TW201827212A - 薄膜材料及圖型形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於提供使用於化學增幅負型抗蝕材料時，亦可使形成優良開口部形狀之圖型的薄膜材料，及使用該薄膜材料的圖型形成方法。 　　本發明為一種薄膜材料，其為具備波長300～450nm的光透過率為60%以上之支持薄膜，與該單面上含有分子量10,000以下的鹼性化合物0.001～10質量%之膜厚1～100μm的樹脂層者。

Description

薄膜材料及圖型形成方法
[0001] 本發明係關於薄膜材料及圖型形成方法，詳細而言為有關含有鹼性化合物的薄膜材料及使用其之負型抗蝕圖型形成方法。
[0002] 隨著個人電腦、數位照相機、手機等種種電子機器的小型化或高性能化，對於半導體元件亦更小型化、薄型化及高密度化的要求正急速提高。因此，對於可對應生產性提高中之基板面積的增大，且對於如晶片尺寸封裝或者晶片規模封裝(CSP)或三次元層合的高密度實裝技術，如於基板上持有微細且縱橫比高的凹凸而對應結構體之感光性絕緣材料的開發受到期待。 　　[0003] 且對於稱為晶片尺寸封裝或者晶片規模封裝(CSP)或三次元層合的高密度實裝技術，於基板上形成微細且縱橫比高的圖型，藉由對所得的圖型層合銅等金屬，由晶片施予再配線的技術正盛行。隨著晶片的高密度化、高集成度，對於欲接續再配線技術中之圖型線寬或基板間的接觸孔尺寸之微細化的要求極為強列。作為得到微細圖型的方法光刻技術為一般，其中亦以化學增幅負型抗蝕材料適合於得到微細圖型。又，使用於再配線的圖型不僅具有永久性裝置晶片、存在晶片間、硬化的特徵，亦因必須作為可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、信賴性及藥品耐性優良的電氣･電子零件保護用皮膜而作用，故得到圖型之抗蝕材料適合為負型。 　　[0004] 因此，可加工的微細再配線之圖型形成材料，其為於可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、信賴性及藥品耐性優良的電氣･電子零件保護用皮膜之形成上，可適用的化學增幅負型抗蝕材料。 　　[0005] 另一方面，對於近年來所使用的負型抗蝕材料，欲加工微細再配線，開口部形狀受到控制之材料開發正被期待著。因隨著膜厚變厚，圖型形成時的曝光量會變大，在曝光表層的光酸產生劑之酸產生效率與曝光底部相比，相對性地變大，於圖型表層部的開口部形狀容易變成T頂端形狀。若存在T頂端形狀時，對於藉由其後的再配線處理步驟的被膜形成時之缺陷或種種環境負荷試驗，成為圖型之裂紋產生等不良狀況之原因。作為成為T頂端形狀之原因，使用化學增幅負型抗蝕材料時，藉由曝光產生的酸之交聯可形成圖型可舉出。因此，於圖型形成時，若適量鹼性成分存在於表層時，可解決該問題，而即使於組成物中共存鹼化合物，亦無法偏在於表層，故難以解決問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0006] 　　[專利文獻1]特開2011-094115號公報
[發明所解決的問題] 　　[0007] 本發明為有鑑於前述情事者，即使使用化學增幅負型抗蝕材料的情況下，亦可提供可形成開口部形狀優良的圖型形成之薄膜材料，及使用該薄膜材料的圖型形成方法為目的。 [解決課題的手段] 　　[0008] 本發明者們者欲達成前述目的而重複詳細檢討之結果，發現藉由形成於圖型形成面含有鹼性化合物分的薄膜，可於圖型形成時的表層上有效率地添加鹼成分，可大幅度改善開口部之形狀，而完成本發明。 　　[0009] 因此，本發明提供下述薄膜材料及圖型形成方法。 　　1.一種薄膜材料，其為具備波長300～450nm的光透過率為60%以上之支持薄膜，與該單面上含有分子量10,000以下的鹼性化合物0.001～10質量%之膜厚1～100μm的樹脂層者。 　　2.於前述樹脂層所含的樹脂為選自環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚醯亞胺樹脂的樹脂之1.的薄膜材料。 　　3.於前述樹脂層所含的樹脂為，重量平均分子量3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的樹脂之2.的薄膜材料。 　　4.含有貼合如1.～3.中任一的薄膜材料之樹脂層，與於晶圓上所形成的化學增幅負型抗蝕層之步驟、 　　曝光前述抗蝕層之步驟、 　　加熱處理經曝光的抗蝕層之步驟，及 　　顯像處理經加熱處理的抗蝕層之步驟。 　　5.於前述曝光步驟中所使的曝光之光為波長190～500nm之光的4.之圖型形成方法。 　　6.前述化學增幅負型抗蝕層為含有重量平均分子量為3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的樹脂者之4.或5.的圖型形成方法。 　　7.前述化學增幅負型抗蝕層為含有(A)～(C)者， 　　(A)下述式(1)所示的重量平均分子量為3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的高分子化合物、[式中，R1 ～R4 各獨立為碳數1～8的1價烴基。m為1～100的整數。a、b、c及d為滿足0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0＜a+b≦1及a+b+c+d=1的數。X為下述式(2)所示2價有機基。Y為下述式(3)所示的2價有機基。(式中，Z1 及Z2 各獨立為單鍵或選自的2價有機基。又，R5 ～R8 各獨立為碳數1～4的烷基或烷氧基。k及h各獨立為0、1或2)]。 　　(B)含有3個以上的羥基之多價酚化合物、 　　(C)藉由波長190～500nm之光進行分解，產生酸之光酸產生劑、 　　(D)選自藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合體、於1分子中含有平均2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物及將多價酚的羥基取代為環氧丙氧基之化合物的1種或2種以上之交聯劑的如4.或5.之圖型形成方法。 　　8.