TW201830430A - 電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔 - Google Patents

電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。抗氧化複合式電極箔包括一基底層、一導電薄膜結構以及一抗氧化薄膜結構。基底層具有一上表面以及一下表面。導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層，抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層，且多個第一導電薄膜層與多個第一抗氧化薄膜層交替地形成在基底層的上表面上。藉此，本發明所提供的抗氧化複合式電極箔能通過導電薄膜結構以及抗氧化薄膜結構的相互配合，以降低抗氧化複合式電極箔的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔的抗氧化功能。

Description

電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔
本發明涉及一種封裝結構及其電極箔，特別是涉及一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。
電容器已廣泛被使用於消費性家電用品、電腦主機板、電源供應器、通訊產品以及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等等，是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質以及用途，有不同的型態，包括有鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、捲繞型或堆疊型固態電解電容器以及薄膜電容等等。現有技術中，捲繞型固態電解電容器包括有電容器元件、收容構件以及封口構件。電容器元件隔著絕緣件將一連接陽極端子的陽極箔與一連接陰極端子的陰極箔進行捲繞。收容構件具有開口部且可收容電容器元件。封口構件具有一可供陽極端子及陰極端子貫穿的貫穿孔以及一可密封收容構件的封口部。然而，現有的捲繞型固態電解電容器的電容器元件的製作速度過慢且製作成本過高，並且也不具備有較佳的抗氧化功能。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案 是，提供一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底層、一導電薄膜結構以及一抗氧化薄膜結構。所述基底層具有一上表面以及一下表面。所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層。所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層。其中，多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底層、一導電薄膜結構以及一抗氧化薄膜結構。所述基底層具有一上表面以及一下表面。所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層以及多個第二導電薄膜層。所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層以及多個第二抗氧化薄膜層。其中，多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上，且多個所述第二導電薄膜層與多個所述第二抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述下表面上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器、一封裝殼體、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。所述捲繞型電容器包括兩個抗氧化複合式電極箔以及一設置於兩個所述抗氧化複合式電極箔之間的隔離紙，其中，兩個所述抗氧化複合式電極箔分別為一正箔與一負箔。所述捲繞型電容器被封裝在所述封裝殼體內。所述第一導電接腳具有一電性接觸其中一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的第一內埋部以及一穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的第一裸露部。所述第二導電接腳具有一電性接觸另外一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的第二內埋部以及一穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的第二裸露部。其中，每一個所述抗氧化複合式電極箔包括：一基底層、一導電薄膜結構以及一抗 氧化薄膜結構，所述基底層具有一上表面以及一下表面，所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層，所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層，且多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上。
本發明的有益效果在於，本發明技術方案所提供的電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔，其可通過“多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上”或者“多個所述第二導電薄膜層與多個所述第二抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述下表面上”的技術特徵，以降低抗氧化複合式電極箔的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔的抗氧化功能。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧固態電解電容器封裝結構
F‧‧‧抗氧化複合式電極箔
