TW201919803A - 降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置 - Google Patents

Abstract

本發明能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。又，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。 降低玻璃基板G之殘留應力之方法包含雷射光照射步驟，該雷射光照射步驟係以短時間反覆對玻璃基板G之殘留應力較高之部分之複數處分別照射雷射光，藉此將雷射光近似於同時地照射至複數處。

Description

降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置

本發明係關於一種降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置。

為了將玻璃之基板按製品尺寸切出，而藉由刀輪於玻璃基板上形成劃線，然後將玻璃基板彎折，藉此沿著劃線將玻璃基板分斷(例如，參照專利文獻1)。 但藉由刀輪刃所施加之力及分斷時所施加之應力會導致劃線上有殘留應力殘留。因此，容易於玻璃基板之表面沿著水平方向自然地發生龜裂，又，隨著時間經過，龜裂會藉由濕氣等進一步擴大。

又，已知有如下技術：對玻璃基板之端面(邊緣)照射雷射光，進行熔融倒角，藉此提高玻璃基板之端面之強度(例如，參照專利文獻2)。藉由該熔融倒角，基板邊緣之微細龜裂消失，端面強度提高。 但於該方法中，熔融部附近會產生殘留應力。而且，由於殘留應力，基板斷裂之可能性增大。具體而言，發生內部缺陷之經時成長或後發之損傷導致之破壞的可能性增大，根據殘留應力之大小，有時會於數十分鐘以內發生破壞。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平6-144875號公報 [專利文獻2]日本專利第5245819號公報

[發明所欲解決之問題]

考慮到以上情況，先前便開發出了降低玻璃基板之邊緣之殘留應力之方法。例如，於降低玻璃基板之殘留應力之方法中，先升溫，然後再進行徐冷。具體而言，首先，將玻璃基板整體均勻地加熱至玻璃轉移點以上之溫度，其次，以該溫度保持固定時間，最後，將玻璃基板整體徐冷至常溫。一般而言，加熱、保持、徐冷之步驟需耗費數個小時以上之時間。 於該方法中，具有能將玻璃基板之邊緣之殘留應力大致完全地去除之優點。又，具有能於爐內同時處理複數個玻璃基板之優點。

但因要將基板整體加熱至玻璃轉移點以上，故無法對與例如樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃製品加以應用。於圖16中，表示出了於玻璃基板G一體地形成有樹脂材料P1、P2之玻璃製品。 又，因1次殘留應力降低處理需耗費數個小時以上之時間，故無法於產生殘留應力後立即降低殘留應力。因此，難以對因較高之殘留應力而於數十分鐘以內發生破壞之概率較高的玻璃基板加以應用。

本發明之第一目的在於，能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。 本發明之第二目的在於，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。 [解決問題之技術手段]

以下，作為解決問題之技術手段，對複數個態樣進行說明。該等態樣可視需要而任意組合。

本發明之一觀點之降低玻璃基板之殘留應力之方法包含下述步驟。 ◎雷射光照射步驟，其係以短時間反覆對玻璃基板之殘留應力較高之部分之複數處分別照射雷射光，藉此將雷射光近似於同時地照射至複數處。 於該方法中，玻璃基板之殘留應力較高之部分被加熱，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而不易對樹脂等造成熱之影響。 又，於該方法中，將雷射光近似於同時地照射至玻璃基板之複數處，藉此複數處被同時加熱1微微秒～100秒鐘左右。其結果，於加熱區，殘留應力降低，故而，即便對通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。 所謂「殘留應力較高之部分被加熱」，表示玻璃基板上存在不被加熱之部分。 所謂「降低殘留應力」，表示內部缺陷之經時成長得到抑制，並將殘留應力降低至未被施加外力之玻璃基板於既定時間內不會斷裂之程度。

