TW201841957A - 高分子化合物之製造方法及組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種即便在室溫條件下亦不產生凝膠化之高分子化合物之製造方法。
本發明係提供一種高分子化合物之製造方法，其包含：在式(3)所示的化合物的存在下，使式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與式(2)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟。
又，本發明係提供一種組成物，其含有具有式(7)所示的重複單元及式(8)所示的重複單元之高分子化合物(A)、以及式(3)所示的化合物。

Description

高分子化合物之製造方法及組成物
本發明係關於一種高分子化合物之製造方法及組成物。
例如，在有機薄膜電晶體的領域之製造方法中，要求使高分子化合物在低溫硬化而得到絕緣層。
作為在低溫硬化之高分子化合物之製造方法者，有報告一種製造方法，其係藉由在實質上醇類不存在下，將使甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯與丙二酸二乙酯反應所得到的生成物、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2-丁酯、及甲基丙烯酸2-羥基乙酯共聚合(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平10-316643號公報
但是，上述專利文獻1所記載之高分子化 合物之製造方法，因為在低溫條件下容易產生聚合反應以外的化學反應，故有在聚合反應中產生凝膠化之問題。
本發明之目的係提供一種即便在室溫條件下亦不產生凝膠化之高分子化合物之製造方法。
亦即，本發明的實施態樣係包含下述[1]至[12]項所記載的發明。
[1]一種高分子化合物之製造方法，係包含：在下述式(3)所示的化合物的存在下，使下述式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與下述式(2)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟，R9-OH (3)(式(3)中，R9係表示碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、或碳原子數2至20的下述式(6)所示的基，該烷基、環烷基、或下述式(6)所示的基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代)
-(R15-O)q-R16 (6)(式(6)中，R15表示碳原子數1至6的二價直鏈狀脂肪族烴基， R16表示碳原子數1至19的一價直鏈狀脂肪族烴基，q表示1至19的整數，但是，R15、R16、及q係以全體碳原子數成為2至20之方式調整)
(式(1)中，R1、R2及R3可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R4及R5可互相不同，且表示碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基，該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代，Ra表示碳原子數1至20的二價有機基，X係表示氧原子、或-NRn-所示的基，Rn表示氫原子或碳原子數1至20的一價有機基，l表示1至6的整數，Ra為複數個時，該複數個Ra可互相不同)
(式(2)中，R6、R7及R8可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，Rb係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R6所鍵結之碳原子側，Rc表示單鍵、或碳原子數1至20的二價有機基，m表示0至6的整數，Rb為複數個時，該複數個Rb可互相不同)。
[2]如[1]所述之高分子化合物之製造方法，其中，前述步驟係在前述式(3)所示的化合物之存在下，使前述式(1)所示的聚合性不飽和化合物、前述式(2)所示的聚合性不飽和化合物、以及下述式(4)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟， (式(4)中，R10、R11、及R12可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R13係表示氯原子、氟原子、溴原子、碘原子、或碳原子數1至20的一價有機基，Rd係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，該等-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R10所鍵結之碳原子側，Rd所示的二價有機基中的氫原子可被氟原子取代，n1表示0至5的整數，n2表示0至6的整數，Rd為複數個時，該複數個Rd可互相不同，R13為複數個時，該複數個R13可互相不同)。
[3]如[1]或[2]所述之高分子化合物之製造方法，其中，前述式(3)中，R9為碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基(該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子 數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、或碳原子數6至20的一價芳香族烴基取代)。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之高分子化合物之製造方法，其中，相對於所使用的聚合性不飽和化合物之總重量，前述式(3)所示的化合物為1質量%至1900質量%。
[5]一種組成物，係含有高分子化合物(A)、及下述式(3)所示的化合物，其中，該高分子化合物(A)係具有下述式(7)所示的重複單元及下述式(8)所示的重複單元， (式(7)中，R1、R2及R3可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R4及R5可互相不同，且表示碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基。該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代， Ra表示碳原子數1至20的二價有機基，X係表示氧原子、或-NRn-所示的基，Rn表示氫原子或碳原子數1至20的一價有機基，l表示1至6的整數，Ra為複數個時，該複數個Ra可互相不同，＊係表示鍵結位置)
(式(8)中，R6、R7及R8可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，Rb係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R6所鍵結之碳原子側。
Rc表示單鍵、或碳原子數1至20的二價有機基，m表示0至6的整數，Rb為複數個時，該複數個Rb可互相不同，＊係表示鍵結位置)
R9-OH (3)(式(3)中，R9係表示碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、或碳原子數2至20的下述式(6)所示的基，該烷基、環烷基、或下述式(6)所示的基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代)。
[6]如[5]所述之組成物，其中，前述高分子化合物(A)係進一步含有下述式(9)所示的重複單元之高分子化合物， (式(9)中，R10、R11、及R12可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R13係表示氯原子、氟原子、溴原子、碘原子、或碳原子數1至20的一價有機基，Rd係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、 或-NHCOO-所示的基，該等-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R10所鍵結之碳原子側，Rd所示的二價有機基中的氫原子可被氟原子取代，n1表示0至5的整數，n2表示0至6的整數，Rd為複數個時，該複數個Rd可互相不同，R13為複數個時，該複數個R13可互相不同，＊係表示鍵結位置)。
[7]如[5]或[6]所述之組成物，其中，前述式(3)中，R9為碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基(該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、或碳原子數6至20的一價芳香族烴基取代)。
[8]如[5]或[6]所述之組成物，其中，組成物所含有的前述式(3)所示的化合物為1質量%以上且95質量%以下。
[9]一種絕緣層用組成物，係含有使用在電子裝置之[5]至[8]項中任一項所述之組成物。
[10]如[9]所述之絕緣層用組成物，其中，前述電子裝置為有機薄膜電晶體。
[11]一種有機薄膜電晶體，係包含[5]至[7]項中任一項所述之組成物硬化而成的膜作為閘極絕緣層。
依照本發明，能夠提供一種即便在室溫條 件下亦不產生凝膠化之高分子化合物之製造方法。
1‧‧‧基板
2‧‧‧閘極電極
3‧‧‧閘極絕緣層
4‧‧‧有機半導體層
5‧‧‧源極電極
6‧‧‧汲極電極
7‧‧‧覆蓋塗層
10‧‧‧有機薄膜電晶體
第1圖係示意性地顯示本發明的第1實施形態之底閘極頂接觸(bottom gate top contact)型有機薄膜電晶體的結構之概略圖。
第2圖係示意性地顯示本發明的第2實施形態之底閘極底接觸型有機薄膜電晶體的結構之概略圖。
第3圖係示意性地顯示本發明的第3實施形態之頂閘極底接觸型有機薄膜電晶體的結構之概略圖。
其次，進一步詳細地說明本發明的實施形態。又，所參照的各圖式，只不過是以能夠理解本發明的程度而概略地表示構成要素之形狀、大小、及配置。本發明係不被下述記載所限定，各構成要素在不脫離本發明的要旨之範圍內能夠適當地變更。說明所用之圖式中，針對同樣的構成要素係附加相同符號而顯示，且針對重複的說明係有省略之情況。又，本發明的實施形態之構成，未必採用圖式所示之配置而製造、或使用。
又，在本說明書中，所謂「高分子化合物」係意指在分子中含有可互相不同的複數個結構單元(重複單元)之化合物，「高分子化合物」亦包含所謂的二聚物。又，在本說明書中，所謂「低分子化合物」，係意指在分子中不含有複數個結構單元之化合物。
<共通用語之說明>
在本說明書中共通地使用之用語，只要未特別記載就是以下的意思。
碳原子數1至20的一價有機基可為直鏈狀、分枝狀、環狀的任一態樣，並可為脂肪族烴基或芳香族烴基。
碳原子數1至20的一價有機基，可舉例如：碳原子數1至20的一價直鏈狀脂肪族烴基、碳原子數3至20的一價分枝狀脂肪族烴基、碳原子數3至20的一價脂環式烴基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數6至20的芳氧基、碳原子數2至20的醯基、碳原子數2至20的烷氧羰基、及碳原子數7至20的芳氧羰基。
該等基中的氫原子可被碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價烴基、或鹵素原子取代。
一價有機基較佳為：碳原子數1至6的一價直鏈狀脂肪族烴基、碳原子數3至6的一價分枝狀脂肪族烴基、碳原子數3至6的一價脂環式烴基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、碳原子數1至6的烷氧基、碳原子數6至20的芳氧基、碳原子數2至7的醯基、碳原子數2至7的烷氧羰基、及碳原子數7至20的芳氧羰基。
