TW201829817A - 真空沈積設備與對應之沈積模組及沈積一層於一基板上之方法 - Google Patents

真空沈積設備與對應之沈積模組及沈積一層於一基板上之方法 Download PDF

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Abstract

根據本揭露之一方面，提供用以真空沈積於基板上之設備。設備包括：真空腔室，包括具有第一幫浦開孔之第一側壁及具有第二幫浦開孔之第二側壁；第一沈積區域，裝配以用於容納用以沈積層於基板上之第一沈積源；第一基板傳送路徑，基板沿著於真空腔室中延伸通過第一沈積區域之第一基板傳送路徑傳送；以及第一幫浦通道，配置而相鄰於第一沈積區域，且從第一幫浦開孔延伸至第二幫浦開孔，其中第一幫浦通道包括一或多個側向開孔，定義從真空腔室之主空間至第一幫浦通道中之第一氣流路徑。再者，說明沈積模組及沈積層於基板上之方法。

Description

真空沈積設備及沈積一層於一基板上之方法
本揭露之數個實施例有關於一種用以真空沈積於一基板上之設備，及一種用於真空沈積於一基板上之沈積模組。更特別是，此處所述之數個實施例係有關於一種包括一真空腔室之設備，真空腔室包圍一或多個沈積區域，其中一或多個薄層可在真空腔室中之負壓下沈積於一基板上。其他實施例係有關於數個沈積一或多層於一基板上之方法。
已知之數種方法係用以沈積材料於基板上。舉例來說，基板可藉由物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)製程、或藉由化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程來進行塗佈。物理氣相沈積製程舉例為濺射。化學氣相沈積製程舉例為電漿輔助化學沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)製程。一般來說，製程係於真空腔室中執行，將塗佈之基板係在沈積期間位於此真空腔室中。沈積材料係提供於設備中。數種材料及其之氧化物、氮化物或碳化物可使用於沈積於基板上。
已塗佈之基板可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，一種應用係在微電子之領域中，例如是生產半導體裝置。再者，用以顯示器之基板係時常藉由PVD製程或CVD製程塗佈。其他應用包括絕緣板、有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)面板、具有薄膜電晶體(thin film transistors，TFTs)之基板、彩色濾光片、具有及不具有壓力觸控(force touch)特徵之觸控面板或類似者。
特別是，在過去幾年中，顯示器製造中之改良已經能夠顯著地減少行動電話、平板電腦、電視螢幕、及類似者之製造成本。顯示器製造可於大面積基板上進行處理，大面積基板舉例為玻璃基板，其中具有1 m2 或更多之尺寸之典型之大面積基板係使用，且數層可沈積於大面積基板之一主表面上或兩個主表面上。雖然半導體製造之部份方面可成功地應用於顯示器製造，部份顯著之差異係存在。部份之差異係基於更大之基板，而導致在基板處理、於製造系統中移動基板與致使粒子產生、在大面積上之層均勻性、或類似者之挑戰。
為了在負壓下沈積一或多層於基板上，真空腔室一般係進行排氣。然而，在真空腔室之沈積區域中可能難以在整個沈積製程提供及保持良好且均勻之真空條件。因為基板及真空腔室之大尺寸之故，此情況在大面積基板將進行塗佈時係尤其如此。
有鑑於上述，提供一種用於真空沈積於基板上之設備係有利的，基板舉例為大面積基板，而在真空腔室中以可管理之付出提供良好之真空條件及均勻之氣流條件。
有鑑於上述，一種用以真空沈積於一基板上之設備及沈積模組係提供。再者，一種沈積一層於一基板上之方法係提供。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面，一種用以真空沈積於一基板上之設備係提供。設備包括：一真空腔室，包括一第一側壁及ㄧ第二側壁，第一側壁具有一第一幫浦開孔，第二側壁具有一第二幫浦開孔；一第一沈積區域，裝配以用於容納一第一沈積源，第一沈積源用以沈積一層於基板上；一第一基板傳送路徑，基板係沿著第一基板傳送路徑傳送，第一基板傳送路徑係於真空腔室中延伸通過第一沈積區域；以及一第一幫浦通道，配置而相鄰於第一沈積區域，且從第一幫浦開孔連續地或不連續地延伸至第二幫浦開孔，其中第一幫浦通道包括一或多個側向開孔，此一或多個側向開孔係定義從真空腔室之一主空間至第一幫浦通道中之一第一氣流路徑。
根據本揭露之其他方面，一種用以真空沈積於一基板上之沈積模組係提供。沈積模組包括：一真空腔室，具有一第一側壁，第一側壁具有一第一幫浦開孔；至少一沈積源，配置於真空腔室中之一第一沈積區域中，且於一第一方向中延伸；一第一基板傳送路徑，基板係沿著第一基板傳送路徑傳送，第一基板傳送路徑於真空腔室中延伸通過此至少一沈積源；以及一第一幫浦通道，配置而相鄰於此至少一沈積源及在第一方向中從第一幫浦開孔本質上平行於此至少一沈積源延伸，其中第一幫浦通道包括一或多個側向開孔，此一或多個側向開孔係形成一開孔圖案，開孔圖案於第一方向中延伸且定義從真空腔室之一主空間至第一幫浦通道中之一第一氣流路徑。
根據本揭露之其他方面，一種沈積一層於一基板上之方法係提供。此方法包括提供一真空腔室，具有一第一側壁、一第二側壁及一第一幫浦通道，第一側壁具有一第一幫浦開孔，第二側壁具有一第二幫浦開孔。第一幫浦通道係配置而相鄰於一第一沈積區域，第一幫浦通道係從第一幫浦開孔連續地或不連續地延伸至第二幫浦開孔，且包括一或多個側向開孔。此方法更包括沿著一第一基板傳送路徑經過真空腔室傳送基板通過一第一沈積源，第一沈積源配置於第一沈積區域中，以及當藉由從第一幫浦開孔及/或從第二幫浦開孔抽氣來排氣真空腔室時，沈積一層於基板之一表面上。
本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過附屬之申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照將以數種實施例達成，數種實施例之一或多個例子係繪示於各圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說，所說明或敘述而作為一實施例之部份之特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在下方之圖式說明中，相同參考編號係意指相同或相似之元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之不同處係進行說明。除非另有說明，一實施例中之一部份或方面之說明係亦應用於另一實施例中之一對應部份或方面。
用於真空沈積於基板上之設備係裝配成串連式(in-line)處理系統。在串連式處理系統中，基板係移動通過一或多個處理工具，此一或多個處理工具可在基板處理時配置於真空腔室之沈積區域中。處理均勻性可藉由主要在第一方向中延伸之處理工具改善，而基板運動係在第二、不同之方向中。此些串連式處理系統具有取得高處理均勻性之優點，舉例為良好之層均勻，基板可以固定之速度移動通過處理工具，以保持處理特性之穩定。因此，可提供在基板之傳送方向(於此處亦意指「第二方向」)中之良好均勻性且改善整體之均勻性之付出可集中在垂直於傳送方向之方向，此方向可為沈積源之延伸方向(於此處亦意指「第一方向」)。再者，此些串連式系統具有大面積基板可處理而無需提供工具陣列之優點。因此，成本可減少。
根據此處所述實施例之設備可有關於此種串連式處理系統。設備之真空腔室可包括第一沈積區域，第一沈積區域係裝配以用於容納第一沈積源，第一沈積源用以沈積層於基板上。再者，基板係沿著第一基板傳送路徑傳送，第一基板傳送路徑可提供於真空腔室中。基板傳送路徑可舉例為在第二方向中延伸通過第一沈積區域。因此，在設備之操作期間，基板可在處理時沿著基板傳送路徑傳送通過第一沈積區域，特別是在塗佈而具有一或多層時沿著基板傳送路徑傳送通過第一沈積區域。
一般來說，沈積區域及可配置於沈積區域中之沈積源可於第一方向(V)中延伸，第一方向舉例為垂直方向。基板傳送路徑可於第二、不同之方向中延伸。第二方向可本質上垂直於第一方向。舉例來說，基板傳送路徑之第二方向可為水平方向。因此，當基板沿著基板傳送路徑舉例以固定之傳送速度傳送通過沈積區域時，基板可在水平方向中均勻地塗佈。
對於一些應用來說，僅塗佈基板之一個主表面而具有一或多層可為足夠的，舉例以提供多層堆疊於基板之前側上。對於一些應用來說，基板之兩個主表面可進行處理，舉例為塗佈以具有一層或具有數層之堆疊。
第1A圖繪示根據此處所述實施例之用於真空沈積於基板上之設備100之剖面圖。第1B圖繪示第1A圖之設備100之透視圖。設備100包括真空腔室110，真空腔室110可排氣成負壓，舉例為排氣成10 mbar或以下之壓力，特別是1 mbar或以下之壓力。
設備100包括第一沈積區域121，第一沈積區域121位於真空腔室110。第一沈積區域121係裝配以用於容納第一沈積源120，第一沈積源120用以沈積層於基板上。再者，設備100包括第一基板傳送路徑T1，基板可在設備之操作期間沿著第一基板傳送路徑T1傳送。第一基板傳送路徑T1於真空腔室中延伸通過第一沈積區域121。當第一沈積源120係容納於第一沈積區域121中時，基板傳送路徑係延伸通過第一沈積源120。
因此，基板可沿著第一基板傳送路徑T1導引而通過第一沈積源120，且第一沈積源120係配置於第一沈積區域121中，層係同時藉由第一沈積源120沈積於基板之主表面上。
於一些實施例中，第一沈積源120可於第一方向(V)中延伸，舉例為在本質上垂直方向中延伸，且第一基板傳送路徑T1可於第二方向(H)中延伸，舉例為在本質上水平方向中延伸。基板可配置成本質上垂直定向，且同時在水平傳送方向中舉例為以固定速度傳送通過第一沈積源120。均勻層可沈積於基板之主表面上。
真空腔室110可具有數個外部側壁，外部側壁分隔真空腔室110之內部空間與外部環境，外部環境可提供在大氣壓力。特別是，真空腔室可具有第一側壁112及第二側壁114。於一些實施例中，第一側壁112及第二側壁114可為真空腔室110之相反側。
於第1B圖中所示之實施例中，第一側壁112係為真空腔室110之頂部牆，及第二側壁114係為真空腔室110之底部牆。如同具有通常知識者將理解的，第一側壁及第二側壁可選擇地為真空腔室之側向側壁，舉例為前側壁105、後側壁106、左側壁107、或右側壁108。
第一側壁112包括第一幫浦開孔113，及第二側壁114包括第二幫浦開孔115。
