TW201829995A - 輻射分析系統 - Google Patents

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Abstract

一種輻射分析系統，其包含：一目標，該目標包含彼此分離的兩個標記，該目標經組態以在運用輻射來照明時經歷熱膨脹；一位置量測系統，其經組態以量測該等標記之分離度之一改變；及一處理器，其經組態以使用該等標記之分離度之該經量測改變來判定該輻射之一功率。

Description

輻射分析系統
本發明係關於一種輻射分析系統及方法。該輻射分析系統可形成微影裝置之部分。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案自圖案化器件(例如光罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。使用EUV輻射(其為具有在4奈米至20奈米之範圍內的波長之電磁輻射)之微影裝置相比於習知微影裝置(其可例如使用具有193奈米之波長之電磁輻射)可用以在基板上形成較小特徵。 以高準確度知曉存在於微影裝置中之輻射之功率係有益的。舉例而言，可藉由被稱為護膜之透明膜保護圖案化器件免受污染。護膜在曝光至超過臨限值之輻射功率時可變得受損且不起作用。可有利的是準確量測圖案化器件之區中之輻射之功率使得輻射功率可保持低於臨限值位準且護膜並不變得受損。 本發明之一目標為提供判定存在於微影裝置中之輻射功率的至少部分解決先前技術之問題中的一或多者(無論本文中抑或在別處經識別)之系統及方法。
根據本發明之一第一態樣，提供一種輻射分析系統，其包含：一目標，該目標包含彼此分離之兩個標記，該目標經組態以在運用輻射來照明時經歷熱膨脹；一位置量測系統，其經組態以量測該等標記之分離度之一改變；及一處理器，其經組態以使用該等標記之分離度之該經量測改變來判定該輻射之一功率。 該輻射分析系統有利地提供對輻射功率之一準確量測。該輻射分析系統可用以提供諸如(例如)一微影裝置之裝置中之準確的原位被動式量測。 該目標可與其環境熱隔離。 熱隔離該目標有利地限制該目標與其環境之間的熱轉移，藉此增大該輻射分析系統之準確度。 該目標可處於一真空環境中。 將該目標提供於一真空環境中有利地縮減經由對流自該目標至其環境之熱轉移，藉此增大該輻射分析系統之準確度。 該目標可包含一量測板。 該量測板可包含一金屬或一半導體。 該目標可為具有不同輻射吸收屬性之多個目標中之一者。 使用具有不同輻射吸收屬性之多個目標有利地允許由該輻射分析系統分析不同波長之輻射。 不同目標可包含具有不同輻射吸收屬性之不同塗層。 將不同塗層施加至不同目標為允許由該輻射分析系統分析不同波長之輻射的一簡單方式。 該等標記之間的該分離度可介於20毫米與110毫米之間。 介於20毫米與110毫米之間的一初始分離度係足夠大以使能夠進行該等標記之準確位置量測，同時仍允許該等標記配合於一微影裝置之一曝光隙縫內。 該目標之一熱膨脹係數可在2 ppm K- 1 至30 ppm K- 1 之範圍內，包括2 ppm K- 1 與30 ppm K- 1 。 該目標之一比熱容可在1 J cm- 3 K- 1 至3 J cm- 3 K- 1 之範圍內，包括1 J cm- 3 K- 1 與3 J cm- 3 K- 1 。 該目標之一厚度可在0.1毫米至1.0毫米之範圍內，包括0.1毫米與1.0毫米。 該輻射分析系統可形成一微影裝置之部分，該微影裝置包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上，其中該輻射分析系統可經組態以分析該輻射光束。 使該輻射分析系統作為一微影裝置之部分允許執行一輻射光束之準確的原位量測。該微影裝置可已經具有能夠形成該輻射分析系統之部分的一位置量測系統及/或目標，藉此允許分析容易經修整至現有微影裝置之一輻射光束的一便宜方式。 該目標可為一量測基板。 基板廣泛地用於微影裝置中。因此，將一量測基板用作一目標允許將該輻射分析系統容易修整至現有微影裝置。 該量測基板可被安裝於該基板台上且由瘤節支撐，該等瘤節橫越該量測基板形成一瘤節區域，其中該等標記可位於該瘤節區域外部。 可藉由在一瘤節區域內存在瘤節來限制該量測基板之熱膨脹。將標記定位於瘤節區域外部會有利地允許該等標記之間的分離度較自由地擴展，此舉藉由縮減在判定輻射之功率時由瘤節提供之潛在複雜的復原力之考慮因素而增大輻射分析系統之準確度。 該量測基板可被安裝於該基板台上且由瘤節支撐，該等瘤節橫越該量測基板形成一瘤節區域，其中該等標記可位於該瘤節區域內且該等標記之該分離度可小於該等瘤節之一間距。 將標記位於瘤節區域內且具有小於瘤節之間距的分離度有利地允許在瘤節之間而非橫越瘤節來量測量測基板之熱膨脹，因此縮減在判定輻射之功率時由瘤節提供之潛在複雜的復原力。 該圖案化器件可包含該目標。 使該目標作為該圖案化器件之部分有利地允許在一微影裝置介於該微影裝置之一照明系統與一投影系統之間的一部分中分析輻射。在雙載物台微影裝置之狀況下，具有包含目標之圖案化器件避免了在運用輻射照明目標之時間與由位置量測系統量測目標之時間之間必須移動該目標，因此縮減了在可發生標記之量測之前自目標至其環境的熱轉移。 該目標可為經由撓曲件安裝於該支撐結構上之一量測板。 該目標可為經由撓曲件安裝於該基板台上之一量測板。 經由撓曲件將量測板安裝於支撐結構及/或基板台上有利地提供目標之熱隔離，同時允許量測板之不受限定的熱膨脹。 該等撓曲件可包含片彈簧。 根據本發明之一第二態樣，提供一種分析輻射之方法，該方法包含：提供一目標，該目標包含彼此分離的兩個標記；運用輻射來照明該目標，藉此誘發該目標之熱膨脹；量測該等標記之分離度之一改變，及使用該等標記之分離度之該經量測改變來判定該輻射之一功率。 該目標可與其環境熱隔離。 可提供多個目標，且不同目標可具有不同輻射吸收屬性。 可運用輻射來照明該目標直至該目標之一溫度已增大在1K至10K之範圍內且包括1K至10K之一值。 當目標由輻射光束照明時造成的溫度增大可經選擇為在達成所要量測不確定度與避免作用於晶圓之強冷卻效應之間提供平衡。介於1K與10K之間的溫度增大已被認為係達成此平衡之較佳範圍。 可在判定該輻射之該功率時模型化並考量作用於該目標的並非歸因於該輻射之加熱及/或冷卻效應。 模型化及考量此類加熱及/或冷卻效應有利地增大分析輻射之方法之準確度。 該目標之一熱膨脹係數可在2 ppm K- 1 至30 ppm K- 1 之範圍內，包括2 ppm K- 1 與30 ppm K- 1 。 該目標可有利地具有在運用輻射來照明時提供目標之顯著熱膨脹的熱膨脹係數。此範圍已被認為係充分適合於本發明方法。 該目標之一比熱容可在1 J cm- 3 K- 1 至3 J cm- 3 K- 1 之範圍內，包括1 J cm- 3 K- 1 與3 J cm- 3 K- 1 。 該目標可有利地具有在該目標運用輻射來照明時提供該目標之溫度之顯著增大的比熱容。此範圍已被認為係充分適合於本發明方法。 該目標之一厚度可在0.1毫米至1.0毫米之範圍內，包括0.1毫米與1.0毫米。 舉例而言，不再運用輻射來照明目標之時間與量測標記之分離度改變之時間之間的延遲可在0.5秒至5.0秒之範圍內，包括0.5秒與5.0秒。 將延遲保持在此範圍內可有利地縮減由目標之冷卻造成的對輻射分析系統之準確度之負面效應。 可在輻射分析系統在使用中時中斷該目標之冷卻。 