該等基中的氫原子可被碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價烴基、或鹵素原子取代。
碳原子數1至20的一價有機基之具體例，可舉出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、異丙基、異丁基、第三丁基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊炔基、環己炔基、三氟甲基、三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、甲苯基、二甲苯基(xylyl)、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙基苯基、三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基萘基、二甲基萘基、三甲基萘基、乙烯基萘基、乙烯基萘基、甲基蒽基、乙基蒽基、五氟苯基、三氟甲基苯基、氯苯基、溴苯基、甲氧基、乙氧基、苯氧基、乙醯基、苯甲醯基、甲氧基羰基、苯氧基羰基、苯甲基等。
碳原子數1至20的一價有機基，係以碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基為佳。
碳原子數1至20的烷基可為直鏈狀、分枝狀的任一者。
碳原子數1至20的烷基，可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二基。
碳原子數1至20的烷基，可具有碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子作為取代基。
具有取代基之碳原子數1至20的烷基，可舉例如：三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、苯甲基、2-苯基乙基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基、6-乙氧基己基、甲氧基甲基、乙氧基乙基。
碳原子數3至20的環烷基，可舉例如：環戊基、環己基。
碳原子數3至20的環烷基，可具有碳原子數1至20的烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子作為取代基。
碳原子數1至20的二價有機基可為直鏈狀、分枝狀、環狀的任一態樣，並可為脂肪族烴基或芳香族烴基。
碳原子數1至20的二價有機基，可舉例如：碳原子數1至20的二價直鏈狀脂肪族烴基、碳原子數3至20的二價分枝狀脂肪族烴基、碳原子數3至20的二價脂環式烴基、碳原子數6至20的二價芳香族烴基。
該等基中的氫原子可被碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原 子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或鹵素原子取代。
尤其，碳原子數1至20的二價有機基，較佳為：碳原子數1至6的二價直鏈狀脂肪族烴基、碳原子數3至6的二價分枝狀脂肪族烴基、碳原子數3至6的二價脂環式烴基、碳原子數6至20的二價芳香族烴基。
該等基中的氫原子可被碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或鹵素原子取代。
二價脂肪族烴基、及二價脂環式烴基的具體例，可舉出：亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸異丙基、伸環丙基、伸正丁基、伸異丁基、伸第二丁基、伸第三丁基、伸環丁基、1-甲基-伸環丙基、2-甲基-伸環丙基、伸正戊基、1-甲基-伸正丁基、2-甲基-伸正丁基、3-甲基-伸正丁基、1,1-二甲基-伸正丙基、1,2-二甲基-伸正丙基、2,2-二甲基-伸正丙基、1-乙基-伸正丙基、伸環戊基、伸正己基、1-甲基-伸正戊基、伸環己基、1-甲基-伸環戊基、2-甲基-伸環戊基、3-甲基-伸環戊基等。
碳原子數6至20的二價芳香族烴基的具體例，可舉出：伸苯基、伸萘基、伸蒽基、二甲基伸苯基、三甲基伸 苯基、乙基伸苯基、二乙基伸苯基、三乙基伸苯基、丙基伸苯基、丁基伸苯基、甲基伸萘基、二甲基伸萘基、三甲基伸萘基、乙烯基伸萘基、乙烯基伸萘基、甲基伸蒽基、乙基伸蒽基等。
鹵素原子為氟原子、氯原子、溴原子、或碘原子。
式中，＊表示重複單元的鍵結位置。
<高分子化合物之製造方法>
本發明係提供一種高分子化合物之製造方法，係包含：在式(3)所示的化合物之存在下，使式(1)所示的聚合性不飽和化合物、及式(2)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟。
本發明的高分子化合物之製造方法，亦可為包含下列步驟之高分子化合物之製造方法：在式(3)所示的化合物之存在下，使式(1)所示的聚合性不飽和化合物、式(2)所示的聚合性不飽和化合物、以及式(1)及式(2)以外所示的聚合性不飽和化合物反應的步驟。
式(1)及式(2)以外所示的聚合性不飽和化合物，可為式(4)所示的聚合性不飽和化合物，亦可為式(4)以外所示的聚合性不飽和化合物。
式(1)及式(2)以外所示的聚合性不飽和化合物可為1種或2種以上。
在本發明的實施形態中，式(1)所示的聚合 性不飽和化合物之進料莫耳比，在將進料的聚合性不飽和化合物的合計含量設為100莫耳%時，以2莫耳%以上且80莫耳%以下為佳，較佳為5莫耳%以上且60莫耳%以下，更佳為5莫耳%以上且50莫耳%以下。
藉由將式(1)所示的聚合性不飽和化合物之進料莫耳比調節成為該範圍，將含有依照本發明的實施形態而得到之高分子化合物的組成物硬化而成之硬化物，在內部能夠充分地形成交聯結構且耐溶劑性提升。
在本發明的實施形態中，式(2)所示之聚合性不飽和化合物的進料莫耳比，在將進料的聚合性不飽和化合物的合計含量設為100莫耳%時，以5莫耳%以上且95莫耳%以下為佳，較佳為10莫耳%以上且80莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上且50莫耳%以下。
藉由將式(2)所示的聚合性不飽和化合物之進料莫耳比調節成為該範圍，將含有依照本發明的實施形態而得到之高分子化合物的組成物硬化而成之硬化物，在內部能夠充分地形成交聯結構且耐溶劑性提升。
在本發明的實施形態中，式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與式(2)所示的聚合性不飽和化合物之進料莫耳比，在將式(2)所示的聚合性不飽和化合物之進料量(莫耳量)設為100時，以莫耳比計，宜為1/100至1000/100，較佳為10/100至1000/100，更佳為50/100至200/100。
藉由將式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與式(2)所示 的聚合性不飽和化合物之進料莫耳比調節成為該範圍，將含有依照本發明的實施形態所得到之高分子化合物的組成物硬化而成之硬化物，在內部能夠充分地形成交聯結構且耐溶劑性提升。
在本發明的實施形態中，式(4)所示的聚合性不飽和化合物之進料量，在將進料的聚合性不飽和化合物之合計含量設為100莫耳%時，從能夠提高將含有所得到之高分子化合物的組成物硬化而成之硬化物的絕緣破壞強度的觀點而言，以1莫耳%以上且90莫耳%以下為佳，以10莫耳%以上且90莫耳%以下為較佳，以30莫耳%以上且80莫耳%以下為更佳。
相對於進料的聚合性不飽和化合物之總重量，式(3)所示的化合物之使用量係以1質量%至1900質量%為佳，以10質量%至1000質量%為較佳，以50質量%至900質量%為更佳。
在本發明的實施形態中，就在下述式(3)所示的化合物的存在下使式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與式(2)所示的聚合性不飽和化合物反應之方法而言，可舉例如使用光聚合起始劑或熱聚合起始劑使其共聚合之方法。
而且，在使用式(1)及式(2)以外所示的聚合性不飽和化合物時，亦可舉出同樣的方法。
以下，說明關於式(1)所示的聚合性不飽和化合物、式(2)所示的聚合性不飽和化合物、式(3)所示的化 合物、式(4)所示的聚合性不飽和化合物、式(1)及式(2)及式(4)以外所示的聚合性不飽和化合物、以及聚合起始劑。
(式(1)所示的聚合性不飽和化合物)
說明關於式(1)所示的聚合性不飽和化合物(以下，有稱為式(1)所示的化合物之情形)。
(式(1)中，R1、R2及R3可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基。
R4及R5可互相不同，且表示碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基。該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代。
Ra表示碳原子數1至20的二價有機基。
X係表示氧原子、或-NRn-所示之基。Rn係表示氫原子或碳原子數1至20的一價有機基。
l表示1至6的整數。
Ra為複數個時，該複數個Ra可互相不同)。
前述式(1)中，R1、R2、及R3較佳係互相獨立地為氫原子、或甲基。
前述式(1)中，X係以氧原子、或-NH-所示之基為佳。
前述式(1)中，Ra係以亞甲基、伸乙基、伸正丙基、或伸正丁基為佳。
前述式(1)中，R4、及R5較佳係互相獨立地為甲基、或乙基。
式(1)所示的化合物能夠藉由習知方法而製造，例如能夠使下述式(5)所示之化合物與丙二酸酯反應而製造。
(式(5)中，R1、R2、R3、Ra、X、及l係表示與上述相同意思)。
式(5)所示之化合物，可舉出異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、及(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯與二異氰酸基化合物之1：1反應生成物。
就會與(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯反應之二異氰酸基化合物而言，例如能夠使用2,4-或2,6-甲苯二異氰酸酯(TDI)、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、六亞甲基二異氰酸酯、3,5,5-三甲基-3-異氰酸基甲基環己基異氰酸酯(IPDI)、間-或對-苯二甲基二異氰酸酯(間-或對-XDI)、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)、1,3-或1,4-雙(異氰酸基甲基)環己烷、離胺酸二異氰酸酯等。
從取得高純度品的容易性及操作容易性而言，式(5)所示之化合物係以異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯為佳，就反應性而言，式(5)所示之化合物係以異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯為最佳。
就會與式(5)的化合物反應之丙二酸酯而言，例如以丙二酸二甲酯、及丙二酸二乙酯為佳。
丙二酸酯能夠藉由使選自由脂肪族醇(例如甲醇、乙醇、異及正丙醇、各種丁醇、2-乙基己醇)、脂環式醇(例如環己基甲醇)、及含有芳香環之醇(例如苯甲醇)所組成的群組之1種以上的醇與丙二酸反應而得到。
以下，表示在本發明的製造方法能夠使用之前述式(1)所示的化合物的具體例，但是本發明係不被該等具體例所限定。
式(1A)至(1W)中，R1表示氫原子或甲基。
(式(2)所示的聚合性不飽和化合物)