根據此處所述之一些實施例，第一幫浦通道142可從第一幫浦開孔113延伸至第二幫浦開孔115，且可配置而相鄰於第一沈積區域121。第一幫浦通道142包括一或多個側向開孔145，此一或多個側向開孔145定義從真空腔室110之主空間至第一幫浦通道142中之第一氣流路徑P1。
也就是說，第一幫浦通道142可從第一側壁112延伸通過真空腔室110之內部空間至第二側壁114，第一側壁112舉例為頂部牆，第二側壁114舉例為底部牆。第一側壁112可相反於第二側壁114。於此情況中，第一幫浦通道142可從真空腔室之第一側延伸通過真空腔室110至真空腔室之相反之第二側。既然第一幫浦開孔113係提供於第一側壁112中及第二幫浦開孔115係提供於第二側壁114中，第一幫浦通道142可藉由從第一幫浦開孔113抽氣來排氣及/或從第二幫浦開孔115抽氣來排氣。也就是說，第一幫浦通道142可藉由從第一幫浦通道142之任一側或兩側抽氣來排氣。
於一些實施例中，第一幫浦通道142可從第一幫浦開孔113連續地延伸至第二幫浦開孔115。也就是說，第一幫浦通道142可延伸通過真空腔室110，而無需中斷(interruption)或間斷(break)。舉例來說，第一幫浦通道142之通道牆可提供從真空腔室110之第一側壁112直到真空腔室之第二側壁114之連續材料連接。第一幫浦通道142之通道牆可在第一幫浦通道之第一端連接於第一側壁112及在第一幫浦通道之第二端連接於第二側壁114。
於一些實施例中，第一幫浦通道142可提供從第一幫浦開孔113通過真空腔室110至第二幫浦開孔115之連續流體連接。第一幫浦通道142之內部間隙可為固定的，或在第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115之間可為至少部份地改變。因此，第一幫浦通道142可排氣或抽氣，而不阻擋或妨礙第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115之間的氣流。從真空腔室之主空間抽氣之氣體可經由第一幫浦通道142之此一或多個側向開孔145進入第一幫浦通道。
於其他實施例中，第一幫浦通道142可從第一幫浦開孔113不連續地延伸至第二幫浦開孔115。也就是說，第一幫浦通道142可在第一側壁112及第二側壁114之間具有至少一間斷或中斷。舉例來說，第一幫浦通道在第一側壁112及第二側壁114之間可不提供連續材料連接。舉例來說，第一幫浦通道142可具有一或多個縫隙，此一或多個縫隙可延伸超過5 cm或更少，特別是2 cm或更少。甚至是如果一或多個不連續性係提供於第一幫浦通道142中，從任一側或兩側抽氣第一幫浦通道142可仍舊為可行的。
於一些實施例中，第一幫浦通道142可不提供從第一幫浦開孔113經由真空腔室110至第二幫浦開孔115之連續流體連接。舉例來說，第一幫浦通道142之第一隔室可裝配以(主要地)從第一幫浦開孔113抽氣，及第一幫浦通道142之第二隔室可裝配以(主要地)從第二幫浦開孔115抽氣。舉例來說，第一幫浦通道142之內部間隙可從第一截面積變化至第二截面積，第二截面積可小於第一截面積，舉例為少50%。藉由提供具有變化之間隙及/或具有不連續性之第一幫浦通道，在第一幫浦通道中之氣流可進行調整。
於第1B圖中所示之實施例中，第一幫浦通道142從第一幫浦開孔113沿著本質為直線，也就是本質上線性延伸至第二幫浦開孔115。第一幫浦開孔113可提供於第一側壁112中之第一位置，第一位置可對應於第二側壁114中之第二位置，第二幫浦開孔115可提供於第二側壁114中之第二位置。也就是說，第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115可提供於真空腔室110之相反位置。抽氣效率可改善。
於第1B圖中所示之實施例中，第一幫浦通道142係在頂部-底部方向中連續地且線性地延伸通過真空腔室，在頂部-底部方向中也就是從真空腔室之頂部牆朝向真空腔室之底部牆之方向中。
於一些實施例中，第一幫浦通道142係配置而相鄰於第一沈積區域121，特別是直接相鄰於第一沈積區域121。舉例來說，當第一沈積源120係設置於第一沈積區域121中時，第一沈積源120及第一幫浦通道142之間的最小距離可為50 cm或更少，特別是30 cm或更少。
於一些實施例中，第一幫浦通道142可至少部份地彎曲。第一幫浦通道142可選擇地或額外地至少部份逐步的延伸於第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115之間。於一些實施例中，第一幫浦通道可於真空腔室之兩個側牆之間延伸，真空腔室之此兩個側牆不是相反之側牆。於此情況中，第一幫浦通道可沿著彎曲線至少部份地延伸，或可提供而具有有角度之區段。
一般來說，在真空腔室之第一沈積區域121中維持均勻之處理氣流分佈係有利的，此可能難以在設備係裝配以塗佈大面積基之情況中達成。根據此處所述之實施例，藉由設置於真空腔室110中之第一幫浦通道142之特定裝配，氣體分配及真空條件係改善。可經由沈積源之氣體入口進入第一沈積區域121之處理氣體可從真空腔室之主空間沿著第一氣流路徑P1通過設置於第一幫浦通道142中之此一或多個側向開孔145流入第一幫浦通道142之內部空間中。第一幫浦通道142可從一側或兩側抽氣，也就是藉由利用第一真空幫浦從第一幫浦開孔113抽氣及/或藉由利用第二真空幫浦從第二幫浦開孔115抽氣。因此，第一幫浦通道142可快速地、有效率地及均勻地抽氣。
此一或多個側向開孔145可配置於第一幫浦通道142之任意通道牆中。舉例來說，一或多個側向開孔可提供於朝向第一沈積區域121之第一幫浦通道142之通道牆143中，及/或一或多個側向開孔可提供於朝向第一基板傳送路徑T1之第一幫浦通道142之通道牆143中。於一些實施例中，至少一側向開孔係提供於 朝向第一沈積源120之通道牆143中。
於第1B圖中所示之實施例中，至少一像狹縫之側向開孔係提供於第一幫浦通道142。像狹縫之側向開孔之長度方向可平行於第一沈積源120之長度方向，特別是平行於第一方向(V)。
在第一幫浦通道142之通道牆143中之此一或多個側向開孔145係定義從真空腔室110之主空間至第一幫浦通道142中之第一氣流路徑P1。真空腔室之主空間可理解為真空腔室之處理隔室，第一沈積區域121及第一基板傳送路徑T1係配置於真空腔室之主空間。舉例來說，在處理期間，第一沈積源120及基板可位於真空腔室之主空間中。第一幫浦通道142可為幫浦隔室，此幫浦隔室可藉由第一幫浦通道142之通道牆與真空腔室之主空間分隔。第一幫浦通道142之通道牆可至少部份地裝配成真空腔室之內部分隔牆。
第一幫浦通道142之內部空間可經由此一或多個側向開孔145流體連通於真空腔室之主空間，此一或多個側向開孔145係提供於第一幫浦通道142之至少一通道牆中。
於一些實施例中，第一幫浦通道142包括數個側向開孔，舉例為兩個或多個、五個或多個、或十個或多個側向開孔。於一些實施例中，第一幫浦通道可包括單一個側向開孔，此單一個側向開孔可塑形成狹縫開孔。於再其他實施例中，二或多個像狹縫之側向開孔可提供於第一幫浦通道142之至少一或多個通道牆中。藉由配置側向開孔成預定之圖案及形狀，在真空腔室中之氣流及真空條件可調整及改善。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，此一或多個側向開孔145係形成開孔圖案。開孔圖案在第一幫浦通道142之長度方向中延伸，舉例為在一些實施例中可為垂直方向之第一方向(V)中延伸。於一些實施例中，第一沈積源120可亦於第一方向(V)中延伸。因此，處理氣體可沿著第一沈積源120之長度延伸經由開孔圖案之此一或多個側向開孔145吸入第一幫浦通道142中。甚至當使用裝配以用於塗佈大面積基板之長的沈積源，且長的沈積源舉例為在第一方向(V)中具有1 m或更長之長度之沈積源時，可提供更多均勻抽氣條件。
開孔圖案可包括單一個開孔或數個分隔之開孔，單一個開孔提供於第一幫浦通道142中，此些分隔之開孔提供而於其間具有個別之距離。開孔之直徑或寬度及/或相鄰開孔之間的距離可在第一幫浦通道142之長度方向中為固定的。於一些實施例中，開孔形狀及/或距離係沿著第一幫浦通道142之長度方向變化。藉由變化開孔圖案，均勻之抽氣條件可亦提供於真空腔室110之中心區域中，且真空腔室110之中心區域係遠離第一側壁及第二側壁，如將於再下方之更詳細的說明。
值得注意的是，於此處所述之一些實施例中，第一幫浦通道可不延伸於第一幫浦開孔及第二幫浦開孔之間。相反地，根據此處所述之一些實施例，藉由提供第一幫浦通道，且第一幫浦通道係配置而相鄰於至少一沈積源並在第一方向(V)中本質上平行於此至少一沈積源延伸，泵送均勻性可改善。第一方向(V)舉例為垂直方向。幫浦通道包括一或多個側向開孔145，此一或多個側向開孔145形成在第一方向(V)中延伸之開孔圖案且定義從真空腔室之主空間至第一幫浦通道中之第一氣流路徑P1。幫浦通道可只流體連通於提供在真空腔室110之其中一個側壁中之一個幫浦開孔，其中一個側壁舉例為頂部側壁、底部側壁、或其中一個側向側壁。因此，於一些實施例中，第一幫浦通道係僅從單一幫浦通道排氣。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，(i)此至少一沈積源、(ii)第一幫浦通道及(iii)開孔圖案可在第一方向(V)中延伸，第一方向(V)可於一些實施例中為垂直方向。因此，在第一方向(V)中之泵送均勻性可沿著此至少一沈積源之長度方向改善。這是因為第一氣流路徑P1可從真空腔室之主空間經由開孔圖案進入幫浦通道之內部體積中，其中第一幫浦通道及開孔圖案兩者可適用沈積源之方向。特別是，在第一幫浦開孔之通道牆中之開孔圖案可平行於第一幫浦通道延伸，且與第一幫浦通道一致。
舉例來說，於一些實施例中，第一幫浦通道可舉例為在頂部-底部方向中或側向方向中僅延伸通過真空腔室之一部份。舉例來說，第一幫浦通道可舉例為在第一方向(V)中具有通道長度，此通道長度可對應於真空腔室之外部尺寸之40%及90%之間。舉例來說，於一些實施例中，第一幫浦通道可具有50 cm或更多及2 m或更少之通道長度。
如具有通常知識者將理解，與真空腔室之一個側壁中之單一個幫浦開孔流體連通之幫浦通道可表現出有關於與兩個不同側壁中之兩個幫浦開孔流體流通之幫浦通道之此處所述之任一特徵。舉例來說，通道剖面之細節及/或提供於通道牆中之此一或多個側向開孔之細節可對應於此處所述其他實施例之個別之細節。
於再其他實施例中，第一幫浦通道可流體連通於多於兩個幫浦開孔，舉例為三個、四個或多個幫浦開孔，此些幫浦開孔可提供於真空腔室之二或多個側壁中。
此處所述之數個實施例可包括一或多個沈積源，用以塗佈可移動之基板，舉例為用以沈積一或數個薄膜於基板上。沈積源可裝配成CVD沈積源，或沈積源可裝配PVD沈積源。CVD沈積源用以藉由化學氣相沈積塗佈基板，舉例為PECVD及/或熱絲化學氣相沈積(HWCVD)沈積源。PVD沈積源可用以藉由物理氣相沈積塗佈基板，PVD沈積源舉例為濺射沈積源。