中斷該目標之冷卻可有利地縮減該目標與其環境之間的熱轉移，因此增大輻射分析系統之準確度。 根據本發明之一第三態樣，提供一種用於儲存電腦可讀程式碼之電腦可讀媒體，其中該程式碼致使一微影裝置執行本發明之該第二態樣之該方法或其關聯選項中的任一選項。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括一微影裝置及兩個輻射分析系統RAS之微影系統。輻射分析系統RAS中之一者(包含目標32及處理器PR)位於微影裝置LA之圖案化器件(亦即，光罩)區處。另一輻射分析系統RAS (包含目標52及處理器PR)位於微影裝置LA之基板W區處。微影裝置LS可包含單一輻射分析系統RAS。 微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現在由光罩MA而圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。 輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構及配置使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。 圖1所展示之輻射源SO屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO2 雷射之雷射1經配置以經由雷射光束2而將能量沈積至自燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)之燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而導向例如呈小滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積會在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿之離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。 EUV輻射係由近正入射輻射收集器5 (有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5奈米之所要波長之EVU輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可處於電漿形成區4處，且第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。 雷射1可與輻射源SO分離。在此種狀況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起被認為係輻射系統。 由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦於之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。 輻射光束B自輻射源SO傳送至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。 在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4之縮減因數。儘管投影系統PS在圖1中具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如六個鏡面)。 圖1所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線(IR)輻射。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台之類型。在雙載物台微影裝置中，提供兩個基板台以便允許在正發生一基板之曝光的同時量測另一基板之屬性(「基板之曝光」意謂經圖案化輻射至基板上之投影，如上文所描述)。 依據數個因素來選擇輻射光束B之波長及/或功率。舉例而言，微影裝置可包含經組態以保護光罩MA免於污染物粒子影響之護膜。圖2為配合至圖案化器件MA之護膜22的示意圖。圖案化器件MA具有經圖案化表面24。支撐護膜22之護膜框架26具備附接機構28。附接機構28可經組態以允許護膜框架26以可拆卸方式可附接至光罩MA (亦即，經組態以允許護膜框架26可附接至光罩MA及自光罩MA可拆卸)。附接機構28經組態以與提供於光罩MA上之附接特徵(圖中未繪示)嚙合。附接特徵可例如為自光罩MA延伸之突起部。附接機構28可例如包含與突起部嚙合且將護膜框架26緊固至光罩MA之鎖定部件。污染粒子20入射於護膜22上且由護膜22固持。護膜22固持污染粒子20充分遠離光罩MA之經圖案化表面24，使得其並未藉由微影裝置成像至基板上。護膜22可例如由諸如多晶矽(pSi)膜、石墨烯或矽烯之材料形成。 護膜22可能夠耐受入射於其上而不變得受損及/或變得不起作用的功率之臨限量。當具有高於臨限功率之功率的輻射光束入射於護膜22上時，護膜22可降級及/或變得受損使得該護膜22不起作用。護膜22可具有對於在預定波長範圍內之輻射之合適透射屬性。若輻射光束包含在預定波長範圍之外的一或多個波長之輻射，則護膜22可吸收該輻射光束之過高比例。作為另一實例，輻射光束之功率可經選擇為達成經圖案化基板之所要產出率。輻射光束之波長可經選擇為達成基板W上之所要特徵大小。其他因素亦可影響為輻射光束所選擇之功率及/或波長。 再次參看圖1，可在微影裝置LA之不同區處量測由輻射光束B攜載之功率。舉例而言，可在基板W及基板台WT之區中量測輻射光束B之功率，以判定(例如)到達基板W之功率之量是否足以達成經圖案化基板之所要產出率。作為另一實例，可在圖案化器件(例如光罩MA)及支撐結構MT之區中量測輻射光束B之功率，以判定(例如)入射於護膜上之功率是否低於護膜之臨限功率(亦即，功率低於將損害護膜之位準)。可在微影裝置LA之任何所要區處量測輻射光束B之功率。 在微影裝置LA之區處量測輻射光束B之功率的已知方法包括在微影裝置LA之彼區處提供一或多個光偵測器。舉例而言，在基板W之區中量測輻射光束B之功率之狀況下，可將光偵測器提供於基板台WT上。光偵測器可例如為針孔感測器，其包含位於小孔隙下方之光電二極體。輻射光束B可經導向朝向該孔隙使得輻射光束B之全部或部分傳遞通過該孔隙且入射於光電二極體上。光電二極體藉由將入射光子轉換成電荷載流子、電荷載流子接著貢獻於可用以判定輻射光束B之功率的電讀出信號來偵測入射輻射。 作為已知系統之另一實例，在量測光罩MA之區中之輻射光束B之功率的狀況下，可將一或多個光偵測器提供於照明系統IL與光罩MA之間，例如鄰近於照明系統IL之曝光隙縫。 光偵測器在用以偵測某些形式之輻射時可具有相對高不確定度。舉例而言，EUV輻射可在光偵測器中針對由光偵測器吸收之EUV輻射之每一光子產生複數個電荷載流子。每由光偵測器吸收的EUV輻射之光子所產生之電荷載流子之數目之間的關係可具有與其相關聯之固有不確定度。此固有不確定度可貢獻於與使用光偵測器而進行之EUV功率量測相關聯的相對高不確定度。 可藉由比較使用光偵測器而進行之量測與提供於基板上之抗蝕劑之曝光結果來校準光偵測器。抗蝕劑可曝光至在抗蝕劑之不同區域中具有不同劑量的輻射光束。抗蝕劑可用以判定入射於抗蝕劑上之輻射之劑量，且可自輻射之劑量判定輻射光束之功率。抗蝕劑中之變化可負面地影響校準之準確度。