TW201912832A

TW201912832A - 升舉裝置、化學氣相沉積裝置及方法

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Publication number: TW201912832A
Application number: TW106130129A
Authority: TW
Inventors: 曾銀彬; 呂育穎; 王俊權
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2017-09-04
Filing date: 2017-09-04
Publication date: 2019-04-01
Also published as: TWI704252B

Abstract

本揭露提供一種升舉裝置，用以在一化學氣相沉積裝置中升舉一基板。上述升舉裝置包括一驅動機構、一升舉組件、一耦合構件及一遮蔽構件。升舉組件配置用於在驅動機構之驅動下升舉基板。耦合構件配置用於耦合升舉組件與驅動機構。遮蔽構件配置用於遮蔽耦合構件且避免耦合構件暴露於化學氣相沉積裝置中之加工氣體。

Description

升舉裝置、化學氣相沉積裝置及方法

本發明實施例關於一種半導體技術，特別係有關於一種升舉裝置、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVP)裝置及方法。

半導體裝置被用於多種電子應用，例如個人電腦、行動電話、數位相機以及其他電子設備。半導體裝置的製造通常是藉由在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層材料、導電層材料以及半導體層材料，接著使用微影製程圖案化所形成的各種材料層，以形成電路組件和零件於此半導體基板之上。隨著積體電路之材料及其設計上的技術進步，已發展出多個世代的積體電路。相較於前一個世代，每一世代具有更小且更複雜的電路。然而，這些發展提昇了加工及製造積體電路的複雜度。為了使這些發展得以實現，在積體電路的製造以及生產上相似的發展也是必須的。

舉例而言，高密度電漿化學氣相沉積(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition，HDPCVD)係一種利用高密度電漿來進行化學氣相沉積之技術。為了形成高密度電漿，通常會利用射頻電力來激發氣體混合物，並引導電漿離子至半導體基板表面上來形成薄膜。高密度電漿化學氣相沉積主要的優點為，可以在較低溫(例如約300℃至約400℃)時形成均勻度佳的薄膜，故被廣泛應用在例如電晶體之內連線介電層的製造。

雖然現有的化學氣相沉積技術及設備已經足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，需要提供一種改善沉積製程的方案。

本揭露一些實施例提供一種升舉裝置，用以在一化學氣相沉積裝置中升舉一基板。上述升舉裝置包括一驅動機構、一升舉組件、一耦合構件及一遮蔽構件。升舉組件係配置用於在驅動機構之驅動下升舉基板。耦合構件係配置用於耦合升舉組件與驅動機構。遮蔽構件係配置用於遮蔽耦合構件且避免耦合構件暴露於化學氣相沉積裝置中之加工氣體。

本揭露一些實施例提供一種化學氣相沉積裝置，包括一加工腔室、一承載平台、一氣體供應單元、一排氣單元、一升舉組件、一耦合構件及一遮蔽構件。承載平台係配置用於在加工腔室中支撐一基板。氣體供應單元係配置用於供應一加工氣體至加工腔室中以形成一薄膜於基板上。排氣單元係配置用於從加工腔室中移除加工氣體。升舉組件係配置用於在一驅動機構之驅動下升舉基板以從承載平台上卸載基板。耦合構件係配置用於耦合升舉組件與驅動機構。遮蔽構件係配置用於包覆耦合構件暴露於加工氣體之一部分。

本揭露一些實施例提供一種化學氣相沉積方法。上述方法包括放置一基板於一加工腔室中。上述方法亦包括供應一加工氣體至加工腔室中以於基板上執行一沉積製程，其中基板係由一承載平台支撐。上述方法還包括在沉積製程之後，藉由一驅動機構驅動一升舉組件以從承載平台上卸載基板，其中升舉組件與驅動機構之間係由一耦合構件耦合，且耦合構件係由一遮蔽構件遮蔽而避免暴露於加工氣體。此外，上述方法包括移除加工腔室中之加工氣體。

