TW201827871A - 半導體結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體結構包含一第一表面與一第一側壁；一波導，包含沿著該第一表面配置的一第一部分，以及沿著該第一側壁且耦合該第一部分的一第二部分；以及一反射件，位於該波導上方，其中該反射件包含一反射表面，位於該第一部分與該第二部分之間且經配置以將光自該第一部分導引至該第二部分，反之亦然。

Description

半導體結構及其製造方法

本揭露係關於一種半導體結構，特別關於在該半導體結構中的一反射件(reflective member)。再者，本揭露係關於一種具有反射件之半導體結構的製造方法。

半導體元件對於許多現代應用而言是重要的。隨著電子技術的進展，半導體元件的尺寸越來越小，而功能越來越大且整合的電路量越來越多。由於半導體元件的尺度微小化，具有不同功能的各種形式與尺寸之半導體元經整合且封裝於單一模組中。再者，實施許多製造步驟以整合各種形式的半導體元件。 然而，半導體元件的製造與整合涉及多複雜的步驟與操作。整合具有低輪廓(profile)與高密度的半導體元件變得越來越複雜。製造與整合半導體元件的複雜度增加可能造成缺陷，例如電互連不良、訊號干擾、組件脫層、不理想的傳送速度或是高產量損失。據此，持續需要改良半導體元件的結構與製造製程。 上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。

本揭露的實施例提供一種半導體結構，包括一基板，包含一第一表面與一第一側壁；一波導，包含沿著該第一表面配置的一第一部分，以及沿著該第一側壁配置且耦合該第一部分的一第二部分；以及一反射件，位於該波導上方，其中該反射件包含一反射表面，位於該第一部分與該第二部分之間且經配置以將光自該第一部分導引至該第二部分，反之亦然。 在本揭露的一些實施例中， 該波導位於該基板與該反射件之間，以及光可沿著該波導且於該波導內傳送。 在本揭露的一些實施例中，該基板的該第一表面與該基板的該第一側壁實質正交，或該波導的該第一部分與該波導的該第二部分實質正交。 在本揭露的一些實施例中，該基板包含一插塞，延伸穿過該基板，以及該波導的該第二部分位於該插塞內。 在本揭露的一些實施例中，該反射件包含一突出部，突出至該第一部分朝向該第二部分，以及該突出部包含位於其上的該反射表面。 在本揭露的一些實施例中，該突出部位於該插塞上方並且向該插塞突出。 在本揭露的一些實施例中，該突出部位於該波導的該第一部分與該第二部分之間。 在本揭露的一些實施例中，該波導包含一凹部，以及該突出部位於該凹部內。 在本揭露的一些實施例中，該波導為透明的或是可透光的。 在本揭露的一些實施例中，該波導包含玻璃、二氧化矽、或空氣。 在本揭露的一些實施例中，該反射件包含反射或金屬材料。 本揭露的實施例提供一種半導體結構的製造方法，包括提供一基板，包含一第一表面以及與該第一表面對立的一第二表面；形成一第一凹部，自該第一表面向該第二表面延伸；形成一波導，位於該第一表面上方且位於該第一凹部內；形成一第二凹部於該波導上方並且向該第一凹部延伸；形成一反射件，位於該波導上方且位於該第二凹部內；以及自該第二表面研磨該基板，以暴露位於該第一凹部內的該波導的一部分。 在本揭露的一些實施例中，該第二凹部位於該第一凹部上方。 在本揭露的一些實施例中，在研磨該基板之後，形成延伸穿過該基板的一插塞。 在本揭露的一些實施例中，該反射件包含位於該第二凹部內的一突出部，以及該突出部包含一反射表面，與該第二凹部的一側壁交界。 在本揭露的一些實施例中，該第二凹部向該第一凹部變窄(tapered)。 在本揭露的一些實施例中，形成該反射件包含配置一反射或金屬材料於該波導上方且於該第二凹部內。 在本揭露的一些實施例中，藉由濺鍍或電鍍，配置該反射或金屬材料。 在本揭露的一些實施例中，形成該波導包含配置一透明的或可透光的材料於該基板上方且於該第一凹部內。 在本揭露的一些實施例中，藉由旋塗或化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)，配置該透明的或可透光的材料。 本揭露係關於一種半導體結構，包括一反射件，用於自該基板的一側導引光或一電磁訊號至該基板的另一側。因此，可經由該基板傳送該光或該電磁訊號，並且可增加該光或該電磁訊號自該基板的一側至該基板的另一側之傳送速度。因此，改良該半導體結構的整體效能。 上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。