舉例而言，抗蝕劑之溫度之變化、抗蝕劑中之不同化學物質之濃度、在運用抗蝕劑旋塗基板之後橫越基板之抗蝕劑之分佈及抗蝕劑之任何批次間變化可負面地影響校準之準確度。舉例而言，校準可具有介於大致10%與20%之間的不確定度。光偵測器可例如歸因於與校準相關聯之不確定度而具有大致10%至20%的量測不確定度。 在不同微影裝置LA之間可能並未準確地校準光偵測器。亦即，由不同微影裝置LA中之光偵測器執行之量測之不確定度可在其對輻射光束B功率之量測方面變化例如大致10%與20%之間。 光偵測器隨著時間推移可不穩定。光偵測器之量測敏感度隨著時間推移歸因於輻射損害可降級。光偵測器可變得受污染。舉例而言，存在於輻射光束B中之EUV輻射可與抗蝕劑之構成部分反應且產生諸如氧化物、矽酸鹽及/或碳之污染物。污染物可入射於光偵測器上且負面地影響光偵測器之準確度。光偵測器之污染可隨著時間推移生長使得使用光偵測器進行之量測之不確定度隨著時間推移增大。 在LPP源之狀況下，由CO2 雷射產生之輻射可在輻射光束B中存在於微影裝置LA中。舉例而言，來自LPP源之IR輻射可經歷非想要的反射且存在於微影裝置LA中。由LPP源產生之IR輻射可例如包含具有大致10.5微米之波長之輻射。微影裝置中IR輻射之存在可負面地影響執行微影曝光之準確度。光偵測器可僅能夠偵測輻射波長之有限範圍。舉例而言，光偵測器可能夠偵測DUV、EUV及/或可見光輻射，但光偵測器可不能夠偵測IR輻射。可需要單獨的光偵測器來量測某些波長之功率，諸如(例如)存在於輻射光束B中之IR輻射之功率。 上文關於光偵測器在微影裝置LA中之當代使用所提及的問題可引起具有大不確定度之功率量測。舉例而言，輻射光束B之功率經量測之不確定度可為大致20%。具有此類不確定的功率量測在比較不同微影裝置LA時會導致難題。具有高不確定度的功率量測亦可導致將預防性限定應用至微影系統來考量不確定度。舉例而言，具有大致20%之不確定度的功率量測可引起輻射光束之功率縮減了20%或更多以確保護膜22在微影曝光期間不會降級及/或不會受損。縮減輻射光束之功率會負面地影響微影裝置LA之產出率。替代地，若輻射光束之功率具有例如20%之不確定度，則未能將輻射光束之功率縮減20%可引起受損之護膜22。受損護膜22將需要替換且微影裝置及/或倍縮光罩可需要修復，從而導致當護膜22受損時微影裝置LA之可用性相當大的損失。 圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射分析系統RAS。該輻射分析系統RAS包含輻射源30、目標31及位置量測系統32。圖3中所描繪之輻射源30可與圖1中所描繪之輻射源SO及照明系統IL對應。輻射源30經組態以產生輻射光束33。輻射光束33可例如包含EUV輻射、DUV輻射及/或IR輻射。輻射光束33可包含其他波長之輻射，例如可見光輻射。輻射光束33經導向朝向目標31。在圖3之實例中，目標31經組態以供在微影裝置LA (諸如圖1中所描繪之微影裝置)之光罩區處使用。 目標包含彼此分離之兩個標記(圖中未繪示)。目標可包含多於兩個標記。在已知溫度下已知標記之間的分離度。目標31可包含量測板。量測板31可包含金屬，例如鋁。量測板31可包含另一合適材料，諸如例如矽之半導體。量測板31可例如提供於光罩MA上。舉例而言，量測板31可提供於光罩MA之表面上。替代地，量測板31可提供於光罩台MT上。量測板31可經由撓曲件35安裝於光罩MA上。撓曲件35可經組態以將量測板31與光罩MA熱隔離使得由量測板31自輻射光束33吸收的大部分能量誘發量測板31之熱膨脹，而非損耗至其環境。撓曲件25可經組態以准許量測板31之熱膨脹及後續收縮。舉例而言，撓曲件25可經組態以准許量測板31之實質上不受阻礙的熱膨脹及後續收縮。撓曲件35可例如包含片彈簧。 量測板31可例如包含鋁薄片(其可被稱作鋁箔片)。量測板31可包含諸如(例如)矽及/或鋼之其他材料。量測板可具有在大致0.1毫米至大致1.0毫米之範圍內之厚度。量測板31可例如具有大致0.5毫米之厚度。部分地取決於用以形成量測板之材料，薄量測板可引起非想要熱變形而非熱膨脹，而厚量測板可需要大量能量以展現可量測的熱膨脹，因此可在牢記此等考慮因素的情況下來選擇量測之厚度。圖4中示意性地描繪標記之實例。 輻射光束33入射於量測板31上。較佳地整個輻射光束33入射於量測板31上。使整個輻射光束33入射於量測板31上係有益的，此係因為此情形最大化輻射分析系統RAS之信雜比。量測板31經組態以自輻射光束33吸收能量且經歷熱膨脹。 量測板31上之標記經組態以反射及/或繞射入射輻射33。在目標31已由輻射光束33照明之後，位置量測系統32可運用量測輻射光束來照明標記。替代地，單獨的輻射源可運用量測輻射光束來照明標記。量測輻射光束中之至少一些自標記反射及/或繞射。自標記反射及/或繞射之輻射入射於位置量測系統32上。位置量測系統32經組態以偵測自量測板31上之標記反射及/或繞射之輻射且判定該等標記之分離度之改變。位置量測系統32可將指示標記之分離度改變之一或多個信號提供至處理器PR。處理器PR可經組態以自位置量測系統32接收一或多個信號且判定輻射光束33之功率。 量測板31之熱膨脹造成標記之間的分離度增大。一旦輻射光束33已入射於量測板31上歷時所要時間量或直至目標31之溫度已增大所要量，就可停止或重新導向輻射光束33使得輻射光束33不再入射於量測板31上。位置量測系統32可用以判定在量測板31已經歷由自輻射光束33之功率之吸收而誘發的熱膨脹之後標記之分離度的改變。 可熱隔離目標31使得限制目標31與其環境之間的熱轉移。舉例而言，可熱隔離目標31使得自輻射光束33吸收的大部分功率會誘發目標31之熱膨脹，而非損耗至該目標之環境。目標31可經保持處於真空條件下。 圖4 (由圖4A及圖4B組成)示意性地描繪根據本發明之一實施例之目標。在圖4之實例中，目標41為量測板。圖4中所展示之量測板41可與圖3中所展示之量測板31對應。下文中論述目標之其他實例。圖4A展示在量測板41具有自輻射光束吸收之功率之前的量測板41。圖4B展示在量測板41已經歷由自輻射光束吸收之功率誘發的熱膨脹之後的量測板41。量測板41包含彼此分離距離D的兩個標記46。該分離度D可足夠大使得整個輻射光束在該分離度範圍內。輻射光束之大小可由微影裝置之曝光隙縫大小判定。分離度D可例如大於或等於大致20毫米。分離度D可例如小於或等於大致110毫米。分離度D可例如為104毫米。分離度D可大於曝光隙縫之大小。然而，具有大於曝光隙縫大小的分離度D可並非較佳的，此係因為彼組態可引入量測板上之複雜的溫度梯度，其增大可判定目標之熱膨脹的難度，藉此減小輻射分析系統之準確度。如在圖4A與圖4B之間進行比較時可看到，標記46之間的分離度D歸因於由輻射光束33誘發之量測板41之熱膨脹而增大至較大分離度D'。在圖4中已出於可見性而誇示標記46及標記之間的分離度D。兩個標記46之間的分離度D之改變可由以下方程式表示：其中dx為兩個標記46之分離度D之改變，f(dT)為目標41之溫度改變之已知函數，且f(Qin )為目標之材料屬性及由目標41吸收之輻射能量之量的已知函數。該等函數可藉由執行校正量測來判定。亦即，可運用已知量的輻射功率來照明目標41，且可量測目標之溫度改變及/或目標之標記之分離度改變。替代地，該等函數可藉由模型化來判定。舉例而言，可將關於目標41之材料屬性之資訊輸入至電腦模擬中，且電腦模擬可經執行以判定函數。關於目標41之材料屬性之資訊可例如包括熱膨脹係數、比熱容等之表列值。 