前述化學增幅負型抗蝕層為使用含有(A)～(G)的組成物所形成者； 　　(A)下述式(1)所示的重量平均分子量為3,000～500,000的含有矽氧烷骨架的高分子化合物、[式中，R1 ～R4 各獨立為碳數1～8的1價烴基。m為1～100的整數。a、b、c及d為滿足0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0＜a+b≦1及a+b+c+d=1的數。X為下述式(2)所示2價有機基。Y為下述式(3)所示的2價有機基。(式中，Z1 及Z2 各獨立為單鍵或選自的2價有機基。又，R5 ～R8 各獨立為碳數1～4的烷基或烷氧基。k及h各獨立為0、1或2)]。 　　(B)含有3個以上的羥基之多價酚化合物、 　　(C)藉由波長190～500nm之光進行分解，產生酸之光酸產生劑、 　　(D)選自藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合體、於1分子中含有平均2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物及將多價酚的羥基取代為環氧丙氧基之化合物的1種或2種以上之交聯劑、 　　(G)溶劑的4.或5.之圖型形成方法。 [發明之效果] 　　[0010] 藉由使用本發明之薄膜材料，可將化學增幅負型抗蝕材料的開口部之圖型形狀由T頂端至矩形形狀做大幅度改善。即，依據本發明可提供一種化學增幅負型抗蝕材料的開口部之圖型形狀優良的圖型形成方法，可於寬廣的波長區域中形成微細圖型，且隨著晶片之高密度化、高集成度可使再配線技術中之圖型微細化。
[實施發明的形態] 　　[0011] [薄膜材料] 　　本發明之薄膜材料為具備波長300～450nm的光透過率為60%以上之支持薄膜，與該單面上含有分子量10,000以下的鹼性化合物0.001～10質量%的膜厚1～100μm之樹脂層者。 　　[0012] 作為分子量10,000以下的鹼性化合物，可舉出第1級、第2級或第3級脂肪族胺類、混成胺類、芳香族胺類、雜環胺類、具有羧基的含氮化合物、具有磺醯基的含氮化合物、具有羥基的含氮化合物、具有羥基苯基的含氮化合物、醇性含氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物等。前述鹼性化合物的分子量下限以15為佳，較佳為100。又，該上限以2,000為佳，較佳為1,500。 　　[0013] 作為第1級脂肪族胺類，可舉出氨、甲基胺、乙基胺、n-丙基胺、異丙基胺、n-丁基胺、異丁基胺、sec-丁基胺、tert-丁基胺、戊基胺、tert-戊基胺、環戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、十二烷基胺、十六烷胺、伸甲基二胺、乙二胺、四伸乙基五胺等。 　　[0014] 作為第2級脂肪族胺類，可舉出二甲基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、二異丙基胺、二-n-丁基胺、二異丁基胺、二-sec-丁基胺、二戊基胺、二環戊基胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基胺、二辛基胺、二壬基胺、雙癸基胺、雙十二烷基胺、雙十六胺、N,N-二甲基伸甲基二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基四伸乙基五胺等。 　　[0015] 作為第3級脂肪族胺類，可舉出三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三異丙基胺、三-n-丁基胺、三異丁基胺、三-sec-丁基胺、三戊基胺、三乙醇胺、tert-丁基二乙醇胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺、三庚基胺、三辛基胺、三壬基胺、十三烷基胺、參十二烷基胺、參十六胺、N,N,N’,N’-四甲基伸甲基二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基四伸乙基五胺等。 　　[0016] 作為混成胺類，可舉出二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺、苯甲基胺、苯乙基胺、苯甲基二甲基胺等。 　　[0017] 作為芳香族胺類及雜環胺類，可舉出苯胺衍生物(例如苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、N-丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、2-硝基苯胺、3-硝基苯胺、4-硝基苯胺、2,4-二硝基苯胺、2,6-二硝基苯胺、3,5-二硝基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺等)、二苯基(p-甲苯)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、亞苯基二胺、萘胺、二胺基萘、吡咯衍生物(例如吡咯、2H-吡咯、1-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2,5-二甲基吡咯、N-甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如噁唑、異噁唑等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等)、咪唑衍生物(例如咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋咱衍生物、吡咯啉衍生物(例如吡咯啉、2-甲基-1-吡咯啉等)、吡咯烷衍生物(例如吡咯烷、N-甲基吡咯烷、吡咯烷酮、N-甲基吡咯啶酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑烷衍生物、吡啶衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1-丁基戊基)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