說明關於式(2)所示的聚合性不飽和化合物(以下，有稱為式(2)所示的化合物之情形)。
(式(2)中，R6、R7及R8可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基。
Rb係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示之基、-CO-所示之基、-COO-所示之基、-NHCO-所示之基、或-NHCOO-所示之基。-O-所示之基、-CO-所示之基、-COO-所示之基、-NHCO-所示之基、及-NHCOO-所示之基的2個連結鍵之任一者可位於R6所鍵結之碳原子側。
Rc係表示單鍵、或碳原子數1至20的二價有機基。
m係表示0至6的整數。
Rb為複數個時，該複數個Rb可互相不同)。
前述式(2)中，R6、R7、及R8較佳係互相獨立地為氫原子或甲基。
前述式(2)中，m係以0至2的整數為佳。
前述式(2)中，Rb係以-COO-所示之基、-NHCO-所示 之基、-NHCOO-所示之基、亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸異丙基、伸正丁基、或伸苯基為佳。
前述式(2)中，Rc係以單鍵、亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸異丙基、伸正丁基、或伸苯基為佳。
前述式(2)之較佳態樣，可舉出：R6、R7、及R8為氫原子、或甲基，m為1，Rb為-COO-所示之基，Rc為碳原子數1至10的二價脂肪族烴基之情況。
就高分子化合物(B)所含有之式(2)所示的重複單元而言，可例示源自以下所列舉的單體之重複單元。
丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丁酯、丙烯酸4-羥基丁酯、丙烯酸6-羥基己酯、丙烯酸8-羥基辛酯、丙烯酸4-羥甲基環己酯、丙烯酸2-羥基-1-甲基乙酯、丙烯酸2-(2-羥基乙氧基)乙酯、丙烯酸2-羥基環己酯、丙烯酸3-羥基環己酯、丙烯酸4-羥基環己酯、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丁酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯、甲基丙烯酸6-羥基已酯、甲基丙烯酸8-羥基辛酯、甲基丙烯酸4-羥甲基環己酯、甲基丙烯酸2-羥基-1-甲基乙酯、甲基丙烯酸2-(2-羥基乙氧基)乙酯、甲基丙烯酸2-羥苯基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-羥基環己酯、甲基丙烯酸3-羥基環己酯、甲基丙烯酸4- 羥基環己酯、甲基丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、丙烯酸3-全氟丁基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羥基丙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羥基丙酯、丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-全氟丁基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羥基丙酯、及鄰苯二甲酸2-丙烯醯氧基乙基-2-羥基乙酯等具有羥烷基的(甲基)丙烯酸酯；羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、及乙二醇一烯丙醚等羥基乙烯醚；鄰(羥甲基)苯乙烯、間(羥甲基)苯乙烯、及對(羥甲基)苯乙烯等苯乙烯衍生物；N-(2-羥乙基)丙烯醯胺等具有羥烷基的(甲基)丙烯醯胺；2-羥基丙酸(1-甲基)乙烯酯、2-羥基丙酸乙烯酯、3-羥基丙酸乙烯酯、及2-羥基乙酸乙烯酯等乙烯酯；乙烯醇、以及烯丙醇。
式(2)所示的化合物，係以具有羥烷基的(甲基)丙烯酸酯為佳。
(式(3)所示的化合物)
說明關於式(3)所示的化合物。
R9-OH (3)(式(3)中，R9係表示碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、或碳原子數2至20的下述式(6)所示的基。該烷基、環烷基、或下述式(6)所示的基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代)。
-(R15-O)q-R16 (6)(式(6)中，R15表示碳原子數1至6的二價直鏈狀脂肪族烴基，R16表示碳原子數1至19的一價直鏈狀脂肪族烴基，q表示1至19的整數。
但是，R15、R16、及q係以全體碳原子數成為2至20之方式調整)。
式(3)中，R9係以碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基(該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、或碳原子數6至20的一價芳香族烴基取代)為佳。
式(3)所示之化合物，可舉出：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇、1-戊醇、3-甲基-1-丁醇、2-甲基-1-丁醇、2,2-二甲基-1-丙醇、2-戊醇、3-甲基-2-丁醇、3-戊醇、2-甲基-2-丁醇、1-己醇、2-己醇、1-庚醇、1-辛醇、1-壬醇、1-癸醇、1-十一醇、1-十二醇、1-十四醇、1-十八醇、環戊基甲醇、環己基甲醇、苯甲醇、2-苯基乙醇、3-苯基丙醇、甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、二乙二醇一丁醚、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇、2,2,2-三氟乙醇、1H,1H,3H-六氟丁醇、1H,1H,5H-八氟戊醇、及1H,1H,7H-十二氟庚醇、五氟苯甲醇等。
從取得高純度品的容易性而言，式(3)所示之化合物係以甲醇、乙醇及1-戊醇為佳，就高分子化合物的溶解性而言，式(3)所示之化合物係以環戊醇、環己醇、2-乙氧基乙醇、及苯甲醇為佳。
(式(4)所示的聚合性不飽和化合物)
說明關於式(4)所示的聚合性不飽和化合物。
(式(4)中，R10、R11、及R12可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基。
R13係表示氯原子、氟原子、溴原子、碘原子、或碳原子數1至20的一價有機基。
Rd係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示之基、-CO-所示之基、-COO-所示之基、-NHCO-所示之基、或-NHCOO-所示之基。該等-O-所示之基、-CO-所示之基、-COO-所示之基、-NHCO-所示之基、及-NHCOO-所示之基的2個連結鍵之任一者可位於R10所鍵結之碳原子側。Rd所示之二價有機基中的氫原子可被氟原子取代。
n1表示0至5的整數。
n2表示0至6的整數。
Rd為複數個時，該複數個Rd可互相不同。
R13為複數個時，該複數個R13可互相不同)。
前述式(4)中，R10、R11、及R12較佳係互相獨立地為氫原子或甲基。
前述式(4)中，Rd係以碳原子數1至20的二 價有機基、或-COO-所示之基為佳。
前述式(4)中，n2係以0至2的整數為佳。
式(4)所示的聚合性不飽和化合物的例子，可舉出：苯乙烯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2,6-二甲基苯乙烯、3,4-二甲基苯乙烯、3,5-二甲基苯乙烯、2,4,6-三甲基苯乙烯、2,4,5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、間乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯、鄰氯苯乙烯、間氯苯乙烯、對氯苯乙烯、鄰溴苯乙烯、間溴苯乙烯、對溴苯乙烯、鄰甲氧基苯乙烯、間甲氧基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、2-乙烯基聯苯、3-乙烯基聯苯、4-乙烯基聯苯、4-乙烯基-對聯三苯、α-甲基苯乙烯、鄰異丙烯基甲苯、間異丙烯基甲苯、對異丙烯基甲苯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2,3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3,5-二甲基-α-甲基苯乙烯、對異丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯、二乙烯苯、二乙烯基聯苯、二異丙基苯、4-(甲氧基甲氧基)苯乙烯、4-(甲氧基乙氧基甲基氧基)苯乙烯、4-(1-乙氧基乙基氧基)苯乙烯、2-(甲氧基甲氧基羰基)苯乙烯、2-(甲氧基乙氧基甲基氧基羰基)苯乙烯、2-(1-乙氧基乙基氧基羰基)苯乙烯、2-(四氫吡喃基氧基羰基)苯乙烯、3-(甲氧基甲氧基羰基)苯乙烯、3-(甲氧基乙氧基甲基氧基羰基)苯乙烯、3-(1-乙氧基乙基氧基羰基)苯乙烯、3-(四氫吡喃基氧基羰基)苯乙烯、4-(甲氧基甲氧基羰基) 苯乙烯、4-(甲氧基乙氧基甲基氧基羰基)苯乙烯、4-(1-乙氧基乙基氧基羰基)苯乙烯、4-(四氫吡喃基氧基羰基)苯乙烯、丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸苯甲酯、2-三氟甲基苯乙烯、3-三氟甲基苯乙烯、4-三氟甲基苯乙烯、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯、2-氟苯乙烯、3-氟苯乙烯、4-氟苯乙烯、2-氟-α-甲基苯乙烯、3-氟-α-甲基苯乙烯、4-氟-α-甲基苯乙烯、4-氟-β-甲基苯乙烯、4-三氟甲基-α-甲基苯乙烯、4-氟-2,6-二甲基苯乙烯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苯甲酯、N-苯基丙烯醯胺、N-苯基甲基丙烯醯胺、苯甲酸乙烯酯、苯甲酸烯丙酯、丙烯酸2,3,4,5,6-五氟苯甲酯、甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五氟苯甲酯、丙烯酸2-氟苯甲酯、甲基丙烯酸2-氟苯甲酯、丙烯酸3-氟苯甲酯、甲基丙烯酸3-氟苯甲酯、丙烯酸4-氟苯甲酯、甲基丙烯酸4-氟苯甲酯、丙烯酸4-三氟甲基苯甲酯、甲基丙烯酸4-三氟甲基苯甲酯、3-(4-氟苯基)-1-丙烯、3-五氟苯基-1-丙烯、3-(4-三氟甲基苯基)-1-丙烯、(4-氟苯基)丙烯酸酯、(4-氟苯基)甲基丙烯酸酯、丙烯酸五氟苯酯、甲基丙烯酸五氟苯酯、丙烯酸2-(五氟苯基)乙酯、甲基丙烯酸2-(五氟苯基)乙酯、丙烯酸2-(4-氟苯基)乙酯、甲基丙烯酸2-(4-氟苯基)乙酯、N-(4-氟苯基)丙烯醯胺、N-(4-氟苯基)甲基丙烯醯胺、N-(五氟苯基)丙烯醯胺、N-(五氟苯基)甲基丙烯醯胺等。
(其它聚合性不飽和化合物)
說明關於式(1)及式(2)及式(4)以外所示的聚合性不飽和化合物(有稱為其它聚合性不飽和化合物之情形)。
「其它聚合性不飽和化合物」，可舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、4-乙烯苯甲酸、丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯醯胺及其衍生物、甲基丙烯醯胺及其衍生物、甲基丙烯腈、丙烯腈、有機羧酸的乙烯酯及其衍生物、有機羧酸的烯丙酯及其衍生物、反丁烯二酸的二烷酯及其衍生物、順丁烯二酸的二烷酯及其衍生物、伊康酸的二烷酯及其衍生物、有機羧酸的N-乙烯基醯胺衍生物、順丁烯二醯亞胺及其衍生物、末端不飽和烴及其衍生物、以及有機鍺衍生物等。
