TW201830132A - 用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的方法 - Google Patents
用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201830132A TW201830132A TW106132316A TW106132316A TW201830132A TW 201830132 A TW201830132 A TW 201830132A TW 106132316 A TW106132316 A TW 106132316A TW 106132316 A TW106132316 A TW 106132316A TW 201830132 A TW201830132 A TW 201830132A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- images
- image
- series
- phase
- structural element
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/06—Means for illuminating specimens
- G02B21/08—Condensers
- G02B21/14—Condensers affording illumination for phase-contrast observation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/36—Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
- G02B21/365—Control or image processing arrangements for digital or video microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/36—Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
- G02B21/365—Control or image processing arrangements for digital or video microscopes
- G02B21/367—Control or image processing arrangements for digital or video microscopes providing an output produced by processing a plurality of individual source images, e.g. image tiling, montage, composite images, depth sectioning, image comparison
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/13—Edge detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/50—Depth or shape recovery
- G06T7/55—Depth or shape recovery from multiple images
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10016—Video; Image sequence
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10141—Special mode during image acquisition
- G06T2207/10148—Varying focus
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10141—Special mode during image acquisition
- G06T2207/10152—Varying illumination
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
本發明揭示一種用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的方法,該方法包括下列步驟:-提供一第一系列之第一影像,其中該等第一影像之每一者包括至少該第一結構元件,-提供一第二系列之第二影像,其中該等第二影像之每一者包括至少該第二結構元件,-對於該第一與第二系列之每一影像而言:從該等第一系列之個別第一影像與該等第二系列之個別第二影像決定一個別關聯函數,-從該等關聯函數決定一總體關聯函數,-從該總體關聯函數決定一距離。此外,提供用於實施該方法的顯微鏡。
Description
本發明與一種用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的方法有關。
本發明另外還關於一種用於實施該方法的顯微鏡。
為了在利用掃描儀或步進器的光微影技術中製造半導體元件,光罩(也被稱為倍縮光罩(Reticle))係被轉移到晶片上。為了確保所使用的光罩係無缺陷,在晶片曝光中使用之前,該等光罩經歷廣泛的檢查。在本專利說明書中所揭示的方法通常也可應用於包括多數結構元件的基材。