本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。 「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。 本揭露係關於一種半導體結構，包括一反射件，用於自基板的一側導引光或電磁訊號至該基板的另一側。因此，本揭露係關於一種半導體結構的製造方法，包括形成具有一反射表面或一突出部分的一反射件，用於自該基板的一側導引光或電磁訊號至該基板的另一側。為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。 藉由一些操作，製造包含各種半導體元件的電子裝置。在該製造過程中，將具有不同功能與尺寸的半導體元件整合於單一模組中。該等半導體元件的電路經由多個傳導跡線整合與連接。經由該等傳導跡線，藉由自一元件傳送一電子訊號至另一元件，該等半導體元件彼此通訊。然而，該等半導體元件之間的此等傳送可能無法滿足半導體元件之間高需求。例如，該等半導體元件之間藉由傳導跡線的傳送速度可能無法滿足此高需求。因此，電子裝置的效能可能不是理想的程度。 本揭露提供一種半導體結構。該半導體結構包括一基板、包含一第一部分與一第二部分的一波導，以及位於該波導上方的一反射件。該反射件包含位於該第一部分與該第二部分之間的反射表面，因而光或電磁訊號可自該波導的該第一部分被導引與傳送至該波導的該第二部分，反之亦然。光或電磁訊號可自該基板的一側通過該基板而至該基板的另一側。因此，可增加光或電磁訊號自該基板的一側至另一側的傳送速度。因此，改良半導體結構的整體效能。 圖1為剖面示意圖，例示本揭露實施例的半導體結構100。在一些實施例中，半導體結構100包含基板101、波導102與反射件103。 在一些實施例中，半導體結構100為晶粒、晶片、半導體封裝或半導體元件的一部分。在一些實施例中，半導體結構100為晶粒、晶片、半導體晶片或半導體元件。 在一些實施例中，基板101為半導體基板。在一些實施例中，基板101為晶圓。在一些實施例中，基板101包含半導體材料，例如矽、鍺、鎵、砷、或其組合。在一些實施例中，基板101為矽基板。在一些實施例中，基板101包含材料例如陶瓷、玻璃、或類似物。在一些實施例中，基板101包含有機材料。在一些實施例中，基板101為玻璃基板。在一些實施例中，基板101為封裝基板。在一些實施例中，基板101為四邊形、矩形、正方形、多邊形、或任何其他合適的形狀。 在一些實施例中，基板101經製造具有預定功能電路於其上。在一些實施例中，基板101包含一些傳導跡線與一些電子組件，例如電晶體、二極體等，位於基板101內。 在一些實施例中，基板101包含第一表面101a與第二表面101b，第一表面101a與第二表面101b對立。在一些實施例中，第一表面101a為正面或是主動面，電路或電子組件位於其上。在一些實施例中，元件位於基板101的第一表面101a上方。在一些實施例中，第二表面101b為背面或是非主動面。 在一些實施例中，基板101包含第一側壁101c。在一些實施例中，第一側壁101c位於或延伸於第一表面101a與第二表面101b之間。在一些實施例中，第一側壁101c與第一表面101a或第二表面101b實質正交。在一些實施例中，第一表面101a與第一側壁101c之間的角度為β。在一些實施例中，β角約為10∘與180∘之間。在一些實施例中，β角約為15∘與170∘之間。在一些實施例中，β角約為35∘與150∘之間。在一些實施例中，β角約為45∘與100∘之間。 在一些實施例中，波導102位於基板101上方。在一些實施例中，波導102環繞基板101的至少一部分。在一些實施例中，波導102位於基板101的第一表面101a與第一側壁101c上方。在一些實施例中，波導102經配置使得電磁輻射穿過，例如光、光學訊號、電磁訊號或光訊號， 因而該電磁輻射經由波導102或沿著波導102傳送。在一些實施例中，光可沿著波導自A傳送至B或自B傳送至A。 在一些實施例中，波導102為透明的、可透光的、或是半透明。在一些實施例中，波導102包含透明的或可透光的材料。在一些實施例中，波導102包含玻璃、二氧化矽、空氣、或任何其他合適的材料。 在一些實施例中，波導102包含第一部分102a與第二部分102b。在一些實施例中，波導102的第一部分102a位於基板101的第一表面101a上方或是沿著基板101的第一表面101a配置。在一些實施例中，波導102的第二部分102b位於基板101的第一側壁101c上方或是沿著基板101的第一側壁101c配置。