TW201920623A - 液晶介質和包含其的液晶顯示器 - Google Patents

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liquid crystal
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薛彥鵬
宋超
韓家龍
饒真瑋
張新洋
黃洋
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Abstract

在本發明涉及液晶介質,其包含一種或多種式I的化合物,


其中
表示
,
並且其他參數具有文中給出的含義,
涉及其在電光顯示器,特別是在基於IPS或FFS效應的有源矩陣顯示器中的用途,涉及含有該類型液晶介質的該類型顯示器,和涉及式I的化合物用於改善包含一種或多種額外介晶化合物的液晶介質的透射率和/或回應時間的用途。

Description

液晶介質和包含其的液晶顯示器
本發明涉及新型的液晶介質,特別是用於液晶顯示器的液晶介質,和這些液晶顯示器,特別是使用利用介電正性液晶的IPS(面內切換)或較佳FFS(邊緣場切換)效應的液晶顯示器。偶爾後一個也被稱為SB-FFS(超亮度FFS)效應。對於該效應,使用包含一種或多種同時具有高的平行于分子指向矢和垂直于分子指向矢的介電常數的化合物的介電正性液晶,這導致大的平均介電常數和高介電比以及較佳同時導致相對小的介電各向異性。液晶介質視需要額外地包含介電負性、介電中性化合物或這二者。以沿面(即平面)初始配向使用該液晶介質。根據本發明的液晶介質具有正介電各向異性並且包含同時具有大的平行于和垂直于分子指向矢的介電常數的化合物。
所述介質的特徵在於在各個顯示器中特別高的透射率和降低的回應時間,這通過它們獨特的物理性能組合,尤其是通過它們的介電性能和特別是通過它們高的(e^ / eav. )比或它們高的介電比(e^ / De)的值帶來。這也導致它們在根據本發明的顯示器中的優異表現。
使用介電正性液晶的IPS和FFS顯示器是本領域熟知的並且已經廣泛被採用用於多種類型的顯示器,例如桌面顯示器和電視機,而且用於移動應用。
然而,最近廣泛採用使用介電負性液晶的IPS和特別是FFS顯示器。後一個有時被稱為UB-FFS(超亮FFS)。例如在US 2013/0207038 A1中公開了這種顯示器。相比於先前使用的IPS和FFS顯示器,這些顯示器的特徵在於顯著增加的透射率,這已經是介電正性液晶。然而,使用介電負性液晶的這些顯示器具有嚴重的缺點:相比於使用介電正性液晶的各個顯示器需要更高的操作電壓。用於UB-FFS的液晶介質具有-0.5或更小和較佳-1.5或更小的介電各向異性。
用於HB-FFS(高亮度FFS)的液晶介質具有0.5或更大和較佳1.5或更大的介電各向異性。包含介電負性和介電正性液晶化合物二者的相應介質,或介晶化合物公開於例如US 2013/0207038 A1中。然而,這些介質的特徵在於已經有相當大的e^ 和eav 值,然而它們的(e^ / De)比是相對小的。
然而,根據本申請,其仲介電正性液晶介質呈沿面配向的IPS或FFS效應是較佳的。
該效應在電光顯示器元件中的工業應用需要必須滿足多種要求的液晶相。此處尤為重要的是對水分、空氣的耐化學性和物理影響,例如熱、紅外線、可見光和紫外區域的輻射以及直流(DC)和交流(AC)電場。
此外,工業可用的液晶相需要在適合的溫度範圍和低粘度下具有液晶中間相。
迄今已經公開的具有液晶中間相的系列化合物均不包括符合全部這些要求的單一化合物。因此,通常製備2-25種,較佳3-18種化合物的混合物以獲得可用作液晶相的物質。
已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於各個圖元單獨切換的非線性元件為,例如有源元件(即電晶體)。隨後使用術語“有源矩陣”,其中通常使用薄膜電晶體(TFT),其通常安置在作為基板的玻璃板上。
兩種技術之間的區別在於:包含化合物半導體,例如CdSe或金屬氧化物如ZnO的TFT,或基於多晶和尤其是無定形矽的TFT。目前後一技術在全球範圍內具有最大的商業重要性。
將TFT矩陣施用於顯示器的一個玻璃板的內側,而另一玻璃板在其內側帶有透明反電極。與圖元電極的尺寸相比,TFT非常小且對圖像幾乎沒有不利作用。該技術還可以推廣到全色功能的顯示器,其中將紅、綠和藍濾光片的鑲嵌塊(mosaic)以使得濾光片元件與每個可切換的圖元相對設置的方式排列。
迄今最常使用的TFT顯示器通常使用透射的交叉偏振器操作並且是背光照明的。對於TV應用,使用ECB(或VAN)盒或FFS盒,而監視器通常使用IPS盒或TN(扭轉向列)盒,和筆記本、筆記型電腦和移動應用通常使用TN、VA或FFS盒。
術語“MLC顯示器”在此處包括具有集成非線性元件的任何矩陣顯示器,即除了有源矩陣外,還有具有無源元件的顯示器,例如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。
這種類型的MLC顯示器特別適用於TV應用、監視器和筆記本或用於例如在汽車製造或飛機構造中的具有高資訊密度的顯示器。除了關於對比度的角度依賴性和回應時間的問題之外,由於液晶混合物不夠高的比電阻,MLC顯示器中也還產生一些問題[TOGASHI, S., SEKI­GUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORI­MACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Euro­display 84, 1984年9月: A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings, pp. 141 ff., Paris; STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Tele­vision Liquid Crystal Dis­plays, pp. 145 ff., Paris]。隨著電阻的降低, MLC顯示器的對比度劣化。因為由於與顯示器內表面的相互作用,液晶混合物的比電阻通常隨MLC顯示器的壽命下降,所以對於在長的操作期間必須具有可接受電阻值的顯示器來說高的(初始)電阻是非常重要的。
除了IPS顯示器(例如:Yeo, S.D., Paper 15.3: “An LC Display for the TV Application“, SID 2004 International Symposium, Digest of Techni­cal Papers, XXXV, Book II, pp. 758和 759)和長久已知的TN顯示器之外,使用ECB效應的顯示器已經確立為所謂的VAN(垂直配向向列)顯示器,作為當今最重要的三種較新型液晶顯示器之一,特別是對於電視應用而言。
此處可以提及最重要的設計: MVA (多域垂直配向,例如: Yoshide, H.等人, Paper 3.1: “MVA LCD for Note­book or Mobile PCs ...”, SID 2004 International Sympo­sium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book I, pp. 6至9, 和Liu, C.T.等人, Paper 15.1: “A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ... ”, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book II, pp. 750至 753),PVA (圖案垂直配向,例如: Kim, Sang Soo, Paper 15.4: “Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV”, SID 2004 Inter­national Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book II, pp. 760至763) 和ASV (高級超視覺,例如:Shi­geta, Mitzuhiro and Fukuoka, Hirofumi, Paper 15.2: “Develop­ment of High Qual­ity LCDTV”, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book II, pp. 754至 757)。VA效應的更現代的版本是所謂的PAVA(光配向VA)和PSVA(聚合物穩定的VA)。
