TW201921448A - 噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置 - Google Patents

噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置

Info

Publication number
TW201921448A
TW201921448A TW107134433A TW107134433A TW201921448A TW 201921448 A TW201921448 A TW 201921448A TW 107134433 A TW107134433 A TW 107134433A TW 107134433 A TW107134433 A TW 107134433A TW 201921448 A TW201921448 A TW 201921448A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inflow
space
plate
reaction gas
substrate
Prior art date
Application number
TW107134433A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI741220B (zh
Inventor
諸成泰
朴燦用
李在鎬
張吉淳
尹畼焄
林漢俊
姜宇泳
Original Assignee
南韓商優吉尼科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商優吉尼科技股份有限公司 filed Critical 南韓商優吉尼科技股份有限公司
Publication of TW201921448A publication Critical patent/TW201921448A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI741220B publication Critical patent/TWI741220B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

根據本發明之實施例，一種基板處理裝置包括：一腔室，其中用於一基板之一製程得以執行；一噴灑頭，其安裝於該腔室中以朝向該基板噴射一反應氣體；及一基座，其安裝於該噴灑頭下方以支撐該基板。此處，該噴灑頭包括：一噴灑頭主體，其包括該反應氣體自外部所供應至之一內空間及經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體之多個噴射孔；一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包括經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間之移動。

