TW201832007A - 凸起電極用負型光阻劑組成物及凸起電極之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種凸起電極用負型光阻劑組成物，於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，前述光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下。

Description

凸起電極用負型光阻劑組成物及凸起電極之製造方法

本發明係關於一種凸起電極用負型光阻劑組成物及凸起電極之製造方法。

近年來，為了節省安裝面積及提升電氣性能之目的，採用覆晶（flip chip）連接作為將晶片連接於基板上之連接方法之機會則隨之增加。覆晶連接雖多用於LED（Light Emitting Diode）或雷射裝置等用途，但此覆晶連接中所使用之基板具有得以稱為凸起電極或凸塊（以下總括簡稱為「凸起電極」）之電極。另外，凸起電極亦可用於檢查FPC（Flexible Printed Circuits）基板或液晶顯示面板等之探針。關於如此之探針，其近年需求亦隨之擴大。

過往，作為凸起電極之製造方法，係提案包含烘烤步驟之製造方法，所述烘烤步驟係於烘烤已實施曝光處理之光阻劑膜時，以光阻劑膜之於厚度方向之溫度如具有溫度梯度之態樣烘烤（例如參照專利文獻1：日本專利公開第2007-73919號公報）。於此烘烤步驟中，係加熱光阻劑膜之其中一面側且冷卻另一面側，而形成光阻劑膜之厚度方向之溫度梯度。藉此，光阻劑膜會變得對於顯影液於厚度方向具有相異之耐受性，以顯影液顯影之際，能良好形成凸起電極之錐狀。

然而，專利文獻1所記載之製造方法，因係藉由冷卻或加熱光阻劑膜而令光阻劑膜內之於各位置對於顯影液之耐受性相異，故取決於為冷卻或加熱光阻劑膜所用裝置之性能等，而難以由光阻劑膜穩定形成良好的倒錐狀。而且，關於藉由記載於專利文獻1之製造方法而獲得之凸起電極之錐狀，尚有改善的餘地。

於此，本發明以提供能穩定形成具有良好錐狀凸起電極之凸起電極用負型光阻劑組成物為目的。而且，本發明以提供使用該凸起電極用負型光阻劑組成物之凸起電極製造方法為目的。

本發明人等以解決上述問題為目的而進行專心致志的研究。而且，本發明人等發現使用光阻劑組成物製造凸起電極，且所述光阻劑組成物於形成指定厚度之光阻劑膜時，其指定波長之紫外線穿透率為指定值以下，則所獲得之凸起電極能形成為特別良好的錐狀，進而完成本發明。

亦即，本發明係以有利解決上述問題為目的，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物之特徵在於：於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，前述光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下。若使用本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物，則可穩定形成具有良好錐狀之凸起電極。

此外，本說明書中之「於波長365 nm之光線穿透率」，係針對使用本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物而形成之厚度3.5 μm之光阻劑膜，藉由記載於實施例之方法而量測之光線穿透率。此時，光阻劑膜之「厚度」可藉由記載於實施例之方法而量測。

於此，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物係以含有光線吸收劑者為佳，其中所述光線吸收劑包含滿足下述式（I）之化合物及雙疊氮（bisazide）化合物之至少一者。

［式（I）中，p、q各自為0或1，R¹¹ 、R²¹ 為氫原子，R¹² 、R²² 各自為含有亦可具有取代基之碳數1～3之烴基或伸苯基（phenylene）之有機基，R¹³ 、R²³ 各自為亦可具有氫或取代基之碳數1～3之烴基，R¹² 與R¹³ 、R²² 與R²³ 、及／或R¹³ 與R²³ 各自亦可相互連結而形成為環。］

其原因在於，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物若含有上述指定光線吸收劑，則可形成具有進一步良好錐狀之凸起電極。

而且，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物係以更包含樹脂，且相對於該樹脂100質量份含有該光線吸收劑0.1質量份以上者為佳。其原因在於，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物若含有上述下限值以上比例之上述光線吸收劑，則可形成具有進一步良好錐狀之凸起電極。

而且，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物係以含有含鹵三（triazine）系光酸產生劑者為佳。其原因在於本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物若含有含鹵三系光酸產生劑，則可形成具有進一步良好錐狀之凸起電極。

而且，本發明係以有利解決上述問題為目的，本發明之凸起電極之製造方法其特徵在於包含：光阻劑膜形成步驟，將凸起電極用負型光阻劑組成物塗布於基板上而形成負型光阻劑膜，所述凸起電極用負型光阻劑組成物係於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，前述光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下；曝光步驟，曝光前述負型光阻劑膜；烘烤步驟，烘烤已經過前述曝光步驟之前述負型光阻劑膜；顯影步驟，顯影已經過前述烘烤步驟之前述負型光阻劑膜，而獲得露出前述基板之開口部；凸起電極形成步驟，藉由鍍覆法於前述開口部內析出金屬，藉此形成凸起電極；以及光阻劑膜去除步驟，去除前述基板上之前述負型光阻劑膜。如此一來，若使用本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物製造凸起電極，則可穩定獲得具有良好錐狀之凸起電極。

若根據本發明，則可提供能穩定形成具有良好錐狀凸起電極之凸起電極用負型光阻劑組成物。而且，若根據本發明，則可提供具有良好錐狀凸起電極之製造方法。

以下將詳細說明關於本發明之實施型態。

於此，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物並未特別受到限定，得以於形成能適用於各種用途之凸起電極之際使用。特別是本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物於製造比如同過往所製造之100 μm等級之凸起電極更細微的凸起電極之際，得以特別適用。