使用於一些實施例中之基板可為不可彎曲基板，舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、或玻璃板材。然而，本揭露並不以此為限，且名稱基板可亦包含可彎曲基板，例如是網格(web)或箔。
特別是，「大面積基板」可使用於顯示器製造，且為玻璃或塑膠基板。舉例來說，此處所述之基板應包含一般用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)、及類似者之基板。大面積基板可具有一主表面，具有將塗佈之0.5 m²或更大之面積，特別是將塗佈之1 m²或更大之面積。舉例來說，大面積基板可為第4.5代、第5代、或更高代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92m)、第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)。大面積基板可更為第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7 m²之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。
對於塗佈大面積基板來說，此處所述之一些實施例之真空腔室110可在第一方向(V)中具有1 m或更多、特別是2 m或更多、更特別是3 m或更多之外部尺寸。在第一方向中之第一幫浦通道之通道長度可本質上對應於真空腔室之外部尺寸且可為1 m或更多、特別是2 m或更多。在第一方向(V)中之第一沈積源120之長度可為1 m或更多，特別是2 m或更多。基板可傳送通過在垂直定向中之真空腔室110，而基板之本質上之整個高度可藉由第一沈積源120塗佈。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板可在處理期間為垂直定向，處理期間舉例為沈積或塗佈製程期間及/或傳送基板經過真空腔室及通過第一沈積區域期間。如本揭露通篇使用，「垂直」或「實質上垂直」係特別在意指基板定向時理解，且允許從垂直方向或定向偏移±20°或以下，舉例為±10°或以下。此偏移可提供，舉例為因為具有自垂直定向之一些偏移之基板載體可產生更穩定之基板位置，或者面向下面之基板定向可甚至在沈積期間較佳地減少在基板上之粒子。然而，舉例為層沈積製程期間之基板定向係視為實質上垂直，而認定為不同於水平基板定向。
特別是，如本揭露通篇所使用，名稱「垂直方向」或「垂直定向」係理解為與「水平方向」或「水平定向」有所區別。垂直方向可為實質上平行於重力。
本揭露之基板可在處理及傳送期間由基板載體支撐，處理及傳送期間舉例為層沈積期間及/或在真空腔室中傳送基板期間。值得注意的是，名稱「基板載體」、「載體」及「基板支撐件」可以同義之方式使用。
根據本揭露之數個實施例，設備100可使用一或多個傳送裝置，用以沿著第一基板傳送路徑T1支承及傳送載體與基板。於一些應用中，傳送裝置可提供成磁性懸浮系統，用以支承載體於懸掛狀態。選擇地裝配以用於沿著第一基板傳送路徑T1移動或傳送載體之磁性驅動系統可使用。磁性驅動系統可包括於磁性懸浮系統中，或可提供成分離之個體。
於一些應用中，可提供機械傳送系統。傳送系統可包括滾軸，用以沿著第一基板傳送路徑T1傳送載體，其中可提供用以旋轉滾軸之驅動器。機械傳送系統可易於應用且強健、耐用及易於維護。
PVD濺射系統係發展以於真空腔室中塗佈薄的基板，舉例為薄的玻璃基板且舉例為用於顯示應用。在典型之沈積設備中，各基板可藉由載體支承，及載體可藉由個別之傳送裝置傳送通過真空腔室。載體可藉由傳送裝置移動，使得基板之第一主表面係暴露於第一沈積源120，第一沈積源120可配置於第一沈積區域121中。當基板係藉由傳送裝置以預定速度傳送通過第一沈積源120時，基板之第一主表面可進行處理，舉例為塗佈而具有薄的塗佈層。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一幫浦開孔113係提供於真空腔室110之頂部牆中，第二幫浦開孔115係提供於真空腔室110之底部牆中，及第一幫浦通道142於頂部-底部方向中延伸通過真空腔室110。其中，第一幫浦通道142可連續地延伸，及/或從第一幫浦開孔113沿著直線至第二幫浦開孔115。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一幫浦通道142之一或多個側向開孔145可分別朝向第一沈積區域121。於第1B圖中所示之實施例中，提供於第一幫浦通道142之通道牆143中之像狹縫之側向開孔係朝向第一沈積源120，第一沈積源120配置於第一沈積區域121中。由於氣體密度一般於第一沈積區域121中係為高的，且處理氣體在第一沈積區域121中一般係舉例為藉由氣體噴管(gas lance)之氣體入口注入，因此抽氣效率可增加。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，此一或多個側向開孔145係形成開孔圖案，在第一幫浦通道142之長度方向中延伸，長度方向舉例為垂直方向。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一幫浦通道142可提供成真空腔室110之內部支撐牆，從第一側壁112延伸至第二側壁114。特別是，在一些實施例中，第一幫浦通道142可裝配成真空腔室110之結構元件，此結構元件可強化及支撐真空腔室。真空腔室110之穩定性可改善。
在真空下，真空腔室110之側壁上之大氣壓力可非常高，特別是針對裝配以用於塗佈大面積基板之設備。使用第一幫浦通道142作為結構元件及幫浦隔室可改善幫浦特性，而亦同時有助於減少真空腔室之整體材料含量。特別是，藉由此至少一幫浦通道或藉由提供具有最少額外總量之材料的數個幫浦通道，真空腔室110之強度及穩定性可改善。
舉例來說，第一幫浦通道之第一端可連接於真空腔室之第一側壁112，特別是固定於真空腔室之第一側壁112，及/或第一幫浦通道之第二相反端可連接於真空腔室110之第二側壁114，特別是固定於真空腔室110之第二側壁114。真空腔室之穩定性可增加。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一幫浦通道142之通道牆可在垂直於第一幫浦通道之長度方向之截面平面中具有弧形或本質上矩形之剖面形狀。矩形之幫浦通道係提供特別大之內部間隙，且因而提供良好之抽氣效率。弧形之幫浦通道在具有減少總量之材料的情況下可提供特別穩定之真空腔室之支撐。
於一些實施例中，通道牆之厚度可為1 mm或更多，特別是3 mm或更多，更特別是5 mm或更多，及/或通道牆可以穩定材料製成，穩定材料舉例為金屬，特別是鋼。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一幫浦通道142可具有100 cm2 或更多及5000 cm2 或更少之內部截面積，特別是400 cm2 或更多及2000 cm2 或更少之內部截面積，更特別是800 cm2 或更多及1000 cm2 或更少之內部截面積。藉由提供第一幫浦通道之大截面積，可改善抽氣效率。於一些實施例中，其他幫浦通道可具有相同之截面積。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一真空幫浦可連接於第一幫浦開孔113及裝配以從第一側排氣第一幫浦通道142。第二真空幫浦可選擇地或額外地連接於第二幫浦開孔115及裝配以從第二側排氣第一幫浦通道142。第一真空幫浦及/或第二真空幫浦可裝配成渦輪分子幫浦(turbomolecular pumps)，可直接地連接於真空腔室之第一側壁112及/或第二側壁114。第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115係提供於真空腔室之第一側壁112及第二側壁114。
於一些實施例中，真空幫浦可僅連接於第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115之一者，及個別之其他開孔可舉例為經由蓋(lid)關閉，特別是經由管口蓋板(blind flange)關閉。於一些實施例中，沒有真空幫浦可連接於第一幫浦開孔113及第二幫浦開孔115。舉例來說，第一幫浦開孔及第二幫浦開孔兩者可舉例為經由蓋關閉，特別是經由管口蓋板關閉。特別是，舉例為在沒有高氣體負載注入相鄰於第一幫浦通道之主空間之區域中時，從兩側抽氣第一幫浦通道可能並非總是合理且必要的。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一沈積源120可配置於第一沈積區域121中及/或可本質上平行於第一幫浦通道142延伸且與第一幫浦通道142一致。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，設備100可包括多於一個幫浦通道。舉例來說，第一幫浦通道142及第二幫浦通道144及選擇之其他幫浦通道可提供於真空腔室110中。
第二幫浦通道144可本質上平行於第一幫浦通道142延伸，特別是在第一方向(V)中，舉例為在垂直方向中。
於一些實施例中，第二幫浦通道144可配置在相對於第一幫浦通道142之相反側上而相鄰於第一沈積區域121。舉例來說，第1A圖及第1B圖中所示之實施例中，第一幫浦通道142係配置於第一沈積區域121之第一側上，且第二幫浦通道144係配置於第一沈積區域121之相反於第一側之第二側上。因此，處理氣體可從第一沈積區域121更迅速地及更均勻地排氣。
特別是，於一些實施例中，第一沈積區域121可位於第一幫浦通道142及第二幫浦通道144之間。第一沈積源120可配置於第一幫浦通道142及第二幫浦通道144之間的中心區段中。
於一些實施例中，第二幫浦通道144可從在第一側壁112中之第二通道-第一幫浦開孔116延伸通過真空腔室110至在第二側壁114中之第二通道-第二幫浦開孔117。第二通道-第一幫浦開孔116可提供於真空腔室之頂部牆中，及第二通道-第二幫浦通道開孔117可提供於真空腔室之底部牆中。因此，第二幫浦通道144可在頂部-底部方向中延伸通過真空腔室，特別是連續地及/或沿著從第二通道-第一幫浦開孔116至第二通道-第二幫浦開孔117之直線。第二幫浦通道144可相對於第一幫浦通道142平行延伸，舉例為以具有20 cm或更多及1 m或更少於其之間。