「其它聚合性不飽和化合物」能夠按照絕緣層被要求的特性而適當地選擇。「其它聚合性不飽和化合物」係以使用如甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物等能夠賦予柔軟性之單體為佳。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之丙烯酸酯類及其衍生物，能夠使用單官能的丙烯酸酯、多官能的丙烯酸酯。
丙烯酸酯及其衍生物，可舉例如：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙基、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸第二丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異莰酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-氰基乙酯、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、1,4-丁烷二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二 丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇五丙烯酸酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、丙烯酸1,1,1,2,2,2-六氟異丙酯、丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、丙烯酸1H,1H,3H-四氟丙酯、丙烯酸1H,1H,5H-八氟戊酯、丙烯酸1H,1H,7H-十二氟庚酯、丙烯酸1H,1H,9H-十六氟壬酯、丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、丙烯酸1H,1H,3H-六氟丁酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之甲基丙烯酸酯類及其衍生物，能夠使用單官能的甲基丙烯酸酯、多官能的甲基丙烯酸酯。
甲基丙烯酸酯及其衍生物，可舉例如：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸異丙基、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第二丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸環己酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁烷二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、新戊四醇五甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙 烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、甲基丙烯酸1,1,1,2,2,2-六氟異丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、甲基丙烯酸1H,1H,3H-四氟丙酯、甲基丙烯酸1H,1H,5H-八氟戊酯、甲基丙烯酸1H,1H,7H-十二氟庚酯、甲基丙烯酸1H,1H,9H-十六氟壬酯、甲基丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、甲基丙烯酸1H,1H,3H-六氟丁酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之丙烯醯胺及其衍生物的例子，可舉出丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N-第三丁基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-(丁氧基甲基)丙烯醯胺、N-[3-(二甲胺基)丙基]丙烯醯胺、N-丙烯醯基嗎啉。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之甲基丙烯醯胺及其衍生物的例子，可舉出甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、N-第三丁基甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基甲基丙烯醯胺、N-(丁氧基甲基)甲基丙烯醯胺、N-[3-(二甲胺基)丙基]甲基丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯基嗎啉。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之有機羧酸的乙烯酯及其衍生物的例子，可舉出乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之有機羧酸的烯丙酯及其衍生物的例子，可舉出乙酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、對苯二甲酸二烯丙酯、間苯二甲酸二烯丙酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之反丁烯二酸的二烷酯及其衍生物的例子，可舉出反丁烯二酸二甲酯、反丁烯二酸二乙酯、反丁烯二酸二異丙酯、反丁烯二酸二第二丁酯、反丁烯二酸二異丁酯、反丁烯二酸二-正丁酯、反丁烯二酸二-2-乙基己酯、反丁烯二酸二苯甲酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之順丁烯二酸的二烷酯及其衍生物的例子，可舉出順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、順丁烯二酸二異丙酯、順丁烯二酸二第二丁酯、順丁烯二酸二異丁酯、順丁烯二酸二-正丁酯、順丁烯二酸二-2-乙基己酯、順丁烯二酸二苯甲酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之伊康酸的二烷酯及其衍生物的例子，可舉出伊康酸二甲酯、伊康酸二乙酯、伊康酸二異丙酯、伊康酸二第二丁酯、伊康酸二異丁酯、伊康酸二-正丁酯、伊康酸二-2-乙基己酯、伊康酸二苯甲酯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之有機羧酸的N-乙烯基醯胺衍生物的例子，可舉出N-甲基-N-乙烯基乙醯胺等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之順丁烯二醯亞胺及其衍生物的例子，可舉出N-苯基順丁烯二醯亞胺、N-環己基順丁烯二醯亞胺等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之末端不飽和烴及其衍生物的例子，可舉出1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、乙烯基環己烷、氯乙烯等。
屬於「其它聚合性不飽和化合物」之有機鍺衍生物的例子，可舉出烯丙基三甲基鍺、烯丙基三乙基鍺、烯丙基三丁基鍺、三甲基乙烯基鍺、三乙基乙烯基鍺等。
該等「其它聚合性不飽和化合物」之中，係以丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、丙烯腈、甲基丙烯腈、烯丙基三甲基鍺為佳。
(聚合起始劑)
光聚合起始劑，可舉例如：苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、4-異丙基-2-羥基-2-甲基苯丙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、4,4’-雙(二乙胺基)二苯基酮、二苯基酮、(鄰苯甲醯基)苯甲酸甲酯、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(鄰苯甲醯基)肟、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻辛基醚、二苯乙二酮(benzil)、苯甲基二甲基縮酮、苯甲基二乙基縮酮、聯乙醯等羰基化合物、甲基蒽醌、氯蒽醌、氯硫雜蒽酮、2-甲基硫雜蒽酮、2-異丙基硫雜蒽酮等蒽醌或硫雜蒽酮 (thioxanthone)衍生物、二苯基二硫醚、二硫代胺甲酸酯等硫化合物。
熱聚合起始劑，只要係會成為自由基聚合的起始劑者即可，可舉例如：2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙異戊腈、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、1,1’-偶氮雙(環己烷甲腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙烷)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)2鹽酸鹽等偶氮化合物、過氧化甲基乙基酮、過氧化甲基異丁基酮、過氧化環己酮、過氧化乙醯丙酮等過氧化酮、過氧化異丁基、過氧化苯甲醯、過氧化2,4-二氯苯甲醯、過氧化鄰甲基苯甲醯、過氧化月桂醯、過氧化對氯苯甲醯等過氧化二醯、2,4,4-三甲基戊基-2-氫過氧化物、氫過氧化二異丙基苯、氫過氧化異丙苯、氫過氧化第三丁基等氫過氧化物、過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)、第三丁基過氧異丙苯、過氧化二第三丁基、參(第三丁基過氧)三等過氧化二烷基、1,1-二第三丁基過氧環己烷、2,2-二(第三丁基過氧)丁烷等過氧縮酮、過氧三甲基乙酸第三丁酯、過氧-2-乙基己酸第三丁酯、過氧異丁酸第三丁酯、過氧六氫對苯二甲酸二第三丁酯、過氧壬二酸二第三丁酯、過氧-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧乙酸第三丁酯、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧三甲基己二酸二第三丁酯等過氧酸烷酯、過氧二碳酸二異丙酯、過氧二碳酸二第二丁酯、及過氧化異丙基碳酸第三丁酯等過氧碳酸酯。
<組成物>
依照本發明之製造方法，能夠以組成物(以下，有稱為共聚物溶液之情形)之形式得到具有下述式(7)所示的重複單元、及下述式(8)所示的重複單元之高分子化合物(A)，其中，該組成物不會產生凝膠化且含有具有式(7)所示的重複單元及式(8)所示的重複單元之高分子化合物(A)、以及式(3)所示的化合物。
(式(7)中，R1、R2、R3、R4、R5、Ra、X、及l表示與上述同樣的意思)。
(式(8)中， R6、R7、R8、Rb、Rc、及m表示與上述同樣的意思)。
組成物係含有式(3)所示的化合物作為溶劑，藉此，高分子化合物的保存安定性提升。
依照本發明的製造方法，例如能夠製造聚苯乙烯換算的數量平均分子量為1.0×103以上且10×108以下之高分子化合物。
依照本發明的製造方法，例如能夠製造重量平均分子量為1.0×103以上且10×108以下之高分子化合物。
所得到的高分子化合物，可為任何種類的共聚物，亦可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物及接枝共聚物的任一種。