而且，本發明之凸起電極製造方法，其特徵在於使用本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物。

（凸起電極用負型光阻劑組成物）

本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物之特徵在於：於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下。若藉由滿足此條件之凸起電極用負型光阻劑組成物，由於可於凸起電極用負型光阻劑穩定形成良好的倒錐狀，而可穩定形成具有良好錐狀之凸起電極。再者，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率以20%以下為佳，且以超過10%為佳，以超過13%為較佳。若光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下，則可優化曝光步驟中之光阻劑膜之厚度方向之到達光線量之分布，藉此可形成具有良好的倒錐狀之負型光阻劑膜。而且，本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物藉由以所形成之光阻劑膜成為上述指定光線穿透率之方式配製組成分，由於無需實施於光阻劑膜之厚度方向形成溫度梯度之步驟，便能於光阻劑膜形成倒錐狀，故可穩定形成良好的倒錐狀。

此外，即使於使用相同的光阻劑組成物形成光阻劑膜之情況中，光阻劑膜之光線穿透率當然取決於所形成之光阻劑膜之膜厚而成為相異值。關於此點，根據本發明人等之研究，發現若藉由於上述指定厚度中達成上述指定之光線穿透率之光阻劑組成物，則即使有視用途形成各種厚度之光阻劑膜而製造凸起電極之情況，亦能穩定製造具有良好錐狀之凸起電極。

＜光阻劑組成物之組成分＞

本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物並未特別受到限定。舉例而言，得以為含有樹脂（a）、交聯樹脂（a）之交聯成分及含有光線吸收劑之感光性光阻劑組成物。再者，交聯成分得以為組合藉由光線照射而產生酸之化合物與將藉由光線而產生之酸作為觸媒而交聯樹脂（a）之化合物。

［樹脂（a）］

作為樹脂（a）並未特別受到限定，可使用一般得以用於光阻劑之形成之鹼溶性樹脂。而且，本說明書中所謂「鹼溶性」，意指溶解於pH8以上之溶液時，不溶比率未達0.1質量%。舉例而言，作為鹼溶性樹脂，可列舉：酚醛（novolak）樹脂、聚乙烯酚樹脂、聚乙烯醇樹脂、甲階酚醛（resol）樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯—丙烯酸共聚物樹脂、羥基苯乙烯聚合物樹脂及聚乙烯羥基苯甲酸酯、以及此些之混合樹脂等。其中，以單獨使用酚醛樹脂或與其他樹脂混合使用者為佳。

—酚醛樹脂—

作為酚醛樹脂，可使用市售的酚醛樹脂，或可使用例如藉由在酸性觸媒（例如草酸）之存在下令酚類與醛類或者酚類與酮類反應而調製之酚醛樹脂。

作為得以用於調製酚醛樹脂之酚類，可列舉例如：酚、鄰甲酚（ortho-cresol）、間甲酚（meta-cresol）、對甲酚（para-cresol）、2,3-二甲基酚、2,5-二甲基酚、3,4-二甲基酚、3,5-二甲基酚、2,4-二甲基酚、2,6-二甲基酚、2,3,5-三甲基酚、2,3,6-三甲基酚、2-三級丁基酚、3-三級丁基酚、4-三級丁基酚、2-甲基間苯二酚（2-methyl resorcinol）、4-甲基間苯二酚、5-甲基間苯二酚、4-三級丁基鄰苯二酚（4-t-butyl catechol）、2-甲氧基酚（2-methoxy phenol）、3-甲氧基酚、2-丙基酚、3-丙基酚、4-丙基酚、2-異丙基酚、2-甲氧基-5-甲基酚、2-三級丁基-5-甲基酚、瑞香草酚（thymol）、異瑞香草酚（isothymol）等。此些材料可分別單獨使用，或者可組合二種以上使用。

作為得以用於調製酚醛樹脂之醛類，可例如列舉：甲醛（formaldehyde）、福馬林（formalin）、多聚甲醛（paraformaldehyde）、三㗁（trioxane）、乙醛、丙醛、苯甲醛（benzaldehyde）、苯乙醛（phenylacetaldehyde）、α-苯丙醛（α-phenylpropaldehyde）、β-苯丙醛、鄰羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、對羥基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、對乙基苯甲醛、對三級丁基苯甲醛、對酞醛（terephthalaldehyde）等。作為酮類，可列舉：丙酮、甲乙酮、二乙酮、二苯酮（diphenyl ketone）等。此些材料可分別單獨使用，或者可組合二種以上使用。

上述材料中，以並用間甲酚與對甲酚，且令此些材料與甲醛、福馬林或多聚甲醛進行縮合反應，進而調製酚醛樹脂者為佳。其原因在於，因容易控制構成酚醛樹脂之聚合物之分子量分布，而可容易控制光阻劑之靈敏度。間甲酚與對甲酚之準備比例，以質量為基準，通常為80：20～20：80，且以70：30～40：60為佳。

此外，酚醛樹脂之平均分子量，以藉由凝膠滲透層析儀（Gel Permeation Chromatography，GPC）量測之單分散聚苯乙烯換算之重量平均分子量表示時，以1000以上且10000以下為佳。

—聚乙烯酚樹脂—

作為聚乙烯酚樹脂，可列舉例如：乙烯酚之均聚物以及乙烯酚與能與其共聚之單體之共聚物等。作為能與乙烯酚樹脂共聚之單體，可列舉例如：異丙烯酚（isopropenylphenol）、丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯、順丁烯二酐、順丁烯醯亞胺、乙酸乙烯酯。作為聚乙烯基酚樹脂，以乙烯基酚之均聚物為佳，以對乙烯基酚之均聚物為較佳。而且，聚乙烯酚樹脂之平均分子量，以藉由GPC量測之單分散聚苯乙烯換算之重量平均分子量（Mw）表示時，以1000以上且20000以下為佳。