於其他實施例中，第二幫浦通道及第一幫浦通道係不相對於彼此平行。在再其他實施例中，第二幫浦通道可在第一方向(V)中本質上平行於沈積源延伸。第二幫浦通道並非必須延伸於兩個通道開孔之間。特別是，於一些實施例中，第二幫浦通道可裝配以從單一個開孔抽氣，單一個開孔係提供於真空腔室之其中一個側壁中，此其中一個側壁舉例為頂部牆、底部牆或側向側壁之一者。
值得再注意的是，第二幫浦通道係不必要配置在相對於第一幫浦通道之第一沈積區域之相反側上。舉例來說，第一幫浦通道及第二幫浦通道兩者可配置於第一沈積區域121之相同側上，且選擇地位於第一基板傳送路徑T1之相反側上。第一幫浦通道及第二幫浦通道之其他配置係可行的，且將為具有通常知識者所理解。特別是，第二幫浦通道可配置，使得更均勻之抽氣條件及更均勻之處理氣體分配可提供於真空腔室中，特別是在第一沈積區域121中。
類似於第一幫浦通道142，第二幫浦通道144可包括一或多個側向開孔145，此一或多個側向開孔145定義從真空腔室110之主空間至第二幫浦通道144中之第二氣流路徑P2。
如具有通常知識者將理解的，第二幫浦通道144可具有上述參照第一幫浦通道142之一些或全部特徵。為了避免重複說明，此些特徵係不於此重複。
第2圖繪示用以真空沈積於基板上之設備200之剖面圖。設備200可類似於如第1A圖中所示之設備100，且對應特徵係不於此重複。
設備200包括真空腔室110、第一沈積區域121、第一基板傳送路徑T1、及第一幫浦通道142。第一沈積區域121用以容納第一沈積源120，第一沈積源120用以沈積層於基板上。基板沿著第一基板傳送路徑T1傳送，第一基板傳送路徑T1於真空腔室中延伸通過第一沈積區域121。
第一沈積區域121可位於第一基板傳送路徑T1之第一側上，舉例為前側上。再者，裝配以容納第二沈積源124之第二沈積區域122可位於第一基板傳送路徑T1之第二側上，特別是在相反側上，舉例為後側上。特別是，於一些實施例中，第一沈積區域121及第二沈積區域122可位於第一基板傳送路徑T1之相反側上。
藉由利用第一沈積源120及利用第二沈積源124塗佈沿著第一基板傳送路徑T1傳送之基板，處理基板之兩側可為可行的。基板之兩個主表面皆可塗佈而具有一或多薄層。在處理期間，基板可支承於基板載體中，而提供基板之雙側處理。於一些實施例中，基板係在垂直定向中沿著第一基板傳送路徑支承且傳送。
在第2圖中所示之實施例中，總共四個幫浦通道係提供。或者，可只提供兩個、三個、或多於四個幫浦通道。各幫浦通道可特別是在第一方向(V)中本質上平行於第一沈積源120及/或第二沈積源124延伸。再者，一或多個側向開孔145可提供於各幫浦通道中，此一或多個側向開孔145定義從真空腔室之主空間至個別之幫浦通道中之個別的氣流路徑。
於一些實施例中，第一幫浦通道142可提供於第一沈積區域121之第一側向側上，第二幫浦通道144可提供於第一沈積區域121之相反於第一側向側之第二側向側上，第三幫浦通道146可提供於第二沈積區域122之第一側向側上，及第四幫浦通道148可提供於第二沈積區域122之相反於第一側向側之第二側向側上。第一幫浦通道142及第二幫浦通道144可選擇地或額外地配置於第一基板傳送路徑T1之第一側上，且第三幫浦通道146及第四幫浦通道148可配置於第一基板傳送路徑之相反於第一側之第二側上。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第三幫浦通道146可從提供於真空腔室之第一側壁112中之第三通道-第一開孔延伸通過真空腔室至提供於真空腔室之第二側壁114中之第三通道-第二開孔，及/或第四幫浦通道148可從提供於真空腔室之第一側壁112中之第四通道-第一開孔延伸通過真空腔室至提供於真空腔室之第二側壁114中之第四通道-第二開孔。特別是，此些幫浦通道可本質上平行於彼此延伸，特別是在第一方向(V)中，舉例為在垂直方向中。泵送均勻性可改善。
各幫浦通道可具有上述有關於第一幫浦通道142之一些特徵或全部特徵，特別是第二幫浦通道144、第三幫浦通道146及/或第四幫浦通道148可具有上述有關於第一幫浦通道142之一些特徵或全部特徵。
設備200可更包括第一傳送裝置，特別是磁性懸浮系統或滾軸系統，裝配以用於沿著第一基板傳送路徑T1傳送基板於舉例為第一沈積區域121及第二沈積區域122之間。傳送裝置可裝配以用於改變基板於真空腔室110中之運動方向。舉例來說，在塗佈之後，基板之傳送方向可反轉，及基板可在相反方向中傳送離開真空腔室。於一些實施例中，基板可經由在第一側向側壁中之基板入口開孔進入真空腔室、可在塗佈時傳送通過真空腔室、且可經由在相反於第一側向側壁之第二側向側壁中之基板出口開孔離開真空腔室。
第3圖繪示用於真空沈積於基板上之設備300之剖面圖。設備300可類似於繪示於第1A圖及第1B圖中之設備100，且對應之特徵係不於此重複。
設備300包括真空腔室110、第一沈積區域121、第一基板傳送路徑T1、及第一幫浦通道142。第一沈積區域121用以容納第一沈積源120，第一沈積源120用以沈積層於基板上。基板係沿著第一基板傳送路徑T1傳送，第一基板傳送路徑T1於真空腔室中延伸通過第一沈積區域121。其他幫浦通道可選擇地提供，舉例為第二幫浦通道144。
於一些實施例中，第一基板傳送路徑T1可位於第一沈積區域121之第一側上，舉例為第一沈積區域121之前側上，及其他基板可沿著第二基板傳送路徑T2傳送，第二基板傳送路徑T2可於真空腔室110中在第一沈積區域之第二側上延伸通過第一沈積區域121，舉例為第一沈積區域之後側上。第一基板傳送路徑T1及第二基板傳送路徑T2可位於第一沈積區域121之相反側上。於一些實施例中，第一基板傳送路徑T1及第二基板傳送路徑T2可至少部份地彼此平行。
在設備300之操作期間，當第一基板係由可配置於第一沈積區域121中之第一沈積源120或由另一沈積源塗佈時，第一基板可沿著第一基板傳送路徑T1傳送。當第二基板係由第一沈積源120或由另一沈積源同時地或接續地塗佈時，第二基板可沿著第二基板傳送路徑T2傳送。設備之產量可增加。在再其他實施例中，傳送系統可裝配以沿著第一基板傳送路徑T1，且接著沿著第二基板傳送路徑T2傳送單一個基板，或反之亦然。多個層可沈積於基板上。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一沈積源可為雙向沈積源123，雙向沈積源123可裝配以朝向第一基板傳送路徑T1及朝向第二基板傳送路徑T2沈積材料。舉例來說，雙向沈積源123可為雙向濺射裝置。
設備可更包括第一傳送裝置及/或第二傳送裝置。第一傳送裝置特別是磁性懸浮系統或滾軸系統，裝配以用於沿著第一基板傳送路徑T1傳送基板。第二傳送裝置特別是磁性懸浮系統或滾軸系統，裝配以用於沿著第二基板傳送路徑T2傳送基板。
於一些實施例中，路徑切換模組可提供而用於從第一基板傳送路徑T1傳送基板至第二基板傳送路徑T2，或反之亦然。
第一幫浦通道142可配置而相鄰於第一沈積區域121且可於第一方向中延伸，第一方向可本質上垂直於基板通過第一沈積區域之傳送方向。舉例來說，第一幫浦通道142可在垂直方向中至少部份地延伸，且第一基板傳送路徑T1及第二基板傳送路徑T2可在水平方向中延伸。
第一幫浦通道142可包括通道牆，具有一或多個側向開孔，此一或多個側向開孔係形成開孔圖案，開孔圖案定義從真空腔室之主空間通過此一或多個側向開孔145至第一幫浦通道142之內部體積中之第一氣流路徑。第一幫浦通道142可從其之一側或兩側排氣。
第二幫浦通道144可配置於相反於第一幫浦通道142之第一沈積區域之第二側上。於一些實施例中，第一幫浦通道142之此一或多個側向開孔145及第二幫浦通道之此一或多個側向開孔145可朝向第一沈積區域121。泵送均勻性可改善且於真空腔室中之處理氣體之流動可適當地調整。
第4A圖繪示用於真空沈積於基板上之設備400之剖面圖。第4B圖繪示設備400之透視圖。設備400可部份地對應於繪示在第1A圖及第1B圖中之設備100，且對應之特徵係不於此重複。
設備400包括真空腔室110。於一些實施例中，真空腔室110可具有長方體之一般形狀，且包括至少六個外部側壁，也就是上部牆、底部牆、左側壁、右側壁、前側壁、及後側壁。
設備400包括數個幫浦通道410，包括第一幫浦通道142及第二幫浦通道144。其他幫浦通道可提供。舉例來說，四或多個幫浦通道、六或多個幫浦通道、或九或多個幫浦通道可提供。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，幫浦通道可平行於彼此延伸，特別是從真空腔室110之第一側壁112至第二側壁114，第一側壁112舉例為上部牆，第二側壁114舉例為底部牆。於一些實施例中，一或多個幫浦通道可僅從第一側壁112至第二側壁114部份地延伸。於一些實施例中，一些幫浦通道或全部幫浦通道可從提供於第一側壁112中之個別之第一幫浦開孔延伸至提供於第二側壁114中之個別之第二幫浦開孔。
此些幫浦通道可根據下述之幫浦通道配置(i)至(vi)之一或多者配置： (i) 至少一幫浦通道可沿著真空腔室110之內部角落延伸。也就是說，至少一幫浦通道可配置而直接相鄰於真空腔室110之內部體積中之角落。舉例來說，此至少一幫浦通道之兩個通道牆可延伸而直接接觸真空腔室之兩個側壁之內表面，真空腔室之此兩個側壁之內表面係形成真空腔室之個別之內部角落。或者，此至少一幫浦通道之兩個通道牆可由真空腔室之兩個側壁之內表面之部份形成，真空腔室之兩個側壁之內表面之部份係形成真空腔室之個別之內部角落。 (ii) 兩個幫浦通道可沿著真空腔室之兩個相鄰之內部角落延伸，及/或沿著真空腔室之兩個相反之內部角落。 (iii) 四個幫浦通道可沿著真空腔室之四個內部角落延伸。舉例來說，在第4A圖中之實施例中，幫浦通道係配置在真空腔室之四個內部角落之各者中。四個幫浦通道可在頂部-底部方向中沿著真空腔室之四個垂直之內部角落垂直地延伸。值得注意的是，幫浦通道可形成為真空腔室之結構元件，且在真空腔室之四個垂直角落可增加真空腔室之穩定性。 (iv) 至少一幫浦通道可在真空腔室之中心區域中延伸，舉例為繪示於第4A圖中之實施例中之第一幫浦通道142。於一些實施例中，此至少一幫浦通道可提供真空腔室之中心支撐件。特別是，此至少一幫浦通道可在真空腔室之第一側壁112及第二側壁114之間自支撐地(self-supportingly)延伸。通道牆可僅在幫浦通道之個別之軸端接觸真空腔室之主體。 (v) 一、二、三、四或多個幫浦通道可沿著真空腔室之側壁延伸，真空腔室之此側壁分別連接頂部牆及底部牆。特別是，幫浦通道可配置於前側壁之中心區段中且可在頂部-底部方向中延伸，幫浦通道可配置在後側壁之中心區段中且可在頂部-底部方向中延伸，幫浦通道可配置在左側壁之中心區段中且可在頂部-底部方向中延伸，及/或幫浦通道可配置在右側壁之中心區段中且可在頂部-底部方向中延伸。 (vi) 三或多個幫浦通道可在線性設置中彼此分隔配置。一列之幫浦通道可形成。舉例來說，在第4A圖中所示之實施例中，三個幫浦通道係配置，以形成第一列之幫浦通道412。其他列之幫浦通道可提供，舉例為第二列之幫浦通道413及/或第三列之幫浦通道414。此些列之幫浦通道可在舉例為從30 cm至100 cm之距離彼此分隔。