在一些實施例中，第二部分102b耦合第一部分102a。在一些實施例中，第一部分102a與第二部分102b實質正交。在一些實施例中，第一部分102a水平延伸，以及第二部分102b垂直延伸。在一些實施例中，第一部分102a與第二部分102b之間的角度為β。在一些實施例中，β角約為10∘與180∘之間。在一些實施例中，β角約為15∘與170∘之間。在一些實施例中，β角約為35∘與150∘之間。在一些實施例中，β角約為45∘與100∘之間。 在一些實施例中，反射件103位於波導102上方或是沿著波導102配置。在一些實施例中，反射件103位於波導102的第一部分102a與第二部分102b上方或是沿著波導102的第一部分102a與第二部分102b配置。在一些實施例中，波導102位於基板101與反射件103之間。在一些實施例中，反射件103環繞波導102的至少一部分。在一些實施例中，反射件103包含反射或金屬材料，例如銅、銀、金、或任何其他合適的材料。在一些實施例中，當光入射於反射件103時，光被反射件103反射。在一些實施例中，光不會穿過基板101與反射件103。 在一些實施例中，反射件103包含反射表面103a，用於沿著波導102導引光。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自波導102的第一部分102a導引至第二部分102b，或是自波導102的第二部分102b導引至第一部分102a。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自A導引至B或自B導引至A。在一些實施例中，反射表面103a位於波導102的第一部分102a與第二部分102b之間。 在一些實施例中，反射表面103a為相對於波導102之第一部分102a或第二部分102b的傾斜表面。在一些實施例中，相對於第一部分102a或第二部分102b，反射表面103a傾斜角為α。在一些實施例中，α角約為15∘與55∘之間。在一些實施例中，α角約為20∘與45∘之間。在一些實施例中，反射表面103a為平面、凹面、或是凸面。 在一些實施例中，光入射於反射表面103a上，並且被反射表面103a反射。在一些實施例中，相對於垂直於反射表面103a的E軸，光入射於反射表面103a上的角為θ，並且被反射表面103a以θ角反射，因而光可沿著波導102自第一部分102a傳送至第二部分102b(反之亦然)或是自A傳送至B(反之亦然)。在一些實施例中，光可自基板101的一側傳送至基板101的另一側(或對側)。 圖2為剖面示意圖，例示本揭露實施例的半導體結構200。在一些實施例中，半導體結構200包含基板101、波導102與反射件103。 在一些實施例中，基板101的架構類似於上述或圖1所示之架構。在一些實施例中，基板101包含延伸穿過基板101的插塞101d。在一些實施例中，插塞101d延伸於基板101的第一表面101a與第二表面101b之間。 在一些實施例中，波導102的架構類似於上述或圖1所示之架構。在一些實施例中，波導102包含第一部分102a位於基板101的第一部分101a上方，以及第二部分102b位於插塞101d內。在一些實施例中，基板101環繞波導102的第二部分102b。 在一些實施例中，波導102包含凹部102c，位於插塞101d上方。在一些實施例中，凹部102c凹至波導102的第一部分102a中。在一些實施例中，凹部102c朝向插塞101d或波導102的第二部分102b凹。在一些實施例中，凹部102c朝向插塞101d或波導102的第二部分102b變窄(tapered)。 在一些實施例中，波導102經配置使得電磁輻射穿過，例如光、光學訊號、電磁訊號、或光訊號，因而該電磁訊號穿過或是沿著波導102傳送。在一些實施例中，光可沿著波導102自A傳送至B、自B傳送至A、自C傳送至D或自D傳送至C。 在一些實施例中，反射件103的架構類似於上述或圖1所示之架構。在一些實施例中，反射件103包含突出部分103b，突出至波導102中。在一些實施例中，突出部103b突出至波導102的第一部分102a中，朝向波導102的第二部分102b。在一些實施例中，突出部分103b位於凹部102c內。在一些實施例中，突出部103b位於基板101的插塞101d上方並且向插塞101d突出。在一些實施例中，突出部103b位於波導102的第一部分102a與第二部分102b之間。在一些實施例中，突出部103b向插塞101d或波導102的第二部分102b變窄(tapered)。