［交聯成分］

交聯成分為藉由光線照射或藉由光線照射後之熱處理而交聯上述樹脂（a）之成分。由於藉由此交聯成分之作用而於光阻劑之曝光區域形成交聯結構，曝光區域之上述樹脂（a）之分子量增大，而極度降低對於顯影液之溶解速度。藉此，光阻劑組成物具有作為能由顯影液顯影之負型光阻劑材料之功能。

交聯成分係組合藉由光線照射而產生酸之化合物（以下亦稱為「光酸產生劑」）及將藉由光線而產生之酸作為觸媒而交聯樹脂（a）之化合物（感酸物質，以下亦稱為「酸交聯劑」）。由與樹脂（a）之相溶性優異且同時藉由與樹脂（a）組合而可提供靈敏度良好的交聯型化學增幅光阻劑之觀點而言，以此些化合物為佳。

—光酸產生劑—

作為藉由光線而產生酸之化合物，只要為於藉由光線曝光時產生布忍斯特酸（Brønsted acid）或路易斯酸（Lewis acid）之物質則並無特別限制，可使用鎓鹽（onium salt）、鹵化有機化合物、醌二疊氮（quinone diazide）化合物、碸（sulfone）化合物、有機酸酯化合物、有機醯胺化合物、有機醯亞胺化合物、由下述式（X）表示之化合物等。其中，光阻劑組成物作為光酸產生物，以含有鹵化有機化合物或下述式（X）所表示之化合物為佳，以含有下述式（X）所表示之化合物之中由下述式（Y）所表示之化合物、或具有鹵基與三環結構之有機化合物之含鹵三系化合物為較佳，以含有含鹵三系化合物為更佳。

［式（X）中，R⁴ 為一價～三價之有機基，R⁵ 表示取代、未取代之飽和烴基、不飽和烴基或芳香族性化合物基，n表示1～3之自然數。於此所謂芳香族性化合物基，意指於芳香族化合物表示特有物理．化學性質之化合物之基，可列舉例如：苯基、萘基（naphthyl）等芳香族烴基或呋喃基（furyl）、噻吩基（thienyl）等雜環基］。此些材料於環上亦可具有1個以上之適當的取代基，例如鹵素原子、烷基（alkyl）、烷氧基（alkoxy）、硝基（nitro）等。］

上述式（X）中，R⁵ 特別以碳數1～4之烷基為佳，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基。R⁴ 特別以芳香族性化合物基為佳，R⁵ 特別以低級烷基之化合物為佳。

而且，作為由上述式（X）表示之酸產生劑，具體可列舉由下述式（Y）表示之2,2’-(1,3-伸苯基)雙[2-(丁碸基氧基亞胺基)乙腈]（2,2’-(1,3-phenylene)bis[2-(butylsulfonyloxyimino) acetonitrile]）。

而且，作為鹵化有機化合物，可列舉：含鹵㗁二唑（oxadiazole）系化合物、含鹵三系化合物、含鹵苯乙酮（acetophenone）系化合物、含鹵素二苯甲酮（benzophenone）系化合物、含鹵亞碸（sulfoxide）系化合物、含鹵碸系化合物、含鹵噻唑（thiazole）系化合物、含鹵㗁唑（oxazole）系化合物、含鹵三唑（triazole）系化合物、含鹵2-哌哢（2-pyrone）系化合物、其它含鹵雜環化合物、含鹵脂族烴化合物、含鹵芳香族烴化合物、鹵化碸烯基（sulfenyl halide）化合物等。

而且，作為含鹵三系化合物之具體例，可列舉：2-[2-(3,4-二甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三、2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三、2-[1-(4-甲氧基)萘基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三等。而且，作為光酸產生劑,以2-[1-(4-甲氧基)萘基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三、2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三及2-[2-(3,4-二甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三為佳，以2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三及2-[2-(3,4-二甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三為較佳，以2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三為更佳。

—酸交聯劑—

酸交聯劑係在藉由光線照射（曝光）所產生之酸之存在下得以交聯上述樹脂之化合物（感酸物質）。作為如此之酸交聯劑，可列舉例如：烷氧甲基化尿素樹脂、烷氧甲基化三聚氰胺樹脂、烷氧甲基化醣醛樹脂、烷氧甲基化乙炔脲（glycoluril）樹脂、烷氧甲基化胺基樹脂等周知之酸交聯性化合物。

另外，作為酸交聯劑，可列舉：烷基醚化三聚氰胺樹脂，苯胍（benzoguanamine）樹脂、烷基醚化苯胍樹脂、脲（urea）樹脂、烷基醚化脲樹脂、胺甲酸乙酯（urethane）—甲醛樹脂、甲階型酚甲醛樹脂、烷基醚化甲階型酚甲醛樹脂、環氧樹脂等。

此外，酸交聯劑以藉由GPC量測之單分散聚苯乙烯換算之重量平均分子量（Mw）表示時，係以重量平均分子量為300以上且未達10000之樹脂為佳。

其中，以烷氧甲基化三聚氰胺樹脂為佳，作為其具體例，可列舉：甲氧甲基化三聚氰胺樹脂、乙氧甲基化三聚氰胺樹脂、正丙氧甲基化三聚氰胺樹脂、正丁氧甲基化三聚氰胺樹脂等。其中，由解析度良好之觀點而言，特別以六甲氧甲基三聚氰胺樹脂等甲氧甲基化三聚氰胺樹脂為佳。作為烷氧甲基化三聚氰胺樹脂之市售品，可列舉例如：PL-1170、PL-1174、UFR65、CYMEL（註冊商標）300、CYMEL（註冊商標）303（以上由三井CYTEC公司製）、BX-4000、NIKALAK MW-30、MX290（以上由三和CHEMICAL公司製）。