此些幫浦通道410可提供成幫浦通道之陣列，而讓基板分別傳送於兩個相鄰列之幫浦通道之間。
舉例來說，第一基板傳送路徑T1可延伸於第一列之幫浦通道412及第二列之幫浦通道413之間，及/或第二基板傳送路徑T2可延伸於第二列之幫浦通道413及第三列之幫浦通道414之間。各列之幫浦通道可包括三或更多個幫浦通道，此三或更多個幫浦通道可特別是以規律之距離彼此分隔。舉例來說，一列之幫浦通道之兩個相鄰的幫浦通道可分隔50 cm及100 cm之間的距離。
沈積區域可分別配置於一列之幫浦通道之兩個相鄰的幫浦通道之間。舉例來說，在第4A圖中所示之實施例中，沈積區域係配置於一列之幫浦通道之各相鄰對之幫浦通道之間。數個沈積區域420可提供，舉例為六或多個沈積區域。此些沈積區域420之各沈積區域可適用於容納至少一沈積源。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，此些沈積區域之部份沈積區域可能不容納沈積源。舉例來說，在第4B圖中所示之實施例中，沈積源係僅配置在第二列之幫浦通道413之幫浦通道之間，也就是在真空腔室之中央區域中。第一沈積源120及其他沈積源415可提供。
當幫浦通道可分別位於沈積區域之兩側上時，泵送均勻性及抽氣效率可增加。特別是，幫浦通道可保證在真空腔室之主空間中之從真空腔室之頂部區域通過中間區域至底部區域之更佳均勻的壓力分佈。特別是，藉由提供如此處所述之數個幫浦通道，在頂部-底部方向中，真空腔室之中間區域及頂部及底部區域之間的壓差可減少。於一些實施例中，提供於各幫浦通道中之開孔圖案可延伸超過多於50%，特別是超過多於70%之個別幫浦通道之長度。特別是，開孔圖案之至少一側向開孔可提供於幫浦通道之中心區段中。
第一沈積源120及/或其他沈積源415可裝配成雙向沈積源，雙向沈積源裝配以朝向第一基板傳送路徑T1及朝向第二基板傳送路徑T2沈積材料。在沈積源之前側上沿著第一基板傳送路徑T1傳送之基板可進行塗佈，且在沈積源之後側上沿著第二基板傳送路徑T2傳送之基板可進行塗佈。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一沈積源120可為濺射沈積源，包括第一可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422。第一可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422可配置而在側向方向中相鄰於彼此，側向方向舉例為可為水平方向之第二方向H。於一些實施例中，第一幫浦通道142可配置而相鄰於第一可旋轉濺射靶材421及第二幫浦通道144可配置而相鄰於第二可旋轉濺射靶材422。第ㄧ可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422可在第一方向(V)中線性地延伸，第一方向可為垂直方向。第一幫浦通道142及第二幫浦通道144可平行於第一可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422延伸，及/或與第一可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422一致。
其中一個沈積源之第一可旋轉濺射靶材421及第二可旋轉濺射靶材422可裝配成電性相反之電極，舉例為裝配成陽極及陰極。交流(AC)濺射、中頻(MF)濺射或射頻(RF)濺射可為可行的。至少一沈積源可選擇地或額外地裝配成直流(DC)沈積源。
第一沈積源120之驅動單元403可提供於真空腔室110之外側，舉例為在真空腔室之底部牆上。驅動單元403可裝配成而用以旋轉第一沈積源120之一或多個可旋轉濺射靶材，及/或用以樞轉第一沈積源120之一或多個磁電管。
第一傳送裝置404可提供而用於沿著第一基板傳送路徑T1傳送基板。於一些實施例中，第一傳送裝置404可包括磁性懸浮系統。第一傳送裝置404可裝配而用於在第一距離D1處之第一水平方向中傳送基板通過第一沈積源120。第一距離D1可理解為第一基板傳送路徑T1及沈積源之中心之間的最小距離，此沈積源係裝配以用於在傳送期間塗佈基板。第一距離D1可裝配以取得良好之沈積結果。
於一些實施例中，第一傳送裝置404可裝配以用於在路徑切換方向X中切換已塗佈之基板離開第一沈積源120，舉例為離開第一沈積源120一第二距離D2，路徑切換方向X可垂直於第一基板傳送路徑T1。第二距離D2可為50 mm及200 mm之間，特別是在一些實施例中係少於120 mm。
於一些實施例中，第一傳送裝置404可裝配以用於在第二水平方向中傳送基板，第二水平方向可相反於第一水平方向，使得基板可在相同側上進入及離開真空腔室，舉例為經由提供於真空腔室之其中一個側向側壁中之狹縫通道425在相同側上進入及離開真空腔室。
於一些實施例中，真空腔室110之至少一側向側壁可提供而具有一或多個狹縫通道425，此至少一側向側壁舉例為右側向側壁。此一或多個狹縫通道425係裝配以用於在塗佈之前導引基板進入真空腔室及/或在塗佈之後導引基板離開真空腔室。於一些實施例中，狹縫通道可提供於真空腔室之相反之側向側壁中，以讓基板在相反側上離開真空腔室。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第二傳送裝置405可提供而用於在第一沈積源120之相反側上沿著第二基板傳送路徑T2傳送其他基板。第二傳送裝置405可裝配以用於在第一沈積源之另一側上之第一距離D1處傳送其他基板通過第一沈積源120，特別是在第一水平方向中。
於一些實施例中，第二傳送裝置405可裝配而用於 在路徑切換方向X中切換已塗佈之基板離開第一沈積源120，舉例為離開第一沈積源120第二距離D2，路徑切換方向X可垂直於第二基板傳送路徑T2。
於一些實施例中，第二傳送裝置405可裝配以用於在第二水平方向中傳送基板，第二水平方向可為相反於第一水平方向，使得基板可在相同側上進入及離開真空腔室，舉例為通過狹縫通道425在相同側上進入及離開真空腔室。
如第4B圖中所示，設備400可包括數個真空幫浦430，舉例為渦輪分子幫浦，用以排氣此些幫浦通道410之至少一些幫浦通道。特別是，第二列之幫浦通道413之此些幫浦通道可從其之至少一側或其之兩側排氣。舉例來說，第一真空幫浦401連接於第一幫浦開孔，及第二真空幫浦402連接於第二幫浦開孔，第一幫浦開孔提供於真空腔室之頂部牆中，第二幫浦開孔提供於真空腔室之底部牆中，其中第二幫浦通道144可從第一幫浦開孔延伸至第二幫浦開孔。因此，第二幫浦通道144可從其之任一側或兩側抽氣。
於一些實施例中，真空幫浦可僅連接於配置而相鄰於現用沈積區域之幫浦通道(亦於此意指為「現用(active)」幫浦通道)。如此處所使用之現用沈積區域可理解成容納沈積源之沈積區域，沈積源係裝配以用於沈積基板。沒有真空幫浦可連接於配置而相鄰於不作用沈積區域之幫浦通道(亦於此意指為「不作用(inactive)」幫浦通道)。如此處所使用之不作用沈積區域可理解為一沈積區域，此沈積區域係裝配以容納沈積源，但實際上沒有沈積源係配置於此沈積區域，或此沈積區域係容納不使用之沈積源。
於第4B圖中所示之實施例中，第一列之幫浦通道412及第三列之幫浦通道414之此些幫浦通道係不作用幫浦通道。因此，沒有真空幫浦可連接於此些幫浦通道。舉例來說，提供於真空腔室之第一側壁112中及第二側壁114中且屬於「不作用」幫浦通道之第一幫浦開孔及第二幫浦開孔可在設備之操作期間關閉，舉例為經由蓋關閉，蓋例如是管口蓋板。靈活之沈積模組可提供。
第5A圖繪示根據此處所述實施例之設備500之剖面圖。第5B圖繪示第5A圖之設備500之透視圖。
設備500本質上對應於如第4A圖及第4B圖中所示之設備400，及對應之特徵係不於此重複。
真空腔室110之基本結構及此些幫浦通道410之基本結構對應於第4A圖及第4B圖之設備。然而，在第5A圖之設備500中，第一列之幫浦通道412及第三列之幫浦通道414分別包括現用幫浦通道，現用幫浦通道係配置而相鄰於現用沈積區域。第二列之幫浦通道413包括不作用幫浦通道，不作用幫浦通道係配置而相鄰於不作用沈積區域。數個真空幫浦430可連接於現用幫浦通道，特別是連接於現用幫浦通道之兩側。沒有真空幫浦可連接於不作用幫浦通道。與不作用幫浦通道相關之不作用幫浦開孔501可關閉，舉例為經由蓋關閉，蓋例如是管口蓋板。
數個沈積源502可分別配置於現用沈積區域中，舉例為在第一列之幫浦通道412及/或第三列之幫浦通道414之現用幫浦通道之間。
第一基板傳送路徑T1可在從沈積源相距第一距離D1處延伸，沈積源係裝配以用於塗佈基板，基板係沿著第一基板傳送路徑T1導引。第二基板傳送路徑T2可亦在從沈積源相距第一距離D1處延伸，沈積源係裝配以用於塗佈基板，基板係沿著第二基板傳送路徑T2導引。均勻之塗佈結果可達成。
在第5A圖中所示之實施例中，此些沈積源502之數個沈積源可分別位於靠近真空腔室110之側向側壁之位置，舉例為相距第三距離D3之位置，第三距離D3係為300 mm或更少，特別是200 mm或更少。因此，沈積源之維護及/或沈積源之替換可有幫助。舉例來說，如第5B圖中所繪示，此些沈積源502可配置於真空腔室110之側壁門之後方。側壁門可拆卸而用於沈積源之維護。
第5C圖繪示第5A圖之設備500之調整示意圖。在第5C圖中之實施例中，設備500包括內部分隔牆520，內部分隔牆520配置於第一基板傳送路徑T1及第二基板傳送路徑T2之間。真空腔室110之第一塗佈區域及第二塗佈區域之間的氣體分離可改善。舉例來說，沿著第一基板傳送路徑T1傳送之基板可塗佈有第一材料，且沿著第二基板傳送路徑T2傳送之基板可塗佈有第二材料，第二材料不同於第一材料。真空腔室之主空間中的個別之處理氣體之混合可減少且沈積品質可改善。
於一些實施例中，內部分隔牆520可分別延伸於第二列之幫浦通道413之此些幫浦通道之間。於一些實施例中，內部分隔牆520可舉例為利用水冷卻系統來進行冷卻。
第6圖繪示根據此處所述實施例之設備600之透視圖。設備600本質上對應於第4A圖及第4B圖中所示之設備400，及對應之特徵係不於此重複。特別是，真空腔室110之基本結構及此些幫浦通道410之基本結構係對應於第4A圖及第4B圖之設備。
於設備600中，現用沈積區域可選擇地或額外地藉由側邊幫浦625抽氣，側邊幫浦625可連接於真空腔室110之一或多個側向側壁。如具有通常知識者將理解，真空幫浦可亦連接於此些幫浦通道410之至少一些幫浦通道，舉例為連接於現用幫浦通道，也就是第一列之幫浦通道412及第三列之幫浦通道414之此些幫浦通道。