Description

噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置
發明領域
本發明係關於噴灑頭及基板處理裝置，且更特定言之係關於可移動多個調整板以限制反應氣體之移動的噴灑頭，及基板處理裝置。
發明背景
半導體裝置在矽基板上包括多個層。此處，該等層可經由沈積製程沈積於基板上。沈積製程具有對於評估所沈積層及選擇沈積方法為重要的若干重要問題。
第一，重要問題之一實例為所沈積層中之每一者的『品質』。『品質』表示組成、污染程度、缺陷密度，及機械及電性質。所沈積層之組成可根據沈積條件而改變。此對於獲得特定組成為非常重要的。
第二，問題之另一實例為晶圓上之均勻厚度。特定言之，沈積於具有階狀部分之非平面形狀圖案上的層之厚度為極其重要的。此處，所沈積層之厚度是否均勻可經由階梯覆蓋率來判定，該階梯覆蓋率經定義為藉由將沈積於階狀部分上之層的最小厚度除以沈積於該圖案上之層之厚度所獲得的比率。
與沈積相關之另一問題為填充空間。填充空間可包括間隙填充，該間隙填充填充在金屬線之間包括氧化物層的絕緣層。間隙經提供以將金屬線彼此實體及電隔離。
在該等問題當中，均勻性為與沈積製程相關之重要問題中的一者。非均勻層可引起金屬線上之高電阻，來增加機械損壞的可能性。
技術問題
本發明提供一種噴灑頭，該噴灑頭能夠藉由操作調整板及基板處理裝置而針對基板之每一部分調整反應氣體的供應量。
本發明亦提供一種能夠容易地調整製程均勻性之噴灑頭，及一種基板處理裝置。
本發明之又另一目標將參考以下詳細描述及隨附圖式變得明顯。
技術解決方案
本發明之實施例提供一種基板處理裝置，其包括：一腔室，其中用於一基板之一製程得以執行；一噴灑頭，其安裝於該腔室中以朝向該基板噴射一反應氣體；及一基座，其安裝於該噴灑頭下方以支撐該基板。此處，該噴灑頭包括：一噴灑頭主體，其包括該反應氣體自外部所供應至之一內空間及經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體之多個噴射孔；一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包括經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間之移動。
在實施例中，該入流板可包括在該入流孔之兩側中之至少一或多者中所界定的一導孔，且該調整板可包括一導桿，該導桿在自與該入流板相對之一表面突出的同時插入至該導孔中且可在該調整板經移動時沿著該導孔移動。
在實施例中，該基板處理裝置可進一步包括多個電磁體，該等電磁體各自經組配來將一磁力施加至該調整板以移動該調整板。
在實施例中，該腔室可包括：一下部腔室，其具有一開放之上部部分；及一上部腔室，其安裝於該噴灑頭上以界定該內空間且打開及閉合該下部腔室之該上部部分，且經組配來連同該下部腔室界定用於該基板之一製程得以執行的一空間，且該等電磁體可分別安裝至該上部腔室且安置於該等調整板上方。
在實施例中，該基板處理裝置可進一步包括一擴散板，該擴散板安裝於該緩衝空間中以將該緩衝空間劃分為一經劃分空間及一擴散空間且包括經組配來允許該經劃分空間及該擴散空間彼此連通之多個擴散孔，且該擴散板可包括一隔板，該隔板自其一頂表面突出以將該經劃分空間劃分為多個空間。
在實施例中，該等入流孔可分別一對一地對應於該等多個經劃分空間。
在實施例中，該入流板可具有一樹脂塗佈之表面。
在本發明之實施例中，一種噴灑頭包括：一噴灑頭主體，其包括一反應氣體自外部所供應至之一內空間及經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體之多個噴射孔；一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包括經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來根據該移動以自該入流板所間隔之一距離為基礎來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間的移動。
有利效應
根據本發明之實施例，反應氣體通過入流孔之移動可藉由移動調整板來限制，且經由此，反應氣體的供應量可針對基板之每一部分調整。
又，因為調整板可自腔室之外部遠端地移動通過電磁體，所以製程均勻性可在不打開腔室或釋放腔室之內真空的情況下容易地調整。
較佳實施例之詳細說明
下文中，本發明之示範性實施例將參看圖1至圖8來更詳細地描述。然而，本發明可以不同形式體現，且不應建構為限於本文所闡述之實施例。實情為，此等實施例經提供，使得本揭示案將為詳盡且完整的，且將向熟習此項技術者完全地傳達本發明之範疇。在諸圖中，層及區之尺寸為說明的清晰性而誇示。
儘管沈積裝置在下文示範性地描述，但本發明之實施例不限於此。舉例而言，本發明可應用於用於藉由使用反應氣體處理基板之各種製程。
圖1為說明根據本發明之實施例之基板處理裝置的示意性橫截面圖。如圖1中所說明，基板處理裝置10包括下部腔室12及上部腔室18。下部腔室12具有開放之上部部分及基板W經加載及卸載所經由之通路12a。基板W可經由通路12a加載至下部腔室12中，且閘閥(未圖示)可安裝於通路12a之外部分上以打開或閉合通路12a。
上部腔室18閉合或打開下部腔室12的開放之上部部分。當上部腔室18閉合下部腔室12的開放之上部部分時，下部腔室12及上部腔室18界定自外部閉合之內空間。上部腔室18包括與噴灑頭主體16之內空間連通的氣體供應孔18a，且反應氣體經由氣體供應孔18a供應至內空間中。
基座14安裝於下部腔室12中，且基板W安置於基座14上。基座14可包括加熱器(未圖示)，且加熱器可經由自外部電源所施加之電流以處理溫度加熱基板W。
圖2為說明圖1中之上部腔室及噴灑頭的示意性橫截面圖。噴灑頭包括噴灑頭主體16、擴散板22及入流板24。噴灑頭主體16連接至上部腔室18之下部部分，且包括具有板形狀之噴射部分及安裝於噴射部分外部且固定至上部腔室18的凸緣部分。噴射部分與上部腔室18間隔開，且內空間界定於上部腔室18與凸緣部分之間。噴射部分包括多個噴射孔16a，且供應至內空間中之反應氣體經由噴射孔16a朝向基板W噴射。反應氣體可包括氫氣(H2 )、氮氣(N2 )或其他預定惰性氣體，且亦可包括諸如矽烷(SiH4 )或二氯矽烷(SiH2 Cl2 )之前驅體氣體。此外，反應氣體可包括二硼烷(B2 H6 )或膦(PH3 )。