以一般的形式,例如在Souk, Jun, SID Seminar 2004, Seminar M‑6: “Recent Advances in LCD Technology”, Seminar Lecture Notes, M‑6/1至 M‑6/26, 和Miller, Ian, SID Seminar 2004, Seminar M‑7: “LCD-Televi­sion”, Seminar Lecture Notes, M‑7/1至 M‑7/32中比較了一些技術。雖然現代ECB顯示器的回應時間已經通過使用過驅動(overdrive)的定址方法顯著地得以改善,例如Kim, HyeonKyeong等人, Paper 9.1: “A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application”, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book I, pp. 106至 109,實現視頻相容的回應時間,特別是在灰階的切換中,但仍然有未滿意解決的問題。
ECB顯示器,如ASV顯示器使用具有負性介電各向異性(De)的液晶介質,而TN和迄今所有常規IPS顯示器使用具有正介電各向異性的液晶介質。然而,目前對於利用介電負性液晶介質的IPS和FFS顯示器存在增加的需求。
在這種類型的液晶顯示器中,液晶被用作當施加電壓時其光學性能可逆地變化的介電材料。
因為通常在顯示器中,即也在根據這些所提及效應的顯示器中,操作電壓應當盡可能低,所有使用通常主要由所有都具有相同符號的介電各向異性並且具有最高可能的介電各向異性值的液晶化合物組成的液晶介質。通常,最多採用相對小比例的中性化合物和如果可能不採用具有與介質的介電各向異性相反符號的介電各向異性的化合物。在例如用於ECB或UB-FFS顯示器的具有負介電各向異性的液晶介質的情況下,因此主要採用具有負介電各向異性的化合物。所採用的各液晶介質通常主要由和通常甚至實質上由具有負介電各向異性的液晶化合物組成。
在根據本申請使用的介質中,通常採用顯著量的介電正性液晶化合物和通常僅非常少量的介電化合物或甚至無介電化合物,因為通常液晶顯示器旨在具有最低可能的定址電壓。同時,在某些情形下可以有利地使用少量介電中性化合物。
US 2013/0207038 A1公開了用於HB-FFS顯示器的液晶介質,提議通過額外併入介電負性液晶改善使用具有正介電各向異性的液晶的FFS顯示器的性能。然而,這導致需要對所得介質的整體介電各向異性補償這些化合物的負性貢獻。為此,必須增加介電正性材料的濃度,其反過來使得在混合物中使用介電中性化合物作為稀釋劑的空間變小了,或者替代性地必須使用具有更強正介電各向異性的化合物。這些替代方案均具有增加顯示器中液晶的回應時間的強烈缺陷。
已經公開了用於IPS和FFS顯示器的具有正介電各向異性的液晶介質。在以下將給出一些實例。
CN 104232105 A公開了具有正介電各向異性的液晶介質,其具有至多0.7的介電比(e^ / De)。
WO 2014/192390也公開了具有正介電各向異性的液晶介質,其具有相當高的e|| 值,但僅具有約0.5的介電比(e^ / De)。
WO 2015/007131公開了具有正介電各向異性的液晶介質,其中一些具有約0.7和略微更高(至多0.88)的介電比 (e^ / De)。
公開的DE 102016003902.3、EP 3 081 620和EP 3 095 834涉及應用於各個顯示器的液晶化合物或液晶介質。
本申請的申請人的未決、尚未公開的申請EP 17164891.8、EP 16190393.6、EP 16194162.0、EP 16197206.2和EP 16199580.也涉及應用於各個顯示器的液晶化合物或液晶介質。
明顯地,液晶混合物的向列相的範圍必須足夠寬以用於意欲的顯示器應用。
在顯示器中液晶介質的回應時間必須得以改善,即降低。這對於電視或多媒體應用的顯示器是特別重要的。為了改善回應時間,過去已經重複地提議優化液晶介質的旋轉粘度(g1 ),即獲得具有最低可能旋轉粘度的介質。然而,此處所得到的結果對於許多應用是不足的,並且因此使得似乎希望找到進一步優化的方法。
介質對於極限載荷,特別對於UV曝光和加熱的足夠的穩定性是非常特別重要的。特別地在移動設備(例如行動電話)的顯示器中的情況下,這可以是關鍵性的。
迄今公開的MLC顯示器,除了它們相對差的透射率和它們相對長的回應時間,還具有其它的缺點。這些例如是它們相對低的對比度,它們相對高的視角依賴性和在這些顯示器中灰度再生困難,尤其是當從傾斜視角觀察時,以及它們不足的VHR和它們不足的壽命。需要顯示器透射率和它們回應時間的所期望的改善以改善它們的能量效率或它們渲染迅速移動圖片的能力。
因此對於具有非常高比電阻同時還有大的工作溫度範圍、短的回應時間和低的閾值電壓的MLC顯示器持續具有大的需求,借助該顯示器可以生產多種灰階並且其特別具有良好和穩定的VHR。
本發明的目的為提供MLC顯示器,不僅用於監視器和TV應用,而且還用於移動應用,例如電話和導航系統,其基於ECB、IPS或FFS效應,不具有以上指出的缺陷,或僅以減少程度具有以上所述缺點,並且同時具有非常高的比電阻值。特別地,必須保證對於行動電話和導航系統它們還在極其高和極其低的溫度下工作。
令人驚訝地,已經發現如果在這些顯示元件中使用一種向列液晶混合物可以獲得這樣的液晶顯示器,其特別是在IPS和FFS顯示器中具有低的閾值電壓以及短的回應時間,足夠寬的向列相,有利、相對低的雙折射率(Dn)和同時還有高透射率,對於通過加熱和UV曝光分解的良好穩定性,和穩定的高VHR,所述向列液晶混合物包含至少一種、較佳兩種或更多種式I的化合物(較佳選自子式I-1和I-2,特別較佳子式I-2的這些),和較佳額外地包含至少一種、較佳兩種或更多種選自式II和III化合物的化合物(前者較佳式II-1和/或II-2),和/或包含至少一種,較佳兩種或更多種選自式IV和/或V的化合物,和較佳包含一種或多種選自式VII至IX的化合物(所有式在文本中如以下定義)。
這種類型的介質可以特別用於具有有源矩陣定址的電光顯示器,如IPS-或FFS顯示器。
根據本發明的介質較佳額外地包含一種或多種選自式II和III化合物的化合物,較佳一種或多種式II的化合物,更較佳另外包含一種或多種式III的化合物,和最較佳額外包含一種或多種選自式IV和V的化合物的化合物,和再次較佳一種或多種選自式VI至IX的化合物的化合物(所有式如下定義)。
根據本發明的混合物展示出非常寬的向列相範圍(清亮點≥ 70℃)、非常有利的電容閾值、相對高的保持率值和同時良好的-20℃和-30℃下的低溫穩定性、以及非常低的旋轉粘度。根據本發明的混合物進一步特徵在於清亮點與旋轉粘度的良好比率以及相對高的正介電各向異性。
現在,已經令人意外地發現使用具有正介電各向異性的液晶的FFS類型的液晶可以通過使用特殊選擇的液晶介質實現。這些介質的特徵在於物理性能的特定組合。這些之中最決定性的是它們的介電性能並且此處是高平均介電常數(eav. ),高的垂直于液晶分子指向矢的介電常數(e^ ),高的介電各向異性值(De),和特別地,相對高的這後兩個值的比:(e^ / De)。
根據本發明的液晶介質較佳具有正介電各向異性,較佳在1.5或更大至20.0或更小的範圍,更佳在3.0或更大至8.0或更小的範圍,和最佳在4.0或更大至7.0或更小的範圍。
根據本發明的液晶介質較佳具有5.0或更大,更佳6.0或更大,更佳7.0或更大,更佳8.0或更大,更佳9或更大,和最佳10.0或更大的垂直于液晶分子指向矢的介電常數(e^ )。
根據本發明的液晶介質較佳具有0.65或更大,更佳0.75或更大,和最佳1.0或更大的介電比(e^ / De)。
在本發明的較佳實施方案中,液晶介質較佳具有正介電各向異性,較佳為1.5或更大,並且較佳包含
a)一種或多種式I的化合物,較佳其濃度在1%-60%的範圍,更佳5%-40%的範圍,特別較佳8%-35%的範圍,
其中
n 表示0或1,和
R11 和R12 彼此獨立地表示具有1至9個C原子(較佳具有1至7個C原子)的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2至9個C原子(較佳具有2至7個C原子)的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基,並且較佳烷基、烷氧基、烯基或烯氧基,最佳烷基、烷氧基或烯氧基,和
b) 一種或多種選自式II和III化合物的化合物,其是介電正性的,較佳各自具有3或更大的介電各向異性的化合物:

