‧‧液晶顯示元件
20‧‧‧薄膜電晶體
21‧‧‧像素電極
22‧‧‧共通電極
24‧‧‧汲極電極
25‧‧‧源極總線
26‧‧‧閘極總線
27‧‧‧源極電極
28‧‧‧閘極電極
30‧‧‧絕緣層
71‧‧‧玻璃基板
72‧‧‧ITO
73‧‧‧像素電極
74‧‧‧薄膜電晶體配線
75‧‧‧液晶層
76‧‧‧彩色濾光片
77‧‧‧無機絕緣膜
77'‧‧‧有機絕緣膜
78‧‧‧黑色矩陣（BM）層
102‧‧‧基板
111‧‧‧閘極電極
112‧‧‧閘極絕緣層
113‧‧‧半導體層
116‧‧‧汲極電極
117‧‧‧源極電極
118‧‧‧絕緣保護層
512a‧‧‧像素主幹部電極
512b‧‧‧像素分枝部電極
512c‧‧‧狹縫部
513‧‧‧薄膜電晶體
d‧‧‧寬度
圖1係示意性地表示垂直電場型液晶顯示元件之構成之圖。
圖2係放大了圖1中之形成於基板上之包含薄膜電晶體之電極層3的由II線所包圍之區域之俯視圖。
圖3係圖2之包含薄膜電晶體之電極層3之變化例。
圖4係沿圖2中之III-III線方向切割圖1所示之液晶顯示元件之剖視圖。
圖5係放大圖4中之由IV線所包圍之區域之薄膜電晶體之剖視圖。
圖6係表示圖4之變化例之剖視圖。
圖7表示本發明之較佳之垂直電場型液晶顯示元件之剖視圖。
圖8係表示本實施例之實驗資料之圖。
圖9係表示本實施例之實驗結果之圖像。

Claims (9)

  1. 一種液晶顯示元件，其具有： 第1基板及第2基板，上述第2基板與上述第1基板對向設置； 第1絕緣層及第1電極層，其等設置於上述第1基板上；及 液晶層，其設置於上述第1基板與上述第2基板之間，且含有對液晶分子賦予配向之配向賦予成分；且 上述液晶層係由液晶組成物形成，該液晶組成物含有：具備2個以上與上述第1絕緣層起相互作用之吸附部位之配向賦予化合物。
  2. 如請求項1所述之液晶顯示元件，其中，上述絕緣層係有機絕緣層或無機絕緣層。
  3. 如請求項1或2所述之液晶顯示元件，其中，於上述第2基板上具有第2有機層及第2電極層。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之液晶顯示元件，其具有吸附基與聚合性基作為上述吸附部位，且上述吸附基之數量與上述聚合性基之數量之合計為2以上。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之液晶顯示元件，其中，上述液晶層中之上述配向賦予成分被覆上述第1基板表面。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之液晶顯示元件，其中，上述第1電極層具有魚骨型之像素電極。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之液晶顯示元件，其中，上述配向賦予化合物具有2~5個環式基連結而成之液晶原基，且上述吸附部位連結於上述液晶原基之長軸方向之一端之1個上述環式基。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之液晶顯示元件，其中，上述第1絕緣層為有機絕緣層，且該有機絕緣層與上述配向賦予成分抵接。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之液晶顯示元件，其中，上述配向賦予化合物及上述配向賦予成分對上述液晶層中之液晶分子賦予相對於上述第1基板或上述第2基板大致垂直之方向之配向。
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