1‧‧‧基底層
101‧‧‧上表面
102‧‧‧下表面
2‧‧‧導電薄膜結構
21、21B、21T‧‧‧第一導電薄膜層
210‧‧‧第一金屬層
22、22B、22T‧‧‧第二導電薄膜層
220‧‧‧第二金屬層
3‧‧‧抗氧化薄膜結構
31、31B、31T‧‧‧第一抗氧化薄膜層
32、32B、32T‧‧‧第二抗氧化薄膜層
P‧‧‧隔離紙
W‧‧‧捲繞型電容器
C‧‧‧封裝殼體
L1‧‧‧第一導電接腳
L11‧‧‧第一內埋部
L12‧‧‧第一裸露部
L2‧‧‧第二導電接腳
L21‧‧‧第二內埋部
L22‧‧‧第二裸露部
圖1為本發明第一實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖2為圖1的A部分的放大示意圖。
圖3為本發明第二實施例的抗氧化複合式電極箔的剖分剖面示意圖。
圖4為本發明第三實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖5為本發明第四實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖6為圖5的B部分的放大示意圖。
圖7為本發明第五實施例的抗氧化複合式電極箔的剖分剖面示意圖。
圖8為本發明第六實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖9為本發明第七實施例的電容器封裝結構的兩個抗氧化複合式電極箔、隔離紙、第一導電接腳以及第二導電接腳相互配合的立體示意圖。
圖10為本發明第七實施例的電容器封裝結構的立體示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。
[第一實施例]
請參閱圖1以及圖2所示，本發明第一實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。
首先，如圖1所示，基底層1具有一上表面101以及一下表面102。另外，導電薄膜結構2包括多個第一導電薄膜層21，抗氧化薄膜結構3包括多個第一抗氧化薄膜層31，並且多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替地形成在基底層1的上表面101上。
更進一步來說，如圖1所示，多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B會形成在基底層1的上表面101上，多個第一抗氧化薄膜層31之中的最底層31B會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B上，並且多個第一抗氧化薄膜層31之中的最頂層31T會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最頂層21T上。
舉例來說，基底層1可為鋁(Al)、銅(Cu)或者其它金屬材料；或者是，基底層1可為鋁合金、銅合金或者其它金屬合金材料。 此外，每一個第一導電薄膜層21可為鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈧(Sc)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈷(Co)或者其它金屬材料；或者是，每一個第一導電薄膜層21可為鎳鉻合金或者其它金屬合金材料；或者是，每一個第一導電薄膜層21可為氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)、氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)或者其它金屬化合物材料。另外，每一個第一抗氧化薄膜層31可為碳(C)、碳化合物、奈米碳管、石墨烯、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pb)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)或者其它抗氧化材料。另外，如圖2所示，每一個第一導電薄膜層21可為一由單一第一金屬層210所製成的單層導電薄膜層。
值得一提的是，導電薄膜結構2的多個第一導電薄膜層21可以快速成形，並且多個第一導電薄膜層21所使用的材料成本很低。另外，由於抗氧化薄膜結構3的每一個第一抗氧化薄膜層31所形成的厚度可以很薄，所以成形第一抗氧化薄膜層31的速度可以很快。藉此，本發明所提供的抗氧化複合式電極箔F可以通過導電薄膜結構2以及抗氧化薄膜結構3的相互配合，以降低抗氧化複合式電極箔F的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔F的抗氧化功能。
[第二實施例]
請參閱圖3所示，本發明第二實施例提供一種抗氧化複合式電極箔(未標號)。由圖3與圖2的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的不同在於：在第二實施例中，每一個第一導電薄膜層21為一由多個第一金屬層210依序堆疊所組成的多層導電薄膜層。也就是說，本發明可以依據不同的設計需求，將每一個第一導電薄膜層21設計為一由單一第一金屬層210所製成的單層導電薄膜層(如第一實施例所示)或者一由多個第一金屬層210 依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如第二實施例所示)。然而，本發明不以這兩個實施例所舉的例子為限。
[第三實施例]
請參閱圖4所示，本發明第三實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。由圖4與圖1的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的不同在於：在第三實施例中，多個第一抗氧化薄膜層31之中的最底層31B會形成在基底層1的上表面101上，多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B會形成在多個第一抗氧化薄膜層31之中的最底層31B上，並且多個第一抗氧化薄膜層31之中的最頂層31T會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最頂層21T上。也就是說，由多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替堆疊所形成的多層堆疊結構中，多層堆疊結構的兩相反最外層分別是最底層的第一抗氧化薄膜層31B與最頂層的第一抗氧化薄膜層31T。