一種用於檢查光罩的方法是對光罩上結構的位置進行高精度測量。這被稱為「配準(registration)」或「光罩圖案布局(placement)」。使用一顯微鏡(稱為一位置測量裝置(配準工具)),光罩上的特殊檢查結構(稱為「配準圖案」,例如,像是方形、十字形或角度)係被測量並對其設定點位置進行比較。也測量在該光罩上成為該光罩被使用結構之部分的結構的位置。這被稱為「實際的圖案配準」。
為了檢查一光罩,該等結構特徵的尺寸也被測量,像是線段 寬度或接觸孔的直徑。在一變化中,測量仍可被表現的該等最小結構特徵。這些也被稱為是關鍵尺寸,簡寫為CD。例如,使用像是蔡司(Zeiss)公司的特定顯微鏡WLCD以實施這些測量。
在所述檢查中,係使用相對應的顯微鏡將一光罩結構的圖案潛像成像於一光敏空間解析偵測器上,例如,像是成像在一電荷耦合裝置(Charge Coupled Device,CCD)晶片上。在電腦控制下,在該偵測器上所成像的圖案潛像(aerial images)係被紀錄及儲存成為檔案。
除了圖案潛像以外,也可以決定該等光罩的相位顯像。如專利申請案第DE102015218917號中的描述,已經認知相位顯像相較於強度影像而言具有較高的邊緣尖銳度。因此可由一相位顯像的分析,提高該等結構特徵之位置的精確性與再現性。
為了評估該圖案潛像與該相位顯像,通常目的是要決定在欲比較的等該兩影像中一結構特徵的距離。
經由示例,為了決定一測量圖案潛像之一結構特徵的位置,其位置可以利用一模擬圖案潛像之該結構特徵形成關聯性。該圖案潛像的模擬係從欲被檢查之光罩的光罩設計中加以實現。
在另一實例中,一配準圖案之該圖案潛像或該相位顯像係藉由一位置測量裝置加以記錄。另一圖案潛像係由該圖案潛像的鏡射加以決定。例如,鏡射係於兩鏡平面上所實現,該兩鏡平面係平行於X軸及Y軸,並於該圖案潛像的中點處相交。該兩圖案潛像之間的距離可由該圖案潛像的關聯性所決定。從該距離,其可以決定測量配準圖案以及其設定點位置之間的距離。此方法係於公開專利申請案第DE102010047051號中詳細描述。
為了增加測量精確性,可以記錄一結構元件的複數個影像,並可以形成其平均值。於此不利的是,所獲得影像的訊噪比改善(影像雜訊的降低)並不顯著。
為了增加測量精確性,可以使用不同的記錄條件記錄圖案潛像。經由示例,在該等圖案潛像的記錄期間,可以改變該照明輻射的照明設定(即是該照明的角度分布)或波長。也可以改變對焦。換句話說,可以記錄所謂的對焦堆疊。如前述,除了圖案潛像以外也可以決定相位顯像。在一系列的圖案潛像評估中,不利的是因為該等圖案潛像並非直接可比較,因此從圖案潛像及相位顯像得到的平均只在一有限的範圍中具有意義。
因此,本發明的目的之一係提供一種能夠高精度決定結構元件之間的距離,同時避免或使所提到的不利之處減少的方法。
根據本發明實施例,係藉由決定一基材上一第一結構元件與一第二結構元件之間一距離的方法,達成此目的,該方法包括下列步驟:- 提供一第一系列之第一影像,其中該等第一影像之每一者包括至少該第一結構元件,- 提供一第二系列之第二影像,其中該等第二影像之每一者包括至少該第二結構元件,- 對於該等第一與第二系列的每一影像而言:從該等第一系列之一個別第一影像與該等第二系列之一個別第二影像決定一個別關聯函數,- 從該等關聯函數決定一總體(ensemble)關聯函數,- 從該總體關聯函數決定該距離。
該基材可例如被實作為光罩。該關聯函數可為一互(cross)關聯性。
該第一結構元件與該第二結構元件(相對於該光罩設計)可為相同的結構元件,並都包含在該第一系列之影像與該第二系列之影像。
相對於該光罩設計,該第一結構元件與該第二結構元件也可為不同的結構元件,因此該第一系列之影像與該第二系列之影像包括不同 的結構元件。
當決定一總體關聯函數時,首先從多數成對的第一與第二影像形成多個關聯函數,並從所述多個關聯函數形成該平均值。
每一個別的關聯函數是由該實際測量訊號(對應於所尋找的真實訊號)與所使用顯微鏡之成像系統的點散佈函數(Point Spread Function,PSF)及一部份的統計干擾(雜訊)的捲積運算(convolve)所構成。因為在此該數值的範圍是相對為零而對稱,因此在該關聯函數中的統計干擾期望值為零。一正規化關聯函數的數值範圍通常是在-1至1的範圍中。如果形成所有互關聯函數的總和(Sum)時,則所尋找的實際測量訊號部分被相加,因為在靜態物件的情況中,其係在該互關聯函數的(幾乎)相同位置處個別出現。該統計部分同時也對於該等關聯函數加以平均得出。因此,該等關聯函數的總和造成增加在該總體關聯函數中的訊噪比。
因為達成更高的可靠度與精確性,因此有利於實現利用一總體關聯函數決定其間的距離。
在本發明的另一配置中,提供一圖案潛像或一相位顯像作為該等影像之至少一者。
首先,透過在一顯微鏡的影像平面中所測量的該等影像僅測量在隨著該物件互動之後的該照明輻射的強度的空間解析度分布情形。該強度為在隨著該物件互動之後的該照明輻射的振幅平方的絕對值。這些影像被稱為圖案潛像、強度影像或振幅影像。
如專利申請案第DE102015218917號中的描述,已經認知相位顯像相較於強度影像而言具有較高的邊緣尖銳度。因此可由一相位顯像的分析,提高該等結構特徵之位置的精確性與再現性。
在本發明的另一配置中,該影像係由一顯微鏡進行決定。
除了習知顯微鏡之外,例如可以使用光罩檢查顯微鏡進行該等光罩的檢查。該光罩檢查顯微鏡於該物件側上,亦即在該光罩側上具有 物件,其具有與在晶片曝光期間所使用之掃描儀所對應的數值孔徑(NA)。
為了光罩的高精度測量所使用的位置測量裝置也可當作顯微鏡使用。
在本發明的另一變化中,為了決定一相位顯像的目的,由一習知顯微鏡記錄至少兩圖案潛像,其中該等至少兩圖案潛像係在多元的條件下被記錄。
該相位顯像係從該基材受測量區域的至少兩適當圖案潛像所決定。在此情況中,該等記錄的條件係以定義的方式而有所不同。