-tert-丁基吡啶、二苯基吡啶、苯甲基吡啶、甲氧基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1-甲基-2-吡啶、4-吡咯烷吡啶、1-甲基-4-苯基吡啶、2-(1-乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲基胺基吡啶等)、噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑烷衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1H-吲唑衍生物、吲哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3-喹啉甲腈等)、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍生物、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、蝶啶衍生物、咔唑衍生物、菲啶衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1,10-菲咯啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、鳥嘌呤核苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿苷衍生物等。 　　[0018] 作為具有羧基的含氮化合物，可舉出胺基安息香酸、吲哚羧酸、胺基酸衍生物(例如菸鹼酸、丙胺酸、精胺酸、天冬胺酸、谷胺酸、甘胺酸、組胺酸、異亮胺酸、甘胺醯基亮胺酸、亮胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、蘇胺酸、賴胺酸、3-胺基吡嗪-2-羧酸、甲氧基丙胺酸等)等。 　　[0019] 作為具有磺醯基的含氮化合物，可舉出3-吡啶磺酸、p-甲苯磺酸吡啶鎓等。 　　[0020] 作為具有羥基的含氮化合物、具有羥基苯基的含氮化合物及醇性含氮化合物，可舉出2-羥基吡啶、胺基甲酚、2,4-喹啉二醇、3-吲哚甲醇水合物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、三異丙醇胺、2,2’-亞胺二乙醇、2-胺基乙醇、3-胺基-1-丙醇、4-胺基-1-丁醇、4-(2-羥基乙基)嗎啉、2-(2-羥基乙基)吡啶、1-(2-羥基乙基)哌嗪、1-[2-(2-羥基乙氧基)乙基]哌嗪、哌啶乙醇、1-(2-羥基乙基)吡咯烷、1-(2-羥基乙基)-2-吡咯烷酮、3-哌啶-1,2-丙烷二醇、3-吡咯烷-1,2-丙烷二醇、8-羥基尿烷、3-喹寧環醇、3-拖品(tropanol)、1-甲基-2-吡咯烷乙醇、1-氮雜環丙烷乙醇、N-(2-羥基乙基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(2-羥基乙基)異菸鹼醯胺等。 　　[0021] 作為醯胺衍生物，可舉出甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺等。 　　[0022] 作為醯亞胺衍生物，可舉出鄰苯二甲醯亞胺、琥珀醯亞胺、馬來醯亞胺等。 　　[0023] 又，使用下述式(5)所示鹼性化合物亦佳。[0024] 式(5)中，p為1、2或3。R11 為選自下述式(6)～(8)所示取代基中任一取代基。R12 表示氫原子或直鏈狀、支鏈狀或者環狀的碳數1～20之烷基，可含有醚鍵或羥基。又，若存在2個以上R11 的情況時，2個R11 可彼此鍵結而與此等鍵結的氮原子共同形成環。若存在2個以上R11 的情況時，這些可相同或相異。若存在2個以上R12 的情況時，這些可相同或相異。[0025] 式(6)～(8)中，R101 、R103 及R106 各獨立為直鏈狀或支鏈狀的碳數1～4之伸烷基。R102 及R105 各獨立為氫原子，或直鏈狀、支鏈狀或者環狀的碳數1～20之烷基，亦可含有選自羥基、醚鍵、酯鍵及內酯環的至少1個。R104 為單鍵，或直鏈狀或者支鏈狀之碳數1～4的伸烷基。R107 為直鏈狀、支鏈狀或者環狀的碳數1～20之烷基，亦可含有選自羥基、醚鍵、酯鍵及內酯環的至少1個。 　　[0026] 作為式(5)所示化合物，可舉出參[2-(甲氧基甲氧基)乙基]胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基]胺、參[2-(1-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(1-乙氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(1-乙氧基丙氧基)乙基]胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、4,7,13,16,21,24-六氧雜-1,10-二氮雜雙環[8.8.8]二十六烷、4,7,13,18-四氧雜-1,10-二氮雜雙環[8.5.5]ｴ二十烷、1,4,10,13-四氧雜-7,16-二氮雜雙環十八烷、1-氮雜-12-冠-4、1-氮雜-15-冠-5、1-氮雜-18-冠-6、參(2-甲醯氧基乙基)胺、參(2-乙醯氧基乙基)胺、參(2-丙醯基氧基乙基)胺、參(2-丁醯基氧基乙基)胺、參(2-異丁醯基氧基乙基)胺、參(2-香草基氧基乙基)胺、參(2-戊醯氧基乙基)胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(乙醯氧基乙醯氧基)乙基胺、參(2-甲氧基羰基氧基乙基)胺、參(2-tert-丁氧基羰基氧基乙基)胺、參[2-(2-氧代丙氧基)乙基]胺、參[2-(甲氧基羰基甲基)氧基乙基]胺、參[2-(tert-丁氧基羰基甲基氧基)乙基]胺、參[2-(環己基氧羰基甲基氧基)乙基]胺、參(2-甲氧基羰基乙基)胺、參(2-乙氧基羰基乙基)胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(甲氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