1‧‧‧化學氣相沉積裝置

10‧‧‧加工腔室

10A‧‧‧外殼

10B‧‧‧氣體入口

10C‧‧‧氣體出口

11‧‧‧承載平台

11A‧‧‧機軸

11B‧‧‧旋轉機構

11C‧‧‧環形穿透孔

12‧‧‧噴淋頭

12A‧‧‧開口

13‧‧‧氣體供應單元

14‧‧‧排氣單元

15‧‧‧電漿產生單元

15A‧‧‧射頻電力來源

15B‧‧‧導電元件

16‧‧‧升舉組件

16A‧‧‧基架

16B‧‧‧升舉頂針

16C‧‧‧連接部

16D‧‧‧卡槽結構

17‧‧‧驅動機構

17A‧‧‧驅動部

17B‧‧‧桿部

18‧‧‧耦合構件/螺絲

18A‧‧‧頭部

18B‧‧‧螺牙部

18C‧‧‧第一螺紋

19、19’、19”‧‧‧遮蔽構件

19A‧‧‧第二螺紋

19B‧‧‧表面特徵

19C‧‧‧側邊

19D‧‧‧側邊

19E‧‧‧卡榫結構

80‧‧‧化學氣相沉積方法

81-84‧‧‧操作

D1、D2‧‧‧厚度

F‧‧‧氣流

G‧‧‧氣體擴散路徑

H‧‧‧螺絲孔

L‧‧‧長度

R1‧‧‧直徑

R2‧‧‧內徑

P‧‧‧電漿

S1‧‧‧第一端面

S2‧‧‧第二端面

W‧‧‧基板

第1圖係顯示根據一些實施例之一化學氣相沉積裝置的示意圖。

第2圖係顯示在沉積製程之後，第1圖中之升舉組件將基板從承載平台上卸載的示意圖。

第3圖係顯示根據一些實施例之升舉組件與驅動機構之組裝方式的示意圖。

第4圖係顯示第3圖中之升舉組件與驅動機構組裝後之另一視角的局部示意圖。

第5A圖係顯示根據一些實施例之一耦合構件的放大示意圖。

第5B圖係顯示根據一些實施例之一遮蔽構件的放大示意圖。

第6圖係顯示根據一些實施例之一遮蔽構件的示意圖。

第7圖係顯示根據一些實施例之一遮蔽構件的示意圖。

第8圖係顯示根據一些實施例之一化學氣相沉積方法的流程圖。

以下揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若實施例中敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的情況，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使得上述第一特徵與第二特徵未直接接觸的情況。

在下文中所使用的空間相關用詞，例如“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位之外，這些空間相關用詞也意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度獲其他方位)，而在此所使用的空間相關用詞也可依此相同解釋。

此外，以下不同實施例中可能重複使用相同的元件標號及/或文字，這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。在圖式中，結構的形狀或厚度可能擴大，以簡化或便於標示。必須了解的是，未特別描述或圖示之元件可以本領域技術人士所熟知之各種形式存在。

第1圖係顯示根據一些實施例之一化學氣相沉積裝置1的示意圖。化學氣相沉積裝置1適用於在一基板W上執行一化學氣相沉積製程(以下簡稱沉積製程)。基板W可包括半導體層、導電層、以及/或者絕緣層。在一些實施例中，基板W包括層疊的半導體層。舉例而言，基板W包括在一絕緣體上的半導體層的層疊，例如矽電晶體結構在絕緣體之上(SOI)、矽電晶體結構在藍寶石基板之上、或矽鍺結構在絕緣體之上；或者，基板W包括在一玻璃上的半導體層的層疊，以形成薄膜電晶體。

根據一些實施例，化學氣相沉積裝置1係一種電漿化學氣相沉積裝置，例如為高密度電漿化學氣相沉積(HDPCVP)裝置、電漿增強型化學氣相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)裝置或其他利用電漿來協助化學氣相沉積製程的裝置。化學氣相沉積裝置1包括一加工腔室10、一承載平台11、一噴淋頭12、一氣體供應單元13、一排氣單元14、一電漿產生單元15、一升舉組件16及一驅動機構17。上述化學氣相沉積裝置1的元件/部件可以添加或省略，並且本揭露不應受到實施例的限制。

在第1圖之實施例中，加工腔室10係一電漿製程腔室，可用於在其中產生電漿，以協助沉積製程。加工腔室10包括一可氣密地密封的外殼10A，配置用於收容一或多個待加工的基板W。雖然未圖示，外殼10A上設有一可開閉的閘門，允許基板W透過一基板搬運裝置(例如機械手臂)而被送入或移出加工腔室10。