該方法亦可進而包含將玻璃基板中被照射雷射光後之部分冷卻之步驟。 於該方法中，例如若藉由第1次複數處同時加熱，將加熱區中之殘留應力降低後，將雷射照射位置錯開而進行第2次複數處同時加熱，以降低剩餘區域之殘留應力，則能縮短加熱動作彼此之時間間隔。其理由如下所述。 本發明人等基於實驗，獲得了如下發現，即，於殘留應力降低處理中，需將會成為高溫之區域抑制於沿著殘留應力產生區域之方向之狹窄範圍內。因此，例如於第1次加熱部與第2次加熱部鄰接之情形時，第2次加熱需等待至第1次加熱部之溫度降低方可執行。另一方面，於上述方法中，第2次加熱係於第1次加熱部藉由冷卻步驟而冷卻後進行。其結果，將成為高溫之區域藉由冷卻於沿著殘留應力產生區域之方向上被抑制得較窄，從而可獲得較高之殘留應力降低效果。即，藉由包含冷卻步驟，加熱動作彼此之時間間隔縮短，能縮短殘留應力降低處理之產距時間，即便對通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

本發明之另一觀點之降低玻璃基板之殘留應力之裝置具備雷射裝置。雷射裝置以短時間反覆對玻璃基板之殘留應力較高之部分之複數處分別照射雷射光，藉此將雷射光近似於同時地照射至複數處。 於該裝置中，玻璃基板之殘留應力較高之部分被加熱，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而不易對樹脂等造成熱之影響。 又，於該裝置中，將雷射光近似於同時地照射至玻璃基板之複數處，藉此複數處被同時加熱1微微秒～100秒鐘左右。其結果，於加熱區，殘留應力降低，故而，即便對通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

該裝置亦可進而具備將上述玻璃基板中被照射雷射光後之部分冷卻之冷卻裝置。 於該裝置中，例如若藉由第1次複數處同時加熱，將加熱區中之殘留應力降低後，將雷射照射位置錯開而進行第2次複數處同時加熱，以降低剩餘區域之殘留應力，則能縮短加熱動作彼此之時間間隔。其理由如下所述。 本發明人等基於實驗，獲得了如下發現，即，於殘留應力降低處理中，需將會成為高溫之區域抑制於沿著殘留應力產生區域之方向之狹窄範圍內。因此，例如於第1次加熱部與第2次加熱部鄰接之情形時，第2次加熱需等待至第1次加熱部之溫度降低方可執行。另一方面，於上述裝置中，第2次加熱係於第1次加熱部藉由冷卻裝置而冷卻後進行。其結果，將成為高溫之區域藉由冷卻於沿著殘留應力產生區域之方向上被抑制得較窄，從而可獲得較高之殘留應力降低效果。即，藉由具備冷卻裝置，加熱動作彼此之時間間隔縮短，能縮短殘留應力降低處理之產距時間，即便對通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。 [發明之效果]

根據本發明，能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而不易對樹脂等造成熱之影響。進而，根據本發明，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。其理由在於，將玻璃基板之複數處同時加熱1微微秒～100秒鐘左右，執行1次該加熱或將加熱位置錯開而執行複數次該加熱，藉此，於加熱區，殘留應力降低。

1.第1實施形態 (1)雷射照射裝置 圖1表示本發明之一實施形態之雷射照射裝置1之整體構成。圖1係本發明之第1實施形態之雷射照射裝置之模式圖。 雷射照射裝置1具有藉由將玻璃基板G之殘留應力較高之部分加熱而降低殘留應力之功能。

玻璃基板G包括僅由玻璃形成者、使玻璃中組合樹脂等其他構件而成者。作為玻璃之種類之具有代表性之例，可列舉用於顯示器或儀錶面板等之鈉玻璃、無鹼玻璃，但種類並不限定於其等。關於玻璃之厚度，具體而言，為3 mm以下，例如為0.004～3 mm之範圍，較佳為0.2～0.4 mm之範圍。