於一些實施例中，側邊幫浦625可連接於側壁門620。側壁門620可提供而用於沈積源之簡易進出。沈積源可容納於側壁門之後方。於一些實施例中，側邊幫浦可裝配成低溫幫浦(cryo-pumps)。
第7圖繪示根據此處所揭露之實施例之設備700之剖面圖。設備之真空腔室110之基本結構及此些幫浦通道410之基本結構可對應於第4A圖及第4B圖之設備，且此些細節係不於此重複。
在第7圖中所示之實施例中，相鄰列之幫浦通道之此些幫浦通道係舉例為第二列之幫浦通道413及第三列之幫浦通道414之數個現用幫浦通道。至少一列之幫浦通道之此些幫浦通道可舉例為第一列之幫浦通道412之不作用幫浦通道。不作用幫浦通道係配置而相鄰於不作用沈積區域730。沒有沈積源可配置於不作用沈積區域730。不同之配置係同樣可行的。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，路徑切換模組720可提供而用於從第一基板傳送路徑T1傳送基板至第二基板傳送路徑T2，或反之亦然。路徑切換模組720可配置於路徑切換腔室710中，路徑切換腔室710可連接於真空腔室110。於其他實施例中，路徑切換模組720可配置於真空腔室110之主空間中，舉例為真空腔室110之路徑切換區域中。內部及外部之路徑切換模組係可行的。
將塗佈之基板可在藉由配置於現用沈積區域中之至少一沈積源塗佈時沿著第二基板傳送路徑T2傳送，可在路徑切換方向X中朝向第一基板傳送路徑T1傳送，及可在藉由配置於現用沈積區域中之至少一其他沈積源塗佈時接著沿著第一基板傳送路徑T1傳送。反相傳送基板可類似地為可行的。
第一基板傳送路徑T1可本質上平行於第二基板傳送路徑T2。於一些實施例中，基板可在相反之方向中沿著第一基板傳送路徑T1及沿著第二基板傳送路徑T2傳送。於一些實施例中，路徑切換方向X係垂直於第一基板傳送路徑T1及/或第二基板傳送路徑T2延伸，舉例為在第7圖之前-後方向中。基板傳送路徑可在第7圖中之左-右方向中延伸。
路徑切換模組720可在路徑切換操作期間維持基板之定向。舉例來說，基板可從第二基板傳送路徑T2線性地移動或切換至第一基板傳送路徑T1(或反之亦然)，而沒有基板之旋轉運動的情況。因此，基板之相同主表面可在沿著第一基板傳送路徑T1及沿著第二基板傳送路徑T2傳送期間進行塗佈。於其他實施例中，路徑切換模組720可在路徑切換操作期間轉向基板之定向。舉例來說，基板可在路徑切換操作期間旋轉。因此，基板之第一主表面可在沿著第一基板傳送路徑傳送期間進行塗佈，及基板之相反的第二主表面可在沿著第二基板傳送路徑傳送期間進行塗佈。一側塗佈設備及/或兩側塗佈設備可提供。
具有通常知識者將理解，第7圖中所示之不作用沈積區域730亦可容納沈積源，沈積源係裝配以塗佈基板。基板沿著第一基板傳送路徑T1導引。因此，藉由啟用其他沈積區域，兩側塗佈設備可亦提供。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，至少一沈積源可裝配以用於化學氣相沈積。舉例來說，至少一沈積源可包括至少一氣體噴管及一天線。氣體噴管可裝配以用於注入處理氣體至真空腔室之主空間中。於一些實施例中，沈積源可本質上平行於至少一幫浦通道延伸，此至少一幫浦通道係配置而相鄰於沈積源。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，沈積源之至少一部份可固定於第一幫浦通道142。舉例來說，氣體入口、氣體噴管及/或遮蔽板材之至少一者可固定於第一幫浦通道142。於一些實施例中，幫浦通道可裝配成部份之沈積源之支承件或支撐件，舉例為遮蔽板材及/或氣體入口之支承件或支撐件。
第8A圖繪示根據此處所述實施例之設備800之剖面圖。第8B圖繪示第8A圖之設備之透視圖。
設備800包括真空腔室110，真空腔室110具有第一側壁112及第二側壁114，第一側壁112舉例為頂部牆，第二側壁114舉例為底部牆。第二側壁114相反於第一側壁112。再者，設備800包括數個沈積區域420，裝配以分別容納沈積源。
設備800包括數個幫浦通道410。此些幫浦通道410延伸通過真空腔室，而分別相鄰於此些沈積區域420之至少一者，且裝配以分別從其之第一側及/或其之第二側排氣。幫浦通道410之細節係在別處說明且不於此處重複。
第8A圖及第8B圖之實施例中，第一幫浦通道142係配置於第一沈積源120之第一側上，且第二幫浦通道144係配置於第一沈積源120之相反於第一側之第二側上。第一幫浦通道可從提供於第一側壁112中之第一幫浦開孔113抽氣，且第二幫浦通道144可從提供於第一側壁112中之第二通道-第一幫浦開孔116抽氣。
各幫浦通道可提供而在至少一通道牆中具有一或多個側向開孔，此一或多個側向開孔可朝向其中一個沈積區域。於一些實施例中，側向開孔可提供於至少一幫浦通道之相反之通道牆中，此至少一幫浦通道係配置於相鄰之沈積區域之間。舉例來說，第8A圖之第一幫浦通道142係配置於兩個相鄰之沈積區域之間。
於一些實施例中，數個列之幫浦通道可提供，舉例為第一列之幫浦通道412、第二列之幫浦通道413、及/或第三列之幫浦通道414。各列之幫浦通道可包括三或多個幫浦通道，特別是五個幫浦通道，可選擇地配置於對應之距離處。
第一基板傳送路徑T1可延伸於第一列之幫浦通道412及第二列之幫浦通道413之間，且第二基板傳送路徑T2可延伸於第二列之幫浦通道413及第三列之幫浦通道414之間。再者，於一些實施例中，可提供第一返回路徑及第二返回路徑。已經沿著第一基板傳送路徑T1傳送及塗佈之基板可沿著第一返回路徑導引回到第一腔室入口，且已經沿著第二基板傳送路徑T2傳送及塗佈之基板可沿著第二返回路徑導引回到第二腔室入口。
於一些實施例中，此些幫浦通道之至少一次組合或此些幫浦通道之各幫浦通道可提供而具有相同之剖面形狀、長度、形式、寬度及/或開孔圖案。特別是，幫浦通道可於一些實施例中為一致之形狀。
設備可提供成模組化的真空沈積設備。其中，此些沈積區域之可調整的第一組合及此些幫浦通道之可調整的第一次組合可分別裝配成現用沈積區域及現用幫浦通道，及剩餘之沈積區域及剩餘之幫浦通道可分別裝配成不作用沈積區域及不作用幫浦通道。沒有真空幫浦可連接於不作用幫浦通道，且沒有沈積源可容納於不作用沈積區域中。第8A圖及第8B圖繪示為不用作狀態之設備，也就是沒有沈積源及真空幫浦。不作用幫浦通道可在其之兩端利用蓋關閉，舉例為利用管口蓋板。
第8C圖繪示第8A圖之設備之調整剖面圖。第8D圖繪示第8C圖之設備之透視圖。
在第8C圖及第8D圖之實施例中，此些沈積區域420之至少一些沈積區域係裝配成現用沈積區域，舉例為第一沈積區域121，且此些幫浦通道410之至少一些者係裝配成現用幫浦通道，舉例為第一幫浦通道142及第二幫浦通道144。
舉例來說，第一沈積源120舉例為濺射沈積源，第一沈積源120可配置於第一沈積區域121中。第一沈積源可包括至少一可旋轉濺射靶材，此至少一可旋轉濺射靶材可於第一方向中延伸，第一方向舉例為平行於第一及第二幫浦通道。也就是說，可旋轉濺射靶材之旋轉軸可平行於幫浦通道。可旋轉濺射靶材之旋轉可藉由驅動單元403驅動，驅動單元403可不配置於真空腔室之內側。可旋轉濺射靶材可裝配而用於沈積第一材料於基板上
於一實施例中，設置於其中一個現用沈積區域中之至少一沈積源可裝配成濺射沈積源，具有平面濺射靶材810。平面濺射靶材810可裝配而用於沈積第二材料於基板上。第二材料可不同於第一磁料。包括二、三、或多個不同材料之層堆疊可沈積於基板上，此基板係沿著第ㄧ基板傳送路徑T1導引。
於一些實施例中，至少一(不作用)沈積區域可容納路徑切換模組720，路徑切換模組720裝配以傳送基板於第一基板傳送路徑T1及第二基板傳送路徑T2之間。路徑切換模組720可裝配，以在路徑切換方向X中移動基板。路徑切換方向X可垂直於基板傳送路徑。因此，裝配以傳送基板於二或多個基板傳送路徑之間的路徑切換模組可配置於真空腔室中，舉例為在至少一(不作用)沈積區域中。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，可提供至少二路徑切換模組。第一路徑切換模組可提供於真空腔室內側之第一傳送隔室中，舉例為在不作用沈積區域中，及第二路徑切換模組可提供於真空腔室內側之第二傳送隔室中，舉例為在其他不作用沈積區域中。舉例為在第一路徑切換模組從第一基板傳送路徑T1傳送基板至第二基板傳送路徑T2，且第二路徑切換模組從第二基板傳送路徑T2傳送基板至第一基板傳送路徑T1時，基板可在真空腔室中沿著周圍路徑傳送。舉例來說，在第8A圖之實施例中之兩個外部的沈積區域(右及左沈積區域)可提供而具有路徑切換模組，及在第8A圖之實施例中之兩個內部的沈積區域可裝配成現用沈積區域，現用沈積區域分別容納沈積源。
如具有通常知識者將理解，其他沈積源可提供在此些沈積區域之任一者中，其他沈積源舉例為CVD沈積源或PVD沈積源之至少一者或多者。
從現用沈積區域改變成不作用沈積區域可以快速及簡易之方式為可行的。於一些實施例中，舉例為從可旋轉陰極至平面陰極或從PVD沈積源至CVD沈積源之沈積源之替換可為可行的。於一些實施例中，從容納沈積源之現用沈積區域改變至容納路徑切換模組之傳送區域可為可行的。因此，設備800可合適地適用於將塗佈之基板之形式。
繪示於第8A圖中之設備800包括總共十二個沈積區域。沈積區域之任意次組合可容納沈積源。舉例來說，可提供三個、六個、九個或十二個沈積源。再者，設備800包括十五個幫浦通道。一或多個真空幫浦可連接於幫浦通道之任意次組合，特別是連接於配置而相鄰於現用沈積區域之幫浦通道。此些真空幫浦可提供。
設備800之真空腔室110可為非常緊密。舉例來說，各列之幫浦通道可包括五個幫浦通道，具有四個沈積區域分別設置在其之間。在第一基板傳送路徑T1之方向中的真空腔室之外部尺寸可為6 m或更少，特別是5 m或更少，更特別是從4 m至4.5 m。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，至少二幫浦通道係配置於基板傳送路徑之相反側上。至少二幫浦通道係選擇地或額外地配置而在基板傳送路徑之相同側上彼此相鄰。
第9圖繪示包括第一幫浦通道142之幫浦配置900之透視圖。幫浦配置900可為此處所述之任何設備之一部份。如果根據此處所述之數個實施例的設備包括二或多個幫浦通道，各幫浦通道可裝配而類似於或相同於第9圖中所示之第一幫浦通道142。
第一幫浦通道142可於長度方向中延伸，長度方向可為垂直方向或水平方向。於一些實施例中，第一幫浦通道可裝配成本質上矩形管，具有圍繞第一幫浦通道142之內部空間之通道牆。於第10A至10D圖中所示之實施例中，第一幫浦通道係裝配成具有方形剖面之管。替代之剖面形狀係為可行的，舉例為弧形(round)或圓形(circular)之剖面形狀。