承載平台11係配置用於在加工腔室10中支撐至少一基板W。在一些實施例中，承載平台11包括一靜電吸盤(electrostatic chuck，ESC)，利用該靜電吸盤與承載平台11所支撐之基板W上所產生之相反電荷的靜電吸引力，可將基板W固持在承載平台11上。在一些實施例中，承載平台11亦可透過其他機制(例如真空吸附或機械夾具)來固持基板W。

在一些實施例中，承載平台11亦包括一或多個加熱器(例如電阻加熱元件)，配置用於在沉積製程時加熱基板W以促進其上之化學反應。在一些實施例中，亦可將熱傳氣體經由承載平台11中的氣體通道供應至承載平台11與基板W之間以增進傳熱效果。

此外，承載平台11係由一機軸11A支撐於加工腔室10中。在一些實施例中，在沉積製程時，機軸11A可由一旋轉機構11B(例如馬達)所驅動而使得承載平台11繞著機軸11A進行旋轉運動，以提高在基板W上之薄膜沉積均勻度。

氣體供應單元13係配置用於在沉積製程時提供一或多種加工氣體至加工腔室10中以形成一薄膜(圖未示)於基板W上。在第1圖之實施例中，氣體供應單元13可流體地耦合於加工腔室10之外殼10A上之一氣體入口10B，且氣體供應單元13包括氣體儲存槽、氣體管線、泵及氣體控制器(例如閥、流速計、偵測器或其他類似的元件)。根據一些實施例，加工氣體(亦稱作前驅物氣體)包括矽甲烷(SiH₄)、六氟化鎢(Tungsten hexafluoride，WF6)、氮氣(N₂)、一氧化二氮(N₂O)或氧氣(O₂)。

在一些實施例中，在沉積製程之前或之後，化學氣相沉積裝置1亦可執行一電漿清潔製程。在電漿清潔製程時，氣體供應單元13可提供一或多種清潔用氣體(例如三氟化氮(NF₃)、六氟乙烷(C₂F₆)或八氟丙烷(C₃F₈))至加工腔室10中以對加工腔室10進行清潔。上述加工氣體及清潔用氣體僅為範例，本揭露並不以此為限。

噴淋頭12係配置用於接收來自氣體供應單元13之加工氣體或清潔用氣體，並可將上述氣體均勻地散佈至加工腔室10之四周。根據一些實施例，噴淋頭12可順應加工腔室10或基板W的形狀而具有一圓形設計，且該圓形設計上形成有均勻分布在噴淋頭12之四周的開口12A。

電漿產生單元15係配置用於在沉積製程時激發上述加工氣體並使其轉變為電漿(態)P，進而電漿P可以增強化學氣相沉積製程的效果，例如使得在較低溫(例如約300℃至約400℃)的條件下仍可發生化學反應於基板W表面以形成薄膜。

在第1圖之實施例中，電漿產生單元15包括一射頻(radio frequency，RF)電力來源15A及一導電元件15B(例如螺旋線圈或電極板)。導電元件15B係配置於加工腔室10之上部且面對承載平台11，而射頻電力來源15A係電耦合於導電元件15B，並可提供一射頻信號至導電元件15B，藉此使得導電元件15B與承載平台11之間的加工氣體解離放電並轉變為電漿P。根據一些實施例，電漿產生單元15亦包括一電耦合於承載平台11之偏壓部件，可用於吸引電漿P至基板W表面上以提高沉積製程之效率。雖然未圖示，一或多個控制器可電耦合於射頻電力來源15A及/或偏壓部件以控制其運作。

根據一些實施例中，在沉積製程之前或之後之電漿清潔製程時，電漿產生單元15亦可將供應至加工腔室10中之清潔用氣體解離為電漿態，進而利用該電漿態之清潔用氣體來對加工腔室10進行化學反應蝕刻以清潔加工腔室10(例如清除在沉積製程時同時形成於加工腔室10內壁上之薄膜)。