(甲氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(2-羥基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(2-乙醯氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-[(甲氧基羰基)甲氧基羰基]乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-[(甲氧基羰基)甲氧基羰基]乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(2-氧代丙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(2-氧代丙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(四氫糠基氧羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-(四氫糠基氧羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-[(2-氧代四氫呋喃-3-基)氧羰基]乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)-2-[(2-氧代四氫呋喃-3-基)氧羰基]乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)-2-(4-羥基丁氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲醯氧基乙基)-2-(4-甲醯氧基丁氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲醯氧基乙基)-2-(2-甲醯氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲氧基乙基)-2-(甲氧基羰基)乙基胺、N-(2-羥基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-羥基乙基)雙[2-(乙氧基羰基)乙基]胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙[2-(乙氧基羰基)乙基]胺、N-(3-羥基-1-丙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(3-乙醯氧基-1-丙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-甲氧基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-丁基雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-丁基雙[2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基]胺、N-甲基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-乙基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-甲基雙(2-戊醯氧基乙基)胺、N-乙基雙[2-(甲氧基羰基氧基)乙基]胺、N-乙基雙[2-(tert-丁氧基羰基氧基)乙基]胺、參(甲氧基羰基甲基)胺、參(乙氧基羰基甲基)胺、N-丁基雙(甲氧基羰基甲基)胺、N-己基雙(甲氧基羰基甲基)胺、及β-(二乙基胺基)-δ-戊內酯，但並未限定於此等。 　　[0027] 前述鹼性化合物之含有量由感度的觀點來看，為樹脂層中之0.001～10質量%，以0.003～5質量%為佳。若鹼性化合物的含有量過多時，於下層所形成的化學增幅負型抗蝕層之解像性會變差，引起曝光部表面的圖型劣化。前述鹼性化合物可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0028] 又，作為含於前述含有鹼性化合物之樹脂層的樹脂，若可與前述鹼性化合物相溶者即可，並無特別限定，以環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂等為佳。其中亦以聚矽氧樹脂為佳，特別以使用於後述化學增幅負型抗蝕層的含有式(1)所示矽氧烷骨架的高分子化合物為佳。 　　[0029] 且，前述含有鹼性化合物的樹脂層之膜厚為100μm以下，以1～100μm為佳，較佳為5～50μm，更佳為10～30μm。若超過100μm時，抗蝕層的圖型形成變的困難。 　　[0030] 前述支持薄膜可為由單一層所成者，亦可為由層合複數薄膜的多層所成者，必須為波長300～450nm的光透過率為60%以上者。支持薄膜的光透過率若未達60%時，抗蝕層的感度會顯著惡化，圖型形成變的困難而不佳。 　　[0031] 作為前述支持薄膜的材質，可舉出聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂薄膜等。此等中，以具有透過率、適度可撓性、機械性強度及耐熱性的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯為佳。又，對於此等薄膜，亦可為進行電暈處理或剝離劑塗佈等各種處理者。此等可使用市售品，例如可舉出Serapiru WZ(RX)、Serapiru BX8(R)(以上為Toray薄膜加工(股)製)、E7302、E7304(以上為東洋紡(股)製)、PurexG31、PurexG71T1(以上為帝人DuPont薄膜(股)製)、PET38×1-A3、PET38×1-V8、PET38×1-X08(以上為Nipper(股)製)等。 　　[0032] 本發明之薄膜材料可進一步於前述含有鹼性化合物的樹脂層上具備保護薄膜。前述保護薄膜可使用與前述支持薄膜相同者，以具有適度可撓性的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯及聚乙烯為佳。