[第四實施例]
請參閱圖5以及圖6所示，本發明第四實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。由圖5與圖1的比較可知，本發明第四實施例與第一實施例最大的不同在於：在第四實施例中，導電薄膜結構2還進一步包括多個第二導電薄膜層22，抗氧化薄膜結構3還進一步包括多個第二抗氧化薄膜層32，並且多個第二導電薄膜層22與多個第二抗氧化薄膜層32會交替地形成在基底層1的下表面102上。
更進一步來說，如圖5所示，多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B會形成在基底層1的上表面101上，多個第一抗氧化 薄膜層31之中的最底層31B會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B上，並且多個第一抗氧化薄膜層31之中的最頂層31T會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最頂層21T上。另外，多個第二導電薄膜層22之中的最底層22B會形成在基底層1的下表面102上，多個第二抗氧化薄膜層32之中的最底層32B會形成在多個第二導電薄膜層22之中的最底層22B上，並且多個第二抗氧化薄膜層32之中的最頂層32T會形成在多個第二導電薄膜層22之中的最頂層22T上。
舉例來說，每一個第一導電薄膜層21可為一由單一第一金屬層210所製成的單層導電薄膜層(如圖2所示)或者一由多個第一金屬層210依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如圖3所示)。再者，如圖6所示，每一個第二導電薄膜層22可為一由單一第二金屬層220所製成的單層導電薄膜層。
舉例來說，每一個第二導電薄膜層22可為鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈧(Sc)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈷(Co)或者其它金屬材料；或者是，每一個第二導電薄膜層22可為鎳鉻合金或者其它金屬合金材料；或者是，每一個第二導電薄膜層22可為氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)、氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)或者其它金屬化合物材料。另外，每一個第二抗氧化薄膜層32可為碳(C)、碳化合物、奈米碳管、石墨烯、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pb)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)或者其它抗氧化材料。
值得一提的是，導電薄膜結構2的多個第二導電薄膜層22可以快速成形，並且多個第二導電薄膜層22所使用的材料成本很低。另外，由於抗氧化薄膜結構3的每一個第二抗氧化薄膜層32所形成的厚度可以很薄，所以成形第二抗氧化薄膜層32的速度可以很快。藉此，本發明所提供的抗氧化複合式電極箔F可以通過 導電薄膜結構2以及抗氧化薄膜結構3的相互配合，以降低抗氧化複合式電極箔F的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔F的抗氧化功能。
[第五實施例]
請參閱圖7所示，本發明第五實施例提供一種抗氧化複合式電極箔(未標號)。由圖7與圖6的比較可知，本發明第五實施例與第四實施例最大的不同在於：在第五實施例中，每一個第二導電薄膜層22可為一由單一第二金屬層220所製成的單層導電薄膜層。也就是說，本發明可以依據不同的設計需求，將每一個第二導電薄膜層22設計為一由單一第二金屬層220所製成的單層導電薄膜層(如第四實施例所示)或者一由多個第二金屬層220依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如第五實施例所示)。然而，本發明不以這兩個實施例所舉的例子為限。
[第六實施例]
請參閱圖8所示，本發明第六實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。由圖8與圖5的比較可知，本發明第六實施例與第四實施例最大的不同在於：在第六實施例中，多個第一抗氧化薄膜層31之中的最底層31B會形成在基底層1的上表面101上，多個第一導電薄膜層21之中的最底層21B會形成在多個第一抗氧化薄膜層31之中的最底層31B上，並且多個第一抗氧化薄膜層31之中的最頂層31T會形成在多個第一導電薄膜層21之中的最頂層21T上。也就是說，由多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替堆疊所形成的多層堆疊結構中，多層堆疊結構的兩相反最外層分別是最底層的第一抗氧化薄膜層31B與最頂層的第一抗氧化薄膜層31T。
再者，多個第二抗氧化薄膜層32之中的最底層32B會形成在基底層1的下表面102上，多個第二導電薄膜層22之中的最底層22B會形成在多個第二抗氧化薄膜層32之中的最底層32B上，並且多個第二抗氧化薄膜層32之中的最頂層32T會形成在多個第二導電薄膜層22之中的最頂層22T上。也就是說，由多個第二導電薄膜層22與多個第二抗氧化薄膜層32交替堆疊所形成的多層堆疊結構中，多層堆疊結構的兩相反最外層分別是最底層的第二抗氧化薄膜層32B與最頂層的第二抗氧化薄膜層32T。
值得一提的是，本發明第一至第六實施例中，每一個第一抗氧化薄膜層(31、31B、31T)可為一由單一第一抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第一抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層(如同圖3中多個第一金屬層210的堆疊方式)，並且每一個所述第二抗氧化薄膜層(32、32B、32T)為一由單一第二抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第二抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層(如同圖7中多個第二金屬層220的堆疊方式)。