排氣單元14係配置用於在沉積製程及/或電漿清潔製程之後從加工腔室10移除加工氣體(亦即電漿P)及/或清潔用氣體。此外，在基板W送入加工腔室10之後，排氣單元14也可用於對加工腔室10進行抽真空以使其達到後續製程所需要之壓力條件。在第1圖之實施例中，排氣單元14可流體地耦合於加工腔室10之外殼10A上之一氣體出口10C(接近電漿P之位置)，且排氣單元14包括泵、氣體管線及氣體控制器(例如閥、流速計、偵測器或其他類似的元件)。

應瞭解的是，上文中僅以電漿化學氣相沉積裝置作為化學氣相沉積裝置1之一範例，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，化學氣相沉積裝置1之加工腔室10中亦可以執行一不使用電漿的化學氣相沉積製程，並僅利用熱激發方式使得加工氣體與基板W表面發生化學反應進而在其上形成薄膜。

接著請一併參照第1、2圖，升舉組件16係配置用於在驅動機構17之驅動下升舉基板W以從承載平台11上卸載基板W(亦即分離)。根據一些實施例，在沉積製程之後，會先解除承載平台11固持基板W之一靜電力，然後基板W可透過升舉組件16升舉而從承載平台11上卸載，接著再透過一基板搬運裝置(圖未示)搬運且經由加工腔室10之外殼10A上之一閘門(圖未示)而被送出化學氣相沉積裝置1。

如第1、2圖所示，升舉組件16係設置於承載平台 11之下方(亦即承載平台11支撐基板W之一側的相對側)，且包括複數個朝向承載平台11延伸及可穿過形成於承載平台11中之一環形穿透孔11C(大致以承載平台11之機軸11A為中心)之升舉頂針(lift pins)16B。驅動機構17係設置於加工腔室10之下方/之外，且包括一可垂直地伸入或伸出加工腔室10中之桿部17B，其中桿部17B與升舉組件16可透過一耦合構件18(請參照第3圖)相互耦合，耦合構件18例如為一鋁材質或不銹鋼材質之螺絲。當驅動機構17之桿部17B伸入加工腔室10中時，升舉組件16得以被向上驅動，並透過升舉頂針16B升舉基板W而從承載平台11上卸載基板W。上述升舉組件16、驅動機構17、耦合構件18及在稍後段落中將介紹的一遮蔽構件19構成化學氣相沉積裝置1中的一”升舉裝置”。

根據一些實施例，驅動機構17包括一筒狀之驅動部17A，其係設置於加工腔室10之外且機械地耦合於加工腔室10之外殼10A上之一開口(圖未示)。為了達成氣密，可在該開口與驅動部17A之間配置一或多個密封件(例如O型環)。

根據一些實施例，驅動部17A中具有可驅使桿部17B伸入或伸出驅動部17A(而可使得桿部17B伸入或伸出加工腔室10中)之一升降結構(圖未示)，例如為藉由伸縮方式而可實現升降之一升降波紋管(lift bellow)或藉由位移方式而可實現升降之一汽缸(cylinder)。上述升降結構僅為範例，本揭露並不以此為限。

根據一些實施例，如第3圖所示，升舉組件16之複數個(例如3個，但不以此為限)升舉頂針16B係耦合於一大致呈環狀(對應於基板W之形狀)之基架16A。具體來說，升舉頂針16B係設置於基架16A之面向承載平台11之一第一端面S1。在一些實施例中，基架16A與升舉頂針16B可由一陶瓷材料(例如氧化鋁、氧化鋯、碳化矽或氮化矽)以一體成型的方式製作。

根據一些實施例，在基架16A之與第一端面S1相對之一第二端面S2上具有凸出且呈管狀之一連接部16C，其中耦合構件18(以下僅以螺絲18作為範例以方便說明)可穿過基架16A之連接部16C及驅動機構17之桿部17B上之螺絲孔(在第3圖中，由於桿部17B係套入連接部16C中，故僅有連接部16C及其上之螺絲孔H被顯示)以耦合升舉組件16與驅動機構17。

請回到第1、2圖，在沉積製程時，由於氣體供應單元13供應之加工氣體會充滿整個加工腔室10，包括擴散到承載平台11之下方(如第1圖中之氣體擴散路徑G所示)，導致升舉組件16表面及螺絲18暴露在外之部分可能與加工氣體發生化學反應而產生薄膜沉積。經研究發現，在經過電漿清潔加工腔室10之後，形成於升舉組件16上之薄膜可被良好地清除，但形成於螺絲18上之薄膜則不容易被清除，此與螺絲18之材質、表面紋路結構等均有關係。