其中
R2 表示具有1-7個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2-7個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基,和較佳烷基或烯基,
L21 和L22 彼此獨立地表示H或F,較佳L21 表示F,
X2 表示鹵素、具有1-3個C原子的鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子的鹵化烯基或烯氧基,較佳F、Cl、-OCF3 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CH2 、-O-CH=CF2 或‑CF3 ,非常較佳F、Cl、‑O-CH=CF2 或-OCF3
m表示 0、1、2或3,較佳1或2並且特別較佳1,
R3 表示具有1-7個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2-7個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基並且較佳為烷基或烯基,
L31 和L32 ,彼此獨立地表示H或F,較佳L31 表示F,
X3 表示鹵素,具有1-3個C原子的鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子的鹵化烯基或烯氧基,F、Cl、-OCF3 、-OCHF2 、-O-CH2 CF3 、‑O‑CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 ,非常較佳F、Cl、‑O-CH=CF2 、-OCHF2 或-OCF3
Z3 表示‑CH2 CH2 ‑、‑CF2 CF2 ‑、‑COO‑、反式 ‑CH=CH‑、反式 CF=CF‑、‑CH2 O-或單鍵,較佳‑CH2 CH2 ‑、‑COO‑、反式 - CH=CH-或單鍵並且非常較佳‑COO‑、反式 - CH=CH-或單鍵,和
n表示0、1、2或3,較佳1、2或3和特別較佳1,和
c)視需要的一種或多種選自式IV和V的化合物,其較佳是介電中性的:
其中
R41 和R42 彼此獨立地具有以上在式II下對於R2 所指出的含義,較佳R41 表示烷基和R42 表示烷基或烷氧基或R41 表示烯基和R42 表示烷基,
Z41 和Z42 彼此獨立地並且如果Z41 出現兩次,則這些也彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反式- CH=CH-、反式- CF=CF-、-CH2 O-、
-CF2 O-、-C≡C-或單鍵,較佳其的一個或多個表示單鍵,和
p表示0、1或2,較佳0或1,和
R51 和R52 彼此獨立地具有對於R41 和R42 給出的含義之一並且較佳表示具有1-7個C原子的烷基,較佳正烷基,特別較佳具有1-5個C原子的正烷基,具有1-7個C原子的烷氧基,較佳正烷氧基,特別較佳具有2-5個C原子的正烷氧基,具有2-7個C原子、較佳具有2-4個C原子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基,較佳烯氧基,
較佳
較佳
和,如果存在,
Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、‑CH2 -O-、-CH=CH-、
-C≡C-、-COO-或單鍵,較佳-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-或單鍵和特別較佳單鍵,
i和j各自彼此獨立地表示0或1,
(i+j)較佳表示0、1或2,更佳0或1,和最佳1。
d)再視需要地,可替代地或額外地,包含一種或多種選自式VI至IX的化合物,其較佳是介電負性的:
其中
R61 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基,較佳直鏈烷基,更較佳正烷基,最佳丙基或戊基,具有2-7個C原子的未取代的烯基,較佳直鏈烯基,特別較佳具有2-5個C原子的,具有1-6個C原子的未取代的烷氧基或具有2-6個C原子的未取代的烯氧基,
R62 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基,具有1-6個C原子的未取代的烷氧基或具有2-6個C原子的未取代的烯氧基,和
l表示0或1,
R71 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基,較佳直鏈烷基,更佳正烷基,最佳丙基或戊基,或具有2-7個C原子的未取代的烯基,較佳直鏈烯基,特別較佳具有2-5個C原子的,
R72 表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的未取代的烷基,具有1-6個C原子、較佳具有1、2、3或4個C原子的未取代的烷氧基,或具有2-6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子的未取代的烯氧基,和
R81 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基,較佳直鏈烷基,更佳正烷基,最佳丙基或戊基,或具有2-7個C原子的未取代的烯基,較佳直鏈烯基,特別較佳具有2-5個C原子的,
R82 表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的未取代的烷基,具有1-6個C原子、較佳具有1、2、3或4個C原子的未取代的烷氧基,或具有2-6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子的未取代的烯氧基,
Z8 表示-(C=O)-O-、-CH2 -O-、-CF2 -O-或-CH2 -CH2 -,較佳
-(C=O)-O-或-CH2 -O-,和
o表示0或1,
R91 和R92 彼此獨立地具有以上對於R72 給出的含義,
R91 較佳表示具有2-5個C原子的烷基,較佳具有3-5個C原子,
R92 較佳表示具有2-5個C原子的烷基或烷氧基,更佳具有2-4個C原子的烷氧基,或具有2-4個C原子的烯氧基。
p和q彼此獨立地表示0或1,和
(p+q)較佳表示0或1,並且若
則可替代地,較佳 p = q = 1,和
e)再視需要地,一種或多種穩定劑,較佳其濃度在0.010 %至1.0 %的範圍、更佳在0.025 %至0.10 %的範圍、特別較佳在0.040 %至0.080 %的範圍,
根據本申請的液晶介質較佳具有向列相。
在本發明的較佳實施方案中,液晶介質包含一種或多種式I的化合物,較佳選自式I-1和I-2的化合物
其中參數具有上文給出的含義並且較佳地
R11 和R12 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2至7個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基,和較佳烷基、烷氧基、烯基或烯氧基,最佳為烷氧基或烯氧基。
在較佳的實施方案中,本發明涉及包含一種或多種式STA的穩定劑的液晶介質
其中
R1A 表示H, 具有至多15個C原子的烷基、烯基或烷氧基,其中一個或多個H原子可被鹵素替代,
R2A 表示H, 具有至多7個C原子的烷基或烯基或烷氧基,其中一個或多個H原子可被鹵素替代,
r為0或1。
較佳地,式STA的化合物選自式STA-1和STA-2
其中,
n和m彼此獨立地為1至7,較佳1、2或3,最佳3的整數。
特別較佳的式STA-2的化合物是式STA-1-1的化合物
此外,本發明涉及根據本發明的液晶混合物和液晶介質在IPS和FFS顯示器中的用途,特別是在含有液晶介質的SB-FFS顯示器中的用途,用於改善回應時間和/或透射率。
此外,本發明涉及含有根據本發明的液晶介質的液晶顯示器,特別是IPS或FFS顯示器,特別較佳FFS或SB-FFS顯示器。
此外,本發明涉及包含液晶盒的IPS或FFS類型的液晶顯示器,所述液晶盒由兩個基板(其中至少一個基板對光是透明的並且至少一個基板具有電極層),和位於所述基板之間的液晶介質層組成,所述液晶介質包含聚合的組分和低分子量組分,其中聚合的組分可通過在液晶盒的基板之間的液晶介質中一種或多種可聚合化合物的聚合獲得,較佳在施加電壓情況下聚合並且其中低分子量組分是上下文描述的根據本發明的液晶混合物。
根據本發明的顯示器較佳通過有源矩陣(有源矩陣LCD,簡稱AMD)定址,較佳通過薄膜電晶體(TFT)的矩陣定址。然而,根據本發明的液晶也可以有利的方式在具有其它已知定址裝置的顯示器中使用。
此外,本發明涉及製備根據本發明液晶介質的方法,通過將一種或多種式I的化合物(較佳選自式I-1和I-2的化合物)與一種或多種低分子量液晶化合物或液晶混合物和視需要與其它液晶化合物和/或添加劑(較佳穩定劑,較佳選自表F的化合物和最佳式STA的化合物)混合進行。
上下文適用以下含義:
除非另有說明,術語“FFS”用於表示FFS和SB-FFS顯示器。
術語“介晶基團”是本領域技術人員已知並且描述於文獻中,並且表示由於其吸引和排斥相互作用的各向異性,實質上有助於在低分子量或聚合型物質中引起液晶(LC)相的基團。含有介晶基團的化合物(介晶化合物)不必須本身具有液晶相。介晶化合物也可以僅在與其它化合物混合和/或在聚合之後展現出液晶相行為。典型的介晶基團例如為剛性棒狀或圓盤狀的單元。與介晶或液晶化合物相關使用的術語和定義的綜述在Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)和 C.Tschierske, G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116,6340-6368中給出。
術語“間隔基團”或簡稱“間隔基”(在上下文中也被稱為“Sp”)為本領域技術人員所已知並描述於文獻中,參見例如Pure Appl.Chem. 73(5),888(2001)和C.Tschierske, G.Pelzl, S.Diele, Angew.Chem. 2004,116,6340-6368。除非另有說明,上下文中術語“間隔基團”或“間隔基”表示在可聚合的介晶化合物中使介晶基團和可聚合基團彼此連接的柔性基團。
為了本發明的目的,術語“液晶介質”旨在表示包含液晶混合物和一種或多種可聚合化合物(例如反應性介晶)的介質。術語“液晶混合物”(或“主體混合物”)旨在表示僅由不可聚合的低分子量化合物,較佳兩種或更多種液晶化合物和視需要的其它添加劑,例如手性摻雜劑或穩定劑組成的液晶混合物。
特別較佳具有向列相的液晶混合物和液晶介質,特別是在室溫下具有向列相。
在本發明的較佳的實施方案中,所述液晶介質包含一種或多種具有3或更大的介電各向異性的介電正性化合物,其選自式II-1和II-2的化合物:
其中參數具有以上在式II下指出的各個含義,且L23 和L24 彼此獨立地表示H或F,較佳L23 表示F,和
和在式II-1和II-2的情況下,X2 較佳表示F或OCF3 ,特別較佳F,和在式II-2的情況下,
和/或選自式III-1和III-2的化合物:
其中參數具有在式III下給出的含義,
