TW201929317A - 行動裝置 - Google Patents

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Abstract

一種行動裝置，包括：一接地元件、一金屬邊框、一饋入連接部、一第一輻射部、一第二輻射部、一電容元件、一第一短路部、一第二短路部，以及一第三短路部。第一輻射部係耦接至饋入連接部。第二輻射部包括一第一部份和一第二部份，其中饋入連接部係經由第二輻射部耦接至金屬邊框。電容元件係耦接於第二輻射部之第一部份和第二部份之間。第一短路部、第二短路部，以及第三短路部皆耦接於金屬邊框和接地元件之間。接地元件、金屬邊框、饋入連接部、第一輻射部、第二輻射部、電容元件、第一短路部，以及第二短路部共同形成一天線結構。

Description

行動裝置
本發明係關於一種行動裝置，特別係關於一種行動裝置及其天線結構。
隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
為了追求造型美觀，現今設計者常會在行動裝置中加入金屬元件之要素。然而，新增之金屬元件卻容易對於行動裝置中支援無線通訊之天線產生負面影響，進而降低行動裝置之整體通訊品質。因此，有必要提出一種全新之行動裝置和天線結構，以克服傳統技術所面臨之問題。
在較佳實施例中，本發明提供一種行動裝置，包 括：一接地元件；一金屬邊框；一饋入連接部，耦接至一正饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入連接部；一第二輻射部，包括一第一部份和一第二部份，其中該饋入連接部係經由該第二輻射部耦接至該金屬邊框上之一第一連接點；一電容元件，耦接於該第一部份和該第二部份之間；一第一短路部，其中該金屬邊框上之一第二連接點係經由該第一短路部耦接至該接地元件上之一第一接地點；一第二短路部，其中該金屬邊框上之一第三連接點係經由該第二短路部耦接至該接地元件上之一第二接地點；以及一第三短路部，其中該金屬邊框上之一第四連接點係經由該第三短路部耦接至該接地元件上之一第三接地點；其中該接地元件、該金屬邊框、該饋入連接部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電容元件、該第一短路部，以及該第二短路部共同形成一天線結構；其中一信號源之一正極係耦接至該正饋入點，而該信號源之一負極係耦接至該接地元件上之一負饋入點，以激發該天線結構。
在一些實施例中，該金屬邊框係至少部份地呈現一L字形。
在一些實施例中，該第一輻射部係呈現一直條形。
在一些實施例中，該第二輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一寄生部，耦接至該接地元件上之一第四接地點，其中該寄生部係鄰近於該第一輻射部。
在一些實施例中，該寄生部係呈現一L字形。
在一些實施例中，該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶，該第一頻帶為1575MHz，該第二頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，而該第三頻帶係介於5100MHz至5850MHz之間。
在一些實施例中，該饋入連接部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電容元件、該金屬邊框，以及該第二短路部共同形成一倒F字形共振路徑，其中該倒F字形共振路徑係激發產生該第一頻帶。
在一些實施例中，該饋入連接部、該第二輻射部、該金屬邊框、該第一短路部，以及該接地元件共同形成一第一迴圈共振路徑，其中該第一迴圈共振路徑係激發產生該第二頻帶。
在一些實施例中，該饋入連接部、該第二輻射部、該金屬邊框、該第二短路部，以及該接地元件共同形成一第二迴圈共振路徑，其中該第二迴圈共振路徑係激發產生該第三頻帶。
100‧‧‧行動裝置
110‧‧‧接地元件
111‧‧‧接地元件之第一邊緣
112‧‧‧接地元件之第二邊緣
120‧‧‧金屬邊框
130‧‧‧饋入連接部
131‧‧‧饋入連接部之第一端
132‧‧‧饋入連接部之第二端
140‧‧‧第一輻射部
141‧‧‧第一輻射部之第一端
142‧‧‧第一輻射部之第二端
145‧‧‧第一輻射部之矩形增寬部份
150‧‧‧第二輻射部
151‧‧‧第二輻射部之第一端
152‧‧‧第二輻射部之第二端
155‧‧‧第二輻射部之第一部份
156‧‧‧第二輻射部之第二部份
157‧‧‧電容元件
160‧‧‧第一短路部
161‧‧‧第一短路部之第一端
162‧‧‧第一短路部之第二端
170‧‧‧第二短路部
171‧‧‧第二短路部之第一端
172‧‧‧第二短路部之第二端
180‧‧‧第三短路部
181‧‧‧第三短路部之第一端
182‧‧‧第三短路部之第二端
190‧‧‧寄生部
191‧‧‧寄生部之第一端
192‧‧‧寄生部之第二端
199‧‧‧信號源
410‧‧‧倒F字形共振路徑
420‧‧‧第一迴圈共振路徑
430‧‧‧第一迴圈共振路徑
CP1‧‧‧第一連接點
CP2‧‧‧第二連接點
CP3‧‧‧第三連接點
CP4‧‧‧第四連接點
FB1‧‧‧第一頻帶