在圖4之實例中，每一標記46包含兩個正交光柵。標記46可包含其他類型之光柵，諸如(例如)棋盤形光柵。標記46可具有適於與位置量測系統32一起使用之任何所要形狀及/或大小。應理解，如本文中所使用之術語標記意欲涵蓋分離一距離的兩個可識別特徵。在該等標記之間可存在其他特徵。舉例而言，該等特徵可由某其他特徵接合在一起。 現在論述輻射分析系統RAS之詳細實例。目標41可包含經由如以上所描述之撓曲件提供於光罩(圖中未繪示)上的鋁板。該鋁板41可例如具有為110毫米之長度、為20毫米之寬度及為0.5毫米之厚度。在此實例中，鋁板41將具有大致3公克之重量。鑒於鋁板41之上述特性，鋁板之溫度可每焦耳的鋁板自輻射光束33吸收的能量增大大致0.4 K (Kelvin)。兩個標記46之間的分離度D可每毫焦的由鋁板41吸收之能量增大大致1奈米。 已知的位置量測系統能夠以高準確度量測標記之位置，因此，位置量測系統並非輻射分析系統RAS之量測不確定度的顯著來源。可假定存在與位置量測系統相關聯的為每標記大致0.5奈米之量測不確定度(亦即，針對兩個標記46之分離度D之相對改變為1奈米量測不確定度)。亦可假定在輻射光束33不再入射於量測板41上之時間與發生標記46之分離度改變之量測之時間之間量測板41之冷卻可忽略。舉例而言，不再運用輻射來照明目標之時間與量測標記之分離度改變之時間之間的延遲可在0.5秒至5.0秒之範圍內(包括0.5秒與5.0秒)。鑒於以上假定，與位置量測系統32相關聯之量測不確定度可為每焦耳之吸收能量大致0.1% (亦即，每瓦特之吸收功率之0.1%)。舉例而言，若入射於鋁板41上之EUV輻射之功率為大致35 W，則可在至EUV輻射之大致5毫秒的曝光中獲得小於1%之量測不確定度，其將導致鋁板41之溫度增大大致1 K。 與使用輻射分析系統RAS進行之量測相關聯的不確定度可部分地取決於入射於目標41上之輻射功率之量。增大入射於目標41上之功率之量可引起輻射分析系統RAS具有增大之信雜比。可藉由增大輻射光束入射於目標41上之時間之量而增大入射於目標41上之功率之量。因此，輻射光束入射於目標41上之時間之量可經選擇為達成用於輻射分析系統RAS之所要量測不確定度。另一方面，運用輻射光束照明目標41很長時間可加熱該目標41使得該目標41處於比其環境顯著更高的溫度下。當在目標41與其環境之間存在較大溫度差時，作用於目標41之冷卻效應變得較顯著。顯著冷卻效應可負面地影響輻射分析系統RAS之準確度。當判定輻射光束之功率時，顯著冷卻效應可難以進行考量。因此，目標41由輻射光束照明之時間之量可經選擇為在達成所要量測不確定度與避免作用於晶圓之強冷卻效應之間提供平衡。可較佳的是使用輻射光束以將目標41之溫度增大例如大致1 K至10 K。 與輻射光束之所計算功率相關聯之量測不確定度可例如為大致0.5%。自標記46之分離度改變至輻射光束33之功率之轉換可涉及有與以下各者相關的相對應不確定度之數個計算及假定：例如目標41之材料屬性(例如熱膨脹係數、比熱容等)、目標41之輻射吸收屬性(例如目標41針對不同波長之輻射之反射、透射及吸收屬性)、作用於目標41之冷卻及/或加熱效應，等。舉例而言，在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。該氣體可在輻射光束33不再入射於目標41上之時間與由位置量測系統32量測標記46之分離度改變之時間之間將熱傳導至目標41及/或自目標41傳導熱。 不確定度對使用輻射分析系統RAS進行之量測之最大貢獻者被預期起因於關於目標41之材料屬性及/或輻射吸收屬性作出之假定。舉例而言，目標41可經組態以吸收EUV輻射及反射IR輻射。然而，一些IR輻射可由目標41吸收且關聯功率可隨後錯誤地歸因於源自EUV輻射之功率。因此，可需要作出關於目標41之材料屬性及/或光譜吸收屬性之準確假定。此可包括在將目標41用於輻射分析系統RAS中之前執行對目標41之量測，以便較佳理解該目標之材料屬性及/或光譜吸收屬性。 在本發明之另一實施例中，光罩MA可經組態為輻射分析系統RAS之目標31。亦即，習知光罩MA可經修改使得其包含彼此分離之兩個標記。習知光罩經組態以在運用輻射來照明時抵抗熱膨脹，以便貫穿微影曝光避免光罩上之圖案之大小改變。與輻射分析系統RAS一起使用之經修改光罩可經組態以在運用輻射來照明時經歷熱膨脹，使得經修改光罩上之標記之間的分離度增大。經修改光罩可經設計為使得其具有在運用輻射來照明時允許足夠熱膨脹的比熱容。 在一實施例中，輻射分析系統RAS可經組態以分析微影裝置LA之基板區處之輻射之特性。舉例而言，如圖1中所展示，目標可位於微影裝置LA之基板區處。舉例而言，在與圖3中所描繪之目標相似的組態中，包含彼此已分離的兩個標記之量測板可提供於微影裝置LA之基板台WT上。 在一實施例中，目標可包含基板。圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射分析系統RAS。該輻射分析系統RAS包含輻射源50、目標51及位置量測系統52。由圖5中所描繪之輻射源50產生之輻射光束53可與射出圖1中所描繪之投影系統PS的輻射光束B對應。輻射光束53可包含EUV輻射、DUV輻射及/或紅外線(IR)輻射。輻射光束53可包含其他波長之輻射，諸如(例如)可見光輻射。輻射光束53經導向朝向目標51。在圖5之實例中，目標51為安裝於基板台WT上之量測基板。量測基板51係由瘤節55支撐於基板台WT上。量測基板51可經組態以供在微影裝置LA之基板區處使用。 輻射光束53入射於量測基板51上。較佳地整個輻射光束53入射於量測基板51上以增大輻射分析系統RAS之信雜比。量測基板51可例如具有大致300毫米之直徑及大致0.7毫米之厚度。量測基板51經組態以自輻射光束53吸收能量且經歷熱膨脹。 量測基板51包含在已知溫度下彼此分離已知距離的兩個標記(圖5中未繪示)。量測基板51可包含多於兩個標記。量測基板51上之標記經組態以反射及/或繞射入射輻射53。在目標51已由輻射光束53照明之後，位置量測系統52可運用量測輻射光束來照明標記。替代地，單獨的輻射源可運用量測輻射光束來照明標記。量測輻射光束中之至少一些自標記反射及/或繞射。自標記反射及/或繞射之輻射入射於位置量測系統52上。位置量測系統52經組態以偵測自量測基板51上之標記反射及/或繞射之輻射且判定該等標記之分離度之改變。位置量測系統52可將指示標記之分離度改變之信號提供至處理器PR。處理器PR可經組態以自位置量測系統52接收信號且判定輻射光束53之功率。 當代基板經組態以在運用輻射來照明時抵抗熱膨脹，以便例如貫穿微影曝光維持基板上之目標部分之大小。適合於與輻射分析系統RAS一起使用之量測基板51經組態以在運用輻射53來照明時經歷熱膨脹使得標記之間的分離度增大。瘤節55可限制量測基板51之熱膨脹。標記可例如定位於瘤節55之間。 量測基板51之材料屬性可經選擇為在運用輻射光束53來照明時提供量測基板51之顯著熱膨脹。舉例而言，量測基板51可包含具有在運用輻射來照明時提供量測基板51之顯著熱膨脹的熱膨脹係數之材料。舉例而言，量測基板51可具有在大致2 ppm K- 1 至大致30 ppm K- 1 之範圍內之熱膨脹係數。作為另一實例，量測基板51可包含具有在量測基板51運用輻射來照明時提供量測基板51之溫度之顯著增大的比熱容之材料。舉例而言，量測基板52可具有在大致1 J cm- 3 K- 1 至大致3 J cm- 3 K- 1 之範圍內之比熱容。