此些酸交聯劑可分別單獨使用，或者可組合二種以上使用。相對於上述樹脂100質量份，酸交聯劑通常以0.5～60質量份之比例摻合，以1～50質量份之比例摻合為佳，以2～40質量份之比例摻合為較佳。若酸交聯劑之摻合量為上述下限值以上，則可充分進行交聯反應，可降低使用鹼性顯影液顯影後之光阻劑圖案之殘膜率，或可避免易於在光阻劑圖案發生吸液膨脹或蜿蜒等變形。若酸交聯劑之摻合量為上述上限值以下，則可高解析度化所獲得之光阻劑圖案。

［光線吸收劑］

光線吸收劑吸收照射於光阻劑膜之光線。藉此，可形成倒錐狀之光阻劑圖案。特別是使用光酸產生劑與酸交聯劑之組合作為交聯成分之光阻劑組成物，係交聯型化學增幅光阻劑，藉由光照射所生成之酸擴散於光阻劑膜內，將使光未到達之區域都引發交聯反應，因此藉由存在光線吸收劑而可良好控制光阻劑圖案之倒錐狀。

作為光線吸收劑並未特別受到限定，可列舉例如：雙疊氮化合物；偶氮染料、次甲基（methine）染料、次甲基偶氮染料、薑黃素、酮（xanthone）等天然化合物；4,4’-雙(二甲胺基)二苯甲酮（所謂的「米其勒酮（Michler’s ketone）」）等二烷基胺基化合物；氰乙烯基苯乙烯系化合物；1-氰基-2-(4-二烷基胺基苯基)乙烯類；對鹵代苯偶氮基二烷基胺基苯類；1-烷氧基-4-(4’-N,N-二烷基胺基苯偶氮基)苯類；1,2-二氰乙烯；9-氰蒽；9-蒽亞甲基丙二腈（9-anthryl methylene malononitrile）；N-乙基-3-咔唑亞甲基丙二腈（N-ethyl-3-carbazolyl methylene malononitrile）；2-(3,3-二氰基-2-亞丙烯基)-3-甲基-1,3-噻唑啉（2-(3,3-dicyano-2-propenylidene)-3-methyl-1,3-thiazoline）等。此些材料可單獨使用一種或混合多種使用。

其中，作為光線吸收劑，以兩末端具有疊氮基之雙疊氮化合物、或滿足下述式（I）之化合物為佳。

［式（I）中，p、q各自為0或1，R¹¹ 、R²¹ 為氫原子，R¹² 、R²² 各自為含有亦可具有取代基之碳數1～3之烴基或伸苯基之有機基，R¹³ 、R²³ 各自為亦可具有氫或取代基之碳數1～3之烴基，R¹² 與R¹³ 、R²² 與R²³ 、及／或R¹³ 與R²³ 各自亦可相互連結而形成為環。］

此外，作為R¹² 、R²² 之得以具有之取代基及R¹³ 、R²³ 為碳數1～3之烴基之情況中得以具有之取代基，可列舉例如：胺基、疊氮基、羥基、碳數1～3之烷氧基及二烷基（碳數1～3）胺基等。

而且，R¹² 及R²² 可彼此相同亦可彼此相異。同樣地，R¹³ 及R²³ 可彼此相同亦可彼此相異。

此外，作為雙疊氮化合物並未特別受到限定，可列舉例如：4,4’-二疊氮查耳酮（4,4’-diazide chalcone）、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)環己酮（2,6-bis(4’-azide benzal) cyclohexanone）、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-乙基環己酮、4,4’-二疊氮茋-2,2’-二碸酸鈉（Sodium 4,4’-diazide stilbene-2,2’-disulfonate）、4,4’-二疊氮二苯基硫化物、4,4’-二疊氮二苯甲酮、4,4’-二疊氮聯苯、2,7-二疊氮茀、4,4’-二疊氮苯甲烷。而且，此些雙疊氮化合物中，得以適當使用滿足上述式（I）之雙疊氮化合物作為光線吸收劑。作為滿足上述式（I）之雙疊氮化合物，可列舉例如：4,4’-二疊氮查耳酮、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)環己酮、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮、2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-乙基環己酮、4,4’-二疊氮二苯甲酮。此些材料可單獨使用一種或混合多種使用。

而且，作為得以由上述式（I）表示之雙疊氮化合物以外之光線吸收劑，可列舉：薑黃素等天然化合物、4,4’-雙(二甲胺基)二苯甲酮等。此些材料可單獨使用一種或混合多種使用。

於此，作為光線吸收劑，以結構中具有共軛結構者為佳。於本說明書中，所謂「共軛結構」意謂sp² 碳原子連續鍵結而成之結構。光線吸收劑雖於此結構中得以具有一個或多個共軛結構，但以光線吸收劑所含有之所有構成共軛結構之sp² 碳原子之總數量為6個以上為佳，以12個以上為較佳，且以40個以下為佳，以30個以下為較佳，以20個以下為更佳。再者，光線吸收劑以含有2個以上之共軛結構為佳，且以構成各共軛結構之sp² 碳原子為2個以上且20個以下為佳。再更者，光線吸收劑以含有二個以上具有苯環結構之共軛結構為佳。

具體而言，作為光線吸收劑，以使用如同由下述式（II）表示之2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮之雙疊氮化合物、由下述式（III）表示之薑黃素、或由下述式（IV）表示之4,4’-雙(二甲胺基)二苯甲酮為佳，以使用2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮為較佳。此外，下述式（IV）中之「Et」表示乙基。