可使用彼等市售品，作為聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯可舉出所有例示者，作為聚乙烯例如可舉出GF-8(Tamapoly(股)製)、PE薄膜0型(Nipper(股)製)。 　　[0033] 本發明之薄膜材料的膜厚為5～150μm，以10～100μm為佳。 　　[0034] 本發明之薄膜材料，可藉由將含有前述鹼性化合物及樹脂之含有鹼性化合物的樹脂組成物塗布於支持薄膜的單面上，形成皮膜而製造。 　　[0035] 前述含有鹼性化合物的樹脂組成物以含有有機溶劑者為佳。作為有機溶劑，可為公知溶劑者，可舉出環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等醚類；丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙基、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲基、3-乙氧基丙酸乙基、乙酸tert-丁基、丙酸tert-丁基、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等酯類等。這些可單獨使用1種或混合2種以上後使用。有機溶劑的含有量對於鹼性化合物及樹脂之合計100質量份而言，以10～1,000質量份為佳，以30～200質量份為較佳。且使前述含有鹼性化合物的樹脂組成物進行薄膜化時，薄膜中之有機溶劑的含有量對於鹼性化合物及樹脂的合計而言以0～30質量份為佳，以0～15質量份為較佳。 　　[0036] 將支持薄膜以薄膜塗布器的捲出軸捲取，通過薄膜塗布器的塗層頭時，於支持薄膜上塗布前述含有鹼性化合物的樹脂組成物至所定厚度，在所定溫度與所定時間下通過熱風循環烤箱，將在前述支持薄膜上使其乾燥的前述樹脂層，與自薄膜塗布器的另外捲出軸所捲取的保護薄膜，共同在所定壓力下通過層合輥，與支持薄膜上之前述樹脂層進行貼合後，藉由於薄膜塗布器之捲取軸進行捲取，經薄膜化而製造。此時，作為熱風循環烤箱的溫度以25～150℃為佳，作為通過時間以1～100分鐘為佳，作為層合輥的壓力以0.01～5MPa為佳。 　　[0037] 作為前述薄膜塗布器，可使用一般使用於製造黏著劑製品的薄膜塗布器。作為前述薄膜塗布器，例如可舉出缺角輪塗佈機、缺角輪逆向塗佈機、多功能塗佈機、模具塗佈、唇形塗佈機、唇形逆向塗佈機、直接凹印塗佈機、偏移凹印塗佈機、3根底部逆向塗佈機、4根底部逆向塗佈機等。 　　[0038] [圖型形成方法] 　　本發明之圖型形成方法為含有貼合前述薄膜材料之樹脂層、形成於晶圓上的負型抗蝕層之步驟、曝光前述抗蝕層的步驟、加熱處理前述曝光的抗蝕層之步驟，及使前述經加熱處理的抗蝕層進行顯像處理的步驟者。 　　[0039] 作為使用於貼合薄膜材料之裝置，以真空層合體為佳。將前述薄膜材料附著於薄膜貼付裝置，將剝離前述薄膜材料的保護薄膜而暴露的含有鹼性化合物的樹脂層，對於所定的真空度之真空室內，使用所定壓力的貼合輥，在所定溫度的桌子上，密著於形成於基板上的化學增幅負型抗蝕層。且，作為桌子的溫度以60～120℃為佳，作為貼合輥的壓力以0～5.0MPa為佳，作為真空室的真空度以50～500Pa為佳。藉由進行如此真空層合，於前述薄膜材料與化學增幅負型抗蝕層之間不會產生空隙故較佳。 　　[0040] 又，薄膜材料雖合併圖型且合併位置而密著即可，但亦可為覆蓋與基板相同面積或基板全體之構成。 　　[0041] 且，在本發明中，可進一步剝離支持薄膜，亦可直接形成支持薄膜下，作為修正薄膜使用。 　　[0042] 其次，對於在前述化學增幅負型抗蝕層上形成含有鹼性化合物的樹脂層的基板，藉由光罩經光刻進行製圖。在該製圖中，進行曝光、曝光後加熱處理(曝光後烘烤：PEB)並顯像後，視必要進一步經後硬化後形成圖型。即，使用公知光刻技術可進行圖型之形成。 　　[0043] 又，於層合含有鹼性化合物的薄膜材料之前，欲有效率地進行化學增幅負型抗蝕層之光硬化反應，或欲提高經密著的化學增幅負型抗蝕層之平坦性，視必要可進行預備加熱(預烘烤)。預烘烤，例如在40～140℃下可進行1分鐘～1小時程度。 　　[0044] 其次，藉由光罩以波長190～500nm的光進行曝光並使其硬化。光罩，例如可為貫通所望圖型者即可。且，光罩之材質為可遮蔽波長190～500nm的光者為佳，例如可適用鉻等，但並未限定於此等。 　　[0045] 作為波長190～500nm的光，可舉出放射線產生裝置所產生的種種波長之光，例如可舉出g線、i線等紫外線、遠紫外線(248nm、193nm)等。而波長以300～450 nm為佳。曝光量以10～3,000mJ/cm2 為佳。藉由如此曝光，曝光部分經交聯後形成後述在顯像液不溶的圖型。 　　[0046] 欲進一步提高顯像感度，可進行PEB。PEB，例如可在40～140℃進行0.5～10分鐘。 　　[0047] 其後以顯像液進行顯像。作為較佳顯像液，可為一般作為顯像液使用的溶劑，可舉出2-丙醇(IPA)、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)等有機溶劑。然而，若考慮到有機溶劑顯像在顯像後的廢液處理及對環境的負荷等情況時，並非較佳選擇，又由有機溶劑顯像液為高價位來看，可使用在光刻製圖上為便宜且廣泛被使用的四甲基銨氫氧化物(TMAH)水溶液等鹼水溶液。在本發明之圖型形成方法中，作為顯像液使用有機溶劑為佳。在此時欲修正圖型形狀的本發明之薄膜層因未硬化故除去。 　　[0048] 顯像的一般方法，例如可將形成圖型的基板浸漬於顯像液等而進行。此後視必要可進行洗淨、輕洗、乾燥等，得到具有所望圖型的化學增幅負型抗蝕層。 　　[0049] 進行半導體元件的小型化･薄型化･多層化，層間絕緣層會有變薄的傾向，但若考慮到在具有凹凸的基板上之平坦性與段差被覆性，抗蝕層的膜厚由該平坦性及段差被覆性之觀點來看，以10～100μm為佳，以10～70μm為較佳，以10～50μm為更佳。 　　[0050] 且於顯像後進行燒烤時，可硬化藉由化學增幅負型抗蝕層之製圖所得的圖型。將前述藉由製圖所得之圖型使用烤箱或加熱板，在100～250℃為佳，在較佳為150～220℃，更佳為170～190℃下進行燒烤並使其硬化(後硬化)。