在一些實施例中，突出部103b可為任何合適的形狀，例如稜柱形、半球形、球形、或圓頂(dome)形。 在一些實施例中，反射件103的突出部103b經配置以將光自A導引至B、自B導引至A、自C導引至D、或自D導引至C。在一些實施例中，突出部103b經配置以將光自第一部分102a導引至第二部分102b，或自第二部分102b導引至第一部分102a。 在一些實施例中，突出部103b包含位於其上的反射表面103a。在一些實施例中，反射表面103a的架構類似於上述或是圖1所示之架構。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自A反射至B、自B反射至A、自C反射至D、或自D反射至C。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自A反射至B、自B反射至A、自C反射至D、或自D反射至C。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自第一部分102a反射至第二部分102b、或自第二部分102b反射至第一部分102a。 圖3與圖4為剖面示意圖，分別例示本揭露實施例的半導體結構300與半導體結構400。在一些實施例中，半導體結構300與半導體結構400的架構類似於上述或圖1或圖2所示之半導體結構100或半導體結構200。 在一些實施例中，反射件103的突出部103b可為任何合適的形狀。在如圖2所示之一些實施例中，突出部103b的剖面為三角形。在如圖3所示的一些實施例中，突出部的剖面為四邊形、不規則四邊形、或梯形。在如圖4所示的一些實施例中，突出部103b的剖面為半圓形。 在一些實施例中，突出部103b的頂部剖面(自半導體結構100、200、300或400的頂部)可為任何合適的形狀。在一些實施例中，突出部103b的頂部剖面為矩形、四邊形、圓形、三角形、或多邊形。在一些實施例中，突出部103b的上部(相鄰於半導體結構100、200、300或400的頂部)之頂部剖面面積實質大於突出部103b的下部(相鄰於半導體結構100、200、300或400的底部)之頂部剖面面積。 在本揭露中，亦揭露一種半導體結構的製造方法。在一些實施例中，可藉由圖5所示之方法500形成半導體結構。方法500包含一些操作，並且描述與說明不被視為操作順序的限制。方法500包含一些步驟(501、502、503、504、505與506)。 在步驟501中，提供基板101，如圖6所示。在一些實施例中，基板101為半導體基板。在一些實施例中，基板101為晶圓。在一些實施例中，基板101包含半導體材料，例如矽、鍺、鎵、砷、或其組合。在一些實施例中，基板101為矽基板。在一些實施例中，基板101的架構類似於上述或圖1至4中任一者所示之架構。 在一些實施例中，基板101包含第一表面101a與第二表面101b，第一表面101a與第二表面101b對立。在一些實施例中，第一表面101a為主動面。在一些實施例中，元件位於基板101的第一表面101a上方。在一些實施例中，第二表面101b為非主動面。 在步驟502中，形成基板101的第一凹部101e，如圖7所示。在一些實施例中，第一凹部101e自基板101的第一表面101a向第二表面101b延伸。在一些實施例中，藉由自第一表面101a向基板101的第二表面101b移除基板101的一部分，形成第一凹部101e。在一些實施例中，藉由任何合適的製程，例如光微影與蝕刻、鑽孔、濕式或乾式蝕刻等，移除該基板101的該部分。 在步驟503中，形成波導102，如圖8所示。在一些實施例中，波導102位於基板101的第一表面101a上方且位於第一凹部101e內。在一些實施例中，藉由配置透明或可透光的材料於基板101上方且於第一凹部101e內，形成波導102。在一些實施例中，該透明的或可透光的材料填充該第一凹部101e。 在一些實施例中，藉由任何合適的製程，例如旋塗、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)等，配置該透明的或可透光的材料。在一些實施例中，該透明的或可透光的材料為玻璃、二氧化矽、或任何其他合適的材料。在一些實施例中，波導102包含第一部分102a，位於基板101的第一表面101a上方，以及第二部分102b，位於第一凹部101e內。在一些實施例中，波導102的架構類似於上述或圖1至4中任何一者所示之波導102的架構。 在步驟504中，形成波導102的第二凹部102c，如圖9所示。在一些實施例中，第二凹部102c延伸向第一凹部101e或波導102的第二部分102b。