在此測量的一變化中,多元性可藉由數學模型加以描述。其因此可以使用已知的演算法決定該相位圖案。
在此測量的一變化中,多元性可利用記錄彼此在Z方向中於平行面上相間隔配置的至少兩圖案潛像方式加以實現。有許多方法可用於從一組相間隔平行面的圖案潛像決定相位顯像,其被稱為影像堆疊(image stack)、對焦堆疊或Z堆疊。實例則包含IFTA演算法或TIE演算法。
此測量具有的優點為,即使使用簡單的顯微鏡也可以快速的決定該等相位顯像。
一相位對比顯微鏡也可以用於決定一相位顯像。因此,術語「相位顯像」也表示含有相位資訊與振幅資訊之混合的影像。此相位顯像的直接測量例如可利用Zernike相位對比顯微鏡或差分干涉對比顯微鏡所實現。
在本發明的另一配置中,以模擬方式決定該影像。
在光罩檢查時,該光罩設計通常為已知。圖案潛像接著可以從該光罩設計模擬獲得,其圖案潛像係與由一顯微鏡所記錄的圖案潛像相比。在此方法中,該等結構特徵之測量位置(也就是實際位置)與該等結構特徵之設定點位置之間的距離,可以實作為以模擬方式決定。
在本發明的另一配置中,該第二系列的影像是由該第一系列 的影像經過幾何轉換所決定。該轉換可以包括以下至少一轉換:位移(轉移)、轉動(旋轉)、延伸(中心延伸)、相似性映射。
在本發明的另一配置中,該第二系列的影像是由該第一系列的影像的鏡射所決定。
該鏡射例如是在兩鏡平面上實現,該兩鏡平面係平行於X軸與Y軸,並於該圖案潛像的中點處相交。
此測量可用於決定對稱配準圖案的位置。由一配準影像之影像與鏡射影像之間的距離,可以快速及以簡易方式決定在該配準圖案與該設定點位置之間的距離。有關此方法的細節係於公開的專利申請案第DE102010047051號中揭露。
在本發明的另一配置中,該等記錄條件係於一系列的圖案潛像中變化,其中該等第一與第二系列之該等第一與第二圖案潛像的記錄條件係以成對方式相同。
例如,記錄條件為:
- 照明設定,也就是該照明輻射的角度分布或強度分布。這也包括該照明方向或孔徑角度,其也被稱為是sigma。在一圖案潛像記錄期間的偵測方向變化也包含於此。
- 在該照明光束路徑中或在該成像光束路徑中該照明輻射的極化。
- 所使用之照明輻射的波長或波長範圍。
- 曝光時間。
- 對焦設定。所謂的對焦堆疊也被記錄。
- 影像形式,也就是是否決定為圖案潛像或相位顯像。
此測量具有的優點為,利用該等關聯函數的方式將原本為不可能的資料平均化變為可能。
在本發明的另一配置中,該等變化的記錄條件為照明設定或對焦設定。
在此測量的一變化中,一系列係包含一對焦堆疊。
在本發明的另一配置中,在決定該距離中所考慮之該結構元件的至少一區域係預先定義在該等影像中。
此測量具有的優點為,可以在該等影像的評估期間移除干擾特徵。
在本發明的另一配置中,該結構元件或該結構元件的至少一區域係實現為該結構元件的一邊緣。
此測量通常在光罩上結構的測量期間使用。
在本發明的另一配置中,該總體關聯性係透過通過對焦掃描光學顯微鏡(TSOM)及/或散射場光學顯微鏡(SOM)中該等對焦堆疊所應用。
本發明也包含一種進行該方法的顯微鏡。該顯微鏡包括:一光源;一照明光學元件;一偵測器,用以記錄一影像;一成像光學元件,用以在該偵測器上產生一基材之至少一結構元件的影像;一電腦,其係以執行所提到的該等方法的一方式進行編程,該顯微鏡係由該電腦控制,並進行有關該方法的計算。
不言而喻的是,在不悖離本發明範圍的情況下,以上提到本發明的特徵和以下要說明的特徵不僅可在所敘述的組合中使用,也可以其他組合方式或單獨使用。
2‧‧‧基材
3‧‧‧照明裝置
3a‧‧‧上方照明裝置
3b‧‧‧下方照明裝置
4‧‧‧輻射源
5‧‧‧顯微鏡
5‧‧‧照明輻射
5a‧‧‧Zernike相位對比顯微鏡
6‧‧‧透鏡元件
7‧‧‧照明系統
8‧‧‧光闌
9‧‧‧成像光學元件
9a‧‧‧瞳孔平面
9b‧‧‧光學元件
10‧‧‧放大光學元件
10a‧‧‧未說明
11‧‧‧相位光罩
12‧‧‧瞳孔平面
13‧‧‧相位偏移區域
14‧‧‧電荷耦合元件照相機
15‧‧‧影像
16‧‧‧影像處理裝置/電腦
17‧‧‧工作台
18‧‧‧干涉儀
19‧‧‧支撐件
20‧‧‧軸承點
21‧‧‧輔助光學元件
22‧‧‧控制裝置
23‧‧‧自動對焦系統
24‧‧‧分光器
300‧‧‧步驟
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
308‧‧‧步驟
本發明在以下是以某些選擇示例具體實施例為基礎,並參考附圖以詳細敘述及說明。
在該等圖式中:圖1顯示用於測量基材上結構位置之顯微鏡的示意圖;圖2顯示圖1之顯微鏡的變化的示意圖,其在本說明書實現為一相位 對比顯微鏡;圖3顯示用於決定一第一結構元件與一第二結構元件之間距離之該方法之一實例的圖式。
包括一第一或第二結構元件的該第一或第二影像係可由一顯微鏡所記錄或由從該物體的規定所進行之模擬的方式加以決定。
該等第一或第二影像可為圖案潛像或振幅影像或相位顯像。
圖1顯示一顯微鏡5,其用於測量基材的圖案潛像,例如像是光罩。以下說明此一顯微鏡5的結構。
該顯微鏡5包括一照明裝置3。圖1例示兩照明裝置3,其中該上方照明裝置3a用於照明該基材2以進行反射的測量。該下方照明裝置3b在透射時用於照明該基材2。該顯微鏡5包括這兩照明裝置3的至少一者。其也可以包含兩者照明裝置3。兩不同的照明裝置3使其特別可以利用該顯微鏡5進行不同基材2上的測量。
該照明裝置3包括一輻射源4。該輻射源4可特別為一雷射,特別是氟化氬(ArF)雷射。該輻射源4用於產生照明輻射5。該照明輻射5具有193奈米(nm)的波長。在該顯微鏡5的一變化例中,該照明輻射5具有13.5奈米的波長。