—光線吸收劑之含量—

相對於上述樹脂（a）100質量份，光阻劑組成物所含有之光線吸收劑以超過1.0質量份為佳，以超過1.5質量份為較佳，以超過1.8質量份為更佳，且通常為10質量份以下，以8質量份以下為佳，以5質量份以下為較佳。相對於樹脂（a）100質量份，光阻劑組成物中之光線吸收劑之摻合量若超過1.0質量份，則可形成具有進一步良好錐狀之凸起電極。再者，藉由光線吸收劑之摻合量定為上述上限值以下，於可形成具有進一步良好的錐狀之凸起電極的同時，還可提升光阻劑組成物之保存穩定性。再者，一般於光阻劑膜厚為厚之情況中，由於光線難以穿透光阻劑膜，故光線吸收劑之摻合量亦可較少，於光阻劑膜厚為薄之情況中，光線吸收劑之摻合量以使用較多為佳。

［鹼性化合物］

對於光阻劑組成物，亦可摻合鹼性化合物。其原因在於，若摻合鹼性化合物，則可與光阻劑組成物保存時自光酸產生劑等所產生非預期之酸之間藉由酸鹼相互作用而形成鹽，而可提升光阻劑組成物之保存穩定性。作為鹼性化合物，可列舉無機鹼性化合物及有機鹼性化合物。使用光阻劑組成物形成光阻劑時，就對於有機溶劑之溶解性為高而言，以有機鹼性化合物為較佳。其原因在於，可提升光阻劑組成物溶液塗布於基板上形成塗膜之均勻性。作為有機鹼性化合物，可列舉例如：含氮鹼性化合物、有機鹵化物、烷氧化物（alkoxide）、膦氮烯（phosphazene）衍生物及Verkade鹼等。其中，作為鹼性化合物，以使用含氮鹼性化合物為佳。其原因在於，可進一步提升光阻劑組成物之保存穩定性。

而且，作為含氮鹼性化合物，可列舉：脂族一級胺、脂族二級胺、脂族三級胺、胺醇、芳香族胺、氫氧化四級銨、脂環胺等。作為含氮鹼性化合物，以摻合脂族一級胺、脂族二級胺、脂族三級胺為佳。作為含氮鹼性化合物之具體例，可列舉：丁胺、己胺、乙醇胺、三乙醇胺、2-乙基己胺、2-乙基己氧基丙胺、甲氧基丙胺、二乙胺基丙胺、N-甲苯胺、N-乙苯胺、N-丙苯胺、二甲基-N-甲苯胺、二乙基-N-甲苯胺、二異丙基-N-二甲苯胺、N-甲胺酚、N-乙胺酚、N,N-二甲苯胺、N,N-二乙苯胺、N,N-二甲胺酚、氫氧化四丁基銨、氫氧化四甲基銨、1,8-二吖雙環[5.4.0]十一-7-烯（1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene）、1,5-二吖雙環[4.3.0]壬-7-烯等。其中，以三乙醇胺為佳。而且，鹼性化合物以藉由GPC量測之單分散聚苯乙烯換算之重量平均分子量（Mw）表示時，係以重量平均分子量為未達300之化合物為佳。

—鹼性化合物之摻合量—

於光阻劑組成物摻合鹼性化合物之情況中，相對於樹脂（a）100質量份，其比例得以例如為0.001～10質量份，以0.005～8質量份為佳，以0.01～5質量份為較佳。若鹼性化合物之含量為上述範圍內，則可提升光阻劑組成物之保存穩定性。

［其他添加劑］

對於光阻劑組成物可任意添加界面活性劑，作為界面活性劑，可列舉例如：聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類；聚氧乙烯辛苯基醚、聚氧乙烯壬酚醚等聚氧乙烯芳香基醚類；聚乙二醇二月桂酸酯（poly ethylene glycol dilaurate）、乙二醇二硬脂酸酯（ethylene glycol distearate）等聚乙二醇二烷基酯類；Efftop EF301、EF303、EF352（新秋田化成公司製）、MEGAFACE F171、F172、F173、F177（大日本油墨公司製）、FLUORAD FC430、FC431（住友3M公司製）、AsahiGuard AG710、SURFLON S-382、SC-101、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105、SC-106（旭硝子公司製）等氟元素界面活性劑；有機矽氧烷聚合物-KP341（信越化學工業公司製）；丙烯酸系或甲基丙烯酸系（共）聚合物POLYFLOW No.75、No.95（共榮社油脂化學工業公司製）。光阻劑組成物之固體含量每100質量份，此些界面活性劑之摻合量通常為2質量份以下，以1質量份以下為佳。

［溶劑］

作為溶解上述各成分之溶劑，以使用有機溶劑為佳。為了得以均勻溶解或分散如上所述之各成分，有機溶劑可使用充足份量。光阻劑組成物溶液中之固體含量濃度通常為5～50質量%，以10～45質量%之程度為佳。

作為有機溶劑，可列舉例如：正丙醇、異丙醇、正丁醇、環己醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮等酮類；甲酸丙酯、甲酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸乙酯等酯類；四氫呋喃、二㗁（dioxane）等環醚類；甲賽珞蘇（methyl cellosolve）、乙賽珞蘇、丁賽珞蘇等賽珞蘇類；乙酸乙賽珞蘇酯、乙酸丙賽珞蘇酯、乙酸丁賽珞蘇酯等乙酸賽珞蘇酯類；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚等醇醚類；丙二醇、乙酸丙二醇單甲醚酯、乙酸丙二醇單乙醚酯、丙二醇單丁醚等丙二醇類；二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等二乙二醇類；γ-丁內酯等內酯類；三氯乙烯等鹵化烴類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺等極性有機溶劑；混合二種以上此些材料之混合溶劑等。其中，作為有機溶劑，以使用乙酸丙二醇單甲醚酯為佳。