如此一來，當升舉組件16從承載平台11上卸載基板W且排氣單元14同時將加工腔室10中之加工氣體抽出時(如第2圖所示)，沉積或累積於螺絲18上之薄膜或微粒可能受到氣流F牽引而被帶到基板W上，造成基板W受到汙染或產生缺陷(defect)。

請一併參閱第3、4圖，本發明一些實施例採用一遮蔽構件19來遮蔽螺絲18以避免其暴露在外，從而可減少加工腔室10中之加工氣體接觸螺絲18及在螺絲18上沉積薄膜或微粒(亦即造成螺絲18受到汙染)之機會。

根據一些實施例，遮蔽構件19係以陶瓷材料(可與升舉組件16採用相同的材料)製成的一保護罩，配置用於遮蔽螺絲18暴露於加工氣體之一部份(例如頭部18A)。如第3、4圖所示，當螺絲18之螺牙部18B鎖入連接部16C及桿部17B上之螺絲孔H而耦合升舉組件16與驅動機構17之後，遮蔽構件19可完全包覆螺絲18之頭部18A而使得從外觀上不會看到螺絲18暴露在外。如此一來，在沉積製程時，薄膜僅會在陶瓷材質且表面平滑之遮蔽構件19(保護罩)上形成，並可利用電漿來清除，從而可降低基板W受到汙染或產生缺陷之機會。

根據一些實施例，遮蔽構件19係以可拆卸方式包覆螺絲18之頭部18A。如第5A、5B圖所示，螺絲18之頭部18A之一外周面上可透過例如車銷方式形成一或多個第一螺紋18C，且遮蔽構件19之一內周面上亦可透過例如車銷方式形成一或多個第二螺紋19A，對應於第一螺紋18C，藉以達成遮蔽構件19與螺絲18之間的結合及拆卸，方便於使用者操作。在一些實施例中，螺絲18之頭部18A之直徑R1略小於遮蔽構件19之內徑R2，例如頭部18A之直徑R1約為9公分，遮蔽構件19之內徑R2約為9.6公分。此外，頭部18A之厚度D1略小於遮蔽構件19之厚度D2，例如頭部18A之厚度D1約為2.8公分，遮蔽構件19之厚度D2約為3.6公分。

如第5A、5B圖所示，遮蔽構件19之一外周面上亦可形成有一或多個表面特徵19B(例如切角，但不以此為限)以便於使用者施力來轉動遮蔽構件19。在一些實施例中，遮蔽構件19之外周面上形成有兩個相互平行的切角19B，且兩切角19B之間的長度L約為8.1公分。

另外，遮蔽構件19亦可以有許多變化。舉例來說，在第6圖之實施例中，遮蔽構件19’係以可活動方式(例如樞接方式)耦合於升舉組件16之連接部16C，而非直接包覆在螺絲18之外。其中，遮蔽構件19’可為與連接部16C之管狀外觀相匹配(例如弧度相同)之一保護罩(同樣以陶瓷材料製作)，該保護罩之一側邊19C係透過樞軸(圖未示)耦合於連接部16C，而另一相對側邊19D上形成有一卡榫結構19E，得與連接部16C上之一對應的卡槽結構16D相互卡合或分離。

藉此配置，當卡榫結構19E卡合於卡槽結構16D時，遮蔽構件19’可以遮蔽螺絲18之頭部18A及其周邊區域而避免頭部18A暴露於加工氣體，以減少污染；而當卡榫結構19E分離於卡槽結構16D時，螺絲18之頭部18A則可顯露在外而便於使用者操作(如第6圖所示之狀態)。

第7圖係顯示根據另一些實施例之一遮蔽構件19”的示意圖。遮蔽構件19”可為一耐熱膠帶，配置用於黏著及包覆在螺絲18暴露於加工氣體之頭部18A之外(或其周邊，例如延伸至連接部16C上)，以阻擋薄膜或微粒沉積於頭部18A上。遮蔽構件19”之形狀可以為方形、矩形、圓形或者其他可選用之形狀。