同樣也可以使用產生具有不同波長或在不同波長範圍中之照明輻射5的其他輻射源4。
該照明裝置3可為一照明系統7的一部份,其包括其他的光學元件。
該照明系統7可以包括一光闌(stop)8。該光闌8定義用於照明該基材2的照明設定。該光闌8例如係以環形形式實施,也就是一圓環形形式。該光闌8係配置於該照明系統7的入口瞳孔區域中。該基材2係 接著使用一環形加以照明,也就是圓環形的照明設定。
除了環形照明設定以外,在微影技術中通常也使用另外的照明設定,例如像是雙極或四極照明設定。也可以使用隨需要所預先定義的其他照明設定。也可以使用符合一預定角度的同調(coherent)輻射而具有良好近似的單極照明設定。
其也可以利用一對應切換的微鏡體陣列實現照明設定,而不是利用光闌8。
該顯微鏡5包括一成像光學元件9。該成像光學元件9具有0.8的物體側數值孔徑。該成像光學元件9也稱為一投射光學元件。
一放大光學元件10係被配置在該光束路徑中的該成像光學元件9的下游。該成像光學元件9與該放大光學元件10的總體放大效果為265:1。
對於某些使用的測量方法而言,係在該成像光學元件9的瞳孔平面9a中使用一光學元件9b。該光學元件可被實現為一空間頻率濾波器。該空間頻率濾波器可實現為一瞳孔光闌。
該顯微鏡5進一步包括一感測器裝置。該感測器裝置係特別實現為一相機,特別是一電荷耦合元件(CCD)照相機14。欲被檢查之該基材2的影像15係以該電荷耦合元件照相機14的方法加以記錄。該電荷耦合元件照相機14係以資料傳輸方法連接至像是實現為一電腦16的影像處理裝置。
對於某些使用的測量方法而言,於該成像光學元件9與該感測器裝置14之間的光學光束路徑中插入一貝特朗(Bertrand)鏡頭元件。該鏡頭元件能夠將該成像光學元件9a的瞳孔平面成像至該感測器裝置。
此外,該顯微鏡5包括一保持裝置17,也稱為一工作台。該保持裝置17包括三個支撐件19。該等支撐件19形成軸承點20,在該位置處使該基材2承載在該保持裝置17上。該基材2位於該保持裝置17上, 特別是以欲被結構化之側面朝上的方式置放。該基材2特別是以與欲被結構化之一側相反的一側承載於該等支撐件19上。
該保持裝置17用於將該基材2定位於該顯微鏡5的光束路徑中。該保持裝置17係可受主動控制。其由該影像處理裝置16所控制。特別是,其可被精確位移。其具有六個自由度的位移。特別是,提供一干涉儀18以決定該保持裝置17的位置及/或對準。
對於選擇該基材2欲被測量的區域而言,該基材由該保持裝置17垂直於該成像光學元件9之光學軸(也稱為X-Y平面)的移動而移動至一位置,因此該欲被測量區域係被設置在該成像光學元件9的影像場域中。為了聚焦,該保持裝置係在該成像光學元件9的光學軸方向中移動(也稱為Z軸),因此該欲被測量區域變為位在該最佳聚焦平面中。此外,該顯微鏡5包括一自動對焦系統23,其中提供一或複數個分光器24。
此外,該顯微鏡5包括一輔助光學元件21。該輔助光學元件21係以資料傳輸方法連接至一控制裝置22,以控制該保持裝置17的位移。該基材2可由該輔助光學元件21進行粗略對準。
該影像處理裝置16係實現為一電腦,其經編程以控制所提到的顯微鏡。該影像處理裝置16係經額外編程以進行以下提到的該等評估方法。
在本發明的一變化例中,該顯微鏡係實現為一Zernike相位對比顯微鏡5a。後者將參考圖2說明。
使用一種環形照明,其由該照明裝置3瞳孔中的對應形狀光闌8所定形。藉由該輻射源4及/或該光闌8協助所能夠產生的環形照明具有一內徑ri0。用於照明該基材2的照明瞳孔具有一外徑Rip。
該成像光學元件9與該放大光學元件10為一相位差光學元件的部分。在圖2中的該鏡頭元件6應該被瞭解為一種實例。此組件也可以與複數鏡頭元件及/或一或複數個反射鏡有關。
此外,該相位差光學元件9、10包括一相位光罩11。該相位光罩11經配置於該照明輻射5之光束路徑的瞳孔平面12中。其被配置在該放大光學元件10的光束路徑下游。
該相位光罩11為一種π/2相位光罩。該照明輻射5因此在通過該相位光罩11之後便經歷π/2的相位偏移。
該相位光罩11係被調適以配合為該照明設定的形狀,特別是該光闌8的形狀。其特別是以該光闌8被精確成像至該相位光罩11之該相位偏移區域13上的方式所實現。從該輻射源4直接循環至該相位光罩11的照明輻射5,即是以一種無衍射方式抵達該相位光罩11的照明輻射5,便因此由該相位光罩11進行π/2相位的偏移。該衍射照明輻射5並不入射至該相位光罩11的相位偏移區域上,並保持為不改變。因此便產生該照明輻射5的衍射與未衍射部分的干涉。這接著便可以由一偵測器決定該波前的相位分布,特別是利用該電荷耦合元件照相機14加以決定。
該相位光罩11特別是以一圓形形式或以一圓圈形狀加以實現,特別是一圓環形式。這對於高的對比與雜訊比是有利的。
對於一光罩的結構元件而言,提供具有內徑ri,0的環形照明,其對於該照明瞳孔的半徑Rip比例係在0.4至0.5的範圍中,或0.5至0.6的範圍中,或0.6至0.7的範圍中。該照明的外徑係由該照明瞳孔的填滿程度所決定。相應地,該相位光罩11在該影像側孔徑中具有一內徑ra,0,其對於該影像側孔徑半徑的Rap比例係於所提到的該等比例中。
如果使用具有較低填滿程度的照明瞳孔,利用內徑ri,0=0檢查該基材2的照明是合適的。在本說明書,同樣的,該外徑係由該照明瞳孔的填滿程度所預先定義。在此情況中,該相位光罩11也具有內徑ra,0=0。
在本發明的一變化例中,該顯微鏡5係以一差分干涉對比顯微鏡實現。該差分干涉對比方法也被稱為差分干涉對比或Nomarski對比方 法。在此方法中,如在Zernike相位對比顯微鏡5a的情況,直接產生一相位顯像。
為了記錄一基材上的一第一結構元件的一第一圖案潛像,該基材(例如一光罩5)係被置放在該工作台17上。因為該工作台17移動,該包含該第一結構元件的光罩片段被帶至該顯微鏡的光束路徑中。一第一圖案潛像接著在該電腦16控制下由該偵測器6加以記錄。