＜光阻劑組成物之製造方法＞

藉由已知方法混合上述各成分，而可製造光阻劑組成物。於此，光阻劑組成物係例如作為將各成分溶解於有機溶劑中且過濾所獲得之光阻劑組成物溶液，以供使用。溶解至有機溶劑之際，可使用攪拌器、球磨機、砂磨機、珠磨機、顏料分散機、擂潰機、超音波分散機、均化器、行星式混合器、FILMIX等已知的混合機。而且，於過濾之際，可採用使用過濾器等濾材之一般過濾方法。

（凸起電極之製造方法）

本發明之凸起電極之製造方法，其特徵在於使用負型光阻劑膜，所述負型光阻劑膜係使用上述本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物而形成。更具體而言，本發明之凸起電極之製造方法，係包含於基板上塗布本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物而形成負型光阻劑膜之光阻劑膜形成步驟、曝光步驟、烘烤步驟、顯影步驟、凸起電極形成步驟及光阻劑膜去除步驟。若根據此本發明之凸起電極之製造方法，可穩定形成具有良好錐狀之凸起電極。

＜調製步驟＞

本發明之凸起電極之製造方法亦可包含於光阻劑膜形成步驟之前調製上述凸起電極用負型光阻劑組成物之調製步驟。此調製步驟中，令本發明之光阻劑組成物溶解於有機溶劑中，而調製凸起電極用負型光阻劑組成物溶液。舉例而言，對於如上所述之溶劑添加本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物或本發明之凸起電極用負型光阻劑組成物所含有之各成分，藉由上述已知的混合機混合並令其溶解，任意實施過濾處理等，而可調製凸起電極用負型光阻劑組成物溶液。

＜光阻劑膜形成步驟＞

光阻劑膜形成步驟中，將調製步驟所獲得之光阻劑組成物溶液塗布於基板上而形成塗膜。其中，基板若係得以作為半導體基板使用之一般基板則並未特別受到限定，得為例如：矽基板、玻璃基板、ITO膜形成基板、鉻膜形成基板、樹脂基板。其中，作為塗布方法，可採用藉由旋塗、噴塗、刷塗等塗布之方法、浸塗等一般的塗布方法。而且，自所塗布之光阻劑組成物溶液藉由已知方法去除有機溶劑，而形成負型光阻劑膜。有機溶劑之去除方法並未特別受到限定，可列舉：加熱塗膜之方法、或放置於室溫下、加熱下及／或減壓大氣下之方法等。

＜預烘烤步驟＞

本發明之凸起電極之製造方法亦可包含於曝光步驟之前加熱光阻劑膜之預烘烤步驟。此預烘烤步驟中並未特別受到限定，得以將加熱溫度定為80℃以上且120℃以下，將加熱時間定為10秒鐘以上且200秒鐘以下。而且，預烘烤步驟並未特別受到限定，能藉由將已形成塗膜之基板載置於一般的烘烤裝置所具備之熱板等加熱機構上而實施。而且，可藉由變更熱板等之設定溫度而控制預烘烤溫度。接下來，已經過預烘烤步驟而獲得之光阻劑膜之膜厚通常為0.1 μm以上且15 μm以下。

＜曝光步驟＞

於曝光步驟中，對於已經過預烘烤步驟之光阻劑膜照射光線。光線係例如波長13.5 nm以上且450 nm以下之活性放射線，具體而言，得為包含紫外線、遠紫外線、準分子雷射光、X射線、電子束、極紫外線（Extreme Ultra Violet）等之光線。而且，作為曝光光源並未特別受到限定，可列舉例如：半導體雷射照射裝置、金屬鹵化物燈、高壓汞燈、準分子雷射（KrF、ArF、F₂ ）照射裝置、X射線曝光裝置、電子束曝光裝置及EUV曝光裝置等。而且，曝光量通常為10 mJ/cm² 以上且2000 mJ/cm² 以下，曝光時間通常為1秒鐘以上且180秒鐘以下。

＜後烘烤步驟＞

本發明之凸起電極之製造方法亦可更包含於曝光步驟之開始以後將光阻劑膜保持於後曝光烘烤溫度條件下之後烘烤步驟。具體而言，後烘烤步驟只要於曝光步驟開始後開始即可，可於曝光步驟完成前開始，亦可於曝光步驟完成後開始。後曝光烘烤步驟雖可藉由與預烘烤步驟同樣之裝置實施，但於曝光步驟完成前開始後烘烤步驟之情況中，以曝光裝置之試樣台具有如同熱板之功能者為佳。後烘烤步驟之時間通常為10秒鐘以上且200秒鐘以下，後烘烤溫度於後曝光烘烤步驟中加熱光阻劑膜之情況中，通常為100℃以上且130℃以下。後曝光烘烤步驟中，藉由加熱已經過曝光步驟之光阻劑膜，而可促進交聯成分之交聯反應。另外，採用僅藉由光線照射便充分發生交聯反應之樹脂（a）及交聯成分之組合之情況中，後曝光烘烤步驟中無需「加熱」光阻劑膜，而亦可於室溫程度（例如25℃）之大氣環境下保持指定時間。

＜顯影步驟＞

使用鹼性顯影液，藉由攪拌顯影、噴霧顯影及浸漬顯影等一般的顯影方法，而顯影出具有露出基板之開口部之光阻劑圖案。顯影步驟中所使用之鹼性顯影液得以為pH8以上之鹼性水溶液。作為鹼，可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、矽酸鈉、氨等無機鹼；乙胺、丙胺等一級胺類；二乙胺、二丙胺等二級胺類；三甲胺、三乙胺等三級胺類；二乙基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類；氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化三乙基羥甲銨、氫氧化三甲基羥乙銨等氫氧化四級銨類；等。而且前述鹼性水溶液中可視需求而添加甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇等之水溶性有機溶液、界面活性劑、樹脂之溶解抑制劑等。