增大比熱容可減小輻射分析系統之熱回應時間，且另一方面，使輻射分析系統較不易受當判定標記之分離度改變時可並未考量之偽加熱及/或冷卻效應影響。量測基板51可例如包含鋁、鋼及/或矽。 圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例之量測基板61。量測基板61被安裝於基板台WT上且由瘤節65支撐。當量測基板61已由輻射光束53加熱時，熱能可通過瘤節65自量測基板61轉移至基板台WT。可在將經量測標記位置轉換成輻射光束53之功率時藉由例如電腦模型化來考量自量測基板61至基板台WT之熱轉移。然而，在給出瘤節65與量測基板61之間的小接觸面積的情況下，通過瘤節65之熱轉移並不顯著影響與輻射分析系統RAS相關聯之量測不確定度。 瘤節65橫越量測基板61界定瘤節區域68。圖6中所描繪之瘤節區域68為瘤節區域之實例。瘤節區域68可採取其他形式。當量測基板61自輻射光束53吸收功率時，量測基板61之所得熱膨脹受到瘤節區域68內之瘤節65限制。亦即，瘤節65提供限定量測基板61之熱膨脹之復原力。量測基板61之在瘤節區域68外部的區域可較自由地(例如均一地)擴展。量測基板61提供於基板台WT之凹座中。在量測基板61與基板台WT之凹座之邊緣之間存在間隙69以允許量測基板61之熱膨脹。 量測基板61包含提供於量測基板61上之兩個標記66，該兩個標記彼此分離距離D。在圖6之實例中，標記66包含棋盤形光柵。標記66可採取其他形式。可較佳將標記66置放於瘤節區域68外部使得該等標記66之間的分離度D在量測基板61經歷熱膨脹時較自由地增大。替代地，標記66可位於瘤節區域68內。當標記66位於瘤節區域68內時，該等標記66之分離度可小於瘤節65之間距使得可在該等瘤節65之間而非橫越瘤節65量測量測基板61之熱膨脹。可由位置量測系統52量測標記66之位置。處理器PR可自位置量測系統52接收指示標記66之分離度改變之信號，且判定輻射光束53之功率。 量測基板61可包含一凹座，該凹座經組態以容納可充當用於輻射分析系統RAS之目標的量測板。該凹座可藉由例如橫越所要區域薄化基板61而形成。量測板可經由諸如(例如)片彈簧之撓曲件安裝於凹座中。量測板可例如包含鋁。量測板可突出於量測基板61上方。 光罩台MT及/或支撐結構WT可包含經組態以分別冷卻光罩MA或基板W之冷卻系統。在輻射光束不再入射於目標上之時間與量測目標上之標記之位置之時間之間進行目標之冷卻可負面地影響輻射分析系統RAS之準確度。不再運用輻射來照明目標之時間與量測標記之分離度改變之時間之間的延遲可在0.5秒至5.0秒之範圍內(包括0.5秒與5.0秒)，以縮減由目標之冷卻造成的對輻射分析系統RAS之準確度之負面影響。由冷卻系統提供之冷卻之量在輻射分析系統RAS之使用期間可得以縮減，使得由目標吸收之功率至冷卻系統之轉移受到限制。 與存在於輻射光束中之不同波長之輻射相關聯的功率可由輻射分析系統RAS藉由向目標提供光譜濾光器及/或波長相依反射率及/或吸收屬性加以分析。圖7 (由圖7A及圖7B組成)示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含第一目標71、第二目標72及第三目標73之支撐結構MT。圖7A描繪在其曝光至輻射光束之前的目標71、72、73。圖7B描繪在其已經歷歸因於自輻射光束吸收之功率之熱膨脹之後的目標71、72、73。在圖7中出於可見性已誇示目標71、72、73之熱膨脹之程度。 在圖7之實例中，目標71、72、73為量測板。每一量測板71、72、73包含彼此分離距離D的兩個標記76。量測板71、72、73可包含具有不同材料屬性(亦即，熱膨脹係數、比熱容等)及/或不同輻射吸收屬性(亦即，針對不同波長之輻射之吸收、反射及/或透射係數)的不同材料。舉例而言，第一量測板71可包含吸收EUV輻射、可見光輻射及IR輻射之材料。第一量測板71可包含摻雜半導體材料，諸如(例如)摻雜矽或氮化矽。第二量測板72可包含吸收EUV輻射及可見光輻射且反射IR輻射之材料或塗層。第二量測板72可包含金屬矽化物，諸如(例如) RuSi。替代地，第二量測板72可包含高度摻雜半導體，諸如(例如)具有每立方公分至少約1020 個原子之P摻雜濃度的磷光體摻雜矽。作為另一替代方案，第二量測板72可包含紅外線發射率大於約0.2的摻雜半導體。第三量測板73可包含吸收EUV輻射且反射可見光輻射及IR輻射之材料。第三量測板73可包含金屬，諸如鋁。如在圖7A與圖7B之間進行比較時可看到，第一量測板71已經歷最大熱膨脹，第二量測板72相比於第一量測板71已經歷比較小熱膨脹，且第三量測板73已經歷最小熱膨脹。 存在於輻射光束中之EUV輻射、可見光輻射及IR輻射之功率可針對每一量測板71、72、73上之每組標記76使用輻射分析系統RAS予以判定。舉例而言，輻射光束中之EUV輻射之功率可藉由量測第三量測板73之分離度改變(D3-D)且使用第三量測板73之材料屬性之知識以計算由第三量測板73吸收之功率予以判定。可以兩步驟程序判定存在於輻射光束中之可見光輻射之功率。第一步驟包括量測第二量測板72之分離度改變(D2-D)且使用第二量測板72之材料屬性之知識以計算由第二量測板72吸收之功率。第二步驟包括計算由第二量測板72吸收之功率之量與由第三量測板73吸收之功率之量之間的差(亦即，EUV輻射功率及可見光輻射功率之所計算量減去EUV輻射功率之所計算量)。可以兩步驟程序判定IR輻射之功率。第一步驟包括量測第一量測板71之分離度改變(D1-D)且使用第一量測板71之材料屬性之知識以計算由第一量測板71吸收之功率。第二步驟包括計算由第一量測板71吸收之功率之量與由第二量測板72吸收之功率之量之間的差(亦即，EUV輻射功率、可見光輻射功率及IR輻射功率之所計算量減去EUV輻射功率及可見光輻射功率之所計算量)。在LPP輻射源之狀況下，一些DUV輻射被預期存在於輻射光束中。然而，輻射光束中之DUV輻射之量被預期係相對小的。舉例而言，不到大致1%的輻射光束被預期包含DUV輻射。 具有所要輻射吸收屬性之塗層可經施加至量測板以便提供輻射光束之光譜濾光。圖8 (由圖8A及圖8B組成)示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含目標81之基板台WT。圖8A描繪在目標曝光至輻射光束之前的目標81。圖8B描繪在目標已曝光至輻射光束之後的目標81。 在圖8之實例中，目標81為量測板。量測板81包含第一塗層區域82及第二塗層區域83。塗層區域82、83彼此熱隔離且與量測板81之其餘部分熱隔離使得由塗層區域82、83吸收的能量至量測板81之其他部分之轉移受到限制。使用具有小厚度(例如為大致0.1毫米之厚度)之量測板81可縮減能量在塗層區域82、83及量測板81之其他部分之間的轉移。第一塗層區域82包含彼此分離距離D的兩個標記86。第二塗層區域83包含彼此分離距離D的兩個標記87。第一塗層區域82可例如包含經組態以吸收EUV輻射且反射IR輻射之第一塗層。舉例而言，第一塗層可包含鋁。第二塗層區域83可例如包含經組態以吸收IR輻射且反射EUV輻射之第二塗層。舉例而言，第二塗層83可包含SiNO2 或NiP。 圖8B展示第一塗層區域82中之該等標記86之間的分離度D已歸因於由自存在於輻射光束中之EUV輻射吸收之能量造成的第一塗層區域82之熱膨脹而增大至較大分離度D4。