一相位顯像可從複數個圖案潛像(振幅影像)進行重建。至少兩圖案潛像係於多元化條件下由該顯微鏡5所記錄。
多元化例如係可利用以下測量的至少一方法來實現:
- 藉由在彼此相間隔的平行平面中的至少兩圖案潛像的記錄所實現,也就是藉由一對焦堆疊的記錄。
- 藉由在該成像的成像光束路徑的瞳孔平面中空間頻率過濾所實現。
- 藉由具有不同照明方向之該至少兩圖案潛像的記錄所實現。
為了決定一相位顯像,可以利用同調照明記錄個別圖案潛像。其也可以利用非同調照明記錄該等個別圖案潛像,並基於該圖案潛像決定一相位顯像。該經決定相位係接著被稱為等效相位。該等效相位可以如該影像相位般的相同方式被使用作為一配準測量的基礎。
對於該重建步驟可以提供許多方法。特別是可以提供從以下清單選擇的方法:藉由一疊代複立葉轉換演算法(Iterative Fourier Transformation Algorithm,IFTA)的相位決定,特別是利用Gerchberg-Saxton演算法、基於模型的相位決定法、基於強度傳播方程式(Transport of Intensity Equation,TIE)的方法、與複立葉超高分辨疊層衍射成像(Ptychography)法。其他在該重建步驟中用於決定該影像相位或該等效相位的方法也同樣可行。對於利用疊代複立葉轉換演算法(IFTA)進行相位決定的細節可以參考公開專利申請案第WO 2008/025 433 A2號。
基於模型的相位決定法也可以用來決定一相位顯像。在該基於模型的相位決定法中,該相位並非隨像素而決定,而是例如也以疊代方式決定一模型的參數,例如Zernike多項式的參數。其以為之未知的相位函數的模態分解為基礎。例如,藉由應用延伸型Nijboer-Zernike理論(ENZ),其可以利用小量的複數Zernike多項式表示該相位函數。
所謂相位顯像也意指包含相位資訊與振幅資訊之混合的影像。所述相位顯像的直接測量例如可利用所述的Zernike相位對比顯微鏡或利用差分干涉對比顯微鏡所實現。有關該適宜相位對比顯微鏡及所提到之方法的其他細節是在德國專利申請案第DE102015218917號中描述。
一影像(圖案潛像或相位顯像)的模擬可由商用軟體加以實現,例如像是以該光罩結構規定性、該光罩設計為基礎的MicroSim。MicroSim軟體係例如描述在:M.Totzeck,《Numerical simulation of high-NA quantitative polarization microscopy and corresponding near-fields》,Optik,112(2001)381-390,MicroSim-Software,University of Stuttgart。該位置測量裝置的成像條件,例如像是該數值孔徑、照明的波長與同調程度等等,也被考量在該模擬中。因為該位置測量裝置所造成在該光罩成像期間該圖案潛像失真的影像,特別是鄰近效應(proximity effect),也同樣被考量於其中。關於鄰近效應以及關於圖案潛像模擬,可參考以下發表:《On the diffraction theory of optical images.Proceedings of the Royal Society of London.Series A》,Mathematical and Physical Sciences,217(1130):408-432,1953。
在一系列的圖案潛像或相位顯像的記錄或模擬期間,可以改變以下成像參數,例如:
- 該照明設定。此也包含該照明方向或孔徑角度,也被稱為是sigma。在一圖案潛像記錄期間該偵測方向的變化也包含在本說明書。
- 在該照明光束路徑或該成像光束路徑中的該照明輻射的極化。
- 所使用之照明輻射的波長或波長範圍。
- 曝光時間。
- 對焦設定。所謂的對焦堆疊係被記錄。
以下描述進行總體關聯性之方法的一實例。記錄複數個第一影像,其形成一第一系列。在第一變化例中,一系列之影像係以相同的記錄條件加以記錄。該第一系列可只包括圖案潛像或只包括相位顯像。該第一系列也可包括相位顯像及圖案潛像。
在該方法的第二變化例中,以不同成像參數記錄一系列之影像。
在第三變化例中,該等相位顯像是由不同的方法所決定。
該等個別參數或方法步驟可個別改變或以組合方式改變。
在第一變化例中,為了決定第二系列之第二影像,該等第二影像係從一預先定義的光罩設計藉由模擬方式決定。在此情況中,根據該第一系列,決定圖案潛像或相位顯像。該第一系列之該等記錄條件在個別的模擬中也被考慮。此變化例的目標是建立該第一系列之第一影像與該第二系列之第二影像之間的成對關聯性,其中以相同的記錄條件作為欲被建立關聯性之該成對影像的基礎。
在第二變化例中,為了決定第二影像之第二系列,將該第一記錄的影像進行鏡射。鏡射是例如在兩鏡平面上實現,該兩鏡平面係平行於X軸及Y軸,並於該圖案潛像的中點處相交。
在第三變化例中,為了決定第二系列之第二影像,利用一顯微鏡記錄一第二結構元件的記錄。該結構元件可為實現在該相同光罩上的一結構元件,例如,像是一邊緣。如果該第一結構元件與該第二結構元件並未完全相同對準,在進行關聯性建立之前,其可能相應旋轉。
在決定該等影像時,可根據需要決定該等方法步驟的順序。
為了進行該總體關聯性的建立,進行下列步驟。一第一系列之第一影像係描述為矩陣A h (r,c)。一第二系列之第二圖案潛像係描述為矩陣 B h (r,c)。該下標h表示一系列之該等圖案潛像的編號。該圖案潛像的座標係以變數r及c表示。一圖案潛像的一列具有n個像素。一圖案潛像具有m條線。在記錄影像的情況中,此對應於所使用顯微鏡之偵測器的像素。在模擬圖案潛像的情況中,此對應於該模擬圖案潛像的尺寸。一系列之影像的數量則由參數z給定。