和根據本發明的介質可替代地或除了式III-1和/或III-2的化合物之外還可以包含一種或多種式III-3的化合物
其中參數具有以上指出的各個含義,和參數L31 和L32 彼此獨立並獨立於其它參數地表示H或F。
所述液晶介質較佳包含選自式II-1和II-2的化合物的化合物,其中L21 和L22 和/或L23 和L24 均表示F。
在較佳的實施方案中,所述液晶介質包含選自式II-1和II-2的化合物的化合物,其中L21 、L22 、L23 和L24 均表示F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式II-1的化合物。式II-1的化合物較佳選自式II-1a至II-1e的化合物,較佳一種或多種式II-1a和/或II-1b和/或II-1d的化合物,較佳選自式II-1a和/或II-1d或II-1b和/或II-1d,最佳選自式II-1d:
其中參數具有以上指出的各個含義,且L25 和L26 彼此獨立並且獨立於其它參數地表示H或F,並且較佳地
在式II-1a和II-1b中,
L21 和L22 均表示F,
在式II-1c和II-1d中,
L21 和L22 均表示F和/或L23 和L24 均表示F,和
在式II-1e中,
L21 、L22 和L23 表示F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式II-2的化合物,其較佳選自式II-2a至II-2k的化合物,較佳一種或多種各自為式II-2a和/或II-2h和/或II-2j的化合物;
其中參數具有以上指出的各個含義,和L25 至L28 彼此獨立地表示H或F,較佳L27 和L28 均表示H,特別較佳L26 表示H。
所述液晶介質較佳包含選自式II-1a至II-1e的化合物的化合物,其中L21 和L22 均表示F和/或L23 和L24 均表示F。
在較佳的實施方案中,所述液晶介質包含選自式II-2a至II-2k的化合物的化合物,其中L21 、L22 、L23 和L24 均表示F。
尤其較佳的式II-2的化合物是下式的化合物,特別較佳式II-2a-1和/或II-2h-1和/或II-2k-2:
其中R2 和X2 具有以上指出的含義,和X2 較佳表示F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1的化合物。式III-1的化合物較佳選自式III-1a至III-1j的化合物,較佳選自式III-1c、III-1f、III-1g和III-1j:
其中參數具有以上給出的含義並且較佳其中參數具有以上指出的各個含義,參數L35 和L36 彼此獨立並且獨立於其它參數地表示H或F,和參數L35 和L36 彼此獨立並且獨立於其它參數地表示H或F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1c的化合物,其較佳選自式III-1c-1至III-1c-5的化合物,較佳式III-1c-1和/或III-1c-2,最佳式III-1c-1:
其中R3 具有以上指出的含義。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1f的化合物,其較佳選自式III-1f-1至III-1f-6的化合物,較佳式III-1f-1和/或III-1f-2和/或III-1f-3和/或III-1f-6,更佳式III-1f-3和/或III-1f-6,更佳式III-1f-6:
其中R3 具有以上指出的含義。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1g的化合物,其較佳選自式III-1g-1至III-1g-5的化合物,較佳式III-1g-3:
其中R3 具有以上指出的含義。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1h的化合物,其較佳選自式III-1h-1至III-1h-3的化合物,較佳式III-1h-3:
其中參數具有以上給出的含義,並且X3 較佳表示F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1i的化合物,其較佳選自式III-1i-1和III-1i-2的化合物,較佳式III-1i-2:
其中參數具有以上給出的含義,和X3 較佳表示F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-1j的化合物,其較佳選自式III-1j-1和III-1j-2的化合物,較佳式III-1j-1:
其中參數具有以上給出的含義.
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-2的化合物。式III-2的化合物較佳選自式III-2a和III-2b的化合物,較佳式III-2b:
其中參數具有以上指出的各個含義,和參數L33 和L34 彼此獨立並且獨立於其它參數地表示H或F。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-2a的化合物,其較佳選自式III-2a-1至III-2a-6的化合物:
其中R3 具有以上指出的含義。
所述液晶介質較佳包含一種或多種式III-2b的化合物,其較佳選自式III-2b-1至III-2b-4,較佳III-2b-4的化合物:
其中R3 具有以上指出的含義。
替代性地或除了式III-1和/或III-2的化合物之外,根據本發明的介質還可以包含一種或多種式III-3的化合物
其中參數具有以上在式III下指出的各個含義。
這些化合物較佳選自式III-3a和III-3b:
其中R3 具有以上指出的含義。
根據本發明的液晶介質較佳包含一種或多種介電中性化合物(較佳具有-1.5至3範圍的介電各向異性),較佳選自式VI、VII、VIII和IX的化合物。
在本申請中,元素均包括它們各自的同位素。特別地,在化合物中一個或多個H可以被D代替,和這在一些實施方案中也是特別較佳的。相應化合物的相應高程度的氘化例如使得能夠探測和識別該化合物。這在一些情況下是非常有助的,特別是在式I化合物的情況下。
在本申請中
alkyl(烷基)特別較佳表示直鏈烷基,特別是CH3 -、C2 H5 -、n ‑C3 H7 -、n ‑C4 H9 -或n ‑C5 H11 -,和
alkenyl(烯基)特別較佳表示CH2 =CH-、E ‑CH3 -CH=CH-、CH2 =CH-CH2 -CH2 -、E ‑CH3 -CH=CH-CH2 -CH2 -或E -(n -C3 H7 )-CH=CH-。
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VI的化合物,其選自式VI-1和VI-2的化合物,較佳一種或多種式VI-2的化合物,和最佳一種或多種各自為式VI-1的化合物和一種或多種式VI-2的化合物,
其中參數具有以上在式VI下給出的各個含義,並且較佳地
在式VI-1中
R61 和R62 彼此獨立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基,又或者戊氧基,較佳乙氧基、丁氧基或戊氧基,更佳乙氧基或丁氧基,和最佳丁氧基。
在式VI-2中
R61 較佳表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1基和n -丙基或n -戊基和
R62 表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的未取代的烷基,或較佳具有1-6個C原子、特別較佳具有2或4個C原子的未取代的烷氧基,和最佳乙氧基,和
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VII的化合物,其選自式VII-1至VII-3的化合物,較佳一種或多種各自為式VII-1的化合物和一種或多種式VII-2的化合物,
其中參數具有以上在式VII下給出的各個含義,並且較佳地
R71 較佳表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1基、正丙基或正戊基和
R72 表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的未取代的烷基,或較佳具有1-6個C原子、特別較佳具有2或4個C原子的未取代的烷氧基,和最佳乙氧基,
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VI-1的化合物,其選自以下化合物:
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VI-2的化合物,其選自以下化合物:
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VII-1的化合物,其選自以下化合物:
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VII-2的化合物,其選自以下化合物:
除了式I的化合物或其較佳的子式之外,根據本發明的介質較佳還包含一種或多種選自式VI和VII的化合物的化合物(較佳介電中性的),較佳其總濃度在5%或更高至90%或更低,較佳10%或更高至80%或更低,特別較佳20%或更高至70%或更低的範圍。
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質在每種情況下包含一種或多種式VIII的化合物,其選自式VIII-1至VIII-3的化合物,較佳一種或多種各自為式VIII-1的化合物和/或一種或多種式VIII-3的化合物,
其中參數具有以上在式VIII下給出的各個含義,並且較佳地
R81 表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、乙基、正丙基或正戊基、烷基,較佳乙基、正丙基或正戊基和
R82 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基(較佳具有1-5個C原子)或具有1-6個C原子的未取代的烷氧基。
在式VIII-1和VIII-2中,R82 較佳表示具有2或4個C原子的烷氧基,和最佳乙氧基和在式VIII-3中其較佳表示烷基,較佳甲基、乙基或正丙基,最佳甲基。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式IV的化合物,
一種或多種式IV的化合物
其中
R41 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基或具有2-7個C原子的未取代的烯基,較佳正烷基,特別較佳具有2、3、4或5個C原子的,和
R42 表示具有1-7個C原子的未取代的烷基,具有2-7個C原子的未取代的烯基,或具有1-6個C原子的未取代的烷氧基(均較佳具有2-5個C原子的),具有2-7個C原子的未取代的烯基(較佳具有2、3或4個C原子的),更佳乙烯基或1-丙烯基和特別是乙烯基。
在特別較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式IV的化合物,其選自式IV-1至IV-4的化合物,較佳式IV-1,