＜凸起電極形成步驟＞

凸起電極形成步驟中，係藉由鍍覆法而於負型光阻劑膜之開口部內析出金屬。作為鍍覆法並未特別受到限定，可採用電鍍等一般鍍覆方法（例如參照日本專利公開第2007-73919號）。

＜光阻劑膜去除步驟＞

光阻劑膜去除步驟中，自基板上去除負型光阻劑膜。作為去除方法並未特別受到限定，可列舉使用能溶解負型光阻劑膜之已知溶劑予以洗淨等一般方法。

以下，雖基於實施例而具體說明本發明，但本發明並非限定於此些實施例。此外，於以下之說明中，除非另有特別聲明，否則表示份量之「%」及「份」係以質量為基準。

實施例及比較例中，光阻劑膜之厚度、光線穿透率、倒錐狀係分別使用以下方法評價。

＜光阻劑膜之厚度＞

關於實施例、比較例中所獲得之光阻劑膜，係使用膜厚量測裝置（SCREEN Holdings公司製之「VM-1210」）針對光阻劑膜面內之5點量測膜厚，且算出數量平均值。

＜光線穿透率＞

以實施例、比較例中所獲得之厚度3.5 μm之光阻劑膜作為受測對象，遵從JIS K0115使用紫外線分光光度計（日本分光公司「V-560」）量測於波長365 nm之光線穿透率（%）。遵從以下基準評價所量測之光線穿透率。 A：光線穿透率20%以下 B：光線穿透率超過20%且30%以下 C：光線穿透率超過30%

＜倒錐狀＞

以實施例、比較例中所獲得之具有光阻劑圖案之光阻劑膜之基板作為量測對象。針對作為光阻劑圖案之開口部之線部分，使用掃描式電子顯微鏡（SEM）量測於光阻劑表面側之線幅寬（頂線幅寬）與於基板側之線幅寬（底線幅寬）。針對任意3點之量測點進行線幅寬之量測。然後，於各量測點以底線幅寬除以頂線幅寬之方式算出「底線幅寬／頂線幅寬比率」。將所有量測點所算出之比率之平均值，定為作為量測對象之附帶有光阻劑膜之基板之「底線幅寬／頂線幅寬之比率」，且遵從以下標準予以評價。若光阻劑膜之光阻劑圖案具有良好的倒錐狀，則使用此光阻劑膜而形成之凸起電極之錐狀可良好形成。 A：底線幅寬／頂線幅寬比率為未達0.7 B：底線幅寬／頂線幅寬比率為0.7以上且未達0.8 C：底線幅寬／頂線幅寬比率為0.8以上

（實施例1）

＜光阻劑組成物溶液之調製（調製步驟）＞

將間甲酚70份及對甲酚30份與甲醛19份脫水縮合而獲得之重量平均分子量（藉由GPC量測之單分散聚苯乙烯換算之重量平均分子量）3000之酚醛樹脂用作為樹脂（a）。相對於此樹脂（a）100份，將作為構成交聯成分之光酸產生劑之含鹵三系光酸產生劑1（綠化學公司製，商品名「TAZ110」，2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三）2.0份、作為酸交聯劑之烷氧甲基化三聚氰胺樹脂（三井CYTEC公司製，商品名「CYMEL（註冊商標）303」）8.0份、作為光線吸收劑之雙疊氮化合物（東洋合成工業公司製，商品名「BAC-M」，2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮）2.0份及作為鹼性化合物之三乙醇胺（沸點335℃）0.5份，溶解於作為有機溶劑之乙酸丙二醇單甲醚酯（PGMEA）176份中。使用孔徑0.1 μm之聚四氟乙烯製薄膜過濾器過濾所獲得之光阻劑組成物之分散液，而調製固體含量濃度為39質量%之光阻劑組成物溶液。

＜光阻劑圖案之形成＞

使用旋塗器將光阻劑組成物溶液塗布於作為基材之矽晶圓上，且使其乾燥，而形成塗膜（光阻劑膜形成步驟）。接下來，於溫度設定為110℃之熱板上載置表面具有塗膜之矽晶圓，保持90秒鐘實施預烘烤步驟。所獲得之光阻劑膜之厚度為3.5 μm。使用所獲得之光阻劑膜，遵從上述方法評價光線穿透率。於表1表示其結果。

自此光阻劑膜之上使用各為20 μm之線與間距（line & space，L&S）圖案之遮罩，而以平行光遮罩對準器（佳能公司製，商品名「PLA501F」，紫外線光源，照射波長365 nm～436 nm）曝光。曝光量定為300 mJ/cm² ，以線部分之幅寬與間隙部分之幅寬成為1：1之方式曝光（曝光步驟）。

曝光步驟後，於溫度設定為100℃之熱板上載置附帶有光阻劑膜之矽晶圓，保持100秒鐘實施後烘烤步驟。後烘烤步驟後，使用2.38質量%之氫氧化四甲銨（TMAH）水溶液攪拌顯影70秒鐘，而獲得L&S之光阻劑圖案。光阻劑圖案之剖面形狀為倒錐狀。接下來，針對所獲得之光阻劑圖案，遵從上述方法評價倒錐狀。於表1表示其結果。

（實施例2）

於光阻劑組成物溶液之調製時，不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例3）

於光阻劑組成物溶液之調製時，將光線吸收劑之摻合量變更為1.5份，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例4）