[第七實施例]
請參閱圖9以及圖10所示，本發明第七實施例提供一種電容器封裝結構Z，其包括：一捲繞型電容器W、一封裝殼體C、一第一導電接腳L1以及一第二導電接腳L2。舉例來說，電容器封裝結構Z可為一種捲繞型固態電解電容器封裝結構。
首先，如圖9所示，捲繞型電容器W包括兩個抗氧化複合式電極箔F以及一設置於兩個抗氧化複合式電極箔F之間的隔離紙P，並且兩個抗氧化複合式電極箔F分別為一正箔與一負箔。另外，捲繞型電容器W被封裝在封裝殼體C內，以避免捲繞型電容器W裸露在外。再者，如圖10所示，第一導電接腳L1具有一電性接觸其中一抗氧化複合式電極箔F且被封裝在封裝殼體C內的 第一內埋部L11以及一穿過封裝殼體C而裸露在封裝殼體C的外部的第一裸露部L12。此外，第二導電接腳L2具有一電性接觸另外一抗氧化複合式電極箔F且被封裝在封裝殼體C內的第二內埋部L21以及一穿過封裝殼體C而裸露在封裝殼體C的外部的第二裸露部L22。
舉其中一例來說，配合圖1、圖9以及圖10所示，每一個抗氧化複合式電極箔F包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。基底層1具有一上表面101以及一下表面102。導電薄膜結構2包括多個第一導電薄膜層21，抗氧化薄膜結構3包括多個第一抗氧化薄膜層31，並且多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替地形成在基底層1的上表面101上。更進一步來說，每一個第一導電薄膜層21可為一由單一第一金屬層210所製成的單層導電薄膜層(如圖2所示)或者一由多個第一金屬層210依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如圖3所示)。
舉其中一例來說，配合圖5、圖9以及圖10所示，每一個抗氧化複合式電極箔F包括：一基底層1、一導電薄膜結構2以及一抗氧化薄膜結構3。基底層1具有一上表面101以及一下表面102。導電薄膜結構2包括多個第一導電薄膜層21以及多個第二導電薄膜層22，抗氧化薄膜結構3包括多個第一抗氧化薄膜層31以及多個第二抗氧化薄膜層，多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替地形成在基底層1的上表面101上，並且多個第二導電薄膜層22與多個第二抗氧化薄膜層32交替地形成在基底層1的下表面102上。更進一步來說，每一個第一導電薄膜層21可為一由單一第一金屬層210所製成的單層導電薄膜層(如圖2所示)或者一由多個第一金屬層210依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如圖3所示)，並且每一個第二導電薄膜層22可為一由單一第二金屬層220所製成的單層導電薄膜層(如圖6所示)或者一由多個第二金屬層220依序堆疊所組成的多層導電薄膜層(如圖7 所示)。
[實施例的有益效果]
本發明的有益效果在於，本發明技術方案所提供的電容器封裝結構Z及其抗氧化複合式電極箔F，其可通過“多個第一導電薄膜層21與多個第一抗氧化薄膜層31交替地形成在基底層1的上表面101上”或者“多個第二導電薄膜層22與多個第二抗氧化薄膜層32交替地形成在基底層1的下表面102上”的技術特徵，以降低抗氧化複合式電極箔F的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔F的抗氧化功能。
也就是說，導電薄膜結構2的多個第一導電薄膜層21與多個第二導電薄膜層22可以快速成形，並且多個第一導電薄膜層21與多個第二導電薄膜層22所使用的材料成本很低。另外，由於抗氧化薄膜結構3的每一個第一抗氧化薄膜層31與每一個第二抗氧化薄膜層32所形成的厚度可以很薄，所以成形第一抗氧化薄膜層31與第二抗氧化薄膜層32的速度可以很快。藉此，本發明所提供的抗氧化複合式電極箔F可以通過導電薄膜結構2以及抗氧化薄膜結構3的相互配合，以降低抗氧化複合式電極箔F的整體厚度與生產成本，並且也可以提升抗氧化複合式電極箔F的抗氧化功能。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此 侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖 內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底層，所述基底層具有一上表面以及一下表面；一導電薄膜結構，所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層；以及一抗氧化薄膜結構，所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層；其中，多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上。
  2. 如請求項1所述的抗氧化複合式電極箔，其中，多個所述第一導電薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述上表面上，多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最底層上，且多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最頂層上。
  3. 如請求項1所述的抗氧化複合式電極箔，其中，多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述上表面上，多個所述第一導電薄膜層之中的最底層形成在多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層上，且多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最頂層上。
  4. 如請求項1所述的抗氧化複合式電極箔，其中，每一個所述第一導電薄膜層為一由單一第一金屬層所製成的單層導電薄膜層或者一由多個第一金屬層依序堆疊所組成的多層導電薄膜層，其中，每一個所述第一抗氧化薄膜層為一由單一第一抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第一抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層。