其中
alkyl和alkyl'彼此獨立地表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的烷基,
alkenyl和alkenyl'彼此獨立地表示具有2-5個C原子、較佳具有2至4個C原子、特別較佳2個C原子的烯基,
alkoxy表示具有1-5個C原子、較佳具有2-4個C原子的烷氧基。
在特別較佳的實施方案中,根據本發明的介質包含一種或多種式IV-1的化合物和/或一種或多種式IV-2的化合物。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式V的化合物。
根據本發明的介質較佳以指出的總濃度包含以下化合物:
1-60wt%的一種或多種選自式I化合物的化合物,和
5-60wt%的一種或多種式II的化合物,較佳選自式II-1和II-2的化合物,和/或
5-25wt%的一種或多種式III的化合物,和/或
5-45wt%的一種或多種式IV的化合物,和/或
5-25wt%的一種或多種式V的化合物,和/或
5-25wt%的一種或多種式VI的化合物,和/或
4-20wt%的一種或多種式VII的化合物,和/或
0-30wt%的一種或多種式VIII的化合物,較佳選自式VIII-1和VIII-2的化合物,和/或
4-60wt%的一種或多種式IX的化合物,
其中存在的所有式S以及I至IX的化合物在介質中的總含量較佳為95%或更高,並且更佳100%。
後一條件對於所有根據本申請的介質是較佳的。
在進一步較佳的實施方案中,除了式S或其較佳子式,和/或式I或其較佳子式的化合物和式VI和/或VII和/或VIII和/或IX的化合物之外,根據本發明的介質還較佳包含一種或多種選自式IV和V的化合物的化合物(較佳介電中性的),較佳其總濃度在5%或更高至90%或更低的範圍、較佳10%或更高至80%或更低、特別較佳20%或更高至70%或更低。
在特別較佳的實施方案中根據本發明的介質包含
一種或多種式II的化合物,其總濃度在5%或更高至50%或更低的範圍,較佳10%或更高至40%或更低的範圍,和/或
一種或多種式VII-1的化合物,其總濃度在5%或更高至30%或更低的範圍,和/或
一種或多種式VII-2的化合物,其總濃度在3%或更高至30%或更低的範圍。
較佳地,在根據本發明的介質中式S化合物的濃度在1%或更高至60%或更低的範圍,更佳5%或更高至40%或更低,最佳8%或更高至35%或更低。
較佳地,在根據本發明的介質中式I化合物(如果存在)的濃度在1%或更高至60%或更低的範圍,更佳5%或更高至40%或更低,最佳8%或更高至35%或更低。
在本發明的較佳實施方案中,介質包含一種或多種式I的化合物(較佳選自式I-1和I-2)以及一種或多種式I的化合物(較佳一種或多種式I-1和/或I-2的化合物)。
在本發明的較佳的實施方案中,在介質中式II化合物的濃度在3%或更高至60%或更低的範圍,更佳5%或更高至55%或更低,更佳10%或更高至50%或更低,和最佳15%或更高至45%或更低。
在本發明的較佳的實施方案中,在介質中式VII化合物的濃度為2%或更高至50%或更低的範圍,更佳5%或更高至40%或更低,更佳10%或更高至35%或更低,和最佳15%或更高至30%或更低。
在本發明的較佳的實施方案中,在介質中式VII-1的化合物的濃度在1%或更高至40%或更低的範圍,更佳2%或更高至35%或更低,或可替代地15%或更高至25%或更低。
在本發明的較佳的實施方案中,如果存在,在介質中式VII-2的化合物的濃度在1%或更高至40%或更低的範圍,更佳5%或更高至35%或更低,和最佳10%或更高至30%或更低。
本發明還涉及含有根據本發明的液晶介質的電光顯示器或電光組件。較佳基於VA、ECB、IPS或FFS效應,更佳基於VA、IPS或FFS效應的電光顯示器,和特別是通過有源矩陣定址器件定址的那些。
因此,本發明同樣涉及根據本發明的液晶介質在電光顯示器或在電光元件中的用途,和涉及製備根據本發明的液晶介質的方法,其特徵在於將一種或多種式I的化合物與一種或多種式II的化合物(較佳與一種或多種子式II-1和/或II-2的化合物)和/或與一種或多種式VII的化合物(較佳與一種或多種子式VII-1和/或VII-2的化合物),特別較佳一種或多種來自兩種或更多種、較佳三種或更多種上述那些式的不同式的化合物,和非常特別較佳來自這些式II-1、II-2、VII-1和VII-2的所有四個的化合物,和一種或多種其它化合物(較佳選自式IV和V的化合物),更佳與一種或多種式IV和式V二者的化合物混合。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式IV的化合物,選自式IV-2和IV-3的化合物,