第一幫浦通道142在長度方向中之長度可為1 m或更多，特別是2 m或更多。第一幫浦通道之寬度尺寸或直徑可選擇地或額外地為20 cm或更多及50 cm或更少，特別是約30 cm。舉例來說，第一幫浦通道可具有方形之剖面形狀，具有從20 cm到50 cm之側邊長度，特別是具有約30 cm之側邊長度。第一幫浦通道之截面積可選擇地或額外地為400 cm³或更多及2000 cm³或更少，特別是約900 cm³。第一幫浦通道可選擇地或額外地從第一幫浦通道之第一端至第一幫浦通道之第二端具有固定之剖面形狀。
第一幫浦通道可從第一端連續地及/或線性地延伸至第二端。第一端可為可連接於真空腔室之第一側壁，及第二端可為可連接於真空腔室之第二側壁。於其他實施例中，第一幫浦通道可不連續地延伸及/或沿著彎曲路徑延伸。
第一真空幫浦401可連接於第一幫浦通道之第一端，用以從第一側排氣第一幫浦通道，及/或第二真空幫浦402可連接於第一幫浦通道之第二端，用以從第二、相對側排氣第一幫浦通道。
於一些實施例中，第三真空幫浦901及/或第四真空幫浦902可在第一幫浦通道之長度方向中連接於第一幫浦通道之中央部份。第三真空幫浦901及/或第四真空幫浦902可選擇地為渦輪幫浦。舉例來說，第一幫浦通道可具有至少一幫浦開孔903，用以連接真空幫浦於第一幫浦通道之側向通道牆之一者，舉例為連接真空幫浦於側向通道牆之一者的中央部份。於一些實施例中，連接於幫浦通道之側向通道牆之至少一真空幫浦可裝設於大氣箱中。圍住真空幫浦之大氣箱可配置於真空腔室之主空間之內側。用以導引真空幫浦之纜線的管可設置於第一幫浦通道之內側。
一或多個側向開孔145可提供於第一幫浦通道之至少一通道牆中。此一或多個側向開孔145可形成開孔圖案，開孔圖案可在第一幫浦通道之長度方向中延伸，舉例為延伸超過多於50%，特別是多於70%，更特別是多於90%之第一幫浦通道之長度。
於可與此處所述其他實施例結合的一些實施例中，開孔圖案之開孔尺寸及/或開孔圖案之相鄰側向開孔之間的距離可在第一幫浦通道之長度方向中變化，以在整個第一幫浦通道142之長度方向上取得從真空腔室之主空間至第一幫浦通道142中之本質上均勻之氣流。
第10A圖至第10D圖繪示開孔圖案之例子，開孔圖案可提供於第一幫浦通道(或任何其他幫浦通道)之至少一通道牆中。開孔圖案可在第一幫浦通道142之中央區段中提供每長度單位較大之開孔面積，第一幫浦通道之中央區段也就是在遠離連接於幫浦通道之第一端及/或第二端之真空幫浦的第一幫浦通道之一區段。舉例來說，相較於第一幫浦通道之中央的三分之一部份，第一幫浦通道之上及下的三分之一部份的每單位長度之開孔面積可較小。
舉例來說，繪示於第10A圖、第10B圖、及第10D圖中之開孔圖案在幫浦通道之長度方向中延伸，且分別裝配成單一個狹縫開孔。狹縫開孔之寬度在幫浦通道之長度方向中可變化。舉例來說，狹縫寬度可從幫浦通道之中心區段逐漸地朝向幫浦通道之第一端及/或第二端減少。在真空腔室之中心區域中之泵送均勻性可改善。繪示於第10A圖中之第一開孔圖案910可本質上具有長菱形之形狀，長菱形之形狀具有本質上直線邊緣。繪示於第10B圖中之第二開孔圖案911可本質上具有橢圓形之形狀，具有長的主軸及短的次軸。繪示於第10D圖中之第四開孔圖案913可具有一形狀，此形狀在第一幫浦通道之長度方向中具有非線性增加及減少之狹縫寬度。
舉例來說，繪示於第10C圖中之第三開孔圖案912係在幫浦通道之長度方向中延伸，且裝配成數個開孔。此些開孔可選擇地為弧形或圓形。此些開孔之開孔直徑可在幫浦通道之長度方向中變化。舉例來說，從幫浦通道之中心區段朝向幫浦通道之第一端及/或朝向第二端之開孔之開孔直徑可減少。泵送均勻性可從真空腔室之中心區域至真空腔室之上及下區域改善。或者，相鄰開孔之間的距離可在幫浦通道之長度方向中變化。
於一些實施例中，此一或多個側向開孔係提供於通道牆中，通道牆係為幫浦通道之組成部份。也就是說，此一或多個側向開孔145可直接機械加工於通道牆中。於一些實施例中，此一或多個側向開孔係提供於插入件中，插入件可加入幫浦通道及/或從幫浦通道移除。於此情況中，至少一幫浦通道之開孔圖案可適當地以不同開孔圖案進行交換及/或取代。舉例來說，第一開孔圖案可適用於第一形式之沈積源，及第二、不同之開孔圖案可適用於第二形式之沈積源，第二形式之沈積源可利用不同氣體負載及/或氣體分配進行操作。
舉例來說，至少一幫浦通道可包括主通道主體。主通道主體具有管狀，具有縱向狹縫。縱向狹縫係裝配以固定插入件。插入件具有此些側向開孔。設備之靈活性可改善。
第11圖繪示根據此處所述一些實施例之沈積層於基板上之方法的流程圖。
於方塊1010中，具有第一側壁112及第二側壁114之真空腔室110係提供，第一側壁112具有第一幫浦開孔113，第二側壁114具有第二幫浦開孔115。第一幫浦通道142係配置而相鄰於真空腔室中之第一沈積區域121。第一幫浦通道可從第一幫浦開孔113延伸至第二幫浦開孔115及包括一或多個側向開孔145，此一或多個側向開孔145位在通道牆中。第一幫浦通道142可包括此處所述之幫浦通道之一些特徵或全部特徵。再者，幫浦通道可提供於一些實施例中。
於方塊1020中，基板係沿著第一基板傳送路徑T1經過真空腔室110通過配置於第一沈積區域121中之第一沈積源120。
於方塊1030中，一或多層係沈積於基板之表面，真空腔室110係同時藉由舉例為渦輪分子真空幫浦從第一幫浦開孔113及/或第二幫浦開孔115抽氣來進行排氣。
於一些實施例中，二、三、四或多個幫浦通道可提供，且真空腔室之主空間可藉由真空幫浦從此二、三、四或多個幫浦通道之至少一些者之一側或兩側抽氣來進行排氣。
於一些實施例中，至少一層可藉由物理氣相沈積來沈積於基板上。物理氣相沈積舉例為濺射，特別是來自可旋轉靶材及/或從平面靶材之濺射。
於一些實施例中，至少一層可藉由化學氣相沈積來沈積於基板上。
於一些實施例中，包括二、三、四或多層之層堆疊係沈積於基板之第一主表面上。於一些實施例中，基板之兩個主表面可進行塗佈而舉例為具有包括二、三或多層之層堆疊。
於一些實施例中，基板係實質上從第一基板傳送路徑T1側向地傳送至第二基板傳送路徑T2。第二基板傳送路徑T2 可相對於第一基板傳送路徑T1本質上平行地延伸。接著，基板可沿著第二基板傳送路徑T2傳送，或反之亦然。
於一些實施例中，當基板係沿著第二基板傳送路徑傳送時，舉例利用可為雙向沈積源之第一沈積源，或利用其他沈積源，其他層可沈積於基板上。
根據此處所述之其他方面，沈積層於基板上之方法係進行說明。此方法包括提供具有第一幫浦開孔之真空腔室110。第一幫浦通道係配置而相鄰於真空腔室中之第一沈積區域。第一幫浦通道可從第一幫浦開孔延伸至真空腔室中及可包括一或多個側向開孔，此一或多個側向開孔位於通道牆中。此一或多個側向開孔可形成開孔圖案，開孔圖案可沿著第一幫浦通道之長度方向延伸。根據此方法，基板係沿著第一基板傳送路徑經由真空腔室110傳送通過第一沈積源，第一沈積源配置於第一沈積區域中。第一沈積源可至少部份地平行於第一幫浦通道之長度方向延伸。當真空腔室110係藉由真空幫浦從第一幫浦開孔排氣時，一或多層係沈積於基板之表面上。
處理氣流可從真空腔室之主空間經由開孔圖案延伸至第一幫浦通道之內部體積中，第一幫浦通道之內部體積可藉由第一真空幫浦及/或第二真空幫浦直接抽氣。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600、700、800‧‧‧設備
105‧‧‧前側壁
106‧‧‧後側壁
107‧‧‧左側壁
108‧‧‧右側壁
110‧‧‧真空腔室
112‧‧‧第一側壁
113‧‧‧第一幫浦開孔
114‧‧‧第二側壁
115‧‧‧第二幫浦開孔
116‧‧‧第二通道-第一幫浦開孔
117‧‧‧第二通道-第二幫浦開孔
120‧‧‧第一沈積源
121‧‧‧第一沈積區域
122‧‧‧第二沈積區域
123‧‧‧雙向沈積源
124‧‧‧第二沈積源
142‧‧‧第一幫浦通道
143‧‧‧通道牆
144‧‧‧第二幫浦通道
145‧‧‧側向開孔
146‧‧‧第三幫浦通道
148‧‧‧第四幫浦通道
401‧‧‧第一真空幫浦
402‧‧‧第二真空幫浦
403‧‧‧驅動單元
404‧‧‧第一傳送裝置
405‧‧‧第二傳送裝置
410‧‧‧幫浦通道
412‧‧‧第一列之幫浦通道
413‧‧‧第二列之幫浦通道
414‧‧‧第三列之幫浦通道
415‧‧‧其他沈積源
420‧‧‧沈積區域
421‧‧‧第一可旋轉濺射靶材
422‧‧‧第二可旋轉濺射靶材
425‧‧‧狹縫通道
430‧‧‧真空幫浦
501‧‧‧不作用幫浦開孔
502‧‧‧沈積源
520‧‧‧內部分隔牆
620‧‧‧側壁門
625‧‧‧側邊幫浦
710‧‧‧路徑切換腔室
720‧‧‧路徑切換模組
730‧‧‧不作用沈積區域
810‧‧‧平面濺射靶材
900‧‧‧幫浦配置
901‧‧‧第三真空幫浦
902‧‧‧第四真空幫浦
903‧‧‧幫浦開孔
910‧‧‧第一開孔圖案
911‧‧‧第二開孔圖案
912‧‧‧第三開孔圖案
913‧‧‧第四開孔圖案
1010、1020、1030‧‧‧流程步驟
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
D3‧‧‧第三距離
H‧‧‧第二方向
P1‧‧‧第一氣流路徑
P2‧‧‧第二氣流路徑
T1‧‧‧第一基板傳送路徑
T2‧‧‧第二基板傳送路徑
V‧‧‧第一方向
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例，且說明於下文中。典型之實施例係繪示於圖式中且於下方之說明中詳細說明。 第1A圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第1B圖繪示第1A圖之設備之透視圖； 第2圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第3圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第4A圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第4B圖繪示第4A圖之設備之透視圖； 第5A圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第5B圖繪示第5A圖之設備之透視圖； 第5C圖繪示第5A圖之設備之調整之示意圖； 第6圖繪示根據此處所述實施例之設備之透視圖； 第7圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第8A圖繪示根據此處所述實施例之設備之剖面圖； 第8B圖繪示第8A圖之設備之透視圖； 第8C圖繪示第8A圖之設備之調整之剖面圖； 第8D圖繪示第8C圖之設備之透視圖； 第9圖繪示根據此處所述實施例之可使用於設備中之幫浦通道之示意圖； 第10A-D圖繪示根據此處所述實施例之可使用於沈積模組中之幫浦通道之不同開孔圖案之示意圖；以及 第11圖繪示根據此處所述實施例之方法之流程圖。