反應氣體與基板W反應以執行製程，且接著經由排放環17排放至外部。排放環17包括多個排放孔17a，且反應氣體經由排放孔17a移至排放環17中且接著排放至外部。排放泵(未圖示)可經提供以強迫地排放反應氣體。
圖3為說明圖2中之擴散板的示意性平面圖。如圖2中所說明，擴散板22包括具有板形狀之擴散部分及安裝於擴散板之外部分上且固定至稍後將描述之入流板的凸緣部分。擴散部分與入流板24間隔開，且經劃分空間23界定於入流板24與擴散部分之間。擴散部分包括多個擴散孔22，且供應至經劃分空間23之反應氣體經由擴散孔22a噴射至安置於經劃分空間23下方的擴散空間16b。
此處，如圖3中所說明，經劃分空間23藉由多個隔板22p1及22p2劃分為多個空間。圓形隔板22p1關於擴散板22之中心具有同心圓形狀，且沿著徑向方向劃分經劃分空間23。徑向隔板22p2關於擴散板22之中心徑向地配置，以沿著圓周方向劃分經劃分空間23。不同於該實施例，經劃分空間23可更多或更少地劃分。
圖4為說明圖2中之入流板的示意性平面圖。如圖2中所說明，入流板24包括具有板形狀之入流部分及安裝於入流部分之外部分上且固定至稍後將描述之上部腔室18的凸緣部分。入流部分與上部腔室18間隔開，且入流空間25界定於上部腔室18與入流部分之間。入流部分可包括多個入流孔25a，且供應至入流空間25之反應氣體可經由入流孔25a移至安置於入流空間25下方的經劃分空間23。
此處，如圖2中所說明，調整板30可安裝於入流孔25a上以限制反應氣體之移動。如圖4中所說明，入流部分包括在入流孔25a之兩側中之每一者中所界定的導孔，且調整板30包括自其底表面突出的一對導桿。導桿中之每一者插入至導孔中，且在調整板30經移動時沿著導孔移動。
圖5為說明圖2中之調整板之移動的橫截面圖，且圖6為說明圖2中之調整板的橫截面圖。調整板30可以垂直可移動方式安裝於入流孔25a上，且當調整板30上升以與入流孔25a或入流板24間隔開時，反應氣體可經由入流孔25a移至經劃分空間23中。另一方面，當調整板30下降以鄰近於入流孔25a或入流板24時，反應氣體可能不會經由入流孔25a移至經劃分空間23中。此處，導桿沿著導孔移動，且調整板30沿著預設路徑上升或下降。
如圖6中所說明，調整板30包括由回應於磁力之材料製成的主體32及覆蓋主體32的塗佈層31。如下文所述，隨著磁力經由電磁體施加，調整板30可上升或下降，且主體32可如金屬般回應於磁力。又，塗佈層32對於覆蓋主體32為必要的，以便防止主體32被污染或氧化且在鄰近於入流孔25a及入流板24之同時維持入流孔25a的密封。
圖7為說明圖2中之電磁體中的每一者連接至控制單元之狀態的方塊圖，且圖8為說明圖2中之噴灑頭之操作狀態的橫截面圖。如圖2中所說明，調整板30可分別一對一地對應於電磁體42，且經由電磁體42上升。然而，不同於該實施例，調整板30中之每一者可經由不同單元上升或下降。
詳言之，電磁體42中之每一者可以複數(1, 2, 3,..., n-1, n，n為整數)提供，且在安置於調整板30上方的同時安裝至上部腔室18。控制單元40可連接至電磁體42中之每一者，且將電力施加至電磁體42中之每一者或阻止來自電磁體42中之每一者的所施加電力。因此，如圖8中所說明，當電力被施加時，調整板30可藉由電磁體42上升且與入流孔25a或入流板24間隔開，且反應氣體可經由入流孔25a移至經劃分空間23。當電力被阻止時，調整板30可下降以鄰近於入流孔25a或入流板24，且反應氣體可能不會經由入流孔25a移至經劃分空間23。
下文中，反應氣體之流將在下文參看圖7及圖8描述。
首先，所噴射之反應氣體提供至基板W的上部部分，且，在基板W藉由基座14加熱之狀態下，反應氣體與基板W的表面反應以形成薄膜。此處，薄膜具有與經由噴射孔16a自上方噴射之反應氣體之供應量成比例的厚度。在基板W之表面中，小量之反應氣體所供應至的部分具有小厚度之該薄膜，且大量之反應氣體所供應至的部分具有大厚度之該薄膜。因此，當反應氣體均勻地供應至基板W之整個表面時，該薄膜可具有均勻厚度。
然而，除了反應氣體之供應量之外，該薄膜之厚度亦與基座14的加熱溫度成比例。又，在基板W之表面中，加熱溫度低之部分具有小厚度之該薄膜，且加熱溫度高之部分具有大厚度的該薄膜。因此，當基座14之加熱溫度均勻時，該薄膜可具有均勻厚度。因此，基座14較佳在其整個區域之上具有均勻加熱溫度。
然而，具有完全均勻加熱溫度之基座14實質上不可能被處理。詳言之，隨著基板W在大小上新近增大，基座14亦在大小上增大，且因此，均勻溫度散佈難以形成於基板W上。亦即，在基板W加熱至處理溫度之同時，加熱器可破損，加熱器之效能可降級，或加熱器的輻射熱量可為局部不均勻的。而且，影響薄膜之厚度的各種因素存在。為了形成具有均勻厚度之薄膜，上文所述之因素的部分有必要被人工調整。因此，在本發明之實施例中，由於反應氣體之供應量被人工調整為不均勻的，因此具有均勻厚度之薄膜可得以形成。
舉例而言，薄膜係藉由使用虛設基板W形成，且接著薄膜之厚度經量測。此處，藉由調整供應至基板W之每一部分的反應氣體之供應量，關於表面區域之相同量的反應氣體可噴射至基板W之表面的每一區域。此後，供應至每一部分的反應氣體之供應量可與薄膜之所量測厚度成比例地調整。亦即，當在基板W之表面之特定區域處的薄膜之厚度大於參考值時，隨著安置於相應區域上方之調整板30下降以限制反應氣體通過入流孔25a的移動，反應氣體之供應量可減小。另一方面，當在基板W之表面之特定區域處的薄膜之厚度小於參考值時，隨著安置於相應區域上方之調整板30上升以允許反應氣體通過入流孔25a的移動，反應氣體之供應量可增大。上文所述之控制單元40可以薄膜之所量測厚度為基礎來控制電磁體42，以增大或減小供應至每一部分之反應氣體的量。舉例而言，上文所述之參考值可為薄膜之所量測厚度的平均值，且控制單元可自薄膜之所量測厚度計算平均值。當調整製程經由上文所述之方法執行若干次時，具有均勻厚度之薄膜可得以形成，且此後，調整製程可應用於實際製程。