其中
alkyl和alkyl'彼此獨立地表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的烷基,
alkoxy表示具有1-5個C原子、較佳具有2-4個C原子的烷氧基。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式V的化合物,其選自式V-1至V-5的化合物,較佳式V-1的化合物,
其中參數具有以上在式V下給出的含義和(F)0/1 是指F或H,並且較佳
R51 表示具有1-7個C原子的烷基或具有2-7個C原子的烯基,和
R52 表示具有1-7個C原子的烷基,具有2-7個C原子的烯基或具有1-6個C原子的烷氧基,較佳烷基或烯基,特別較佳烷基,和較佳
在式V-1中
R51 表示具有2-7個C原子的烯基,較佳2個C原子的和
R52 表示具有1-7個C原子的烷基,較佳1個C原子的和
在式V-3中
R51 表示具有1-7個C原子的烷基,較佳1個C原子的和
R52 表示具有2-7個C原子的烯基或具有1至6個C原子的烷氧基,較佳具有4或5個C原子的烯基, 較佳-(CH2 )2 -CH=CH2 ,-(CH2 )2 -CH=CH-CH3 ,特別較佳 -(CH2 )2 -CH=CH-CH3 ,
在式V-4中
R51 表示具有1-7個C原子的烷基,較佳乙基或正丙基,和
R52 表示具有1-7個C原子的烷基,較佳乙基,正丙基,正丁基或正戊基,或具有2-7個C原子的烯基, 較佳乙烯基,和
在式V-5中
R51 表示具有1至7個C原子的烷基或具有2至7個C原子的烯基,較佳正丙基或正戊基,和
R52 表示具有1-7個C原子的烷基,較佳正丙基或正戊基。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式V-1的化合物,其選自式V-1a和V-1b的化合物,
其中
alkyl和alkyl'彼此獨立地表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的烷基,和
alkenyl表示具有2-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的烯基。
此外,本發明涉及降低液晶介質雙折射率的波長色散的方法,所述液晶介質包含一種或多種式II的化合物,視需要地一種或多種選自式VII-1和VII-2化合物的化合物和/或一種或多種式IV的化合物和/或一種或多種式V的化合物,特徵在於在介質中使用一種或多種式I的化合物。
除了式I至V的化合物之外,也可以存在其它成分,例如量為整個混合物的至多45%、但較佳至多35%、特別是至多10%。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質基於整個混合物總共包含:
1%或更高至50%或更低,較佳2%或更高至35%或更低,特別較佳3%或更高至25%或更低的式S的化合物,
1%或更高至20%或更低,較佳2%或更高至15%或更低,特別較佳3%或更高至12%或更低的式I的化合物,
20%或更高至50%或更低,較佳25%或更高至45%或更低,特別較佳30%或更高至40%或更低的式II和/或III的化合物,和
0%或更高至35%或更低,較佳2%或更高至30%或更低,特別較佳3%或更高至25%或更低的式IV和/或V的化合物,和
5%或更高至50%或更低,10%或更高至45%或更低,較佳15%或更高至40%或更低的式VI和/或VII和/或VIII和/或IX的化合物。
根據本發明的液晶介質可以包含一種或多種手性化合物。
本發明特別較佳的實施方案滿足以下條件的一個或多個,
其中在表A至C中解釋了首字母縮寫(縮寫)並且在表D中通過實例闡明。
較佳地,根據本發明的介質滿足以下條件的一個或多個。
i. 所述液晶介質具有0.060或更大的雙折射率,特別較佳0.070或更大。
ii. 所述液晶介質具有0.200或更小的雙折射率,特別較佳0.180或更小。
iii. 所述液晶介質具有0.090或更大至0.120或更小的範圍的雙折射率。
iv. 所述液晶介質包含一種或多種特別較佳的式I-2的化合物。
v. 在整個混合物中式IV化合物的總濃度為25%或更高,較佳30%或更高,和較佳在25%或更高至49%或更低的範圍,特別較佳在29%或更高至47%或更低的範圍,和非常特別較佳在37%或更高至44%或更低的範圍。
vi. 所述液晶介質包含一種或多種選自下式化合物的式IV的化合物:CC-n-V和/或CC-n-Vm和/或CC-V-V和/或CC-V-Vn和/或CC-nV-Vn,特別較佳CC‑3-V,較佳其濃度至多60%或更低、特別較佳至多50%或更低,和視需要地額外地CC‑3‑V1,較佳其濃度至多15%或更低,和/或CC-4-V,較佳其濃度至多24%或更低、特別較佳至多30%或更低。
vii. 所述介質包含式CC-n-V的化合物,較佳CC-3-V,較佳其濃度為1%或更高至60%或更低、更佳濃度為3%或更高至35%或更低。
viii. 在整個混合物中式CC-3-V的化合物的總濃度較佳為15%或更低,較佳10%或更低或20%或更高,較佳25%或更高。
ix. 在整個混合物中式Y-nO-Om的化合物的總濃度為2%或更高至30%或更低,較佳5%或更高至15%或更低。
x. 在整個混合物中式CY-n-Om的化合物的總濃度為5%或更高至60%或更低,較佳15%或更高至45%或更低。
xi. 在整個混合物中式CCY-n-Om和/或CCY-n-m,較佳CCY-n-Om的化合物的總濃度為5%或更高至40%或更低,較佳1%或更高至25%或更低。
xii. 在整個混合物中式CLY-n-Om化合物的總濃度為5%或更高至40%或更低,較佳10%或更高至30%或更低。
xiii. 所述液晶介質包含一種或多種式IV,較佳式IV-1和/或IV-2的化合物,較佳其總濃度為1%或更高、特別是2%或更高和非常特別較佳3%或更高至50%或更低、較佳35%或更低。
xiv. 所述液晶介質包含一種或多種式V、較佳式V-1和/或V-2的化合物,較佳其總濃度為1%或更高,特別是2%或更高,和非常特別較佳15%或更高至35%或更低,較佳30%或更低。
xv. 在整個混合物中式CCP-V-n,較佳CCP-V-1的化合物的總濃度較佳為5%或更高至30%或更低,較佳15%或更高至25%或更低。
xvi. 在整個混合物中式CCP-V2-n,較佳CCP-V2-1的化合物的總濃度較佳為1%或更高至15%或更低,較佳2%或更高至10%或更低。
此外,本發明涉及具有基於VA、ECB、IPS、FFS或UB-FFS效應的有源定址的電光顯示器,特徵在於其含有根據本發明的液晶介質作為電介質。
所述液晶混合物較佳具有有著至少70度寬度的向列相。
旋轉粘度g1 較佳為80mPa×s或更小,較佳60mPa×s或更小並且特別地50mPa×s或更小。
根據本發明的混合物適用於所有使用介電正性液晶介質的IPS和FFS-TFT應用,例如SB-FFS。
根據本發明的液晶介質較佳幾乎完全由4至18種,特別是5至15種和特別較佳12種或更少的化合物組成。這些較佳選自式S、I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII和IX的化合物。
根據本發明的液晶介質可以視需要地還包含超過18種的化合物。在這種情況下,它們較佳包含18至25種化合物。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質主要由,較佳實質上由和最佳幾乎完全由不含氰基的化合物組成。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質包含選自式I、II和III、IV和V和VI至IX的化合物的化合物,較佳選自式I-1和I-2、II(較佳選自II-1和II-2)、III(較佳選自III-1和III-2)、IV、V、VII(較佳選自VII-1和VII-2)、VIII和IX的化合物的化合物;它們較佳主要由、特別較佳實質上由和非常特別較佳幾乎完全由所述式的化合物組成。
根據本發明的液晶介質在每種情況下較佳具有至少-10℃或更低至70℃或更高,特別較佳‑20℃或更低至75℃或更高,非常特別較佳‑30℃或更低至80℃或更高和最佳‑40℃或更低至85℃或更高的向列相。
此處表述“具有向列相”在一方面是指在低溫下在相應的溫度下未觀察到近晶相和結晶,和在另一方面在從向列相加熱時未發生清亮。在低溫下的研究在相應的溫度下在流動粘度計中進行並且通過儲存在具有對應於至少100小時的電光應用的盒厚度的測試盒中檢查。如果在相應的測試盒中在‑20℃的溫度下的儲存穩定性為1,000小時或更長,則該介質被視為在該溫度下穩定。在‑30℃和‑40℃的溫度下,相應的時間分別為500小時和250小時。在高溫下,通過常規方法在毛細管中測量清亮點。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質的特徵在於在適中至低範圍的光學各向異性值。雙折射率值較佳在0.075或更大至0.130或更小的範圍,特別較佳0.085或更大至0.120或更小的範圍,和非常特別較佳0.090或更大至0.115或更小的範圍。
在該實施方案中,根據本發明的液晶介質具有正介電各向異性和相對高的介電各向異性絕對值De,其較佳在2.0或更大、較佳3.0或更大、更佳4.0或更大至15或更小、更佳至10或更小,更佳4.0或更大至10或更小,特別較佳5.0或更大至9.0或更小,和非常特別較佳6.0或更大至8.0或更小的範圍。
根據本發明的液晶介質較佳具有相對低的閾值電壓(V0 )值,其範圍為1.0V或更高至2.0V或更低,較佳1.2V或更高至1.8V或更低,特別較佳1.3V或更高至1.5V或更低。
在進一步較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質較佳具有相對高的平均介電常數值(eav. ≡(eêê +2e^ )/3),其較佳在4.0或更大至10.0或更小的範圍,較佳5.0或更大至9.0或更小,更佳至8.0或更小。
此外,根據本發明的液晶介質在液晶盒中具有高的VHR值。
在20℃或25℃下新鮮填充的盒中,在盒中,VHR的這些值大於或等於95%,較佳大於或等於97%,特別較佳大於或等於98%和非常特別較佳大於或等於99%,和在100℃下爐中5分鐘之後,在盒中,這些大於或等於90%,較佳大於或等於93%,特別較佳大於或等於96%和非常特別較佳大於或等於98%。
通常,此處具有低定址電壓或閾值電壓的液晶介質相比具有更高定址電壓或閾值電壓的那些具有更低的VHR,並且反之亦然。
這些各個物理性能較佳的值在每種情況下也較佳通過根據本發明的介質彼此結合來保持。
在本申請中,除非另有明確指出,術語“化合物”也寫作“(一種或多種)化合物”是指一種和多種化合物二者。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質包含:
一種或多種式STA的化合物,和
一種或多種式I的化合物,和/或
一種或多種式II的化合物,較佳選自式PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F和PGUQU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式III的化合物,較佳選自式CCP-n-OT、CCG-n-OT、CLP-n-T、CGG-n-F和CGG-n-OD的化合物,和/或
一種或多種式IV的化合物,較佳選自式CC-n-V、CC-n-Vm、CC-n-m、和CC-V-V的化合物,和/或
一種或多種式V的化合物,較佳選自式CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n、CLP-V-n、CCVC-n-V、和CGP-n-m的化合物和/或
一種或多種式VI的化合物,較佳選自式Y-n-Om、Y-nO-Om和/或CY-n-Om的化合物,選自式Y-3-O1、Y-4O-O4、CY‑3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和CY-5-O4的化合物,和/或