雷射照射裝置1具備雷射裝置3。雷射裝置3具有用以對玻璃基板G照射雷射光之雷射振盪器15、雷射控制部17。雷射控制部17能控制雷射振盪器15之驅動及雷射功率。

雷射裝置3具有將雷射光傳輸至下述機械驅動系統側之傳輸光學系統5。傳輸光學系統5例如具有聚光透鏡19、複數個反射鏡(未圖示)、稜鏡(未圖示)等。傳輸光學系統5進而具有檢流計式掃描器43。檢流計式掃描器43能使雷射光束同步於雷射脈衝之重複，於二維方向上振盪。 雷射照射裝置1具有驅動檢流計式掃描器43之驅動機構11。雷射照射裝置1進而具有藉由使聚光透鏡19之位置沿著光軸方向移動而變更雷射光點之大小之驅動機構(未圖示)。

雷射照射裝置1具有載置玻璃基板G之加工台7。加工台7係藉由台驅動部13而移動。 台驅動部13具有使加工台7相對於頭部(未圖示)沿著水平方向移動之移動裝置(未圖示)。移動裝置係具有導軌、馬達等之公知機構。

雷射照射裝置1具備控制部9。控制部9係具有處理器(例如，CPU(Central Processing Unit，中央處理單元))、記憶裝置(例如，ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drives，固態驅動器)等)、各種介面(例如，A/D(Analog/Digital，類比/數位)轉換器、D/A(Digital /Analog，數位/類比)轉換器、通信介面等)之電腦系統。控制部9藉由執行記憶部(對應於記憶裝置之記憶區域之一部分或全部)中所保存之程式，而執行各種控制動作。 控制部9可包含單個處理器，亦可包含用於各控制之獨立之複數個處理器。

控制部9能控制雷射控制部17。控制部9能控制驅動機構11。控制部9能控制台驅動部13。控制部9能控制聚光透鏡19之位置。 雖未圖示，但於控制部9連接有檢測玻璃基板G之大小、形狀及位置之感測器，用以檢測各裝置之狀態之感測器及開關，以及資訊輸入裝置。

於圖1中，表示出了自玻璃基板G之正側或背側以噴射氣體將基板冷卻之基板冷卻裝置35。基板冷卻裝置35由控制部9控制動作。再者，用於冷卻之冷卻媒體並不特別限定。 基板冷卻裝置亦可藉由將放置玻璃之平台設定為水冷台而實現。 亦可於雷射照射裝置1搭載基板冷卻機構。

(2)熔融倒角動作 作為於玻璃基板G產生殘留應力之加工之例，使用圖2～圖4，說明對玻璃基板G之端面進行熔融倒角之動作。圖2係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖3係經熔融倒角後之玻璃基板之截面照片。圖4係表示自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化之曲線圖。

如圖2所示，針對玻璃基板G，將雷射光照射至玻璃基板G之端面附近部分21，進而，沿著玻璃基板G之端面20掃描雷射光點S。此時，雷射光點S係以自玻璃基板G之端面20朝向基板內側(中央側)移動至相距例如10 μm～150 μm之位置之方式設置。

藉由如上之雷射光點S之照射及掃描，玻璃基板G之端面附近部分21被加熱。尤其是，藉由照射中紅外光之雷射光，雷射光一面透射至玻璃基板G之內部一面被吸收。因此，玻璃基板G之端面20係不僅作為雷射光之照射面之正面側被相對均勻地加熱，玻璃基板G之內部及背面側整體亦被相對均勻地加熱。故而，玻璃基板G之端面20會以基板厚度之中央部向外側鼓起之方式熔融，其結果，如圖3所示，端面20被倒角。

以上之結果，如圖4所示，於玻璃基板G之端面附近部分(例如，與端面20相距200 μm之區域)，阻滯(nm)增大。阻滯係透過物體後之光所產生之相位差，係與於物體內作用之應力成正比之值。所謂未被施加外力之物體之阻滯較高，表示殘留應力較高。