組成物，除了式(3)所示的化合物、及高分子化合物以外，還可含有用來混合、調節黏度之溶劑、及在使高分子化合物交聯時與交聯劑組合且通常使用的添加劑等。
(式(9)所示的重複單元)
高分子化合物(A)可含有下述式(9)所示的重複單元。
(式(9)中，R10、R11、R12、R13、Rd、n1、及n2表示與上述同樣 的意思)。
從使本發明的組成物硬化而成的硬化膜的絕緣破壞強度提升之觀點而言，高分子化合物(A)所含有之前述式(9)所示的重複單元的比率，在將高分子化合物所含有的全部重複單元之合計含量設為100莫耳%時，以1莫耳%以上且90莫耳%以下為佳，以10莫耳%以上且90莫耳%以下為較佳，以30莫耳%以上且80莫耳%以下為更佳。
(其它重複單元)
高分子化合物(A)可為具有式(7)及式(8)所示的重複單元、及其它重複單元之高分子化合物，亦可為具有式(7)及式(8)所示的重複單元、式(9)所示的重複單元、及其它重複單元之高分子化合物。
在此，所謂其它重複單元，係意指：除了式(7)所示的重複單元、式(8)所示的重複單元、或式(9)所示的重複單元以外之重複單元。
從後述之使本發明的組成物硬化而成的硬化膜之絕緣破壞強度提升的觀點而言，高分子化合物所含有的其它重複單元之比率沒有特別限制，例如在將高分子化合物所含有的全部重複單元的合計含量設為100莫耳%時，可為0莫耳%以上且90莫耳%以下，亦可為0莫耳%以上且80莫耳%以下，亦可為0莫耳%以上且50莫耳%以下。
式(3)所示的化合物的例子及較佳化合物係與上述者相同。
式(3)所示的化合物的在組成物中之含量，係以1質量%以上且95質量%以下為佳，以5質量%以上且70質量%以下為較佳，以5質量%以上且60質量%以下為更佳。以10質量%以上且50質量%以下為特佳。
(其它成分)
本發明的組成物，亦可進一步含有用來混合、調節黏度的溶劑、在使高分子化合物交聯時與交聯劑組合且通常能夠使用的添加劑等。
所使用的溶劑的例子，可舉出四氫呋喃、二乙醚等醚溶劑、己烷等脂肪族烴溶劑、環己烷等脂環式烴溶劑、戊烯等不飽和烴溶劑、二甲苯等芳香族烴溶劑、環戊酮、2-庚酮、丙酮等酮溶劑、丙二醇一甲醚乙酸酯、乙酸丁酯等乙酸酯溶劑、氯仿等鹵化物溶劑及該等的混合溶劑。
添加劑能夠使用用以促進交聯反應之觸媒、調平劑、黏度調節劑等。
具有式(7)所示的重複單元、及式(8)所示的重複單元之高分子化合物(A)，可舉出下述的高分子化合物。
<將組成物硬化而成之膜>
將含有依照本發明的製造方法而得到之高分子化合物的組成物硬化而能夠成為膜(以下，有稱為硬化膜之情形)。
硬化膜能夠藉由包含下列步驟之製造方法來形成：將含有依照本發明的製造方法而得到之高分子化合物的組成物，塗佈在例如屬於形成對象之基材表面而形成塗佈層之步驟；及將塗佈層硬化之步驟。
硬化膜的製造方法，例如可為包含下列步驟之製造方法：將有機溶劑添加在含有依照本發明的製造方法而得到之高分子化合物的組成物來得到塗佈液之步驟；將塗佈液塗佈在基材表面而形成塗佈層之步驟；及使塗佈層硬化之步驟。
在得到塗佈液之步驟所使用的有機溶劑，只要為使組成物所含有的高分子化合物、交聯劑等成分溶解之有機溶劑，就沒有特別限制，較佳為在常壓的沸點為100℃至200℃之有機溶劑。
適合的有機溶劑的例子，可舉出2-庚酮、丙二醇一甲醚乙酸酯、環戊酮等。
塗佈液能夠按照需要而含有調平劑、界面活性劑、硬化觸媒等。
相對於塗佈液全體，塗佈液所含有的有機溶劑係以30質量%至95質量%為佳。
形成塗佈層之步驟(以下有稱為塗佈階段之情形)，能夠藉由將塗佈液使用習知的旋轉塗佈法、模塗佈法、網版印刷法、及噴墨法等塗佈法塗佈且形成在基材上 來進行。
使塗佈層硬化之步驟(以下，有稱為硬化階段之情形)，只要為使塗佈層所含有的高分子化合物所具有的反應性官能基進行交聯反應之步驟即可，例如能夠藉由照射電磁波、或者使用加熱器及烘箱等進行加熱來進行。
加熱塗佈層時，通常加熱1分鐘以上且120分鐘以下，以加熱10分鐘以上且60分鐘以下為佳。因為所形成的絕緣層的交聯性及絕緣性優異，故塗佈膜的加熱溫度係以80℃以上且250℃以下為佳，以100℃以上且230℃以下為較佳。
在形成塗佈層之步驟、及使塗佈層硬化之步驟之間，可設置使塗佈層乾燥之步驟(以下，有稱為乾燥階段之情形)。
使塗佈層乾燥之步驟之目的係將使用塗佈法形成在基材上的塗佈層中之溶劑除去。使其乾燥之步驟，例如能夠藉由使用加熱器及烘箱等進行加熱來進行。
加熱塗佈層時，通常加熱1分鐘以上且120分鐘以下，以加熱2分鐘以上且60分鐘以下為佳。加熱溫度係以40℃以上且250℃以下為佳，以60℃以上且230℃以下為較佳。
<電子裝置>
說明包含上述的硬化膜之電子裝置。上述實施形態中，因為能夠製造在低溫硬化之高分子化合物並使其硬化，所以使用了含該高分子化合物的組成物之硬化膜，能 夠使用在有機薄膜電晶體、有機LED、感測器等各種的電子裝置。
包含使用了該組成物之硬化膜之電子裝置，係以有機薄膜電晶體為佳。有機薄膜電晶體係以包含該硬化膜作為有機薄膜電晶體的閘極絕緣層為佳。
該「將組成物硬化而成之膜」的絕緣性、密封性、密著性、耐溶劑性優異，故亦能夠使用作為有機薄膜電晶體的覆蓋塗層(overcoat layer)、底塗層等保護層。
有機薄膜電晶體例如除了具備將本發明的組成物硬化而成的膜之閘極絕緣層以外，可進一步具備將本發明的組成物硬化而成的膜作為覆蓋塗層。
以下，說明能夠適合應用本發明的硬化膜之有機薄膜電晶體。
<有機薄膜電晶體>
有機薄膜電晶體係包含上述硬化膜作為閘極絕緣層。
有機薄膜電晶體可為底閘極頂接觸型(第1實施形態)，亦可為底閘極底接觸型(第2實施形態)，亦可為頂閘極底接觸型(第3實施形態)。
以下，參照圖式而說明本發明的組成物之適合的應用對象之有機薄膜電晶體之實施形態。
第1圖係示意性地顯示第1實施形態之底閘極頂接觸型的有機薄膜電晶體的結構之概略圖。
如第1圖所示，第1實施形態的有機薄膜電晶體10，係具備：基板1；閘極電極2，係以與基板1的主表面接合 之方式設置；閘極絕緣層3，係以將閘極電極2覆蓋的方式設置在基板1；有機半導體層4，係與閘極絕緣層3接合且以將閘極電極2的正上方覆蓋之方式設置；源極電極5及汲極電極6，係以與有機半導體層4接合的方式設置且將通道區域夾住，而且以在基板1的厚度方向觀看時(平面視)通道區域會與閘極電極2重疊的方式互相隔離而設置；以及覆蓋塗層7，係以將設置在基板1之閘極電極2、閘極絕緣層3、有機半導體層4、源極電極5及汲極電極6覆蓋的方式設置。
第2圖係示意性地顯示第2實施形態之底閘極底接觸型的有機薄膜電晶體10的結構之概略圖。
如第2圖所示，第2實施形態的有機薄膜電晶體10，係具備：基板1；閘極電極2，係以與基板1的主表面接合之方式設置；閘極絕緣層3，係以將閘極電極2覆蓋的方式設置在基板1；源極電極5及汲極電極6，係與閘極絕緣層3接合且將通道區域夾住，而且以在基板1的厚度方向觀看時(平面視)通道區域會與閘極電極2重疊的方式互相隔離而設置；有機半導體層4，係以跨越源極電極5及汲極電極6之方式設置在源極電極5及汲極電極6及包含通道區域之閘極絕緣層3上；以及覆蓋塗層7，係以將設置在基板1之閘極電極2、閘極絕緣層3、有機半導體層4、源極電極5及汲極電極6覆蓋的方式設置。
第3圖係示意性地顯示第3實施形態之頂閘極底接觸型的有機薄膜電晶體10的結構之概略圖。
如第3圖所示，第3實施形態的有機薄膜電晶體10，係具備：基板1；源極電極5及汲極電極6，係位於基板1上；有機半導體層4，係以跨越源極電極5及汲極電極6的方式形成在基板1上；閘極絕緣層3，係形成在有機半導體層4上；閘極電極2，係形成在閘極絕緣層3上；以及覆蓋塗層7，係將設置在基板1之源極電極5、汲極電極6、有機半導體層4、閘極絕緣層3及閘極電極2覆蓋。
<有機薄膜電晶體的製造方法>
第1實施形態的底閘極頂接觸型有機薄膜電晶體10，例如能夠藉由下列步驟來製造：在基板1的主表面形成閘極電極2；以覆蓋閘極電極2的方式在設有閘極電極2之基板1的表面形成閘極絕緣層3；在閘極絕緣層3上形成有機半導體層4；以與有機半導體層4接合之方式形成源極電極5及汲極電極6；進一步在必要時以將設置在基板1之閘極電極2、閘極絕緣層3、有機半導體層4、源極電極5及汲極電極6覆蓋的方式形成覆蓋塗層7。
第2實施形態的底閘極底接觸型有機薄膜電晶體10，例如能夠藉由下列步驟來製造：在基板1的主表面形成閘極電極2；以覆蓋閘極電極2的方式在設有閘極電極2之基板1的表面形成閘極絕緣層3；在閘極絕緣層3上形成源極電極5及汲極電極6；以跨越源極電極5及汲極電極6之方式且以將源極電極5及汲極電極6的一部分及包含通道區域之閘極絕緣層3的一部分覆蓋之方式形成有機半導體層4；進一步在必要時以將設置在基板1 之閘極電極2、閘極絕緣層3、有機半導體層4、源極電極5及汲極電極6覆蓋的方式形成覆蓋塗層7。
第3實施形態的頂閘極底接觸型有機薄膜電晶體10，例如能夠藉由下列步驟來製造：在基板1的主表面形成源極電極5及汲極電極6；以跨越源極電極5及汲極電極6之方式形成有機半導體層4；形成閘極絕緣層3；形成閘極電極2；進一步在必要時以將設置在基板1之源極電極5、汲極電極6、有機半導體層4、閘極絕緣層3及閘極電極2覆蓋的方式形成覆蓋塗層7。
閘極絕緣層3能夠使用已說明之硬化膜。
閘極絕緣層3之對純水之接觸角，能夠藉由考慮絕緣層用組成物中的高分子化合物所具有的氟原子、疏水性官能基及親水性官能基的量，而使閘極絕緣層3的表面親水性增減來適當地調節。
閘極絕緣層3的表面親水性的增減，能夠藉由調節進行加熱處理之環境的成分來進行。例如使在形成閘極絕緣層3時所進行之乾燥階段及硬化階段(加熱或煅燒)等在含氧氣的環境中進行時，閘極絕緣層3的表面親水性增大；在惰性氣體環境中進行時，閘極絕緣層3的表面親水性降低。在含氧氣的環境中進行加熱時，若提高溫度，則閘極絕緣層3的表面親水性進一步增大。
特別是藉由調節高分子化合物所含有的氟原子的量，能夠將閘極絕緣層3的表面能量調節為適當的範圍，結果，能夠使與有機半導體層4的界面成為良好的 界面。藉此，能夠使有機薄膜電晶體的載子移動度進一步提升。
藉由將高分子化合物所含有的氟原子的量設為1質量%以上，能夠使有機薄膜電晶體的遲滯(hysteresis)特性充分地降低，藉由設為60質量%以下，能夠良好地保持與有機半導體層之親和性，而且在將有機半導體層與閘極絕緣層接合時，能夠形成良好的界面。
在閘極絕緣層3的有機半導體層4側之表面，可形成自組織化單分子層。該自組織化單分子層，例如能夠藉由使用已在有機溶劑中溶解有1至10質量%的烷基氯矽烷化合物或烷基烷氧基矽烷化合物之溶液處理閘極絕緣層3而形成。
用以形成自組織化單分子層之烷基氯矽烷化合物，可舉例如甲基三氯矽烷、乙基三氯矽烷、丁基三氯矽烷、癸基三氯矽烷、十八基三氯矽烷等。
用以形成自組織化單分子層之烷基烷氧基矽烷化合物，可舉出甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、十八基三甲氧基矽烷等。
基板1、閘極電極2、源極電極5、汲極電極6及有機半導體層4，只要係使用先前習知的有機薄膜電晶體之製造方法通常使用的材料及方法而構成即可。
基板1能夠使用樹脂基板或樹脂膜、塑膠基板或塑膠膜、玻璃基板、矽基板等。
閘極電極2、源極電極5及汲極電極6的材料的例子，可舉出鉻、金、銀、鋁、鉬等。閘極電極2、源極電極5及汲極電極6能夠使用蒸鍍法、濺射法、噴墨印刷法等塗佈法等習知的方法來形成。
就有機半導體層4的材料之有機半導體化合物而言，π共軛聚合物被廣泛地使用，例如能夠使用聚吡咯類、聚噻吩類、聚苯胺類、聚烯丙胺類、茀類、聚咔唑類、聚吲哚類、聚(對伸苯基伸乙烯基)類等。
又，有機半導體層4的材料之有機半導體化合物，亦能夠使用對有機溶劑具有溶解性之低分子化合物。此種低分子化合物，可舉例如稠五苯等多環芳香族的衍生物、酞花青(phthalocyanine)衍生物、苝衍生物、四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene)衍生物、四氰基苯二醌二甲烷衍生物、富勒烯(fullerene)類、奈米碳管類等。此種低分子化合物的例子，具體而言，可舉出9,9-二-正辛基茀-2,7-二(硼酸伸乙酯)與5,5’-二溴-2,2’-聯噻吩的縮合物等。