儘管本發明係參考示範性實施例詳細地描述，但本發明可以許多不同形式體現。因此，下文所闡述之申請專利範圍的技術理念及範疇不限於較佳實施例。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧下部腔室
12a‧‧‧通路
14‧‧‧基座
16‧‧‧噴灑頭主體
16a‧‧‧噴射孔
16b‧‧‧擴散空間
17‧‧‧排放環
17a‧‧‧排放孔
18‧‧‧上部腔室
18a‧‧‧氣體供應孔
22‧‧‧擴散板
22a‧‧‧擴散孔
22p1‧‧‧圓形隔板
22p2‧‧‧徑向隔板
23‧‧‧經劃分空間
24‧‧‧入流板
25‧‧‧入流空間
25a‧‧‧入流孔
30‧‧‧調整板
31‧‧‧塗佈層
32‧‧‧主體
40‧‧‧控制單元
42‧‧‧電磁體
W‧‧‧基板
圖1為說明根據本發明之實施例之基板處理裝置的示意性橫截面圖。
圖2為說明圖1中之上部腔室及噴灑頭的示意性橫截面圖。
圖3為說明圖2中之擴散板的示意性平面圖。
圖4為說明圖2中之入流板的示意性平面圖。
圖5為說明圖2中之調整板之移動的橫截面圖。
圖6為說明圖2中之調整板的橫截面圖。
圖7為說明圖2中之電磁體中的每一者連接至控制單元之狀態的方塊圖。
圖8為說明圖2中之噴灑頭之操作狀態的橫截面圖。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其包含： 一腔室，於其中執行用於一基板之一製程； 一噴灑頭，其安裝於該腔室中以朝向該基板噴射一反應氣體；及 一基座，其安裝於該噴灑頭下方以支撐該基板， 其中該噴灑頭包含： 一噴灑頭主體，其包含一內空間及多個噴射孔，該反應氣體係自外部供應至該內空間，及該等多個噴射孔經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體； 一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包含經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及 多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間之移動。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中該入流板包含在該入流孔之兩側中之至少一或多者中所界定的一導孔，且 該調整板包含一導桿，該導桿在自一相對於該入流板之一表面突出的同時插入至該導孔中且可在該調整板經移動時沿著該導孔移動。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其進一步包含多個電磁體，該等電磁體各自經組配來將一磁力施加至該調整板以移動該調整板。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中該腔室包含： 一下部腔室，其具有一開放之上部部分；及 一上部腔室，其安裝於該噴灑頭上以界定該內空間且打開及閉合該下部腔室之該上部部分，且經組配來連同該下部腔室界定其中執行用於該基板之一製程的一空間， 其中該等電磁體分別安裝至該上部腔室且安置於該等調整板上方。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其進一步包含一擴散板，該擴散板安裝於該緩衝空間中以將該緩衝空間劃分為一經劃分空間及一擴散空間且包含經組配來允許該經劃分空間及該擴散空間彼此連通之多個擴散孔，且 該擴散板包含一隔板，該隔板自其一頂表面突出以將該經劃分空間劃分為多個空間。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中該等入流孔分別一對一地對應於該等多個經劃分空間。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中該入流板具有一樹脂塗佈之表面。
  8. 一種噴灑頭，其包含： 一噴灑頭主體，其包含一內空間及多個噴射孔，一反應氣體係自外部供應至該內空間，及該等多個噴射孔經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體； 一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包含經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及 多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來根據該移動以與該入流板所間隔之一距離為基礎來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間的移動。
  9. 如請求項8之噴灑頭，其中該入流板包含在該入流孔之兩側中之至少一者中所界定的一導孔，且 該調整板在自一相對於該入流板之一表面突出的同時插入至該導孔中，且經組配來在該調整板經移動時沿著該導孔移動。
TW107134433A 2017-09-28 2018-09-28 噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置 TWI741220B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2017-0125830 2017-09-28
KR1020170125830A KR101994700B1 (ko) 2017-09-28 2017-09-28 샤워헤드 및 기판처리장치
KR10-2017-0125830 2017-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201921448A true TW201921448A (zh) 2019-06-01
TWI741220B TWI741220B (zh) 2021-10-01