第二塗層區域83中之該等標記87之間的分離度D已歸因於由自存在於輻射光束中之IR輻射吸收之能量造成的第二塗層區域之熱膨脹而增大至較大分離度D5。如在D4與D5之間進行比較時可看到，第一塗層區域82相比於第二塗層區域83已經歷較大熱膨脹，從而指示輻射光束包含大於IR輻射功率的EUV輻射功率。存在於輻射光束中之EUV輻射功率之量及IR輻射功率之量可針對每一塗層區域82、83上之每組標記86、87使用輻射分析系統RAS予以判定。 下文為本發明之一實施例之詳細實例，其中目標包含提供於基板台上之經塗佈之量測板。量測板可包含經由諸如片彈簧之撓曲件提供於基板台上之鋁板。該鋁板可例如具有為30毫米之長度、為10毫米之寬度及為0.1毫米之厚度。在此實例中，鋁板將具有大致80 mg之重量。鑒於鋁板之上述特性，鋁板之溫度可每毫焦的鋁板自輻射光束吸收的能量增大大致14 mK。鋁板可包含彼此分離例如大致26毫米之距離的兩個標記。量測板上之標記之分離度可每毫焦自輻射光束吸收的能量增大大致8奈米。 可假定存在與位置量測系統相關聯的為每標記大致0.2奈米之量測不確定度(亦即，針對兩個標記之分離度之相對改變為0.4奈米位置量測誤差)。亦可假定在輻射光束不再處於量測板上之時間與發生標記之分離度改變之量測之時間之間在鋁板與其環境之間存在可忽略的熱轉移。鑒於以上假定，位置量測系統之量測準確度可為每焦耳所吸收能量之大致0.01% (亦即，每瓦特所吸收功率之0.01%)。替代地，可使用模型以校正在運用輻射來照明鋁板之時間與量測標記之分離度改變之時間之間在鋁板與其環境之間的熱轉移。 適合於與輻射分析系統RAS一起使用之量測基板可包含具有不同輻射吸收屬性之不同材料，及/或量測基板可包含具有不同輻射吸收屬性之不同塗層。圖9 (由圖9A及圖9B組成)示意性地描繪根據本發明之一實施例的安裝於基板台WT上之量測基板91。圖9A描繪在量測基板曝光至輻射光束之前的量測基板91。圖9B描繪在量測基板已曝光至輻射光束之後的量測基板91。為了清楚起見已自圖9省略支撐基板台WT上之量測基板91之瘤節。 在圖9之實例中，量測基板91包含三個塗層區域92、93、94。塗層區域92、93、94彼此熱隔離且與量測基板91之其餘部分熱隔離使得由塗層區域92、93、94吸收的能量至量測基板91之其他部分之轉移受到限制。塗層區域92、93、94與量測基板91之其他部分熱隔離可藉由使用具有小厚度(例如小於大致1毫米)之量測基板及/或藉由在標記92、93、94之間具有相當大分離度(例如大於大致10毫米)來達成。第一塗層區域92可例如包含經組態以吸收EUV輻射、可見光輻射及IR輻射之第一塗層。舉例而言，第一塗層可包含SiNO或NiP。第二塗層區域93可例如包含經組態以吸收EUV輻射及IR輻射但不吸收可見光輻射之第二塗層。舉例而言，第二塗層93可包含SiO2 。第三塗層區域94可例如包含經組態以吸收EUV輻射但不吸收可見光輻射或IR輻射之第三塗層。舉例而言，第三塗層可包含鋁。 參看圖9A，第一塗層區域92、第二塗層區域93及第三塗層區域94各自包含彼此分離距離D的兩個標記96、97、98。在此實施例中，針對每一對標記之分離度D係相同的(但在其他實施例中，針對不同對標記之分離度可不同)。參看圖9B，在量測基板91已曝光至輻射之後，諸對標記之間的分離度已增大。第一塗層區域92中之該等標記96之間的分離度已歸因於由自存在於輻射光束中之EUV輻射、可見光輻射及IR輻射吸收之能量造成的第一塗層區域92之熱膨脹而增大至較大分離度D6。第二塗層區域93中之該等標記97之間的分離度已歸因於由自存在於輻射光束中之EUV輻射及IR輻射吸收之能量造成的第二塗層區域93之熱膨脹而增大至較大分離度D7。第三塗層區域94中之該等標記98之間的分離度已歸因於由自存在於輻射光束中之EUV輻射吸收之能量造成的第三塗層區域94之熱膨脹而增大至較大分離度D8。 如在圖9A與圖9B之間進行比較時可看到，第一塗層區域92已經歷最大熱膨脹，第二塗層區域93相比於第一塗層區域92已經歷比較小熱膨脹，且第三塗層區域94已經歷最小熱膨脹。存在於輻射光束中之EUV輻射功率、可見光輻射功率及IR輻射功率之量可針對每一塗層區域92、93、94上之每組標記96、97、98使用輻射分析系統RAS予以判定，如先前所描述。可接著將由處理器PR針對每一塗層區域92、93、94提供之結果彼此進行比較且用於以相似於參考圖7所論述之計算的方式進行彼此計算。 如圖1中所描繪，微影裝置LA可包含與輻射分析系統RAS一起使用之多個目標。替代地，微影裝置LA可包含與輻射分析系統RAS一起使用之一個目標。相比於使用提供於基板台上之量測板，使用安裝於基板台上之量測基板作為目標可較佳，此係因為當代微影裝置經組態以收納基板、對基板上之標記執行位置量測且將基板曝光至輻射光束。將量測板提供於基板台上可需要對當代基板台及/或微影裝置之其他組件之修改。可使用正常基板處置程序將量測基板輸入至當代微影裝置中。因此，相比於量測板，可以較大簡易性將量測基板輸入至當代微影裝置中。可容易以為了對輻射光束之不同光譜分析具有不同光譜吸收屬性的不同量測基板交換微影裝置中之量測基板。以具有不同光譜吸收屬性之不同量測板交換微影裝置中之量測板可較難以達成，此係因為此交換可例如需要移除提供有量測板之基板台及/或支撐結構。 當目標為包含彼此分離的兩個標記之經修改光罩時，亦可使用為了提供輻射光束之光譜濾光之不同材料及/或不同塗層之使用。亦即，光罩可包含具有具不同輻射吸收屬性的不同材料及/或不同塗層之一或多個不同區域。 一般而言，輻射分析系統RAS之準確度可藉由目標儘可能多地吸收存在於輻射光束中之所關注光子而增大。此可藉由使入射於目標上之整個輻射光束能夠吸收所關注之大部分光子且反射及/或透射未被關注之大部分光子來達成。輻射分析系統RAS之準確度可藉由使目標由一材料形成而增大，該材料具有提供每焦耳之自輻射光束吸收之能量在目標之兩個標記之間的分離度之顯著增大之熱膨脹係數。目標可較佳由具有提供每焦耳之自輻射光束吸收之能量的目標之溫度之顯著增大的比熱容之材料形成。目標與其環境之間的熱轉移可較佳受限制，使得在輻射光束不再入射於目標上之時間與使用位置量測系統來量測兩個標記之位置之時間之間在兩個標記之間存在分離度改變。在輻射光束不再入射於目標上之時間與使用位置量測系統來量測兩個標記之位置之時間之間的時間量可較佳受限制使得目標與其環境之間的熱轉移受到限制。輻射分析系統RAS之準確度可藉由增大目標上之標記之間的分離度使得目標之較大部分接著能夠熱擴展且貢獻於標記之分離度改變得以增大。 如先前所提及，微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台之類型。在雙載物台微影裝置之狀況下，微影裝置之基板區包含量測載物台及曝光載物台。在量測載物台處量測一個基板之屬性，而在曝光載物台處發生另一基板之曝光。雙載物台微影裝置之位置量測系統通常存在於量測載物台處，而待由輻射分析系統RAS分析之輻射光束存在於曝光載物台處。一旦已運用輻射來照明曝光載物台處之目標，就可必須將目標移動至量測載物台使得位置量測系統可量測兩個標記之分離度。舉例而言，可花費大致2秒以將目標自曝光載物台移動至量測載物台。目標在不再運用輻射來照明目標之時間與由位置量測系統量測目標之時間之間可損失熱能。在此時間期間熱能之損失可負面地影響使用輻射分析系統RAS進行之量測之準確度。可需要縮減運用輻射照明目標與運用位置量測系統量測目標之間的時間，以縮減由熱自目標之損失造成的對量測之準確度之負面影響。