Claims (20)

  1. 一種設備(100)，用以真空沈積於一基板上，該設備包括： 一真空腔室(110)，包括一第一側壁(112)及一第二側壁(114)，該第一側壁具有一第一幫浦開孔(113)，該第二側壁具有一第二幫浦開孔(115)； 一第一沈積區域(121)，裝配以用於容納一第一沈積源(120)，該第一沈積源用以沈積一層於該基板上； 一第一基板傳送路徑(T1)，該基板係沿著該第一基板傳送路徑傳送，該第一基板傳送路徑係於該真空腔室(110)中延伸通過該第一沈積區域；以及 一第一幫浦通道(142)，配置而相鄰於該第一沈積區域(121)，且從該第一幫浦開孔(113)連續地或不連續地延伸至該第二幫浦開孔(115)，其中該第一幫浦通道(142)包括一或多個側向開孔(145)，該一或多個側向開孔係定義從該真空腔室之一主空間至該第一幫浦通道中之一第一氣流路徑(P1)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該第一幫浦開孔(113)係提供於該真空腔室之一頂部牆中，該第二幫浦開孔(115)係提供於該真空腔室之一底部牆中，及該第一幫浦通道(142)係在一頂部-底部方向中延伸通過該真空腔室(110)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包括一第二幫浦通道(144)，於相對於該第一幫浦通道之一相反側上配置而相鄰於該第一沈積區域(121)，其中該第二幫浦通道(144)係從該第一側壁(112)中之一第二通道-第一幫浦開孔(116)延伸通過該真空腔室(110)至該第二側壁(114)中之一第二通道-第二幫浦開孔(117)，且包括一或多個側向開孔(145)，該一或多個側向開孔係定義從該真空腔室之該主空間至該第二幫浦通道中之一第二氣流路徑(P2)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該第一幫浦通道(142)及/或該第二幫浦通道(144)之該一或多個側向開孔(145)係分別朝向該第一沈積區域(121)。
  5. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該一或多個側向開孔係形成一開孔圖案，該開孔圖案於該第一幫浦通道(142)之一長度方向中延伸，其中該開孔圖案之一開孔尺寸及/或該開孔圖案之該一或多個側向開孔(145)之相鄰者之間的一距離係在該第一幫浦通道之該長度方向中變化。
  6. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一幫浦通道係提供而作為該真空腔室(110)之一內部支撐牆，從該第一側壁(112)延伸至該第二側壁(114)。
  7. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中一第一真空幫浦係連接於該第一幫浦開孔(113)且裝配以從一第一側排氣該第ㄧ幫浦通道(142)，及/或一第二真空幫浦係連接於該第二幫浦開孔(115)及裝配以從一第二側排氣該第一幫浦通道(142)。
  8. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一沈積源(120)係配置於該第一沈積區域(121)中且本質上平行於該第一幫浦通道(142)延伸，且與該第一幫浦通道(142)一致。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該第一沈積源包括一第一可旋轉濺射靶材(421)及一第二可旋轉濺射靶材(422)，於一側向方向中配置而相鄰於彼此，其中該第一幫浦通道(142)係配置而相鄰於該第一可旋轉濺射靶材(421)且一第二幫浦通道(144)係配置而相鄰於該第二可旋轉濺射靶材(422)。
  10. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一沈積源(120)係裝配以用於化學氣相沈積及/或包括一氣體噴管及一天線之至少一者，配置於該第一沈積區域(121)中及本質上平行於該第一幫浦通道(142)延伸且與該第一幫浦通道(142)一致。
  11. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一基板傳送路徑(T1)係位於該第一沈積區域(121)之一前側上，及該基板係沿著一第二基板傳送路徑(T2)傳送，該第二基板傳送路徑係在該真空腔室(110)中之該第一沈積區域之一後側上延伸通過該第一沈積區域(121)，該後側相反於該前側。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該第一沈積源(120)係為一雙向沈積源(123)，裝配以朝向該第一基板傳送路徑(T1)及朝向該第二基板傳送路徑(T2)沈積材料。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之設備，更包括一第傳送裝置及/或一第二傳送裝置，該第一傳送裝置裝配以用於沿著該第一基板傳送路徑(T1)傳送該基板，該第二傳送裝置裝配以用於沿著該第二基板傳送路徑(T2)傳送該基板。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之設備，更包括一路徑切換模組(720)，用以從該第一基板傳送路徑(T1)傳送該基板至該第二基板傳送路徑(T2)，或反之亦然。
  15. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一沈積區域(121)係位於該第一基板傳送路徑(T1)之一前側上，及其中裝配以容納一第二沈積源(124)之一第二沈積區域(122)係位於該第一基板傳送路徑(T1)之一後側上，該後側相反於該前側。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之設備，更包括下述之至少一者或兩者： 一第三幫浦通道(146)，配置於該第二沈積區域(122)之一第一側向側上，且從提供於該真空腔室之該第一側壁(112)中之一第三通道-第一開孔延伸通過該真空腔室至提供於該真空腔室之該第二側壁(114)中之一第三通道-第二開孔；以及 一第四幫浦通道(148)，配置於該第二沈積區域(122)之相反於該第一側向側之一第二側向側上，且從提供於該真空腔室之該第一側壁(112)中之一第四通道-第一開孔延伸通過該真空腔室至該真空腔室之該第二側壁(114)中之一第四通道-第二開孔。
  17. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中一氣體入口、一氣體噴管及一遮蔽板材之至少一者係固定於該第一幫浦通道(142)。
  18. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該真空腔室(110)具有一長方體之一般形狀，及包括複數個幫浦通道(142, 144, 146, 148)，從該第一側壁分別相對於彼此平行延伸至該第二側壁，其中該些幫浦通道係根據下述之一或多者配置： 該些幫浦通道之至少一者係沿著該真空腔室之一內部角落延伸； 該些幫浦通道之二者係沿著該真空腔室之二相鄰之內部角落延伸； 該些幫浦通道之四者係沿著該真空腔室之四個內部角落延伸； 該些幫浦通道之至少一者在該真空腔室之一中心區域中延伸，且提供該真空腔室之一中心支撐件； 該些幫浦通道之一、二、三、四或多者係沿著該真空腔室之一側向側壁從該頂部牆延伸至該底部牆，該側向側壁係連接該頂部牆及該底部牆。
  19. 一種沈積模組，用以真空沈積於一基板上，該沈積模組包括： 一真空腔室(110)，具有一第一側壁(112)，該第一側壁具有一第一幫浦開孔(113)； 至少一沈積源，配置於該真空腔室(110)中之一第一沈積區域(121)中，且於一第一方向(V)中延伸； 一第一基板傳送路徑(T1)，該基板係沿著該第一基板傳送路徑傳送，該第一基板傳送路徑於該真空腔室(110)中延伸通過該至少一沈積源；以及 一第一幫浦通道(142)，配置而相鄰於該至少一沈積源及在該第一方向(V)中從該第一幫浦開孔(113)本質上平行於該至少一沈積源延伸，其中該第一幫浦通道(142)包括一或多個側向開孔(145)，該一或多個側向開孔係形成一開孔圖案，該開孔圖案於該第一方向(V)中延伸且定義從該真空腔室之一主空間至該第一幫浦通道(142)中之一第一氣流路徑(P1)。
  20. 一種沈積一層於一基板上之方法，包括： 提供一真空腔室(110)，具有一第一側壁(112)、一第二側壁(114)及一第一幫浦通道(142)，該第一側壁具有一第一幫浦開孔(113)，該第二側壁具有一第二幫浦開孔(115)，該第一幫浦通道係配置而相鄰於一第一沈積區域，該第一幫浦通道係從該第一幫浦開孔(113)連續地或不連續地延伸至該第二幫浦開孔(115)，且包括一或多個側向開孔； 沿著一第一基板傳送路徑(T1)經過該真空腔室(110)傳送該基板通過一第一沈積源，該第一沈積源配置於該第一沈積區域(121)中；以及 當藉由從該第一幫浦開孔及/或從該第二幫浦開孔抽氣來排氣該真空腔室時，沈積一層於該基板之一表面上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01188674A (ja) * 1988-01-20 1989-07-27 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄膜形成装置
JPH1027761A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Sony Corp 化学反応装置
JP2010153467A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5812606B2 (ja) * 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20130340681A1 (en) * 2012-06-21 2013-12-26 Tel Solar Ag Reduced pressure processing chamber and exhaust arrangement

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