有機半導體層4的形成步驟，例如能夠藉由必要時將溶劑等添加在有機半導體化合物而調製有機半導體層4形成用塗佈液，而且將其塗佈且使塗佈層乾燥來進行。在本發明中，構成閘極絕緣層3之高分子化合物係具有苯基部分或羰基部分且與有機半導體化合物具有親和性。因此，藉由上述塗佈階段及乾燥階段，能夠在有機半導體層4與閘極絕緣層3之間形成均勻且平坦的界面。
就有機半導體層4的形成步驟能夠使用的 溶劑而言，只要為能夠使有機半導體化合物溶解或分散之溶劑，就沒有特別限制。此種溶劑，係以在常壓的沸點為50℃至200℃的溶劑為佳。此種溶劑的例子，可舉出氯仿、甲苯、苯甲醚、2-庚酮、二甲苯、丙二醇一甲醚乙酸酯等。有機半導體層4形成用塗佈液，係與已經說明的絕緣層3形成用塗佈液同樣地，能夠使用習知的旋轉塗佈法、模塗佈法、網版印刷法、噴墨印刷法等塗佈法塗佈在基板1或閘極絕緣層3上。
覆蓋塗層7(保護層)係與已經說明之閘極絕緣層3的形成步驟同樣地進行，例如能夠使用已經說明之本發明的組成物而形成。
又，針對圖中未顯示的底塗層，亦能夠與覆蓋塗層7同樣地進行而形成。
若使用本發明的組成物，則能夠得到保存安定性良好且在低溫硬化之組成物，結果，能夠更簡便地實施閘極絕緣層的形成步驟，甚至於有機薄膜電晶體之製造方法。
<有機薄膜電晶體的用途>
能夠利用使用本發明的組成物而製造之有機薄膜電晶體，製造包含有機薄膜電晶體之顯示器用構件。而且，能夠使用包含該有機薄膜電晶體之顯示器用構件，製造具備顯示器用構件之顯示器。
使用本發明的組成物而形成之有機薄膜電晶體，亦能夠使用在OFET感測器。OFET感測器係使用 有機薄膜電晶體(有機電場效果電晶體：OFET)作為將輸入信號轉換成為電信號而輸出的信號轉換元件之感測器，且在電極、絕緣層及有機半導體層的任一結構中已賦予感應性功能或選擇性功能。OFET感測器，可舉例如生物感測器(biosensor)、氣體感測器、離子感測器、濕度感測器。
例如生物感測器，係具備具有如同上述的構成之有機薄膜電晶體。有機薄膜電晶體，係於通道區域及/或閘極絕緣層具有與標的物質專一性地相互作用之探子(probe)(感應性區域)。標的物質的濃度變化時，藉由探子的電特性變化而能夠使其發揮作為生物感測器之功能。
檢測被檢驗試料中的標的物質之方法，可舉例如將核酸、蛋白質等生物分子、或人工合成的官能基固定在固相載體表面並將該等使用來作為探子之方法。
在該方法中，利用具有互補序列之核酸鏈的相互作用、抗原-抗體反應、酵素-基質反應、受體-配位體(ligand)的相互作用等物質彼此之間或官能基彼此之間的專一性親和性，而使用固相載體的探子捕捉標的物質。因此，選擇對於標的物質具有專一性親和性之物質或官能基作為探子。
探子係藉由因應所選擇的探子種類、固相載體種類之方法，而被固定在固相載體表面。又，亦能夠在固相載體表面合成探子(例如藉由核酸伸長反應來合成探子)。任一情況，均是藉由使被固定在固相載體表面之探子與被檢驗試料接觸且在適當的條件下進行處理，而在固 相載體表面形成探子-標的物質複合體。有機薄膜電晶體的通道區域及/或閘極絕緣層本身亦可作為探子而發揮功能。
氣體感測器係具備具有如同上述的構成之有機薄膜電晶體。在此情況的有機薄膜電晶體中，通道區域及/或閘極絕緣層係作為氣體感應部而發揮功能。在被偵測氣體接觸氣體感應部時，藉由氣體感應部的電特性(導電率、介電常數等)產生變化而能夠作為氣體感測器而發揮功能。
被偵測氣體，可舉例如電子接受性氣體、電子供給性氣體。電子接受性氣體，可舉例如F2、Cl2等鹵素氣體、氮氧化物氣體、硫氧化物氣體、乙酸等有機酸氣體。電子供給性氣體，可舉例如氨氣體、苯胺等胺類氣體、一氧化碳氣體、氫氣體。
使用本發明的組成物而形成的有機薄膜電晶體，亦能夠使用於製造壓力感測器。壓力感測器係具備具有如同上述的構成之有機薄膜電晶體。此時，在有機薄膜電晶體中，通道區域及/或閘極絕緣層係作為感壓部而發揮功能。在對感壓部施加應力時，藉由感壓部的電特性產生變化而能夠作為感壓感測器而發揮功能。
通道區域係作為感壓部而發揮功能時，為了進一步提升在通道區域所含有的有機半導體之結晶性，有機薄膜電晶體可進一步具有配向層。配向層，可舉例如以使用六甲基二矽氮烷等矽烷偶合劑而與閘極絕緣層接合之方式設置之單分子層。
又，使用本發明的組成物而形成的有機薄膜電晶體，亦能夠使用於製造導電度調變型感測器。本發明的導電度調變型感測器，係使用導電度計量元件作為將輸入信號轉換成為電信號而輸出之信號轉換元件者，且係含有本發明的組成物之膜、或者是對含有本發明的組成物之膜賦予對檢測對象的輸入之感應性功能或選擇性功能而成者。導電度調變型感測器係將檢測對象的輸入，以本發明的組成物的導電度變化來檢測。導電度調變型感測器，可舉例如生物感測器、氣體感測器、離子感測器、濕度感測器。
又，使用本發明的組成物而形成之有機薄膜電晶體，亦能夠使用於製造包含有機薄膜電晶體之放大電路，該放大電路係用以將來自生物感測器、氣體感測器、離子感測器、濕度感測器、壓力感測器等各種感測器的輸出信號放大。
而且，使用本發明的組成物而形成之有機薄膜電晶體，亦能夠使用於製造將複數個生物感測器、氣體感測器、離子感測器、濕度感測器、壓力感測器等各種感測器整合而成之感測器陣列。
又，使用本發明的組成物而形成的有機薄膜電晶體，亦能夠使用於製造包含有機薄膜電晶體之附放大電路的感測器陣列，其整合有複數個生物感測器、氣體感測器、離子感測器、濕度感測器、壓力感測器等各種感測器，且用以將來自各感測器的輸出信號個別地放大。
[實施例]
以下，藉由實施例而進一步詳細地說明本發明。本發明係不被以下說明的實施例所限定。
(分子量分析)
後述之高分子化合物C的數量平均分子量及重量平均分子量，係使用凝膠滲透層析(GPC，Waters公司製，商品名：Alliance GPC 2000)而求取。被測定之高分子化合物C係溶解在鄰二氯苯中且注入至GPC。GPC的移動相係使用鄰二氯苯。管柱係使用「TSKgel GMHHR-H(S)HT(2支連結，TOSOH公司製)」。檢測器係使用UV檢測器。
高分子化合物1至13的數量平均分子量及重量平均分子量，係使用凝膠滲透層析(GPC，TOSOH公司製)而求取。GPC的移動相係使用THF。管柱係使用「PLgel 10μm MIXED-B(1支，Agilent Technologies公司製)」。檢測器係使用UV檢測器。
合成例1(高分子化合物C的合成)
按照下述流程而合成高分子化合物C。
使用氮氣取代反應容器內的氣體後，添加下述式B-1所示的化合物B-1(286.8mg，0.200mmol)、下述式B-2所示的化合物B-2(77.6mg，0.200mmol)、四氫呋喃19mL、參(二苯亞甲基丙酮)二鈀7.3mg、四氟硼酸三第三丁基鏻9.3mg且進行攪拌。在所得到的反應溶液中，將3mol/L的磷酸鉀水溶液滴下1.0mL，回流3小時。在所得到的反應溶液中，添加苯基硼酸24.4mg，回流1小時。在所得到的 反應溶液中，添加N,N-二乙基二硫代胺甲酸鈉三水合物0.1g，回流3小時。將所得到的反應溶液注入至水中，添加甲苯且將甲苯層萃取。將所得到的甲苯溶液，使用乙酸水溶液及水洗淨後，使用矽膠管柱而進行精製。將所得到的甲苯溶液滴下至丙酮時，得到析出物。將所得到的析出物，使用丙酮作為溶劑而進行索氏(Soxhlet)洗淨，來得到含有下述式所示的重複單元之高分子化合物C。高分子化合物C的得量為244mg，聚苯乙烯換算的數量平均分子量為3.1×104，重量平均分子量為6.5×104。
實施例1(高分子化合物(1)的合成)
將苯乙烯(純正化學公司製)2.75g、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯(ALDRICH公司製)2.56g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.69g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.29g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.032g、2-庚酮(東京化成公司製)3.16g、環戊醇(東京化成公司 製)6.32g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡(bubbling)後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(1)之共聚物溶液。
高分子化合物(1)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為6.1×104，重量平均分子量為1.3×105。
比較例1(高分子化合物(2)的合成)
將苯乙烯(純正化學公司製)2.50g、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯(ALDRICH公司製)2.33g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.63g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.26g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.029g、2-庚酮(東京化成公司製)8.62g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在3小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
實施例2(高分子化合物(3)的合成)
將苯乙烯(純正化學公司製)5.00g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.89g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯 (東京化成公司製)0.78g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.038g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)3.86g、環戊醇(東京化成公司製)7.71g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(3)之共聚物溶液。
高分子化合物(3)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為6.1×104，重量平均分子量為1.8×105。
比較例2(高分子化合物(4)的合成)
將苯乙烯(純正化學公司製)5.00g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.89g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.78g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.038g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)11.57g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在1.5小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
實施例3(高分子化合物(5)的合成)