可較佳的是使輻射分析系統RAS之目標位於雙載物台微影裝置LA之圖案化器件(例如光罩MA) 區處，此係因為目標在運用輻射照明目標之時間與由位置量測系統量測目標之時間之間無需移動。 圖10展示根據本發明之一實施例的判定輻射之功率之方法。在步驟S1中，提供包含彼此分離的兩個標記之目標。在步驟S2中，運用輻射來照明目標，藉此誘發目標之熱膨脹。在步驟S3中，量測標記之分離度之改變。舉例而言，用於微影裝置中之當代位置量測系統可用以量測標記之分離度改變。舉例而言，智慧型對準感測器混合(或SMASH)為可形成輻射分析系統之部分的當代位置量測系統之實例。可在美國專利號6,961,116中找到與SMASH相關之資訊。應理解，本發明不限於與SMASH位置量測系統一起使用。可使用其他位置量測系統。舉例而言，位置量測系統可屬於美國專利第6,297,876號(另外被稱為使用對準之高階增強之進階技術或ATHENA)中所描述之類型。作為另一實例，位置量測系統可利用熟知之「鏡後測光(Through The Lens; TTL)」位置量測技術，其中由對準標記繞射之輻射形成於偵測器光柵上以產生可與本發明一起使用之週期性對準信號。對於熟習此項技術者將顯而易見，可使用其他(光學)配置以獲得照明目標上之兩個標記、偵測所得輻射並自其判定標記之間的分離度之相同結果。 在步驟S4中，使用標記之分離度之經量測改變來判定輻射之功率。判定輻射之功率涉及在給出目標已經熱擴展到何種程度的情況下計算由目標自輻射吸收的能量之量。與目標之材料屬性相關之假定、目標之輻射吸收屬性、作用於目標之加熱及/或冷卻效應可用於計算中。 一般而言，輻射分析系統RAS可包含位於微影裝置之圖案化器件區及/或微影裝置之基板區處的目標及關聯位置量測系統。術語「圖案化器件區」意欲指示介於照明系統IL與投影系統PS之間的微影裝置之部分。可將目標提供於微影裝置中之圖案化器件(例如光罩MA)上及/或圖案化器件之支撐結構MT上。術語「基板區」意欲指示在投影系統PS下游的微影裝置之部分。可將目標提供於微影裝置中之基板W及/或基板台WT上。替代地，位置量測系統可例如在雙載物台微影裝置之狀況下自投影系統PS偏移，在此狀況下位置量測系統仍被認為在微影裝置之基板區內。 目標可採取量測板、基板及/或圖案化器件之形式。一般而言，目標上之標記可彼此分離在大致20毫米至110毫米之範圍內的距離。目標可具有在2 ppm K- 1 至30 ppm K- 1 之範圍內(包括2 ppm K- 1 與30 ppm K- 1 )的熱膨脹係數。目標可具有在1 J cm- 3 K- 1 至3 J cm- 3 K- 1 之範圍內(包括1 J cm- 3 K- 1 與3 J cm- 3 K- 1 )的比熱容。目標可具有在0.1毫米至1.0毫米之範圍內(包括0.1毫米與1.0毫米)的厚度。目標可具有在大致0.1毫米至大致1.0毫米之範圍內的厚度。 一般而言，目標可包含諸如(例如)鋁、鋼、SiNO2 、矽、鋯等之材料。目標可包含塗層。一般而言，舉例而言，塗層可包含鋁、矽、SiO2 、NiP等。目標可與其環境熱隔離使得由目標自輻射光束吸收的大部分能量會誘發目標之熱膨脹，而非損耗至該目標之環境。可運用輻射來照明目標直至目標之溫度已增大大致1 K至10 K。可在輻射分析系統在使用中時中斷目標之冷卻，以便在待由輻射分析系統RAS分析輻射時縮減目標與其環境之間的熱轉移。 在已知溫度下已知標記之間的分離度。亦即，在目標運用輻射來照明且經歷熱膨脹之前目標之初始溫度係已知的。可在輻射分析系統運用輻射照明目標之前由一或多個溫度感測器量測目標之初始溫度。替代地，可自目標環境之溫度之知識判定目標之初始溫度。舉例而言，目標之初始溫度可與定位有目標之微影裝置之周圍溫度相同。微影裝置之周圍溫度可藉由例如使諸如水之冷卻流體流動通過微影裝置之冷卻系統加以控制。微影裝置之周圍溫度可在微影裝置之正常操作條件期間保持實質上穩定。舉例而言，微影裝置之周圍溫度可為大致21℃。 儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置的部分。此等裝置通常可被稱作微影工具。 術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4奈米至20奈米之範圍內(例如在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10奈米(例如在4奈米至10奈米之範圍內，諸如6.7奈米或6.8奈米)之波長。 儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿LPP源，但可使用任何合適源以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如錫)轉換至電漿狀態來產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可被稱作放電產生電漿(DPP)源。可由電源供應器產生放電，該電源供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源SO的單獨實體。替代地，輻射源SO可例如包含自由電子雷射(FEL)。 儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。 本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光、聲或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)，及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅係出於方便起見且此類動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1‧‧‧雷射
2‧‧‧雷射光束
3‧‧‧燃料發射器
4‧‧‧電漿形成區
5‧‧‧近正入射輻射收集器
6‧‧‧中間焦點/點
7‧‧‧電漿
8‧‧‧開口
9‧‧‧圍封結構
10‧‧‧琢面化場鏡面器件
11‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
20‧‧‧污染粒子
22‧‧‧護膜
24‧‧‧經圖案化表面
26‧‧‧護膜框架
28‧‧‧附接機構
30‧‧‧輻射源
31‧‧‧目標/量測板
32‧‧‧目標(圖1)/位置量測系統(圖3)
33‧‧‧輻射光束/入射輻射
35‧‧‧撓曲件
41‧‧‧量測板/鋁板
46‧‧‧標記
50‧‧‧輻射源
51‧‧‧目標/量測基板
52‧‧‧目標(圖1)/位置量測系統(圖5)
53‧‧‧輻射光束/入射輻射
55‧‧‧瘤節
61‧‧‧量測基板
65‧‧‧瘤節
66‧‧‧標記
68‧‧‧瘤節區域
69‧‧‧間隙
71‧‧‧第一目標/第一量測板
72‧‧‧第二目標/第二量測板
73‧‧‧第三目標/第三量測板
76‧‧‧標記
81‧‧‧目標/量測板
82‧‧‧第一塗層區域
83‧‧‧第二塗層區域
86‧‧‧標記
87‧‧‧標記
91‧‧‧量測基板
92‧‧‧第一塗層區域/標記
93‧‧‧第二塗層區域/標記
94‧‧‧第三塗層區域/標記
96‧‧‧標記
97‧‧‧標記
98‧‧‧標記
B‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