根據一些實施例，遮蔽構件19”係以聚四氟乙烯 (Polytetrafluoroethylene)或聚醯亞胺(Polyimide)等材料製成的一耐熱膠帶，其耐熱溫度在約至少400℃以上(得以在例如高密度電漿化學氣相沉積製程之工作溫度下使用)。根據一些實施例，耐熱膠帶所選用的材料亦要能夠避免被電漿解離。

當欲取下螺絲18或耐熱膠帶達到其使用壽命時，僅需將遮蔽構件19”取下及更換即可。

本發明實施例亦提供一種化學氣相沉積方法。第8圖係顯示根據一些實施例之一化學氣相沉積方法80的流程圖。在操作81中，放置一基板於一加工腔室中。在操作82中，供應一加工氣體至加工腔室中以於基板上執行一沉積製程，其中基板係由一承載平台支撐。在操作83中，在沉積製程之後，藉由一驅動機構驅動一升舉組件以從承載平台上卸載基板，其中升舉組件與驅動機構之間係由一耦合構件耦合，且耦合構件係由一遮蔽構件遮蔽而避免暴露於加工氣體。在操作84中，移除加工腔室中之加工氣體。

化學氣相沉積方法80之各操作可參照上述有關化學氣相沉積裝置1之說明，在此即不重複贅述。

要瞭解的是，在上述實施例中的方法之前、期間和之後可以提供額外的操作，並且對於不同實施例中的方法，可以替換或消除一些描述的操作。舉例來說，在一些實施例中，化學氣相沉積方法80亦可以包括將加工腔室中之加工氣體轉變為電漿態之一操作，以協助沉積製程。

綜上所述，本揭露實施例具有以下優點：藉由遮蔽構件19/19’/19”以遮蔽或包覆耦合構件18之暴露在外的部分，使得耦合構件18在沉積製程時不會與加工氣體發生化學反應而形成薄膜或微粒沉積，從而可避免該些薄膜或微粒跑到基板W上而造成基板W受到汙染或產生缺陷之機會，藉以改善化學氣相沉積製程的良率。

根據一些實施例，提供一種升舉裝置，用以在一化學氣相沉積裝置中升舉一基板。上述升舉裝置包括一驅動機構、一升舉組件、一耦合構件及一遮蔽構件。升舉組件係配置用於在驅動機構之驅動下升舉基板。耦合構件係配置用於耦合升舉組件與驅動機構。遮蔽構件係配置用於遮蔽耦合構件且避免耦合構件暴露於化學氣相沉積裝置中之加工氣體。

根據一些實施例，耦合構件係一螺絲，而遮蔽構件係一保護罩，且配置用於遮蔽螺絲暴露於加工氣體之一頭部。

根據一些實施例，保護罩係以可拆卸方式包覆螺絲之頭部。

根據一些實施例，螺絲之頭部之一外周面上形成有一第一螺紋，而保護罩之一內周面上形成有一第二螺紋，對應於第一螺紋。

根據一些實施例，保護罩係以可活動方式耦合於升舉組件，且配置用於遮蔽螺絲之頭部。

根據一些實施例，遮蔽構件係由一陶瓷材料製作。

根據一些實施例，耦合構件係一螺絲，而遮蔽構件係一耐熱膠帶，且配置用於黏著及包覆在螺絲暴露於加工氣體之一頭部之外。

根據一些實施例，提供一種化學氣相沉積裝置，包括一加工腔室、一承載平台、一氣體供應單元、一排氣單元、一升舉組件、一耦合構件及一遮蔽構件。承載平台係配置用於在加工腔室中支撐一基板。氣體供應單元係配置用於供應一加工氣體至加工腔室中以形成一薄膜於基板上。排氣單元係配置用於從加工腔室中移除加工氣體。升舉組件係配置用於在一驅動機構之驅動下升舉基板以從承載平台上卸載基板。耦合構件係配置用於耦合升舉組件與驅動機構。遮蔽構件係配置用於包覆耦合構件暴露於加工氣體之一部分。

根據一些實施例，升舉組件係配置於承載平台之一側，且包括一基架及耦合於基架之複數個升舉頂針，驅動機構係配置於加工腔室之外，且包括可伸入或伸出加工腔室中之一桿部，而耦合構件係配置用於耦合基架與桿部。