在一些實施例中，第二凹部102c向第一凹部101e或波導102的第二部分102b變窄。在一些實施例中，藉由自第一部分102a向第二部分102b，移除波導102的一部分，形成第二凹部102c。在一些實施例中，藉由任何合適的製程，例如光微影與蝕刻、鑽孔、濕式或乾式蝕刻等，移除波導102的該部分。在一些實施例中，第二凹部102c的架構類似於上述或圖1至4中任一者所示之凹部102c的架構。 在步驟505中，形成反射件103，如圖10所示。在一些實施例中，反射件103位於波導102上方且位於波導102的第二凹部102c內。在一些實施例中，藉由配置反射或金屬材料於波導102上方與第二凹部102c內，形成反射件103。在一些實施例中，反射或金屬材料填充第二凹部102c。在一些實施例中，藉由任何合適的製程，例如濺鍍、電鍍等，配置反射或金屬材料。在一些實施例中，該反射或金屬材料為銅、銀、金、或任何其他合適的材料。 在一些實施例中，反射件103包含突出部103b，位於第二凹部102c內。在一些實施例中，突出部103b突出至波導102中。在一些實施例中，突出部103b突出至波導102的第一部分102a中，朝向波導102的第二部分102b。在一些實施例中，突出部103b位於基板101的第一凹部101e上方並且向基板101的第一凹部101e突出。在一些實施例中，突出部103b位於波導102的第一部分102a與第二部分102b之間。在一些實施例中，突出部103b向基板101的第一凹部101e或波導102的第二部分102b變窄(tapered)。 在一些實施例中，反射件103的突出部103b包含反射表面103a，與波導102的第二凹部102c之側壁交界。在一些實施例中，反射表面103a位於波導102的第一部分102a與第二部分102b之間。在一些實施例中，反射表面103a經配置以將光自波導102的第一部分102a導引至第二部分102b，或自波導的第二部分102b導引至第一部分102a。在一些實施例中，相對於波導102的第一部分102a或第二部分102b，反射表面103a為傾斜表面。在一些實施例中，反射件103的架構類似於上述或圖1至4中任一者所示之反射件103的架構。 在步驟506中，自第二表面101b研磨基板101，以成為新的第二表面101b’，如圖11所示。在一些實施例中，薄化基板101。在一些實施例中，藉由自基板101的第二表面101b移除基板101的一些部分，減少基板101的厚度。在一些實施例中，在研磨基板101之後，基板101的第二表面101b成為基板101之新的第二表面101b。在一些實施例中，藉由任何合適的製程，例如研磨、蝕刻等，薄化基板101。 在一些實施例中，自基板101的第二表面101b研磨基板101，以暴露位於基板101的第一凹部101e內之波導102的第二部分102b之一部分。在一些實施例中，在研磨基板101之後，形成延伸穿過基板101的插塞101d。在一些實施例中，波導102的第二部分102b位於插塞101d內。在一些實施例中，形成半導體結構200，其中半導體結構200的架構類似於上述或圖2至4任一者所示之半導體結構(200、300、400)的架構。 本揭露提供一種半導體結構。該半導體結構包括一基板、一波導、以及位於該波導上方的一反射件。該反射件包含一反射表面，用於經由該基板且沿著該波導導引光或一電磁訊號。該光或該電磁訊號可自該基板的一側穿過該基板至該基板的另一側。因此，可增進該光或該電磁訊號自該基板的一側至該基板的另一側之傳送速度。 一種半導體結構包含一基板、一波導、以及一反射件。該基板包含一第一表面與一第一側壁。該波導包含沿著該第一表面配置的一第一部分，以及沿著該第一側壁且與該第一部分耦合的一第二部分。該反射件位於該波導上方。該反射件包含一反射表面，位於該波導的該第一部分與該第二部分之間，並且經配置以自該波導的該第一部分導引光至該波導的該第二部分，或反之亦然。 一種半導體結構的製造方法包含提供一基板，其包含一第一表面以及與該第一表面對立的一第二表面，形成一第一凹部，自該第一表面向該第二表面延伸，形成一波導，位於該第一表面上方且位於該第一凹部內，形成一第二凹部於該波導上方並且向該第一凹部延伸，形成一反射件，位於該波導上方並且位於該第二凹部內，以及自該第二表面研磨該基板，以暴露位於該第一凹部內的該波導的一部分。 雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。 再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。