將甲基丙烯酸甲酯(和光純藥公司製)3.03g、甲基丙烯 酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.20g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.50g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.050g、環戊酮(東京化成公司製)10.05g、甲醇(東京化成公司製)1.12g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(5)之共聚物溶液。
高分子化合物(5)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為2.6×104，重量平均分子量為1.3×105。
比較例3(高分子化合物(6)的合成)
將甲基丙烯酸甲酯(和光純藥公司製)3.03g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.20g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.50g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.050g、環戊酮(東京化成公司製)16.0g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在1小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
實施例4(高分子化合物(7)的合成)
將甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五氟苯甲酯(SynQuest Laboratories公司製)4.26g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.42g、丙烯酸4-羥基丁酯(日本化成公司製)0.38g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.026g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)7.92g、環戊醇(東京化成公司製)3.96g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(7)之共聚物溶液。
高分子化合物(7)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為5.3×104，重量平均分子量為5.6×105。
實施例5(高分子化合物(8)的合成)
將甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五氟苯甲酯(SynQuest Laboratories公司製)8.52g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.85g、丙烯酸4-羥基丁酯(日本化成公司製)0.77g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.053g、丙二醇一甲醚乙 酸酯(東京化成公司製)7.92g、環戊醇(東京化成公司製)15.84g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(8)之共聚物溶液。
高分子化合物(8)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為3.7×104，重量平均分子量為2.3×105。
比較例4(高分子化合物(9)的合成)
將甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五氟苯甲酯(SynQuest Laboratories公司製)4.26g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.42g、丙烯酸4-羥基丁酯(日本化成公司製)0.38g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.026g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)11.88g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在1小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
實施例6(高分子化合物(10)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙 烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.034g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)7.56g、環戊醇(東京化成公司製)3.78g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(10)之共聚物溶液。
高分子化合物(10)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為4.2×104，重量平均分子量為2.7×105。
實施例7(高分子化合物(11)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.034g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)10.30g、甲醇(東京化成公司製)1.03g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單 元的高分子化合物(11)之共聚物溶液。
高分子化合物(11)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為4.0×104，重量平均分子量為2.4×105。
實施例8(高分子化合物(12)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.034g、甲苯(東京化成公司製)9.07g、苯甲醇(東京化成公司製)2.27g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(12)之共聚物溶液。
高分子化合物(12)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為2.6×104，重量平均分子量為1.8×105。
比較例5(高分子化合物(13)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.034g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)11.33g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在0.7小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
比較例6(高分子化合物(14)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.034g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)10.30g、乙二醇(Aldrich公司製)1.03g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在2.3小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
比較例7(高分子化合物(15)的合成)
將甲基丙烯酸苯甲酯(東京化成公司製)3.67g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.82g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.34g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙 腈)0.034g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)10.30g、丙二酸二乙酯(東京化成公司製)1.03g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合時，在0.7小時就會凝膠化且無法得到共聚物溶液。
實施例9(高分子化合物(17)的合成)
將甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯(東京化成公司製)4.00g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.61g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.66g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.045g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)9.83g、乙醇(和光純藥公司製)4.91g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在60℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(17)之共聚物溶液。
高分子化合物(17)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為7.0×104，重量平均分子量為3.1×105。
實施例10(高分子化合物(18)的合成)
將甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯(東京化成公司製) 4.00g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)1.61g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.66g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.045g、丙二醇一甲醚乙酸酯(東京化成公司製)9.83g、1-丙醇(和光純藥公司製)4.91g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在60℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(18)之共聚物溶液。
高分子化合物(18)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為8.5×104，重量平均分子量為4.1×105。
實施例11(高分子化合物(19)的合成)
將甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯(東京化成公司製)2.14g、甲基丙烯酸2-[雙(乙氧基羰基)甲基]羰基胺基]乙酯(昭和電工公司製，商品名「KARENZ MOI-DEM」)0.54g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成公司製)0.33g、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)0.022g、2-乙氧基乙醇(東京化成公司製)12.14g添加至50mL耐壓容器(ACE GLASS公司製)，藉由氮氣進行起泡後，蓋緊且使其在70℃的油浴中聚合6小時而得到含有具有下述重複單元的高分子化合物(19)之共聚 物溶液。