(3)殘留應力降低處理 使用圖5～圖8，說明以逐一脈衝地掃描雷射光之方式對複數處同時進行加熱之方法。圖5係雷射照射裝置之具體之模式性俯視圖。圖6係雷射照射裝置之具體之模式性前視圖。圖7係表示使用檢流計式掃描器43之3點雷射光點之形成之模式圖。圖8係表示雷射脈衝及光線角度相對於時間之變化之曲線圖。

如圖5及圖6所示，雷射照射裝置1具有雷射振盪器15、擴束器49、聚光透鏡19、檢流計式掃描器43。而且，雷射照射裝置1使用檢流計式掃描器43，針對雷射光之每一脈衝控制照射位置，將雷射光近似於同時地照射至複數處，而形成複數處被同時加熱之狀態。 使用圖7及圖8，說明以逐一脈衝地掃描雷射光之方式對複數處同時進行加熱之方法。

檢流計式掃描器43係以逐一脈衝地掃描雷射光之方式對複數處同時進行加熱。具體而言，驅動機構11係以使檢流計式掃描器43成為特定角度之方式斷斷續續地驅動。 於圖7之例中，利用檢流計式掃描器43將雷射光束之光線角度改變1°，藉此，於試樣面，雷射光點之位置會移動10 mm。於如圖8所示，同步於以500 Hz振盪之雷射脈衝而改變光線角度之情形時，雷射光以12毫秒之週期於20 mm之區域內有1個往返，3點雷射光點各自僅以1週期(12毫秒)中之2毫秒鐘照射雷射光。又，對3點雷射光點彼此之間之區域，不照射雷射光。於該情形時，因掃描雷射光之週期非常短，故若以特定時間(例如1秒鐘)反覆不斷地執行該動作，則3點僅被以特定時間同時加熱。 於該方法中，藉由相對簡單之構造，能將雷射光近似於同時地照射至複數處，而將複數處同時加熱。 再者，於圖7及圖8中，對逐一脈衝地掃描以500 Hz之重複頻率振盪之雷射脈衝之例進行了說明，但重複頻率及掃描方法並不限定於此。於雷射脈衝之重複頻率極低之情形時，照射雷射脈衝之週期變長，而無法再視為雷射脈衝近似於同時地照射至複數處。因此，雷射脈衝之重複頻率較佳為10 Hz以上。於雷射脈衝之重複頻率較高之情形時，照射雷射脈衝之週期變短，而難以逐一脈衝地控制照射位置。於該情形時，只要執行於將複數(例如2～10000)脈衝照射至1處後，利用檢流計式掃描器43改變雷射照射位置之動作，便能實現與圖7及圖8中所說明之方法同等之加熱。因此，對雷射脈衝之重複頻率之上限不予設定。

使用圖9～圖12，列舉端面經熔融倒角後之玻璃基板為例，進而對複數處同時加熱方式之殘留應力降低處理進行說明。圖9～圖12係表示雷射光點之照射狀態之玻璃基板之模式圖。針對加工台7上之玻璃基板G，將雷射光近似於同時地照射至端面附近部分21內之複數處。此處之端面附近部分21對應於因熔融倒角而產生了殘留應力之殘留應力產生區域Z(斜線區域)。 於圖9中，離散之2個雷射光點S1近似於同時地照射至端面附近部分21。 於圖10中，表示出了如下狀況，即，以特定時間不斷地執行圖9之動作，結果，2個雷射照射區各自以玻璃轉移點以上之溫度被加熱特定時間，藉此，於加熱區，殘留應力降低。

於圖11中，離散之2個雷射光點S2近似於同時地照射至端面附近部分21。此時，2個雷射光點S2照射至與上文之2個雷射光點S1不同之位置，即與之錯開而照射。又，2個雷射光點S2對應於剩餘之殘留應力產生區域Z。 於圖12中，表示出了如下狀況，即，以特定時間不斷地執行圖11之動作，結果，2個雷射照射區各自以玻璃轉移點以上之溫度被加熱特定時間，藉此，於加熱區，殘留應力降低。