FB2‧‧‧第二頻帶
FB3‧‧‧第三頻帶
FP‧‧‧正饋入點
FN‧‧‧負饋入點
GP1‧‧‧第一接地點
GP2‧‧‧第二接地點
GP3‧‧‧第三接地點
GP4‧‧‧第四接地點
GPN‧‧‧接地點
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之部份俯視圖。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之完整俯視圖。
第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構之電壓駐波比圖。
第3B圖係顯示沒有電容元件之行動裝置之天線結構之電壓駐波比圖。
第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構操作於第一頻帶時之共振電流圖。
第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構操作於第二頻帶時之共振電流圖。
第4C圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之天線結構操作於第三頻帶時之共振電流圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地 電性連接至該第二裝置。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之部份俯視圖。行動裝置100可以是一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中，行動裝置100至少包括：一接地元件(Ground Element)110、一金屬邊框(Metal Frame)120、一饋入連接部(Feeding Connection Element)130、一第一輻射部(Radiation Element)140、一第二輻射部150、一電容元件(Capacitive Element)157、一第一短路部(Shorting Element)160、一第二短路部170，以及一第三短路部180。必須理解的是，雖然未顯示於第1圖中，但實際上行動裝置100更可包括其他元件，例如：一處理器(Processor)、一觸控面板(Touch Control Panel)、一揚聲器(Speaker)、一電池模組(Battery Module)，以及一外殼(Housing)。
接地元件110、饋入連接部130、第一輻射部140、第二輻射部150、第一短路部160、第二短路部170，以及第三短路部180皆可用金屬材質製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。接地元件110可為尺寸相對較大之一金屬平面，並可用於提供一接地電位(Ground Voltage)。在一些實施例中，行動裝置100更包括一介質基板(Dielectric Substrate)，例如：一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)或是一FR4(Flame Retardant 4)基板。接地元件110、饋入連接部130、第一輻射部140、第二輻射部150、電容元件157、第一短路部160、第二短路部170，以及第三短路部180其中之任意一或複數者皆可設置 於此介質基板上(未顯示)。在較佳實施例中，接地元件110、金屬邊框120、饋入連接部130、第一輻射部140、第二輻射部150、電容元件157、第一短路部160，以及第二短路部170係共同形成一天線結構(Antenna Structure)。
饋入連接部130可大致呈現一直條形。饋入連接部130具有一第一端131和一第二端132，其中饋入連接部130之第一端131係耦接至一正饋入點(Positive Feeding Point)FP。行動裝置100更可包括一信號源(Signal Source)199，其可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組。信號源199之一正極可耦接至正饋入點FP，而信號源199之一負極可耦接至接地元件110上之一負饋入點(Negative Feeding Point)FN，以激發前述之天線結構。在其他實施例中，前述之正饋入點FP和負饋入點FN之位置亦可對調，而不致影響本發明之效果。
第一輻射部140可以大致呈現一直條形，其中第一輻射部140可大致垂直於饋入連接部130。第一輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中第一輻射部140之第一端141係耦接至饋入連接部130之第二端132，而第一輻射部140之第二端142為一開路端(Open End)。在一些實施例中，第一輻射部140更包括一矩形增寬部份145，其係大致位於第一輻射部140之第二端142處。矩形增寬部份145之寬度係大於第一輻射部140之其餘部份之寬度，其中矩形增寬部份145可用於微調前述天線結構之低頻共振頻率點。必須注意的是，矩形增寬部份145僅為一選用元件(Optional Element)，在其他實施例中亦可移除之(亦即，第一輻射部140尚可改為一等寬結構)。