以下為真:r [0,n],c [0,m],h [0,z]。
該第一系列之一第一影像與該第二系列之一第二影像的關聯性是以方程式1計算:
參數i及j為該關聯函數的座標。
總體關聯性是以方程式2計算:
對於以該總體關聯函數為基礎的該位置決定而言,首先決定此函數的一最大值。此決定的精確性最初係受限於該等底層圖案潛像的解析度。
子像素精度的關聯函數之可能評估方式是描述於公開專利申請案第DE102006059431A1號中。
該總體關聯性的結果為該第一系列之該等第一影像的該第一結構特徵與該第二系列之該等第二影像的該第二結構特徵之間的平均距離。
該方法的概述係如圖3中步驟300至308所示。
在該方法的一變化中,該總體關聯性係被應用至由該通過對焦掃描光學顯微鏡(TSOM)及/或散射場光學顯微鏡(SOM)所決定之該等對焦堆疊。因此,在通過對焦掃描光學顯微鏡及/或散射場光學顯微鏡兩者中,首先從該對焦漸變的該等不同影像計算出容量資料,接著進行該容量資料的(缺陷)分析,在本說明書透過該總體關聯性的使用使其額外可 以有利地將分析維度從三維降成二維-並因此降低複雜度或所需要的計算能力。
在不脫離本發明精神或必要特性的情況下,可以其他特定形式來體現本發明。應將所述具體實施例各方面僅視為解說性而非限制性。因此,本發明的範疇如隨附申請專利範圍所示而非如前述說明所示。所有落在申請專利範圍之等效意義及範圍內的變更應視為落在申請專利範圍的範疇內。
Claims (11)
- 一種用於決定一基材上一第一結構元件與一第二結構元件之間一距離的方法,該方法包括下列步驟:提供一第一系列之第一影像,其中該等第一影像之每一者包括至少該第一結構元件,提供一第二系列之第二影像,其中該等第二影像之每一者包括至少該第二結構元件,對於該第一與第二系列的每一影像而言:從該等第一系列之一個別第一影像與該等第二系列之一個別第二影像決定一個別關聯函數,從該等關聯函數決定一總體關聯函數,從該總體關聯函數決定該距離。
- 如請求項1所述之方法,其中一圖案潛像或一相位顯像係提供為該等影像之至少一者。
- 如請求項1或請求項2所述之方法,其中該影像係由一顯微鏡所決定。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述之方法,其中該影像係由模擬所決定。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述之方法,其中為了決定該相位顯像的目的而記錄至少兩圖案潛像,其中該至少兩圖案潛像係在多元條件下所記錄。
- 如請求項1至請求項5中任一項所述之方法,其中該第二系列之影像 是由該第一系列之影像的鏡射所決定。
- 如請求項1至請求項6中任一項所述之方法,其中該等記錄條件係於一系列之圖案潛像中有所變化,其中該等第一與第二系列之該等第一與第二圖案潛像的記錄條件係以成對方式相同。
- 如請求項7所述之方法,其中該等變化的記錄條件為照明設定或對焦設定。
- 如前述請求項中任一項所述之方法,其中在決定該距離中所考慮之該結構元件的至少一區域係預先定義在該等影像中。
- 如前述請求項中任一項所述之方法,其中該結構元件或該結構元件的至少一區域係實現為該結構元件的一邊緣。
- 一種顯微鏡,其包括:一光源;一照明光學元件;一偵測器,用於記錄一影像;一成像光學元件,用於在該偵測器上產生一基材之至少一結構元件的影像;一電腦,用於執行如請求項1至請求項10中任一項之方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??102016218452.0 | 2016-09-26 | ||
DE102016218452.0A DE102016218452A1 (de) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | Verfahren zur Ermittlung eines Abstandes eines ersten Strukturelements auf einem Substrat von einem zweiten Strukturelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201830132A true TW201830132A (zh) | 2018-08-16 |
TWI645248B TWI645248B (zh) | 2018-12-21 |
Family
ID=61564362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106132316A TWI645248B (zh) | 2016-09-26 | 2017-09-20 | 用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的顯微鏡與方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10535132B2 (zh) |
DE (1) | DE102016218452A1 (zh) |
TW (1) | TWI645248B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108648205A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-10-12 | 广州大学 | 一种亚像素边缘检测方法 |