後硬化溫度若為100～250℃，由可提高化學增幅負型抗蝕層之交聯密度，除去殘存的揮發成分，對基板的密著力、耐熱性或強度，進一步由電氣特性之觀點來看為佳。後硬化時間可設定為10分鐘～10小時。 　　[0051] 作為前述化學增幅負型抗蝕層，以含有重量平均分子量(Mw)為3,000～500,000的含矽氧烷骨架之樹脂者為佳，特佳為含有(A)下述式(1)所示之Mw為3,000～500,000的矽氧烷骨架之高分子化合物，含有以下(A)～(D)者為佳，[式中，R1 ～R4 各獨立為碳數1～8的1價烴基。m為1～100的整數。a、b、c及d為滿足0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0＜a+b≦1及a+b+c+d=1的數。X為下述式(2)所示2價有機基。Y為下述式(3)所示的2價有機基。(式中，Z1 及Z2 各獨立為單鍵或選自的2價有機基。又，R5 ～R8 各獨立為碳數1～4的烷基或烷氧基。k及h各獨立為0、1或2)]。 　　(B)含有3個以上的羥基之多價酚化合物、 　　(C)藉由波長190～500nm之光進行分解，產生酸之光酸產生劑、 　　(D)選自藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合體、於1分子中含有平均2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物，及將多價酚的羥基取代為環氧丙氧基的化合物之1種或2種以上的交聯劑。 　　[0052] 式(1)中，作為前述1價烴基，可舉出甲基、乙基等烷基、苯基等芳基等。又，a、b、c及d較佳為0.05≦a≦0.9、0.05≦b≦0.9、0＜c≦0.7、0＜d≦0.7。 　　[0053] (A)成分的含有矽氧烷骨架的樹脂之Mw以3,000～500,000為較佳，以5,000～200,000為更佳。(A)成分的含有矽氧烷骨架的樹脂可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0054] 作為(B)成分之含有3個以上的羥基之多價酚化合物，可舉出將酚或雙酚A、p-tert-丁基酚、辛基酚、p-枯基酚等烷基酚、p-苯基酚、甲酚等作為原料所調製的甲階酚醛型酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂等。這些可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0055] (B)成分的含有量對於(A)成分100質量份而言，以0.5～50質量份為佳，以1～30質量份為更佳。 　　[0056] 作為(C)成分的酸產生劑，若為藉由波長190～500nm之光照射而分解，而產生酸者即可，並無特別限定。作為如此光酸產生劑，可舉出、鎓鹽、二偶氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、β-酮碸衍生物、二碸衍生物、硝基苯甲基磺酸鹽衍生物、磺酸酯衍生物、醯亞胺-基-磺酸鹽衍生物、肟磺酸鹽衍生物、亞胺磺酸鹽衍生物、三嗪衍生物等。這些可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0057] (C)成分的含有量對於(A)成分100質量份而言，以0.05～20質量份為佳，以0.2～5質量份為較佳。 　　[0058] (D)成分之交聯劑中，作為藉由甲醛或甲醛-醇經改性的胺基縮合物，可舉出藉由甲醛或甲醛-醇經改性的三聚氰胺縮合物，或藉由甲醛或者甲醛-醇經改性的尿素縮合物。作為於1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基的酚化合物，可舉出(2-羥基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇、2,2’,6,6’-四甲氧基甲基雙酚A等。這些可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0059] (D)成分之含有量對於(A)成分100質量份而言，以0～50質量份為佳，於添加時特別以1～30質量份為佳。 　　[0060] 又，前述化學增幅負型抗蝕層中可含有作為(E)成分之硬化促進劑。(E)硬化促進劑為，含有矽氧烷骨架的高分子化合物為具有環氧基時，於硬化該化合物時，具有促進硬化速度的功能之化合物。作為硬化促進劑，可舉出3級胺類或其鹽、咪唑類等。這些可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0061] (E)成分之含有量對於(A)成分100質量份而言，以0～3質量份為佳，以0～1質量份為較佳。 　　[0062] 且，前述化學增幅負型抗蝕層可含有作為(F)成分之鹼性化合物。作為(F)鹼性化合物，以使用於前述薄膜材料的鹼性化合物為佳。這些可單獨使用1種或組合2種以上使用。 　　[0063] (F)成分的含有量對於(A)成分100質量份而言，以0～5質量份為佳，以0.01～3質量份為較佳。 　　[0064] 前述化學增幅負型抗蝕層為，可藉由將含有(A)～(D)成分及視必要含有(E)～(F)成分之乾薄膜貼合於晶圓而形成，亦可為使用含有前述(A)～(D)及視必要含有(E)～(F)成分與(G)溶劑的化學增幅負型抗蝕組成物而形成。 　　[0065] 作為(G)成分的溶劑，若為可溶解(A)～(D)成分者即可並無特別限定。作為如此溶劑，例如可舉出環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等醚類；丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸tert-丁酯、丙酸tert-丁酯、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等酯類等。這些可單獨使用1種或混合2種以上使用。 　　[0066] (G)成分之溶劑的配合量由抗蝕材料之相溶性、黏度及塗佈性的觀點來看，對於前述(A)～(D)成分之合計100質量份而言，以50～2,000質量份為佳，以100～1,000質量份為較佳。 [實施例] 　　[0067] 以下例示出合成例、調製例、實施例及比較例並具體說明本發明，但本發明並未受限於下述例。且對於下述例，重量平均分子量(Mw)係將四氫呋喃作為溶劑使用之藉由GPC的聚苯乙烯換算測定值。又，對於下述合成例所使用的化合物(M-1)～(M-7)之結構式如以下所示。 　　[0068][0069] [合成例1] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器的5L燒瓶中，放入甲苯1,875g，於此加入化合物(M-1)405.0g及化合物(M-4)40.0g，溶解後，再加入化合物(M-6)949.6g及化合物(M-7)6.1g，於60℃加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，確認內部反應溫度升溫至65～67℃後，再進行3小時的熟成，其次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，將化合物(M-5)107.5g經1小時滴入於燒瓶內。此時，燒瓶內溫度上升至78℃。滴入終了後，進一步在90℃進行1.5小時熟成後，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮1,700g，將本反應溶液經加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得的溶液中加入純水760g，經攪拌及靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複6次，除去溶液中之微量酸成分。減壓餾去該溶液中之溶劑，添加環戊酮950g，得到將固體成分濃度60質量%的環戊酮作為主溶劑之高分子化合物(A-1)的溶液。高分子化合物(A-1)的結構如下述式所示，該Mw為31,000。且各重複單位之組成比為藉由原料化合物的物質量而算出。且，下述式中，m為1或40。[0070] [合成例2] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器的5L燒瓶中，放入甲苯2,000g，於此加入化合物(M-1)325.0g及化合物(M-2)150.0g，經溶解後，再加入化合物(M-6) 949.6g及化合物(M-7)6.1g，於60℃加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，確認內部反應溫度升溫至65～67℃後，再進行3小時的熟成，其次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，將化合物(M-5)107.5g經1小時滴入於燒瓶內。此時，將燒瓶內溫度升溫至80℃。滴入終了後，進一步在90℃進行3小時熟成後，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮1,800g，將本反應溶液經加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得的溶液中加入純水760g，經攪拌及靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複6次，除去溶液中之微量酸成分。減壓餾去該溶液中之溶劑，添加環戊酮900g，得到將固體成分濃度60質量%之環戊酮作為主溶劑的高分子化合物(A-2)之溶液。高分子化合物(A-2)的結構如下述式所示，該Mw為55,000。且各重複單位之組成比為藉由原料化合物的物質量而算出。且，下述式中，m為1或40。[0071] [合成例3] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器的5L燒瓶中，放入甲苯1,875g，於此加入化合物(M-2)405.0g及化合物(M-3)80.0g，經溶解後，再加入化合物(M-6) 949.6g及化合物(M-7)6.1g，於60℃加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，確認內部反應溫度升溫至65～67℃後，再經3小時在90℃進行熟成，其次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)2.2g，將化合物(M-5)107.5g經1小時滴入於燒瓶內。此時使燒瓶內溫度升溫至80℃。滴入終了後，進一步在90℃進行8小時熟成後，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮1,700g，將本反應溶液經加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得的溶液中加入純水760g，經攪拌及靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複6次，除去溶液中之微量酸成分。減壓餾去該溶液中之溶劑，添加環戊酮950g，得到將固體成分濃度60質量%之環戊酮作為主溶劑之高分子化合物(A-3)的溶液。高分子化合物(A-3)的結構如下述式所示，該Mw為73,000。且各重複單位之組成比為藉由原料化合物的物質量而算出。且，下述式中，m為1或40。[0072] [調製例1～4]抗蝕組成物之調製 　　依據下述表1所記載的組成，添加高分子化合物、多價酚化合物、光酸產生劑、交聯劑、硬化促進劑及溶劑後，在常溫下攪拌、混合，使其溶解，以鐵氟龍(註冊商標)製0.2μm濾器進行精密過濾後得到抗蝕組成物R1～R4。 　　[0073][0074] 表1中，光酸產生劑PAG-1及PAG-2、交聯劑XL-1以及多價酚化合物PH-1～PH-3如以下所示。 　　[0075][0076][0077][0078] 又，表1所記載的硬化促進劑如以下所示。 　　U-CAT5002(san-apro(股)製之DBU系四苯基硼酸鹽)。 　　[0079] [調製例5～15]樹脂層形成用組成物之調製 　　依據下述表2所記載的組成，添加高分子化合物、鹼性化合物及溶劑後，在常溫下攪拌、混合並使其溶解，以鐵氟龍(註冊商標)製0.2μm濾器進行精密過濾後得到樹脂層形成用組成物B1～B11。 　　