第二輻射部150可以大致呈現一L字形。饋入連接部130係經由第二輻射部150耦接至金屬邊框120上之一第一連接點(Connection Point)CP1。第二輻射部150具有一第一端151和一第二端152，其中第二輻射部150之第一端151係耦接至饋入連接部130之第二端132，而第二輻射部150之第二端152係耦接至第一連接點CP1。詳細而言，第二輻射部150包括一第一部份155和一第二部份156，其中第一部份155可大致垂直於饋入連接部130，而第二部份156可大致平行於饋入連接部130。饋入連接部130、第一輻射部140，以及第二輻射部150之第一部份155三者可共同大致形成一T字形饋入連接結構。電容元件157可為一般電容器、一晶片電容器(Chip Capacitor)，或是一可變電容器(Variable Capacitor)，其中電容元件157係串聯耦接於第二輻射部150之第一部份155和第二部份156之間。電容元件157之存在可使得前述之天線結構產生額外之共振模態(Resonant Mode)，從而可增加天線結構之操作頻寬(Bandwidth)。第二輻射部150之長度(亦即，第一部份155和第二部份156之長度總和)可小於第一輻射部140之長度。例如，第一輻射部140之長度可為第二輻射部150之長度之2至4倍，但不僅限於此。在另一些實施例中，若電容元件157為一可變電容器，則天線結構之操作頻帶即為可調整的(Adjustable)。
第一短路部160可大致呈現一直條形。金屬邊框120上之一第二連接點CP2係經由第一短路部160耦接至接地元件110上之一第一接地點(Grounding Point)GP1。第一短路部160具有一第一端161和一第二端162，其中第一短路部160之第一 端161係耦接至第一接地點GP1，而第一短路部160之第二端162係耦接至第二連接點CP2。
第二短路部170可大致呈現一直條形。金屬邊框120上之一第三連接點CP3係經由第二短路部170耦接至接地元件110上之一第二接地點GP2。第二短路部170具有一第一端171和一第二端172，其中第二短路部170之第一端171係耦接至第二接地點GP2，而第二短路部170之第二端172係耦接至第三連接點CP3。第二短路部170之長度可大於第一短路部160之長度。例如，第二短路部170之長度可為第一短路部160之長度之4至6倍，但不僅限於此。
第三短路部180可大致呈現一直條形。金屬邊框120上之一第四連接點CP4係經由第三短路部180耦接至接地元件110上之一第三接地點GP3。第三短路部180具有一第一端181和一第二端182，其中第三短路部180之第一端181係耦接至第三接地點GP3，而第三短路部180之第二端182係耦接至第四連接點CP4。第三短路部180之長度可小於第二輻射部170之長度。例如，第二短路部170之長度可為第三短路部180之長度之4至6倍，但不僅限於此。
在一些實施例中，第一短路部160、第二短路部170，以及第三短路部180其中之一或複數者可用一或複數個立體連接元件來取代。此種立體連接元件可不必設置於介質基板上。例如，每一立體連接元件可為一金屬頂針(Metal Pogo Pin)、一金屬彈片(Metal Spring)，或是一金屬螺絲(Metal Screw)。
金屬邊框120可至少部份地呈現一L字形，其可作 為行動裝置100之一外觀裝飾元件。所謂外觀裝飾元件係指覆蓋於行動裝置100上，使用者可用眼睛直接觀察到之元件。在金屬邊框120上，第一連接點CP1係大致介於第二連接點CP2和第三連接點CP3之間，而第二連接點CP2係大致介於第一連接點CP1和第四連接點CP4之間。由第一連接點CP1至第二連接點CP2之長度可大於由第一連接點CP1至第三連接點CP3之長度，亦可大於由第二連接點CP2至第四連接點CP4之長度。大致而言，金屬邊框120介於第二連接點CP2和第三連接點CP3之間之部份係主要用於激發產生天線結構之輻射場型。另一方面，在接地元件110上，負饋入點FN係大致介於第一接地點GP1和第二接地點GP2之間。負饋入點FN與第一接地點GP1之間距可大於負饋入點FN與第二接地點GP2之間距。
在一些實施例中，行動裝置100更包括一寄生部(Parasitic Element)190，其亦可由金屬材質製成。寄生部190係鄰近於第一輻射部140(惟兩者之間仍留有一分隔間隙)，而寄生部190可大致呈現一L字形。本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：3mm或更短)，但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距不宜縮短至0)。寄生部190具有一第一端191和一第二端192，其中寄生部190之第一端191係耦接至接地元件110上之一第四接地點GP4，而寄生部190之第二端192為一開路端並鄰近於第一輻射部140之第二端142(或矩形增寬部份145)。第四接地點GP4可大致介於第一接地點GP1和負饋入點FN(或第二接地點GP2)之間，其中第四接地點GP4可以非常鄰近於第一 接地點GP1。