DE102018207882A1 (de) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Analyse eines Elements eines Photolithographieprozesses mit Hilfe eines Transformationsmodells |
US10634890B1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-04-28 | General Electric Company | Miniaturized microscope for phase contrast and multicolor fluorescence imaging |
DE102019114272A1 (de) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bestimmung einer Abbildungsfunktion eines Maskeninspektionsmikroskops und Maskeninspektionsmikroskop |
CN112629677B (zh) * | 2020-12-01 | 2022-04-19 | 浙江大学 | 基于模式复原的快速大动态范围波前检测装置及检测方法 |
EP4137863A1 (en) * | 2021-08-19 | 2023-02-22 | Siemens Healthcare GmbH | Device and method for observing a biological probe |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4907287A (en) * | 1985-10-16 | 1990-03-06 | Hitachi, Ltd. | Image correction system for scanning electron microscope |
US6476388B1 (en) * | 1998-10-19 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope having magnification switching control |
DE102007009661A1 (de) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung der Phase und Amplitude des elektromagnetischen Feldes in der Bildebene einer Abbildung eines Objektes |
DE102006059431B4 (de) | 2006-12-15 | 2018-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen der Position einer Struktur auf einem Träger relativ zu einem Referenzpunkt des Trägers |
WO2008071296A1 (en) | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method and apparatus for determining the position of a structure on a carrier relative to a reference point of the carrier |
DE102010047051A1 (de) * | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position einer Struktur innerhalb eines Bildes und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US8458622B2 (en) * | 2010-11-29 | 2013-06-04 | Luminescent Technologies, Inc. | Photo-mask acceptance technique |
US8294094B1 (en) * | 2011-08-16 | 2012-10-23 | Hermes Microvision Inc. | Method and apparatus for reducing substrate edge effect during inspection |
US20140297223A1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-02 | International Business Machines Corporation | Method for using optical metrology to monitor critical dimension uniformity |
JP2015021784A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 株式会社島津製作所 | 二次元画像検出システム |
DE102014213198B4 (de) | 2014-07-08 | 2020-08-06 | Carl Zeiss Ag | Verfahren zur Lokalisierung von Defekten auf Substraten |