Family

ID=65901576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134433A TWI741220B (zh) 2017-09-28 2018-09-28 噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11242601B2 (zh)
JP (1) JP6974884B2 (zh)
KR (1) KR101994700B1 (zh)
CN (1) CN111108585B (zh)
TW (1) TWI741220B (zh)
WO (1) WO2019066299A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI753451B (zh) * 2019-06-10 2022-01-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 氣體調節裝置及應用該裝置的電漿蝕刻設備

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102170568B1 (ko) * 2020-05-12 2020-10-27 주식회사 인터코리아산업 분사헤드를 이용한 친환경 보습보도블록의 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3182475B2 (ja) * 1993-06-30 2001-07-03 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 化学気相成長装置
JPH0729830A (ja) * 1993-07-09 1995-01-31 Hitachi Ltd 成膜装置
US7737035B1 (en) * 2006-03-31 2010-06-15 Novellus Systems, Inc. Dual seal deposition process chamber and process
US20080015754A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Hac Aleksander B System for estimating and compensating for lateral disturbances using controlled steering and braking
KR101217522B1 (ko) * 2006-09-07 2013-01-02 주식회사 원익아이피에스 유량조절블럭을 구비한 샤워헤드
US20090277587A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
WO2010065473A2 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution blocker apparatus
KR101027952B1 (ko) 2008-12-22 2011-04-12 주식회사 케이씨텍 샤워헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR101028407B1 (ko) 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치
JP2010212335A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR101110080B1 (ko) * 2009-07-08 2012-03-13 주식회사 유진테크 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법
JP2012126968A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
US9490149B2 (en) 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
KR101560623B1 (ko) * 2014-01-03 2015-10-15 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20150101236A (ko) * 2014-02-26 2015-09-03 전북대학교산학협력단 가스 공급의 개별 제어가 가능한 모듈형 화학기상 증착장치
JP6422827B2 (ja) * 2015-06-15 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI753451B (zh) * 2019-06-10 2022-01-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 氣體調節裝置及應用該裝置的電漿蝕刻設備

Also Published As

Publication number Publication date
US11242601B2 (en) 2022-02-08
US20200263303A1 (en) 2020-08-20
JP2020535665A (ja) 2020-12-03
CN111108585A (zh) 2020-05-05
WO2019066299A1 (ko) 2019-04-04
CN111108585B (zh) 2023-12-26
KR101994700B1 (ko) 2019-07-01
KR20190036665A (ko) 2019-04-05
JP6974884B2 (ja) 2021-12-01
TWI741220B (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10145012B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10287687B2 (en) Substrate processing device
KR20150004771A (ko) 컨덕턴스 제어를 갖는 화학적 증착 장치
KR101387518B1 (ko) 기판처리장치
KR101518398B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101375742B1 (ko) 기판처리장치
TWI741220B (zh) 噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置
TW201508829A (zh) 基板處理裝置
JP6002837B2 (ja) 基板処理装置
KR101088679B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR101130248B1 (ko) 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리장치
KR102664983B1 (ko) 샤워헤드 및 기판처리장치
US20150191821A1 (en) Substrate processing device
KR101452829B1 (ko) 히터의 온도조절방법