寄生部190可用於增加前述天線結構之低頻共振路徑之等效長度。必須注意的是，寄生部190僅為一選用元件，在其他實施例中亦可移除之。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之完整俯視圖。第1圖可視為第2圖之局部放大圖(如虛線框所示)。在第2圖之實施例中，金屬邊框120大致為無斷口之一封閉矩形迴圈，而接地元件110大致為一矩形金屬平面，其中接地元件110係設置於金屬邊框120之內部。此種無斷口之金屬邊框120可有效提高行動裝置100之結構強度。換言之，由於不須要在金屬邊框120上形成斷點，故天線結構之加入尚不致降低行動裝置100之剛體耐受度。除了前述之第一接地點GP1、第二接地點GP2，以及第三接地點GP3以外，金屬邊框120更可經由一或複數個短路部耦接至接地元件110上之一或複數個接地點GPN。前述接地點GPN可用於壓制不必要之共振模態(Undesired Resonant Mode)，其中這些接地點GPN和對應短路部之位置和數量尚可根據不同需求來進行調整。必須注意的是，第三短路部180和第三接地點GP3係用於防止金屬邊框120之其餘部份產生共振電流並干擾天線結構之輻射特性。若將第三短路部180和第三接地點GP3移除，則天線結構之操作頻帶可能會發生嚴重漂移。
第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之天線結構之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第3A圖之量測結果，當接收或傳送無線信號時，行 動裝置100之天線結構可涵蓋一第一頻帶FB1、一第二頻帶FB2，以及一第三頻帶FB3，其中第一頻帶FB1可約位於1575MHz附近，第二頻帶FB2可約介於2400MHz至2500MHz之間，而第三頻帶FB3可約介於5100MHz至5850MHz之間。因此，行動裝置100之天線結構至少可支援GPS(Global Positioning System)和WLAN(Wireless Local Area Networks)2.4GHz/5GHz之寬頻操作。
第3B圖係顯示沒有電容元件157之行動裝置100之天線結構之電壓駐波比圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。藉由比較第3A、3B圖可知，若將電容元件157由行動裝置100中移除，則天線結構將無法再涵蓋第一頻帶FB1。因此，電容元件157之存在可使得天線結構額外產生GPS頻段之共振模態。在一些實施例中，電容元件157之電容值(Capacitance)係介於0.6pF至1pF之間，且較佳為0.8pF。此電容值範圍有助於最大化第一頻帶FB1之操作頻寬。
詳細而言，行動裝置100之天線結構之共振機制和操作原理可參考下列第4A、4B、4C圖之實施例所述。
第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之天線結構操作於第一頻帶FB1時之共振電流圖(虛線箭號代表可能之共振電流方向)。在第4A圖之實施例中，饋入連接部130、第一輻射部140、第二輻射部150、電容元件157、金屬邊框120(特別指金屬邊框120介於第一連接點CP1和第三連接點CP3之間之部份)，以及第二短路部170係共同形成一倒F字形共振路徑410，而此倒F字形共振路徑410可激發產生前述 之第一頻帶FB1。
第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之天線結構操作於第二頻帶FB2時之共振電流圖(虛線箭號代表可能之共振電流方向)。在第4B圖之實施例中，饋入連接部130、第二輻射部150、金屬邊框120(特別指金屬邊框120介於第一連接點CP1和第二連接點CP2之間之部份)、第一短路部160，以及接地元件110之一第一邊緣111(介於第一接地點GP1和負饋入點FN之間)係共同形成一第一迴圈共振路徑420，而此第一迴圈共振路徑420可激發產生前述之第二頻帶FB2。必須注意的是，寄生部190可視為第一迴圈共振路徑420之一延伸部份，故有助於進一步壓低第二頻帶FB2之中心頻率。另外，在第二頻帶FB2中，電容元件157可視為一短路路徑。
第4C圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之天線結構操作於第三頻帶FB3時之共振電流圖(虛線箭號代表可能之共振電流方向)。在第4C圖之實施例中，饋入連接部130、第二輻射部150、金屬邊框120(特別指金屬邊框120介於第一連接點CP1和第三連接點CP3之間之部份)、第二短路部170，以及接地元件110之一第二邊緣112(介於第二接地點GP2和負饋入點FN之間)係共同形成一第二迴圈共振路徑430，而此第二迴圈共振路徑430可激發產生前述之第三頻帶FB3。另外，在第三頻帶FB3中，電容元件157亦可視為一短路路徑。