於光阻劑組成物溶液之調製時，相對於與實施例1同樣將間甲酚70份及對甲酚30份與甲醛19份脫水縮合而獲得之重量平均分子量3000之酚醛樹脂97份，混合重量平均分子量5000之聚對乙烯酚樹脂（丸善石化公司製，「MARUKA LYNCUR（註冊商標）S-2P」）3份者，係用作為樹脂（a）。使用如此之樹脂（a）100份時，不摻合鹼性化合物，且將光線吸收劑之摻合量變更為1.5份，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1各種同樣之量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例5～6）

於光阻劑組成物溶液之調製時，替代實施例1之「Bac-M」2.0份，而分別使用薑黃素（三榮源FFI公司）2.0份（實施例5）、米其勒酮2.0份（實施例6）作為光線吸收劑，且於各實施例中不摻合鹼性化合物。此些要點以外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例7）

於光阻劑組成物溶液之調製時，使用含鹵三系光酸產生劑2（2-[1-(4-甲氧基)萘基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三）2.0份作為光酸產生劑，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例8）

於光阻劑組成物溶液之調製時，使用含鹵三系光酸產生劑2（2-[1-(4-甲氧基)萘基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三）2.0份作為光酸產生劑，更使用米其勒酮2.0份作為光線吸收劑，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（實施例9）

於光阻劑組成物溶液之調製時，使用由下述式（Y）表示之光酸產生劑3（2,2’-(1,3-伸苯基)雙[2-(丁碸基氧基亞胺基)乙腈]）2.0份作為光酸產生劑，更使用雙疊氮化合物（東洋合成工業公司製，商品名「BAC-M」，2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮）2.0份作為光線吸收劑，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（比較例1）

於光阻劑組成物溶液之調製時，替代實施例1之「Bac-M」2份，而摻合既無法由式（I）表示且非雙疊氮系化合物之其他光線吸收劑（保土谷化學工業公司製，「SOT-Z」下述式（Z））2.0份作為光線吸收劑，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

（比較例2）

於光阻劑組成物溶液之調製時，替代實施例1之「Bac-M」2份，而使用既無法由式（I）表示且非雙疊氮係化合物之其他光線吸收劑（2-胺基‐4-(4-甲氧苯基)‐6‐(4‐甲苯基)-1,3,5‐三，表1中表示成「三系光線吸收劑」）作為光線吸收劑，使用苯胍樹脂（日本觸媒公司製）8.0份作為交聯劑，且不摻合鹼性化合物，此外與實施例1相同。接下來，進行與實施例1同樣之各種量測及評價。於表1表示其結果。

於表1中，分別為：「NVK」表示酚醛，「PVP」表示聚乙烯酚，「光酸產生劑1」表示2-[2-(4-甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三，「光酸產生劑2」表示2-[1-(4-甲氧基)萘基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三，「光酸產生劑3」表示2,2’-(1,3-伸苯基)雙[2-(丁碸基氧基亞胺基)乙腈]，「Bac-M」表示2,6-雙(4’-疊氮亞苄基)-4-甲基環己酮，「PGMEA」表示乙酸丙二醇單甲醚酯。

表1

由表1可知，於實施例1～9中，所使用之凸起電極用負型光阻劑組成物於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下（亦即光線穿透率之評價結果為A或B評價），藉此可形成具有良好倒錐狀之光阻劑膜，進而可獲得良好錐狀之凸起電極。而且，於所有實施例中，無需勉強實施為於光阻劑膜之厚度方向形成溫度梯度之操作，亦可形成具有良好錐狀之凸起電極。

另一方面，可知於比較例1～2中，所使用之凸起電極用負型光阻劑組成物於波長365 nm之光線穿透率超過30%（亦即光線穿透率之評價結果為C評價），而無法獲得具有良好倒錐狀之光阻劑膜。

若根據本發明，則可提供能穩定形成具有良好錐狀凸起電極之凸起電極用負型光阻劑組成物。而且，若根據本發明，則可提供具有良好錐狀凸起電極之製造方法。

無。

無。

Claims (5)

1. 一種凸起電極用負型光阻劑組成物，其於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，該光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下。
2. 如請求項1所述之凸起電極用負型光阻劑組成物，其中，含有光線吸收劑，該光線吸收劑包含滿足下述式（I）之化合物及二疊氮化物化合物之至少一者，式（I）中，p、q各自為0或1，R¹¹ 、R²¹ 為氫原子，R¹² 、R²² 各自為含有亦可具有取代基之碳數1～3之烴基或伸苯基（phenylene）之有機基，R¹³ 、R²³ 各自為亦可具有氫或取代基之碳數1～3之烴基，R¹² 與R¹³ 、R²² 與R²³ 、及／或R¹³ 與R²³ 各自亦可相互連結而形成為環。
3. 如請求項2所述之凸起電極用負型光阻劑組成物，其中該凸起電極用負型光阻劑組成物更包含樹脂，且相對於該樹脂100質量份，含有該光線吸收劑0.1質量份以上。
4. 如請求項1～3之任一項所述之凸起電極用負型光阻劑組成物，其中，含有含鹵三（triazine）系光酸產生劑。
5. 一種凸起電極之製造方法，其包含：光阻劑膜形成步驟，將凸起電極用負型光阻劑組成物塗布於基板上而形成負型光阻劑膜，該凸起電極用負型光阻劑組成物於形成厚度3.5 μm之光阻劑膜之情況中，該光阻劑膜之於波長365 nm之光線穿透率為30%以下；曝光步驟，曝光該負型光阻劑膜；烘烤步驟，烘烤已經過該曝光步驟之該負型光阻劑膜；顯影步驟，顯影已經過該烘烤步驟之該負型光阻劑膜，而獲得露出該基板之開口部；凸起電極形成步驟，藉由鍍覆法於該開口部內析出金屬，藉此形成凸起電極；以及光阻劑膜去除步驟，去除該基板上之該負型光阻劑膜。