一種或多種式CCGU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式PPGU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式DPGU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式CDUQU-n-F化合物,和/或
一種或多種式APUQU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式PGUQU-n-F的化合物,和/或
一種或多種式CCVC-n-V的化合物,和/或
視需要地,較佳必須地,一種或多種式VII-1的化合物,較佳選自式CCY-n-m和CCY-n-Om的化合物,較佳式CCY-n-Om,較佳選自式CCY-3-O2、CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O3、CCY-4-O2、CCY-3-O2和CCY-5-O2的化合物,和/或
視需要地,較佳必須地,一種或多種式VII-2的化合物,較佳式CLY-n-Om,較佳選自式CLY-2-O4、CLY-3-O2、CLY-3-O3的化合物,和/或
一種或多種式VIII的化合物,較佳選自式CZY-n-On和CCOY-n-m的化合物和/或
一種或多種式IX的化合物,較佳式PYP-n-m和/或
視需要地,較佳必須地,一種或多種式IV的化合物,較佳選自式CC-n-V、CC-n-Vm和CC-nV-Vm的化合物,較佳選自式CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V、CC-5-V和CC-V-V,特別較佳選自式CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V和CC-V-V的化合物,非常特別較佳化合物CC-3-V,和視需要額外地一種或多種選自式CC-4-V和/或CC-3-V1和/或CC-V-V的化合物的化合物,和/或
視需要地,較佳必須地,一種或多種式V的化合物,較佳式CCP-V-1和/或CCP-V2-1。
在本發明一個特定的較佳實施方案中,根據本發明的介質包含一種或多種式IX的化合物。
式IX的化合物也高度適用作液晶混合物中的穩定劑,尤其是在p=q=1和環A9 =1,4-亞苯基的情況下。特別地,它們針對UV曝光穩定了混合物的VHR。
在較佳的實施方案中,根據本發明的介質包含一種或多種式IX的化合物,其選自一種或多種式IX-1至IX-4的化合物,非常特別較佳式IX-1至IX-3,最佳式IX-1
其中參數具有在式IX下給出的含義。
在進一步較佳的實施方案中,所述介質包含一種或多種式IX-3的化合物,較佳式IX-3-a的化合物,
其中
alkyl和alkyl’彼此獨立地表示具有1-7個C原子、較佳具有2-5個C原子的烷基。
在式IX的化合物用於根據本申請的液晶介質的情況下,它們較佳以20%或更低、更佳10%或更低和最佳5%或更低的濃度存在,並且對於單個即(同系(homologous))化合物,較佳濃度為10%或更低和更佳5%或更低。
對於本發明,在各個情況下,除非另有說明,以下定義適用于組合物成分的說明:
- “包含”:組合物中所討論的成分的濃度較佳5%或更高,特別較佳10%或更高,非常特別較佳20%或更高,
- “主要由…組成”:組合物中所討論的成分的濃度較佳50%或更高,特別較佳55%或更高和非常特別較佳60%或更高,
- “基本上由…組成”:組合物中所討論的成分的濃度較佳80%或更高,特別較佳90%或更高和非常特別較佳95%或更高,和
- “幾乎完全由…組成”:組合物中所討論的成分的濃度較佳98%或更高,特別較佳99%或更高和非常特別較佳100.0%。
這適用于作為具有其成分(其可以是組分和化合物)的組合物的介質,並且也適用于具有其成分(化合物)的組分。只有當涉及相對於整個介質的各個化合物的濃度時,術語“包含”才表示討論中的化合物的濃度較佳1%或更高,特別較佳2%或更高,非常特別較佳4%或更高。
對於本發明,“£”是指小於或等於,較佳小於,和“³”是指大於或等於,較佳大於。
對於本發明,
表示反式 -1,4-亞環己基,
表示1,4-亞環己基,較佳反式-1,4-亞環己基,和
表示1,4-亞苯基。
對於本發明,表述“介電正性化合物”是指具有>1.5的De的化合物,表述“介電中性化合物”是指其中‑1.5£De£1.5的那些和表述“介電負性化合物”是指其中De<‑1.5的那些(所有均在20℃的溫度和1kHz的頻率)。此處化合物的介電各向異性通過將10%的化合物溶解在液晶主體中並且在1kHz下在至少一個具有垂面表面配向和具有沿面表面配向的具有20µm盒厚度的測試盒中測量所得混合物在每種情況下的電容而測定。測量電壓通常是0.5V至1.0V,但總是低於所研究的各自液晶混合物的電容閾值。用於介電正性和介電中性化合物的主體混合物是ZLI-4792並且用於介電負性化合物的主體混合物為ZLI‑2857,二者均來自Merck KGaA(德國)。待研究的各自化合物的值由在添加待研究的化合物之後主體混合物的介電常數的變化並且外推至100%所採用的化合物而獲得。以10%的量將待研究的化合物溶解在主體混合物中。如果物質的溶解度對於該目的太低,則逐步將濃度減半直到研究可以在期望的溫度下進行。
如果需要,根據本發明的液晶介質也可以通常的量包含其它添加劑,例如穩定劑和/或多色性,例如二色性染料和/或手性添加劑。所採用的這些添加劑的量總共較佳0%或更高至10%或更低,基於整個混合物的量,特別較佳0.1%或更高至6%或更低。所採用的各個化合物的濃度較佳0.1%或更高至3%或更低。當指定在液晶介質中液晶化合物的濃度和濃度範圍時,通常不考慮這些和類似添加劑的濃度。
在較佳的實施方案中,根據本發明的液晶介質包含聚合物前體,所述聚合物前體包含一種或多種反應性化合物,較佳反應性介晶,和如果需要,以通常量包含其它的添加劑,例如聚合引發劑和/或聚合緩和劑。基於整個混合物的量,所採用的這些添加劑的量總共為0%或更高至10%或更低,較佳0.1%或更高至2%或更低。當指定液晶介質中液晶化合物的濃度和濃度範圍時,不考慮這些和類似添加劑的濃度。
所述組合物由多種化合物組成,較佳3或更多至30或更少,特別較佳6或更多至20或更少和非常特別較佳10或更多至16或更少種類的化合物,其以常規的方式混合。通常,以較少量使用的所期望量的組分溶解在組成混合物主要成分的組分中。這有利地在升高的溫度下進行。如果所選擇的溫度高於主要成分的清亮點,則特別容易觀察到溶解操作完成。然而,也可以其它常規的方式製備液晶混合物,例如使用預混合或由所謂的“多瓶體系”製備。
根據本發明的混合物展現出清亮點在65℃或更高的非常寬的向列相範圍,非常有利的電容閾值,相對高的電壓保持率(VHR)值以及同時在-30℃和-40℃下非常良好的低溫穩定性。此外,根據本發明的混合物的特徵在於低的旋轉粘度g1
對本領域技術人員不言而喻,用於VA、IPS、FFS或PALC顯示器的根據本發明的介質還可以包含其中例如H、N、O、Cl、F已經被相應的同位素代替的化合物。
根據本發明的液晶顯示器的結構對應於一般的幾何結構,如例如描述於EP‑A0240379中的。
根據本發明的液晶相可以通過合適的添加劑以它們可以在任何類型的例如迄今已經公開的IPS和FFS LCD顯示器中採用的方式來改性。
下表E表明了可以添加到根據本發明的混合物中的可能的摻雜劑。如果混合物包含一種或多種摻雜劑,則其或它們以0.01%至4%,較佳0.1%至1.0%的量採用。
例如可以較佳以0.01%至6%,特別是0.1%至3%的量添加至根據本發明的混合物中的穩定劑示於下表F中。
為了本發明的目的,除非另外明確指出,所有濃度是以重量百分比指出的,且涉及相應的整個混合物或同樣作為整體的混合物組分,除非另有明確指出。在此上下文中,術語“混合物”描述液晶介質。
除非另有明確指出,在本申請中指出的所有溫度的值,如熔點T(C,N),從近晶(S)相到向列(N)相的轉變T(S,N)以及清亮點T(N,I),都以攝氏溫度(℃)表示,並且所有的溫度差相應地以差示度(°或度)表示。
對於本發明,術語“閾值電壓”指的是電容性閾值(V0 ),也稱為Freedericks-閾值,除非另外明確指出。
所有物理性能是並且已經依據“Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals”,Status 1997年11月, Merck KGaA(德國)測定的並且適用溫度20℃或25℃,且Δn在436 nm、589nm和633nm下測定和Δε在1kHz下測定,除非每種情形下另外明確指出。貫穿本申請,標準溫度或參照溫度為20℃。
電光性能,例如閾值電壓(V0 )(電容性測量)(如切換行為那樣)是在Merck Japan製備的測試盒中測量的。所述測量盒具有鈉鈣玻璃基板並且構造成具有聚醯亞胺配向層的ECB或VA配置(使用稀釋劑**26的SE-1211(混合比1:1),均來自Nissan Chemicals,日本),其已經彼此垂直摩擦並且影響液晶的垂面配向。透明幾乎正方形的ITO電極的表面積為1 cm2
除非另有說明,不將手性摻雜劑添加至所使用的液晶混合物中,但後者也特別適用於其中這種類型摻雜是必須的應用中。
旋轉粘度使用旋轉永磁體方法測量並且流動粘度在改進的烏氏粘度計中測量。對於液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792和MLC-6608(所有產品來自MerckKGaA, Darmstadt(德國)),在20℃下測定的旋轉粘度值分別為161 mPa·s、133 mPa·s和186 mPa·s,和流動粘度值(n)分別為21 mm2 ·s-1 、14 mm2 ·s-1 和27 mm2 ·s-1
材料的折射率色散對於實際目的可以方便地以以下方式表徵,除非另有說明其在整個申請中使用。雙折射率值在20℃或25℃的溫度下在幾個固定波長下使用改進的阿貝折射計測定,其中垂面配向的表面在棱鏡的側面上與該材料接觸。雙折射率值在436nm(低壓汞燈的各所選光譜線)、589nm(鈉“D”線)和633nm(HE-Ne雷射器的波長,該雷射器與衰減器/擴散器組合使用以防止對觀察者的眼睛造成傷害)的特定波長值下測定。在下表中,Dn在589nm下給出和D(Dn)作為D(Dn) = Dn(436 nm) -Dn(633nm)而給出。
除非另有明確說明,使用了以下符號:
V0 表示閾值電壓,電容性[V],在20℃或25℃下,
ne 表示在20℃或25℃和589nm下測量的非尋常折射率,
no 表示在20℃或25℃和589nm下測量的尋常折射率,
Dn表示在20℃或25℃和589nm下測量的光學各向異性,
l表示波長l[nm],
Dn(l)表示在20℃或25℃和波長 l下測量的光學各向異性,
e^表示在20℃或25℃和1 kHz下垂直於指向矢的電介質極化率,
e÷÷ 表示在20℃或25℃和1 kHz下平行於指向矢的電介質極化率,
De表示在20℃或25℃和1 kHz下的介電各向異性,
T(N,I)或cl.p.表示清亮點 [℃],
n表示在20℃或25℃下測量的流動粘度[mm2 ·s-1 ],
g1表示在20℃或25℃下測量的旋轉粘度[mPa×s],
k11 表示彈性常數,在20℃下的“斜展”變形[pN],
k22 表示彈性常數,在20℃或25℃下的“扭曲”變形[pN],
k33 表示彈性常數,在20℃或25℃下的“彎曲”變形[pN],
LTS表示在測試盒中測量的相的低溫穩定性,
VHR表示在20℃或25℃下的電壓保持率,
DVHR表示在20℃或25℃下的電壓保持率的降低,和
Srel 表示在20℃或25℃下的VHR的相對穩定性,
以下實施例解釋了本發明,而不是限制它。然而,它們向本領域技術人員顯示了使用較佳待採用的化合物和其各自濃度以及其彼此組合的較佳的混合物構思。此外,實施例闡明了可獲得的性能和性能組合。
對於本發明和在以下實施例中,通過首字母縮寫詞表示了液晶化合物的結構,根據下表A至C轉成化學式。所有基團Cn H2n+1 、Cm H2m+1 和Cl H2l+1 或Cn H2n 、Cm H2m 和Cl H2l 為直鏈烷基或亞烷基基團,在每種情況下,各自具有n、m和l個C原子。較佳地,n、m和l彼此獨立地為1、2、3、4、5、6或7。表A顯示了化合物核的環要素的代碼,表B列舉了橋接單元,和表C列舉了分子左手和右手端基的符號含義。首字母縮寫詞由具有視需要連接基團的環要素的代碼,之後是第一連字元以及左手端基代碼,和第二連字號以及右手端基代碼組成。表D顯示了化合物的示例性結構和它們各自的縮寫。
A: 環要素