在一些實施例中，行動裝置100之元件尺寸可如下列所述。饋入連接部130和第一輻射部140之總長度(亦即，由第一端131起，經由第二端132和第一端141，再至第二端142之 總長度)可大致等於第一頻帶FB1之中心頻率之0.25倍波長(λ/4)。第一迴圈共振路徑420之總長度可大致等於第二頻帶FB2之中心頻率之0.5倍波長(λ/2)。第二迴圈共振路徑430之總長度可大致等於第三頻帶FB3之中心頻率之0.5倍波長(λ/2)。以上元件尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化行動裝置100之天線結構之操作頻帶及阻抗匹配(Impedance Matching)。
本發明提出一種新穎之天線結構，當此天線結構應用於具有一金屬邊框之行動裝置時，由於金屬邊框可視為天線結構之一延伸部份，故能有效避免其對行動裝置之通訊品質產生負面影響。此金屬邊框作為一等效輻射部還具有縮小整體天線尺寸、增加天線操作頻寬之功能。另須注意的是，本發明可在不用開挖任何天線窗(Antenna Window)之情況下，更進一步改良行動裝置之外觀設計。總而言之，本發明能兼得小尺寸、寬頻帶，以及美化裝置外型之優勢，故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之行動裝置及天線結構並不僅限於第1-4圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-4圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之行動裝置及天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第 一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種行動裝置，包括：一接地元件；一金屬邊框；一饋入連接部，耦接至一正饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入連接部；一第二輻射部，包括一第一部份和一第二部份，其中該饋入連接部係經由該第二輻射部耦接至該金屬邊框上之一第一連接點；一電容元件，耦接於該第一部份和該第二部份之間；一第一短路部，其中該金屬邊框上之一第二連接點係經由該第一短路部耦接至該接地元件上之一第一接地點；一第二短路部，其中該金屬邊框上之一第三連接點係經由該第二短路部耦接至該接地元件上之一第二接地點；以及一第三短路部，其中該金屬邊框上之一第四連接點係經由該第三短路部耦接至該接地元件上之一第三接地點；其中該接地元件、該金屬邊框、該饋入連接部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電容元件、該第一短路部，以及該第二短路部共同形成一天線結構；其中一信號源之一正極係耦接至該正饋入點，而該信號源之一負極係耦接至該接地元件上之一負饋入點，以激發該天線結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該金屬邊框係至少部份地呈現一L字形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一輻射部係呈現一直條形。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第二輻射部係呈現一L字形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，更包括：一寄生部，耦接至該接地元件上之一第四接地點，其中該寄生部係鄰近於該第一輻射部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之行動裝置，其中該寄生部係呈現一L字形。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶，該第一頻帶為1575MHz，該第二頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，而該第三頻帶係介於5100MHz至5850MHz之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之行動裝置，其中該饋入連接部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電容元件、該金屬邊框，以及該第二短路部共同形成一倒F字形共振路徑，而其中該倒F字形共振路徑係激發產生該第一頻帶。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之行動裝置，其中該饋入連接部、該第二輻射部、該金屬邊框、該第一短路部，以及該接地元件共同形成一第一迴圈共振路徑，而其中該第一迴圈共振路徑係激發產生該第二頻帶。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之行動裝置，其中該饋入連接部、該第二輻射部、該金屬邊框、該第二短路部，以及該接地元件共同形成一第二迴圈共振路徑，而其中該第二迴圈共 振路徑係激發產生該第三頻帶。
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