如上文所述，若將雷射光點近似於同時地照射至殘留應力產生區域Z上之複數處而將複數處以玻璃轉移點以上之溫度加熱特定時間，則於該區域，殘留應力降低。若將加熱位置錯開並反覆執行該動作，則玻璃基板G之端面附近部分21(即，殘留應力產生區域Z)會被加熱至玻璃轉移點以上，其結果，於殘留應力產生區域Z整體，殘留應力降低。 於該方法中，玻璃基板G之殘留應力較高之區域被加熱(即，並非玻璃基板G整體被加熱)，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板G之殘留應力。其理由在於，不易對樹脂等造成熱之影響。

(4)殘留應力降低處理中之雷射光點之形狀 本發明人等基於實驗，如下所述般考察了殘留應力降低處理中較佳之雷射光點之形狀。 圖13、圖14及圖15係表示雷射光點S之形狀之變化之模式性俯視圖。 再者，下文所述之實驗並非複數處同時加熱之實驗，而是用以研究較佳之雷射光點形狀之1點加熱之實驗。

圖13表示出了圓形之雷射光點S100、於與端面20正交之方向上較長之橢圓形之雷射光點S101。於圖14中，表示出了沿著端面20而較長之橢圓形之雷射光點S102、S103。於圖15中，表示出了覆蓋端面20整體且沿著端面20而較長之形狀之雷射光點S104。於使用雷射光點S100、S101、S102、S103之情形時，若調整雷射輸出及用於加熱之特定時間，則加熱區域中之殘留應力降低。其中，殘留應力降低效果之高低順序為S100≒S101＞S102＞S103。於使用雷射光點S104之情形時，即便調整雷射輸出及用於加熱之特定時間，殘留應力亦不降低。 鑒於以上所示之實驗結果，本發明人等發現，於殘留應力降低處理中，加熱區之形狀沿著殘留應力產生區域Z變長之情形時，殘留應力降低效果下降，加熱區之形狀沿著殘留應力產生區域Z被抑制得較窄之情形時，殘留應力降低效果提高，從而完成了本發明。

於雷射光點S為圓形之情形時，例如，直徑較佳為4 μm～20 mm。雷射光點S之直徑越大，則每1次加熱之處理面積越大，降低特定面積之殘留應力所需之時間越短。如圖13及圖14所示，雷射光點S亦可為橢圓形。其中，雷射光點S之沿著殘留應力產生區域Z之方向之寬度相對於雷射光點S之與殘留應力產生區域Z交叉之方向之寬度越長，則殘留應力降低效果越低。雷射光點S之沿著殘留應力產生區域Z之方向之寬度較佳為雷射光點S之與殘留應力產生區域Z交叉之方向之寬度的10倍以下。

(5)複數處同時加熱之各種條件 複數處同時加熱中之加熱區域間之間隔較佳為加熱區域1點之寬度之0.5倍以上。於加熱區域間之間隔過窄之情形時，複數個加熱區相連，等同於照射沿著殘留應力產生區域Z而較長之1個雷射光點。即，對應於上述「加熱區之形狀沿著殘留應力產生區域Z而變長之情形」，殘留應力降低效果下降。 於複數處同時加熱中，雷射光點之個數並不特別限定。 於該實施形態中，雷射光點S最終照射至端面附近部分21整體，而降低端面附近部分21整體之殘留應力。但於僅使端面附近部分21之一部分區域中之殘留應力降低之情形時，雷射光點S亦可僅照射至端面附近部分21中之特定區域，或可僅照射至端面附近部分21整體之一半左右之區域。