D‧‧‧距離/分離度
D'‧‧‧分離度
D1‧‧‧分離度
D2‧‧‧分離度
D3‧‧‧分離度
D4‧‧‧分離度
D5‧‧‧分離度
D6‧‧‧分離度
D7‧‧‧分離度
D8‧‧‧分離度
IL‧‧‧照明系統
LA‧‧‧微影裝置
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
PR‧‧‧處理器
PS‧‧‧投影系統
RAS‧‧‧輻射分析系統
SO‧‧‧輻射源
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/支撐結構
現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中： - 圖1描繪根據本發明之一實施例的包含具有輻射分析系統之微影裝置之微影系統； - 圖2示意性地描繪配合至圖案化器件之護膜； - 圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射分析系統； - 圖4(由圖4A及圖4B組成)示意性地描繪形成根據本發明之一實施例之輻射分析系統之部分的目標； - 圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射分析系統； - 圖6示意性地描繪形成根據本發明之一實施例之輻射分析系統之部分的量測基板； - 圖7(由圖7A及圖7B組成)示意性地描繪支撐結構，該支撐結構包含形成根據本發明之一實施例之輻射分析系統之部分的第一量測板、第二量測板及第三量測板； - 圖8(由圖8A及圖8B組成)示意性地描繪基板台，該基板台包含形成根據本發明之一實施例之輻射分析系統之部分的量測板； - 圖9(由圖9A及圖9B組成)示意性地描繪安裝於基板台上之基板，該基板形成根據本發明之一實施例之輻射分析系統之部分；及 - 圖10展示根據本發明之一實施例的判定輻射之功率之方法。

Claims (30)

  1. 一種輻射分析系統，其包含： 一目標，其包含彼此分離的兩個標記，該目標經組態以在運用輻射來照明時經歷熱膨脹； 一位置量測系統，其經組態以量測該等標記之分離度之一改變；及 一處理器，其經組態以使用該等標記之分離度之該經量測改變來判定該輻射之一功率。
  2. 如請求項1之輻射分析系統，其中該目標與其環境熱隔離。
  3. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標處於一真空環境中。
  4. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標包含一量測板。
  5. 如請求項4之輻射分析系統，其中該量測板包含一金屬或一半導體。
  6. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標為具有不同輻射吸收屬性之多個目標中的一者。
  7. 如請求項6之輻射分析系統，其中不同目標包含具有不同輻射吸收屬性之不同塗層。
  8. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該等標記之間的該分離度係介於20毫米與110毫米之間。
  9. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標之一熱膨脹係數係在2 ppm K- 1 至30 ppm K- 1 之範圍內，包括2 ppm K- 1 與30 ppm K- 1 。
  10. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標之一比熱容係在1 J cm- 3 K- 1 至3 J cm- 3 K- 1 之範圍內，包括1 J cm- 3 K- 1 與3 J cm- 3 K- 1 。
  11. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該目標之一厚度係在0.1毫米至1.0毫米之範圍內，包括0.1毫米與1.0毫米。
  12. 如請求項1或請求項2之輻射分析系統，其中該輻射分析系統形成一微影裝置之部分，該微影裝置包含： 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；及 一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上， 其中該輻射分析系統經組態以分析該輻射光束。
  13. 如請求項12之輻射分析系統，其中該目標為一量測基板。
  14. 如請求項13之輻射分析系統，其中該量測基板被安裝於該基板台上且由瘤節支撐，該等瘤節橫越該量測基板形成一瘤節區域，其中該等標記位於該瘤節區域之外部。
  15. 如請求項13之輻射分析系統，其中該量測基板被安裝於該基板台上且由瘤節支撐，該等瘤節橫越該量測基板形成一瘤節區域，其中該等標記位於該瘤節區域內且該等標記之該分離度小於該等瘤節之一間距。
  16. 如請求項12之輻射分析系統，其中該圖案化器件包含該目標。
  17. 如請求項12之輻射分析系統，其中該目標為經由撓曲件安裝於該支撐結構上之一量測板。
  18. 如請求項12之輻射分析系統，其中該目標為經由撓曲件安裝於該基板台上之一量測板。
  19. 如請求項18之輻射分析系統，其中該等撓曲件包含片彈簧。
  20. 一種分析輻射之方法，該方法包含： 提供一目標，該目標包含彼此分離的兩個標記； 運用輻射來照明該目標，藉此誘發該目標之熱膨脹； 量測該等標記之分離度之一改變；及 使用該等標記之分離度之該經量測改變來判定該輻射之一功率。
  21. 如請求項20之方法，其中將該目標與其環境熱隔離。
  22. 如請求項20或請求項21之方法，其中提供多個目標，且其中不同目標具有不同輻射吸收屬性。
  23. 如請求項20或請求項21之方法，其中運用輻射來照明該目標直至該目標之一溫度已增大在1K至10K之範圍內且包括1K至10K之一值。
  24. 如請求項20或請求項21之方法，其中在判定該輻射之該功率時模型化並考量作用於該目標的並非歸因於該輻射之加熱及/或冷卻效應。
  25. 如請求項20或請求項21之方法，其中該目標之一熱膨脹係數係在2 ppm K- 1 至30 ppm K- 1 之範圍內，包括2 ppm K- 1 與30 ppm K- 1 。
  26. 如請求項20或請求項21之方法，其中該目標之一比熱容係在1 J cm- 3 K- 1 至3 J cm- 3 K- 1 之範圍內，包括1 J cm- 3 K- 1 與3 J cm- 3 K- 1 。
  27. 如請求項20或請求項21之方法，其中該目標之一厚度係在0.1毫米至1.0毫米之範圍內，包括0.1毫米與1.0毫米。
  28. 如請求項20或請求項21之方法，其中在不再運用輻射來照明該目標之一時間與量測該等標記之分離度之該改變之一時間之間的一延遲係在0.5秒至5.0秒之範圍內，包括0.5秒與5.0秒。
  29. 如請求項20或請求項21之方法，其中當該輻射分析系統在使用中時中斷該目標之一冷卻。
  30. 一種用於儲存電腦可讀程式碼之電腦可讀媒體，其中該程式碼致使一微影裝置執行該如請求項20至29中任一項之方法。
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