  5. 一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底層，所述基底層具有一上表面以及一下表面；一導電薄膜結構，所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層以及多個第二導電薄膜層；以及一抗氧化薄膜結構，所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層以及多個第二抗氧化薄膜層；其中，多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上，且多個所述第二導電薄膜層與多個所述第二抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述下表面上。
  6. 如請求項5所述的抗氧化複合式電極箔，其中，多個所述第一導電薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述上表面上，多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最底層上，且多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最頂層上；其中，多個所述第二導電薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述下表面上，多個所述第二抗氧化薄膜層之中的最底層形成在多個所述第二導電薄膜層之中的最底層上，且多個所述第二抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第二導電薄膜層之中的最頂層上。
  7. 如請求項5所述的抗氧化複合式電極箔，其中，多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述上表面上，多個所述第一導電薄膜層之中的最底層形成在多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最底層上，且多個所述第一抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第一導電薄膜層之中的最頂層上；其中，多個所述第二抗氧化薄膜層之中的最底層形成在所述基底層的所述下表面上，多個所述第二導電薄膜層之中的最底層形成在多個所述第二抗氧化薄膜層之中的最底層上，且 多個所述第二抗氧化薄膜層之中的最頂層形成在多個所述第二導電薄膜層之中的最頂層上。
  8. 如請求項5所述的抗氧化複合式電極箔，其中，每一個所述第一導電薄膜層為一由單一第一金屬層所製成的單層導電薄膜層或者一由多個第一金屬層依序堆疊所組成的多層導電薄膜層，且每一個所述第二導電薄膜層為一由單一第二金屬層所製成的單層導電薄膜層或者一由多個第二金屬層依序堆疊所組成的多層導電薄膜層，其中，每一個所述第一抗氧化薄膜層為一由單一第一抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第一抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層，且每一個所述第二抗氧化薄膜層為一由單一第二抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第二抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層。
  9. 一種電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器，所述捲繞型電容器包括兩個抗氧化複合式電極箔以及一設置於兩個所述抗氧化複合式電極箔之間的隔離紙，其中，兩個所述抗氧化複合式電極箔分別為一正箔與一負箔；一封裝殼體，所述捲繞型電容器被封裝在所述封裝殼體內；一第一導電接腳，所述第一導電接腳具有一電性接觸其中一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的第一內埋部以及一穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的第一裸露部；以及一第二導電接腳，所述第二導電接腳具有一電性接觸另外一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的第二內埋部以及一穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的第二裸露部；其中，每一個所述抗氧化複合式電極箔包括：一基底層、一導 電薄膜結構以及一抗氧化薄膜結構，所述基底層具有一上表面以及一下表面，所述導電薄膜結構包括多個第一導電薄膜層，所述抗氧化薄膜結構包括多個第一抗氧化薄膜層，且多個所述第一導電薄膜層與多個所述第一抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述上表面上。
  10. 如請求項9所述的電容器封裝結構，其中，所述導電薄膜結構還進一步包括多個第二導電薄膜層，所述抗氧化薄膜結構還進一步包括多個第二抗氧化薄膜層，且多個所述第二導電薄膜層與多個所述第二抗氧化薄膜層交替地形成在所述基底層的所述下表面上；其中，每一個所述第一導電薄膜層為一由單一第一金屬層所製成的單層導電薄膜層或者一由多個第一金屬層依序堆疊所組成的多層導電薄膜層，且每一個所述第二導電薄膜層為一由單一第二金屬層所製成的單層導電薄膜層或者一由多個第二金屬層依序堆疊所組成的多層導電薄膜層，其中，每一個所述第一抗氧化薄膜層為一由單一第一抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第一抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層，且每一個所述第二抗氧化薄膜層為一由單一第二抗氧化層所製成的單層抗氧化薄膜層或者一由多個第二抗氧化層依序堆疊所組成的多層抗氧化薄膜層。
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