100‧‧‧半導體結構

101‧‧‧基板

101a‧‧‧第一表面

101b‧‧‧第二表面

101b’‧‧‧新的第二表面

101c‧‧‧第一側壁

101d‧‧‧插塞

102‧‧‧波導

102a‧‧‧第一部分

102b‧‧‧第二部分

103‧‧‧反射件

103a‧‧‧反射表面

103b‧‧‧突出部

200‧‧‧半導體結構

300‧‧‧半導體結構

E‧‧‧軸

α‧‧‧角

β‧‧‧角

θ‧‧‧角

參閱詳細說明與申請專利範圍結合考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1為剖面示意圖，例示本揭露實施例的半導體結構。 圖2為剖面示意圖，例示本揭露實施例的半導體結構。 圖3與圖4為剖面示意圖，例示本揭露實施例的半導體結構，反射件之具有各種形狀的突出部分。 圖5為流程圖，例示本揭露實施例的半導體結構之製造方法。 圖6至圖11為示意圖，例示本揭露實施例藉由圖5之方法製造半導體結構的製程。

Claims (20)

1. 一種半導體結構，包括： 一基板，包含一第一表面與一第一側壁； 一波導，包含沿著該第一表面配置的一第一部分，以及沿著該第一側壁配置且耦合該第一部分的一第二部分；以及 一反射件，位於該波導上方； 其中該反射件包含一反射表面，位於該第一部分與該第二部分之間，並且經配置以將光自該第一部分導引至該第二部分，反之亦然。
2. 如請求項1所述之半導體結構，其中該波導位於該基板與該反射件之間，以及光可沿著該波導且於該波導內傳送。
3. 如請求項1所述之半導體結構，其中該基板的該第一表面與該基板的該第一側壁實質正交，或是該波導的該第一部分與該波導的該第二部分實質正交。
4. 如請求項1所述之半導體結構，其中該基板包含延伸穿過該基板的一插塞，以及該波導的該第二部分位於該插塞內。
5. 如請求項1所述之半導體結構，其中該反射件包含一突出部，朝向該第二部分突出至該第一部分中，以及該突出部包含位於其上的該反射表面。
6. 如請求項5所述之半導體結構，其中該突出部位於該插塞上方且向該插塞突出。
7. 如請求項5所述之半導體結構，其中該突出部位於該波導的該第一部分與該第二部分之間。
8. 如請求項5所述之半導體結構，其中該波導包含一凹部，以及該突出部位於該凹部內。
9. 如請求項1所述之半導體結構，其中該波導為透明的或是可透光的。
10. 如請求項1所述之半導體結構，其中該波導包含玻璃、二氧化矽、或空氣。
11. 如請求項1所述之半導體結構，其中該反射件包含反射或金屬材料。
12. 一種半導體結構的製造方法，包括： 提供一基板，包含一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面對立； 形成一第一凹部，自該第一表面向該第二表面延伸； 形成一波導，位於該第一表面上方且位於該第一凹部內； 形成一第二凹部，位於該波導上方且向該第一凹部延伸； 形成一反射件，位於該波導上方且位於該第二凹部內；以及 自該第二表面研磨該基板，以暴露位於該第一凹部內的該波導的一部分。
13. 如請求項12所述之製造方法，其中該第二凹部位於該第一凹部上方。
14. 如請求項12所述之製造方法，其中在研磨該基板之後，形成延伸穿過該基板的一插塞。
15. 如請求項12所述之製造方法，其中該反射件包含位於該第二凹部內的一突出部，該突出部包含一反射表面，該反射表面與該第二凹部的一側壁交界。
16. 如請求項12所述之製造方法，其中該第二凹部向該第一凹部變窄(tapered)。
17. 如請求項12所述之製造方法，其中形成該反射件包含配置一反射或金屬材料於該波導上方且於該第二凹部內。
18. 如請求項17所述之製造方法，其中藉由濺鍍或電鍍，配置該反射或金屬材料。
19. 如請求項12所述之製造方法，其中形成該波導包含配置一透明或可透光的材料於該基板上方且於該第一凹部內。
20. 如請求項19所述之製造方法，其中藉由旋塗或化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)，配置該透明或可透光的材料。