B: 橋接單元

C: 端基
其中 n和m各自為整數,和三個點“...”為來自該表的其它縮寫的預留位置。
除了式I的化合物之外,根據本發明的混合物較佳還包含一種或多種以下提及的化合物的化合物。
使用了以下縮寫:
(n、m和l各自彼此獨立地為整數,較佳1-6,l 也可能是0並且較佳0或2)

D
具有高e^ 的示例性較佳的式I的化合物:

額外的化合物為

示例性的較佳的介電正性化合物
示例性的較佳的介電中性化合物


示例性的較佳的介電負性化合物

















表E顯示了在根據本發明的混合物中採用的較佳的手性摻雜劑。
E
在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質包含一種或多種選自表E化合物的化合物。
除了式I的化合物之外,表F顯示了較佳亦可在本發明的混合物中採用的穩定劑。此處參數n表示1-12範圍的整數。特別地,所顯示的酚類衍生物可以作為額外的穩定劑採用,因為它們充當抗氧劑。
F

在本發明的較佳的實施方案中,根據本發明的介質包含一種或多種選自表F化合物的化合物,特別是一種或多種選自以下兩個式的化合物的化合物。

實施例
以下實施例解釋了本發明而不以任何方式對其進行限制。然而,物理性能使得本領域技術人員清楚可以實現何種性能以及在哪些範圍它們可以修改。特別地,因此對於本領域技術人員來說可以較佳實現的多種性能的組合是良好限定的。
混合物實施例
以下是所公開的示例性混合物。


實施例 1
製備並研究以下混合物(M-1)。

該混合物,混合物M-1,在25℃下具有0.66的介電比(e^ /De),5.04 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.050%的STA-1-1添加至混合物M-1。研究了所得混合物M-1.1的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 2
製備並研究以下混合物(M-2)。


該混合物,混合物M-2,在25℃下具有0.86的介電比(e^ /De),4.02 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.050%的STA-1-1添加至混合物M-2。研究了所得混合物M-2.1的穩定性,發現穩定性是優異的。


實施例 3
製備並研究以下混合物(M-3)。


該混合物,混合物M-3,在25℃下具有0.97的介電比(e^ /De),4.05 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.050%的STA-1-1添加至混合物M-3。研究了所得混合物M-3.1的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 4
製備並研究以下混合物(M-4)。


該混合物,混合物M-4,在25℃下具有0.82的介電比(e^ /De),5.88 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。


實施例 5
製備並研究以下混合物(M-5)。

備註: t.b.d.:待測定

該混合物,混合物M-5,在20℃下具有1.52的介電比(e^ /De),4.13 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。



實施例 6
製備並研究以下混合物(M-6)。

備註: t.b.d.:待測定

該混合物,混合物M-6,在20℃下具有1.87的介電比(e^ /De),4.92 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。



實施例 7
製備並研究以下混合物(M-7)。


該混合物,混合物M-7,在20℃下具有0.89的介電比(e^ /De),6.79 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
分別將0.020%和0.050%的TINUVIN770®添加至混合物M-7。研究了所得混合物M-7.1和M7.2的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 8
製備並研究以下混合物(M-8)。

備註: t.b.d.:待測定
該混合物,混合物M-8在20℃下具有0.98的介電比(e^ /De),7.25 mPa×s/pN的 (g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.050%的TINUVIN770®添加至混合物M-8。研究了所得混合物M-8.1的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 9
製備並研究以下混合物(M-9)。

備註: t.b.d.:待測定
該混合物,混合物M-9在25℃下具有0.72的介電比(e^ /De),6.02 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.020%的化合物S添加至混合物M-9。研究了所得混合物M-9.1的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 10
製備並研究以下混合物(M-10)。

備註: t.b.d.:待測定

該混合物,混合物M-10具有0.72的介電比(e^ /De),6.02 mPa×s/pN的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.020%的化合物S添加至混合物M-10。研究了所得混合物M-10.1的穩定性,發現穩定性是優異的。

實施例 11
製備並研究以下混合物(M-11)。

備註: t.b.d.:待測定

該混合物,混合物M-11具有有益的介電比(e^ /De),良好的(g1 /k11 )比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.020%的化合物TINUVIN®或者STA-1-1添加至混合物M-11。研究了所得混合物M-11.1和M-11.2的穩定性,發現穩定性是優異的。


實施例 12
製備並研究以下混合物(M-12)。



實施例 13
製備並研究以下混合物(M-13)。



實施例 14
製備並研究以下混合物(M-14)。


這些另外的三種示例性混合物,混合物M-12;M-13和M-14,具有有益的介電比(e^ /De),良好的(g1 /k11 )的比並且特徵在於在FFS顯示器中非常良好的透射率並且顯示出非常短的回應時間。
將0.020 %的化合物TINUVIN®或STA-1-1添加至混合物M-12, M-13和M-14的每個中。分別研究了所得混合物 M-12.1和M-12.2;M-13.1和M-13.2;與M-14.1和M-14.2的穩定性,發現穩定性是優異的。

Claims (15)

  1. 一種液晶介質,其特徵在於其包含一種或多種式I的化合物 其中 n- 表示0或1, R11 和R12 彼此獨立地表示具有1-9個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2-9個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基。
  2. 根據請求項1的介質,其特徵在於其包含一種或多種式I的化合物,其選自式I-1和I-2的化合物: 其中參數具有請求項1中給出的含義。
  3. 根據請求項2的介質,其特徵在於其包含一種或多種式I-1的化合物。
  4. 根據請求項1至3中任一項的介質,其特徵在於其包含一種或多種選自式II和III化合物的化合物: 其中 R2 表示具有1-7個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2-7個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基, L21 和L22 彼此獨立地表示H或F, X2 表示鹵素,具有1-3個C原子的鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子的鹵化烯基或烯氧基, m 表示0、1、2或3, R3 表示具有1-7個C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基,具有2-7個C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基- L31 和L32 彼此獨立地表示H或F, X3 表示鹵素,具有1-3個C原子的鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子的鹵化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3 、-OCHF2 、-O-CH2 CF3 、‑O‑CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 , Z3 表示‑CH2 CH2 ‑、‑CF2 CF2 ‑、‑COO‑、反式 ‑CH=CH‑、反式 CF=CF‑、‑CH2 O-或單鍵,和 n 表示0、1、2或3。
  5. 根據請求項1至3中任一項的液晶介質,其特徵在於其包含一種或多種選自式IV和V的化合物: 其中 R41 和R42 彼此獨立地具有在請求項4中在式II下針對R2 所指示的含義, Z41 和Z42 彼此獨立地,且若Z41 出現兩次,則這些也彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反式 - CH=CH-、反式 - CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵, p 表示0、1或2, R51 和R52 彼此獨立地具有針對R41 和R42 所給出的含義之一, Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、‑CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵,和 i和j各自彼此獨立地表示0或1。
  6. 根據請求項1至3中任一項的液晶介質,其特徵在於其包含一種或多種選自式VI至IX的化合物: 其中 R61 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,具有2-7個C原子的未被取代的烯基基團,具有1-6個C原子的未被取代的烷氧基基團或具有2-6個C原子的未被取代的烯氧基基團, R62 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,具有1-6個C原子的未被取代的烷氧基基團或具有2-6個C原子的未被取代的烯氧基基團,和 l 表示-0或1, R71 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,或具有2-7個C原子的未被取代的烯基基團, R72 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,具有1-6個C原子的未被取代的烷氧基基團或具有2-6個C原子的未被取代的烯氧基基團, R81 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,或具有2-7個C原子的未被取代的烯基基團, R82 表示具有1-7個C原子的未被取代的烷基基團,具有1-6個C原子的未被取代的烷氧基基團或具有2-6個C原子,較佳具有2、3或4個C原子的未被取代的烯氧基基團, Z8 表示-(C=O)-O-、-CH2 -O-、-CF2 -O-或-CH2 -CH2 -, o 表示0或1, R91 和R92 彼此獨立地具有以上針對R72 給出的含義, p和q 彼此獨立地表示0或1。
  7. 根據請求項1至3中任一項的介質,其特徵在整個介質中式I的化合物的總濃度為1%或更高至60%或更低。
  8. 根據請求項1至3中任一項的介質,其特徵在於其包含一種或多種選自式CCVC-n-V、CCGU-n-F、PPGU-n-F、DPGU-n-F、CDUQU-n-F和APUQU-n-F的化合物,其中n表示1至6的整數。
  9. 根據請求項1至3的任一項的介質,特徵在於除式I的一種或多種化合物之外,其還包含一種或多種其他穩定劑。
  10. 一種電光顯示器或電光元件,特徵在於其包含根據請求項1至9中任一項的液晶介質。
  11. 根據請求項10的顯示器,特徵在於其基於IPS或FFS模式。
  12. 根據請求項10的顯示器,特徵在於其包含有源矩陣定址器件。
  13. 根據請求項10至12中任一項的顯示器,特徵在於其是移動顯示器。
  14. 一種如請求項1至9中任一項的介質在電光顯示器或在電光組件中的用途。
  15. 一種製備如請求項1-9中任一項的液晶介質的方法,特徵在於將一種或多種式I的化合物與一種或多種額外的介晶化合物和視需要的穩定劑混合。
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