用於加熱之特定時間取決於加熱中之加熱區之溫度。即，以越高輸出進行加熱，則加熱區之溫度變得越高，殘留應力以越短時間降低。以越高輸出進行加熱，用於加熱之特定時間可越短，產距時間越短。 用於加熱之特定時間例如較佳為1微微秒～100秒左右。最小之特定時間為被認知為玻璃之構造緩和所需之時間(緩和時間)之最小值的1微微秒。加熱區之溫度越低，則緩和時間越長，於加熱區之溫度為玻璃轉移點左右之情形時，較佳為將用於加熱之特定時間設定為作為緩和時間之100秒左右。 若欲將用於加熱之特定時間設為極短，則需於短時間內將玻璃基板G加熱至高溫，所需之輸出會大幅度增加，因此，於實用上，要兼顧產距時間縮短之優點與輸出上升導致之成本增加而決定加熱條件。 於該方法中，將玻璃基板之複數處同時加熱1微微秒～100秒鐘左右，執行1次該加熱或將加熱位置錯開並執行複數次該加熱，藉此，於加熱區，殘留應力降低，因此，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

雷射輸出需為能加熱至玻璃轉移點以上之值。其係根據雷射光點之尺寸、雷射波長、玻璃之種類或板厚而適當設定。再者，於玻璃基板G之加熱部之溫度為玻璃轉移點左右之情形時，幾乎未確認到加熱部之變形。於加熱部之溫度更高之情形時，加熱部熔融，而形狀變化。雷射輸出越高，則加熱部之黏度越低，於越短時間內大幅變形。根據本發明，即便於雷射輸出較高，而玻璃基板G之形狀變形之情形時，殘留應力亦降低。其中，於對玻璃基板G之容許變形量上具有制約之製品應用本發明之情形時，應對雷射輸出設定上限，以免玻璃基板G之黏度下降而導致變形量超過容許值。 對將厚度為200 μm之無鹼玻璃作為對象而利用複數處同時加熱進行之殘留應力降低處理之條件例進行說明。 於使用CO₂ 雷射(波長為10.6 μm)，將直徑為4 mm之雷射光點近似於同時地照射至複數處之情形時，只要對雷射光點每1點以3 W之平均輸出加熱20秒鐘即可。或，亦能以4 W之平均輸出加熱4秒鐘。或，亦能以6 W之平均輸出加熱2秒鐘。

雷射之種類(波長)並不特別限定。 朝向玻璃基板G輸入熱之方向並不特別限定。可自玻璃基板G之正面輸入熱，亦可自背面輸入熱，或可自端面20輸入熱。

(6)複數處同時加熱之雷射光錯開照射之時間縮短 於如圖9～圖12所示般，將加熱位置錯開並逐次進行複數處同時加熱之情形時，若欲縮短產距時間，則需縮短加熱動作彼此之時間間隔。但於例如複數處之第2次加熱區域之任一者成為與複數處之第1次加熱區域之任一者鄰接之區域之情形時，該第2次加熱需等待至第1次加熱部之溫度降低方可執行。其理由在於，例如第2次加熱區域與第1次加熱區域重疊，對應於上述「加熱區之形狀沿著殘留應力產生區域Z而變長之情形」。

作為縮短加熱動作彼此之時間間隔之第1方式，於上述情形時以使第2次加熱區域位於與第1次加熱區域隔開之位置之方式設計加熱位置，藉此能縮短時間間隔。 作為用以縮短加熱動作彼此之時間間隔之第2方式，有基板之冷卻方式。於該方式中，如圖1所示，使用自玻璃基板G之正側或背側以噴射氣體將基板冷卻之基板冷卻裝置35。於該情形時，將第1次加熱區域以空冷等方式冷卻後再進行第2次加熱。藉此，例如即便於第2次加熱區域成為與第1次加熱區域鄰接之區域之情形時，亦能縮短時間間隔。

如上所述般能縮短時間間隔之理由在於，被照射雷射光而加熱後之部分係於冷卻後再被照射下一次雷射光，故而，即便對之前已被加熱之部分附近照射下一次雷射光，將成為高溫之區域亦不會因冷卻而於沿著殘留應力產生區域Z之方向上擴大。即，其理由在於，於該情形時，對應於上述「加熱區之形狀沿著殘留應力產生區域Z被抑制得較窄之情形」。 冷卻可始終進行，亦可於雷射光照射之後進行。 冷卻裝置之構成、冷卻方法、配置位置並不特別限定。