DE102014114864B4 (de) * | 2014-10-14 | 2016-06-02 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln eines lateralen Versatzes eines Musters auf einem Substrat relativ zu einer Sollposition |
DE102015218917B4 (de) | 2015-09-30 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Mikroskop zur Durchführung des Verfahrens |
-
2016
- 2016-09-26 DE DE102016218452.0A patent/DE102016218452A1/de active Pending
-
2017
- 2017-09-20 TW TW106132316A patent/TWI645248B/zh active
- 2017-09-22 US US15/713,042 patent/US10535132B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10535132B2 (en) | 2020-01-14 |
US20180089817A1 (en) | 2018-03-29 |
TWI645248B (zh) | 2018-12-21 |
DE102016218452A1 (de) | 2018-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI645248B (zh) | 用於決定基材上第一結構元件與第二結構元件之間距離的顯微鏡與方法 | |
KR102523532B1 (ko) | 구조의 특성을 결정하는 방법 및 계측 장치 | |
JP5444334B2 (ja) | 干渉欠陥検知及び分類 | |
US20230044632A1 (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
KR20200000818A (ko) | 리소그래피 마스크의 구조를 검출하기 위한 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 장치 | |
KR102326190B1 (ko) | 정정 유도 방법 및 장치, 구조체의 속성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법 | |
US10089733B2 (en) | Method for determining a position of a structure element on a mask and microscope for carrying out the method | |
TW201730622A (zh) | 物鏡系統 | |
TWI845952B (zh) | 用於確定在待測量的入射光瞳內被照明光照明時光學系統的成像品質的方法 | |
TWI736089B (zh) | 位置度量衡裝置及相關聯光學元件 | |
EP3964892A1 (en) | Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope | |
TWI837432B (zh) | 對準方法與相關對準及微影裝置 | |
WO2020007588A1 (en) | Sensor apparatus and method for lithographic measurements | |
TW201941001A (zh) | 用於確定微影光罩的焦點位置的方法及執行此方法的計量系統 | |
EP3839635A1 (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
NL2024478A (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
EP4300193A1 (en) | Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement | |
EP4332678A1 (en) | Holographic metrology apparatus and method | |
EP4124909A1 (en) | Metrology method and device | |
EP4246232A1 (en) | Illumination arrangement for a metrology device and associated method | |
EP4002015A1 (en) | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method | |
WO2022263231A1 (en) | Metrology method and device | |
WO2023174650A1 (en) | A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses | |
TW202202951A (zh) | 確定物體影像的方法 | |
WO2023174648A1 (en) | Illumination arrangement for a metrology device and associated method |