根據一些實施例，提供一種化學氣相沉積方法。上述方法包括放置一基板於一加工腔室中。上述方法亦包括供應一加工氣體至加工腔室中以於基板上執行一沉積製程，其中基板係由一承載平台支撐。上述方法還包括在沉積製程之後，藉由一驅動機構驅動一升舉組件以從承載平台上卸載基板，其中升舉組件與驅動機構之間係由一耦合構件耦合，且耦合構件係由一遮蔽構件遮蔽而避免暴露於加工氣體。此外，上述方法包括移除加工腔室中之加工氣體。

以上雖然詳細描述了實施例及它們的優勢，但應該理解，在不背離所附申請專利範圍限定的本揭露的精神和範圍的情況下，對本揭露可作出各種變化、替代和修改。此外，本申請的範圍不旨在限制於說明書中所述的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法和步驟的特定實施例。作為本領域的普通技術人員將容易地從本揭露中理解，根據本揭露，可以利用現有的或今後將被開發的、執行與在本揭露所述的對應實施例基本相同的功能或實現基本相同的結果的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附申請專利範圍旨在將這些製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟包括它們的範圍內。此外，每一個申請專利範圍構成一個單獨的實施例，且不同申請專利範圍和實施例的組合都在本揭露的範圍內。

Claims

一種升舉裝置，用以在一化學氣相沉積裝置中升舉一基板，包括：一驅動機構；一升舉組件，配置用於在該驅動機構之驅動下升舉該基板；一耦合構件，配置用於耦合該升舉組件與該驅動機構；以及一遮蔽構件，配置用於遮蔽該耦合構件且避免該耦合構件暴露於該化學氣相沉積裝置中之一加工氣體。
如申請專利範圍第1項所述的升舉裝置，其中該耦合構件係一螺絲，而該遮蔽構件係一保護罩，且配置用於遮蔽該螺絲暴露於該加工氣體之一頭部。
如申請專利範圍第2項所述的升舉裝置，其中該保護罩係以可拆卸方式包覆該螺絲之該頭部。
如申請專利範圍第3項所述的升舉裝置，其中該螺絲之該頭部之一外周面上形成有一第一螺紋，而該保護罩之一內周面上形成有一第二螺紋，對應於該第一螺紋。
如申請專利範圍第2項所述的升舉裝置，其中該保護罩係以可活動方式耦合於該升舉組件，且配置用於遮蔽該螺絲之該頭部。
如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的升舉裝置，其中該遮蔽構件係由一陶瓷材料製作。
如申請專利範圍第1項所述的升舉裝置，其中該耦合構件係一螺絲，而該遮蔽構件係一耐熱膠帶，且配置用於黏著及包覆在該螺絲暴露於該加工氣體之一頭部之外。
一種化學氣相沉積裝置，包括：一加工腔室；一承載平台，配置用於在該加工腔室中支撐一基板；一氣體供應單元，配置用於供應一加工氣體至該加工腔室中以形成一薄膜於該基板上；一排氣單元，配置用於從該加工腔室中移除該加工氣體；一升舉組件，配置用於在一驅動機構之驅動下升舉該基板以從該承載平台上卸載該基板；一耦合構件，配置用於耦合該升舉組件與該驅動機構；以及一遮蔽構件，配置用於包覆該耦合構件暴露於該加工氣體之一部分。
如申請專利範圍第8項所述的化學氣相沉積裝置，其中該升舉組件係配置於該承載平台之一側，且包括一基架及耦合於該基架之複數個升舉頂針，該驅動機構係配置於該加工腔室之外，且包括可伸入或伸出該加工腔室中之一桿部，而該耦合構件係配置用於耦合該基架與該桿部。
一種化學氣相沉積方法，包括：放置一基板於一加工腔室中；供應一加工氣體至該加工腔室中以於該基板上執行一沉積製程，其中該基板係由一承載平台支撐；在該沉積製程之後，藉由一驅動機構驅動一升舉組件以從該承載平台上卸載該基板，其中該升舉組件與該驅動機構之間係由一耦合構件耦合，且該耦合構件係由一遮蔽構件遮蔽而避免暴露於該加工氣體；以及移除該加工腔室中之該加工氣體。