[0080][0081] 於表2所記載的鹼性化合物如以下所示。[0082] [實施例1～9、比較例1～2] 　　作為支持薄膜於聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μm)上將樹脂層形成用組成物B1～B11各使用模具塗佈進行塗佈。將這些通過設定為100℃的熱風循環烤箱(長度4m)5分鐘後，於支持薄膜上形成樹脂層。將前述樹脂層與作為保護薄膜的聚乙烯薄膜(厚度50μm)在壓力1MPa進行貼合，製造出具備樹脂層的薄膜材料。將各薄膜層之膜厚如表3所示。且，膜厚為藉由光干涉式厚膜測定機進行測定(以下相同)。支持薄膜的光透過率藉由分光光度計U-3000(日立製作所(股)製)測定15點，算出平均值。 　　[0083] 又，取代樹脂層形成用組成物B1～B11使用抗蝕組成物R1～R4以外，與前述方法相同方法，製造出具備負型抗蝕層之光硬化性乾薄膜。 　　[0084] 由前述光硬化性乾薄膜剝離保護薄膜，使用真空層合體TEAM-100RF((股)Takatori製)，將真空室內之真空度設定為80Pa，將負型抗蝕層密著於Si基板。將溫度條件設定為110℃。回到常壓後，將前述基板自真空層合體取出，剝離支持薄膜。其次，欲提高與基板的密著性，可藉由加熱板在130℃進行5分鐘預烘烤。 　　剝離具備前述樹脂層的薄膜材料之保護薄膜，使用真空層合體TEAM-100RF((股)Takatori製)，將真空室內的真空度設定在80Pa，使其密著於Si基板上的化學增幅負型抗蝕層。進一步未將前述薄膜材料的支持薄膜剝離下，欲形成100umφ的孔圖型而藉著光罩，在405nm之曝光條件下使用接觸對準型曝光裝置，在1,000mJ/cm2 使前述抗蝕層曝光，形成圖型。 　　光照射後，剝離支持薄膜，藉由加熱板在120℃進行5分鐘PEB後使其冷卻，將前述抗蝕層以PGMEA噴霧300秒進行顯像。將形成圖型的前述抗蝕層使用烤箱在180℃下烤2小時，一邊吹入氮氣一邊進行後硬化。使用各薄膜材料進行圖型形成時的開口部形狀及圖型形成結果如表3及4所示。圖型的形狀為藉由SEM觀察。實施例之圖型為矩形，並未存在T頂端形狀。 　　[0085][0086]

Claims (8)

  1. 一種薄膜材料，其特徵為具備波長300～450nm的光透過率為60%以上之支持薄膜，與該單面上含有分子量10,000以下的鹼性化合物0.001～10質量%之膜厚1～100μm的樹脂層者。
  2. 如請求項1之薄膜材料，其中於前述樹脂層所含的樹脂為選自環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚醯亞胺樹脂的樹脂。
  3. 如請求項2之薄膜材料，其中於前述樹脂層所含的樹脂為，重量平均分子量3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的樹脂。
  4. 一種圖型形成方法，其特徵為含有貼合如請求項1～3中任1項之薄膜材料的樹脂層，與於晶圓上所形成的化學增幅負型抗蝕層之步驟、 　　曝光前述抗蝕層之步驟、 　　加熱處理經曝光的抗蝕層之步驟，及 　　顯像處理經加熱處理的抗蝕層之步驟。
  5. 如請求項4之圖型形成方法，其中於前述曝光步驟中所使用的曝光之光為波長190～500nm之光。
  6. 如請求項4或5之圖型形成方法，其中前述化學增幅負型抗蝕層為含有重量平均分子量為3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的樹脂者。
  7. 如請求項4或5之圖型形成方法，其中前述化學增幅負型抗蝕層為含有(A)～(D)者， 　　(A)下述式(1)所示的重量平均分子量為3,000～500,000之含有矽氧烷骨架的高分子化合物、[式中，R1 ～R4 各獨立為碳數1～8的1價烴基；m為1～100的整數；a、b、c及d為滿足0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0＜a+b≦1及a+b+c+d=1的數；X為下述式(2)所示2價有機基；Y為下述式(3)所示的2價有機基；(式中，Z1 及Z2 各獨立為單鍵或選自的2價有機基；又，R5 ～R8 各獨立為碳數1～4的烷基或烷氧基；k及h各獨立為0、1或2)]、 　　(B)含有3個以上的羥基之多價酚化合物、 　　(C)藉由波長190～500nm之光進行分解，產生酸之光酸產生劑、 　　(D)選自藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合體、於1分子中含有平均2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物及將多價酚的羥基取代為環氧丙氧基之化合物的1種或2種以上的交聯劑。
  8. 如請求項4或5之圖型形成方法， 　　前述化學增幅負型抗蝕層為使用含有(A)～(G)的組成物所形成者； 　　(A)下述式(1)所示的重量平均分子量為3,000～500,000的含有矽氧烷骨架的高分子化合物、[式中，R1 ～R4 各獨立為碳數1～8的1價烴基；m為1～100的整數；a、b、c及d為滿足0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦d≦1、0＜a+b≦1、及a+b+c+d=1的數；X為下述式(2)所示2價有機基；Y為下述式(3)所示的2價有機基；(式中，Z1 及Z2 各獨立為單鍵或選自的2價有機基；又，R5 ～R8 各獨立為碳數1～4的烷基或烷氧基；k及h各獨立為0、1或2)]、 　　(B)含有3個以上的羥基之多價酚化合物、 　　(C)藉由波長190～500nm之光進行分解，產生酸之光酸產生劑、 　　(D)選自藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合體、於1分子中含有平均2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物及將多價酚的羥基取代為環氧丙氧基之化合物的1種或2種以上的交聯劑、 　　(G)溶劑。
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