2.其他實施形態 以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，而可於不脫離發明之主旨之範圍內實施各種變更。尤其是，本說明書中所述之複數個實施形態及變化例可視需要任意組合。 雷射脈衝之掃描方式並不限定於檢流計式掃描器。只要為使雷射光之照射位置變化之方式即可，例如亦可為多面鏡。 本發明亦會被應用於未進行熔融倒角之情形。 本發明亦會被應用於殘留應力產生區域並非為玻璃基板G之端面附近部分之情形、例如為中央部分之情形。 本發明亦會被應用於未設置冷卻裝置之裝置。 [產業上之可利用性]

本發明可廣泛應用於降低玻璃板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置。

1‧‧‧雷射照射裝置

3‧‧‧雷射裝置

5‧‧‧傳輸光學系統

7‧‧‧加工台

9‧‧‧控制部

11‧‧‧驅動機構

13‧‧‧台驅動部

15‧‧‧雷射振盪器

17‧‧‧雷射控制部

19‧‧‧聚光透鏡

20‧‧‧端面

21‧‧‧端面附近部分

35‧‧‧冷卻裝置

43‧‧‧檢流計式掃描器

49‧‧‧擴束器

G‧‧‧玻璃基板

P1‧‧‧樹脂材料

P2‧‧‧樹脂材料

S‧‧‧雷射光點

S1‧‧‧雷射光點

S2‧‧‧雷射光點

S100‧‧‧雷射光點

S101‧‧‧雷射光點

S102‧‧‧雷射光點

S103‧‧‧雷射光點

S104‧‧‧雷射光點

Z‧‧‧殘留應力產生區域

圖1係本發明之第1實施形態之雷射照射裝置之模式圖。 圖2係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。 圖3係經熔融倒角後之玻璃基板之截面照片。 圖4係表示自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化之曲線圖。 圖5係雷射照射裝置之具體之模式性俯視圖。 圖6係雷射照射裝置之具體之模式性前視圖。 圖7係表示使用檢流計式掃描器之3點光束之形成之模式圖。 圖8係表示雷射脈衝及光線角度相對於時間之變化之曲線圖。 圖9係表示雷射光點之照射狀態之玻璃基板之模式圖。 圖10係表示雷射光點之照射狀態之玻璃基板之模式圖。 圖11係表示雷射光點之照射狀態之玻璃基板之模式圖。 圖12係表示雷射光點之照射狀態之玻璃基板之模式圖。 圖13係表示雷射光點S之形狀之變化之模式性俯視圖 圖14係表示雷射光點S之形狀之變化之模式性俯視圖。 圖15係表示雷射光點S之形狀之變化之模式性俯視圖。 圖16係與耐熱性較低之材料形成為一體的先前之玻璃製品之模式性俯視圖。

Claims (4)

1. 一種降低玻璃基板之殘留應力之方法，其係將玻璃基板之殘留應力降低之方法，且 包含雷射光照射步驟，該雷射光照射步驟係以短時間反覆對上述玻璃基板之殘留應力較高之部分之複數處分別照射雷射光，藉此將雷射光近似於同時地照射至上述複數處。
2. 如請求項1之降低玻璃基板之殘留應力之方法，其進而包含將上述玻璃基板中被照射雷射光後之部分冷卻之步驟。
3. 一種降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其係將玻璃基板之殘留應力降低之裝置，且 具備雷射裝置，該雷射裝置以短時間反覆對上述玻璃基板之殘留應力較高之部分之複數處分別照射雷射光，藉此將雷射光近似於同時地照射至上述複數處。
4. 如請求項3之降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其進而具備將上述玻璃基板中被照射雷射光後之部分冷卻之冷卻裝置。