高分子化合物(19)的聚苯乙烯換算的數量平均分子量為3.1×104，重量平均分子量為9.6×105。
實施例12(絕緣層的製造及評估)
將含有實施例1、3、5、7或9所得到的高分子化合物(1)、(5)、(8)、(11)或(17)之溶液，旋轉塗佈在具有鉻電極之玻璃基板上。
隨後，藉由在加熱板上在130℃乾燥30分鐘來得到絕緣層。
在所得到的絕緣層上，使用金屬遮罩且藉由蒸鍍而形成鋁電極，藉此來製造MIM(金屬絕緣體金屬；metal insulator metal)元件。
<MIM元件的電特性之評估>
使用真空探測器(prober)(Nagase Electronic Equipments Service Co.,LTD製，BCT22MDC-5-HT-SCU)測定所製造的MIM元件之絕緣耐壓。在此，絕緣耐壓係對電極之間施加電場且以漏泄電流成為1×10-8A/cm2之電解強度來進行評估。
將結果顯示在表1。
實施例13(有機薄膜電晶體(1)的製造及評估)
使用含有實施例1所得到之高分子化合物(1)的溶液，製造頂閘極底接觸型有機薄膜電晶體(1)。以下，具體地進行說明。
首先，對玻璃基板照射臭氧UV後，藉由鹼洗淨液進行洗淨且使用純水沖洗。
其次，在玻璃基板上，使用濺鍍法從基板側依照鉻、金的順序進行積層，且採用微影術而圖案化，藉此來形成源極電極、及汲極電極。此時的源極電極、及汲極電極之通道長度設為10μm，通道寬度設為2mm。隨後，藉由將玻璃基板浸漬在全氟苯硫醇的異丙醇稀釋液2分鐘而將已形成於玻璃基板上的電極(特別是金)表面進行裝飾。
接著，藉由將合成例1所得到的0.5質量%高分子化合物C的甲苯溶液旋轉塗佈在源極電極及汲極電極側，且使用加熱板而在120℃進行加熱處理30分鐘來形 成有機半導體層。
藉由將實施例1所得到的溶液使用旋轉塗佈法塗佈在該有機半導體層上，將所形成的塗佈層在130℃加熱處理30分鐘，而形成含有高分子化合物(1)之塗佈層經硬化的硬化膜之閘極絕緣層。所形成的閘極絕緣層之厚度為1040nm。
而且，藉由在該閘極絕緣層上，使用蒸鍍法將鋁成膜而形成閘極電極來得到有機薄膜電晶體(1)。
評估所得到的有機薄膜電晶體(1)之特性。
具體而言，使用真空探測器(BCT22MDC-5-HT-SCU；Nagase Electronic Equipments Service Co.,LTD製)，在對有機薄膜電晶體(1)的閘極電極施加電壓而使閘極電壓Vg在20V至-40V變化，而且使源極/汲極間電壓Vsd在0V至-40V變化之條件下，測定載子移動度且評估。
有機薄膜電晶體(1)的載子移動度為0.51cm2/Vs。將結果顯示在表2。
實施例14(有機薄膜電晶體(2)的製造及評估)
除了使用含有實施例3所得到的高分子化合物(5)之溶液代替含有實施例1所得到的高分子化合物(1)之溶液以外，其餘係與實施例13同樣地進行而製造有機薄膜電晶體(2)。
使所得到的有機薄膜電晶體(2)的閘極電壓Vg、源極/汲極間電壓Vsd變化，測定載子移動度作為電 晶體特性。載子移動度為0.18cm2/Vs。將結果顯示在表2。
實施例15(有機薄膜電晶體(3)的製造及評估)
除了使用含有實施例5所得到的高分子化合物(8)之溶液代替含有實施例1所得到的高分子化合物(1)之溶液以外，其餘係與實施例13同樣地進行而製造有機薄膜電晶體(3)。
使所得到的有機薄膜電晶體(3)的閘極電壓Vg、源極/汲極間電壓Vsd變化，測定載子移動度作為電晶體特性。載子移動度為0.52cm2/Vs。將結果顯示在表2。

Claims (11)

  1. 一種高分子化合物之製造方法，係包含：在下述式(3)所示的化合物的存在下，使下述式(1)所示的聚合性不飽和化合物、與下述式(2)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟，R 9-OH (3)式(3)中，R 9係表示碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、或碳原子數2至20的下述式(6)所示的基，該烷基、環烷基、或下述式(6)所示的基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代，-(R 15-O) q-R 16 (6)式(6)中，R 15表示碳原子數1至6的二價直鏈狀脂肪族烴基，R 16表示碳原子數1至19的一價直鏈狀脂肪族烴基，q表示1至19的整數，但是，R 15、R 16、及q係以全體碳原子數成為2至20之方式調整， 式(1)中，R 1、R 2及R 3可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R 4及R 5可互相不同，且表示碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基，該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代，R a表示碳原子數1至20的二價有機基，X係表示氧原子、或-NR n-所示的基，R n表示氫原子或碳原子數1至20的一價有機基，l表示1至6的整數，R a為複數個時，該複數個R a可互相不同， 式(2)中，R 6、R 7及R 8可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R b係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R 6所鍵結之碳原子側，R c表示單鍵、或碳原子數1至20的二價有機基，m表示0至6的整數，R b為複數個時，該複數個R b可互相不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物之製造方法，其中，前述步驟係在前述式(3)所示的化合物之存在下，使前述式(1)所示的聚合性不飽和化合物、前述式(2)所示的聚合性不飽和化合物、以及下述式(4)所示的聚合性不飽和化合物反應之步驟， 式(4)中，R 10、R 11、及R 12可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R 13係表示氯原子、氟原子、溴原子、碘原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R d係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，該等-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R 10所鍵結之碳原子側，R d所示的二價有機基中的氫原子可被氟原子取代，n1表示0至5的整數，n2表示0至6的整數，R d為複數個時，該複數個R d可互相不同，R 13為複數個時，該複數個R 13可互相不同。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物之製造方法，其中，前述式(3)中，R 9為碳原子數1至20 的烷基、或碳原子數3至20的環烷基，該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、或碳原子數6至20的一價芳香族烴基取代。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之高分子化合物之製造方法，其中，相對於所使用的聚合性不飽和化合物之總重量，前述式(3)所示的化合物為1質量%至1900質量%。
  5. 一種組成物，係含有高分子化合物(A)、及下述式(3)所示的化合物，其中，該高分子化合物(A)係具有下述式(7)所示的重複單元及下述式(8)所示的重複單元， 式(7)中，R 1、R 2及R 3可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R 4及R 5可互相不同，且表示碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基，該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子 數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代，R a表示碳原子數1至20的二價有機基，X係表示氧原子、或-NR n-所示的基，R n表示氫原子或碳原子數1至20的一價有機基，l表示1至6的整數，R a為複數個時，該複數個R a可互相不同，＊係表示鍵結位置， 式(8)中，R 6、R 7及R 8可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R b係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R 6所鍵結之碳原子側，R c表示單鍵、或碳原子數1至20的二價有機基，m表示0至6的整數， R b為複數個時，該複數個R b可互相不同，＊係表示鍵結位置，R 9-OH (3)式(3)中，R 9係表示碳原子數1至20的烷基、碳原子數3至20的環烷基、或碳原子數2至20的下述式(6)所示的基，該烷基、環烷基、或下述式(6)所示的基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、碳原子數6至20的一價芳香族烴基、或氟原子取代。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之組成物，其中，前述高分子化合物(A)係進一步含有下述式(9)所示的重複單元之高分子化合物， 式(9)中，R 10、R 11、及R 12可互相不同，且表示氫原子、氟原子、或碳原子數1至20的一價有機基，R 13係表示氯原子、氟原子、溴原子、碘原子、或 碳原子數1至20的一價有機基，R d係表示碳原子數1至20的二價有機基、-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、或-NHCOO-所示的基，該等-O-所示的基、-CO-所示的基、-COO-所示的基、-NHCO-所示的基、及-NHCOO-所示的基的2個連結鍵之任一者可位於R 10所鍵結之碳原子側，R d所示的二價有機基中的氫原子可被氟原子取代，n1表示0至5的整數，n2表示0至6的整數，R d為複數個時，該複數個R d可互相不同，R 13為複數個時，該複數個R 13可互相不同，＊係表示鍵結位置。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之組成物，其中，前述式(3)中，R 9為碳原子數1至20的烷基、或碳原子數3至20的環烷基，該烷基、或環烷基中的氫原子可被碳原子數3至20的環烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數3至20的環烷氧基、或碳原子數6至20的一價芳香族烴基取代。
  8. 如申請專利範圍第5或6項所述之組成物，其中，組成物所含有的前述式(3)所示的化合物為1質量%以上且95質量%以下。
  9. 一種絕緣層用組成物，係含有使用在電子裝置之申請專利範圍第5至8項中任一項所述之組成物。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之絕緣層用組成物，其中，前述電子裝置為有機薄膜電晶體。
  11. 一種有機薄膜電晶體，係包含申請專利範圍第5至7項中任一項所述之組成物硬化而成的膜作為閘極絕緣層。
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